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Estructura Cristalina

Parte 2
Carola Martnez

Resumen Clase Anterior

5. Estructura Cristalina

5. Estructura Cristalina
Hay elementos y compuestos que pueden presentarse de distintas
estructuras cristalinas o bien composicin dependiendo de la
presin y temperatura a la que estn expuestos.
Isomorfos: Slidos que teniendo el mismo sistema cristalino, tienen
distinta composicin de elementos qumicos.

5. Estructura Cristalina
Polimorfismo: Capacidad de un material slido de existir en ms de
una estructura cristalina, todas ellas con la misma composicin de
elementos qumicos.

Alotropa: Cuando las sustancias polimorfas son elementos puros y


los estados que toman en diferente red espacial se denominan
estados alotrpicos.

5. Estructura Cristalina
Altropos del carbono
-Suele ser negro acero y gris
-Dureza 1-2 (Mohs)
-Conductor

- Transparente a opaco
- Dureza 10 (Mohs)
- No conductor

5. Estructura Cristalina
Altropos del hierro

5. Estructura Cristalina
Considerando la importancia de la caracterizacin de la Celda
Unitaria continuaremos su anlisis.
Puntos:
Notacin empleada para describir las posiciones de la red : xyz
Direcciones
Notacin empleada para describir las direcciones reticulares [xyz]
Planos
Notacin empleada para describir los planos cristalogrficos (hkl)

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Z
0,0,1

?A

0, 1, ,

0,0,0

?B
0,1, 0

?C
1,0,0
X

1,1, 0

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Z
A?
[1,0,1]
B?

[0,1,1]

[1,1,1]

Fin -

Origen

(1,0,0) - (0,0,0)
= [100]

Fin - Origen
[0,0,0]

(1,1,1) - (0,0,0)
= [111]

[1,0,0]
X

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
* Una direccin y su negativo no son idnticas
* Una direccin y su mltiplo son equivalentes
* Direcciones equivalente corresponden a familias de direcciones

(-100)

(100)

(100)
(200)

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Z

(1 0 0)

Plano A.
Intersecciones : x=1, y=oo, z=oo
x=1/1, y= 1/oo z= 1/oo
Recproco :

0,0,0

x=1, y=0, z=0

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Z
Plano B.
Intersecciones : x=1/2, y=oo, z=oo
Recproco :

x= 2, y=0, z=0

(2 0 0)
0,0,0

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Z
Plano C.
Intersecciones : x=1, y=1, z=1
Recproco :

x= 1, y=1, z=1
(1 1 1)

0,0,0

5. Estructura Cristalina
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
* Un plano y su negativo son idnticos
* Un plano y su mltiplo no son equivalentes
* Planos equivalente corresponden a familias de planos
(-1 0 0)
(1 0 1)
(1 0 0)
(2 0 2)

Densidades en una celda unitaria

5. Estructura Cristalina

Densidad volumtrica
Densidad volumtrica sobre la base de la estructura cristalina:
Densidad volumtrica = n * A / Vc * NA
n: N de tomos asociados a la celda
A: Peso atmico
VC: Volumen celda
NA: Nmero de Avogadro (6,023x1023 [tomos/mol])

Densidad atmica planar

5. Estructura Cristalina

Cantidad de tomos que ocupan un rea del plano


Densidad Lineal
Cantidad de tomos por unidad de longitud a lo largo de una
direccin especifica.

Defectos Estructura Cristalinas

5. Estructura Cristalina

* Defectos puntuales: vacancias, intersticios, impurezas


* Defectos lineales: dislocaciones
* Defectos de superficie: superficie del cristal, borde de grano
* Defectos de volumen: poros, fisuras

Defectos puntuales

5. Estructura Cristalina

* Discontinuidades de la red asociada a uno o un conjunto de


tomos.
* Se originan debido al movimiento de los tomos al ganar energa
por calentamiento, durante el procesamiento del material o
intencionalmente a travs de las introduccin de elementos
aleantes.

Defectos Puntuales: Vacancias

5. Estructura Cristalina

Ausencia de un tomo en la estructura cristalina


Las vacancias pueden producirse durante la
solidificacin debido al movimiento de los
tomos durante el crecimiento de los
cristales, o bien, mediante deformacin
plstica.
* Las vacancias son importantes cuando se
desean mover los tomos en un material
slido (difusin).

5. Estructura Cristalina
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada
temperatura en una red cristalina metlica puede expresarse por la
siguiente ecuacin:
nv : cantidad de vacancias por cm3

Qv

n v = n exp
RT

n : cantidad de tomos por cm3


Q : energa para producir un mol de
vacancias (cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol
R : 8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin

5. Estructura Cristalina
Defectos Puntuales: tomos Intersticiales
Insercin de un tomo en una posicin normalmente desocupada
de la estructura cristalina.
* El aumento de sitios intersticiales ocupados
en la red cristalina, produce un aumento de la
resistencia de los materiales metlicos.
* La cantidad de tomos intersticiales en la
estructura es aproximadamente constante
(an cuando cambie la temperatura).

5. Estructura Cristalina
Defectos Puntuales: tomos Intersticiales
Sitios Intersticiales en celdas unitarias

5. Estructura Cristalina

Razn de radios tomo original/tomo intersticial:


* Entre 0.225 y 0.414 - - - > Sitios Tetradrico
* Mayor que 0.414 - - - > Sitios Octadrico

Defectos Puntuales: tomos Sustitucionales

5. Estructura Cristalina

Sustitucin de un tomo por otro de distinta naturaleza, tomo


nuevo ocupa un sitio normal en la red.
* Estos tomos se pueden introducir en forma
de impurezas o adicionados como elementos de
aleacin.
* Si los tomos son de gran tamao, causan
reduccin de los espacios interatmicos vecinos.
* Si los tomos son de menor tamao, se
produce una mayor distancia interatmica entre
los tomos vecinos

5. Estructura Cristalina

Estructura Cristalina
Parte 2
Carola Martnez