Elecronic Digitala

Comutator electronic cu tranzistor MOS

Aadar, pentru nMOS:

iD 0 dac: vGS V p (tranzistor blocat)

2

vDS
iD k vGS V p vDS

iD

k
vGS Vp 2
2

cu: VDsat

vGS V p

dac: vGS

V p ; vDS VDsat

(tranzistor n regiunea liniar);

dac:

vGS V p ; vDS VDsat ;

(tranzistor n saturaie);

- factorul de conducie:

k Cox
-

Z
L

mobilitatea purttorilor de sarcin din canal (electroni);

Cox capacitatea specific a izolatorului, fF / m 2 ;

Z
geometria tranzistorului:
L
-

- tranzistor blocat:
- I rez foarte mic (pA), neglijabil (cnd considerm scheme cu
puine tranzistoare!);
- caracteristica de intrare:
- curent foarte mic, I int
- rezistena de intrare:

10 12 A ;

Rint 1012 ;

- N max - nelimitat.
- regim tranzitoriu:
a) comutarea tranzistorului intrinsec apariia/dispariia canalului
la aplicarea unui cmp electric foarte rapid timp de comutare neglijabil fa
de ali timpi de comutare, viteza de deplasare a purttorilor n semiconductor;
b) comutarea elementelor extrinseci:
- capacitatea poart surs (canal);
- capacitatea poart dren (canal);

Elecronic Digitala
- capacitatea de barier surs-substrat i dren-substrat;
- capacitile parazite ale contactelor, conductorilor, etc;
- toate neliniare, distribuite i dependente i de sarcin.
Inversor nMOS cu sarcin rezistiv:
* schema:

* caracteristica de transfer:
- vi V pa , vo VoH VDD ;
- vi

V pa ; T n saturaie: iRd iDa :

vi V pa
VDD vo
ka
Rd
2
2

vo VDD k a Rd

vi V pa 2
2

Vi1 , TMOS trece n zona liniar: vo Vi1 V pa Vo1 ;

k R
2
Vi1 V pa VDD a d Vi1 V pa se deduce Vi1 i apoi i Vo1 .
2
- vi V pa , T n regiunea liniar: iR iDa :
d
- pentru: vi

VDD vo
vo2
ka vi V pa vo
Rd
2

Elecronic Digitala

vo vi V pa

2
2

vi V pa
ka Rd
ka Rd

2VDD

ka Rd

* nivelele logice:
- VoH VDD ;

VoL vo (VoH ) VDD

2
2
V pa
VDD V pa
ka Rd
ka Rd

2VDD

ka Rd

- prin dezvoltare n serie:

VDD
ka Rd VDD V pa
- este necesar ca: Rd ct mai mare i k a
VoL

ct mai mare;

* marginile de zgomot:

MZL Vi ' (1) VoL ; MZH VoH Vi '' (1)

1
2
8 VDD
; Vi ' ' ( 1) V pa
Vi ' (1) V pa

ka Rd
3 ka Rd
ka Rd
- tensiunea de transfer logic rezult din relaia: vo (V prL ) V prL ;
- caracteristici de alimentare:

I DDL

VDD VoL VDD

; I DDH 0;

Rd
Rd

2
VDD
; comentarii.
Pd
2 Rd

* regimul tranzitoriu:

Elecronic Digitala

- P1-P2: timp de comutare neglijabil;

- P2-P3: T saturat:

VDD V pa
1
iD t ; i D k a
2
Cs

vo (t ) VDD

- se termin faza cnd TMOS intr n zona liniar:

V1 VDsat VDD V pa ; rezult:

t1

CsV pa
ka
VDD V pa 2
2

V pa
V pa
2Cs
a
ka VDD V pa VDD V pa
VDD V pa

- s-a introdus constanta de timp:

2Cs
k a VDD V pa

- P3-P4: TMOS n zona liniar:

vo2
iD ka VDD V pa vo
2

se neglijeaz iR :
d

dvo
vo2
Cs
ka VDD V pa vo
dt
2

Elecronic Digitala

ka
dvo
dt
2Cs
2VDD V pa vo vo2

se integreaz:

vo
1

ka
1
1
t

dvo
2Cs
V DD V pa 2VDD V pa )
vo 2VDD V pa vo

ka
1
vo
t
ln
2Cs
2VDD V pa ) 2VDD V pa vo
a 2VDD V pa vo
;
t ln
2
vo
- se deduce:

vo (t ) 2VDD V pa

VDD V pa 1 th

1
2t

1 e
- timpul de comutare t 2 se deduce:

vo (t2 ) 0,1VDD V pa

t2

a
2

ln 19 1,45 a .

* comutarea invers:
- ncrcare prin rezisten fix (de valoare mare) la sursa de tensiune:
- fenomenele fizice: compararea curenilor de descrcare a capacitii cu
curentul de ncrcare a capacitii: tinc tdesc .

vo (t ) VDD VoL VDD e

t f 2,3Cs Rd - foarte mare

t
Rd C s

Inversorul NMOS cu sarcin TMOS n zona liniar

- n loc de rezisten se poate folosi un alt tranzistor nMOS ca sarcin
- Rezisten variabil, n funcie de curent
- Tranzistorul de sarcin poate fi conectat a.. s lucreze mereu n regiunea
ohmic (liniar) sau mereu n saturaie (v. mai jos)
- Utile de neles; n general nu se folosesc sub aceast form, dar stau la
baza unor optimizri pentru porile logice mai complexe (se folosete un
tranzistor pMOS ca sarcin)

Elecronic Digitala
- Tranzistorul activ Qa lucreaz pe o caracteristic dat de Vi
- Punctul de funcionare: a.. iD prin Qa i Qs s fie acelai
- Pentru Qs exist o legtur clar ntre VGS i VDS, dat de vo; aceast
legtur trebuie determinat pentru a gsi punctul de funcionare
- Astfel, pentru o valoare dat vo, att VGS ct i VDS sunt fixate, deci
punctul de funcionare al lui Qs nu este oriunde pe curba tipic id(v DS), ci
este fixat
- Familia acestor puncte pentru diverse valori ale lui vo d o curb care este
curba de funcionare a lui Qs
- Punctul de funcionare al schemei este la intersecia curbei de funcionare
a lui Qs cu caracteristica tipic id(vDS) a lui Qa

- Qs mereu n zona ohmic dac VGG > VDD+Vp

- daca VGG = VDD+Vp +, pct de functionare al lui Qs este in zona liniara, la
VDS=VGS-VP-, deci mereu la distanta de inceputul zonei de saturatie (pe o
parabol)
- sunt neceare dou surse de tensiune de alimentare;
- se obine o rezisten dinamic mai mic pentru ncrcarea capacitii de
sarcin;
- tranzistorul de sarcin ocup o suprafa mult mai mic dect o rezisten de
dren;
- nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de alimentare VDD ;
- nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor dou tranzistoare;
- parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul precedent;
- timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai schemei precedente.
Inversorul NMOS cu sarcin TMOS saturat
- elimin sursa suplimentar;

Elecronic Digitala
- tranzistor amplificator Qa; tranzistor de sarcin Qs;
- VGS = VDS > VGS - Vp
- deci mereu n zona de saturaie, mereu la distan Vp de grani (parabol)

* caracteristica de transfer:

V pa V p - Ta blocat, Ts n zona liniar:

1
2
- iDs VDD V p VoH 0
2
- VoH VDD V ps VDD V p
- vi V pa V p , Ta deschis la saturaie; Ts n saturaie:
- vi

- egalitatea curenilor:

ka

vi V p 2 k VDD vo V p 2
2

ka
; rezult:
ks
vo VDD V p avi V p

cu notaia:

a2

Elecronic Digitala
- caracteristic liniar, cu panta ce reprezint i amplificarea de tensiune pe care
o realizeaz acest montaj;
- vi

V pa V p , Ta n zona liniar, Ts n saturaie:

ks
vo2
2
VDD V p vo ka vi V p vo
2
2

2
- se amplific cu
i se ordoneaz dup puterile lui vo ;
ks

vo2 (1 a 2 ) 2vo vi V p a 2 VDD V p VDD V p 0

- de aici se deduce simplu vo (vi ) ;
2

- trecerea ntre cele dou zone:

Vi1 V pa Vi1 V p Vo1 ; se obine:

Vi1 V p

VDD V p
1 a

VDD aVp

1 a

* tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:

- pentru vi VoH VDD V p , rezult aproximativ:
2

VDD V p
VoL 2
2a VDD 2V p

- comentarii:

a , VDD V p ;

- semnificaia lui

ka

ks

Z a Ls
Z s La

AADAR, un tranzistor nMOS (comandat cu VDD pe poart) nu poate transmite

tensiunea din dren (VDD) n surs; sursa poate ajunge la VDD-Vp (a.. VGS = VP,
altfel tranzistorul se nchide). Similar, un tranzistor pMOS (comandat cu 0 pe
poart) nu poate transmite tensiunea din dren (0) n surs; sursa poate ajunge la
Vp (a.. VSG = VP, altfel tranzistorul se nchide).
* caracteristici de alimentare:

I DDH 0;
I DDL

ks
VDD V p 2 ka2 VDD V p 2
2
2a

Elecronic Digitala

Pd

ka
2

V
V

V
DD
DD
p
4a 2

* regim tranzitoriu

- comutarea direct: dac se neglijeaz curentul tranzistorului de sarcin,

descrcarea capacitii de sarcin se face prin tranzistorul amplificator, ca la
inversorul cu sarcin rezistiv:

Elecronic Digitala
- comutarea invers: tranzistorul amplificator se blocheaz i capacitatea de
sarcin se ncarc prin tranzistorul de sarcin ce funcioneaz n zona de
saturaie:

Inversor CMOS
- Aceast schem este cea folosit n circuitele integrate digitale

- parametrii tranzistoarelor:
n
p
- tensiunile de prag: V p V p (depind de tehnologie);
- factorii geometrici alei n aa fel nct factorii de conducie s fie ct
mai apropiai:

kn k p

Zn Z p

Ln L p

nivelele logice ale inversorului CMOS:

Elecronic Digitala
- cele dou tranzistoare funcioneaz n contratimp;
- nivelele logice nu depind de raportul dintre cei doi factori de conducie;

- din grafice: VoH

- analitic:

VDD ; VoL 0

VDD VoH
p
k p VDD V p VDD VoH
0;
2

deci: VoH 0;
2

VoL
n
n
iD kn VDD V p VoL
; deci: VoL 0.
2

iDp

Concluzie:
- nivele logice bine precizate, independente de condiiile reale de
funcionare (inversor ideal);
- utilizarea integral a tensiunii de alimentare (inversor ideal).
caracteristica de transfer:

Elecronic Digitala
* 5 zone ale caracteristicii:
* zona I, pentru

0 Vi V pn , Tn blocat, Tp n zona liniar:

VDD VoH
p
k p VDD VoH V p VDD VoH
0;
2

vo VDD VoH ;

* zona II: vi

V pn , Tn saturat; Tp liniar;

p
2

v
i
p
k p VDD vi V pp VDD vo DD o kn
2
2

k
2
- se noteaz: n a i rezult:
kp

vo vi V pp

DD

vi V pp

a 2 vi V pn

;
2

;
2

V pn vi V prL :
rezult tensiunea de prag logic, V prL ;

* zona III: ambele tranzistoare n saturaie,

- panta infinit;

kn

- panta real;
n
prL V p

V prL

kp

DD

2
VDD V pp aV pn

V pp V prL
2

1 a
n
p
- dac: V p V p V p i kn k p k a 1 :
V
V prL DD ; avantaj (inversor ideal);
2
V
- marginile de zgomot ideale sunt egale cu DD (maxime) (inversor ideal);
2
- tensiunea Vo1 , la care se face treceea Tp n saturaie:
VDD a V pp V pn
Vo1
0,5VDD V p sau:
1 a

Elecronic Digitala
p
p
VDS
VDD Vo1 vGS
V pp VDD V prL V pp , adic:

Vo1 V prL V pp .
* zona IV, pentru: V prL
saturat:

kp

vi VDD V pp : Tn n zona liniar, Tp

p 2
VDD vi V p

vo2
n
kn vi V p vo de unde:
2

2
2
1
vi V pn 2 VDD vi V pp i:
a

vo vi V pn

Vo 2 V prL V pn .

* zona V, pentru: VDD

V pp vi VDD

vo2
n
kn vi V p vo 0 , de unde: vo VoL 0 .
2

marginile de zgomot statice:

- definite n raport cu tensiunea de prag logic:

MZL V prL VoL

VDD V pp aV pn

;
1 a
aVDD V pp aV pn

MZH VDD V prL

1 a

- pentru un circuit simetric:

MZL MZH 0,5VDD (egale, maxime); (se apropie de inversorul

ideal);
- conform definiiei:
- se determin Vi
simetrici:

'

( 1)

i Vi

''

(1)

pentru tranzistoare cu parametri

2 VDD Vi ' (1) V p 2 Vi ' (1) V p

dvo
1
1
2
2
'
'
dvi
2 V V (1) V V (1) V
DD

Elecronic Digitala

- se noteaz:

x 1
x2 1

VDD Vi ' ( 1) V p
Vi ( 1) V p
'

x 2 2 x 1 4( x 2 1)

3x 2 2 x 5 0
VDD Vi ' (1) V p
Vi ' ( 1) V p

x0

x1 1; x2
5
Vi ' (1)
3

5
3
3VDD 2V p

2 Vi '' (1) V p 2 VDD Vi '' (1) V p

dvo
1
2
''
dvi
2 Vi (1) V p VDD Vi '' (1) V p
- se noteaz:

Vi" ( 1) V p

y0

VDD Vi ( 1) V p
5
y 1
- se obine ecuaia: 2
cu soluia: y ;
3
y2 1
"

Vi" (1) V p
VDD

5VDD 2V p
5
"

Vi (1)
8
Vi" (1) V p 3

- se calculeaz marginile de zgomot:

MZL Vi ' (1) VoL

3VDD 2V p

MZH VoH Vi'' (1) VDD

8
5VDD 2V p
8

3VDD 2V p
8

MZL

- egale i mari;
Concluzie: marginile de zgomot statice sunt garantate la valori de:

0,3 0,45VDD .

* importana tensiunii de alimentare asupra caracteristicii de transfer:

VDD 2V p

VDD 2V p

VDD 2V p
- nu

Elecronic Digitala
caracteristici de intrare
* circuit de protecie la intrare:
- poarta este izolat i poate acumula sarcini electrice;
- deoarece suprafaa este foarte mic, se poate strpunge poarta chiar la
sarcini mici (cmpul electric este foarte mare);
- diodele D1 i D2 limiteaz tensiunea de la intrare;
- rezistena distribuit limiteaz curentul prin D1 i D2 dac se deschid;
- apar diode parazite asociate rezistenei.
- diod Zener de protecie pentru supracreteri ale tensiunii de alimentare.

- se obin:
- Z int foarte mare,

100 M ;

- cureni de intrare foarte mici (inversor ideal) dependeni de

i de temperatur

20 C 100 C :
o

VDD

0,03 nA 1,6 nA la vi 0;
0,036 nA 0,7nA la vi 15V ;

caracteristici de ieire
- rezistenele de ieire date de rezistenele celor dou TMOS n conducie
valori de ordinul sutelor de ;
- numrul de circuite identice ce poate fi comandat este, practic, nelimitat
(inversor ideal);
- limitarea fan-out este dat numai de regimul tranzitoriu;
- pentru comanda unor circuite discrete se admit rezistene echivalente
mai mari de 50 k pentru a nu se micora marginile de zgomot;
caracteristici de alimentare

Elecronic Digitala
* tensiunea de alimentare (n interiorul circuitului/ partea de I/O e de obicei
standard): limitat de tehnologie/ puterea disipat (val max), respectiv de Vp/
timpul de comutare (valoarea minim);
* curenii de alimentare: I DDL 0; I DDH 0; Pd 0. (inversor
ideal);
- totui se disip putere datorit curenilor reziduali de ordinul W .
* caracteristica de alimentare iDD (vi ) :

0 vi V pn
n

- Vp

iDD 0;

- V prL

- VDD

V pp vi VDD

vi VDD V pp

2
kn
vi V pn ;
2
kp
iDD
VDD vi V pp
2
iDD 0 ;

vi V prL iDD

;
2

- I DD max

p
n

kn VDD V p aV p
n
iDD (V prL )
Vp

2
1 a

- I DD max

p
n
VDD V pp V pn
kn VDD V p V p

kn k p
2

2
1 a
2 kn k p

- pentru parametri simetrici:

I DD max

k
VDD 2Vp 2 ;
8

- exemplu numeric:

Elecronic Digitala

VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 I DD max 100 A .

- importana lui I DD max pentru creterea puterii disipate cu frecvena;
- influena tensiunii de alimentare; pentru VDD 2V p , I DD max 0 .

Nivele logice uzuale (pentru I/O circuitelor digitale)

- Apare (uneori) nevoia de convertoare de nivel, dac sunt circuite cu nivele
de I/O diferite
regimul tranzitoriu
- sarcin capacitiv, C s ;
- fenomene fizice la comutarea in ambele sensuri:

- forma de und complet:

Elecronic Digitala

a) comutarea direct
- P1-P2: se deschide Tn, se nchide Tp; t P P 0 ;
1 2
- P2-P3: Tn deschis n saturaie (se descarc C s ), Tp blocat:

vo (t ) VDD

1 k
VDD V p 2 t ;
Cs 2

- condiia de trecere a lui Tn n regiunea liniar (VDS

vo (t P2 P3 ) VDD V p ; rezult:
Vp
Vp
2C
t P2 P3 s

k VDD V p 2
VDD V p

cu:

VGS V p ):

2Cs
.
k VDD V p

- P3-P4: Tn deschis n regiunea liniar, Tp blocat:

dvo
vo2
Cs
k VDD V p vo
dt
2

cu:

vo (0) VDD V p ;

Elecronic Digitala

dt

2Cs
dvo
;
k vo2 2VDD V p vo

2Cs
1
1 vo
1
1
dt

dvo
k VDD V p 2 VDD V p vo 2VDD V p vo
0
1
t ln vo 2(VDD V p ln vo VvoDD V p sau:
2
vo
vo 2(VDD V p )
2(VDD V p ) vo
t ln
ln
2
vo
2
vo
V V
t

DD

- se poate explicita tensiunea funcie de timp:

2VDD V p vo
vo

vo VDD V p
vo VDD

2t

2
2t

VDD

e 1
t
t

e e
V p 1 t
t

e e

V p 1 1 2t

e 1

sau:

VDD V p 1 th .

- timpul t P P se definete ca fiind intervalul de timp dup care s-a parcurs

3 4
0,9V 0,9 VDD V p , adic pentru vo (t P P ) 0,1(VDD V p ) :

2VDD V p 0,1VDD V p
ln
ln 19 1,45 .
2
0,1VDD V p
2
3 4

t P3 P4

- durata frontului descresctor:

t fHL t P2 P3 t P3 P4

Vp
VDD V p

1,45 ;

- timpul de propagare la frontul descresctor:

t pHL t P2 P3

Vp
2(VDD V p ) V prL
3VDD 4V p
ln

ln
2
V prL
VDD V p 2
VDD

Elecronic Digitala
- influena prametrilor circuitului asupra timpilor de comutaie;
b) comutarea invers:
- P4-P5: se deschide Tp, se nchide Tn; t P P 0 ;
4 5
- P5-P6: Tp deschis n saturaie (se ncarc C s ), Tn blocat:

vo (t )

1 k
VDD V p 2 t
Cs 2

(deoarece vo (0)

0 );

- condiia ca Tp s ias din saturaie:

VDD V p VDsat VDD vo (t P5 P6 ) vo (t P5 P6 ) V p

- rezult:

t P5 P6

Vp
Vp
2Cs

t P2 P3 ;
2
k VDD V p
VDD V p

- P6-P1: Tp deschis n regiunea liniar, Tn blocat:

2

dvo
VDD vo
Cs
k VDD V p VDD vo

dt
2

- condiia iniial: vo (0) V p .

- se noteaz: VDD vo u cu: u (0) VDD V p i dvo du ;

- se obine:

du
u2
Cs
k VDD V p u adic aceeai ecuaie ca
dt
2

comutarea direct, cu variabila u :

2(VDD V p ) u 2(VDD V p ) (VDD vo )
t ln
ln
2
u
2
VDD vo
t

vo VDD VDD V p 1 th

- se obin urmtorii timpi de comutaie, la fel ca la comutarea direct:

t P6 P1 ln 19 1,45 ;
2
Vp
t fLH
1,45 t fHL ;
VDD V p

la

Elecronic Digitala

Vp

t pLH

VDD V p

ln
2

2VDD V p VDD V prL

VDD V prL

t pHL .

- pentru Vp=VDD/3, se obin : tfLH=tfHL=1.95 i tp=0.75.

Deoarece regimul dinamic depinde de o constant de timp (n care unul din
termeni este chiar Cs), rezult c avem un regim dinamic similar cu al circuitului
RC serie. n consecin, putem echiva, din punct de vedere al regimului dinamic,
un tranzistor MOS cu o rezisten echivalent Re.
Conceptual, putem aproxima Re chiar cu expresia:

Re / Cs

k VDD V p

(n practic se pot folosi alte valori, a.. rezultatele calcului simplificat s fie ct
mai aproape de cele msurate efectiv).
Aceast proprietate simplific analiza regimului dinamic al schemelor cu
tranzistoare MOS. Pentru a putea ine cont uor de factorul de form, se poate
scrie:

Re
k'

Z
VDD Vp
L

R 'e

L
Z,

cu

R 'e

k ' VDD V p

care depinde exclusiv de parametrii procesului i de VDD. Astfel, pentru a

impune o anumit Re, se calculeaz uor raportul Z/L necesar.
- concluzii:
- comportare simetric la cele dou tranziii;
- influena puternic a tensiunii de alimentare.
- exemplu numeric:

VDD 10V ; V p 1,5V ; k 16 A / V 2 ;

Zn
5 C s 2 pF
Ln

6ns; t fHL t fLH 1,1 8,7 9,8 ns;

t pHL t pLH 1,1 2,8 3,9 ns.
(pentru un proces in care L=3 m aprox, cu Cox=0.6fF/m2).

Elecronic Digitala
In acelasi caz, dac alimentm la VDD=5V i considerm Z/L=1, =21.4 ns.
Pentru a vedea evoluia cu tehnologia:
-pentru un proces in care L=1 m, Cox=1.75 fF/m2, k=47 A/V2, VDD=2.4V,
=4.63 ns
-pentru un proces in care L=0.1 m, Cox=16 fF/m2, k=432 A/V2, VDD=1.2V,
=0.09 ns=90ps
-pentru un proces in care L=0.05 m, Cox=25 fF/m2, k=675 A/V2, VDD=1V,
=0.026 ns=26ps
puterea disipat n regim tranzitoriu
- componenta determinat de regimul tranzitoriu al capacitilor de sarcin;
* suma puterilor disipate la cele dou tranziii:

To

To
2
1
Pdis iDn vo dt iDp (VDD vo )dt

To o
To

2
iDn

dv
Cs o ;
dt

Pdis

To
2

1
Cs VDD
Cs 2
VDD ;
iDnvo dt
vo dvo
To o
To o
2To

Cs 2
2
VDD CsVDD
fo ;
To

- dependena de frecven;
- dependena de ptratul tensiunii de alimentare.
- energie luat de la surs doar la ncrcare (pierderi + energia stocat n
condensator), pierderi la ncrcare i la descrcare
- componenta determinat de fronturile neideale ale impulsurilor de comand
se poate aproxima cu 0.2*CsV2DDf0;
Puterea total disipat n regimul dinamic de inversor va fi deci 1.2*CsV2DDf0;
Aceast formul se pstreaz i pentru blocuri mai complexe. n consecin,
putem determina puterea disipat n regimul dinamic de o schem cu N pori ca
fiind:
2
Pdis 1.2 NCsmedVDD
fo ,
unde Csmed este capacitatea de sarcin medie pentru o poart.
n consecin, pentru orice cip logic, puterea disipat n regimul dinamic este de
forma K V2DDf0.

Elecronic Digitala
n toate aceste relaii f0 e frecvena de comutaie a circuitului/ blocurilor. Dac
ele comut la fiecare semnal de ceas, f0 este frecvena ceasului. Dearece n
general, ntr-un circuit mai complex diversele blocuri nu comut la fiecare ceas,
relaia ntre f0 = *fclk este, cu un coeficient mediu de comutaie (de ex 0.2
etc).
Puterea disipat n regim staionar (de obicei aceasta se calculeaz pentru starea
de sleep), este VDDIleak, unde Ileak este curentul absorbit de la surs n respectiva
stare (dat de catalog).
- comparaie cu circuite TTL

Elecronic Digitala
Evoluia cu tehnologia modelul ideal (cmp electric constant)
- ntre dou tehnologii succesive: dimensiunea tranzistoarelor pe fiecare
ax scade cu un factor s=0.7
- Aria scade cu s*s=0.5 (v. legea lui Moore)
- i alte dimensiuni scad (de ex. grosimea izolatorului)
- Model ideal toate mrimile care variaz, variaz, a.. cmpul electric pe
toate cele 3 axe este constant
- Adic ele variaz cu s (sau 1/s):
Mrimea tehnologic/
fizic
Lungimea canalului
Limea canalului (pentru
acelai factor de form)
Grosimea izolatorului
Capacitatea pe unitatea de
arie
Factorul de conducie
Tensiunea de prag
Tensiunea de alimentare
(tipic de fapt ea ine
indirect de tehnologie i e
aleas de proiectant)
Curentul nominal prin
tranzistor
Constanta de timp
Frecvena ceasului
Aria pentru aceeai
schem
Aria total (dublare nr de
tranzistoare)
Puterea disipat pentru
acelai circuit
Puterea disipat total
(dublare numr de
tranzistoare, A = const.)

Valoarea pentru
tehnologia i
L
Z

Valoarea pentru
tehnologia i+1
s*L
s*Z

Cox=

s*
1/s*Cox (crete)

k
Vp
VDD

1/s*k (crete)
s*Vp
s*VDD

ID

s*ID

f
A

s*
1/s*f (crete)
s2*A

At

At (constant)

Pa

s2*Pa

P (constant)

- n realitate, acest model nu se mai respect (n ntregime) de mai mult

vreme
- aa cum se tie, n ultimii ani frecvena a rmas (aproximativ) constant
(iar puterea de calcul a crescut prin folosirea de mai multe core-uri).

Elecronic Digitala
- Chiar mai devreme, dei f cretea, asta se ntmpla prin creterea puterii
totale
- Principala diferen: la Vp (i deci VDD); motivul: creterea foarte mare a
curentului de pierderi dac Vp este f mic la tensiuni apropiate ca valoare
de Vp, exist curent de pierderi, chiar la VGS=0 (cu att mai mare cu ct
diferena ntre VGS i Vp e mai mic)

- Practic, Vp i VDD au sczut cu un factor aproximativ sv=0.85 (n loc de

s=0.7)
- Efecte: constant de timp f mic, dar crete puterea f mult (dac f crete
cu 1/s)
- Practic, puterea disipat total este constant dac f este (aprox) constant
- Mai mult, scalarea, chiar n condiiile acestea, se face cu eforturi continue
de limitare a curentului de pierderi (materiale izolatore noi, structuri FINFET, SOI, etc. aa cum vom vedea)
Pori logice CMOS
Inversor three-state:
Dac OE=1 funcionare normal de inversor
OE=0 starea de mare impedan (poarta nu este afectat de valoarea lui
Vo, care poate fi modificat de alt bloc permite interconectarea la o
magistral)

Elecronic Digitala

(este nevoie de un inversor suplimentar,

pentru negarea lui OE)
Poarta NAND (I-NU):
Tabela
de
adevr
corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

schema

Vo
1
1
1
0

Poarta NOR (SAU-NU):

Tabela de adevr
corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
1
0
0
0

T1
on
on
-

T2
on
?
-

(cu

T3
on
on

evidenierea

T4
on
on

strii

tranzistoarelor)

schema

Elecronic Digitala

- se obs. c pentru a avea ieirea conectat la VDD trebuie ca T1 i T2 s

primeasc pe poart comand (altfel cel puin unul din ele va fi blocat i legtura
la VDD nu se realizeaz)
- n ce stare e T2 cand A=1 i B=0 ?
Poarta AND
Tabela de adevr:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
0
0
0
1

ATENIE: tranzistoarele P-MOS se leag numai la VDD, N-MOS numai

la GND pt a avea nivele VDD/0 (nu VDD-Vp, Vp) .
Dou soluii:
- poart NAND i apoi inversor;
- poart NOR, cu intrri A\, B\ (negate);
A doua soluie: din tabel, sau pt. c:

Prima soluie: arie mai mic (1 inversor). Preferat i pt. c permite uor
adugarea de funcionare three-state:

Elecronic Digitala

Poarta XOR (SAU Exclusiv):

Tabela de adevr (cu evidenierea ramurilor
de circuit aflate n conducie) i schema
corespunztoare:
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

Vo
0
1
1
0

R1
on
-

R2
on
-

R3
on

R4
on
-

Dimensionarea tranzistoarelor n porile logice

Pt. inversor: Zp=2Zn

Elecronic Digitala
(pt simetria regimurilor de comutaie, precum i a caracteristicii statice, deoarece
kn =2-3kp)
Se poate nota Z (pt tranzistorul NMOS), 2Z (pt tranzistorul PMOS)
Dimensionarea unei ramuri de 2 tranzistoare n serie:
- fie o ramur cu cele dou tranzistoare de tip n, identice

- regimurile de funcionare, a.i. iD1=iD2 i VDS1+VDS2=Vo, cu Vo variind

ntre 1 i 0 (pentru descrcarea lui Cs):
- dac pe cele dou pori se aplic VDD:
VGS1=VDD, VGS2=VDD-VDS1 ;
conform figurii, pct de funcionare n care se deschid tranzistoarele:
iDS
VGS1=VDD

VGS2=VDD-VDS1

iDS1=iDS2

VDS
VDS1

VDD

- deci comutaia ncepe la un curent sensibil mai mic dect cel al ramurii
cu un singur tranzistor (ca la inversor), comandat cu VGS1=VDD i

Elecronic Digitala
conectat cu sursa la mas aprox. jumtate (i deci timpul de comutare
va fi aprox. dublu) OBS - in figura, Vdd= 1V, Vp= 0.3 V
- soluia: creterea factorului de form la ambele tranzistoare T1 i T2
(de ce nu e suficient s cretem doar pentru T2 ?)
- adic limea fiecruia din cele dou tranzistoare trebuie s fie dubl
fa de situaia cnd ramura are un singur tranzistor (ca la inversor) pt
a asigura acelai timp de comutaie: 2Z
Dimensionarea unei ramuri de n tranzistoare n serie:
- dac sunt NMOS, limea lor este nZ
- dac sunt PMOS, limea lor este de n ori cea de la inversor, adic 2nZ
OBSERVAII
1) Dac am crete factorul de form doar pentru T2, curentul ar tinde s
creasc (spre curentul maxim), dar i Vds1 va crete, deci Vgs2 va
scdea! Echilibrul se atinge la ids1=ids2=66% din curentul maxim
(corespunztor schemei cu un singur tranzistor). Acest lucru se poate
verifica rezolvnd ecuaia ids1=ids2, cu ids1 n regiune ohmic i ids2 n
saturaie, rezultnd Vds1 i apoi valoarea curentului. n figur este
reprezentat raportul ntre curentul rezultat i cel maxim, cnd factorul de
form al lui T1 e constant i cel al lui T2 ia valori ntre 1 i 9.
ids2/imax

Z2/L2
2) Acelai lucru se poate verifica dac modelm fiecare tranzistor printr-o
rezisten echivalent (corespunztoare factorului lui de form). n acest
caz, pentru schema cu un tranzistor Rtot=Re1, pentru schema cu dou
tranzistoare nseriate Rtot=Re1+Re2 i pentru a obine valoarea ce mai sus,
trebuie scazute (la jumtate) ambele rezistene, nu doar Re2!

Elecronic Digitala
Dimensionarea unei pori logice:
- considerm Z limea de referin (a tranzistorului N din inversor)
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare NMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la nZ
- pentru fiecare ramur cu n tranzistoare PMOS se dimensioneaz
tranzistoarele la 2nZ
Ex : poarta XOR

Evident, aceasta duce la structuri ineficiente pentru numr mare de intrri. De

aceea, pentru mai mult de 3-4 intrri se prefer (n proiectarea respectivului
bloc) s se foloseasc circuite echivalente cu mai puine intrri (precum i alte
tehnici)
De ex., o poart NOR cu 6 intrri se poate implementa cu dou scheme NOR de
3 intrri i o poart AND cu 2 intrri
Caracteristica static a porilor logice
-similar cu cea a inversorului
-diferene: fie poarta NAND cu 2 intrri, dimensionat ca mai sus
-caracteristica va fi similar cu cea a inversorului dac B=1 i A variaz 0 -1,
apropiat (dar uor deplasat la stnga dac B= variaz 0-1, A =1 i respectiv
mai deplasat la dreapta, dac ambele intrri variaz simultan
-VprL variaz aadar n funcie de intrri!

Elecronic Digitala

Caracteristica static a porii NAND pentru

diverse combinaii de intrri: A=1 i B variaz
ntre 0 -1 (o), A= variaz ntre 0 -1 i B = 1(*),
respectiv A=B, ambele variaz ntre 0-1 (+).
Date simulate; caracteristicile nu sunt perfect
verticale la VprL datorit creterii uoare a
curentului i n zona de saturaie
-OBS pentru explicaie, considerai pentru
nceput c primele 2 cazuri sunt identice i
explicai diferena fa de cazul 3 prin
inegalitatea factorilor de conducie ntre
tranzistoarele inversorului echivalent

Elecronic Digitala
Circuite combinaionale mai complexe ex unui circuit de adunare/ scdere pe n
bii
-

se adun bit cu bit An+Bn

trebuie inut cont de transportul de la bitul precedent
trebuie generat eventualul transport pentru bitul urmtor
scderea a dou numere = adunarea numrului A cu complementul n
raport cu 2 al numrului B

Tabela de adevr pentru suma a doi bii An + Bn:

An Bn Cn-1 Sn Cn
0
0 0
0
0
0
1 0
1
0
1
0 0
1
0
1
1 0
0
1
0
0 1
1
0
0
1 1
0
1
1
0 1
0
1
1
1 1
1
1
Schema pentru sumatorul pe 1 bit:

Prin conectare, se obine sumatorul pe n bii

Elecronic Digitala

Se observ c S0 este prima ieire care ajunge la valoarea corect (dup 2t pXOR),
iar Sn-1 ultima, deoarece trebuie ateptat ca C0, C1Cn-2 s ajung la valorile
corecte (aproximativ 3(n-1)tp, dac timpii de propagare prin porile XOR i
NAND sunt egali).
Impulsuri eronate pe ieirile porilor. Hazardul la comutaie
Fie o poart NOR, la care intrrile A i B variaz astfel:

B
Vo

B
Vo

Dac semnalele nu variaz perfect sincronizat, i A este ntrziat fa de B, este

posibil ca la un moment dat A=0, B=0 i ieirea s nceap s comute spre 1 (i
chiar s ajung la nivelul 1 logic).
A
B
T1
T2
T3
T4
Vo
0
1
1
X
X
1
0
0
0
1
1
X
X
1
1
0
X
1
1
X
0
Efecte negative:

Elecronic Digitala
- consum de putere
- posibil propagare a semnalului eronat
Evitarea:
- comutarea unei intrri se face cnd cealalt este stabil (adic, dac A
comut, B stabil pt un timp cel puin egal cu tp (altfel se poate pierde
valoarea), sau chiar 2-3 tp pentru a se evita impulsurile nedorite). De
asemenea, pulsurile cu durat prea scurt (uzual circa 2-3 tp) trebuie
evitate.
- Practic, aceasta se ntmpl dac A i B comut sincronizat (v. Circuite
secveniale)

Elecronic Digitala
Chiar pentru circuite n care intrrile n schem comut la anumite momente de
timp (sincronizat), apar riscuri de hazard n interiorul schemei:
- expresiile de forma x+x/, precum i xx/ reprezint surse de risc de hazard
(impulsuri eronate) pentru c n timpul comutaiei lui x, x/ va avea pentru un
scurt timp (tp al inversorului) exact valoarea lui x.
Impacteaz schemele complicate! De ex: ax+bx/ - daca a=b=1 i x variaz apare
un risc de impulsuri eronate. Soluia de corectare: se adaug termenul ab. Ea nu
schimb valoarea expresiei, dar garanteaz ieirea 1 cnd a=b=1, indiferent de x
(adic i n timpul comutaiei).
Dar pentru expresia: ab+b/c+a/c/d?
a=c=1 hazard pentru ab+b/c
a/=d=b/=1 hazard pentru b/c+ac/d
b=c/=d=1 - hazard pentru ab+a/c/d
Deci ab+b/c+a/c/d = ab+b/c+a/c/d + ac+a/b/d+bc/d