Diodo avalancha.

Es un diodo semiconductor diseado especialmente para

trabajar en tensin inversa. (Es la mxima tensin en sentido inverso que
puede soportar un diodo sin entrar en conduccin).

Contenido
1 Avalancha
2 Proteccin

2.1 Utilidad

3 Efecto Avalancha

4 Comparaciones del diodo de avalancha

5 Un diodo de avalancha Utiliza

6 Vase tambin

7 Fuentes

Avalancha
Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductordiseado especialmente
para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la
tensin enpolarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los
electrones que han saltado a la banda de conduccin por efecto de la
temperatura
se
aceleran debido
al campo elctrico
incrementando
su energacintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los
liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de
valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones
cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas
incremento de la tensin.

Proteccin
Una aplicacin comn es la proteccin de circuitos electrnicos contra los
dainos altos voltajes. El diodo de avalancha est conectado al circuito de
manera que es polarizado inversamente. En otras palabras, su ctodo es
positivo con respecto a su nodo. En esta configuracin, el diodo es no
conductor y no interfiere con el circuito. Si la tensin aumenta ms all del

lmite de diseo, el diodo entra en ruptura por avalancha, causando

la tensin perjudicial para llevarse a cabo a tierra. Cuando se utiliza de esta
manera, ellos se refieren a menudo como los diodos de fijacin o supresores de
transitorios de tensin, ya que "sujetan" la tensin mxima a un nivel
predeterminado. Diodos de avalancha son normalmente especificados para
este papel por su tensin de fijacin VBR y la cantidad mxima de energa
transitoria
que
pueden
absorber,
especificado
por
la
energa
o. Avalancha desglose no es destructiva, siempre y cuando el diodo se evita el
sobrecalentamiento.

Utilidad
Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comnmente
utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia. Tambin son
usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como
generadores de ruido blanco.

Efecto Avalancha
Aumenta la tensin inversa y con ella la z.c.e.. Ocurre lo siguiente dentro del
diodo: Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los
electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los
enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero a VRuptura la velocidad es
muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energa al
electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos
velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos
electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar
contra otro electrn de un enlace covalente, ceden su energa... y se repite el
proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha. Y ahora IR ha aumentado
muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA). Con esta
intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa
IR.

Comparaciones del diodo de avalancha

En electrnica, como ya se ha explicado un diodo de avalancha es un diodo
que est diseado para ir a travs de ruptura por avalanchaen un voltaje de
polarizacin inversa especificado. La unin de un diodo de avalancha est
diseada para evitar concentracin de corriente en los puntos calientes, de
modo que el diodo no est daado por la descomposicin. La ruptura
por avalancha es debido a los portadores minoritarios acelerado suficiente para

crear ionizacin en la red cristalina, produciendo ms portadores que a su vez

crean ms ionizacin. Debido a que la ruptura por avalancha es uniforme a
travs de toda la unin, el voltaje de ruptura es ms casi constante con la
corriente cambiante en comparacin con un diodo de avalancha. El
diodo Zener exhibe un efecto aparentemente similar, adems de disrupcin
de Zener. Ambos efectos son realmente presentes en cualquier diodo, pero por
lo general se domina la otra. Diodos deavalancha se optimizan para el efecto
avalancha por lo que exhiben pequea pero significativa cada de tensin en
condiciones de descomposicin, a diferencia de diodos Zener que es mantener
siempre una tensin superior a la avera. Esta caracterstica proporciona una
mejor proteccin contra sobretensiones que un simple diodo Zener y acta ms
como un reemplazo del tubo de descarga de gas. Diodos de avalancha de
tener un pequeo coeficiente de temperatura positivo de la tensin, donde
diodos
basndose
en
el
efecto Zenertienen
un
coeficiente
de temperatura negativo.

Un diodo de avalancha Utiliza

El voltaje de referencia

La tensin de ruptura despus vara muy poco con la corriente cambiante. Esto
hace que el diodo de avalancha tiles como un tipo de referencia de tensin.
Diodos de referencia de tensin nominal superior a aproximadamente 5,5
voltios son diodos de avalancha.

Generacin de ruido de RF

Diodos de avalancha de generar ruido de radiofrecuencia. Ellos son

comnmente utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio
yhardware generador de nmeros aleatorios. Por ejemplo, a menudo se utilizan
como una fuente de RF para antena puentes analizador. Diodos
de avalancha tambin
pueden
ser
utilizados
como
generadores
de ruido blanco.

Generacin de frecuencia de microondas

Si se coloca en un circuito resonante, diodos de avalancha pueden actuar como

dispositivos de resistencia negativa. El diodo IMPATT es un diodo de avalancha
optimizado para la generacin de la frecuencia.

Detector de un avalancha de fotones

Estos
estn
hechos
de
silicio
dopado
y
dependen
del efecto ruptura por avalancha para detectar incluso los fotones individuales.
Elfotodiodo de avalancha de silicio es un detector de fotones de alta ganancia.
Son "... ideal para el uso en alta velocidad, aplicaciones de nivel de
la luz corta."
El fotodiodo de avalancha es
operado
con
un voltaje de polarizacin inversa de hasta cientos de voltios, ligeramente por
debajo de la tensin de ruptura. En este rgimen, los pares de agujeros de
electrones generados por los fotones incidentes chocan obtener una gran
cantidad de energa desde el campo elctrico, lo que crea los portadores de
carga ms secundarias. La fotocorriente de slo un fotn se puede registrar con
estos dispositivos electrnicos.

Un diodo avalancha
, es un dispositivo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin inversa.
En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor
de la tensin de ruptura, los electronesque han saltado a la banda de conduccin por
efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctricoincrementando su energa
cintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; stos a su vez,
se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberndolos tambin,
producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente
conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin.
El diodo Zener est tambin diseado para trabajar en inversa, aunque el mecanismo de
ruptura es diferente al aqu expuesto.

Funcionamiento de un UJT (transistor uniunin)

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.
En la grfica de la figura 12.22 se describe las caractersticas elctricas de
este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la
corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peakpoint (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la
condicin de dVE/dIE = 0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a
continuacin:

Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es
muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en
el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo,
para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como
un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa

. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir,
VE = VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1
disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su
resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia
negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est
comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE < IV).

Regin de saturacin

Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de

mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia
entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor
es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones
del punto de valle, elUJT entrar de forma natural a la regin de corte.
En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que
relaciona la VE y la IE cuando la B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva
tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el
comportamiento del diodo de emisor.