INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR CENTRAL TCNICO

NIVEL TECNOLGICO
INFORME DE ELECTRNICA DE POTENCIA

Integrantes:
Dayana Coba
David Fernandez
Benjamn Llamuca
Fabin Salazar
Juan Simbaa

INVERSION DE GIRO DE UN MOTOR

Objetivo: Armar un circuito capaz de invertir la direccin de giro de un motor
mediante transistores mosfet
Esquema del grfico:

Marco terico:
Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es
un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el

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transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos

analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms
popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo, el
sustrato generalmente est conectado internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el
aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido
por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas autoalineadas. Las puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la
dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin
utilizar componentes metlicos en la puerta. De manera similar, el 'xido'
utilizado como aislante en la puerta tambin se ha reemplazado por otros
materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de
tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate
field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un
MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una puerta que no es metlica, y un aislante de puerta que no
es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de
efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor
field-effect transistor).
Funcionamiento:
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS. Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan
en la creacin de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensin
en la puerta. La tensin de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el
canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin
con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la
regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en
la concentracin deelectrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un
sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se
construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

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Los MOSFET de empobrecimiento o deplexin tienen un canal conductor en su

estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la
tensin elctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad
de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

Smbolos de los transistores FET y MOSFET

Can
al P

Can
al N

FET de
unin
JFET

MOSFET de

MOSFET de

Enriquecimien

Enriquecimie

to

nto

(MOSFET-E)

(sin sustrato)

MOSFET de
Empobrecimie
nto
o Deplexin
(MOSFET-D)

Programacin