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Depsito de la capa a
grabar
Depsito de la fotoresina
(PR), spin-coating y prehorneado.
Alineamiento de la
mscara
Iluminacin
Fotoresina Negativa
Fotoresina Positiva
Revelado de la
fotoresina
(development)
Grabado (etching)
de la pelcula de
polisilicio
Eliminacin de la
fotoresina
(stripping)
Difraccin de la luz
lm
Eje de
la lente
z
mscara
lente
Plano de mejor
enfoque
Evolucin
histrica de los
parmetros k1,
longitud de onda
y apertura
numrica
KrF
ArF
= 193 nm
node
node
node
R. Goldman, Synopsys
RET
Correccin ptica de proximidad OPC (Optical proximity correction)
RET
Litografa de inmersin
Resolucin:
lm = k1 /NA, siendo NA = nsen
n(aire) =1; n(agua)=1.4
La litografa de inmersin
mejora la profundidad de
foco con respecto a la
litografa convencional (seca)
al menos en un factor igual al
ndice de refraccin del fluido.
En la figura, =193nm, n=1.46
(C.A. Mack, KLA-Tencor,
Austin, TX, USA)
Ver http://www.asml.com/immersion
RET
Litografa en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones
RET
Litografa en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones
NGLs
=13.5 nm
SCALPEL
SCattering with Angular Limitation Projection Electron beam Lithography
Litografa de haz de electrones. (1989 Bell Laboratories)
FUNDAMENTO: La diferente dispersin del haz de electrones por los distintos
componentes de la mscara.
Las mscaras estn compuestas por una membrana de elementos ligeros, que dispersan
poco el haz, y por elementos pesados, que definen el motivo a grabar y que dispersan
mucho el haz.
La apertura en el plano focal bloquea los haces fuertemente desviados y deja pasar los
de-ms, dando lugar a una imagen de alto contraste sobre la resina.
NGLs
NGLs
=13.5 nm