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INFORME FASE 3
GRUPO No. 11
JORGE ENRIQUE RIAO CASTILLO - 11275790
CARLOS JAVIER SUAREZ FAJARDO - 1098686828
DIANA MILENA ZARATE CINDY LORENA HERNNDEZ RUIZ- 1070955329
CONTENIDO
Pgina
INTRODUCCIN.......................................................................................................3
2. MARCO TERICO................................................................................................4
3. RESULTADOS.......................................................................................................5
3.1 Resultados Actividad 1.....................................................................................5
3.2 Actividad 2......................................................................................................28
4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS......................................................................31
4.1 Actividad 1......................................................................................................31
5. CONCLUSIONES................................................................................................32
6. BIBLIOGRAFA....................................................................................................33
INTRODUCCIN
En el estudio y formacin profesional de los ingenieros en la universidad nacional
abierta y a distancia, es de vital importancia el conocimiento de los temas
referentes a la fsica moderna, tal como la radiacin de cuerpo negro, efecto
fotoelctrico, principio de incertidumbre, postulados de Planck, de Einstein,
mecnica cuntica, entre otros. Por lo tanto en este momento tres de la materia
fsica moderna, se abordan perspectivas tericas acerca de la mecnica cuntica
y el comportamiento mecano ondulatorio de la materia a nivel microscpico y
micro-corpuscular. Con el fin, que los estudiantes de este curso posean
herramientas de tipo terico y metodolgico a la hora de analizar e innovar en
campos de la ingeniera, tales como el diseo e implementacin de componentes
electrnicos de ltima tecnologa, para dar solucin a sucesos propios de la
ingeniera electrnica, desde las perspectivas cunticas.
2. MARCO TERICO
La mecnica cuntica es una teora sumamente acertada para explicar el
comportamiento de partculas microscpicas. Esta teora, creada en la dcada de
los veinte del siglo pasado, por Erwin Schrdinger, Werner Heisenberg y otros,
hace posible entender una multitud de fenmenos en donde intervienen tomos,
molculas, ncleos y cuerpos slidos.
Para calcular la probabilidad terica
T e
Donde
es el ancho de la barrera y:
C=
Con
2 m(UE)
m=9,109 1031 kg
barrera (alto),
la energa potencial de la
=1,055 1034 J s
la constante de
2 .
Donde
T exp
T teo
sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U
[ ]
3. RESULTADOS
3.1 Resultados Actividad 1.
Un electrn con energa E incide de derecha a izquierda sobre una barrera de
potencial cuadrada que tiene una energa U de alto y un ancho L.
a) Cul es la probabilidad de que el electrn atraviese la barrera de
potencial?
b) Compruebe el clculo terico con el simulador.; en caso de haber
diferencia, establezca el error relativo.
U (eV ) L(nm)
0,24
0,58
0,6
UE , teniendo en
1 eV =1,6021 1019 J .
19
UE=0,58 eV 0,24 eV
0,34 eV
1,6021 10
1 eV
UE=4,1654 1020 J
9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:
2CL=2
2CL=0,5222
56,82 .
U (eV ) L(nm)
0,30
0,56
0,1
UE , teniendo en
1 eV =1,6021 1019 J .
UE=0,56 eV 0,30 eV
0,26 eV
1,6021 1019 J
1 eV
20
UE=4,1654 10
9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:
2CL=2
Dado que
kg m2
s2
kg J =
Js
kg m2
s
s2
kg
kg2 m 2
s2
kg m2
s
kg m
s
2
kg m
s
kg J = 1
Js
2CL=2
(0,1 109 m)
1,055 1034
2CL=0,5222
T exp =0,93
De esta manera, el error relativo entre las probabilidades tericas y
experimentales es:
|0,5930,93|
%Error=
100
%Error=56,82
0,593
As, se tiene que el error relativo entre estos dos valores es
56,82 .
U(eV)
0,51
0,28
X(nm
)
0,9
0.23 eV
19
1.6021 X 10
1 eV
)=3,68483 X 10
20
2( 9.11 X 10
=
31
k III
Kg )( 3,68483 X 1020 J )
=2.45 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s
1+sin2 1
T =
10
T =0.999
b) Imagen de la simulacin:
c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.48 es decir una probabilidad de
que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=
|T Teorico T Experimental|
T Teorico
100
|0.9990.90|
0.999
100 =9.0
E(eV)
U(eV)
0.43
0.78
X(nm
)
0.3
0.35 eV
19
1.6021 X 10
1 eV
)=5.61 X 10
20
2( 9.11 X 10
2CL=2
Kg )( 5.61 X 1020 J )
( 0.3 X 109 m )=1.82
34
1.055 X 10 J s
31
12
c) Error relativo
Para los datos experimentales Figura 1. Tenemos que T=0.48 es decir una
probabilidad de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la
determinada matemticamente tenemos:
%Error=
|T Teorico T Experimental|
T Teorico
100
|0.1620.48|
0.162
100 =196.3
La verdad es que este dato parece no tener ningn sentido ya que se esperara
que un error no supere ni siquiera el 100%, por lo tanto los datos proporcionados
por el simulador son irrelevantes.
Ejercicio 5. JORGE RIAO
a) Datos del problema:
E(eV)
U(eV)
X(nm
)
13
0.54
0.27
0.4
0.27 eV
1.6021 X 1019 J
=4.3257 x 1020 J
1 eV
2( 9.11 X 10
=
31
k III
Kg )( 4.3257 x 1020 J )
=2.66 X 10 9 m1
34
1.055 X 10 J s
1+sin2 1
T =
T =1
b) Imagen de la simulacin:
14
c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.500 es decir una probabilidad de
que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=
|T Teorico T Experimental|
T Teorico
100
|10.91|
1
100 =9
U(eV)
0.14
0.78
X(nm
)
0.3
19
1.6021 X 10
0.43 eV
1 eV
)=6.89 X 10
20
2( 9.11 X 10
2CL=2
Kg )( 6.89 X 1020 J )
( 0.3 X 109 m )=2.015
34
1.055 X 10 J s
31
16
c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.1333 es decir una probabilidad
de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=
|T Teorico T Experimental|
T Teorico
100
|0.13330.19|
0.133
100 =42.87
U(eV)
0.64
0.14
X(nm
)
0.4
0.50 eV
1.6021 X 1019 J
=8.0105 x 1020 J
1 eV
2( 9.11 X 10
=
31
k III
Kg )( 8.0105 x 1020 J )
=3.621 X 10 9 m1
34
1.055 X 10 J s
17
1+sin2 1
T =
T =0.99
b) Imagen de la simulacin:
c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=1 es decir una probabilidad de que
el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=
|T Teorico T Experimental|
T Teorico
100
|0.990.99|
10.99
100 =0
18
C=
2 m(UE)
U(eV)
0.13
0.52
X(nm
)
0.6
0.39 eV
1.6021 X 1019 J
=6.24819 X 1020 J
1 eV
2CL=2
2( 9.11 X 10
Kg )( 6.24819 X 1020 J )
( 0.6 X 109 m )=3.837
34
1.055 X 10 J s
31
b) Imagen de la simulacin:
19
c) Error relativo.
Para los datos experimentales Tenemos que T=1 es decir una probabilidad de que
el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente.
%Error=
|0.0210.06|
0.021
100 =185
U(eV)
0.19
0.76
X(nm
)
0.9
20
0.35 eV
1.6021 X 1019 J
=9.13 X 1020 J
1 eV
2( 9.11 X 10
2CL=2
Kg )( 9.13 X 1020 J )
( 0.9 X 109 m )=6.96
34
1.055 X 10 J s
31
T =e
=9.49 X 10
c) Error relativo
Para los datos experimentales. Tenemos que T=0.00 es decir una muy baja
probabilidad de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la
determinada matemticamente tenemos:
21
%Error=
9.49 X 10
100 =0
0.50
X(nm
)
0.7
0 eV
1.6021 X 1019 J
=0 J
1 eV
2( 9.11 X 10
2CL=2
31
1.055 X 10
Kg )0 J
( 0.7 X 109 m) =7.169 103
J s
34
0 eV
1.6021 X 1019 J
=0 J
1 eV
2( 9.11 X 10
31
k III =
Kg )( 0 J )
=0 m1
1.055 X 10 J s
34
( 0 m1 )(0.4 m)
1+sin2 1
T =
T =1
Quedndonos un valor de T = a 1. Por lo tanto:
b) Imagen de la simulacin:
23
c) Error relativo
%Error=
|10.38|
1
100 =62
U(eV)
0.56
0.47
X(nm
)
0.2
0.09 eV
1.6021 X 1019 J
=1.442 X 1020 J
1 eV
2( 9.11 X 10
=
31
k III
Kg )( 1.442 X 1020 J )
=1.536 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s
1+sin 2 1
T =
T =0.9844
b) Imagen de la simulacin:
24
c) Error relativo.
%Error=
|0.98440.91|
0.9844
100 =7.55
0,57
0,8
que 1 eV =1,6021 10
UE , teniendo en cuenta
J .
25
19
UE=0,57 eV 0,24 eV
1,602110
0,33 eV
1 eV
UE=5,2869 1020 J
9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:
2CL=2
2CL=4,7067
T 9,034 103
26
|9,034 1030,03|
9,034 103
100
%Error=232,07
232,07 .
U(eV)
0.49
0.51
X(nm
)
0.3
27
0.02 eV
1.6021 X 1019 J
=3.2042 X 1021 J
1 eV
2( 9.11 X 10
2CL=2
Kg )( 3.2042 X 1021 J )
( 0.6 X 109 m )=0.869
34
1.055 X 10 J s
31
c) Error relativo.
28
%Error=
|0.4190.76|
0.419
100 =81.4
sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U
[ ]
U(eV)
0.84
0.12
X(nm
)
0.0
0.72 eV
19
1.6021 X 10
1 eV
)=1.153 X 10
19
2( 9.11 X 10
=
31
k III
Kg )( 1.153 X 1019 J )
=4.34 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s
1+sin 2 1
T=
T =1
b) Imagen de la simulacin:
c) Error relativo.
Los datos tericos y experimentales son iguales, por lo tanto no tenemos error
relativo, lo cual indica que la barrera de potencial no existe como era de
esperarse.
Ejercicio 15. JORGE ENRIQUE RIAO
a) Datos del problema 2:
E(eV)
U(eV)
0.49
0.89
X(nm
)
0.3
19
1.6021 X 10
0.4 eV
1 eV
)=6.408 X 10
20
2( 9.11 X 10
2CL=2
Kg )6.408 X 1020 J
( 0.3 X 109 m )=1.943
34
1.055 X 10 J s
31
c) Error relativo
31
%Error=
|0.14320.44|
0.1432
100 =207
3.2 Actividad 2.
Un estudiante de Fsica Moderna quiere disear Transistores de efecto tnel
resonante en su laboratorio, para tal fin debe contestar los siguientes
interrogantes:
Respuesta pregunta 1: En qu consiste el efecto tnel?
El efecto tnel consiste en que una partcula pueda atravesar una barrera, debido
a la naturales ondulatoria de las partculas existe una probabilidad de que una
partcula pase al otra lado de la barrera, es como si pasase por un tnel de ah el
nombre de efecto tnel.
El concepto efecto tnel nace en fsica en 1928 y su explicacin se considera
uno de los primeros logros de la entonces naciente mecnica cuntica. Para la
mecnica clsica si una partcula se encuentra en un pozo de potencial y su
energa es menor que las magnitudes mximas de las barreras de potencial, ella
no podr salir del pozo y permanecer en l realizando movimientos oscilatorios
entre las paredes del mismo, hasta que su energa por algn efecto externo sea
superior a la altura de la mencionadas barreras.
En la prctica el efecto tnel se pone de manifiesto en el caso de barreras de
potencial de unos pocos nanmetros de anchura y en l estn basados muchos
dispositivos tecnolgicos ampliamente usados hoy da. Entre otros podemos
mencionar el microscopio de efecto tnel, los transistores, los diodos led, etc.
Muchos fenmenos relacionados con la superconductividad y con la fsica de
semiconductores como el efecto Josephson o la emisin fra de electrones, con la
radiactividad y con algunos tipos de mutacin espontnea observados en la
molcula de ADN que tienen su origen en el efecto tnel cuntico
Respuesta pregunta 2: Cmo aplicara el concepto anterior para disear los
Transistores de efecto tnel resonante?
Cuando n electrn que penetra por efecto tnel a travs de la barrera se considera
una partcula libre y puede tener cualquier energa, los transistores de efecto tnel
32
33
2 m(UE)
sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U
[ ]
2 m( EU )
36
6. BIBLIOGRAFA
National Institute of Standars and Technology. (s.f.). Nist Thermodynamics
Properties of Refrigerants and Refrigerant Mixtures. Obtenido de
http://www.tecnun.es/asignaturas/termo/SOFTWARE/SoftTD.htm
Serway, R. &. (2009). Relatividad. En Fsica para ciencias e ingeniera con Fsica
Moderna Vol. II. Mxico, D.F.: Cengage Learning.
Universidad Nacional Abierta y a distancia. (2013). Fsica Moderna. Obtenido de
Temas
unidad
3.:
http://campus13.unad.edu.co/campus13_20151/mod/resource/view.php?
inpopup=true&id=5404
37