LA CARACTERSTICA

EXPONENCIAL DEL TRANSISTOR

BIPOLAR
Jean Carlos Vega Vidarte
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
jean.vega@uni.pe

un metal. Su nombre se debe a que esta terminal

funciona como emisor de portadores de carga.

I. OBJETIVO

Obtener experimentalmente el contenido armnico

de la corriente de colector del transistor bipolar.

II. MARCO TEORICO

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar

junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrnico de estado
slido consistente
en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Base, la intermedia, muy estrecha, que

separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la

deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la
unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de
carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor
posee tres estados de operacin: estado de corte,
estado de saturacin y estado de actividad.

Los transistores bipolares son los transistores ms

conocidos y se usan generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de
electrnica digital, como la tecnologa TTL o
BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por

estar fuertemente dopada, comportndose como

Este modelo describe el funcionamiento en contnua

del BJT. Nos centramos en el transistor npn ya que
todas las ecuaciones que vamos a presentar para ste
son aplicables al pnp sin ms que cambiar el signo de
todas las corrientes y tensiones. Aparentemente, el
BJT no es ms que dos uniones pn enfrentadas que
comparten el nodo (la base del transistor). Por ello

una primera aproximacin al modelado podra

consistir en la propuesta de la figura 2; en ella
aparecen dos diodos pn enfrentados y dispuestos de
tal forma que los nodos de ambos coinciden en el
terminal de base del transistor. El diodo de la
izquierda representa a la unin de emisor y el de la
derecha a la de colector.

modelo de Ebers-Moll en esttica. Los efectos

dinmicos se introducirn mediante condensadores,
tal como hicimos para el diodo. Las ecuaciones de
Ebers-Moll son las que obtenemos del anlisis del
circuito de la Figura 3.

III. EQUIPOS Y MATERIALES

Sin embargo, este modelo ignora algo esencial en el

dispositivo: la base es muy estrecha y, por ende, las
uniones pn estn muy prximas; tan prximas que la
corriente que fluye por una, afecta a la corriente que
atraviesa la otra. Este fenmeno se llama inyeccin de
protadores y lo podemos modelar mediante sendas
fuentes dependientes conectadas segn indicamos en
la Figura 3

Las fuentes son fuentes de corriente controladas por

la corriente que atraviesa la otra unin. Los
parmetros de control se llaman ganancia en corriente
directa en base comn (aF ) y ganancia en corriente
inversa en base comn (aR ). La explicacin del
significado preciso de las palabras ganancia,
directa, inversa y base comn se har ms
adelante. El modelo de la Figura 3-5 constituye el

Bobinas de FI de AM (Negra, Amarilla, Blanca)

01 Transistor BF494

01 Resistencia de 47 / 0.5 W

02 Resistencias de 1 K / 0.5 W

02 Resistencias de 10 K / 0.5 W

01 Potencimetro de 22 K / 0.5 W

01 Potenciometro de 100 K / 0.5 W

03 Condensadores electrolticos de 10 F-25 V

01 Condensador electroltico de 1 F-25 V

01 Condensador cermico de 47 pF - 50 V

01 Condensador cermico de 100 pF - 50 V

01 Fuente de alimentacin doble
Osciloscopio
Generador de funciones
Multmetro digital

Remplazando valores.
IV. CUESTIONARIO
1.- Calcule el punto de operacin del transistor del
amplificador de la figura #1.

VCE 12 0.53m(10 K 1K )
VCE 6.17V

Por tanto el punto de operacin del

transistor es:
I C 0.53mA
VCE 6.17V
2.- Determine una expresin general para Va, Vb y V0
en resonancia asumiendo los datos de la bobina y un Qt
alto.

Analizando el circuito en AC en
resonancia, tenemos:
VA g m RCVin

Tomando en cuenta algunas aproximaciones:

IC I E

VA

IB 0

RC I CQ
VT

Vin

Vcc R2
VBE
R1 R2
IC I E
R3
Remplazando los valores sugeridos en el
circuito de la fig.1, tenemos:
12 x 22 K
0.7
I C 22 K 22 K
10 K

Remplazando valores que sugiere el circuito de la fig.3.

vT

(n2 n3 )
(n n3 )
v0 2
n1
n0

v0 vT (

n3
)
n1

I C 0.53mA

Hallando el VCE.
VCE VCC I C ( R3 R4 )

Vin Vm cos( wt )
Finalmente, si
,
introducimos el factor de correccin

v0 g m (

n3
n 2I
) RC vin g m RC ( 3 ) 1( x ) Vin
n1
n1 xI 0( x )

v0 Gm ( x ) RC (

n3
)Vin
n1

Vm
VT

gm

iC I EQ I 0( x ) 1 2 n ( x ) cos( nwt )
n 1 I 0( x )

Hallando los coeficientes de la serie de Fourier, mediante la

Funcin de Besel Modificada, detallada en el Apndice del
libro de Clark & Hess.

I CQ
VT

De la relacin del nmero de vueltas en

el inductor, obtenemos VA y VB.

In( x)

1
2

x cos

cos n d

vB Gm ( x ) RCVin
v A Gm ( x ) RC (

n1
)Vin
n2 n3

Para calcular lo que nos piden:

, con
Gm ( x ) g m

2 I1( x )
xI 0( x )

Gm ( x ) ,

3.- Calcule

2 I 2( x)
I 0 (x)

I 2( x )
I 0( x )

iC I ES e

Vm
VT

si

e x cos d
(1)

Gm ( x ) g m

Del libro de Clark & Hess, tenemos las siguientes

ecuaciones.
Vm cos( wt )
VT

e x cos cos 2 d

para los valores de

Vin=20, 50,70, 100, 200, 300,350 mV.

VBE
VT

Vin
(mV)
20
50
70
100
200
300
350

2 I1( x )
xI 0( x )

2 e x cos cos d

gm

x e x cos d

(2)
De las ecuaciones (1) y (2), se hacen los clculos, cuyos
resultados se muestran en la tabla 1,
Gm(x) 2I2(x)/I
teniendo en cuenta que:
0(x)

0.77
1.92
2.69
3.85
7.69
11.54
13.46

44.92
34.82
28.52
21.83
11.9
8.12
7.01

0.14
0.57
0.83
1.11
1.51
1.67
1.71

gm

Vin
Vin

VT 26mV

VT
26mV

49.05
I CQ 0.53mA

VBE

iC I ES e VT e x cos( wt ) I EQ e x cos( wt )

Desarrollando en series de Fourier.

4. Para

Vin=260 mV cos

expresin general para V0.

( wtn )

encuentre una

IV. REFERENCIAS

[1] Communication Circuits, Clark and Hess.