Lista subiectelor

pentru EXAMEN la DE Sesiunea Ian.-Febr.-2011

1.
2.
3.
4.
(S1 ) 5.

Notaii specifice pentru mrimile electrice utilizate n circuitele electronice

Element de circuit, component, dispozitiv, model
Definirea i caracterizarea dispozitivelor electronice
Definirea i caracterizarea circuitelor electronice
Caracterizarea unui dispozitiv semiconductor neliniar - tranzistorul cu efect de cmp
metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS) cu canal n
(S2 ) 6. Exemplu de utilizare a TEC MOS pentru funcia de amplificare
7. Rspunsul amplificatorului cu TEC MOS la un semnal variabil de intrare de form
triunghiular
(S3 ) 8. Exemplu de caracterizare a unui dispozitiv semiconductor neliniar tranzistorul
bipolar cu jonciuni (TBJ) vezi seminar
(S4 ) 9. Definirea regimurilor de funcionare statice i variabile, la semnal mare i la semnal
mic
10. Rspunsul la semnal de intrare sinusoidal al amplificatorului cu TEC MOS evaluarea
distorsiunilor neliniare
(S5 ) 11. Model valabil n regim variabil la semnal mic pentru TEC MOS cu canal n indus
(S6 ) 12. Exemplu de amplificator de semnal mic cu TEC MOS utilizarea condensatoarelor de
cuplaj
13. Funcionarea dispozitivelor semiconductoare n regim de comutaie
(S7 ) 14. Caracterizarea unui dispozitiv semiconductor neliniar dioda semiconductoare;
analiza unui circuit simplu cu diod semiconductoare cu ajutorul ecuaiei lui Shockley
vezi seminar
(S8 ) 15. Modele liniare pe poriuni pentru dioda semiconductoare; analiza unui circuit simplu
cu diod semiconductoare cu ajutorul modelelor liniare pe poriuni vezi seminar
16. Limitator de tensiune cu diode semiconductoare
(S9 ) 17. Funcionarea diodei semiconductoare n regim variabil la semnal mic
(S10) 18. Exemplu de utilizare a modelelor liniare pe poriuni i de semnal mic atenuator
controlat n tensiune cu diod semiconductoare
19. Redresor monofazat, monoalternan, fr filtru, cu diod semiconductoare
20. Redresoare monofazate, dubl alternan, cu diode semiconductoare (cu transformator cu
priz median, cu diode n punte, cu dou tensiuni de ieire simetrice)
(S11) 21. Redresor monofazat, dubl alternan, cu diode semiconductoare n punte, cu filtru
capacitiv
22. Materiale semiconductoare structur, tipuri, proprieti
23. Elemente de tehnologie de fabricatie a dispozitivelor semiconductoare
(S12) 24. Trasportul purtatorilor de sarcina electrica in semiconductoare
(S13) 25. Injectia de purtatori de sarcina electrica in semiconductoare
(S14) 26. Procese fizice in jonctiunea pn la echilibru termic
27. Marimi electrice intr-o jonctiune pn abrupta ideala la echilibru termic in ipoteza golirii
complete a regiunii de tranzitie de purtatori liberi de sarcina electrica
28. Relatii intre concentratiile de purtatori de sarcina electrica in jonctiunea pn la echilibru
termic
(S15) 29. Procese fizice in jonctiunea pn polarizata in regim stationar
(S16) 30. Concentratii de purtatori minoritari la marginile regiunii de tranzitie pentru
jonctiunea pn polarizata in regim stationar
31. Ecuatia caracteristicii statice idealizate a jonctiunii pn polarizate in regim stationar (ecuatia
lui Shockley)
32. Capacitatea de difuzie a jonctiunii pn
33. Capacitatea de bariera a jonctiunii pn

34. Modelul diodei semiconductoare valabil in regim variabil la semnal mic la inalta frecventa
(S17)35. Strapungerea jonctiunii pn dioda Zener
36. Modelul Spice al diodei semiconductoare
37. Parametri specificati in foile de catalog pentu dioda semiconductoare
38. Regimul termic al dispozitivelor semiconductoare + influenta temperaturii asupra diodei
semiconductoare
(S18) 39. Tranzistorul bipolar cu jonctiuni(TBJ) structura, tipuri, proprietati, regiuni de
functionare (vezi seminar)
(S19) 40. Procese fizice in TBJ polarizat in regiunea activa normala (RAN)
41. Expresiile curentilor prin TBJ polarizat in RAN
42. Distributia concentratiilor de purtatori minoritari de sarcina electrica in TBJ polarizat in alte
regiuni de functionare decat RAN
(S20) 43. Modele de semnal mare pentru TBJ (vezi si seminar)
44. Ecuatiile si modelul Ebers-Moll pentru TBJ
45. Particularizarea ecuatiilor Ebers-Moll pentru RAN si RS(regiunea de saturatie)
(S21)46. Fenomene secundare in functionarea TBJ
47. Caracteristicile statice ale TBJ
(S22)48. Functionarea TBJ in regim variabil la semnal mic modelul -hibrid simplificat
49. Modelul -hibrid complet
(S23)50. Tranzistoare cu efect de camp (TEC) clasificare, simboluri, structura fizica a TECMOS cu canal n indus
(S24)51. Procese fizice in TEC MOS cu canal n indus + functionarea in regiunea de blocare
(S25)52. TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea trioda
53. TEC MOS cu canal n indus functionarea in regiunea de saturatie (activa)
54. TEC MOS cu canal n indus deducerea relatiei iD = f(vGS,vDS)
55. Efectul modularii lungimii canalului la TEC MOS
(S26)56. TEC MOS cu canal n initial, TEC-J (cu grila/poarta jonctiune) cu canal n, TEC cu
canal p structura, regiuni de functionare, caracteristici de transfer in regiunea
saturata (activa) structura CMOS
57. Rolul substratului (Body effect)
58. Model de semnal mic la joasa frecventa al TEC MOS incluzand efectele de scurtare a
canalului si de substrat
59. Capacitatile interne ale TEC MOS modelul de semnal mic valabil la inalta frecventa
60. Circuite de polarizare definitii, probleme specifice circuitul simplu de polarizare al TBJ
(S27)61. Circuitul de polarizare cu rezistor in emitor + circuitul de polarizare cu divizor de
tensiune in baza si rezistor in emitor
(S28)62. Circuite de polarizare cu componente discrete pentru TEC
63. Circuite de polarizare specifice circuitelor integrate analogice probleme generale
64. Oglinda de curent simpla cu TBJ
(S29) 65. Oglinda de curent simpla cu TEC
(S30) 66. Etaj elementar de amplificare cu TBJ in conexiunea emitor comun
(S31)67. Etaj elementar de amplificare cu TBJ in conexiunea colector comun (repetor pe
emitor)
68. Etaj elementar de amplificare cu TBJ in conexiunea baza comuna
69. Etaj elementar de amplificare cu TBJ in conexiunea emitor comun cu rezistenta de emitor
nedecuplata
70. Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu canal p initial in conexiunea sursa comuna
(S32)71. Etaj elementar de amplificare cu TTEC MOS cu canal n indus in conexiunea
grila/poarta comuna
72. Etaj elementar de amplificare cu TEC-J cu canal n in conexiunea drena comuna (repetor pe
sursa)
(S33)73. Conditii pentru functionarea amplificatoarelor fara distorsiuni (vezi seminar)

NOTA
Optional, sudentii pot alege sa raspunda la cerinte formulate doar din cele 33 subiecte din lista
scurta (notate Sn ) pentru nota maxima 7 la partea de teorie a examenului.