El transistor

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante
una seal muy pequea.Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los
bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre
de estos hace referencia a su construccin como semiconductor.
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la
lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el
transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy
grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar
un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base colector inversamente.
3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin
es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor
se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente
de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la
carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En
definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona
la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los
fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la
denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera:
= IC / IB

ormulas para calcular transistores

transistor bipolar como amplificadorEl comportamiento del transistor se puede ver como dos
diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual
a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.
Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base:
IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100
y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor comn

La seal se aplica a la base del transistor y se

conecta a las masas tanto de la seal de entrada
configuracin se tiene ganancia tanto de tensin
entrada. En caso de tener resistencia de emisor,

extrae por el colector. El emisor se

como a la de salida. En esta
como de corriente y alta impedancia de
RE > 50 , y para frecuencias bajas, la

ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin:

; y la impedancia de
salida, por RC
Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin
constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor
es: VE = VB Vg
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

. Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,
Que podemos escribir como
Vemos que la parte

es constante (no depende de la seal de entrada), y la

parte
nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada
180 respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia queda:
La corriente de entrada,

, que aproximamos por

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es

muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de
la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn,
nos da la ganancia aproximada siguiente:
.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo,
micrfonos dinmicos.

Colector comn

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se

conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente
inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por 1/.

Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis
parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y
tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden
presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos
valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado
del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que
relacionan V con I y V con I e I . Con frecuencia, estas curvas son facilitadas
por los fabricantes.
Caractersticas V -I
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensin de polarizacin V sobre la corriente de base I . Estas
grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de transferencia. Las
curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza
directamente.
BE

BE

CE

BE

Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de

gran ayuda para localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga V con I es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse

dado que la unin base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al
polarizarla, seguir el mismo comportamiento que aquel.
BE

La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas V -I
CE

Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido

o del signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del
transitor, ste se puede encontrar en alguna de las cuatro regiones que se
pueden observar en el grfico de la derecha. Estas regiones son; Regin activa
directa, Regin de saturacin, Regin de corte y Regin activa inversa. A
continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de estas
regiones.
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin
emisor-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para
amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base

procedentes del emisor podemos observar que all donde haba un hueco pasa
a haber, tras la recombinacin, un in negativo inmvil. Si desaparecen los
huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se
repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la
circulacin de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base
reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco nuevo
que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente
I pequea) la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin
elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal,
con lo que se puede establecer que:
B

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia directa de

corriente, o bien ganacia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por
el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar
origen a la corriente de colector I
Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el
nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su
corriente inversa aumenta tambin
C

Regin activa inversa

Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una
polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en
sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta
como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen
zonas de depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay
portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna
corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las
uniones plarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo
tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den
esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base con el
emisor abierto (V ), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con
la base abierta (V ), la unin colector - base polarizada en inverso entre en un
proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha
primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando
con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de
puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base), que se produce
CBO

CEO

cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo. En efecto, con

dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base
que reduce el paso de dicha polarizacin se crea un campo magntico
trransversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios
a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia
que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de la
base, a la corriente de colector y a la V , y alcanzando cierto valor, se produce
en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente
aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos
catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de
avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
CE

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del
transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin
prevista (ver grfica inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha

secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello
el fabricante suministra unas curvas lmite en la zona activa con los tiempos
lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de
cruvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo
concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante

el toff, con la polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la
focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un rea ms
pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha puede producirse
con niveles ms bajos de energa. Los lmites de I y V durante el toff vienen
reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
C

CE

La polarizacin de los transistores es necesaria en las aplicaciones analgicas, no normalmente en las digitales.
La polarizacin consiste en hacer circular por las uniones una corriente de reposo (que est presente incluso
cuando no trabaja), que sita al transistor en las mejores condiciones, para reproducir fielmente las seales
elctricas que debe procesar, y que stas permanezcan estables incluso cuando las circunstancias ambientales
(temperatura, variacin de su tensin de alimentacin, y otras) varen.
Cada montaje (base comn, emisor comn y colector comn), y cada aplicacin (amplificacin, recortador,
adaptador de impedancias y muchas otras) exigen una polarizacin diferente, as que no puedo darte ms detalles
sin conocerla.

as caractersticas de entrada y salida no son lineales:

Para facilitar los clculos usaremos las siguientes aproximaciones.

1 aproximacin (ideal)
Esta es la aproximacin ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las
caractersticas de entrada y salida son estas:

2 aproximacin
Esta aproximacin no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece ms al
funcionamiento real del transistor.

3 aproximacin
La aproximacin ms exacta o la que ms se parece a la realidad, por lo tanto algo
ms compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero tambin en complejidad.

EJEMPLO: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se
comete de una a otra.

 1 aproximacin
Para saber donde estamos hacemos una hiptesis. Hiptesis: ACTIVA.

Vemos que la UE est en directa y la UC est en inversa por lo tanto la hiptesis es

correcta, estamos en activa.
2 aproximacin

Tambin queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia

esta en VCE y debido eso se recomienda usar la 2 aproximacin en vez de la 1
aproximacin.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incgnitas se
toma: IC = IE.
La 3 aproximacin no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos
trabajando (punto Q). En practicas se podra utilizar la 3 aproximacin midiendo la
tensin VBE con el voltmetro, pero en problemas no se usa la 3 aproximacin.
Si supiramos su valor, aplicamos la 3 aproximacin y se ven los valores que salen:
3 aproximacin
Por ejemplo con un voltmetro mido la tensin VBE y me sale el siguiente valor:

Como se ve los errores son mnimos comparndolos con la 2 aproximacin, por eso
usaremos la 2 aproximacin.

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB....................................60 V (mximo valor en inversa)
VCEo...................................40 V (mximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (mximo valor en inversa)
En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en:
Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.
Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.
Corriente y potencia mximas
En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo
la unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:
Tj = Temperatura de la unin.
TC = Temperatura de la capsula.
TA = Temperatura del ambiente.
EJEMPLO: Tj = 200 C
Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la unin
al encapsulado y posteriormente al ambiente.
Hay una resistencia trmica unin-cpsula que dificulta que el calor pase de la unin
a la cpsula (jC).
Hay una resistencia trmica cpsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la
cpsula al ambiente (CA).
jC = 125 C/W
CA = 232 C/W
jA = 357 C/W
Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.
Factor de ajuste
Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por
encima de un valor determinado.

EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = - 2,8 mW/C

Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW
Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica:
Factor de ajuste = 1 / jA
Otro parmetro
Este parmetro es el cc que ya hemos visto anteriormente (IC = cc IB Zona Activa).
cc = hFE
Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir:
IC
(mA)

hFE
mn

typ

mx

0,1

40.............__...........__

70.............__...........__

10

100.............__...........300

50

60.............__...........__

100

30.............__...........__

Este valor es para la zona activa. Como se ve en la grfica, existe una tolerancia de
fabricacin o dispersin de valores en la fabricacin que por ejemplo para IC = 10 mA
va desde 100 hasta 300.
Punto de trabajo Q y recta de carga esttica de un transistor

1.4 Punto de trabajo

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que son
utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por
consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas
fuentes dealimentacin o fuentes de polarizacin.
Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua
necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor de la que parte
de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en

los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent
operating point).
En transistor del circuito de la figura 1.8.a est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin en
continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede relacionar
lasintensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El
clculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito,
Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

1.4 Representacin del punto de trabajo con la recta en

carga esttica
En la figura 1.8.b se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a
travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta
denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar
saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal.
Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en
las curvas caractersticas del transistor de la figura 1.8.b, corresponde a una recta.

La tercera ecuacin de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de
forma que

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos
puntos: a) VCE = 0, entonces IC = VCC / RC; b) IC=0, entonces VCE = VCC. Estos puntos se pueden
identificar en la figura 1.8.b y representan los cortes de la recta de carga esttica con los de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la
situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para
que la corrientede colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima
simtrica.
Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el
Circuito en contrafase
Cuando un transistor funciona en clase B slo amplifica la mitad de un ciclo. Para evitar la distorsin, se
emplean dos transistores dispuestos en contrafase (conocido en ingls como push-pu11). Este hecho
significa que uno de los transistores conduce durante un semiciclo y el otro transistor durante el otro.
Con los circuitos en contrafase se pueden construir amplificadores clase B que tengan baja distorsin y
gran potencia en la carga.
En la figura se muestra una forma de conectar un seguidor de emisor en contrafase que funciona en clase
B. Se conecta un seguidor de emisor npn y un seguidor de emisor pnp en un circuito en contrafase. Se
puede comenzar su anlisis con el circuito equivalente de la figura. El diseador selecciona las
resistencias de polarizacin de forma que el punto Q se halle en el corte. As se polariza el diodo de
emisor de cada transistor entre 0,6 y 0,7v.

Idealmente
ICQ = 0
Puesto que las resistencias de polarizacin son iguales, cada emisor est polarizado con la misma
tensin. Como resultado se tendr que la mitad de la tensin de la fuente de alimentacin aparecer entre
los terminales colector-emisor de cada transistor. Es decir
Recta de carga para continua
Al no haber resistencia para continua en los circuitos de colector o de emisor de la figura anterior, la
corriente de saturacin para continua es infinita. Este hecho significa que la recta de carga para continua
es vertical. Si esta situacin le peligrosa, no se equivoca. La mayor dificultad al disear un amplificador de
clase B es el situar de forma establ
A. Amplificadores de clase A: un amplificador de potencia funciona en clase A cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente
de salida circule durante todo el perodo de la seal de entrada.
B. Amplificadores de clase B: un amplificador de potencia funciona en clase B cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente
de salida circule durante un semiperodo de la seal de entrada.

C. Amplificadores de clase AB: son, por as decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un amplificador de
potencia funciona en clase AB cuando la tensin de polarizacin y la amplitud mxima de la seal de
entrada poseen valores tales que hacen que la corriente de salida circule durante menos de un perodo
y ms de un semiperodo de la seal de entrada.
D. Amplificadores de clase C: un amplificador de potencia funciona en clase C cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente
de salida circule durante menos de un semiperodo de la seal de entrada.

RESUMEN DE LA TEORA
Amplificador Clase-A
Un amplificador clase-A drena la misma potencia de la fuente de poder sea que haya sido aplicada o no una
seal a la entrada. La potencia de entrada es calculada de la forma

Ecuacin 1
La potencia provista por el amplificador puede calcularse usando:

Ecuacin 2
donde la eficiencia del amplificador sera:

Ecuacin 3

Amplificador Clase-B
Un amplificador clase-B no drena potencia alguna hasta que no se aplique una seal de entrada. En la medida
que la seal entrante aumente, tanto la potencia drenada de la fuente de poder, como la liberada en la carga
aumenta. La potencia de entrada a un amplificador clase-B es:

Ecuacin 4
La potencia provista por el amplificador puede calcularse usando:

Ecuacin 5
La eficiencia del amplificador se calcula usando la Ecuacin 3

Amplificador Diferencial con transistores

bjt.

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Amplificador diferencial es un arreglo realizado mediante transistores, es el

circuito principal de los amplificadores operacionales integrados comerciales y de muchos otros
circuitos integrados, se ver el caso del amplificador diferencial construido a partir de transistores
bipolares o bjt. Algunas de las caractersticas importantes del amplificador diferencial son
su alta impedancia de entrada, una ganancia de tensin alta, un valor alto en cuanto al
rechazo en modo comn.
Sern necesarios un par de transistores bipolares npn, en los ejemplos se utilizar el 2N3904,
tres resistencias de las cuales luego se ver como calcular sus valores adecuados para
utilizarlos dentro de un amplificador diferencial construido mediante elementos discretos, en
un inicio se usarn dos fuentes de alimentacin, una positiva y la otra negativa, mas
adelante se ver como implementar un amplificador diferencial con slo una fuente de
alimentacin.

El circuito utilizado para conocer el amplificador diferencial ser el que se muestra en la siguiente
imagen, en ella se puede ver la distribucin de los dispositivos, as como la de las fuentes de

alimentacin.
Los colectores de los transistores bipolares estn conectados a fuente de alimentacin positiva
VCC a travs de las resistencias RC1 y RC2, los emisores estn unidos entre si y mediante una
resistencia RE estn conectados a la fuente de alimentacin negativa -VEE.
La base del transistor T1 se conoce como entrada no inversora, mientras que la base de T2 se
conoce como entrada inversora, si una seal senoidal v1 ingresa por la base de T1 y una seal
senoidal v2 ingresa por la base de T2 ambas de la misma frecuencia pero de diferente
amplitud, entonces si v1>v2 la tensin de salida vsal estar en fase con v1, pero si v1<v2 la
tensin de salida vsal estar invertida con respecto a v1.
La tensin de salida vsal amplificada ser la diferencia entre las tensiones de los colectores
de los transistores T2 y T1 las cuales sern las salidas de las seales amplificadas,
luego vsal=vc2-vc1, esta es la razn por la cual cual se llama a este tipo de circuitos
amplificadores diferenciales, en muchos circuitos no se utilizan ambas entradas ni ambas
salidas.
Cuando se utilizan ambas entradas se dice que la entrada del circuito es diferencial, si se usa una
sola de las entradas se dice que la entrada es asimtrica; cuando se toman ambas salidas se dice
que la salida es diferencial, si se toma solo una salida se dice que la salida es asimtrica.
Es de mencionar que el circuito utilizado para los anlisis es el mas simple que se puede hacer
mediante dispositivos discretos, el circuito ser til para experimentacin y ademas tendr
una gran utilidad terica para poder comprender los amplificadores diferenciales, ya que al
circuito se le puede hacer muchas mejoras para obtener circuitos mucho mas tiles, lo
que se logra con creces dentro de los circuitos integrados, pero estas mejoras conllevan a
realizar clculos matemticos mucho mas complejos, en nuestro caso no se busca
complicarnos con la matemtica sino comprender el amplificador diferencial, partiendo de
esto, mas adelante dependiendo del inters que se tenga, se puede buscar informacin mas

avanzada sobre este tema; los resultados tericos que se obtengan en nuestro caso sern
prximos a los valores reales.

INTRODUCCIN AL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL
La electrnica analgica se ha visto enriquecida con la incorporacin de un nuevo
componente
bsico: el
amplificador
operacional (A.O.).
Aunque realmente el A.O. es un circuito electrnico evolucionado, sus caractersticas de
versatilidad, uniformidad de polarizacin, propiedades notables y disposicin en circuito integrado,
convierten al mismo en un nuevo elemento electrnico capaz de intervenir en la conformacin de
circuitos
analgicos
de
mayor
complejidad.
La utilizacin del A.O. en circuitera presupone un adecuado conocimiento de sus caractersticas
de funcionamiento y prestaciones. Estos datos se evalan en base a determinadas caractersticas
proporcionadas
por
el
fabricante.

El

Amplificador

El objeto de un amplificador electrnico, es elevar el valor de la tensin, corriente o potencia de

una seal variable en el tiempo, procurando mantenerla lo ms fiel posible.
Los

parmetros

que

caracterizan

un

amplificador

son

los

siguientes:

Donde
:
amplificador.
Grado
de
amplificacin.
Ve
=
tensin
de
entrada.
ie
=
Intensidad
de
entrada.
Ze
=
Impedancia
de
entrada.
Vs
=
tensin
de
salida.
is
=
Intensidad
de
salida.
Zs
=
Impedancia
de
salida.
La ganancia (A), es la relacin entre la salida y la entrada. Se puede distinguir entre ganancia de
A

ganancia

del

tensin,
Av
AI
Ap

corriente
=
Vs/Ve
=
is/ie
Ps/Pe
=

y
ganancia
ganancia
Av.AI
ganancia

Ninguna

potencia.
tensin.
corriente.
potencia.

de
de
de

tiene

unidades.
Ejemplo:

a) A un amplificador le aplicamos la siguiente seal, Ve= 2V ie= 20 mA. Y el nos da, Vs = 8V, is=
200
mA.
cul
ser
su
ganancia
de
tensin,
corriente
y
potencia.?
Solucin:
Av
AI
Ap
b)

=
=
=

Expresa
A(dB)

la
=

Vs/Ve
=

is/ie
Ps/Pe
ganancia
10

=
de

log

=
200
Av.AI

potencia
(Ps/Pe)

del

ejercicio

=10

8V/2V
20mA
.
10

mA/
4

anterior

log

(40)

en

4
10
40

=
=
decibelios

16,02

(dB)
dB

La impedancia de entrada (Ze) y de salida (Zs), se definen como la tensin aplicada y la

corriente
absorbida.
Ze
Zs
1.1.

=
=

Ve/ie
Vs/is

Introduccin

impedancia
impedancia
al

de
de

entrada.
salida.

amplificador

operacional

El amplificador operacional (AO), es un amplificador que posee, dos entradas activas referidas a
masa (entrada diferencial); la entrada inversora (-), y la no inversora (+). Tiene una salida y se
alimenta
con
tensin
simtrica
(dos
fuentes
de
tensin).

Las
-

caractersticas

Ganancia
de
Impedancia

del

tensin

en
de

AO
lazo
entrada

ideal
abierto

(A0)
(Ze)

son:
infinita.
infinita.

Impedancia

de

salida

(Zs)

cero.

El A.O. es un dispositivo amplificador cuyas caractersticas de funcionamiento se aproximan a las

de un amplificador ideal: ganancia infinita, salida nula en ausencia de la seal de entrada,
impedancia de entrada infinita, impedancia de salida cero, ancho de banda infinito y tiempo
de
subida
nulo.
Las caractersticas de un A.O. real difieren de las propias de un A.O. ideal. No obstante, un A.O.
tpico est caracterizado por las siguientes propiedades sustancialmente aceptables: elevada
ganancia en tensin, alta impedancia de entrada, ancho de banda amplio (partiendo desde c.c.),
baja
tensin
de
offset,
mnima
distorsin,
nivel
de
ruido
reducido,
etc.
Como se observa en la figura 1, el amplificador operacional posee dos entradas: una
INVERSORA (-) y otra NO INVERSORA (+) y una salida asimtrica referida a masa.

Si la seal se mete por la inversora, la seal de salida aparecer invertida 180 respecto a la
excitacin. La alimentacin se realiza por medio de dos fuentes simtricas, una +Vcc, u otra -Vcc,
Esta circunstancia permite centrar la seal de salida respecto al nivel de referencia f (masa).
Existen dos tipos de funcionamiento bsico: sin realimentacin o en BUCLE ABIERTO y
con
realimentacin
o
en
BUCLE
CERRADO.
Normalmente se usa en BUCLE CERRADO. La red de realimentacin determina la funcin que
realiza el montaje, permitiendo la construccin de amplificadores asimtricos, osciladores,
integradores,
diferenciadores,
sumadores,
restadores,
comparadores,
filtros,
etc.
Las limitaciones de este tipo de dispositivos quedan determinadas por las caractersticas del
fabricante.
Interpretacin
1.

de

GANANCIA

las
DE

especificaciones
TENSIN

de
EN

los

amplificadores
BUCLE

operacionales.

ABIERTO

Corresponde a la ganancia del amplificador sin realimentar. Depende de la frecuencia de trabajo y

de la temperatura, disminuyendo al aumentar uno cualquiera de ambos factores. Su valor tpico es

el

de

100

dB.

Si el A.O. se utiliza con realimentacin en tal caso la ganancia depende de la red de

realimentacin.
2.

IMPEDANCIA

DE

ENTRADA

Zi

(figura

2a)

Se define como la impedancia que el amplificador presenta a la fuente de excitacin conectada a

una de las dos entradas y con la otra a masa. Zi vara con la temperatura y la frecuencia, suele
darse para determinada condiciones concretas, por ejemplo: T = 25 C y f = 1 KHz,
Evidentemente
la
variacin
de
Zi
modifica
la
ganancia
del
A.O.
Debido a que el A.O. es un amplificador de tensin, Zi debe de ser muy elevada con el fin de
evitar cualquier efecto de carga sobre la etapa anterior de excitacin. El valor tpico de la
impedancia
de
entrada
suele
ser
del
orden
de
los
Mega
Ohmios.

3.

IMPEDANCIA

DE

SALIDA

Zo

(figura

2b)

Es la impedancia que presenta el A.O. hacia una carga conectada a la salida. Una Zo elevada
reduce la ganancia del A.O. y puede dar lugar a que la etapa siguiente cargue el A.O. Por otra
parte la impedancia de salida disminuye al aumentar la frecuencia de trabajo, ya que, en
estas circunstancias A disminuye. Los valores normales a Zo son inferiores a 100 ohmios.

4.

MRGEN

DINMICO

Vo-pp

(figura

2c)

Representa el valor mximo pico a pico que puede adquirir la seal simtrica de salida.
Idealmente debera de coincidir con Vcc (diferencia entre los valores de ambas fuentes de
alimentacin). No obstante, debido a las prdidas en funcionamiento real, Vo-pp es inferior
en algunos voltios a Vcc, Un aumento de la frecuencia, impedancia de salida o intensidad
sobre la carga, se traduce en una disminucin del margen dinmico.

5.

ANCHOS

DE

BANDA

(figura

2d)

Se define como la gama de frecuencias de funcionamiento comprendidas entre la

frecuencia
de
corte
inferior
y
superior.
Recordemos que las frecuencias de corte, definidas convencionalmente, son aqullas para las
que la ganancia cae 3 dB respecto a su valor tpico (normalmente para f = KHz ), En las hojas de
caractersticas B se da para funcionamiento en bucle abierto tomando un valor comprendido
entre 0 y 10 MHz en modelos comerciales. Si tenemos en cuenta que el A.O. es un
amplificador de continua, amplificador desde f = 0 Hz, la frecuencia mxima con la que puede
operar
coincidir
con
el
valor
asignado
al
ancho
de
banda.

6.

MXIMA

TENSIN

DE

ENTRADA

Vi

mx

Vara en funcin de la alimentacin del A.O. Normalmente es algo inferior a Vcc.

7.

FACTOR

DE

RECHAZO

EN

MODO

COMN

CMRR

Se define como la relacin logartmica entre la ganancia para la entrada diferencial respecto a la
ganancia para entrada en modo comn, expresado en dB, CMRR = 20 log Gd dB, Recordemos que
el
A.O.
funciona
en
Gc
Modo comn cuando la seal de entrada se aplica simultneamente a ambos terminales (+) y (-).
De la interpretacin del CMRR se deduce el grado de equilibrio de las etapas diferenciales del A.O.
Su valor debe ser lo ms elevado posible, ya que, a medida que su valor aumenta, el A.O. es
menos sensible a la seal comn aplicada a la entrada. En los A.O. integrados de tipo comercial el
CMRR
oscila
entre
70
y
90
dB.
Un condicionante a considerar es que el factor de rechazo en modo comn depende de la
frecuencia.
Un
aumento
de
f
influye
negativamente
en
el
CMRR,
8.

TENSIN

DE

OFFSET

el

Se denomina offset a cualquier desequilibrio o asimetra en la distribucin interna de tensiones en

A.O. La tensin de offset se define tanto a la entrada como a la salida.
@.

Vio:

TENSIN

DE

OFFSET

DE

ENTRADA

(figura

2e)

Es el nivel de tensin que hay que aplicar a la entrada para que la tensin diferencial de salida sea
nula.

10.

Voo:

TENSIN

OFFSET

DE

SALIDA

Coincide con el nivel de tensin diferencial de salida cuando la seal diferencial de entrada es
nula. Los C.I. operacionales poseen terminales externos para la correccin de la tensin de offset,
11.

INTENSIDAD

DE

OFFSET:

Iio

(figura

2f)

Se define como la diferencia entre las corrientes que circulan por entre ambas entradas cuando la
seal diferencial aplicada es nula. La corriente de offset cobra importancia cuando estn presentes
en los terminales de entrada fuentes de excitacin de elevada resistencia interna. En efecto, puede
ocurrir que siendo la tensin de offset 0, la corriente offset adquiere un valor apreciable.