FOTODIODO DE AVALANCHA (FDA)

VENTAJA DE LA AMPLIFICACION DE INTERNA

Formado por detector y amplificador
Es ruidoso Bd suma de ruido de granalla debido a la
corriente I, y del ruido de granalla de la corriente de
oscuridad I ,
Preamplificador produce ruido B ;
B>B en relacin S/N (seal/ruido) determinado por B
Par aumentar la relacin, se aumente S teniendo un
sistema interno de amplificacin
El amplificador de cargas aumenta la seal de como el
ruido Bd del detector
Mientras Bd < Bp esto mantendr S/N=S/Bp como S
aumenta con la amplificacin S/N aumentara.
Al aumentar la amplificacin el ruido del detector se
vuelve superior al del preamplificador en tales
condiciones no sirve aumentar la amplificacin del
detector y a que se aumenta a la vez la seal y el
ruido.
Se vera igualmente que aun cuando la relacin S/N
disminuya el ruido aumenta mas rpido que la seal
Tener amplificacin en el detector para aumentar S/N
tiene mximo a cierto valor de la amplificacin.
MULTIPPLICACION DE CARGAS POR EL EFECTO DE
AVALANCHA

En el semiconductor, cuando un electrn (o un hueco)

esta en presciencia de un campo elctrico E, esta
sometida a una fuerza elctrica F de valor absoluto
F=eE
e = carga elctrica del electrn
F comunica al electrn una aceleracin para aumentar
la velocidad y la energa cintica Ec del electrn.
Ec >= Eg (amplitud de la banda prohibida), el electrn
puede generar con choque de otro electrn de la
banda de valencia, un par de electrn hueco (hay
ionizacin de impacto)
La multiplicacin genera dos electrones. El nuevo
electrn puede repetir el proceso de par de electrn y
as sucesivamente
Este mecanismo de multiplicacin de cargas se
conoce por efecto avalancha.
El fenmeno de multiplicacin de portadores por
avalancha solo se produce so el campo elctrico E es
superior a cierto valor Em (umbral de ionizacin del
material) depende de banda prohibida del material y la
impurificacin.
Em aumenta con Eg el portador tendr que tener una
energa superior a Eg

ESTRUCTURA DE UN FOTODIODO

PARAMETROS CARACTERISTICOS
FACTOR DE MULTIPLICACION M
1

( )

M=

V
Vn

Vn= tensin de ruptura de material

I = MIs
I = corriente producida por el diodo en rgimen de
avalancha
Is=corriente producida por el diodo en baja tensin
inversa cunado funciona como fotitodido ordinario
E<Em

CORRIENTE DE OSCURIDAD
Io=MIt + If
Similar a un fotodiodo p-i-n tiene corriente de
oscuridad Io causada simultneamente por la creacin
trmica de portadores minoritarios It y por la fugas
superficiales If
It sufre la multiplicacin avalancha
If es superficial y no es afectada por la multiplicacin.
Puede disminuir por tcnicas para reducir la
contaminacin de la superficie cuya tendencia es es
de volverse n, de esta forma se pone al diodo en
cortocircuito
RUIDO EN UN FOTODIODO DE AVALANCHA

SENSIBILIDAD Y RENDIMINETO CUANTICO

TIEMPO DE RESPUESTA

Como un fotodiodo p-i-n, el tiempo de respuesta de un

fotodiodo de avalancha depende del tiempo que
tardan los portadores generados en la zona de
absorcin en alcanzar la zona de avalancha (tiempo de
transito) y de la capacidad del diodo. En un fotodiodo
de avalancha de tipo p pi p n , los electrones provocan
la avalancha; los huecos creados en la zona de
avalancha deben alcanzar el contacto trasero, por lo
que hay, en le caso de este fotodiodo, un segundo
tiempo de transito que viene aadirse al primero. El
tiempo de transito es en consecuencia,
aproximadamente, el doble del de un fotodiodo p-i-n.
la estructura de un fotodiodo de avalancha es similar a
la de un fotodiodo p-i-n y sus capacidades son
comparables y varan de la misma forma con la
tensin inversa aplicada.
El proceso de avalancha tarda un cierto tiempo que
puede, afectar la rapidez del fotodiodo de avalancha.

FOTOTRANSISTOR

CARACTERISTICAS COMPARADAS DE LOS DETOCTORES

DETECTORES PARA LA BANDA DE 0.8 um A 0.9 um

Todos los detectores utilizados entre 0.8 y 0.9 um
estn hechos a partir de silicio ya que el material tiene
una gran longitud de onda critica de 1.1 um
aproximadamente. Las distancias de absorcin son del
orden de 50 um. Hay dos principales categoras de
detectores, el fotodiodo p-i-n y fotodiodo de
avalancha.
FOTODIODOS p-i-n

FOTODIODOS POR AVALANCHA

DETECTORES PARA LA BANDA DE 1.3 um A 1.5um