ANAIS DO CONGRESSO DE INICIAO CIENTFICA DO INATEL - INCITEL 2012

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Estudo do Potencial da Molibdenita para Confeco

de Dispositivos Eletrnicos
Andrei Ferreira Garcia

Luciana Maria

Giovanni Henrique Faria Floriano

Inst. Nac. de Telecomunicaes Inatel

andreifgarcia@yahoo.com.br

Inst. Nac. de Telecomunicaes Inatel

caiqueluc@yahoo.com.br

Inst. Nac. de Telecomunicaes - Inatel

giovanni@inatel.br

Resumo Este artigo apresenta um levantamento do

potencial da molibdenita (MoS2) para confeco de dispositivos
eletrnicos que utilizam as propriedades dos semicondutores.
Tambm estabelece uma comparao entre as caractersticas da
molibdenita e as do silcio, que atualmente domina a indstria de
semicondutores, e as do grafeno, que apontado como provvel
substituto do silcio nessa indstria.
Abstract This article presents a survey of the potential of
molybdenite (MoS2) for fabrication of electronic devices that
utilize the properties of semiconductors. It also establishes a
comparison between the characteristics of molybdenite and the
silicon, which currently dominates the semiconductor industry,
and those of graphene, which is pointed as a probable
replacement for silicon in the industry.
Palavras-Chave: Grafeno, molibdenita, semicondutor, silcio,
transistor.
Key words: Grafene molybdenite, semiconductor, silicon,
transistor.

I. INTRODUO
Na incessante busca pela inovao tecnolgica, a
nanotecnologia vem ocupando papel relevante em estudos
realizados por diversos pesquisadores no mundo todo.
Em janeiro de 2011, cientistas da Escola Politcnica Federal
de Lausanne, na Sua, divulgaram os primeiros resultados de
suas pesquisas sobre a utilizao da molibdenita na confeco
de dispositivos eletrnicos. Esses resultados iniciais indicam
que atravs da molibdenita ser possvel confeccionar
dispositivos menores, mais rpidos e com menor consumo de
energia que os equivalentes fabricados a partir do silcio.
Outra substncia que vem sendo pesquisada, e tem potencial
para substituir o silcio, o grafeno. O grafeno apresenta
algumas caractersticas similares s da molibdenita, mas no
com a mesma eficincia.

Conhecido h muito tempo, o mineral molibdenita era

confundido com compostos de outros elementos, tais como o
chumbo e o carbono. Em 1778, Carl Wilhelm Scheele, obteve
a partir da molibdenita um composto com propriedades
cidas, que chamou de acidum molibdenae (a palavra
molibdnio provm do grego "molybdos que significa como
o chumbo). Alguns anos depois, em 1782, Pedro Hjelm
reduziu esse composto com carbono, isolando o metal impuro
que passou a ser chamado de molibdnio.
B. Informaes Gerais
B.1- Dados Tcnicos
Dissulfeto de molibdnio obtido a partir de p de
molibdnio natural concentrado, aps purificao por
mudanas qumicas em sua estrutura molecular. Gerado
atravs de processos magmticos, metamrficos, e
hidrotermais, pode ser encontrado em granitos, pegmatitos,
metacalcrios, dentre outros minerais, normalmente associado
cassiterita, scheelita, wolframita e fluorita. A figura 1 mostra
um cristal de molibdenita, onde se pode observar sua estrutura
em forma de camadas sobrepostas e facilmente destacveis.

II. DESCRIO GERAL

A. Breve histrico
O dissulfeto de molibdnio (MoS2), ou simplesmente
molibdenita, umas das substncias mais versteis que se
conhece. Alm da notvel estabilidade qumica e trmica,
pode ser moldada na forma de filmes finos, os quais possuem
propriedades fsicas anisotrpicas, o que a habilita para
aplicaes industriais variadas.
Manuscrito recebido em 26 de fevereiro de 2012; revisado em 28 de maro de
2012.
A. F. Garcia (andreifgarcia@yahoo.com.br); G. H. F. Floriano
(giovanni@inatel.br) e L. Maria (lucianam@gee.inatel.br) pertencem ao
Instituto Nacional de Telecomunicaes - Inatel. Av. Joo de Camargo, 510 Santa Rita do Sapuca - MG - Brasil - 37540-000.

Figura 1- Cristal de Molibdenita (fonte: [12])

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A figura 2 apresenta a aparncia fsica da molibdenita, depois

de extrada e refinada em trs diferentes formas:
SFG: Tcnico (TG) - 2,00 - 3,00 mcron
TG: Tcnico Fino (TFG) - 0,70 - 0,80 mcron
TFG: Super. Fino (SFG) - 0,40 - 0,45 mcron

Figura 3- Estrutura qumica da Molibdenita (fonte: [22])

B.3 Obteno

Figura 2 Dissulfeto de molibdnio em p (fonte [23])

B.2 Dados Qumicos:

TABELA I
DADOS QUMICOS DA MOLIBDENITA

Frmula Qumica

MoS2

Composio

Bissulfeto de molibdnio.
(40,0% S, 60,0% Mo)

Cristalografia

Hexagonal

Classe

Bi piramidal dihexagonal

Clivagem

Micceo perfeita

Dureza

1 - 1,5 (muito baixo)

Densidade relativa

4,7 - 4,8

Brilho

Metlico

Cor

Cinza-azulado escuro a preto.

A estrutura qumica da molibdenita mostrada na figura 3, um

sistema de cristal hexagonal construda de ons de molibdnio
ligado a duas camadas de tomos de enxofre atravs de
ligao inica. As camadas de enxofre no apresentam fortes
laos com outras camadas de enxofre, o que cria uma
clivagem perfeita.

Segundo o DNPM [8], Departamento Nacional de Pesquisa

Mineral, a maior reserva de molibdenita encontra-se na China,
EUA, Chile e Canad. O molibdnio ocorre principalmente
como sulfeto metlico em depsitos tipo prfiro primrio ou
associado mineralizaes de cobre prfiro, sendo
aproveitado como subproduto dos sulfetos cuprosos.
Eventualmente, concentraes econmicas de molibdnio
podem estar associadas escarnitos, veios de quartzo e
greisens. A China conta com trs das seis maiores minas de
molibdnio do mundo, quais sejam: Luanchuan na Provncia
Henan, Daheishan na Provncia Jilin e Jinduicheng na
Provncia Shanxi. Os Estados Unidos detm as outras trs das
seis maiores minas em operao, as quais so: Henderson, no
Colorado, Questa, em Novo Mxico e Thompson Creek, em
Idaho. As minas de cobre prfiro mais importantes, situam-se
no sudoeste americano, dentre as quais se destacam: Bagdad e
Serrita, no Arizona, Bingham Canyon, em Utah e as dos
Estados de Montana, Nevada e Novo Mxico. No Canad,
destaca-se a mina Endako. A produo de molibdnio
latinoamericano devido s minas chilenas e algumas poucas
peruanas nos projetos mineiros de aproveitamento do cobre
prfiro na Cordilheira Andina.
A seguir, o grfico 1 apresenta a distribuio da reserva
mundial de molibdnio - dados de 2008.

Grfico 1 Reserva mundial de molibdnio (base 2008) em toneladas

mtricas (fonte [24])

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No Brasil, no h reservas oficiais expressivas. Foram

realizadas avaliaes de reservas de molibdenita obtidas pela
empresa Vale no projeto do cobre de Salobo na Serra dos
Carajs (PA). No nordeste brasileiro, na Provncia
Scheelitfera do Serid, que envolve os estados do Rio Grande
do Norte e da Paraba, a molibdenita foi produzida como
subproduto da scheelita, associada a rochas calciossilicticas
e/ou escarnitos nas minas de Breju e Barra Verde, em Currais
Novos (RN) e Timbada em Frei Martinho (PB). Do mesmo
modo, no h dados oficiais de produo.
H uma produo informal de concentrado de molibdenita
proveniente da atividade garimpeira, estimada atualmente em
torno de cinco toneladas mtricas/ano, que recuperada
artesanalmente como subproduto da explorao de
esmeralda/berilo verde, da regio de Carnaba, em Campo
Formoso, na Bahia.
B.4 Aplicaes diversas
Atualmente as principais aplicaes da molibdenita so: o
uso em catalizadores (na reduo de poluentes), lubrificantes
slidos (atuam em condies extremas de aquecimento ou
resfriamento, onde lubrificantes lquidos comuns no seriam
adequados), baterias no estado slido (aumenta a vida til das
baterias), nanocompostos, compostos por intercalao e atrito
aditivo para reduo de gorduras e leos.

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Figura 4

Estrutura de bandas nos materiais condutores, semicondutores e

isolantes eltricos. (fonte [18])

A energia na parte inferior da banda de conduo

denominada Ec. O prximo nvel de energia permitido
chamado de banda de valncia. A energia na parte superior da
banda de valncia chamada de Ev. Entre as duas bandas
permitidas est o gap de energia ou banda proibida.
Essa diferena entre a banda de conduo e banda de
valncia, denominada banda proibida ou bandgap, dada pela
equao (1):
Egap = Ec Ev

III - COMPARAES DA MOLIBDENITA COM O

SLICIO E O GRAFENO
A. Caracterstica dos semicondutores
Em condies normais, os tomos que possuem 4 eltrons na
camada de valncia no so estveis. Os semicondutores se
enquadram nesse grupo, mas por causa da forma com que se
agrupam seus tomos (cada tomo fica equidistante e, relao
a quatro outros tomos, ou seja, uma estrutura cristalina) eles
conseguem alcanar a estabilidade fazendo quatro ligaes
qumicas covalentes, conseguindo 8 eltrons na ltima
camada, e por consequncia ficam estveis quimicamente.
Bandgap ou gap de energia ou ainda Banda proibida a
quantidade de energia necessria para que o eltron efetue a
transio da banda de valncia para a banda de conduo.
Quanto maior a banda proibida, maior o nvel de tenso. E
quando no h conduo, ou quando a temperatura muito
baixa, o semicondutor funciona como isolante, pois os eltrons
permanecem todos na banda de valncia, impedindo o salto
para a banda de conduo. Quando o material aquecido,
alguns eltrons saem da banda de valncia e passam para a
banda de conduo. Isso somente possvel devido ao ganho
de energia no eltron, pois para passar a uma banda superior,
deve ter energia o suficiente, ou seja, uma energia maior que a
Bandgap.
A figura 4 apresenta a estrutura da banda proibida nos
materiais
classificados
como
condutores,
como
semicondutores e como isolantes eltricos.

(1)

Esse um dos parmetros mais importantes dos

semicondutores, pois determina a velocidade de chaveamento,
ou seja, o tempo em que o semicondutor capaz de comutar.
Quanto mais rpida essa comutao, melhor.
A molibdenita possui uma bandgap de 1,8 eltron-volt,
largura perfeita, o que o torna ideal para construo de
transistores e chips, pois alm de propiciar a reduo o
tamanho do componente, aumenta a sua velocidade de
comutao e, consequentemente, aumenta a sua eficincia.
Apesar de ter propriedades suficientes para ser considerado
pela maioria dos cientistas como o material eletrnico do
futuro, o grafeno no possui uma boa largura da bandgap,
sendo necessrio usar outros mtodos para faz-lo operar em
nveis interessantes para a eletrnica.
A tabela 2 apresenta a largura das bandgap dos principais
materiais semicondutores utilizados atualmente na indstria
eletrnica (silcio e germnio) e a das duas principais
promessas: o grafeno e a molibdenita.
TABELA II
COMPARAO DE BANDGAPS

Largura da bandgap
Silcio (Se)

1,10 eV

Germnio (Ge)

0,66 eV

Grafeno

0,25 eV

Molibdenita (MoS2)

1,80 eV

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B. Definio e caractersticas dos principais semicondutores

C.2 - Bandgap do Grafeno

B.1 - Silcio

A ausncia de um gap no grafeno representa uma desvantagem

muito importante j que implica na necessidade de
confeccionar fitas de grafeno muito finas ou de utilizar cerca
de 100 volts em camada dupla de grafeno para criar um gap de
aproximadamente 0,25 eltron-volt (eV). Obviamente,
praticamente invivel incluir esse nvel de tenso na maioria
dos circuitos eletrnicos, tais como os utilizados em um
telefone celular ou laptop. Em todo o mundo, os pesquisadores
esto enfrentando essa dificuldade.

No universo, o silcio um dos elementos mais abundantes. A

crosta terrestre composta de 27,7% de silcio. Nela, somente
o oxignio mais abundante. O silcio um slido duro, de
cor cinza escuro, apresentando certo brilho metlico. Sua
estrutura cristalina semelhante do diamante e suas reaes
qumicas so semelhantes s do carbono. Na natureza, o silcio
s ocorre combinado e encontrado em praticamente todas as
rochas, areias, barros e solos.
Extremamente importante na indstria eletrnica devido sua
estrutura eletrnica, o silcio de alta pureza dopado (boro,
fsforo e arsnio) para formar semicondutores bsicos para
construo de dispositivos eletrnicos, caso contrrio, o silcio
puro funciona como isolante.
Possui uma ampla aplicao na indstria metalrgica em ligas
de ao, lates, bronzes, materiais refratrios (na forma de
slica - areia), tijolos, concretos, vidros, esmaltes, vernizes e
cermicas variadas.
B.2 - Grafeno
O grafeno a mais fina lmina que se pode obter a partir do
grafite. Ela possui apenas um tomo de espessura e
composta por tomos de carbono com estruturas hexagonais
(bem parecido com um favo de mel em uma colmia). Se
dobrada, essa lmina gera nanotubos de carbono. Alm de
resistente e malevel, o grafeno possui alta condutividade,
gerando uma frequncia de comutao 100 vezes maior que o
silcio. O grafeno alcana velocidades superiores a 200 GHz,
podendo chegar at 1 THz. Porm, isso acontece apenas
quando o supercondutor est isolado. Joseph Stroscio foi um
dos realizadores dos testes feitos com grafeno no Instituto
Nacional de Padronizao e Tecnologia (NIST) dos Estados
Unidos. Em qualquer circuito integrado, a mistura de materiais
inevitvel, principalmente os processadores, que so um
verdadeiro sanduche com camadas alternadas de condutores,
isolantes e circuitos. De acordo com Nikolai Zhitenev, outro
membro da equipe de testes do NIST, o problema est na
interferncia que os eltrons da camada isolante exercem
sobre o grafeno. Eles fazem com que os eltrons presentes na
camada da lmina de grafite fiquem presos em uma espcie de
bolso, reduzindo a mobilidade. Isso acontece porque os
eltrons, j mais lentos pela simples presena de outro
condutor, perdem ainda mais energia na presena de campo
eletromagntico. Com isso, eles no tm fora o suficiente
para transpassar os buracos que surgem na folha de grafeno,
criando assim pontos qunticos.

D. Comparao de preos
O IMOA (International Molybdenum Association),
regularmente recolhe e avalia informaes sobre o mercado
mundial de molibdnio. O preo do concentrado de
molibdenita torrado (xido de tecnologia) amplamente
utilizado como a base de preo de referncia de mercado para
produtos de molibdnio. O grfico 2 mostra a mdia do preo
da molibdenita e o grfico 3 mostra o preo do silcio, ambos
ao decorrer dos anos.

Grfico 2 Variao do preo da Molibdenita entre os anos 1998 e 2010

(fonte [16] )

C. Vantagens e desvantagens da bandgap da Molibdenita

C.1 Bandgap da Molibdenita
A bandgap da molibdenita de 1,8 eltron-volt, o que a torna
ideal para uso em transistores. mais eficiente do que a de
silcio, porque chamado gap "direto". A utilizao de
materiais essa caracterstica facilita a confeco de clulas
solares, LEDs e transistores.

Grfico 3- Variao de preo do silcio de 11/2007 a 05/2009 (fonte [17])

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IV- APLICAES EM ELETRNICA

A molibdenita um material bidimensional, muito fino e
que facilmente pode ser manipulado atravs de tcnicas da
nanotecnologia. Segundo os pesquisadores da Escola
Politcnica Federal de Lausanne, na Sua, a molibdenita
apresenta potencial real para fabricao principalmente de
transistores muito pequenos, diodos emissores de luz (LEDs) e
clulas solares.
A. Transistores
Atualmente os transistores so feitos de silcio no qual mede
45 nanmetros, um tomo mede 0,1 nanmetros, o transistor
de grafeno mede 1 nanmetro apenas 10 vezes maior que um
tomo e 45 vezes menor que um transistor normal. A figura 5
mostra alguns transistores feitos de silcio.

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O nanotransstor tambm utiliza uma camada de 30

nanmetros de xido de hfnio, um material de elevada
constante dieltrica (high-k) que vem se tornando o
"ingrediente milagroso" dos transistores mais modernos. A
bandgap na molibdenita, que de 1,8eV, a torna ideal para uso
em transistores. Os transistores de MoS2 tambm so mais
eficientes do que os transistores de silcio, podem ser ligados e
desligados mais rapidamente, e podem ser colocados em um
modo de standby mais completo. A capacidade de amplificar
sinais eletrnicos exatamente a mesma que a do silcio onde
os sinais de sada so at quatro vezes mais fortes do que os
sinais de entrada. Com o grafeno, por exemplo, esse fator de
amplificao est em torno de 1. Abaixo desse limite, a tenso
de sada pode no ser suficiente para alimentar um segundo
circuito similar. A figura 7 mostra a vista transversal do
transistor (a) e ligaes eltricas utilizadas para caracterizar o
dispositivo(b).

Figura 5 Transistores de silcio (Fonte [21])

A Molibdenita pode ser usada para fabricar transistores que

consomem 100.000 vezes menos energia do que os
transistores atuais de silcio. O transstor de molibdenita
construdo pelos pesquisadores nasceu quando a fita adesiva
que coletou o novo material foi pressionada sobre uma
pastilha de silcio dopada com uma camada de 270
nanmetros de SiO2. Abaixo, a figura 6 mostra a construo
do transistor de molibdenita na forma tridimensional.
Figura 7: a) Vista em corte transversal da estrutura de uma monocamada
MoS2 FET
b) Ligaes eltricas utilizadas para caracterizar o dispositivo
(fonte [20])

B. Processador ultrafino de MoS2

Figura 6 - Representao tridimensional de MOS2 (Fonte [20])

Uma vantagem importante apresentada pela molibdenita est

em sua capacidade de ser trabalhada at formar camadas de
apenas trs tomos de espessura, enquanto o silcio no
suporta manipulaes abaixo dos dois nanmetros. Isto
significa que um processador de molibdenita poder ser pelo
menos trs vezes menor do que um processador de silcio
quando este atingir seus limites fsicos.
Outro aspecto interessante, que os chips de molibdenita
podero ser flexveis, o que permitir a construo de
computadores dobrveis e que podero ser enrolados sobre si
mesmos. Outra aplicao ser a possibilidade da confeco
chips que podero ser colocados em tecidos vivos de seres

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humanos ou no humanos. Na Sua, o LANES (Laboratory of

Nanoscale Electronics and Structures) anunciou que os testes
realizados com o primeiro chip de molibdenita foram bem
sucedidos. A figura 8 apresenta uma imagem desse chip.

V CONCLUSO
Conforme descrito nesse trabalho, os primeiros resultados
obtidos nas pesquisas sobre a aplicao da molibdenita na
confeco de dispositivos eletrnicos indicam que esse
material apresenta importantes vantagens em relao
aplicao do silcio e do grafeno. Contudo, apesar de
promissores, deve ficar claro que so resultados preliminares.
Muitas pesquisas ainda devem ser realizadas para comprovar a
viabilidade tcnica e econmica dessa nova tecnologia.
REFERNCIAS

Figura 8 Primeiro chip de molibdenita (fonte [26])

O diretor do laboratrio suo, Andras Kis, declarou que

conseguiram que esse primeiro chip de molibdenita
realizassem operaes lgicas e, tambm, que faro agora
testes com chips maiores e mais complexos. Caso a
molibdenita venha a se constituir o chip do futuro, a cidade
sua de Lausanne, sede do laboratrio desenvolvedor do chip,
poder passar a ser conhecida como a sede do "Vale da
Molibdenita".
C. Diodos emissores de luz (LEDs)
Light Emiting Diodes (LED), ou seja, diodos emissores de
luz so dispositivos semicondutores, tecnologia similar a dos
transistores e dos famosos chips, que convertem energia
eltrica, diretamente em energia luminosa.
Durante a passagem de corrente eltrica, alguns eltrons
mudam de camada, emitindo luz nesta transio. O processo
foi otimizado com um arranjo muito similar a um refletor para
melhorar o aproveitamento e definio de um ngulo de facho.
O aumento da produo de lmpadas de LEDs vem
aumentando devido a sua grande economia e durabilidade,
construindo um led com a molibdenita, aumenta a vantagem
em relao a esse componente, minimizando ainda mais o seu
tamanho e consumo. Abaixo, a estrutura fsica do led.

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4
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Andrei Ferreira Garcia nasceu em Pouso Alegre, MG, em 12 de julho de

1987. Atualmente aluno do 6 periodo do curso de Engenharia de
Telecomunicaes do Instituto Nacional de Telecomunicaes, (INATEL).
Giovanni Henrique Faria Floriano nasceu em Itajub, MG em 8 de agosto
de 1964. Graduado em Engenharia Eltrica na Universidade Federal de
Engenharia de Itajub (1988). Atualmente professor adjunto do Instituto
Nacional de Telecomunicaes de Santa Rita do Sapuca, MG (INATEL).
Luciana Maria nasceu em Santa Rita do Sapuca, MG, em 31 de Dezembro
de 1978. Tcnica em Eletrnica pela ETE ``FMC'' (2003). Atualmente
aluna do 6 perodo do curso de Engenharia Eltrica do Instituto Nacional de
Telecomunicaes (Inatel), possui ingls intermedirio e espanhol fluente.
Figura 9 Estrutura interna do LED (Fonte [27])