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FSICA MODERNA

INFORME FASE 3

GRUPO No. 11
JORGE ENRIQUE RIAO CASTILLO - 11275790
CARLOS JAVIER SUAREZ FAJARDO - 1098686828
DIANA MILENA ZARATE CINDY LORENA HERNNDEZ RUIZ- 1070955329

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD


ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA
ABRIL 11 DE 2015

CONTENIDO
Pgina
INTRODUCCIN.......................................................................................................3
2. MARCO TERICO................................................................................................4
3. RESULTADOS.......................................................................................................5
3.1 Resultados Actividad 1.....................................................................................5
3.2 Actividad 2......................................................................................................28
4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS......................................................................31
4.1 Actividad 1......................................................................................................31
5. CONCLUSIONES................................................................................................32
6. BIBLIOGRAFA....................................................................................................33

INTRODUCCIN
En el estudio y formacin profesional de los ingenieros en la universidad nacional
abierta y a distancia, es de vital importancia el conocimiento de los temas
referentes a la fsica moderna, tal como la radiacin de cuerpo negro, efecto
fotoelctrico, principio de incertidumbre, postulados de Planck, de Einstein,
mecnica cuntica, entre otros. Por lo tanto en este momento tres de la materia
fsica moderna, se abordan perspectivas tericas acerca de la mecnica cuntica
y el comportamiento mecano ondulatorio de la materia a nivel microscpico y
micro-corpuscular. Con el fin, que los estudiantes de este curso posean
herramientas de tipo terico y metodolgico a la hora de analizar e innovar en
campos de la ingeniera, tales como el diseo e implementacin de componentes
electrnicos de ltima tecnologa, para dar solucin a sucesos propios de la
ingeniera electrnica, desde las perspectivas cunticas.

2. MARCO TERICO
La mecnica cuntica es una teora sumamente acertada para explicar el
comportamiento de partculas microscpicas. Esta teora, creada en la dcada de
los veinte del siglo pasado, por Erwin Schrdinger, Werner Heisenberg y otros,
hace posible entender una multitud de fenmenos en donde intervienen tomos,
molculas, ncleos y cuerpos slidos.
Para calcular la probabilidad terica

que el electrn atraviese la barrera de


potencial, es decir el coeficiente de transmisin T , dado que tenemos el caso
E<U , podemos tomar como aproximacin para este la expresin:
2 CL

T e
Donde

es el ancho de la barrera y:

C=
Con

2 m(UE)

m=9,109 1031 kg

barrera (alto),

Plack divida entre

la masa del electrn,

la energa del electrn y

la energa potencial de la

=1,055 1034 J s

la constante de

2 .

El error relativo entre los coeficientes de transmisin tericos y experimentales se


calcula de la forma:
|T teoT exp|
%Error=
100
T teo

Donde
T exp

T teo

es el coeficiente de transmisin calculado en la parte anterior y

es el coeficiente de transmisin obtenido a partir de la simulacin.

Como existe el caso en el cual E es mayor que U, entonces es necesario usar la


expresin siguiente:

sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U

[ ]

Donde kIII, es:


2 m( EU )
k III =

3. RESULTADOS
3.1 Resultados Actividad 1.
Un electrn con energa E incide de derecha a izquierda sobre una barrera de
potencial cuadrada que tiene una energa U de alto y un ancho L.
a) Cul es la probabilidad de que el electrn atraviese la barrera de
potencial?
b) Compruebe el clculo terico con el simulador.; en caso de haber
diferencia, establezca el error relativo.

Ejercicio 1. DIANA ZARATE


a) Para este ejercicio se tienen los siguientes datos:
E(eV )

U (eV ) L(nm)

0,24

0,58

0,6

As pues, primero se calcula la diferencia de energas


cuenta que

UE , teniendo en

1 eV =1,6021 1019 J .
19

UE=0,58 eV 0,24 eV

0,34 eV

1,6021 10
1 eV

Con este valor se puede calcular la cantidad

UE=4,1654 1020 J

2CL , teniendo en cuenta

9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:

2CL=2

2(9,109 1031)(4,1654 1020 ) 1


(0,1 109 m)
34
m
1,055 10

2CL=0,5222

As, se tiene que:


T 0,593
T e
0,5222

Probabilidad de que el electrn atraviese la barrera de potencial =


b) La imagen de la simulacin obtenida para este caso se presenta a
continuacin:

De esta simulacin se tiene que la probabilidad experimental de que el


electrn atraviese la barrera de potencial es:
T exp =0,93
De esta manera, el error relativo entre las probabilidades tericas y
experimentales es:
|0,5930,93|
%Error=
100
%Error=56,82
0,593
As, se tiene que el error relativo entre estos dos valores es

56,82 .

Ejercicio 2: CARLOS SUAREZ


a) Para este ejercicio se tienen los siguientes datos:
E(eV )

U (eV ) L(nm)

0,30

0,56

0,1

As pues, primero se calcula la diferencia de energas


cuenta que

UE , teniendo en

1 eV =1,6021 1019 J .

UE=0,56 eV 0,30 eV

0,26 eV

1,6021 1019 J
1 eV

Con este valor se puede calcular la cantidad

20

UE=4,1654 10

2CL , teniendo en cuenta

9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:

2CL=2

2(9,109 1031 kg)(4,1654 1020 J )


(0,1 109 m)
34
1,055 10 J s

Antes de seguir con el clculo, primero se van a determinar las unidades


de la fraccin. Para esto, obsrvese que se tiene:
kg J
Js

Dado que

J =N m=kg m2 /s2 , se tiene que:

kg m2
s2
kg J =
Js
kg m2
s
s2
kg

kg2 m 2
s2

kg m2
s

kg m
s

2
kg m
s

kg J = 1
Js

De esta manera, se tiene que:


2(9,109 1031)(4,1654 1020 ) 1

2CL=2
(0,1 109 m)
1,055 1034

2CL=0,5222

As, se tiene que:


T 0,593
T e
0,5222

De esta manera se tiene que, para este caso, la probabilidad de que el


electrn atraviese la barrera de potencial es 0,593 aproximadamente.
b) La imagen de la simulacin obtenida para este caso se presenta a continuacin:

De esta simulacin se tiene que la probabilidad experimental de que el


electrn atraviese la barrera de potencial es:
9

T exp =0,93
De esta manera, el error relativo entre las probabilidades tericas y
experimentales es:
|0,5930,93|
%Error=
100
%Error=56,82
0,593
As, se tiene que el error relativo entre estos dos valores es

56,82 .

Ejercicio 3. CINDY HERNNDEZ.


a) Datos del problema:
E(eV)

U(eV)

0,51

0,28

X(nm
)
0,9

Clculo probabilidad terica:


De manera simular obtenemos:

EU =( 0.51 eV 0.28 eV )=0.23 eV

0.23 eV

19

1.6021 X 10
1 eV

)=3,68483 X 10

20

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10
=

31

k III

Kg )( 3,68483 X 1020 J )
=2.45 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s

Ahora determinamos la probabilidad:

( 2,45 X 109 m1 )( 0,9 X 109 m)

1+sin2 1

T =

10

T =0.999

b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.48 es decir una probabilidad de
que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=

|T Teorico T Experimental|
T Teorico

100

Por lo tanto para este caso tenemos:


%Error=

|0.9990.90|
0.999

100 =9.0

Ejercicio 4. JORGE RIAO


a) Datos del problema:
11

E(eV)

U(eV)

0.43

0.78

X(nm
)
0.3

Clculo probabilidad terica:


Primero debemos determinar la diferencia de energa (U E), y despus debemos
pasar los electronvoltios a julios.
UE=( 0.78 eV 0.43 eV ) =0.35 eV

0.35 eV

19

1.6021 X 10
1 eV

)=5.61 X 10

20

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

Kg )( 5.61 X 1020 J )
( 0.3 X 109 m )=1.82
34
1.055 X 10 J s
31

Finalmente tenemos para la probabilidad de que el electrn atraviese:


2CL
T =e
T =e1.82=0.162
Por lo tanto tenemos un 0.16 de probabilidad de que la partcula atraviese la
barrera de potencial, veamos la simulacin
b) Imagen de la simulacin:

12

c) Error relativo
Para los datos experimentales Figura 1. Tenemos que T=0.48 es decir una
probabilidad de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la
determinada matemticamente tenemos:
%Error=

|T Teorico T Experimental|
T Teorico

100

Por lo tanto para este caso tenemos:


%Error=

|0.1620.48|
0.162

100 =196.3

La verdad es que este dato parece no tener ningn sentido ya que se esperara
que un error no supere ni siquiera el 100%, por lo tanto los datos proporcionados
por el simulador son irrelevantes.
Ejercicio 5. JORGE RIAO
a) Datos del problema:
E(eV)

U(eV)

X(nm
)
13

0.54

0.27

0.4

Clculo probabilidad terica:


EU =( 0.54 eV 0.27 eV )=0.27 eV

0.27 eV

1.6021 X 1019 J
=4.3257 x 1020 J
1 eV

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10
=

31

k III

Kg )( 4.3257 x 1020 J )
=2.66 X 10 9 m1
34
1.055 X 10 J s

Ahora determinamos la probabilidad:

( 2.66 X 109 m1)( 0.4 m)

1+sin2 1

T =
T =1

b) Imagen de la simulacin:

14

c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.500 es decir una probabilidad de
que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=

|T Teorico T Experimental|
T Teorico

100

Por lo tanto para este caso tenemos:


%Error=

|10.91|
1

100 =9

Ejercicio 6. JORGE ENRIQUE RIAO


a) Datos del problema:
E(eV)

U(eV)

0.14

0.78

X(nm
)
0.3

Clculo probabilidad terica:


15

Primero debemos determinar la diferencia de energa (U E), y despus debemos


pasar los electronvoltios a julios.
UE=( 0.78 eV 0.14 eV )=0.35 eV

19

1.6021 X 10
0.43 eV
1 eV

)=6.89 X 10

20

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

Kg )( 6.89 X 1020 J )
( 0.3 X 109 m )=2.015
34
1.055 X 10 J s
31

Finalmente tenemos para la probabilidad de que el electrn atraviese:


T =e2CL
T =e1.82=0.1333
Por lo tanto tenemos un 0.1333 de probabilidad de que la partcula atraviese la
barrera de potencial, veamos la simulacin
b) Imagen de la simulacin:

16

c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=0.1333 es decir una probabilidad
de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=

|T Teorico T Experimental|
T Teorico

100

Por lo tanto para este caso tenemos:


%Error=

|0.13330.19|
0.133

100 =42.87

Ejercicio 7. JORGE ENRIQUE RIAO


a) Datos del problema:
E(eV)

U(eV)

0.64

0.14

X(nm
)
0.4

Clculo probabilidad terica:


EU =( 0.64 eV 0.14 eV )=0.50 eV

0.50 eV

1.6021 X 1019 J
=8.0105 x 1020 J
1 eV

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10
=

31

k III

Kg )( 8.0105 x 1020 J )
=3.621 X 10 9 m1
34
1.055 X 10 J s

Ahora determinamos la probabilidad:

17

( 3.621 X 10 9 m1 )(0.4 X 109 m)

1+sin2 1

T =
T =0.99

b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo
Para los datos experimentales Tenemos que T=1 es decir una probabilidad de que
el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente tenemos:
%Error=

|T Teorico T Experimental|
T Teorico

100

Por lo tanto para este caso tenemos:


%Error=

|0.990.99|
10.99

100 =0
18

Ejercicio 8. CINDY HERNNDEZ.

C=

2 m(UE)

A partir de estos datos:


E(eV)

U(eV)

0.13

0.52

X(nm
)
0.6

La probabilidad terica es:

UE=( 0.52 eV 0.13 eV )=0.39 eV

0.39 eV

1.6021 X 1019 J
=6.24819 X 1020 J
1 eV

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2CL=2

2( 9.11 X 10

Kg )( 6.24819 X 1020 J )
( 0.6 X 109 m )=3.837
34
1.055 X 10 J s
31

La probabilidad de que el electrn atraviese es:


T =e2CL
T =e3.837
T =0.021

b) Imagen de la simulacin:

19

c) Error relativo.
Para los datos experimentales Tenemos que T=1 es decir una probabilidad de que
el electrn atraviese la barrera, al compararla con la determinada
matemticamente.
%Error=

|0.0210.06|
0.021

100 =185

Ejercicio 9. JORGE ENRIQUE RIAO.


a) Datos del problema 2:
E(eV)

U(eV)

0.19

0.76

X(nm
)
0.9

Clculo probabilidad terica:


Primero debemos determinar la diferencia de energa (U E), y despus debemos
pasar los electronvoltios a julios.

20

UE=( 0.76 eV 0.19 eV ) =0.57 eV

0.35 eV

1.6021 X 1019 J
=9.13 X 1020 J
1 eV

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

Kg )( 9.13 X 1020 J )
( 0.9 X 109 m )=6.96
34
1.055 X 10 J s
31

Finalmente tenemos para la probabilidad de que el electrn atraviese:


T =e2CL
6.96

T =e

=9.49 X 10

Por lo tanto tenemos un 0.000949 de probabilidad de que la partcula atraviese la


barrera de potencial, veamos la simulacin
b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo
Para los datos experimentales. Tenemos que T=0.00 es decir una muy baja
probabilidad de que el electrn atraviese la barrera, al compararla con la
determinada matemticamente tenemos:
21

%Error=

|9.49 X 104 0.00|


4

9.49 X 10

100 =0

Aparentemente la probabilidad es un poco menor que la que se presenta en los


datos de la simulacin, por lo tanto los datos que nos arroja el simulador son de
0.00, sin embargo se observa en la grfica que si existe una pequea seal, lo
cual indica que la probabilidad es menor que la que se puede medir en el
instrumento.
Ejercicio 10. JORGE ENRIQUE RIAO
a) Datos del problema 2:
E(eV) U(eV)
0.50

0.50

X(nm
)
0.7

Clculo probabilidad terica:


Primero debemos determinar la diferencia de energa (U E), y despus debemos
pasar los electronvoltios a julios.
UE=( 0.76 eV 0.19 eV ) =0 eV

0 eV

1.6021 X 1019 J
=0 J
1 eV

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

31

1.055 X 10

Kg )0 J
( 0.7 X 109 m) =7.169 103
J s

34

Finalmente tenemos para la probabilidad de que el electrn atraviese:


T =e2CL
T =e0=1
Pero debemos calcular segn la otra expresin.
Clculo probabilidad terica:
22

EU =( 0.64 eV 0.14 eV )=0 eV

0 eV

1.6021 X 1019 J
=0 J
1 eV

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10

31

k III =

Kg )( 0 J )
=0 m1
1.055 X 10 J s
34

Ahora determinamos la probabilidad:

( 0 m1 )(0.4 m)

1+sin2 1

T =
T =1
Quedndonos un valor de T = a 1. Por lo tanto:
b) Imagen de la simulacin:

23

c) Error relativo
%Error=

|10.38|
1

100 =62

Ejercicio 11. JORGE ENRIQUE RIAO


a) Datos del problema 1:
E(eV)

U(eV)

0.56

0.47

X(nm
)
0.2

Clculo probabilidad terica:


De manera simular obtenemos:
EU =( 0.56 eV 0.47 eV )=0.09 eV

0.09 eV

1.6021 X 1019 J
=1.442 X 1020 J
1 eV

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10
=

31

k III

Kg )( 1.442 X 1020 J )
=1.536 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s

Ahora determinamos la probabilidad:

( 1.536 X 109 m1 )(0.2m)

1+sin 2 1

T =
T =0.9844
b) Imagen de la simulacin:

24

c) Error relativo.

%Error=

|0.98440.91|
0.9844

100 =7.55

Ejercicio 12. CARLOS SUAREZ.


a) Los datos correspondientes a este ejercicio son:
E(eV ) U (eV ) L(nm)
0,24

0,57

0,8

Primero se calcula la diferencia de energas


19

que 1 eV =1,6021 10

UE , teniendo en cuenta

J .
25

19

UE=0,57 eV 0,24 eV

1,602110
0,33 eV
1 eV

Con este valor se puede calcular la cantidad

UE=5,2869 1020 J

2CL , teniendo en cuenta

9
que 1 nm=10 m . Esta expresin toma la forma:

2CL=2

2(9,109 1031 kg)(5,2869 1020 J )


(0,8 109 m)
34
1,055 10 J s

Del ejercicio anterior se sabe que las unidades de la cantidad fraccionaria


son 1/m . As pues, se tiene que:
2CL=2

2(9,109 1031)(5,2869 1020 ) 1


(0,8 109 m)
34
m
1,055 10

2CL=4,7067

De esta manera, se tiene que el coeficiente de transmisin es:


T e4,7067

T 9,034 103

As, se tiene que para este caso, la probabilidad de que el electrn


atraviese la barrera de potencial es

9 , 034 103 aproximadamente.

b) Se presenta a continuacin la imagen de la simulacin obtenida para este


caso.

26

De esta simulacin se tiene que la probabilidad experimental de que el


electrn atraviese la barrera de potencial es:
T exp =0,03
De esta manera, el error relativo entre las probabilidades tericas y
experimentales es:
%Error=

|9,034 1030,03|
9,034 103

100

%Error=232,07

As, se tiene que el error relativo entre estos dos valores es

232,07 .

Ejercicio 13. CINDY HERNNDEZ.


a). partir de estos datos:
E(eV)

U(eV)

0.49

0.51

X(nm
)
0.3

La probabilidad terica es:

27

UE=( 0.51 eV 0.49 eV )=0.02eV

0.02 eV

1.6021 X 1019 J
=3.2042 X 1021 J
1 eV

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

Kg )( 3.2042 X 1021 J )
( 0.6 X 109 m )=0.869
34
1.055 X 10 J s
31

la probabilidad de que el electrn atraviese es:


T =e2CL
T =e0.869
T =0.419
b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo.
28

%Error=

|0.4190.76|
0.419

100 =81.4

Ejercicio 14. JORGE ENRIQUE RIAO


Solucin:
En este caso particular, tenemos que (E>U), por lo tanto debemos utilizar la
siguiente expresin para determinar la probabilidad de que el electrn atraviese la
barrera de potencial:

sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U

[ ]

Donde kIII, es:


2 m( EU )
k III =

a) Datos del problema 1:


E(eV)

U(eV)

0.84

0.12

X(nm
)
0.0

Clculo probabilidad terica:


De manera simular obtenemos:
EU =( 0.84 eV 0.12 eV ) =0.72 eV

0.72 eV

19

1.6021 X 10
1 eV

)=1.153 X 10

19

Por lo tanto determinamos:

2( 9.11 X 10
=

31

k III

Kg )( 1.153 X 1019 J )
=4.34 X 109 m1
34
1.055 X 10 J s

Ahora determinamos la probabilidad:


29

( 4.34 X 109 m1 )(0 m)

1+sin 2 1

T=
T =1

b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo.
Los datos tericos y experimentales son iguales, por lo tanto no tenemos error
relativo, lo cual indica que la barrera de potencial no existe como era de
esperarse.
Ejercicio 15. JORGE ENRIQUE RIAO
a) Datos del problema 2:
E(eV)

U(eV)

0.49

0.89

X(nm
)
0.3

Clculo probabilidad terica:


30

Primero debemos determinar la diferencia de energa (U E), y despus debemos


pasar los electronvoltios a julios.
UE=( 0.89 eV 0.49 eV )=0.4 eV

19

1.6021 X 10
0.4 eV
1 eV

)=6.408 X 10

20

Teniendo este valor podemos calcular 2CL:

2( 9.11 X 10
2CL=2

Kg )6.408 X 1020 J
( 0.3 X 109 m )=1.943
34
1.055 X 10 J s
31

Finalmente tenemos para la probabilidad de que el electrn atraviese:


T =e2CL
T =e1.943=0.1432
b) Imagen de la simulacin:

c) Error relativo
31

%Error=

|0.14320.44|
0.1432

100 =207

3.2 Actividad 2.
Un estudiante de Fsica Moderna quiere disear Transistores de efecto tnel
resonante en su laboratorio, para tal fin debe contestar los siguientes
interrogantes:
Respuesta pregunta 1: En qu consiste el efecto tnel?
El efecto tnel consiste en que una partcula pueda atravesar una barrera, debido
a la naturales ondulatoria de las partculas existe una probabilidad de que una
partcula pase al otra lado de la barrera, es como si pasase por un tnel de ah el
nombre de efecto tnel.
El concepto efecto tnel nace en fsica en 1928 y su explicacin se considera
uno de los primeros logros de la entonces naciente mecnica cuntica. Para la
mecnica clsica si una partcula se encuentra en un pozo de potencial y su
energa es menor que las magnitudes mximas de las barreras de potencial, ella
no podr salir del pozo y permanecer en l realizando movimientos oscilatorios
entre las paredes del mismo, hasta que su energa por algn efecto externo sea
superior a la altura de la mencionadas barreras.
En la prctica el efecto tnel se pone de manifiesto en el caso de barreras de
potencial de unos pocos nanmetros de anchura y en l estn basados muchos
dispositivos tecnolgicos ampliamente usados hoy da. Entre otros podemos
mencionar el microscopio de efecto tnel, los transistores, los diodos led, etc.
Muchos fenmenos relacionados con la superconductividad y con la fsica de
semiconductores como el efecto Josephson o la emisin fra de electrones, con la
radiactividad y con algunos tipos de mutacin espontnea observados en la
molcula de ADN que tienen su origen en el efecto tnel cuntico
Respuesta pregunta 2: Cmo aplicara el concepto anterior para disear los
Transistores de efecto tnel resonante?
Cuando n electrn que penetra por efecto tnel a travs de la barrera se considera
una partcula libre y puede tener cualquier energa, los transistores de efecto tnel
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se utilizan para convertir pequeos voltajes en grandes voltajes, entonces cuando


se incide voltaje sobre un tnel resonante se logra la multiplicacin de la energa.
El efecto tnel resonante, que tiene lugar cada vez que el campo magntico
induce un cruce entre dos niveles de energa correspondiente a orientaciones
opuestas del espn.
Respuesta pregunta 3: Cules son las caractersticas principales de estos
dispositivos?

Resistencia negativa de un diodo semiconductor


Cada vez que los niveles de energa coinciden la probabilidad de paso por
efecto tnel es proporcional a la energa de la superposicin de los estados.
La funcin bsica de un transistor es la amplificacin
Los transistores de efecto tnel resonante se utilizan primicialmente en
ordenadores
cunticos,
transformadores
elctricos,
plsticos y
refrigeradores magnticos, brjulas mesoscpicas de alta sensibilidad y
catalizadores magnticos.

Respuesta pregunta 4: Cmo funcionan estos dispositivos?


Cuando los electrones pasan a travs de las barrera, los electrones que logran
pasar son libres y al entra en contacto con el electrodo de compuerta se produce
la amplificacin del voltaje que ingres en principio a transistor, la corriente
resultante causa un voltaje a travs de un resistor externo que es mucho ms
grande que el voltaje de la compuerta; por esto, el dispositivo amplifica la seal de
entrada al electrodo de compuerta.

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4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS


4.1 Actividad 1.
Para determinar la probabilidad de que un electrn atraviese una barrera de
potencial, es importante tener en cuanta muchos factores, principalmente y tal vez
uno de los ms importantes dentro del anlisis del comportamiento cuntico de las
partculas, es la longitud o ancho de la barrera de potencial, debido que a mayor L,
menor probabilidad de que el electrn (partcula) pase, por el contrario se aumenta
la probabilidad de que el mismo sea reflejado. De igual manera, cuando se tiene
un pozo de potencial superior a la energa total de la partcula, se puede encontrar
la probabilidad en funcin del ancho de la barrera por una constante de integracin
determinada para la solucin de la ecuacin de Schrdinger, mediante:
T e2 CL
En dnde.
C=

2 m(UE)

Ahora bien si por el contrario se da el caso en el cual la energa total de la


partcula supera la altura de la barrera de potencial, es decir a U, en este caso por
deduccin se sabe que la partcula puede pasar libremente por encima de la
barrera o simplemente con una menor oposicin, por lo tanto se debe interpretar el
suceso en el estado III, por lo tanto debemos aplicar la siguiente ecuacin:
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sin ( k III L)
T = 1+
E E
4
1
U U

[ ]

Donde kIII, es:


k III =

2 m( EU )

De donde es posible obtener la probabilidad, la cual ser lgicamente muy alta


dado que el flujo sobre la barrera es evidente, por lo tanto el efecto tnel se da
pero con una alta probabilidad que la partcula atraviese y una menor probabilidad
de que la partcula se refleje.
5. CONCLUSIONES
El estudio de la mecnica cuntica, permite realizar aproximaciones tipo terico
hacia el comportamiento elctrico de componentes electrnicos de uso comn
dentro de la ingeniera electrnica, los cual se debe principalmente a que la
materia a nivel microscopio, comportamiento elctrico, es de tipo cuntico, es
decir, en donde la energa se encuentra cuantiada, lo cual da como producto la
interaccin de campos elctricos, magnticos y flujos energticos y barreras de
potencial. El estudio de estos espacios de energa y barreras de potencial, nos
permite comprender el porqu de la existencia de comportamientos tan
especficos de la energa y la existencia de estados posible, que a partir del
principio de incertidumbre, pueden ser vistos desde perspectivas diferentes, con
ayuda dela probabilidad y la mecnica cuntica podemos definir estados para la
energa, de donde es importante reconocer el comportamiento y la dualidad onda
partcula del electrn un campos de potencial finito e infinito.
De lo anterior, es posible analizar, entender y comprender el comportamiento
probabilstico del efecto tnel, en el cual se encuentra para una partcula confinada
en una caja de potencial la probabilidad de ser reflejas o transmitida a travs de la
barrera, lo que se conoce como efecto tune, gran parte del desarrollo aqu
determinado est encaminado a describir este comportamiento, ya que a partir del
conocimiento de este, es posible analizar el comportamiento real de los electrones
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y a travs de materiales en componentes electrnicos, dejando en claro el fin del


estudio de la fsica cuntica en la preparacin como ingenieros.

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6. BIBLIOGRAFA
National Institute of Standars and Technology. (s.f.). Nist Thermodynamics
Properties of Refrigerants and Refrigerant Mixtures. Obtenido de
http://www.tecnun.es/asignaturas/termo/SOFTWARE/SoftTD.htm
Serway, R. &. (2009). Relatividad. En Fsica para ciencias e ingeniera con Fsica
Moderna Vol. II. Mxico, D.F.: Cengage Learning.
Universidad Nacional Abierta y a distancia. (2013). Fsica Moderna. Obtenido de
Temas
unidad
3.:
http://campus13.unad.edu.co/campus13_20151/mod/resource/view.php?
inpopup=true&id=5404

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