Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Subiecte DCE PDF
Subiecte DCE PDF
doua etaje in
11. Care din urmatoarele afirmatii legate de factorul geometric al tranzistorului MOS este
falsa : (a) se noteaza cu W/L; (b) se numeste si factor de aspect;(c) factorul de curent
Nume student:
1
Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
(kn(p)) este direct proportional cu factorul geometric; (d) diferentiaza tranzistoarele nMOS
( sau p MOS) fabricate in aceiasi tehnologie; (e) se noteaza cu L/W ; (f) afecteaza
curentul de iesire al oglinzii de curent cu tranzistoare MOS.
12. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
100; (b) Av = -100; (c) Av = 200; (d) Av = - 200 ; (e) Av = 50; (f) Av = - 50
13. Circuitul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.
14. Etajul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
k n( p ) = 100 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 200 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.
15. Etajul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS avand : n ( p ) = 0.01V 1 .
Daca I D = 200 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ;
(d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 100k .
16. Circuitul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS avand: n ( p ) = 0.01V 1 .
Daca I D = 25 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ;
(d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 100k .
17. Circuitul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS avand: k n( p ) = 100 A / V 2 si
I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
22. Circuitul
I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
Fig. 1
24. In schema din fig.2 VDD = 2VGS2 = 3V si R = 10k ; Curentul de referinta are valoarea:
(a) I R = 100 A ; (b) I R = 200 A (c) I R = 300 A ; (d) I R = 400 A ; (e) I R = 150 A ; (f)
I R = 50 A ;
25. Sursa de curent din fig. 2 are I R = 400 A . Daca Q1 are factorul geometric de doua ori
mai mic in comparatie cu Q2 curentul de iesire are valoarea (se neglijeaza efectul
scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I 0 = 100 A ; (b) I 0 = 200 A (c)
I 0 = 300 A ; (d) I 0 = 400 A ; (e) I 0 = 150 A ; (f) I 0 = 50 A ;
26. Tranzistorul Q1 din circuitul fig.2 are n = 0.01V 1 . Daca I 0 = 200 A , rezistenta de iesire
este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f)
Ro = 100k ;
27. Tranzistoarele
Nume student:
Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
28. Tensiunea de iesire minima pana la care oglinda de curent din fig.2 functioneaza corect
este : (a) V=VGS1 ; (b) V=VGS1 VT ; (c) V=VGS2 ; (d) V=VDD ; (e) V=VDS2 ; (f) V=0 .
Fig.2
29. In circuitul din fig. 2 currentul de iesire este: I 0 = 200 A pentru V DD = 3V si R = 10k . Se
inlocuieste tranzistorul Q2 cu o dioda Zener. Tensiunea diodei Zener pentru care
curentul de iesire ramane neschimbat este: (a) VZ = 1V; (b) VZ = 1,5V; (c) VZ = 2,5V; (d)
VZ = 2V; (e) VZ = 1,2V; (f) VZ = 3V.
30. In circuitul din fig. 2 curentul de iesire este I 0 = 200 A iar Q2 are un factor geometric de 4
ori mai mic decat Q1. Se inlocuieste grupul V DD , R cu o sursa de current ideala. Curentul
acestei surse pentru care curentul de iesire ramane neschimbat are valoarea (se
neglijeaza efectul scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I D = 100A ; (b)
I D = 50 A ; (c) I D = 200 A ; (d) I D = 400 A ; (e) I D = 800 A ; (f) I D = 20 A .
31. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: k p = 50 A / V 2 , p = 0 .
Daca I D = 100 A si R = 100k castigul in tensiune este: (a) Av = 100; (b) Av = -100;
(c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.
Fig. 3
32. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: p = 0 . Daca
R = 100 k
Nume student:
Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
33. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu un tranzistor MOS avand: k p = 100 A / V 2 ,
Ri = 50 k
34. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n = 0, p = 0,01V 1 . Daca I D = 400 A , castigul in tensiune este: (a) Av
= 200; (b) Av = -100; (c) Av = 5; (d) Av = -5 ; (e) Av = 50; (f) Av = -50.
35. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 A / V 2 . Daca
I D = 400 A ,
Fig. 4
Nume student:
Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
40. Un tranzistor MOS are drena conectata la poarta. Daca I D = 25 A , k n = 50 A / V 2 si
n = 0,02V 1 rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10k ; (b)
r = 100 k ; (c) r = 20k ; (d) r = 10 M ; (e) r = 4 M ; (f) r = 1M .
41. Un tranzistor MOS are sursa legata la poarta. I D = 25 A , k n = 50 A / V 2 si n = 0,02V 1
rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10 k ; (b) r = 100 k ; (c)
r = 2 M ; (d) r = 10 M ; (e) r = 4 M ; (f) r = 1M .
42. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la D este:
gm
g ds
g ds
1
1
1
(a)
; (b)
; (c)
; (d)
; (e)
; (f)
.
2
2
gm
g m + g ds
g ds
( g m + g ds )
( g m + g ds )
(gm )2
43. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la S este:
gm
g ds
g ds
1
1
1
(a)
; (b)
; (c)
; (d)
; (e)
; (f)
.
2
2
gm
g m + g ds
g ds
( g m + g ds )
( g m + g ds )
(gm )2
44. Conditia de semnal mic pentru tranzistorul MOS este: (a) v gs << VGS VT ; (b) v gs << VGS ;
(c) v gs << VT ; (d) v gs < VGS VT ; (e) v gs >> VGS VT ; (f) v gs > VGS VT .
45. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A castigul in tensiune este: (a) Av 1;
(b) Av - 1; (c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 0,1; (f) Av = -0,1.
Fig. 5
46. Etajul
amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ;
(b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) RO 10k .
47. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 500 A rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50k ;
(b) Ri = ; (c) Ri = 0,1k ; (d) Ri = 1k ; (e) Ri = 10k ; (f) Ri = 100 k .
Nume student:
Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
48. Care din amplificatoarele echipate cu transistor MOS au rezistenta de intrare la semnal
mic si frecvente joase, finita: (a) etajul SC; (b) etajul GC; (c) etajul DC; (d) amplificatorul
cascod; (e) etajul SC si amplificatorul cascod; (f) etajul DC si amplificatorul cascod.
49. Un transistor nMOS este blocat daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VT < VDS;
(d) VT > VDS; (e) pentru orice VGS ; (f) VDS > 0.
50. Un transistor nMOS este conductie daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VGS < 0;
(d) pentru orice VGS ; (e) VGS =0; (f) VDS = 0.
Nume student:
Punctaj: