DIODA

Caracteristica - curent tensiune a jonctiunii pn

In acest material se vor determina relatiile analitice intre componentele
curentilor prin jonctiunea pn si tensiunea aplicata la bornele jonctiunii (vD).
1. Ipoteze
(i) Nivele mici de injectie
S-a constatat ca aplicand o tensiune vD>0 (fig.1) rezulta un curent net prin
jonctiune datorita golurilor care trec din zona neutra p in zona neutra n si
electronilor ce parcurg acelasi traseu in sens invers. Trecerea de purtatori
majoritari prin regiunea de bariera (RSS) in zonele unde sunt purtatori minoritari
constituie injectia de purtatori minoritari. Ca urmare, se stabileste un exces al
concentratiei de purtatori minoritari in zonele neutre fata de situatia de la
echilibru termic. Mentinerea neutralitatii atrage dupa sine modificarea
concentratiei de purtatori majoritari in zonele neutre. Rezulta, pentru zona neutra
n:
nn=nn-nn0=pn=pn-pn0

xxn

(1)

x-xp

(2)

iar pentru zona neutra p se obtine:

pp=pp-pp0=np=np-np0

Ipoteza nivelelor mici de injectie presupune concentratiile de purtatori

minoritari injectate in zonele neutre mult mai mici decat concentratiile purtatorilor
majoritari din aceste zone:
pn, pn<<nn

xxn

(3)

np, np<<pp

x-xp

(4)

In consecinta, la nivele mici de injectie in zonele neutre concentratiile

purtatorilor majoritari raman practic cele de la echilibru termic:
nnnn0=ND

xxn

(5)

pppp0=NA

x-xp

(6)

Corespunzator, cvasinivelele Fermi pentru electroni (EFn) si goluri (EFp)

sunt constante in zona neutra n, respectiv in zona neutra p (fig.2) si coincid cu

nivelele Fermi la echilibru termic din semiconductorul n, respectiv p. Diferenta

intre EFn si EFp se datoreaza tensiunii externe (vD) aplicate pe jonctiune.
EFn-EFp=qvD

(7)

In zona de bariera cvasinivelele Fermi se mentin orizontale (fig.2).

Constanta nivelelor Fermi in RSS se justifica folosind expresiile densitatilor
curentilor de electroni si goluri:
jn(x)=n(x)n(dEFn/dx)

(8)

jp(x)=p(x)p(dEFp/dx)

(9)

Cum de la x=-xp la x=xn, n(x) si p(x) variaza cu mai mult de 10 ordine de

marime, iar jn si jp au variatii numai in interiorul unui ordin de marime, din (8) si
(9) rezulta:
dEFn/dx0, dEFp/dx0

-xpxxn

(10)

care conduc la EFn, EFpconstant in RSS.

(ii) Cvasiechilibru in RSS
Ipoteza considera constant in RSS, produsul dintre concentratiile de
electroni si goluri dar diferit de patratul concentratiei intrinseci:
n(x)p(x)=ni2exp((EFn-EFp)/kT)=ni2exp(vD/Vth)

-xpxxn

(11)

In deducerea relatiei (11) se folosesc expresiile pentru n(x) si p(x) scrise in

functie de concentratia intrinseca si nivelul Fermi intrinsec (Ei):
n(x)=niexp((EFn-Ei(x))/kT)

(12)

p(x)=niexp((Ei(x)-EFp)/kT)

(13)

si relatia (7)
Variatiile, cu ordine de marime ale concentratiilor de purtatori mobili in
RSS se explica prin variatia importanta a nivelului energetic Ei in aceasta zona
(fig.2)
(iii) Curentii de camp neglijabili in zonele neutre
Pentru purtatorii minoritari, in zonele neutre n componentele de camp ale
curentilor sunt neglijabile in raport cu cele de difuzie deoarece:
(a) - campul electric este foarte mic in zonele neutre,
(b) - concentratiile de purtatori minoritari sunt reduse (nivele mici de injectie)

Astfel, pentru densitatea de curent de goluri in zona neutra n rezulta

(model unidimensional):
jp=qpE(x)-qDpdpn(x)/dx-qDp(dpn/dx)

xxn

(14)

Corespunzator , densitatea curentului de electroni in zona neutra p are

expresia:
jn=qnE(x)+qDndnp(x)/dxqDn(dnp/dx)

x-xp

(15)

2. Conditii la limita
Pentru determinarea distributiei purtatorilor minoritari in zonele neutre
trebuiesc stabilite mai intai conditiile la limita. In punctele ce marcheaza granitele
dintre RSS si zonele neutre (x=xn si x=-xp) din (5), (6) si (11) rezulta:
pn(xn)=(ni2/nn(xn))exp(vD/Vth)=(ni2/ND)exp(vD/Vth)=pn0exp(vD/Vth)

(16)

np(-xp)=(ni2/pp(-xp))exp(vD/Vth)=(ni2/NA)exp(vD/Vth)=np0exp(vD/Vth)

(17)

In regiunile neutre, pn si np scad catre valorile de echilibru termic. Astfel se

poate scrie:
pn(x)x=pn0

np(x)x=np0

(18)

pentru o jonctiune cu zonele neutre groase, respectiv:

pn(wn0)=pn0

np(-wp0)=np0

(19)

daca jonctiunea are zonele neutre subtiri ( v. fig.1). S-au presupus ideale
contactele metalice de anod (la zona neutra p) respectiv de catod (la zona neutra
n). Ca urmare, la x=wn0 si x=-wp0 concentratiile de purtatori au valorile de la
echilibru termic.
3. Distributia purtatorilor minoritari in zonele neutre
Pentru determinarea concentratiei de goluri in zona neutra n se foloseste
ecuatia de continuitate pentru goluri de regim stationar (p/t=0)
(pn-pn0)/p+(1/q)(djp/dx)=0

(20)

unde p este timpul de viata al golurilor in exces in zona neutra n. Introducand in

(20) expresia (9) a densitatii jp se obtine:
d2(pn-pn0)/dx2-(pn-pn0)/Lp2=0

(21)

in care Lp=(Dpp)1/2 este lungimea de difuzie a golurilor (Lp reprezinta distanta

medie pe care difuzeaza golurile in zona neutra n pana se recombina). Ecuatia
diferentiala (21) are solutia generala:
pn(x)=Aexp((x-xn)/Lp)+Bexp(-(x-xp)/Lp)

(22)

Constantele A si B depind de latimea zonei neutre n, wn=wn0-xn (v. fig.2)

Se pot identifica 2 situatii:
(a) - Daca Lp<<wn=wn0-xn
zona neutra este groasa. In acest caz folosind
conditiile la limita (16) si (18) in ecuatia (22) se obtine:
pn(x)=pn0+pn0(exp(vD/Vth)-1)exp(-(x-xn)/Lp)

xxn

(23)

(b) - Daca Lp>>wn=wn0-xn zona neutra n este subtire. In ecuatia (22) se

utilizeaza conditiile la limita (16) si (19); rezulta:
pn(x)=pn0+pn0(exp(vD/Vth)-1)(1-(x-xn)/(wn0-xn))

xxn

(24)

Concentratia de electroni in zona neutra p se obtine printr-un procedeu

similar cu cel folosit mai sus pentru pn. si in acest caz se disting doua situatii:
(a) Ln<<wp=wp0-xp , zona neutra p este groasa
np(x)=np0+np0(exp(vD/Vth)-1)exp((x+xp)/Ln)

x-xp

(25)

(b) Ln>>wp=wp0-xp , zona neutra n este subtire

np(x)=np0+np0(exp(vD/Vth)-1)(1+(x+xp)/(wp0-xp))

x-xp

(26)

Ln=(Dnn)1/2 este lungimea de difuzie a electronilor (distanta medie pe care

difuzeaza electronii in zona neutra p pana se recombina). Din relatiile (23)-(26)
rezulta ca concentratile purtatorilor minoritari, in zonele neutre scad exponential
daca aceste regiuni sunt groase si liniar daca sunt subtiri.
4. Componentele curentului prin jonctiune (iD)
In regiunea de sarcina spatiala curentul are la origine fenomene de
generare recombinare, iar transportul purtatorilor mobili este determinat de
campul electric din aceasta zona (iD,gr). In regiunile neutre curentul este datorat
tot fenomenelor de generare recombinare, dar mecanismul de transport
preponderent este difuzia purtatorilor minoritari (iD,d).
Curentul prin jonctiune este in regim stationar independent de x:
iD=iD,gr+iD,d

(27)

Parcurgand jonctiunea de la zona neutra p spre zona neutra n

concentratia golurilor si implicit contributia lor la curentul total scade, crescand
corespunzator contributia electronilor. Aceste observatii sunt prezentate calitativ
in figura 3.
Curentul total se compune din curentul de goluri si curentul de electroni:
iD=in(x)+ip(x)

(28)

Din ecuatiile (27), (28) si pe baza figurii 3 se deduc expresiile curentului de

generare-recombinare (din RSS) :
iD,gr=ip(-xp)-ip(xn)=in(xn)-in(-xp)

(29)

si respectiv de difuzie
iD,d=ip(xn)+in(-xp)=ip(xn)+in(-xp)

(30)

5. Curentul de generare recombinare

Calculul componentei de generare recombinare pleaca de la ecuatiile de
continuitate scrise in regim stationar si cunoscand Rp=Rn=U. Din ecuatia de
continuitate pentru electroni (2.16b) va rezulta:
-U+(1/q)djn/dx=0

(31)

tinand cont ca in=AJjn, unde AJ e aria jonctiunii, din relatiile (29) si (31) se
deduce:
xn

iD,gr=qAJ U ( x )dx

(32)

xp

Rezolvarea integralei din relatia (32) presupune cunoasterea dependentei

de x a vitezei nete de recombinare. Conform modelului Schockley-Read-Hall
(v.relatia (2.15a)) si a relatiilor (16) si (17), U are expresia:
U=(ni2(exp(vD/Vth)-1))/(n(p+pi)+p(n+ni))

(33)

daca se are in vedere ca nivelele adanci sunt plasate de obicei la mijlocul benzii
interzise (EtEi). Aproximand n=p=0 din (33) rezulta:
U(x)=(ni2exp(vD/Vth)-1)/0(n+p+2ni)

(34)

Viteza neta de recombinare depinde de x in RSS prin intermediul

concentratiilor n si p. Introducand in (34) expresiile (12) si (13) ale lui n(x) si p(x)
se obtine o formula complicata pentru U ce face imposibila rezolvarea analitica a
5

integralei. Se obtin rezultate satisfacatoare daca in expresia integralei se

foloseste valoarea maxima a vitezei nete (Umax). Din (34) rezulta ca U este
maxim cand n=p deoarece in ipoteza de cvasiechilibru np=constant. Din relatiile
(11)-(13) se obtine pentru n=p:
EFn-Ei=Ei-EFp=qvD/2

(35)

Umax=(ni/20)(exp(vD/2Vth)-1)

(36)

Rezulta din (34):

daca in integrala din (32) se substituie U prin Umax se deduce:

iD,gr=I0gr(exp(vD/2Vth)-1)

(37)

I0gr=qAJ(ni/20)xd(vD)

(38)

unde I0gr este curentul rezidual de generare recombinare, iar xd latimea RSS.
6. Curentii de difuzie

Odata stabilite distributiile purtatorilor minoritari in regiunile neutre ale

jonctiunii se pot calcula componentele de difuzie ale curentilor de electroni si
goluri. Se pleaca de la relatiile (14) si (15). Se identifica:
(a) wn>>Lp , wp>>Ln - jonctiune groasa. Introducind (23) si (25) in (14) respectiv
(15) se obtine:
jpjp,d=qDp(pn0/Lp)(exp(vD/Vth)-1)exp(-(x-xn)/Lp)
jnjn,d=qDn(np0/Ln)(exp(vD/Vth)-1)exp(x+xp)/Ln)

,
,

x>xn
x<-xp

(39)
(40)

(b) wn<<Lp , wp<<Ln - jonctiune subtire. {n acest caz in (14) si (15) se folosesc
(27) respectiv (26) si se calculeaza:
jp,d=qDp(pn0/(wn0-xn))(exp(vD/Vth)-1)

x>xn

(41)

jn,d=qDn(np0/(wp0-xp))(exp(vD/Vth)-1)

x<-xp

(42)

tinand cont de notatiile din figura 3 si de relatia (30) se obtine pentru

curentul total de difuzie expresia:
iD,d=AJ(jp,d(xn)+jn,d(-xp))

(43)

In figura 3 s-au reprezentat, in zonele neutre, curentii de difuzie de

electroni si goluri pentru jonctiunea groasa. Sunt figurati curentii asociati

purtatorilor minoritari din zonele neutre (in(x) pentru x<-xp si ip(x) pentru x>xp).
Curentul total de difuzie (iD,d) este independent de x deoarece atat curentul total
(iD) cat si componenta de generare recombinare (iD,gr v. (38)-(39) ) sunt
constante. Aceasta observatie a permis reprezentarea in fig.3, si a curentilor
datorati purtatorilor majoritari din zonele neutre si anume: in(x) pentru x>xn si ip(x)
pentru x<-xp.
Avand in vedere relatiile (39)-(42) rezulta:
iD,d=I0d(exp(vD/Vth)-1)

(44)

in care I0d este curentul rezidual de difuzie. Expresia lui I0d depinde de grosimea
jonctiunii. Se disting doua cazuri:
(a) - jonctiune groasa : din (39), (40) si (43) rezulta:
I0d=qAJni2(Dp/NDLp+Dn/NALn)

(45)

(b) - jonctiune subtire : din (41) - (43) si (44) se obtine:

I0d=qAJni2[Dp/ND(wn0-x(vD))+Dn/NA(wp0-xp(vD))]

(46)

7. Caracteristica generala, iD-vD

Din relatiile (27), (37) si (44) rezulta expresia caracteristicii generale iD-vD
pentru o jonctiune pn:
iD=I0d(exp(vD/Vth)-1)+I0gr(exp(vD/Vth)-1)

(47)

Curentul rezidual I0d nu variaza cu vD la jonctiunea groasa (v. relatia (45)).

in schimb I0d la jonctiunea subtire (v. (46)) si I0gr (v. relatia (38) depind slab de
tensiunea aplicata pe jonctiune prin expresiile marimilor xp si xn respectiv xd.
La jonctiunea din Si, I0d<<I0gr. Ca urmare ecuatia caracteristicii (47) se
simplifica pe domenii de tensiuni.
La tensiuni mici (vD0.4V conteaza numai componenta de generare
recombinare:
iD=iD,grI0gr(exp(vD/2Vth)-1)

(48)

La tensiuni mari, vD>0,65V:

iDiD,d=I0d(exp(vD/Vth)-1)
Relatia (49) este denumita ecuatia jonctiunii ideale.

(49)

In practica pentru caracteristica curent-tensiune se foloseste in locul

relatiei cu doua exponentiale (47) o expresie mai simpla cu o exponentiala:
iD=I0(exp(vD/mVth)-1)
(50)
unde I0=I0d+I0gr este curentul rezidual al jonctiunii iar m este factorul de idealitate.
Pentru jonctiunea din Si, m are valori intre 1 si 2.