INTRODUCCION

En este trabajo de investigacin se hablara sobre la tecnologa de silicio sobre

aislante (SOI), que es una tcnica que se conoce desde hace algunos aos,
aproximadamente desde 1998, fecha en la que IBM anuncio los primeros
prototipos. Esta tcnica consiste en situar el silicio que formara a los transistores
sobre una delgada capa de material, permitiendo mejorar as las prestaciones de
los microprocesadores y las memorias semiconductoras utilizadas en los
ordenadores actuales. Algunas investigaciones de IBM han revelado que los chips
con tecnologa de silicio sobre aislante funcionan hasta un 35% ms rpido que
los procesadores tradicionales, y con un consumo tres veces inferior.

MARCO DE REFERENCIA

SOI (SILICIO SOBRE AISLANTE)

Es una tecnologa basada principalmente en microelectrnica en la que se
sustituye las obleas de silicio mono cristalino, por una estructura de capas
semiconductor-aislante-semiconductor. Esta tecnologa consiste en la colocacin,
sobre la capa de silicio que sostiene los transistores, de una segunda capa de
xido de silicio o cristal para aumentar el aislamiento.

DIAGRAMA

CARACTERSTICAS
Cada transistor se encuentra aislado del resto gracias al xido enterrado. Esta
caracterstica permite evitar el fenmeno de latch up y fabricar ms transistores
por cm2. Adems se ha demostrado una importante mejora en sus prestaciones
ya que pueden trabajar a menores tensiones, aumentar la velocidad de
conmutacin y son menos vulnerables al efecto de las partculas csmicas y
efectos de canal corto (SCE). Todas estas mejoras se consiguen sin necesidad de
alterar los procesos que tradicionalmente se han seguido en tecnologa CMOS.

VENTAJAS:
Debido a la ausencia de pozos las estructuras son muy densas
Bajas capacidades del sustrato, circuitos rpidos
No existe Latch-up, se aslan los transistores del sustrato
No existe efecto cuerpo porque no hay corrientes en el sustrato
Aumento de la tolerancia a fallos
DESVENTAJAS:
La ausencia de contactos hmicos hace el circuito de difcil proteccin
Aunque se reducen las capacidades parsitas del sustrato, las capacidades entre
hilos todava existen luego la reduccin de la capacidad total es menor de lo que
cabra esperar
La densidad no es particularmente importante, debido a que en la actualidad la
densidad depende sobre todo de los layers metlicos de conexin
El sustrato de zafiro encarece el producto

APLICACIONES
La nueva tecnologa Silicon-on-Insulator (SOI) permitir la construccin de
ordenadores ms rpidos y con menor consumo de energa, ambos factores son
claves para incrementar la autonoma de los dispositivos porttiles que se van a
generalizar en un futuro prximo. En la fabricacin de un chip, como ser un
microprocesador, generalmente se busca integrar la mayor cantidad posible de
componentes en el espacio ms pequeo que permita la tecnologa disponible.

BIBLIOGRAFIA
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap13#136
http://www.ecured.cu/index.php/Silicon_on_insulator
http://www.dacya.ucm.es/lanchares/documentos/2.9.3%20Apuntes%20de%20dise
%C3%B1o%20de%20circuitos%20integrados%201.pdf
http://www.neoteo.com/silicon-on-insulator-silicio-sobre-aislante/