Defeitos cristalinos

DEFEITOS CRISTALINOS (defeitos pontuais, defeitos de linha, e

defeitos de superfcie),
DIREES E PLANOS CRISTALOGRFICOS

DEFEITOS CRISTALINOS
Todos os materiais apresentam um grande nmero de defeitos e imperfeies
em suas estruturas cristalinas.
NO EXISTEM ESTRUTURAS CRISTALINAS PERFEITAS.
Diversas propriedades dos materiais metlicos so profundamente afetadas
pela presena de defeitos cristalinos e freqentemente determinadas caractersticas
so intencionalmente alteradas pela introduo de quantidades controladas de
defeitos.
Exemplos:
Processos de cementao e nitretao de aos,
Dopagem de semicondutores,
Endurecimento de metais e ligas por encruamento (deformao a frio),
Refino do tamanho de gro,
Etc.

As

imperfeies
Imperfeies
Imperfeies
Imperfeies

ou
de
de
de

defeitos cristalinos so classificados em trs classes:

ponto
linha
superfcie

Marcelo F. Moreira

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IMPERFEIES DE PONTO (defeitos pontuais)

LACUNAS
O defeito pontual mais simples a lacuna (do ingls: vacancy), ou seja a
ausncia de um tomo em uma posio atmica originalmente ocupada por um
tomo.
As lacunas constituem O NICO tipo de defeito que est em equilbrio com o
cristal. Assim o n de lacunas para uma dada quantidade de material funo da
temperatura de acordo com a equao:

Qv
Nv = N . exp

k.T
onde: N o n de tomos
T a temperatura absoluta (K)
k a constante de Boltzmann (1,38 10-23 J/tomo K ou 8,62 10-5 eV/tomo K)
Qv a energia de ativao (J ou eV)
Para grande parte dos metais, a frao de lacunas (Nv/N) logo abaixo da
temperatura de fuso da ordem de 10-4 (0,01%)
Exemplo: 1 m3 de Cobre possui 8 1028 tomos e a 1000C apresenta Nv = 2.2 1025

AUTO-INTERSTICIAL
um tomo do cristal posicionado em uma stio intersticial, que em
circunstncias normais estaria vago.

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IMPUREZAS
NO existe metal 100% puro!
tomos estranhos (impurezas ou elementos de liga) sempre estaro dispersos
na estrutura cristalina. Na realidade, utilizando-se as tcnicas atuais de refino,
muito difcil e caro refinar metais com nveis de pureza superiores a 99,9999%
(quatro noves) Nesta pureza ainda esto presentes cerca de 1022 - 1023 tomos por
m3 de impurezas.
Estas impurezas so classificadas em duas classes:

SUBSTITUCIONAIS - Na qual os tomos de soluto esto alocados em posies

atmicas originalmente pertencentes ao tomo de solvente

INTERSTICIAIS - Na qual os tomos de soluto esto posicionados nos interstcios

das clulas cristalinas do solvente.

SOLUES SLIDAS
A soluo slida obtida com a adio intencional de outros elementos
(elementos de liga) no metal solvente. Esta adio deve manter a estrutura cristalina e
evitar a precipitao de outra fase.
Do mesmo modo que os defeitos, as solues slidas tambm so classificadas em
substitucionais e intersticiais
Exemplos:
Soluo slida substitucional: Prata 925 - constitui uma soluo slida
substitucional com 7,5% de cobre na prata.
Soluo slida intersticial: Aos extra-doce - nestes aos, os tomos de C
ficam alocados nos interstcios das clulas cristalinas.

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INTRODUO HISTRICA AO CONCEITO DE DISCORDNCIA

Deformao plstica ou permanente de um cristal perfeito (isento de defeitos
cristalinos) pode ocorrer pelo deslocamento de planos de tomos em relao aos
planos paralelos adjacentes.

1921 - Griffith postula que a presena de fissuras microscpicas seriam

responsveis pela baixa resistncia dos slidos.
1926 - Cristais reais comeam a deformar-se plasticamente em tenses entre
1/1000 e 1/10000 da tenso terica calculada por Frenkel.
1934 - E. Orowan, M. Poloanyi e G. I. Taylor propuseram, de modo independente,
a existncia de um defeito cristalino linear denominado discordncia que poderia
justificar a discrepncia entre a tenso calculada e a medida nos slidos cristalinos.
1949 - Heidenreich observou, pela primeira vez, discordncias em um MET

CLASSIFICAO DAS DISCORDNCIAS

discordncia em cunha
discordncia em hlice e
discordncia mista

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IMPERFEIES DE LINHA - DISCORDNCIAS

Uma discordncia um defeito cristalino linear no qual diversos tomos esto
desalinhados e conseqentemente provocam uma distoro na estrutura cristalina
Toda a teoria de deformao e endurecimento de metais fundamentada na
movimentao de discordncias.
DISCORDNCIA EM CUNHA:
Caractersticas principais: Pode ser entendida como um plano extra de tomos
no reticulado que provoca uma imperfeio linear
Vetor de Burgues (b) representa a magnitude e a direo da distoro do
reticulado
A magnitude desta distoro normalmente tem a ordem de uma distncia
interatmica. Na discordncia em cunha o vetor de Burgues perpendicular a linha
de discordncia (plano extra)

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DISCORDNCIA EM HLICE:
A discordncia em hlice pode ser imaginada como sendo o resultado da
aplicao de uma tenso de cisalhamento.
O vetor de Burgues paralelo a linha de discordncia A-B.

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DISCORDNCIAS MISTAS:
Na verdade os materiais metlicos s apresentaro discordncias mistas,
entretanto como estas discordncias so complexas, mais fcil estuda-las como
misturas de discordncias de discordncias em cunha e hlice.

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OBSERVAO DE DISCORDNCIAS
MET - MICROSCOPIA ELETRNICA DE TRANSMISSO

ATAQUE QUMICO ("ETCH PITS")

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IMPERFEIES DE SUPERFCIE
Os defeitos superficiais so defeitos bidimensionais ou
compreendem regies do material com diferentes estruturas
diferentes orientaes cristalogrficas.
Estes defeitos incluem:
superfcies externas,
contornos de fase.
contornos de gro,
contornos de macla e
defeitos de empilhamento.

interfaciais que
cristalinas e/ou

SUPERFCIES EXTERNAS:
tomos da superfcie apresentam ligaes qumicas insatisfeitas e em virtude
disto, esto em um estado de energia mais elevado que os tomos do ncleo (com
maior n de coordenao)
As ligaes insatisfeitas dos tomos da superfcie do origem a uma energia de
superfcie ou energia interfacial (J/m2)
A reduo desta energia adicional (tudo tende a menor energia) obtida pela
reduo da rea superficial. No caso de gotas de lquido estas tendem a assumir a
forma esfrica (maior volume com a menor rea exposta)
CONTORNOS DE FASE:
Os contornos de fase so as fronteiras que separam fases com estruturas
cristalinas e composies distintas.

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CONTORNOS DE GRO:
So superfcies que separam dois gros ou cristais com diferentes orientaes.
Como so possveis diferentes orientaes entre cristais adjacentes existem
contornos de gro mais ou menos ajustados:
quando a desorientao pequena (at 10) o contorno de gro recebe a
denominao de contorno de baixo-ngulo e a regio que est separada
SUB-GRO.
nos casos onde a desorientao superior a ~10 temos os contornos de
gro propriamente ditos.
De maneira similar aos contornos de superfcie, o n de coordenao nos
contornos de gro baixo e assim tambm existe uma energia de contornos de gro
similar a energia interfacial.
As conseqncias prticas da existncia de uma energia interfacial associada
aos contornos de gro so:
os contornos de gro so regies mais reativas quimicamente;
os contornos de gro tendem a reduzir sua rea quando em temperaturas
elevadas, aumentando o tamanho mdio do gro e
impurezas tendem a segregar em contornos de gro (diminuem a energia do
contorno).

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CONTORNOS DE MACLA
Podemos considerar as maclas como um tipo especial de contorno de gro no
qual existe uma simetria especular, ou seja, os tomos de um lado do contorno esto
localizados em uma posio que a posio refletida do outro lado.
A regio de material entre os contornos so denominadas maclas.
As maclas so resultantes de deslocamentos atmicos produzidos por tenses
de cisalhamento (maclas de deformao) ou durante tratamento trmico (maclas de
recozimento)
A maclao ocorre em planos cristalogrficos definidos e direes
cristalogrficas especficas, que so dependes da estrutura cristalina.
Maclas de recozimento ocorrem em metais com estrutura CFC
Maclas de deformao ou mecnicas so observveis em metais CCC e HC

Observao dos contornos de macla em microscpio:

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DIREES E PLANOS CRISTALOGRFICOS

DIREES CRISTALOGRFICAS [u v w]
Objetivo: Convencionar posies atmicas dentro de um reticulado cristalino
Definio: Uma direo cristalogrfica definida como uma linha entre dois pontos
(um vetor) cuja base uma clula unitria. A conveno de uma direo
cristalogrfica segue os seguintes passos:
1. O vetor direo posicionado de modo a passar pela origem. Qualquer vetor de
direo pode ser transladado atravs do reticulado se o paralelismo for
mantido.
2. O comprimento das projees do vetor direo determinado e medido em
termos das dimenses da clula - a, b, e c
3. Os trs ndices so multiplicados ou divididos por um fator comum de modo a
reduzi-los aos menores valores inteiros
4. Os trs ndices so apresentados em colchetes [u v w], sem o uso de virgulas.
Os nmeros inteiros u, v, e w correspondem as projees reduzidas ao longo
dos eixos x, y, e z, respectivamente.

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PARTICULARIDADES:
Para cada um dos trs ndices podem ocorres valores positivos e negativos.
Os valores negativos so representados por uma barra horizontal sobre o
ndice:
Exemplo: A direo [11 1] apresenta uma componente na direo -y
Mudando-se o sinal de todos os ndices de uma dada direo temos uma
direo antiparalela, isto , a direo [1 11 ] oposta direo [11 1 ]
Planos e direes de mesmo ndice so ortogonais
Exemplos de direes cristalogrficas:

CASO DO RETICULADO HEXAGONAL

O reticulado hexagonal apresenta uma notao diferenciada que emprega
quatro eixos, ou o sistema de coordenadas de Miller-Bravais
Os eixos a1, a2 e a3 so orientados 120 um em relao ao outro, tomados
dentro de um mesmo plano (plano basal). O quarto eixo (z) perpendicular ao plano
basal.
Convenciona-se:
[u v t w ] sendo que os trs primeiros ndices representam as projees nos
eixos a1, a2 e a3 no plano basal.

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PLANOS CRISTALOGRFICOS (h k l)
As orientaes dos planos para uma estrutura cristalina so representados
similar s direes cristalogrficas. Novamente, o sistema tem como base a clula
unitria e um sistema de trs eixos.
Os planos cristalogrficos so definidos por ndices de Miller (h k l) pelos
seguintes passos:
1. Se o plano passa pela origem O, deve-se translada-lo para uma posio
paralela ou adotar uma nova origem em um dos vrtices do reticulado.
2. Com o plano no interior da clula (sem passar pela origem), este ir interceptar
ou ficar paralelo aos eixos x, y e z. O comprimento do intercepto planar para
cada eixo determinado em termos dos parmetros a, b e c da clula. O
intercepto de um plano paralelo a qualquer um dos eixos deve ser tomado
como interseco no infinito.
3. Toma-se o inverso destes nmeros (1/x).
4. Os trs nmeros devem ser multiplicados ou divididos por um fator comum de
modo a obtermos o menor nmero inteiro.
5. Finalmente, os nmeros inteiros so apresentados entre parnteses (h k l) sem
vrgulas. ndices negativos so apresentados com uma barra sobre o nmero.

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IMPORTNCIA DOS PLANOS CRISTALOGRFICOS

O distribuio de tomos em um plano depende do reticulado cristalino e do
plano cristalogrfico. A densidade atmica planar um parmetro importante para a
movimentao de discordncias. Os sistemas de escorregamento primrios so,
normalmente, os planos e as direes com maior densidade atmica.

A densidade atmica planar pode ser a mesma para vrios planos

cristalogrficos com diferentes ndices, isso depender da estrutura cristalina. Tais
planos pertencem a uma famlia de planos equivalentes, por exemplo, em cristais
cbicos, os planos
a famlia

{111}.

(111), (111 ), (1 11), (111 ), (111 ), (11 1), (1 11 ) e (111) pertencem

Adicionalmente, somente no sistema cbico, planos com mesmos

ndices, independente da ordem ou sinal, so equivalentes. Por exemplo: os planos

(1 2 3) e (312) pertencem famlia de planos {123}.

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Lista de exerccios
cristalogrficas

defeitos

cristalinos,

planos

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direes

1- Calcular a frao de lacunas (Nv/N) para o cobre na temperatura ambiente (293 K)

e na temperatura de 1350 K. Assuma uma energia de ativao de 0,9 eV/tomo para
as duas temperaturas.
Dados: A temperatura de fuso do cobre puro 1356 K.
k = 8,62 x 10-5 eV/tomo. K
2- A presena de impurezas ou a adio de elementos de liga diminui o nmero de
lacunas em um material metlico? Justifique sua resposta.
3- Qual o ngulo entre as direes [101] e [101] em um cristal cbico e em um
cristal tetragonal onde c/a=0,55 ?
4- As discordncias movimentam-se preferencialmente em planos de mxima
densidade atmica. No reticulado CFC um destes planos o (111) e no CCC o plano
(110). Calcular a densidade planar de tomos (% de ocupao) nestes planos e
verificar em qual deles a discordncia tem maior facilidade em se movimentar.
Dados:

5- Por que a resistncia dos cristais reais muito menor (1/1000 a 1/10000) do que a
resistncia calculada pela tenso terica cisalhante mxima (clculo de Frenkel 1926)?
6- O que so e qual a finalidade dos "wiskers"?
7- Por que o aumento do teor de C em um ao aumenta sua resistncia (limite de
escoamento e resistncia) ?
8- Sabendo-se que a deformao de cristais ocorre pelo escorregamento de planos de
alta densidade e que as estruturas CFC e HC possuem o mesmo FEA. Por que os
metais HC so tipicamente mais frgeis que os CFC ?
9- Quais so os defeitos cristalinos planares (de superfcie) e como estes podem
interagir com as discordncias?

Marcelo F. Moreira