POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO DE UNION J-FET

(JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (tpicamente 100M o ms).
- Su tamao fsico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT.
Esto lo hace idneo para su integracin en gran escala, sobre el MOSFET que es
ms pequeo que el JFET.
- Su consumo de potencia es mucho ms pequea que la del BJT.
- Su velocidad de conmutacin es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos ruidoso que el BJT, esto lo hace idneo para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.
DESVENTAJAS
-

Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT.

- Es susceptible al dao en su manejo, sobre todo el MOSFET.
- Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT.

CONSTRUCCIN

Ing. Jos Manuel Glez. Rojas

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Notas de la Clase de Electrnica II

FUNCIONAMIENTO
1.- VGS = 0

DS

variable

El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje
existente
entre
iDS
D y S. Cuando
VDS llega a ser lo suficientemente grande la corriente
comienza
a ser
constante, V DS puede incrementarse hasta
BVDS0(punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa voltaje de ruptura entre D y S con
VGS= 0.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate
y Source,varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
mientras

NOTA:
, =entonces
Voltaje
Como entre
el mismo
canal
D yNpotencial
Ssea comporta
partir presente
del cual
comola
enuna
corriente
el canal
resistencia
hace
comienza
que
a medida
sea ser
forme
que
constante.
una
se regin
IDSS
BV
V
incrementa
de
=Aqu
=Corriente
comienza
Voltaje
entre
laruptura
regin
D y entre
Sdecon
saturacin
DVy S con
=la0.Clase de Electrnica II
Ing.
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Manuel
Glez.de
Rojas
POJos
DS
DS0
GS =V0. Notas
GSde

agotamiento o campo elctrico que va incrementndose en intensidad hasta que

se
porcierra
completo en el punto A, cualquier aumento posterior en la tensin
mantendr
VDS
al
potencial de A con respecto de tierra constante, razn por la cual la corriente i
comienza
DS
a ser constante.
2.- V GS y V

DS

variables:

El voltaje VGS es negativo en los FET`S de canal N, esto para controlar la anchura del
canal, a medida que se incrementa
VGSnegativamente se origina una regin de agotamiento
entre compuerta y fuente que va reduciendo la corriente i
gradualmente:
DS

Denotaremos
de
existente
valor
entre
xy
por
el
enRojas
nuevo
elVcual
laVcorriente
voltaje
y cualquier
cualquiera
comienza
VGS
producido
aNotas
hacerse
es:de la Clase
constante
bajo
condicin
(saturarse).
Lavoltaje
relacin GS
V
Ing.
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Jos Manuel
Glez.
de la
Electrnica
II de un
PX a un
PX

VPX = Vpo + V
BVDSX = BV

GS

+V

DS0

GS

El canal se cierra por completo cuando

aproximadamente cero.

VGS = V

Gsoff

,en este momento la corriente

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

Es una grafica de la corriente de salida en funcin del voltaje de entrada.

La ecuacin que representa a esta curva es:

iI V =DSDSS

GS

G So ff

i DS = I PO iI V=+
D S PO

GS
PO

donde

IDSS = I

PO

VGSoff = -Vpo

Algunos parmetros importantes del FET son los siguientes:

IVGSS
BV
YfSJos
= =Admitancia
=Corriente
Voltaje
voltaje
Voltaje
de
dede
inversa
ruptura
produce
saturacin
ruptura
transferencia
deentre
saturacin
entre
la entre
oclusin
DGdirecta
yyD
SSentre
con
ycon
oS para
cierre
con
VV
G yla
source
Sdel
tensin
con
canal.
= comn
0.
=
VClase
0.V decon
=GS0.= II0. GS = 0.
Ing.
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Manuel
Glez.que
Rojas
Notas
de
la
Electrnica
DSS
GSoff
DS0
GSS
GS
DS
DS V

esi

DS

EJERCICIO :
El JFET 2N5457 tiene los siguientes parmetros:
IDSS = 5mA
VGSoff = -6V
IGSS = 1nA
BV GSS = -25V
Y FS = g FS = 5000 S
1.- Obtener la ecuacin de la curva de transconductancia.

imA=-516
DS

imA=+516

v
-

GS

GS

DS

2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes
compuertafuente.
VGS
0V -2 -4 -6 -8
iDS 5mA 2.22mA .555mA 0 .555mA
El resultado i DS = .555mA para V
es solo media parbola.

= -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET

GS

3.ambiente
Zi IC25Jos
Calcular
nA Manuel
==VV
yGGSS
ala
100
impedancia
-1C.
15
de entrada de este dispositivo
cuando
=V-15V
Ing.
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Rojas
Notas de la Clase
de Electrnica II
GS
SGlez.

a temperatura

Zi = 15G
IZ

InA

= 181.02

G S S C1 C
00 25

G S S C1 00

i()

ZM

= 83

i(1 00 ) C

T2- T1
10

- 15V

Z inA

(1 00 ) C

=2

181

TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuacin de la curva de transconductancia se obtendr el
valor
de la en un punto en particular sobre la curva llamado
gm :
conductancia
i

g VV
==

- IV

DSS

DS

GS

G So ff

GSGS

=g VV
m

2 I1V
-

DS S G S

GS of f G Sof f

gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada

VGS sobre la corriente de salida:

Ing. Jos Manuel Glez. Rojas

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Notas de la Clase de Electrnica II

En la figura se observa como para un mismo incremento de

amplitudes de corriente.

VGS se obtienen diferentes

Q2 tiene mayor pendiente, es decir mayor conductancia, por lo tanto hay un mayor
de control
iDS para el mismo VGS .

POLARIZACIN DEL JFET

Algunas de las formas tpicas de polarizacin de un JFET son las
siguientes:
-

POLARIZACIN FIJA O DE COMPUERTA

AUTOPOLARIZACIN
POLARIZACION POR DIVISIN DE VOLTAJE
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE

POLARIZACIN FIJA

Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este

caso
la malla Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo
de compuerta.
es voltaje
fijada por
el
de compuerta.
El voltaje en la compuerta siempre ser negativo respcto al Terminal de Source
ANALISIS
enGSjun
JFET
V
= de
VManuel
canal
N:
V Rojas
Ing.
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Jos
Notas de la Clase de Electrnica II
G
(+) Glez.
S (-)

ANLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA

Ley de Voltajes de Kirchoff en malla de compuerta.
+V

GG

+V

RG

+V

GS

=0

Como se supone que la unin compuerta-fuente esta polarizada inversamente,

entonces
significa que no existe corriente y por lo tanto V
=0
RG
V

GS

= -V

GG

Esta ecuacin representa la recta de polarizacin

Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una
recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de

operacin
para el caso de los posibles cambios en los parmetros que puede presentar un
FET antratndose del mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan
cuando
perfectas
como para que I DSS y V GS off sean constantes de un dispositivo a otro.
Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que el
punto
de (I DSQ , VDSQ ) bastante es inestable.
operacin
ANLISIS EN LA MALLA DEL DREN
PorJos
-V
En
V
terminus
Ley
=
+
de
IVDSRD
Voltajes
de
R+
+
VRojas
corriente
VDSde
= Kirchoff
0 de Dren:
Ing.
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Manuel
Glez.
Notas de la Clase de Electrnica II
DD
DD
D la
DS

=
DS

DD

- V

DS

Ecuacin de la recta de carga en C.C.

En la figura, el punto de operacin depende el punto de operacin fijado en la

curva
de
transconductancia.
EJEMPLO: Encontrar la variacin del punto de operacin para el circuito
mostrado:

VGDGG
R
=
=1M
470
12V
-1V
FET 2N5486
=VV
=I GDmA
820de
26 Electrnica II
Ing.
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Jos
Manuel Glez. Rojas
Notas
Clase
DD
SS fMfde
So
AX
IN
mala
mi
nx =

SOLUCIN

IDSQmax = 20mA mA1 -

IDSQmin = 8mA mA1-

- 1
- 6
- 1

- 2

= 13 .89

=2

IDSQ = 11.9mA

AUTOPOLARIZACIN

LVK
V RG enV+malla
VS+GNotas
=
de
ide
compuerta
VRSGV
0
Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
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laSS=
Clase
de Electrnica
II
GiSD
SR
S-+
D
RS 0 =

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin. Esta

recta tienenegativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:
pendiente

La recta representa una

R pequea y proporciona un elevado valor de

S

, ideal
g para
m

una buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los

cambios
en
los
parmetros
del JFEt, como puede observarse.
La recta ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la
inestabilidad
y los
valores
de transconductancia,
es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo
produce
valores de g bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
m

Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin dado por la

recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la polarizacin fija ya que el punto de
operacin
es
ms
estable.
En la recta la

R puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
S

las curvas de transconductancia.

R ptima puede calcularse:

RI = V

S Jos
Las
coordenadas
del punto de operacin cuando
se presenta
R S ptima
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Ing.
Manuel Glez. Rojas
Notas
de
la Clase de Electrnica
II
S
GSoff
DSS

es:

IDSQ = 0.382 I
D SS
= 0.382 V

G SQ

G So f f

Estas ecuaciones pueden demostrarse a partir del siguiente anlisis:

= I

DS

D SS

GS

G S of f

Normalizando:
-

i
I

= 1

DS

V
V

D SS

GS

GS of f

Si el punto de operacin esta a la mitad de la curva entonces:

i
I

DS

= K

GS

D SS

G Sof f

K = (1 -) K

K = 1 - 2K + K 2
K 2 - 3K + 1 = 0
Resolviendo la ecuacin cuadrtica:
K = - 0.382
1

K = 2.48
2

i
K = D S
I

Como:

DS

=K I
1

D SS

D SS

Y como i

DS

< I

D SS

entonces la solucin es:

El mismo razonamiento
VG SQK1=Notas
=0.382V
se
0.382
obtiene
para
Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
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de
la Clase
ElectrnicaVIIG SQ
G .S of f de

ANLISIS EN LA MALLA DE DREN

LVK en malla de compuerta
-++=
VV V

()

D D RD D S RS

ViRR=++
D DDSD S DS

V - v
= + D D DS
iRR
DS

DS

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de carga en C.C.

EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de

operacin
se ubique
a la mitad de
la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de
polarizacin.
Calcular adems el valor de
g en el punto de operacin.
m

RS =RSolucin:
220
= VIGdeDSoSlaSff Clase de Electrnica II
Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
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Notas
S214

R =

RD

DSQ

La coordenada del punto Q cuando se elige Rs ptima es:

I

= 0.382 I

DSQ

= 5.35 mA

DS S

= - 1.15V

GSQ

R =
D

RD =

V
I

RD

DS Q

12 - 6 -

- V

DD

D SQ

- V

RS

D SQ

220 ()
5.35mA

5.35 mA
R = 900
D

R se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del

G
JFET.
En este
caso se propone de:
R = 1M
G

g =
m

2I
- V

D SS

GS

G Sof f

g =
m

2 ()
14 mA
- ()
- 3

G S of f

1-

- 1.5
- 3

g m = 5768 S

POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Para simplificar el anlisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito

de Thvenin
equivalente
paraRojas
facilitar.
Ing.
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Jos Manuel Glez.
Notas de la Clase de Electrnica II

LVK en malla de compuerta:

-+VV
+ +V=

RG G S R S

VRi =+v

GGGSSDS

iR =

- v

GG G S

DS

Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de polarizacin. Esta ecuacin

puede
escribirse como:
V
i = 1V + GG
DS
R GS
R
S

Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a

V
G G se observa
como
R

en la figura:

Ing. Jos Manuel Glez. Rojas

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Notas de la Clase de Electrnica II

De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos
anteriores
debido a que
I
es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores
D SQ

elevados de

DD

para que

GG

sea lo ms grande posible y asi el punto de operacin sea

ms estable.
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
V D D = V RD + VD S + V RS
V

DD

=i
i

DS

DS

()
R

+R

- V

DD

+V

DS

DS

RS + RD

Esta es la Ecuacin de la recta de carga

EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensin y de tal modo que se

cumplan
siguienteslos
datos:
Punto de operacin a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentacin
V = 12V
y calcular el valor de
DD

punto de operacin.

Solucin:
Ing.
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Jos Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrnica II

en el
g
m

Se elige arbitrariamente 2 V

GG

V
I DS Q = 0.382 I D SS = 3.06mA
V

= 0.382V

G SQ

G So f f

DS Q

Rs =

- V

GG

GSQ

Rs
- V

GG

G SQ

= - 1.91V

D SQ

3.91V
3.06 mA

Rs = 1278
R =

DD

- V

DSQ

- V

RS

I D SQ

12 - 6

3.91V

3.06 mA

R = 683
D

R =
1

1-

R
G
V

Eligiendo

R = 1M
G

GG

DD

R = 1.2 M
1

R =
2

DD

GG

R = 6M
2

EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarizacin con FET,

determinar
el punto
de
operacin.
a)

El punto de operacin se obtiene analticamente a partir de la interseccin de la

Solucin:
curva
transconductancia
con la recta de polarizacin. Notas de la Clase de Electrnica II
Ing.
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Josde
Manuel Glez. Rojas

DS

= I

D SS

GS

G S of f

DS

GG

- V

GS

Rs

igualando ambas ecuaciones obtenemos el punto de operacin.

V

GG

- V

GS Q

Rs

GG

- V

RsI

DS S

1
V

D SS

2V

G SQ

G So f f

G SQ

G SQ

G So f f

= 1-

GSQ

= I

G So f f

G SQ

G So f f

RsI D S S

VG So f f

G SQ

+1 = 0

Esta ecuacin tiene analoga con:

ax 2 + bx + c
donde
1

=- V
0.0625
Resolviendo
la ecuacin
cuadratica: acbx = 1VRsI
1DSf 2S Notas
16Gde2S =
= 0.604
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Ing.
Jos Manuel Glez.
Rojas
laf Clase
de Electrnica II
G
G SQ
Sof
of

= - 7.546V

GSQ

G S Q1

()()
- 0.604
2 ()
0.0625

- 0.604

= - 2.12V

G S Q2

Este ltimo valor de

completo e 0I

D SQ

- 4 0.0625

VG SQ es el correcto ya que para el otro, el canal estara cerrado por

.
I

D SQ

RS

Rs

=
I

- V
G SQ

D SQ

Rs
= 1.767 mA

o de otra manera
I

= 8mA 1 -

D SQ

g =
m

- 212

- 4

= 1.767 mA

D SQ

2I
- V

DS S

G Sof f

G SQ

G S of f

g m = 1880 S
V

DSQ

=V

DD

V
b)

D SQ

- I

DSQ

(R)
D

+ Rs

= 4.05V

DATOS
VV = 12
DD

I mA= 6
DSS

VV

G SOFF

=- 3

rK
RM
RK
rs
R
K=
== 50
25
100
11.6II
1.2
Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
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Notas de la Clase de Electrnica
dL
S21s K
D

La curva de transconductancia es:

i

= I

DS

D SS

GS

G S of f

La recta de polarizacin es:

V - V
GS
i = GG
DS
Rs
igualando ambas ecuaciones para encontrar el punto de operacin:
V

- V

GG

=I

GSQ

Rs
V

GSQ

2V

= 1-

GSQ

Rs

D SS

DSS

G Sof f

- V

GG

G SQ

G So ff

GSQ

G Sof f

Reacomodando:
1

VG S of f

G SQ

1
RsI

D SS

G So ff

G SQ

+ 1-

=0

GG

D SS

ax2 + bx + c
1

a=
V

G S of f

b=

1
RsI

c = 1V

GG

GG

DS S

= 0.833

G S of f

V
I

GG

D SS

Rs

R +R
1

DD

= 1.091

c = 0.818

() ()

VG SQ 1 == -- 6.338
0.833
VGVSQ 2 Notas
=- -0.833
1.16V
2 la 91Clase
91 0.818
Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
________________________________________________________________________________________
de
Electrnica
II
2 -de4

I
I

D SQ

D SQ

GG

- V

G SQ

Rs
1 .091
-

()1.16

1000
I

DSQ

=V

DD

- I

DSQ

2I
V

DS S

= 2.25mA

D SQ

(R)
D

+ Rs
= 6.15V

DS Q

GSQ

G So f f

G S of f

g = 2451 S
m

Ing. Jos Manuel Glez. Rojas

________________________________________________________________________________________
Notas de la Clase de Electrnica II