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UMSNH, FIE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I: Notas de la materia Ignacio Franco Torres 2012

ELECTRÓNICA ANALÓGICA I:

Notas de la materia

Ignacio Franco Torres

UMSNH, FIE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I: Notas de la materia Ignacio Franco Torres 2012
UMSNH, FIE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I: Notas de la materia Ignacio Franco Torres 2012

2012

UMSNH, FIE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I: Notas de la materia Ignacio Franco Torres 2012

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FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

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Capitulo

1

Introducción a la Física de los Semiconductores

Objetivo del capítulo: Que el alumno comprenda el fundamento físico de los materiales semiconductores y entienda como funcionan los semiconductores intrínsecos, y extrínsecos tipo N y P de Silicio y Germanio.

El objetivo de este capítulo es la introducción del lector al conocimiento de los semiconductores y de sus propiedades eléctricas fundamentales, que le permita emprender en los capítulos siguientes el estudio de los dispositivos electrónicos realizados con semiconductores, lo cual, en definitiva, es el objetivo de este libro. Se comienza con una breve descripción de los materiales eléctricos, conductores, aislantes y semiconductores, haciendo énfasis en estos últimos se analiza su dopaje, haciendo especial hincapié en el silicio. Se estudia después una propiedad de importancia fundamental, como es la cantidad de cargas móviles que pueden originar corriente en el semiconductor, denominadas portadores. Se analizan los mecanismos por los cuales esos portadores inducen una corriente eléctrica, Finalmente se presenta las bandas de energía, que permite emprender en el capítulo siguiente el estudio de la unión PN, la estructura básica para fabricar dispositivos

1.1 Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico (con enfoque a los enlaces químicos que se dan: conductores, semiconductores (Si y Ge) y aislantes o dieléctricos).

a) Carga Eléctrica (q)- Un electrón es considerado una partícula atómica donde está contenida la carga eléctrica fundamental que se considera es de polaridad negativa y cuya magnitud se especifica por 1.6 X 10 -19 Coulombios (C), esta carga es la responsable de la interacción atómica (reacción química) entre diferentes átomos. La carga Positiva se considera está en el núcleo atómico; en los protones los cuales tienen la misma magnitud de carga que los electrones pero con signo positivo.

La carga eléctrica tiene unas reglas de operación:

cargas de igual signo se repelen o rechazan.La carga eléctrica tiene unas reglas de operación: cargas de signos contrarios se atraen. Las fuerzas

cargas de signos contrarios se atraen.de operación: cargas de igual signo se repelen o rechazan. Las fuerzas de atracción y o

Las fuerzas de atracción y o repulsión de las cargas son función de la magnitud de la carga y de la distancia entre las mismas.

La fuerza resultante (F) entre cargas es directamente proporcional a la magnitud de las cargas (q1, q2, qn) en cuestión e inversamente proporcional su distancia.

Ley de Coulomb:

Donde:

F

proporcional su distancia. Ley de Coulomb: Donde: F 9.8 10 9 2 q 1 2 r

9.8

proporcional su distancia. Ley de Coulomb: Donde: F 9.8 10 9 2 q 1 2 r

10

9

2

q 1 2 r 2
q
1
2
r
2

n m q

C

2

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en Newton (N)UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA q1 y q2 están en coulomb (C) r en metros (m)

q1 y q2 están en coulomb (C)UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA en Newton (N) r en metros (m) F si Por lo

r en metros (m)ELÉCTRICA en Newton (N) q1 y q2 están en coulomb (C) F si Por lo que

F

si

Por lo que podemos concluir que la fuerza eléctrica de atracción resultante entre electrones y protones es muy intensa de la misma manera que la fuerza de rechazo entre los protones del núcleo es todavía mas intensa y la explicación que se da nos da para que esas partículas no se junten (electrones con protones) o se separen (protones con protones ó electrones con electrones) es que las fuerzas nucleares son las encargadas de mantener un equilibrio a semejanza de un sistema planetarios.

Distancia promedio entre el electrón y el protón es de 5.3 x·10-11 mun equilibrio a semejanza de un sistema planetarios. Distancia promedio entre protones es de 2 x·10-15m

Distancia promedio entre protones es de 2 x·10-15mentre el electrón y el protón es de 5.3 x·10-11 m b) Símbolo. e − c)

b) Símbolo. e

c) Portador de carga. Al electrón se le considera la partícula atómica por excelencia capaz de portar carga eléctrica (llevar, transportar), esta propiedad es la más importante para la electricidad y la electrónica ya que permite el flujo de energía eléctrica entre los sistemas. Al movimiento de electrones de manera ordenada se le denomina corriente eléctrica.

d) Masa del electrón. Como toda partícula atómica el electrón también tiene masa, esta es muy pequeña y colabora con la propiedad anterior, su masa es de 9.11 x10 -31 kilogramos, unas 1800 veces menor que la de los neutrones y protones

e) Tamaño del electrón. Radio clásico del electrón, con un valor de 2.8179 x 10 -15 m.

del electrón, con un valor de 2.8179 x 10 - 1 5 m. Existen tres tipos

Existen tres tipos fundamentales de materiales, de acuerdo con su comportamiento eléctrico:

Conductores

Aislantes o Dieléctricos

Semiconductores

En los apartados siguientes se analiza la respuesta de los dos primeros ante la aplicación de un campo eléctrico. Los materiales semiconductores serán tratados con profundidad un poco mayor.

1.1.1Materiales Conductores. Los conductores son materiales o elementos cuyos electrones de valencia pueden ser extraídos fácilmente del núcleo que les corresponde. De esta forma, se convierten en fuentes de electrones libres, capaces de producir una corriente eléctrica.

Estructura

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Los conductores por excelencia son los metales. Estos forman redes de iones en los que cada átomo cede sus electrones de valencia para formar una nube de electrones libres, se les denomina enlace metálico. La nube negativa hace de aglutinante de los iones positivos, apantallando la repulsión y manteniéndolos unidos. En la Figura 1 se muestra de manera simplificada, la red de átomos del aluminio.

Figura 1: Enlace metálico del aluminio

Figura 1: Enlace metálico del aluminio

Conductores bajo la acción de un campo eléctrico

Puesto que un conductor dispone de una nube de electrones libres, la aplicación de un campo eléctrico (voltaje o tensión eléctrica) provocará un movimiento de cargas. Este fenómeno presenta una cierta analogía con el movimiento de los cuerpos en el campo gravitatorio como se muestra en la Figura 2.

Figura 2 Analogía de los campos gravitatorio y eléctrico

Figura 2 Analogía de los campos gravitatorio y eléctrico

La fuerza de la gravedad es equivalente a la que ejerce el campo eléctrico, mientras que

). La

intensidad de la corriente eléctrica es el número de portadores de carga que atraviesa una sección del conductor por unidad de tiempo.

la diferencia de alturas se corresponde con la diferencia de potencial (

de alturas se corresponde con la diferencia de potencial ( V V 1 2 Obsérvese que

V V

1

2

Obsérvese que aunque el movimiento de los electrones es relativamente lento, la propagación de este movimiento en el interior del conductor se produce casi instantáneamente (a la velocidad de la luz: 3 x 10 8 m/s).

Obviamente, la situación representada en la Figura 2 es una tosca aproximación al fenómeno de la conducción eléctrica en los materiales. En realidad los electrones libres interaccionan tanto entre ellos como con los iones positivos. Como resultado de estos choques se produce un consumo de energía, que se caracteriza mediante el parámetro llamado resistencia eléctrica del conductor. La propiedad eléctrica más importante de los materiales es la que expresa que tan fácilmente permiten el paso de la corriente eléctrica: la más común se llama “resistencia eléctrica”R=expresa la oposición que tiene un material al paso de una corriente

el mejor material conductor de

eléctrica, sus unidades están en ohms

( )
(
)

volt

Ampere

electricidad sería aquel cuya R=0 (ohm), dicho material no se conoce. Una propiedad que seria la opuesta a la Resistencia eléctrica sería la Conductividad Eléctrica, la cual también expresa que tan buen conductor eléctrico es un material. Se

representa con

( G )

1
1
eléctrico es un material. Se representa con ( G ) 1 volt R Ampere Siemens S

volt

R Ampere

eléctrico es un material. Se representa con ( G ) 1 volt R Ampere Siemens S
eléctrico es un material. Se representa con ( G ) 1 volt R Ampere Siemens S

Siemens S

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Idealmente el mejor conductor Eléctrico tendría una resistencia eléctrica de 0 ohms () ó una conductividad eléctrica de

La resistencia eléctrica que presenta un resistor es función del material con el que esta hecho el resistor así como la geometría (forma) del resistor, por ejemplo para un resistor de forma cilíndrica, la resistencia que presenta este resistor será:

 

R=ρ(L/S)

  R= ρ (L/S)

L

= longitud (m)

S

= área (m 2 )

ρ = resistividad de material (-m)

La resistividad (ρ) es función de la temperatura

   

Resistividad

Coeficiente de temperatura α (1/°K)

Sustancia

ρ (-m)

 

Plata

1.59·10 -8

3.8·10 -3

CONDUCTORES

Cobre

1.67·10 -8

3.9·10 -3

Oro

2.35·10 -8

3.4·10 -3

Aluminio

2.65·10 -8

3.9·10 -3

Wolframio

5.65·10 -8

4.5·10 -3

Níquel

6.84·10 -8

6.0·10 -3

Hierro

9.71·10 -8

5·10 -3

Platino

10.6·10 -8

3.93·10 -3

 

Plomo

20.65·10 -8

4.3·10 -3

Semiconductores

Silicio

4300

-7.5·10 -2

Germanio

0.46

-4.8·10 -2

 

Vidrio

10 10 - 10 14

 

AISALANTES

Cuarzo

7.5·10 17

 

Azufre

10

15

 

Teflón

10

13

 

Caucho

10 13 - 10 16

 

Madera

10 8 - 10 11

 
 

Diamante

10

11

 

Resistividad de algunos materiales a 20 °C

En los conductores, aumenta con la temperatura, pudiéndose considerar que para pequeños intervalos de temperatura una dependencia lineal:

ρ= ρ20(1 +α(t- 20 °C ))

ρ = resistividad de material ( Ω - = resistividad de material (-

m)

ρ20 = Resistividad del material a 20 °C 20 = Resistividad del material a 20 °C

α = coeficiente de temperatura = coeficiente de temperatura

t = temperatura en °C- m) ρ 20 = Resistividad del material a 20 °C α = coeficiente de temperatura

del material a 20 °C α = coeficiente de temperatura t = temperatura en °C Ignacio

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Los resistores son dispositivos que se usan para manipular corrientes y voltajes en los circuitos eléctricos las más comunes tienen un código de colores que permite identificar su valor de resistencia y de tolerancia.

permite identificar su valor de resistencia y de tolerancia. Conductores en equilibrio electrostático Cuando en el

Conductores en equilibrio electrostático

Cuando en el interior de un conductor no se tiene movimiento neto de carga, se dice que está en equilibrio electrostático. En esta circunstancia, el conductor presenta las siguientes propiedades:

El campo eléctrico en el interior del conductor es nulo: En caso contrario, sobre los electrones libres actuaría una fuerza capaz de moverlos. En consecuencia, la diferencia de potencial entre dos puntos del interior del conductor es nula.

En el interior del conductor no existe carga eléctrica neta: En efecto, la carga del conductor sólo puede estar distribuida en la superficie del conductor, ya que si hubiera carga interior también existiría un campo eléctrico interior.

El campo eléctrico sobre la superficie del conductor es perpendicular a la misma: De otro modo existirían fuerzas tangenciales capaces de provocar el movimiento de los electrones.

1.1.2Materiales Aislantes ó Dieléctricos. Los

o

dieléctricos ideales son aquellos que no permiten el establecimiento de una corriente eléctrica.

materiales

aislantes

Estructura

Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los átomos completan su última capa atómica alcanzando la estructura electrónica estable: la propia de un gas noble. Los electrones pueden cederse (enlace iónico puro), compartirse (enlace covalente puro) o combinarse (enlace covalente heteropolar). En la Figura 3 se muestra la estructura molecular del dióxido de silicio (SiO 2 ), material aislante por excelencia empleado en la industria microelectrónica.

El hecho fundamental es que los electrones quedan ligados al material, al contrario de lo que sucedía con la nube electrónica de los conductores.

Figura 3 Estructura molecular del SiO 2

Figura 3 Estructura molecular del SiO 2

Aislantes bajo la acción de un campo eléctrico

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Si un aislante (o dieléctrico) ideal se somete a un campo eléctrico (o a una diferencia de potencial), no es posible la circulación de una corriente, ya que no existen cargas libres. Sin embargo, si las tensiones son muy elevadas pueden llegar a arrancar electrones e incluso iones de la red. Los electrones arrancados bombardearán otros átomos, liberando nuevos electrones. Así se genera una avalancha que si no se controla puede destruir el material. Por lo tanto, existe un campo eléctrico por encima del cual se produce la ruptura dieléctrica del material aislante. En los buenos aislantes esta tensión es muy elevada.

Idealmente el mejor Aislante Eléctrico tendría una resistencia eléctrica de ohms ()

1.1.3Materiales Semiconductores (Si y Ge). Los materiales semiconductores

ideales son aquellos que tienen propiedades entre los conductores y aislantes es decir no son buenos conductores no son buenos aislantes.

Estructura

Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los átomos completan su última capa atómica alcanzando la estructura electrónica estable que puede ser manipulada eléctricamente. Los electrones se

comparten (enlace covalente puro).

Figura 4 Estructura molecular del Si

Figura 4 Estructura molecular del Si

En Figura 4 se muestra la estructura molecular del silicio ( Si ), material semiconductor por excelencia empleado en la industria microelectrónica.

El hecho fundamental es que los electrones quedan semi-ligados al material, al contrario de lo que sucedía con la nube electrónica de los conductores.

Semiconductores bajo la acción de un campo eléctrico

Si un semiconductor ideal se somete a un campo eléctrico (o a una diferencia de potencial), es posible la circulación de una pequeña corriente, ya que no existen cargas semi-libres. Técnicamente son malos conductores y malos aislantes.

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA.

Otra manera de explicar el funcionamiento de los materiales eléctricos es a través del modelo de bandas de energía como se muestra en la Figura 5 donde se representan los electrones de conducción y de valencia representados en bandas.

de conducción y de valencia representados en bandas. Figura 5 Bandas de Energía de (a) Conductor

Figura 5 Bandas de Energía de (a) Conductor (b) Aislante (c) Semiconductor

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UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA 95 % de los elementos electrónicos fabricados en la actualidad son

95 % de los elementos electrónicos fabricados en la actualidad son de materiales semiconductores simples, principalmente de silicio, pero los semiconductores

compuestos empiezan a jugar un papel cada vez más significativo en aplicaciones de alta velocidad y en la optoelectrónica. Por ese motivo, en este libro se considera al silicio como semiconductor de referencia, si no se indica otra cosa explícitamente.

1.2 Construcción de los semiconductores para uso electrónico.

(Enfoque

de

red

cristalina

pura,

características

eléctricas

del

semiconductor

intrínseco).

1.2.1Los semiconductores naturales deben ser preparados para ser usados como semiconductores grado electrónico.

Deben de purificarse, solo deben quedar impurezas en partes por millón (ppm)

Deben poseer una Red cristalina pura y ordenada (Figura 6)

Se usan Silicio y Germanio generalmente.

(Figura 6)  Se usan Silicio y Germanio generalmente. Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y
(Figura 6)  Se usan Silicio y Germanio generalmente. Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y
(Figura 6)  Se usan Silicio y Germanio generalmente. Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y

Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y simplificada

1.2.2Semiconductores Intrínsecos. Se les denomina a los semiconductores que tienen una red cristalina ordenada y un alto grado de pureza y debido a ello sus propiedades eléctricas solo dependen de sí mismos y de su forma geométrica cuando se construyen dispositivos con ellos (figura 6).

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Un termistor es un ejemplo clásico de dispositivo electrónico fabricado con semiconductores intrínsecos, tiene típicamente un coeficiente que lo hace dependiente de la temperatura, es decir su resistencia eléctrica depende de la temperatura, si lo hace de forma negativa, es decir si al aumentar la temperatura disminuye su resistencia se dice que es NTC (Negative Temperature Coeficient) ó PTC (Positive Temperature Coeficient) si lo hace de manera opuesta.

T emperature C oeficient) si lo hace de manera opuesta. Figura 7 Resistencia Vs Temperatura en

Figura 7 Resistencia Vs Temperatura en termistores NTC y PTC y Símbolo

Su uso es como sensor de temperatura o como compensador dependiente de la temperatura.

o como compensador dependiente de la temperatura. Figura 8.- Aplicaciones del termistor a) Corriente

Figura 8.- Aplicaciones del termistor a) Corriente dependiente de Temperatura, b) Voltaje dependiente de Temperatura c) Termómetro con termistor

1.3 Semiconductores Extrínsecos: (Efectos de los contaminantes y cuáles de ellos se pueden usar. Semiconductor tipo N y Tipo P. Características eléctricas.)

1.3.1Dopado. Si a los semiconductores intrínsecos se les combina adecuadamente

del V grupo se forman los

con

elementos

del

III

y/o

con

elementos

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.

1.3.2Semiconductores Tipo N. Los elementos del V grupo que se usan en la electrónica junto con el silicio y germanio son: fósforo, arsénico, antimonio y bismuto que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman los Semiconductores Extrínseco tipo N.

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UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Figura 9.- Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía, (b)
UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Figura 9.- Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía, (b)

Figura 9.- Semiconductor Extrínseco tipo N, (a) Bandas de Energía, (b) Enlace

1.3.3 Semiconductores Tipo P. Mientras que los III grupo son: Boro, Aluminio, Indio y Galio que al combinarse con los semiconductores intrínsecos forman los Semiconductores Extrínseco tipo P.

intrínsecos forman los Semiconductores Extrínseco tipo P. Figura 10.- Semiconductor Extrínseco tipo P, (a) Bandas de
intrínsecos forman los Semiconductores Extrínseco tipo P. Figura 10.- Semiconductor Extrínseco tipo P, (a) Bandas de

Figura 10.- Semiconductor Extrínseco tipo P, (a) Bandas de Energía (b) Enlaces Covalentes

1.3.4Características Eléctricas. Semiconductores Intrínsecos

Tabla 1.3

Intervalos prohibidos de energía, conductividades a temperatura ambiente, movilidad de los electrones y huecos de materiales semiconductores,

   

Intervalo

Conductividad Eléctrica (-m) -1

Movilidad de los electrones (m 2 /V-s)

Movilidad de los huecos (m 2 /V-s)

Material

prohibido (eV)

 

Elemental

Si

 

1.11

4

x 10- 4

0.14

0.05

Ge

0.67

2.2

0.38

0.18

 

Compuestos III-V

 

GaP

 

2.25

 

-

0.05

0.002

GaAs

1.42

10

-6

0.85

0.45

InSb

0.17

2

x 10 4

7.7

0.07

 

Compuestos II-VI

 

Cd

 

2.40

 

-

0.03

-

ZnTe

2.26

-

0.03

0.01

Estas características eléctricas de los materiales semiconductores intrínsecos son alteradas sustancialmente en los extrínsecos de acuerdo a la cantidad de dopaje de los mismos.

Semiconductores Extrínsecos Tipo N

Portadores de cargatransportadoreselectrones

Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos
Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos

Tipo P

Portadores de cargatransportadoreshuecos

Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos
Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos
 electrones Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos Ignacio Franco Torres 2012 1
 electrones Tipo P Portadores de carga  transportadores  huecos Ignacio Franco Torres 2012 1

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Figura 11.- Variación de la movilidad de los electrones contra la concentración de impureza donadora
Figura 11.- Variación de la movilidad de
los electrones contra la concentración de
impureza donadora (tipo n)
Figura 12.- Variación de la movilidad de los
electrones contra la concentración de
impureza aceptora (tipo p)
contra la concentración de impureza aceptora (tipo p) Figura 13.- Influencia de la temperatura en la
contra la concentración de impureza aceptora (tipo p) Figura 13.- Influencia de la temperatura en la

Figura 13.- Influencia de la temperatura en la conductividad eléctrica

Figura 14.- Disminución de la movilidad del electrón al aumentar la temperatura Figura 15.- Disminución
Figura 14.- Disminución de la movilidad
del electrón al aumentar la temperatura
Figura 15.- Disminución de la movilidad
de los huecos al aumentar la
temperatura

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UMSNH FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Figura 16.- Si T se incrementa Extrínseco  Intrínseco Ignacio Franco

Figura 16.- Si T se incrementa Extrínseco Intrínseco