Intrebari pentru promovare materiale

1. I: Ce este o retea cristalina ideala? Definirea defectelor de retea. Expresia

concentratiei de defecte Schottky.
R: La temperature T=0K, un corp are energia libera minima daca particulele
lui constitutive(moleculele, atomii, ionii)au asezarea cea mai compacta,
respective o ordonare stricta la mare distanta. Aceasta este structura cristalina
ideala.
O retea cristalin ideala reprezinta o reproducere ordonata la mare distanta
a unitatii structurale la 0K, orice abatere reprezinta un defect de retea.
Structura cristalina ideala nu se poate realize in corpuri la temperaturile
uzuale T0K. In general, aceasta prezinta abateri, defecte de retea, care pot fi:
-punctuale(zerodimensionale)
-liniare(unidimensionale)
-de suprafata(bidimensionale)
-de volum(tridimensionale)
-w d s / K T

Ns=Ne
I: Importanta cunoasterii undei associate electronului.
R: Unda asociata nu are semnificatie fizica, nu transporta energie, nu gasim
o interpretare fizica
- este o functie matematica complexa
- are semnificatia fizica patratul modulului ei
- patratul modului ei reprezinta densitatea probabilitatilor
ca particular sa se afle in punctul M
- P=D |()dv
Daca P=1->cu certitudine
particular se afla in punctual M.
- E important sa cunoastem unda pentru a studia miscarea
electronilor in crystal.
3. I: Teoriile electronilor legati, liberi si cvasiliberi: ipotezele de plecare si
informatiile finale privind valorile energiei electronilor.
R: Electronii legati nu se deplaseaza in interstitii
- au stari care se presupun a fi descries de functii de unde
Hestler
- energia electronilor puternic legati este situate doar in
benzile premise
Electronii liberi se considera electronii care au parasit atomii si se
deplaseaza in interstitii care formeaza gazul electronilor liberi
- nu interactioneaza cu ionii pozitivi din retea
- se deplaseaza in crystal
- energia unui electron liber variaza parabolic cu numarul
de unde(nr de unde ia doar valori discrete)
Electronii cvasiliberi liberi in interstitii
- interactioneaza cu ionii din nodurile retelei
- starile lor sunt descries de functia de unda Bloch
- au valori constante in interstitii si valori mai mari in
vecinatatea nodurilor
2.

energiile lor sunt situate in interiorul unor benzi

premise despartite de benzi interzise
4. I: Care sunt electronii din cristale care pot participa la procesul de conductie
electrica?
R: Electronii care pot participa la procesul de conductie electrica sunt aceia
care au energia in intervalul limita fermic.
5. I: Ce sunt conductoarele, semiconductoarele, si izolatoarele(in functie de
structura benzilor de energie)?
R: Izolatoarele - au banda interzisa fermic foarte mare3->9eV
-nu are electroni disponibili la un process de conductie
Semiconductoare intrinseci au benzile de energie asemanatoare
izolatoarelor, dar banda interzisa Fermi este sufficient de ingusta 10 eV pentru a
putea fi excaladata de un numar relative mare de electroni, stabilinduse astfel un
current electric neglijabil prin corp.
- extrinseci au banda interzisa Fermi relative larga 1.1eV
la siliciu, 0.7eV la germanium. Prin dopare cu atomi de impuritati se pot realiza
insa niveluri premise aditionale de tip donor sau receptor, situate in banda
interzisa Fermi si care confera caracteristici superioare de conductie materialului.
Conductoare nivelul WF trece prin mijlocul unei benzi premise deci
contine electroni de conductie.
6. I: Expresia conductivitatii electrice a metalelor.
R: =Noqo/mo* unde:
- conductivitatea metalului
- No concentratia de electroni cvasiliberi
- durata de relaxare a electronului(intervalul de timp
dintre 2 ciocniri)
- mo* masa efectiva a electronului
- qo = 1,6*10(la -19) C
7. I: Variatia conductivitatii electrice a metalelor cu temperature, cu starea de
agregare, cu solicitarile mecanice cu continutul de impuritati(explicatii pe baza
undei associate electronului )
R: - cu temperature daca temperature creste amplitudinea undei
creste=>regiunea comprimata scade=> (conductivitatea) scade
- orice defect al retelei micsoreaza conductivitatea electrica deoarece prin
imprastieri, componenta medie a vitezei electronilor pe directia campului electric
se micsoreaza.
8. I: Definitia starii de supraconductie.
R: La temperature foarte joase (in general mai mici de 20 K) si in campuri
magnetice slabe, a fost pusa in evidenta experimental, pentru anumite metale,
starea de supraconductibilitate, caracterizata, mai ales, prin proprietatea ca, la
stabilirea ei, rezistivitatea electrica a metalului se anuleaza(sau devine aproape
nula).
Prin supraconductivitate se intelege fenomenul de anulare a rezistivitatii
electrice a unui corp atunci cand temperature acestuia scade sub o valoare critica
(Tc)(temperature de tranzitie)T<Tc, intensitatea campului magnetic in care se afla
corpul este mai mica decat o vaoare critica (Hc)(B<Bo)

9. I: Fenomene associate starii de supraconductoare: variatia rezistiviatii

electrice cu temperature, anularea starii supraconductoare, efecte Meissner,
isotopic si Josephson, cuantificarea fluxului magnetic.
R: a)Anularea rezistivitatii electrice cu temperatura T - 10 la -4 10 la -3
intr-un cristal fara defecte
b)Anularea starii de supraconductibilitate in campuri magnetice: Starea de
supraconductbilitate dispare daca inductia magnetica depaseste Bc sau Hc. B>Bc;
H>Hc.
c)Efectul isotopic: In cazul unui element chimic care are mai multi izotopi,
cu cat masa izotopica creste, cu atat temperatura scade
d)Efectul Meissner: Consta in expulzarea liniilor de camp magnetic dintrun corp atunci cand corpul trece in starea de supraconductibilitate
e)Cuantificarea fluxului magnetic: =no o=h/2qo (o- cuanta de flux)
10. I: Ecuatiile London: deducere
R:
11. I: Teoria BCS(intuitiv, prin deformarea retelei cristaline la temperaturi
joase.
R: Explica supraconductivitatea prin interactiunea dintre elementele retelei
la temperature scazute.
Se explica cu ajutorul fizicii cuantice.
Explica anularea rezistivitatii electrice intr-un corp prin interactiunea
electronilor cu reteaua atunci cand temperatura tinde spre 0K.
Se aplica unui corp care nu contine defecte.
La T=300K ionul efectueaza miscari in jurul nodului wion=(3/) kT;
electronii interactioneaza cu ionul prin forta electrostatica winteractiune<<wion ;
cand T->0, wion->0 => winteractiune>wion ; datorita fortei de interactiune ionii se
deplaseaza inspre centrul interstitiului, campul electric creste
12. I: Aplicatii ale supraconductivitatii electrice.
R:

- transportul energiei la distanta(->0);

- transportul feroviar->trenuri ultrarapide pe perna
magnetica
- motoare de dimensiuni reduse
- generatoare sincroane de puteri foarte mari pana la
5GVA
- campuri magnetice interne pentru cercetare si medicina
- electronica->circuite si dispozitive de dimensiuni
reduse
- stocarea energiei electrice
- masurarea campurilor electrice slabe 10 la -15 T

13. I: Supraconductia la temperaturi ridicate: structura si caracteristicile .

materialelor supraconductoare la temperaturi ridicate.
R: Structura structurile cupratilor supraconductori deriva din cea a
perovskitilor(CaTiO3). Exista mai multe familii din care 2 sunt cele mai studiate.
- de culoare neagra, zgrunturoase, amizotrope
- structura lamelara
- structura din grupuri de straturicare au structura
titanatului de calciu(CaTiO3)
- doar cele de cupru sunt incomplete
- inductile critice sunt reduse
- latimea banzii interzise este de 10 ori mai mare decat la
metale
- pot avea mai multe temperature critice
- utilizarea este problematica deoarece sunt greu de
realizat
14. I: Expresia conductivitatii intrinseci si extrinseci.
R: Intrinseca-se datoreaza deplasarii electronilor liberisi golurilor generate
de la atomii proprii
-variaza exponential cu temperature
-daca latimea wi scade atunci conductivitatea intrinseca creste
Extrinseca-conductia asociata impuritatilor introduce voit(controlat) in
cristalele semiconductoare
-semiconductoarele care prezinta conductie extrinseca se
numesc semiconductoare cu impuritati
-semiconductoare de tip->n-purtatoti majoritari de electroni
liberi.
->p-purtatori majoritari de goluri
De tip n-> conductivitatea creste exponential cu temperature datorita
impuritatilor
->numarul de electroni liberi este mai mare decat numarul de
goluri

De tip p->conductivitatea variaza liniar cu temperature

15. I: Ce sunt electronii liberi si golurile? De unde provin in cazul

conductoarelor intrinseci? Dar la cele extrinseci?
R: Electronii liberi sunt purtatorii de sarcina negative rupti din legaturi iar
golurile sunt purtatorii de sarcina pozitiva.

In cazul conducatoarelor intrinseci provin din atomii proprii prin ruperea

legaturilor electronilor.
La cei extrinseci provin atat d la atomii proprii cat si de la impuritati,
astfel conductia fiind mai bine definita.
16. I: Definitia mobilitatii purtatorilor de sarcina.
R: Prin aparitia unui legaturi libere, electronii cuplati din alti atomi se pot
rupe pentru a reface legatura libera, rezultand astfel o miscare a electronilor legati
pentru refacerea legaturilor libere. Aceasta deplasare a electronilor legati se poate
echivala cu deplasarea unei sarcini fictive in sens contrar, dar avand semnul +.
17. I: Dependenta semiconductoarelor de tip n de temperatura.
R: Primii electroni care trec in banda de conductie sunt cei din impuritati,
fiind urmati de cei din banda de valenta la o temperatura mai mare
Exista 2 praguri de temperatura:
- temperatura la care toti electronii din impuritati trec in
banda de conductie(T1 este de gradul sutelor de K)
- temperatura la care toti electronii din banda de valenta
trec in banda de conductie(T2 este de gradul miilor de
K)
18. I: Ce este efectul Hall? Utilizari.
R: Efectul Hall apare in semiconductie si conductie in prezenta campului
magnetic. Efectul Hall consta in deformarea liniilor de current electric la
stabilirea unui camp magnetic si in aparitia unei diferente de potential intre 2
puncte ale corpului care ar fi avut acelasi potential in absenta campului magnetic.
Constanta Hall este mai mare la semiconductori decat la
conductori.
Prezenta efectului Hall in semiconductoare si variatia constantei Hall in
functie de natura semiconductorului si a purtatorilor predominanti, justifica
importanta acestuia in studiul si aplicatiile semiconductoarelor
19. I: Explicarea fenomenului de redresare (pe baza jonctiunii pn)
R:
Variatiile marimilor raportate
Id/Is si Ii/Is in functie de Ud/Us
si Ui/Ussunt reprezentate in
figura. La o aceeasi valoare
absoluta a marimilor Ud si Ui,
curentul direct este mult mai
intens decat cel invers.
Jonctiunea prezinta, deci, o
rezistenta electrica mult mai
mare la aplicarea tensiunii
inverse decat la aplicarea
tensiunii directe. Acest effect
numit unidirectionalitate, este
folosit in circuite electrice pentru redresarea curentului alternative. Dispozitive
semiconductoare(diode, tranzistoare, etc.) functioneaza pe baza acestui efect.
20. I: Care sunt mecanismele de conductie electrica in izolatori?

R: In izolatori se intalnesc 2 tipuri de conductie: conductie electronica

realizata de electroni si conductie ionicarealizata de ioni.
Daca cristalul are impuritati care formeaza in banda interzisa Fermi
niveluri aditionale de tip donor sau acceptor, atunci are loc o conductie asigurata
de electroni sau de goluri; ca in cazul semiconductorilor.
Intr-un isolator suficient de pur., concentratia de electroni sau de goluri de
conductie este foarte mica si ea este independenta de campul electric pentru E<10
la 6 V/m. in campuri electrice intense cand E>10 la 6 V/m concentratia de
purtatori de sarcina creste mult si conductivitatea creste exponential cu
intensitatea campului electric.
Conductivitatea ionica nu depinde de intensitatea campului electric.
21. I: Expresia conductivitatii ionice a izolatorilor solizi.
R:

22. I: Explicati mecanismele de strapungere electronica (cred ca vroia sa scrie

electrica) si termica.
R: Strapungerea (pur) electrica se clasifica in strapungere intriseca si in
strapungere in avalansa. Ambele se desfasoara de purate mult mai scurte decat
strapungerea termica. Strapungerea intriseca se datoreaza actiunii pe care o au
electronii din banda de conductie, puternic acclelerati pe camplul electric, asupra
retelei cristaline. Ea se produce in 10-7 10-8 secunde, fiind deci independenta de
forma tensiunii. Nu depinde de dimensiunile probei, de forma, natura si distanta
dintre electrozi. Se admite ca distrugerea materialului se face prin acumulari
locale importante de energie transferata de electroni atomilor.
Strapungerea in avalansa se datoreaza formarii avalanselor de electroni. Ea
depinde de distanta dintre electrozi, deoarece formarea avalansei se face pe
parcursul dintre acestia. Intre strapungerea in avalansa si cea intriseca nu se poate
face separare.
Strapungerea termica. In izolanti se dezbolta caldura, datorita pierderilor
prin histerezis dielectric si prin efect Joule-Lenz, care cresc exponential cu
temperatura. Din aceasta cauza, in materialele masive, in care raportul dintre aria
frontierei si volum este mic, dezvoltarea caldurii se poate face mai repede decat
evacuarea ei si se produc, astfel, supraincalziri locare care maresc conductivitatea
electric, favorizand formarea avalanselor, duce la carbonizarea materialului si
implicit la strapungerea sa. Strapungerea termica este favorziata de cresterea
temperaturii, deci rigiditatea dielectrica a materialului scade cu temperatura.
23.

I: Ce este polarizabilitatea electrica? Dar polarizatia electrica?

R: Polarizabilitatea electrica<> caracterizeaza capacitatea unitatii
structurale a corpului de a se polariza.
Polarizabilitatea este raportul dintre momentul electric indus si campul
electric.
=|p|/| Bo|=momentul electric indus/campul electric
<>=F*m

24. I: Explicati mecanismele de polarizatie electronica, ionica, de orientare si

de neomogenitate.
R: Polarizarea electronica-se realizeaza prin deformarea invelisului
electronic al structurii care constituie dielectricul sub actiunea campului electric.
Este specifica corpurilor cu structura atomica si gazelor mobile. Este o polarizare
temporara.
Polarizarea ionica-este intalnita, mai ales, in cristalele ionice si rezulta
prin deplasarea in sens contrar a ionilor de semen opuse. Acest mechanism de
polarizare se stabileste mai lent decat polarizarea electronica si se manifesta pana
la frecvente din domeniul infrarosu.(10 la 13->10 la 14 Hz)
Polarizarea de orientare-se realizeaza in corpurile care au molecule
polare(cu moment electric permanent) prin rotirea acestora in campul electric. O
molecula este polara doar daca prezinta moment electric diferit de 0.
Polarizarea de neomogenitate-este o polarizare suplimentara care apare
in campurile neomogene datorata campului electric produs de sarcinile electrice
accumulate pe suprafetele care separa regiunile omogene ale dielectricilor.
25. I: Expresia permitivitatii relative in campuri electrice statice pentru
polarizarile de deformare si de orientare.
R:
26. I:
Dependenta permitivitatii relative a dielectricilor de tmperatura si de
frecventa campului electric.
R: