Cap.6.

UNITATEA DE MEMORIE
Memoria este acea parte a sistemelor de calcul care se utilizeaz pentru
pstrarea i regsirea ulterioar a datelor i instruciunilor. Operaiile principale n
care este implicat memoria sunt urmtoarele:
Preluarea datelor de intrare n memorie;
Pstrarea datelor pentru a putea fi prelucrate de ctre UCP sau pentru a
putea fi preluate de echipamentele de ieire;
Transmiterea datelor din memorie ctre UCP sau ctre echipamentele de
ieire.
Sistemele de memorie influeneaz n mod determinant performanele
calculatoarelor. Deoarece n memorie sunt pstrate att datele ct i instruciunile,
sistemul de memorie trebuie s satisfac cererile simultane pentru prelucrarea
datelor, execuia instruciunilor i transferul ntre memorie i exterior.
Exist o mare varietate de tipuri, tehnologii, organizri, performane i costuri
ale memoriilor utilizate n sistemele de calcul. Nici una din acestea nu este optim
pentru satisfacerea tuturor cerinelor. Ca o consecin, sistemele de calcul sunt
echipate cu o ierarhie de subsisteme de memorie, unele interne sistemului
(accesibile direct de UCP), iar altele externe (accesibile de ctre UCP printr-un
modul de I/E).
6.1. Caracteristicile sistemelor de memorie
Cele mai importante caracteristici sunt urmtoarele:
- Amplasarea. Sistemele de calcul dispun de memorii interne i externe.
Memoria intern este numit, de cele mai multe ori, memorie principal. Exist ns
i alte forme de memorie intern. Astfel UCP necesit o memorie local proprie,
constituit dintr-un numr de registre de memorie. Unitatea de comand i control
din cadrul UCP poate necesita de asemenea o memorie proprie, n cazul unitilor
de comand microprogramate. Memoria extern const din diverse dispozitive
periferice, ca discurile sau benzile magnetice, unitile de CD-ROM sau DVD-ROM
i altele, care sunt accesibile de ctre UCP prin controlere (module) de I/E.
- Capacitatea. Se exprim prin dimensiunea cuvntului de memorie (8, 16, 32,
64 sau 128 de bii) i numrul de cuvinte (Koctei, Moctei, Goctei) din care este
compus memoria.
- Unitatea transferabil. Pentru memoria intern, unitatea transferabil este
egal cu numrul liniilor de date ctre i de la modulul de memorie, deci cu
numrul de bii transferai simultan. Unitatea transferabil nu trebuie s fie egal
neaprat cu un cuvnt de memorie. Pentru memoria extern, datele sunt
transferate de multe ori n uniti mai mari dect un cuvnt, numite blocuri.
- Metoda de acces. Exist urmtoarele tipuri de acces la unitile de date:
1. Acces secvenial. Memoria este organizat n uniti de date, numite
nregistrri. Fiecare nregistrare poate fi regsit pe baza adresei acesteia. Pentru
a accesa o anumit nregistrare trebuie parcurse toate nregistrrile anterioare.
Pentru acest motiv timpul de acces la o nregistrare oarecare este variabil i

depinde de poziia nregistrrii n cadrul fiierului. Unitile de band sunt

echipamente cu acces secvenial.
2. Acces direct. Blocurile sau nregistrrile individuale au o adres unic pe
baza amplasrii fizice a acestora. Timpul de acces este de asemenea variabil i
depinde de poziia nregistrrii accesat anterior. Unitile de discuri fixe sunt
echipamente cu acces direct.
3. Acces aleator. Fiecare locaie adresabil a memoriei are un mecanism de
adresare ncorporat. Timpul de acces a fiecrei locaii este independent de
secvenele acceselor anterioare i este constant. Fiecare locaie poate fi, deci,
selectat aleator i poate fi adresat i accesat direct. Memoria principal poate
fi accesat n mod aleatoriu, de unde provine i numele acesteia (Random
access memory-RAM).
4. Acces asociativ. Memoria asociativ este un tip de memorie cu acces
aleator, care permite regsirea unui cuvnt de memorie pe baza unei pri a
coninutului acestuia i nu pe baza adresei (memorie adresabil prin coninut).
Acest lucru se realizeaz prin compararea unor bii dintr-un cuvnt cu o anumit
valoare specificat i efectuarea acestei comparri n mod simultan pentru toate
cuvintele. In acest fel regsirea este foarte rapid.
- Tehnologia de realizare. Dispozitivele de memorie ale unui sistem de
calcul pot fi semiconductoare, magnetice sau optice. Memoria principal este de
obicei semiconductoare (RAM) iar memoria secundar este constituit din unul
sau mai multe discuri dure (Hard Disk - HDD) care memoreaz informaia pe un
substrat magnetic. In ultimul timp au luat tot o mai mare dezvoltare dispozitivele
optice de memorare, dintre care amintim CD-ROM, DVD-ROM, BLU-ray (BD).
- Metoda de scriere. In funcie de modul de funcionare a memoriilor
acestea pot fi reversibile sau permanente. O memorie reversibil este
caracterizat de faptul c informaiile pot fi scrise i citite n timpul funcionrii
acesteia. Memorarea informaiilor ntr-o astfel de memorie este temporar,
acestea fiind pierdute la deconectarea memoriei. Un exemplu de memorii cu
citire/scriere sunt memoriile RAM.
Memoriile al cror coninut nu poate fi modificat n timpul funcionrii sunt
numite memorii numai cu citire (ROM - Read-Only Memory). Memoriile ROM
sunt scrise n procesul de fabricaie i coninutul lor nu mai poate fi modificat
ulterior.
O alt clas de memorii din aceasta categorie o constituie memoriile
PROM (Programmable Read-Only Memory). Procesul de scriere al acestor
memorii este executat prin semnale electrice de ctre furnizor sau utilizator ntrun moment ulterior fabricaiei circuitului, utiliznd un echipament special.
Memoria PROM asigur flexibilitate la un cost moderat, dar are dezavantajul c
nu poate fi tears.
O alt variant a memoriei ROM este memoria EPROM (Erasable
Programmable Read-Only Memory). Aceasta este citit i nscris electric, ca i
memoria PROM, ns naintea unei operaii de scriere toate celulele de
memorare trebuie terse pentru a avea aceeai stare iniial prin expunerea
capsulei la o radiaie ultraviolet. Acest proces de tergere poate fi executat n

mod repetat.
O form actual de memorie ROM este memoria EEPROM (Electrically
Erasable Programmable Read-Only Memory). Aceast memorie poate fi
nscris n orice moment fr a-i terge coninutul. Operaia de scriere trebuie
efectuat pe blocuri i necesit un timp considerabil mai lung dect operaia de
citire. Memoria EEPROM are avantajul c poate fi actualizat on-line, utiliznd
semnale obinuite de control, adrese i date. Acest tip de memorie este potrivit
pentru pstrarea programelor de control i ca un nlocuitor al memoriei
secundare n anumite aplicaii. Programul BIOS (Basic input/output system) este
pstrat ntr-o memorie de tip ROM situat pe placa de baz a sistemului de
calcul.
- Durata de via a informaiilor memorate. Din acest punct de vedere
dispozitivele de memorare se mpart n dou categorii: volatile i nevolatile. Sunt
volatile memoriile care pierd informaia la deconectarea acestora de la sursa de
energie electric. Din aceast categorie fac parte memoriile RAM care se terg
la oprirea calculatorului.
Memoriile nevolatile pstreaz informaiile memorate i dup deconectare.
Dintre acestea amintim memoriile de tip ROM, Hard Disk-ul, dispozitivele optice
de memorare, etc.
La anumite tehnologii de memorie, informaiile memorate se pierd dup o
perioad de timp dac acestea nu sunt refcute. Pierderea informaiilor
memorate poate avea loc n urmtoarele cazuri: citirea distructiv i memorarea
dinamic. La anumite memorii metoda de citire distruge informaiile memorate;
acest fenomen este numit citire distructiv (DRO - Destructive Readout).
Memoriile la care citirea nu afecteaz informaiile memorate sunt caracterizate
prin citire nedistructiv (NDRO -Non-Destructive Readout). La memoriile DRO
fiecare operaie de citire trebuie urmat de o operaie de scriere care reface
starea original a memoriei. Aceast refacere este efectuat automat utiliznd
un registru buffer. Operaia de citire transfer cuvntul din locaia adresat ntrun registrul buffer. Coninutul bufferului este rescris apoi n locaia original.
Anumite memorii au proprietatea c informaia memorat are tendina s
se modifice dup un anumit timp, datorit unui proces fizic. De exemplu, la
anumite memorii semiconductoare o sarcin electric dintr-un condensator
reprezint valoarea binar 1, iar absena sarcinii reprezint valoarea binar 0. In
timp, condensatorul tinde s se descarce, determinnd pierderea informaiei.
Pentru a evita acest lucru sarcina este refcut printr-un proces numit
remprosptare. Memoriile care necesit o remprosptare periodic sunt numite
memorii dinamice, spre deosebire de memoriile statice, care nu necesit
remprosptare. Aceast operaie se efectueaz n acelai mod n care sunt
refcute informaiile ntr-o memorie cu citire distructiv. Coninutul fiecrei locaii
este citit periodic n registre buffer, iar apoi este rescris sub form amplificat n
locaia original.

6.2. Indicatori de performan ai memoriilor

Din punctul de vedere al utilizatorului, cele mai importante caracteristici ale
unei memorii sunt capacitatea i performana.
1. Capacitatea reprezint cantitatea de informaie care poate fi memorat
de un dispozitiv de memorie. Cea mai mic unitatea adresabil a unei memorii
este octetul compus din opt bii. De obicei, memoria este organizat pe cuvinte
de 16 bii (2 octei), 32 bii (4 octei ) sau 64 bii (8 octei).
Capacitatea memoriei se exprim n Koctei (KB - Kilobait)) sau multipli ai
acestuia:
1 KB=210B=1024B
1MB=210KB=220B
1GB = 210 MB = 230 B
Preul pe bit al unei memorii scade o dat cu creterea capacitii de
memorare a acesteia.
2. Performana. Performana unei memorii este determinat n principal de
viteza cu care informaiile pot fi citite din memorie sau scrise n memorie. Cei
mai importani indicatori de performan utilizai sunt timpul de acces, durata
ciclului, rata de transfer i fiabilitatea.
- Timpul de acces al unei memorii cu acces aleator, notat cu t A , este
intervalul de timp necesar pentru a executa o operaie de citire sau scriere
pentru o cantitate fix de informaie, de exemplu, un cuvnt. Acest interval de
timp este calculat din momentul n care memoria primete o cerere de citire sau
scriere pn n momentul n care datele sunt disponibile pentru utilizare sau
sunt memorate. Timpul de acces pentru citire nu este ntotdeauna egal cu timpul
de acces pentru scriere. Pentru o memorie cu acces non-aleator, timpul de
acces este timpul necesar pentru a poziiona mecanismul de citire-scriere la
locaia dorit.
- Durata ciclului, notat cu t M , se refer n primul rnd la memoriile cu
acces aleator. Durata ciclului const din timpul de acces la care se adaug
timpul suplimentar necesar nainte de a putea ncepe un al doilea acces.
Anumite memorii cu citire distructiv nu pot iniia un nou acces nainte de a fi
executat o operaie de refacere sau remprosptare. Pentru acest motiv, timpul
minim care trebuie s treac ntre nceperea a dou operaii de acces
consecutive poate fi mai mare dect timpul de acces t A .
- Rata de transfer, notat cu rM , este cantitatea maxim de informaii care
pot fi transferate n sau din memorie n unitatea de timp. Aceast rat este
msurat n bii pe secund sau cuvinte pe secund. Dac w este numrul de
bii care pot fi transferai simultan n memorie, rata de transfer este rM = w / t M
bii/s. Dac t M = t A , atunci rM = w / t A .
- Fiabilitatea este msurat prin timpul mediu ntre defecte (MTBF -Mean
Time Between Failures). In general, memoriile fr pri n micare au o
fiabilitate mult mai ridicat dect memoriile care implic o deplasare mecanic,
precum discurile magnetice. Chiar i la memoriile fr pri n micare, apar
probleme de fiabilitate, n particular atunci cnd se utilizeaz densiti de

memorare sau rate de transfer foarte ridicate. Codurile detectoare de erori i

codurile corectoare de erori pot crete fiabilitatea oricrui tip de memorie.
6.3. Ierarhia de memorii
Principalele caracteristici de care trebuie s se in cont la realizarea unui
sistem de memorie sunt capacitatea i performanele memoriei. Dintre astea din
urm cel mai important este timpul de acces. Pe lng acestea, trebuie s se ia n
considerare i costul memoriei. Aceste caracteristici sunt contradictorii. De
exemplu, exist n general urmtoarele relaii ntre capacitatea, timpul de acces i
costul pe bit al diferitelor tehnologii utilizate pentru implementarea sistemelor de
memorie:
- O capacitate mai mare implic un timp de acces mai mare;
- O capacitate mai mare implic un cost pe bit mai mic;
- Un timp de acces mai mic implic un cost pe bit mai mare.
innd seama de aceste considerente, un sistem de calcul trebuie s conin
memorii ct mai rapide pentru a asigura cerinele de performan dar i memorii de
mare capacitate pentru a permite prelucrarea unui volum mare de date. Aceste
cerine contradictorii se pot asigura dac se utilizeaz n cadrul unui sistem de
calcul mai multe componente i tehnologii de memorare, care formeaz o ierarhie
de memorii.
La ierarhizarea memoriei s-a inut seama de modul n care opereaz
programele. Astfel, prin analize statistice ale unor programe tipice s-a constatat
c, n orice interval de timp dat, referinele la memorie tind s se restrng ntr-o
anumit zon a acesteia. Aceast proprietate este cunoscut sub numele de
localitate a referinelor. Localitatea referinelor poate fi spaial sau temporal.
Aceste concepte sunt definite n continuare.
- Localitatea spaial. De multe ori, un program utilizeaz date i
instruciuni ale cror adrese sunt apropiate unele de altele n spaiul de adrese.
De exemplu, referinele la elementele unui tablou apar ntotdeauna n cadrul
unei anumite zone limitate din spaiul de adrese. Similar, dac UCP face referire
la o instruciune I , memorat la o adres dat A , instruciunea cea mai
probabil de a fi refereniat n continuare de ctre UCP este cea imediat
urmtoare dup I , a crei adres este A + 1.
- Localitatea temporal. Datele sau instruciunile referite recent au o
probabilitate ridicat de a fi referite din nou n viitorul apropiat. De exemplu, un
grup de instruciuni dintr-o bucl iterativ sau o subrutin pot fi executate n mod
repetat, rezultnd o frecven ridicat a referinelor la adresele acestora.
O ierarhie tipic este ilustrat n figura 6.1.
In mod uzual, se poate considera c diferitele uniti de memorie dintr-un
sistem tipic formeaz o ierarhie de memorii ( M 1, M 2 ,..., M n ) , dup cum se arat
n figura 6.1. Nivelul cel mai nalt, M 1 este reprezentat de unitatea de memorie
cea mai rapid, cu dimensiunea cea mai redus i cu costul cel mai ridicat, fiind
amplasat cel mai aproape de procesor.
Urmtorul nivel, M 2 , este mai lent, are dimensiuni mai mari i un cost mai
redus dect nivelul M 1 , fiind amplasat mai departe de procesor. Acelai lucru

este valabil pentru nivelurile M 3 pn la M n .

Componentele sistemului de memorie pot fi plasate n patru grupe,
prezentate n continuare.
Registrele UCP. Registrele de vitez ridicat ale UCP sunt utilizate ca
memorie de lucru pentru pstrarea temporar a instruciunilor i datelor. Fiecare
registru poate fi accesat pentru citire sau scriere ntr-un singur ciclu de ceas.
Memoria principal (primar). Aceast memorie extern, rapid pstreaz
programe i date care sunt n uz curent. Locaiile memoriei principale sunt
adresate direct prin instruciunile de ncrcare i memorare ale UCP. Cu toate
c se utilizeaz o tehnologie similar cu cea a setului de registre al UCP,
accesul este mai lent din cauza faptului c memoria principal este separat
fizic de UCP. Capacitatea memoriei principale poate ajunge n prezent la uniti
sau zeci de Goctei, iar timpii de acces tipici sunt de cteva cicluri de ceas.
Vitez

Cea mai mare

Procesor

Memorie nivel M1

Dimensiune

Cost

Cea mai mic

Cel mai
ridicat

Memorie nivel M2

Cea mai mic

Memorie nivel Mn

Cea mai mare

Cel mai
sczut

Fig.6.1
Memoria secundar. Acest tip de memorie are o capacitate mult mai mare
dar, n acelai timp, este mult mai lent dect memoria principal. Memoria
secundar pstreaz programe i date care nu sunt solicitate n mod constant
de UCP. Este utilizat de asemenea atunci cnd capacitatea memoriei
principale este depit. Informaia din memoria secundar este accesat
indirect prin programe de intrare/ieire care transfer informaii ntre memoria
principal i cea secundar. Tehnologiile reprezentative pentru memoria
secundar sunt discurile magnetice fixe i discurile optice, ambele avnd
mecanisme de acces electromecanice relativ lente. Capacitile de memorare
de zeci sau sute de Goctei sau, mai nou, Toctei sunt obinuite, iar timpii de
acces se msoar n milisecunde.
Memoria cache. Majoritatea calculatoarelor mai au nc nivel de memorie
(uneori mai multe asemenea niveluri) numit memorie cache. Logic memoriile

cache sunt poziionate ntre registrele UCP i memoria principal. Capacitatea

de memorare a memoriei cache este mai mic dect cea a memoriei principale,
dar poate fi accesat mai rapid dect aceasta. Deoarece o parte a acesteia sau
ntreaga memorie cache se poate afla n aceeai capsul cu UCP, timpul de
acces este de la unul la trei cicluri de ceas. Memoriile cache sunt componente
eseniale ale calculatoarelor cu performane ridicate.
Spre deosebire de celelalte trei tipuri de memorii, memoriile cache sunt de
obicei transparente pentru programator.
Figura 6.2 prezint unele exemple de ierarhii de memorie cu dou, trei i
patru niveluri. Ierarhia cu dou niveluri din figura 6.2(a) este tipic pentru
calculatoarele din generaiile anterioare. La ierarhia din figura 6.2(b) este
adugat o memorie cache numit memorie cache divizat, deoarece aceasta
are zone separate pentru memorarea instruciunilor (Cache I) i a datelor
(Cache D). Al treilea exemplu din figura 6.2(c) are dou niveluri de memorii
cache, ambele de tip nedivizat.

UCP

Memorie
secundar

M2

Memorie
principal

M1
a

I
Cache I

UCP
Cache D

M1

Memorie
principal

M2

Memorie
secundar

M3

b
I

I
Cache
nivel 1

UCP
D

M1

I
Cache
nivel 2

M2

Memorie
principal

M3

Memorie
secundar

M4

Fig.6.2
6.4. Memoria principal semiconductoare
Memoria principal semiconductoare este de obicei o memorie cu acces
aleator (RAM). Acest tip de memorie se distinge prin faptul c fiecare locaie de
memorare poate fi accesat independent, cu un timp de acces fix care este

independent de poziia locaiei accesate.

6.4.1. Celula de memorie i unitatea de memorie
O unitate de memorie este compus dintr-un anumit numr de celule de
memorie. Dei, pentru realizarea celulelor de memorie, se utilizeaz o
diversitate de tehnologii, toate celulele de memorie semiconductoare prezint
urmtoarele proprieti:
Au dou stri stabile (sau semi-stabile), care pot fi utilizate pentru a
reprezenta valorile binare 0 i 1.
Pot fi nscrise (cel puin o dat) prin setarea strii.
Pot fi citite prin sesizarea strii.
O schem bloc a unei celule care memoreaz un bit de informaie este
prezentat n figura 6.3. Linia de selecie realizeaz selectarea (validarea)
celulei. Linia R/W (Read/Write) stabilete dac trebuie efectuat o operaie de
citire sau de scriere asupra celulei selectate. Atunci cnd linia R/W este 0, se
efectueaz o operaie de citire, care determin trecerea datei memorate printrun amplificator de detecie (sense amplifier) i transmiterea acesteia pe linia de
ieire. Intr-un mod similar, atunci cnd linia R/W este 1, se efectueaz o
operaie de scriere, care determin ca data de pe linia de intrare s fie
memorat n celul.
_

R /W

Date de intrare

Celul
de
memorie

Date de ieire

Selecie

Fig.6.3
O celul de memorie poate fi construit, n funcie de tehnologia utilizat,
dintr-un numr de unul pn la ase tranzistoare. Restricia principal la
proiectarea unei celule este dimensiunea sa. Obiectivul este ca dimensiunea
celulei s fie ct mai redus, astfel nct s poat fi mpachetate mai multe
celule n spaiul disponibil din cadrul unei capsule.
Exist dou tipuri de memorii cu acces aleator, statice (SRAM) i dinamice
(DRAM). Att memoriile statice ct i cele dinamice sunt volatile, deci informaia
memorat este pierdut atunci cnd alimentarea cu energie este ntrerupt.
Memoriile statice constau din celule asemntoare cu bistabilele utilizate n
proiectarea logic. Celulele memoriilor SRAM difer de bistabile n principal prin
metodele utilizate pentru adresarea celulelor i transferul datelor. Memoriile
statice rein datele atunci cnd un cuvnt este citit din acestea, deci citirea este
nedistructiv.

Intr-o celul de memorie DRAM, strile 1 i 0 corespund prezenei sau

absenei unei sarcini memorate ntr-un condensator controlat de un circuit de
comutare, de obicei un tranzistor. Condensatorul unei celule DRAM trebuie
rencrcat periodic. Operaia de rencrcare a condensatoarelor este numit
remprosptare. Deci, o memorie DRAM trebuie s conin un circuit de
remprosptare i s alterneze operaiile de remprosptare cu accesele
normale la memorie. Datele coninute n memoriile dinamice trebuie s fie
rescrise n locaia corespunztoare de memorie dup fiecare operaie de citire.
Cu alte cuvinte, memoriile dinamice sunt caracterizate prin proprietatea c
citirea este distructiv.
Deoarece o celul de memorie DRAM poate fi construit utiliznd un
singur tranzistor, n timp ce o celul de memorie SRAM necesit pn la ase
tranzistoare, la memoriile dinamice se obine o densitate de memorare mai
ridicat. In consecin, o memorie RAM dinamic este mai puin costisitoare
dect o memorie RAM static de aceeai capacitate. Pe de alt parte, o
memorie RAM dinamic necesit un circuit de remprosptare. Pentru memorii
de dimensiuni mari, costul circuitului de remprosptare este compensat de
costul mai redus al memoriilor DRAM. Un alt aspect este faptul c memoriile
RAM statice sunt mai rapide dect memoriile RAM dinamice.
O unitate de memorie const dintr-o matrice de celule de memorie.
Structura intern a unei uniti de memorie de m cuvinte cu n bii pe cuvnt
const din mxn celule de memorie. Intr-o unitate de memorie, un grup de opt
celule (un octet) pot fi adresate simultan, fapt care permite ca acestea s aib o
linie de selecie comun.
6.4.2. Organizarea memoriilor
Fiecare circuit integrat de memorie conine o matrice de celule de
memorie. Pentru organizarea logicii funcionale a acestor celule de memorie se
utilizeaz dou metode: 1D i 2D.
Cea mai obinuit form de organizare de memorie este organizarea
bidimensional (2D) sau linie-coloan prezentat n figura 6.4, unde, pentru
simplitate, circuitele de date i de control sunt omise. Cuvntul de adres de m
bii este divizat n dou pri, X i Y , constnd din mx, respectiv my bii. Celulele
sunt aranjate ntr-o matrice rectangular de N x , linii i N y coloane, astfel c
numrul total de celule este NxxNy. Aceast memorie funcioneaz n felul
urmtor. Mai nti, adresa locaiei de memorie, care trebuie accesat, este
transferat prin magistrala de adrese ctre cele dou buffere de adrese X i Y.
Cele dou componente ale adresei mx i my sunt apoi decodificate de
decodificatoarele de linie i coloan DCD. O linie de control indic tipul
accesului care trebuie executat. Dac este cerut o operaie de citire, coninutul
locaiei adresate este transferat de la matricea de memorie n bufferul de date i
de aici pe magistrala de date. Dac este cerut o operaie de scriere cuvntul,
care trebuie memorat, este transferat de pe magistrala de date n locaia
selectat din unitatea de memorie.

Matrice de memorie

DCD
adres
de
linie

Buffer de
adrese

mx

my

DCD
adres de coloan

m
Magistral
de adrese

Fig.6.4
Organizarea 2D necesit un numr mult mai redus de circuite de acces
dect organizarea 1D pentru aceeai capacitate de memorare. De asemenea,
n locul unui singur decodificator de adres foarte complex, sunt suficiente, n
cazul organizrii 2D, dou decodificatoare de adres mult mai simple.
Un circuit integrat de memorie RAM conine n mod tipic toate circuitele de
acces, incluznd decodificatoare de adres, drivere i circuite de control.