UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS
ELECTRNICOS I

LIMA - 2016

Programacin del curso

Semana

Actividad

01
02

-Experimento 01

03 y 04

Experimento 02

05
06
07
08
09 y 10
11
12 y 13
14
15

Experimento 03
Experimento 04
Experimento 05
Examen Parcial
Experimento 06
Experimento 07
Experimento 08
Experimento 09
Examen Final

Titulo de experimento
Presentacin del Curso
Diodos I: Curvas Caractersticas, Circuito Limitador, Sujetador y
Doblador
Diodos II: Rectificadores de Media Onda, Onda Completa y con filtro
activo
Diodos III: Diodo Zener y regulador de Voltaje
Transistores Bipolares BJT
Ejercicio Combinado con Zener, AO y BJT en interface con LED
Amplificadores Bsicos con BJT
Transistores FET
Amplificadores Bsicos con FET
Fuentes de Corriente

Equipos para cada experimento

Experimento/Equipos
Osciloscopio

1
X

2
X

3
X

5
X

6
X

8
X

Fuente de Voltaje Dual

Generador de funciones
Multmetro Digital
Board

X
X
X
X

X
X

X
X

X
X

X
X

X
X
X
X

X
X

X
X

X
X

Dispositivos requeridos
Dispositivos
Semiconductores

Valores (cantidad)
Lab 1. Diodos: 1N4004 (3)
Lab 2. Diodos: 1N4004 (3)
Lab 3. Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente
Lab 4. Transistor Q2N3904 (2).
Lab 5. Diodo Zener de 5V (1), Amplificador Operacional LM324 (1), Diodo
LED (1), Transistor 2N3904 (1).
Lab 6. Transistor Q2N3904 (1).
Lab 7. Transistor 2N5458 canal n JFET (1)
Lab 8. Diodo Zener de 5V, Amplificador Operacional LM324 , MPF 102
Lab 9. MPF102 (1).

Resistencias

Lab 1. 330 (1), 10KK 1M (1),

Lab 2. 2.2K (1),
Lab 3. 220 (1), 1KK, Potenciometro de 1K
Lab 4. 100, 1Kk (1),k33k (1),
560k
Lab 5. 1K (1), 1.5K (1), 470 (1), Potencimetro: 10K (1),
Fotoresistencia (1).
Lab 6. 100 (1), 330 (1), 390 (1) 1.0k (2), 2.7k (1), 4.7k (1),10k
(2), 33k (1), 82k(1),47k (1)
Lab 7. 10010k
Lab 8. 1K (2), 10K (2), 3.3K (1), 100K (1), 1M (1).
Lab 9. 2k(1), 470(1), 1k

Capacitores

Lab 1. 47F (1)

Lab 2. 100F (1)
Lab 6. 1.0F (3), 10F (1), 15F (2), 47F (1).
Lab 8. 0.1F(1), 1F(1), 10F(1).

Dispositivos diversos

Transformador 110VAC/25VAC

Contenido
Programa del curso
Equipamiento por cada laboratorio
Dispositivos Requeridos
Laboratorio 1:

Diodos I: Curvas Caractersticas, Circuito Limitador, Circuitos Sujetador y

Circuito Doblador

Laboratorio 2:

Diodos II: Rectificadores de Media Onda, Onda Completa y Rectificadores con

Filtro Activo

Laboratorio 3:

Diodos III: Diodo Zener y Regulador de Voltaje

Laboratorio 4:

Transistores Bipolares BJT

Laboratorio 5:

Ejercicio Combinado con Zener, AO y BJT en interface con LED

Laboratorio 6:

Amplificadores Bsicos con BJT

Laboratorio 7:

Transistores FET

Laboratorio 8:

Amplificadores Bsicos con FET

Laboratorio 9:

Fuentes de Corriente

LABORATORIO 01
DIODOS I: Caractersticas del diodo, Curva
Caracterstica del diodo, Circuito Limitador, Circuito
Sujetador, Circuito Doblador.
Objetivos
1.
2.
3.

Examinar las caractersticas del diodo de silicio.

Conocer el comportamiento del diodo en directo o en inverso cuando se aplica un voltaje determinado.
Conocer las aplicaciones del diodo tales en el circuito limitador y el circuito sujetador de una seal.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Generador de Funciones
Multmetro Digital
Bread-Board o Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 330 (1), 10KK 1M (1).
Diodos: 1N4004 (3)
Capacitor 47F (1)

Fundamento Terico
Caractersticas del Diodo
Cuando un material tipo P y un material tipo N se fabrican sobre el mismo cristal, el diodo est formado
por una junta PN, la cual tiene caractersticas elctricas propias. Cuando se forma dicha junta, se difunden
electrones y huecos a travs de la misma, creando la barrera de potencial. Esta barrera evita el flujo de
corriente a travs de la junta cuando no hay un voltaje externo aplicado. Al aplicarse un voltaje externo se
incrementa o decrementa la barrera de potencial, dependiendo de cmo se conecte el diodo. Este efecto
permite que el diodo conduzca en una sola direccin.
Si al aplicar un voltaje externo, la terminal del material tipo P tiene un potencial positivo con respecto al
terminal del tipo N, se dice que el diodo est conduciendo en directo; en caso contrario se dice que el diodo
conduce en inverso. En directo, el diodo conduce corriente fcilmente, pero en inverso el diodo se
convertir en un conductor pobre.
El smbolo esquemtico para un diodo se muestra en la figura 1-1(a); este esquema indica la direccin
convencional del flujo de corriente cuando est en directo. En el componente fsico la figura 1-1(b), la lnea
sobre el diodo indica el lado en que se encuentra el ctodo del diodo. El nodo corresponde al material de
tipo P, mientras que el ctodo corresponde al material de tipo N.

Anodo

(a) Smbolo (+Anodo; -Ctodo)

Ctodo

(b) Componente Fsico

Figura 1-1.
Las caractersticas elctricas del diodo pueden apreciarse en la curva corriente vs. voltaje de la figura 1-2,
la cual muestra la curva caracterstica del diodo. La corriente es prcticamente cero mientras el diodo se
encuentra en inverso, y tambin para una regin en directo hasta que no se alcanza un valor de voltaje
cercano a lo que se conoce como voltaje de umbral, a partir del cual la corriente empieza a crecer
rpidamente.

Fig. 1-2

Curva del diodo

Como la curva del diodo no es lineal, para facilitar los clculos y evaluacin de circuitos se utilizan
modelos ms sencillos, seccionalmente lineales. Los principales modelos de gran seal, o modelos DC son
los tres que se mencionan a continuacin:

1.

Diodo Ideal: Es considerado como un switch abierto o cerrado dependiendo de la forma de conduccin
del diodo. Si el diodo conduce en directo se comporta como un switch cerrado y si el diodo conduce en
inverso se comporta como un switch abierto.

2.

Diodo con cada: En este caso el diodo conduce en directo nicamente si el voltaje alcanza un voltaje
de umbral. Mientras est conduciendo, el voltaje en el diodo es constante, e igual a este voltaje de
umbral. Para el diodo de silicio, este voltaje se encuentra entre 0.6V y 0.7V; para el diodo de
germanio es de 0.2V a 0.3V. As, cuando conduce el diodo, su modelo equivalente es una batera
(positivo del lado del nodo), y cuando no conduce es un switch abierto.

3.

Diodo con resistencia ac: Cuando el voltaje del diodo en directo alcanza un voltaje especfico, empieza
a conducir. Conforme aumenta la corriente, aumenta el voltaje en forma directamente proporcional a la
corriente. Cuando conduce, el modelo equivalente es una batera (positivo del lado del nodo) en serie
con una resistencia.

El modelo ideal se utiliza para establecer una aproximacin de funcionamiento de circuito, y es til cuando
los voltajes y corrientes del circuito son suficientemente grandes para despreciar la cada de voltaje en el
diodo. El modelo de voltaje de umbral permite una aproximacin ms apropiada de los valores, y es el
modelo ms usado en clculos en que se quiere mayor precisin. El modelo con resistencia es til cuando
se quieren tomar en cuenta las pequeas variaciones de voltaje o corriente. La inversa de la pendiente es la
resistencia ac de diodo. Para hallar la resistencia ac es necesario dividir una pequea variacin en el voltaje
sobre una pequea variacin en corriente, alrededor del punto en que se trabaja cuando las variaciones son
cero, es decir, el punto de operacin. El diodo es un dispositivo no lineal, por esta razn la resistencia no es
constante pero depender de la localizacin del punto medido sobre la curva caracterstica.

Circuito Limitador
Un circuito limitador ( circuito recortador), recorta una parte de la seal de entrada. Dependiendo de la
orientacin del diodo se limita la regin positiva o negativa de la seal.
Un ejemplo de circuito limitador se puede observar en la figura 1-3. Este circuito bsico se compone de un
diodo, un elemento resistivo, una carga y una fuente independiente que fija el lmite de recorte de la seal.
La resistencia de carga RL es mucho mayor que R1, para minimizar el efecto de esta ltima resistencia
cuando el diodo no conduce.
Para comprender el funcionamiento del circuito limitador, considere la regin positiva de la seal de
entrada y el caso especial de una resistencia RL infinita. Cuando el voltaje V s es menor que voltaje VBias +
Vdiodo, el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto, haciendo que el voltaje Vout= Vs.
Cuando el voltaje Vs es mayor que VBias + Vdiodo, el diodo conduce y la seal en la salida es Vout=V Bias +
Vdiodo recortando la seal de entrada. Cuando la resistencia RL es finita, Vout=Vs*RL/(RL+R1) cuando el
diodo no conduce; por eso, se necesita tomar R1<<RL, en cuyo caso la aproximacin mencionada es
suficientemente vlida.

Figura 1-3 Un circuito limitador bsico

Circuito Sujetador
El circuito sujetador desplaza la seal de entrada a un nivel DC diferente al original. El circuito bsico se
compone de un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, aunque puede incluirr una fuente independiente

para introducir un corrimiento adicional. Las dos configuraciones bsicas, el circuito sujetador positivo y el
circuito sujetador negativo, se observan en la figura 1-4(a) y (b).
Para comprender el funcionamiento del sujetador, consideramos primero el caso positivo sin carga, es
decir, RL infinita; para simplificar, supongamos un diodo ideal. El diodo conduce solamente cuando Vs es
negativo, cargando al condensador con la polaridad indicada. Cuando el condensador se carga al valor pico
negativo de Vs, no puede cargarse ms. Sin embargo, el dodo impide la descarga ya que presenta una
resistencia casi infinita a la descarga. De esta manera, el voltaje de salida es Vout Vs VC , lo que
significa que el voltaje de salida ser igual en forma al voltaje de entrada, pero desplazado por una
constante que es el voltaje del condensador (decimos que se sujeta a un nivel DC diferente, o que hay un
offset).
Si se agrega una resistencia de carga R tal que la constante de tiempo RC sea comparable o mayor que el
periodo de Vs, entonces la descarga del condensador a travs de R cuando el diodo no conduce no ser
apreciable. Observe sin embargo que cuando el tiempo RC es comparable con el periodo de la seal de
entrada, el capacitor se cargar despus de muchos ciclos de entrada. En la resistencia de carga se observa
la suma del nivel DC del capacitor y la seal de entrada.

(a) Circuito Sujetador Positivo

(b) Circuito Sujetador Negativo

Figura 1-4: Circuito Sujetador

Circuito Doblador
El circuito doblador duplica el voltaje rectificado mximo de un transformador o lnea de energa de
corriente alterna. La figura 1-5 muestra un circuito doblador, donde la fuente es de voltaje alterno, es decir,
sinusoidal. En un doblador de voltaje de onda completa se usan ambos semiciclos (positivo y negativo) de
la entrada de ca para suministrar potencia o mantener el voltaje de salida. Durante el primer semiciclo, un
diodo conduce y carga un capacitor. Durante el segundo semiciclo, hay un segundo diodo que conduce,
para cargar un segundo capacitor. El voltaje de salida se toma a travs de los dos capacitores cargados en
serie. De esa manera, el voltaje de salida es aproximadamente el doble del voltaje de entrada mximo o el
doble de la carga de cualquiera de los capacitores tomados en forma aislada.

Figura 1-5 Circuito doblador

Pre Laboratorio
1.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Caractersticas del diodo

Aplicaciones del diodo

2.
3.

El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del diodo 1N4004.

Simule el siguiente circuito e interprete su resultado.

Procedimiento
PARTE 1: Identificacin del diodo
1.

Verificar el valor de las resistencias con el ohmmetro y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja
de respuestas.

2.

Coloque el terminal positivo del ohmmetro en el nodo del diodo y el terminal negativo en el ctodo
del diodo. Mida la resistencia y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja de respuestas.

3.

Repita el mismo procedimiento cambiando las puntas de posicin.

Figura. 1-6 Identificacin del diodo

PARTE 2: Conduccin del diodo en forma directa

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Antes de empezar verifique que la fuente se encuentre apagada.

Construya el circuito mostrado en la figura 1-7.
Coloque la fuente en cero voltios y encindala.
Incremente lentamente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo.
Mida el voltaje en la resistencia R1 y escriba su medicin en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas.
Mida la corriente que pasa a travs de la resistencia y escriba su medicin en la tabla 1-2 de su hoja de
respuestas.
Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas.
Repita el paso 5, 6 y 7 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-2.

Figura 1-7 Diodo en conduccin directa

PARTE 3: Conduccin del diodo en forma Inversa

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Repita los pasos 1 y 3 del paso anterior.

Construya el circuito de la figura 1-8
Incremente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo.
Mida el voltaje en la resistencia y escriba su resultado en la tabla 1-3 de la hoja de respuestas.
Mida la corriente que pasa a travs de la resistencia R2 y escriba su resultado en la tabla 1-3.
Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-3.
Repita 4, 5 y 6 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-3.

Figura 1-8 Diodo en conduccin inversa

10

PARTE 4: Curva Caracterstica del diodo

1.

En la grfica 1-1 de la hoja de respuestas, dibuje la curva caracterstica del diodo en conduccin directa
y en conduccin inversa, tomando como referencia los datos de las tablas 2 y 3.

PARTE 5: Circuito Limitador, Sujetador y Doblador

1.
2.
3.
4.
5.
6.

Conecte el circuito mostrado en la figura 1-9.

Conecte la seal del generador a 6.0Vpp, a una frecuencia de 1.0KHz.
Observe la seal de entrada y salida en el osciloscopio.
Vare el voltaje VBIAS y escriba sus resultados
Coloque el diodo en forma inversa, vare el voltaje VBIAS y escriba sus resultados.
Reemplace la fuente positiva por una fuente negativa, vare el voltaje y escriba sus resultados.

Figura 1-9

7.

Construya el circuito de la figura 1-10. Con el osciloscopio verifique el voltaje de salida y vare el
voltaje de entrada. Grafique la seal de salida.

Figura 1-10

11

Recomendaciones.
Para los pasos 4 y 5 de la parte 2 y 3 sern mucho ms precisos nicamente si el multmetro tiene una
impedancia de entrada alta. Puede verificar esto, midiendo la fuente de voltaje a travs de una resistencia
de 1Mega en serie. Si el multmetro muestra el valor correcto de la fuente, esto quiere decir que el
multmetro tiene una impedancia de entrada alta.

Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994

12

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

LABORATORIO 01
DIODOS I
Nombre del Estudiante:__________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas
Tabla 1-1:
Componente

Valor
Resistencias
R1
330
R2
1.0M
D1 resistencia directa
D1 resistencia inversa

Valor Medido

Tabla 1-2:
Vs

VF

VR1
(Medido)

IF
(Medido)

IF
(Calculado)

VR1
(Medido)

IF
(Medido)

IF
(Calculado)

0.45V
0.50V
0.55V
0.60V
0.65V
0.70V
0.75V

Tabla 1-3:
Vs

VF
0.45V
0.50V
0.55V

Grfica 1-1: Curva del diodo en Directo e Inverso

Describa los resultados obtenidos en la parte 5.

Grfica 1-2: Seal de salida de un circuito Sujetador

14

Cuestionario
1.

Qu factores afectan la precisin de las medidas en este experimento? (Considerndo ambas

situaciones, en directo y en inverso).

2.

Calcule la resistencia ac del diodo para tres puntos sobre la curva en directo a 0.5V, 0.6V y 0.7V por
divisin de un pequeo cambio de voltaje sobre un pequeo cambio en corriente.

Rac (0.5V) =_________________ Rac (0.6V) =________________ Rac (0.7) =_______________

3.

Tomando los datos de la tabla 1-2, calcular la disipacin de potencia en el diodo.

4.

Explique cmo podra utilizar el ohmmetro para identificar el ctodo de un diodo que no est sealado
por la lnea. Por qu es importante conocer la polaridad de las puntas del ohmmetro?

5.

Para el circuito de la figura 1-9, Qu cambio esperara a la salida si el diodo est en inverso?

15

6. Explique la diferencia entre un circuito limitador y un circuito sujetador.

Conclusiones

16

LABORATORIO 02
DIODOS II: Circuitos rectificadores de media onda, de
onda completa y rectificadores con filtro capacitivo.
Objetivos
1.
2.
3.

Construir un rectificador de media onda, un rectificador de onda completa con transformador de tap
central y un rectificador de onda completa con puente rectificador.
Comparar cada uno de los voltajes de entrada y salida.
Conectar un filtro capacitor a cada circuito. Medir el voltaje de rizo y la frecuencia ripple.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 2.2K (1)
Transformador con Tap central de 12.6V (1)
Diodos: 1N4004 (4)
Capacitor 100F (1)

Fundamento Terico
Los circuitos rectificadores se utilizan para cambiar un voltaje AC en un voltaje DC. En la literatura
comercial, se le llama diodo rectificador a un diodo cuyas caractersticas reales son apropiadas para su uso
en circuitos rectificadores. Asimismo, se le llama puente rectificador a una combinacin de cuatro diodos
en puente, como se ver ms adelante, y comercialmente est disponible en un paquete.
Como se explic en el experimento 1, los diodos conducen la corriente en una sola direccin. Cuando el
voltaje AC es aplicado a un diodo, el diodo conduce en directo para medio ciclo y en inverso para el otro
medio ciclo. Un circuito bsico se muestra en la figura 2-1, y corresponde a un rectificador de media onda.
La salida de la onda es un pulso de una onda DC o media onda rectificada como se ilustra en la figura 2-1.
Esta onda puede ser filtrada para convertirse en una seal constante DC. Tambin, esta onda contiene una
componente DC que puede utilizarse para todos los efectos en que se necesite un valor DC sin necesidad de
ser constante, o regulado. Este valor puede medirse mediante un voltmetro DC.

Figura. 2-1 Circuito bsico rectificador de media onda

17

Los rectificadores son muy utilizados en fuentes de poder, ya que proveen el voltaje DC necesario para que
los dispositivos activos trabajen adecuadamente. Los tres rectificadores bsicos son:
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa con transformador de tap central
Rectificador de onda completa con Puente Rectificador
La figura 2-2 muestra los circuitos bsicos rectificadores de onda completa. La onda de salida en los
circuitos bsicos no es constante, por lo que se usan filtros para modificar la onda y hacerla lo ms
constante posible. Entre los filtros usados, el ms comn es el llamado filtro capacitivo, el cual consiste en
un capacitor en paralelo con la carga, como se muestra en la figura 2-3 para cada uno de los circuitos
bsicos. Este capacitor es lo suficientemente grande, y generalmente electroltico, para que la constante de
tiempo sea grande y la descarga en el capacitor sea lenta.

Figura 2-2 Rectificadores de Onda Completa Bsicos

Figura 2-3. Rectificadores de Onda Completa con Filtro Capacitivo

Las ondas producidas por los rectificadores con filtro tienen pequeas variaciones, y se conocen como
ondas de rizo (ripple). El voltaje de rizo, Vripple es el voltaje pico a pico de esta onda.
Las frmulas utilizadas para los clculos aproximados en los circuitos rectificadores son las siguientes. En
estas frmulas, Vdiodo se aproxima por un valor entre 0.7 V y 0.8 V normalmente, aunque valores menores
y mayores son posibles, dependiendo del valor de corriente que se maneje, y f es la frecuencia en el
secundario del transformador.

18

1 - Circuito rectificador de media onda:

Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec V diodo

V
V
Voltaje DC: V DC MaxSec diodo

2 - Circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo:

El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida, la corriente DC, y el voltaje DC se obtienen
por las ecuaciones:

V
V DC VMaxSec Vdiodo rizo VMaxSec Vdiodo
2
V DC
I DC
fCVrizo
RL
3 - Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central:
Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec V diodo

V
V
Voltaje DC: V DC 2 MaxSec diodo

4- Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central y filtro capacitivo:

El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida, la corriente DC, y el voltaje DC se obtienen
por las ecuaciones:

V
V DC VMaxSec Vdiodo rizo VMaxSec Vdiodo
2
V DC
I DC
2 fCVrizo
RL
Frecuencia de salida: 2f
5 - Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador:
Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec 2 V diodo

V
2 Vdiodo
Voltaje DC: V DC 2 MaxSec

6 - Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador y filtro capacitivo:

El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida, la corriente DC, y el voltaje DC se obtienen
por las ecuaciones:

19

V
V DC VMaxSec 2 Vdiodo rizo VMaxSec 2 Vdiodo
2
V DC
I DC
2 fCVrizo
RL
Frecuencia de salida: 2f

Los parmetros ms importantes para escoger los diodos para estos circuitos rectificadores son la corriente
mxima directa IF, y el pico inverso de voltaje del diodo. La corriente mxima es la corriente DC o
corriente promedio que puede soportar el diodo; el pico inverso de voltaje es el mximo voltaje con el cual
el diodo permanece cuando est en inverso. La suma de voltajes inversos que aparecen a travs de un diodo
depende del tipo de circuito en el cual se utiliza.

Pre Laboratorio
1.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Caractersticas del diodo

Aplicaciones del diodo

2.

El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del diodo 1N4004.

Procedimiento
1.

Conectar un rectificador de media onda como se muestra en la figura 2-4 (La lnea de voltaje AC no
debe estar expuesta). El transformador debe estar conectado con su respectivo fusible como se muestra
en la figura 2-4. Note la polaridad del diodo. La lnea indica el lado del ctodo (el lado negativo
cuando va a conducir en directo). Conecte el canal 1 del osciloscopio en el secundario del
transformador y el canal 2 a travs de la resistencia de carga. En este experimento la sincronizacin del
osciloscopio ser a travs de la lnea de voltaje AC. Observe el voltaje de entrada Vsec, voltaje de
salida Vout, la forma de onda y dibuje la seal en el esquema 2-1 de su hoja de respuestas.

Figura 2-4. Rectificador de Media Onda

2.

Mida el voltaje rms y el pico de voltaje. Recuerde que debe colocar el voltimetro para lectura de
voltaje y llene la tabla 2-1 de su hoja de respuestas.

20

3.

Conecte un capacitor de 100F en paralelo con la carga RL. Verifique la polaridad del capacitor, el
lado negativo va hacia la tierra. Mida el voltaje DC en la carga Vout y el voltaje pico a pico en la
salida, mida el voltaje de rizo. Coloque el osciloscopio en posicin AC COUPLING, esto permite
amplificar el pequeo voltaje AC ripple sin modificar el nivel DC. La frecuencia de rizo es la
frecuencia en la cual la forma de onda es repetitiva. Mdala, tome los datos y llene la tabla 2-1 de su
hoja de respuestas.

4.

Desconecte y cambie el circuito por el rectificador de onda completa con transformador de tap central
como es mostrado en la figura 2-5. Note que la tierra para el circuito tiene un cambio. La tierra de
osciloscopio necesita ser conectada como es mostrada. Chequee el circuito cuidadosamente antes de
aplicar potencia. Calcular el voltaje pico esperado a la salida, entonces aplique dicho voltaje y observe
el Vsec, Vout, la forma de onda y grafique la seal en el esquema 2-2 de su hoja de respuestas.

Figura 2-5 Rectificador de onda completa con transformador de tap central

5.

Mida V sec (rms) y el voltaje pico de la seal Vout (pp) sin filtro capacitor. Tome los datos y complete
la tabla 2.2 de su hoja de respuestas.

6.

Ahora adicione un capacitor de 100F en paralelo con la carga. Mida Vout (D.C), el voltaje pico a pico
Vr (pp) y la frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer paso. Tome los datos y complete la tabla 2-2
de su hoja de respuestas.

7.

Desconecte y cambie el circuito por un onda completa con puente rectificador como se muestra en la
figura 2-6. Note que el terminal del transformador secundario no esta conectado a tierra. La entrada de
voltaje del puente no se encuentra referenciada a tierra. El osciloscopio no se puede utilizar para ver
ambos voltajes al mismo tiempo. Chequee el circuito cuidadosamente antes de aplicar potencia.
Calcule el voltaje pico esperado a la salida, entonces aplique dicho voltaje y utilice un voltmetro para
medir Vrsec(rms). Utilice el osciloscopio para medir el Vout(pp) sin filtro capacitivo. Tome los datos y
complete la tabla 2-3 de su hoja de respuestas.

Figura 2-6: Onda completa con puente rectificador

21

8.

Conecte el capacitor de 100F en paralelo con la carga. Mida Vout (D.C), el voltaje pico a pico y la
frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer y sexto paso. Tome los datos y complete la tabla 2-3 de
su hoja de respuestas.

9.

Simule un diodo abierto en el puente rectificador removiendo un diodo del circuito. Qu pasa con el
voltaje de salida? Qu pasa con el voltaje de rizo? Y con la frecuencia ripple?.

Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994.
[2] David Buchla, Electronic Devices, Fifth Edition, 1999.

22

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

LABORATORIO 02
DIODOS II: Circuitos rectificadores de media onda, de
onda completa y rectificadores con filtro capacitivo.
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas
Grfica 2-1:
Vsec

Vout

Tabla 2-1: Rectificador de Media Onda

SIN FILTRO CAPACITOR
Valor Terico
Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz

Medido

CON FILTRO CAPACITOR

Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico o
Voltaje de Rizo Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz

Medido

Valor Terico

Grfica 2-2:
Vsec

24

Vout

Tabla 2-2: Rectificador de Onda Completa con Transformador de Tap

central
SIN FILTRO CAPACITOR
Valor Terico
Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz

Medido

CON FILTRO CAPACITOR

Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico o
Voltaje de Rizo Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz

Medido

Valor Terico

Tabla 2-3: : Rectificador de Onda Completa con Puente Rectificador

SIN FILTRO CAPACITOR
Valor Terico
Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC

Medido

25

Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz
CON FILTRO CAPACITOR
Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico o
Voltaje de Rizo Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz

Valor Terico

Medido

Describa los resultados obtenidos en la parte 9.

Cuestionario
1.

Qu ventaja tiene un rectificador de onda completa sobre un rectificador de media onda ?

2.

Compare el rectificador de onda completa con puente rectificador y el rectificador de onda completa
con transformador de tap central. Cul de los dos tiene el voltaje de salida ms alto? Cul maneja
ms corriente en los diodos?

3.

En el paso 4, la referencia de tierra se encuentra en el centro del transformador, y para observar el

voltaje a travs del secundario se debe conectar el osciloscopio como se muestra en la figura 2-5 y
adicionar los dos canales. Por qu es necesario utilizar ambos canales para observar el voltaje del
secundario?

26

4.

Cmo se puede determinar si un diodo esta abierto en un puente rectificador midiendo la frecuencia
de rizo?

5. a)Cul es el mximo voltaje DC que se puede esperar para obtener de un transformador con 18 Vrms
secundario y utilizando un puente rectificador con un filtro capacitivo?

b)Cul es el mximo voltaje DC que se espera para obtener del mismo transformador conectado en un
rectificador de onda completa con transformador de tap central con un filtro capacitivo?

Conclusiones

27

LABORATORIO 03
DIODO ZENER Y REGULADOR DE VOLTAJE
Objetivos
1.
2.

Graficar la curva caracterstica del diodo Zener utilizando el osciloscopio.

Realizar pruebas con un circuito regulador usando diodo Zener y ver los efectos del mismo cambiando
el valor de la fuente y cambiando la carga.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 220 (1), 1KK.
Potenciometro de 1K
Transformador con embobinado primario 12.6 Va.c. (1)
Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente (1)

Fundamento Terico
Cuando es aplicado un voltaje inverso a un diodo Zener, la corriente inversa se incrementar
repetitivamente como es ilustrado en la curva caracterstica de la figura 3-1. Este repentino incremento pasa
a ser un voltaje llamado voltaje Zener Vz. Un diodo Zener es un diodo especialmente diseado para operar
en la regin de corte.

Figura 3-1 Curva caracterstica del diodo Zener

28

El smbolo esquemtico para un diodo Zener es mostrado en la figura 3-2.

Figura 3-2 Smbolo del diodo Zener

El voltaje Zener es un voltaje preciso que vara de acuerdo al tipo de Zener, esto es tpicamente un pequeo
voltaje pero pueden ser tantos como cientos de voltios. El diodo Zener es sensible a la temperatura, algunos
dispositivos han sido diseados para compensar dicha sensibilidad. Los diodos Zener son usados en
aplicaciones que requieren de un voltaje constante y un voltaje regulado, en ciertos casos son utilizados
como un voltaje de referencia para confrontar con otras medidas. La caracterstica del diodo Zener en la
regin de corte es una lnea vertical continua, pero en la prctica es una pequea resistencia AC similar a la
resistencia AC de un diodo convencional en forma directa. Dicha resistencia se halla dividiendo un
pequeo cambio en el voltaje en un pequeo cambio en la corriente, medida en la regin de corte. Esta
resistencia tiene un valor tpico de 10 a

En este experimento se medir las caractersticas del diodo Zener, para luego utilizar el diodo Zener en dos
circuitos reguladores. En el primer circuito Usted probar el efecto de variacin de voltaje y el segundo
circuito probar el efecto de variacin de carga.

Procedimiento
1.

Observar las curvas caractersticas del diodo Zener, realizando el circuito mostrado en la figura 3-3.
Coloque el osciloscopio en el modo X-Y y grafique la curva correspondiente en el esquema 3-1 de su
hoja de respuestas.
La resistencia de 1kcambia al eje Y del osciloscopio en una corriente (1 Amp por voltio) Marcar su
grfica para corriente y voltaje.

Figura 3-3

29

2.

Una de las aplicaciones ms comunes del diodo Zener son los reguladores. Este paso investigar como
al variar la fuente de voltaje se presenta el efecto de regulacin con el diodo Zener. Conecte el circuito
de la figura 3-4.

Figura 3-4

3.

Coloque Vs en cada uno de los voltajes de la tabla 3-1 de la hoja de respuestas y mida el voltaje de
salida Vout en la carga.

4.

Con las medidas tomadas en el paso anterior complete la tabla 3-1 aplicando la ley de Ohm para hallar
la (IL) corriente de carga para cada uno de los valores de Vs. Hallar VR1, Usted la puede calcular
aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff (KVL) a la salida. Esta es la diferencia entre la fuente y el
voltaje de salida.
Note que la corriente Is est a travs de R1 y se puede calcular con la ley de Ohm. Halle la corriente
Zener aplicando la ley de corriente de Kirchhoff (KCL).

En este paso, se analizar el efecto de un regulador Zener trabajando con una fuente de voltaje fija y
con una resistencia de carga variable. Frecuentemente, la carga esta en un circuito activo (tal como un
circuito Lgico) en el cual la corriente cambia debido a las variaciones. Este comportamiento se
simular con un potencimetro de 1K

Realice el circuito mostrado en la figura 3-5. Coloque la fuente fija a +12V de salida y ajuste el
potencimetro RL hasta su mxima resistencia.

Figura 3-5
6.

Con el potencimetro de 1K (mxima resistencia) mida el voltaje de carga (Vout) y coloque su

resultado en la tabla 3-2 de la hoja de respuestas. Halle los otros parmetros utilizando la ley de Ohm
para IL. La ley de Kirchhoff para VR1 y la ley de Kirchhoff para Iz.

30

7.

Coloque el potencimetro en cada uno de los valores de la tabla 3-2 y repita el paso 7.

8.

Con los datos tomados en la tabla 3-2 grafique el voltaje de salida como una funcin de la resistencia
de carga en el esquema 3-2 de su hoja de respuestas.

Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994 paginas 87-94
[2] Floyd Electronic Devices, Sections 3-1 and 3-2

31

LABORATORIO 03
DIODO ZENER Y REGULADOR DE VOLTAJE
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas
Grfica 3-1:

Tabla 3-1:
Vs
2.0V
4.0V
6.0V
8.0V
10.0V

Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado)

IZ(Calculado)

Escriba la respuesta del punto 4:

Calcular VR1 e Iz

32

Qu le sucede a la corriente del Zener despus de haber alcanzado el voltaje en la regin de corte?

Tabla 3-2
RL
1.0 K
750
500
250
100

Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado)

IZ(Calculado)

Grfica 3-2

Cuestionario
1.

Observe la curva caracterstica de la grfica 3-1

a.

Qu porcin de la curva es aproximada para un circuito abierto?

b.

Que porcin de la curva es aproximada a un corto circuito?

33

2.

De la tabla 3-1. Calcule la resistencia AC del diodo Zener, cuando la fuente de voltaje cambia de 8.0V
a 10.0V.

3.

La lnea de regulacin del diodo Zener es normalmente expresada como un porcentaje y esta dada por
la ecuacin:
Lnea de Regulacin = Vout/Vin *100%
Calcule la lnea de regulacin expresada como un porcentaje para el circuito de la figura 3-5 utilizando
los datos de la tabla 3-1 de su hoja de respuestas (note que el voltaje de entrada en la ecuacin es
equivalente a Vs en la tabla).

4.

La regulacin de la carga de un Zener, expresado como un porcentaje, esta dado por la ecuacin:
Regulacin de carga = VNL-VFL/VFL
Calcule la regulacin de la carga para el circuito de la figura 3-5 (Asuma el Vout para la resistencia de
1 KVNL y Vout para la resistencia de 100VFL)

5.

Asuma que el potencimetro de la figura 3-5, esta en su valor mximo (1.0KQu efecto causara
en el voltaje de salida en cada una de las siguientes fallas?

34

Falla
1. El diodo Zener esta abierto
2. Vs es +15V
3. El diodo Zener esta inverso
4. RL es 2.2K
5. RL esta abierto

Vout

Conclusiones

35

LABORATORIO 04
TRANSISTORES BIPOLARES BJT
Objetivos
1.
2.
3.

Visualizar las caractersticas de los transistores bipolares

Medir y graficar las curvas caractersticas de colector para un transistor BJT
Use las curvas caractersticas para determinar el DC del transistor a un punto dado.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 100, 1Kk (1),k33k (1), 560k
Transistor Q2N3904 (2).

Fundamento Terico
El transistor consiste de dos uniones semiconductoras P-N, puede ser del tipo PNP o NPN, donde la
diferencia primordial estriba en la polaridad y direccin de los voltajes y corrientes. El transistor esta
dividido en tres partes: Colector, Emisor y Base. El colector recibe o colecta las cargas que enva o emite el
emisor. Mediante la corriente de la base se controla el paso de las cargas entre el emisor y el colector.
A medida que la corriente de base aumenta, aumentan las corrientes de emisor y colector, y el voltaje de
base emisor (VBE) llega a ser aproximadamente 0.8V. A su vez, el voltaje de colector a base (VCB) y el
voltaje de colector a emisor (VCE) disminuyen. Cuando la corriente de colector esta determinada por el
circuito externo, esto es, si IC < , el valor de VBE es aproximadamente de 0.2V y las uniones de colectorbase y emisor-base estn polarizadas directamente. Este modo de operacin se conoce como saturacin.
Un transistor bipolar de silicona requiere aproximadamente de 0.7V a travs de la junta base emisor para
obtener la corriente de base IB
Si la corriente de base se aproxima a cero, VBE es bajo y la unin de base a emisor no conduce
adecuadamente. El valor de VCE est cerca al de la fuente de polarizacin, VCB es bastante alto tambin y
las corrientes se aproximan a cero. Este modo de operacin se conoce como corte.
Cuando el valor de la corriente de base es suficientemente alta para que la unin base emisor conduzca (no
saturado) el valor de VBE se aproxima al de un diodo, VCE adquiere un valor intermedio a los dos modos
anteriores y se cumplen las relaciones:
IC = IB
IE = IB + I C

36

Este modo de operacin es el activo. VCB se mantiene positivo, as que la unin colector a base esta
invertida y la unin base a emisor esta directa; es la ganancia de corriente de corto circuito estable. Estas
relaciones no se cumplen en los modos de corte y saturacin.
El Factor de amplificacin en corto circuito de base comn es la relacin entre un cambio pequeo en la
corriente de colector y un cambio pequeo en la corriente de emisor, se representa mediante el smbolo
En forma de ecuacin la magnitud de est dada por:

I c
I E

VCB Cons tan te

Los valores tipicos de varian de 0.90 a 0.998 su valor siempre ser menor que 1.
El transistor se polariza de acuerdo al modo de operacin que se desee; en este caso ser el modo activo.
Para esto hay que controlar los valores de la corriente de colector I C, el voltaje de colector a emisor VCE y la
corriente base IB. Estos tres valores definen el punto Q, o punto de operacin.

Pre Laboratorio
1.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Modelo del transistor BJT

Curvas caractersticas del transistor BJT.
Aplicaciones del transistor BJT

2.

El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor 2N3904.

Procedimiento
1.

Conecte la configuracin Emisor Comn como se observa en la figura 4-1. Verifique que la fuente este
en cero y luego encindala. El propsito de R1 es limitar y poder determinar la corriente de base.
Lentamente incremente el valor de VBB hasta que VR1 sea 1.65V. Esto fija una corriente de base de
50A, la cual se puede calcular aplicando la ley de Ohm a R 1.

Figura 4-1

37

2.

Sin modificar el valor obtenido de VBB, lentamente incremente VCC hasta que el voltaje entre colector y
emisor sea de 2.0V. Este voltaje es llamado VCE. Mida VR2 y escriba sus resultados en la columna de
IB=50A de la tabla 4-1 de su hoja de respuestas.

3.

Calcule la corriente de colector Ic, aplicando la ley de Ohm para R2, usando el VR2 y mida la resistencia
R2 para determinar la corriente. Note que la corriente en R 2 es la misma IC en el transistor. Escriba su
resultado en la tabla 4-1 de su hoja de respuestas.

4.

Coloque la fuente VCC en 0Vy ajuste VBB hasta que el voltaje VR1 sea 3.3V y en este momento la
corriente de base ser 100A.

5.

Repita el paso 2, 3 y 4 con una corriente de base IB de 100A.

6.

Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para VCE igual a 4.0, 6.0 y 8.0V. Para obtener la
corriente de 150A debe aumentar el valor VR1 a 4.95 V mediante VBB. Para obtener los valores de VCE
deseados recuerde que debe variar el valor de VCC.

7.

Utilizando los datos obtenidos en la tabla 4-1, grafique las tres curvas caractersticas de colector (I C vs
VCE) usando los valores de la IB , en el esquema 4-1 de la hoja de respuestas

8.

Use la curva caracterstica del anterior paso y determine el valor de DC del transistor utilizando un
valor de VCE de 3.0V y 5.0V y una corriente de base de 50,100 y 150 A de la tabla 4-2 de la hoja de
respuestas.

9.

Construya el circuito mostrado en la figura 4-2, mida los voltajes VCE, en la resistencia RC y en la
resistencia RB. Obtenga con esos valores el punto de operacin del transistor y el valor de DC. Obtenga
analticamente el valor de la corriente de colector de saturacin (cuando VCE es cero) y el valor del
voltaje de corte (cuando la corriente de colector es cero). Dibuje la lnea de carga DC del transistor
usando los dos valores antes mencionados y aada en la grfica el punto de operacin encontrado, en el
esquema 4-2 de la hoja de respuestas.

Figura 4-2

10. Construya el circuito de la figura 4-3 y mida los voltajes VCE, en las resistencias RC, RE, R1 y R2 .
Repita el paso 9 y grafique en el esquema 4-3 de su hoja de respuestas.

38

Figura 4-3

Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994 paginas 87-94
[2] Floyd Electronic Devices, Sections 3-1 and 3-2

39

LABORATORIO 04

TRANSISTORES BIPOLARES BJT

Nombre del Estudiante:__________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas

Tabla 4-1
VCE (medido)

Corriente de
Base=50A
VR2
IC
(medido)

(Calculado)

Corriente de
Base=100A
VR2
IC
(medido)

(Calculado)

Corriente de
Base=150A
VR2
IC
(medido)

(Calculado)

2.0V
4.0V
6.0V
8.0V

Grfica 4-1 (IC Vs VCE)

40

VCE
3.0V
5.0V

Ganancia de Corriente DC
IB=50A
IB=100A

IB=150A

Clculos del punto 9 del procedimiento

Grfica 4-2

41

Clculos del punto 10 del procedimiento

Grfica 4-3

Cuestionario
1.

Con los datos tomados en los experimentos responda las siguientes preguntas :
a.

El punto DC es constante en todos los puntos? Si o No Explique su respuesta

42

b.

Tiene algn efecto sobre la linealidad del transistor?

2.

Qu efecto puede tener un DC alto sobre las curvas caractersticas que se obtuvieron?

3.

Cul es la mxima potencia disipada por el transistor segn los datos tomados en el experimento?

4.

a. El DC de un transistor bipolar es igual a la corriente de colector I C, sobre la corriente de emisor IE,

Utilizando esta definicin y sabiendo que IE = IC + IB, demuestre que DC puede ser escrito de la
siguiente manera:

DC

DC
DC 1

b. Calcule DC cuando el transistor con VCE = 4.0V y la IB = 100A

43

5. Qu valor de VCE se podra esperar si la base del transistor estuviera abierto?. Explique su respuesta

Conclusiones

44

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

LABORATORIO 05
Aplicacin I: Ejercicio combinado con Zener, AO y BJT
en interface con LED
Objetivos
Utilizar los dispositivos estudiados en el laboratorio para dar solucin a problemas de diseo y
aplicaciones.

Equipos
Fuente de poder variable
Breadboard
Multmetro Digital

Dispositivos
Resistencias: 1K (1), 1.5K (1), 470 (1).
Potencimetro: 10K (1)
Diodo Zener de 5V (1).
Amplificador Operacional LM324 (1).
Diodo LED (1).
Transistor 2N3904 (1).

Pre Laboratorio
El estudiante debe consultar los siguientes temas para el ptimo desarrollo de la prctica.
Diodo Zener.
Comparador de voltaje con amplificador operacional.
Transistor como interruptor.

Procedimiento
1.

Construya el circuito de la figura 5.1, colocando el cursor del potencimetro en el extremo de la fuente
de 10 V. El objetivo de este circuito es verificar el uso del amplificador operacional como comparador
de voltaje. Para ello, construya el circuito de la figura 5-1, usando el osciloscopio para detectar el
comporatmiento de Vout.

Figura 5.1

a)

El voltaje de salida que se observa en el osciloscopio es el de saturacin bajo del amplificador

operacional, o comparador. Anote este valor en la tabla 5-1.
b) Mida el potencial de la entrada no invertidora y antelo en la tabla 5-1
c) Disminuya lentamente el valor de Vin recorriendo el cursor hacia el lado de tierra. Cuando Vout
cambie de valor, anote el valor de Vin en la tabla 5-1, as como el nuevo valor de Vout.
d) Siga disminuyendo Vin. El valor de Vout no debe cambiar. Luego aumente lentamente el valor de
Vin moviendo nuevamente el cursor en sentido contrario. Anote el valor de Vin en el momento
que Vout cambie de nuevo.
Para verificar los valores de Vin ledos en los momentos de cambio de Vout, repita los pasos c) y d).
Conteste las preguntas de la primera parte.
2.

Construya el circuito de la figura 5.2, utilizando el circuito utilizado en la figura 5.1. Lleve
alternativamente Vout a su valor alto y bajo, y mida en cada caso el voltaje en el LED y en la
resistencia de 470. Responda a las preguntas de la segunda parte.

10 V = +Vcc
1 k

1 k

Vin

Vout

10 k

470
LED

1N473 3

Figura 5. 2

3.

Se modifica el circuito de la figura 5.2 con el circuito de la figura 5.3. Coloque el potencimetro en
posicin que obligue a Vout a tomar un valor bajo, de acuerdo a lo que se hizo en la primera parte;
mida el voltaje VCE del transistor. Luego provoque un valor Vout alto, y mida nuevamente el voltaje

46

VCE del transistor. Mida en cada caso el voltaje en el LED y la resistencia de 470 . Responda a las
preguntas de la tercera parte.

10 V
10 V = +Vcc
1 k

1 k

470
LED

Vin

Vout

10 k

1.5 k
1N47 33

Figura 5.3

4.

Para construir el circuito de la figura 5.4, utilice el circuito de la figura 5.1 simplemente cambiando las
conexiones para Vin a la fuente. Responda a las preguntas de la cuarta parte.

10 V = +Vcc
1 k
Vin

Vout

6 Vpp
1 kHz
1N473 3

Figura 5.4

Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1992

47

LABORATORIO 05
Aplicacin I: Ejercicio combinado con Zener, AO y BJT
en interface con LED
Hoja de reporte
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

PRIMERA PARTE
TABLA 5-1
VOLTAJE ALTO Vout
VOLTAJE BAJO Vout
VOLTAJE POTENCIAL EN ENTRADA NO
INVERTIDORA
Valor de Vin en el instante en que el Vout cambia
de valor Alto a valor Bajo
Valor de Vin en el instante en que Vout cambia de
valor Bajo a valor Alto.
PREGUNTAS:
1.

Generalizando el resultado de la tabla, dibuje la funcin de transferencia Vout vs. (V+ - V -), donde
V+ es el potencial de la entrada no invertidora y V- el potencial de la entrada invertidora.

48

2.

Qu relacin debe existir entre V+ y V- para que Vout tenga un valor alto? Qu relacin para un
valor bajo?

3.

Por qu se puede decir que el amplificador opera como un comparador?

SEGUNDA PARTE
4. Se encendi el LED cuando el voltaje Vout estaba en alto? Y cuando estaba en bajo?

5.

Usando los valores medidos para los voltajes en las resistencias en todos los casos, calcular la corriente
que circula por la combinacin de LED- 470 en serie cuando Vout es alto y cuando es bajo.

I para Vout Alto ___________

6.

I para Vout Bajo _____________

Si no se encendi el LED en ningn caso, podra dar una explicacin?

TERCERA PARTE.
La combinacin de transistor y resistencia utilizada en el circuito de la figura 5.3 constituye un circuito de
interfaz.

7. Cuando Vout es bajo, VCE = ________. En qu regin se encuentra el transistor?

8. Cuando Vout es alto, VCE = ________. En qu regin se encuentra el transistor?
9.

Cundo se enciende el LED? Qu corriente circula por el LED cuando est encendido? I = _______

10. Comparando el circuito con el de la segunda parte, Qu papel juega el transistor en el circuito de la
figura 5.3?

CUARTA PARTE
11. Grafique las ondas de Vin y Vout que se ven en el osciloscopio

12. Qu detecta el circuito del comparador con respecto a Vin? En otras palabras, qu significa que
Vout sea alto?

49

LABORATORIO 06
AMPLIFICADORES BSICOS CON BJT
Objetivos
1.

Calcular los parmetros AC y DC para los amplificadores de Emisor Comn, Colector Comn y
Base Comn.

2.

Construir un amplificador Emisor Comn, un Colector Comn y un Base Comn y medir los
parmetros DC, la resistencia de entrada AC y la ganancia de voltaje.

3.

Observar la relacin entre la entrada y la salida de la seal.

4.

Analizar y probar los efectos de fallas en los amplificadores de base, colector y emisor comn.

5.

Probar el efecto de diferentes tipos de cargas sobre parmetros AC.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 100 (1), 330 (1), 390 (1) 1.0k (2), 2.7k (1), 4.7k (1), 10k (2), 33k (1),
82k(1), 47k (1).
Capacitancias: 1.0F (3), 10F (1), 15F (2), 47F (1).
Transistor Q2N3904 NPN (1).

Fundamento Terico
Para que un transistor amplifique una seal a.c, debe operar en activo, esto es, la junta base-emisor
debe estar polarizada en forma directa y la junta base-colector en forma inversa. En el circuito
amplificador se toman en consideracin dos aspectos: el funcionamiento DC o de polarizacin y el
funcionamiento ac. Este experimento evala tres amplificadores bsicos: Emisor Comn, Colector
Comn y Base Comn. Los parmetros en funcionamiento a.c que se analizarn para estas
configuraciones son: Ganancia de voltaje, Ganancia de corriente, Impedancia de entrada e Impedancia
de salida. . Estos parmetros se obtendrn para seales pequeas a frecuencias medias.
Para que el transistor funcione en activo, se establece un circuito para polarizarlo, es decir, establecer y
mantener las condiciones apropiadas de operacin DC para que el transistor pueda usarse en la
amplificacin. Existen muchas maneras de polarizar transistores. El mtodo ms simple es el llamado
polarizacin de base o polarizacin fija, mostrado en la figura 6-1. Debido a sus inconvenientes, un
circuito ms popular es el mostrado en la figura 6-2. Este circuito soporta bien las variaciones en los
parmetros del transistor debido a procesos de fabricacin y a cambios de temperatura.

50

Figura 6-1

Figura 6-2

Para calcular el punto de operacin del transistor en el circuito de la figura 6-2 podemos utilizar las
siguientes ecuaciones:

V BB

R2
Vcc
R1 R2

RB R1 R2

IB

(1)

R1 R2
R1 R2

V BB V BE
R B DC 1R E

(2)

(3)

I E DC 1I B

(4)

I C DC I B

(5)

VCE VCC I C RC I E RE

(6)

Si se desconoce DC, se puede utilizar la aproximacin:

IC

V BB V BE
RE

(Lmite Superior)

51

I E IC
VCE VCC I C RB RE

(Lmite Inferior)

Esta aproximacin es aceptable para DC suficientemente grande. El circuito de la figura 6.2 utiliza un
transistor npn con Vcc>0; para un transistor pnp es necesario cambiar el signo de la fuente Vcc.
El circuito amplificador completo contiene adems capacitores de acoplamiento y desvo, ms una
seal de entrada y una terminal de salida, eventualmente con una carga. El circuito amplificador de la
figura 6.3 es un ejemplo de ello, con la seal Vin y los capacitores C1, C2 y C3. Para calcular el punto
de operacin del transistor, se abren los capacitores de acoplamiento y desvo y se apaga la seal a.c.
Para el anlisis a.c, el circuito equivalente substituye los capacitores por cortos circuitos, y se apagan
las fuentes constantes. En el caso particular de Vcc, sta terminal se cortocircuita a tierra.
Amplificador Emisor Comn: En un amplificador emisor comn, la seal de entrada se mide entre
base y emisor, en tanto que la seal de salida se mide entre el colector y emisor. El emisor del
transistor es comn para ambas seales de entrada y salida del circuito y por tal motivo recibe el
nombre de emisor comn. Un amplificador emisor comn con resistencia de emisor R E se muestra en
la figura 6-3(a), con el circuito AC de la figura 6-3(b). En los clculos de polarizacin para este
circuito. RE RE 1 RE 2 Observe que en este circuito el voltaje Vin se aplica entre Base y Tierra.

a. Circuito Emisor Comn

b. Circuito equivalente AC

Figura 6.3. Configuracin Emisor Comn

Para calcular aproximadamente los resultados de amplificacin, se procede a realizar los siguientes
pasos:

1.

Calcular el punto de operacin DC del transistor, encontrando I C, IE, VCE (VC y VE) Para ello,
apague la seal y considere los capacitores circuitos abiertos. Utilice las frmulas (1) -(6)

2.

Calcule para el circuito ac las resistencias

52

re
3.

26 mV
r

ac 1
IE

(7)

La ganancia de voltaje ac se calcula por las siguientes ecuaciones:

Av

R || RL
Vout
RC || RL

C
re RE
re RE
Vin

(8)

RC RL
vout

r / 1 RE
vin

(9)

por:

AV
4.

La resistencia ac equivalente vout por vin es:

Zin = R1 || R2 || (re+(+1)RE)

(10)

Note la inversin de fase en la ganancia, manifestada por el signo negativo en (8) y (9).
Amplificador Colector Comn: El amplificador Colector Comn tiene la seal de entrada aplicada a la
base y la salida de la seal se toma desde emisor. En la figura 6-4 se ilustra un amplificador colector
comn usando un transistor NPN. La salida de voltaje ac es prcticamente igual a la seal de entrada.
Esto implica que la ganancia de voltaje sea aproximadamente 1, la ganancia de corriente por lo tanto
incrementa la seal de potencia en la carga. El amplificador Colector Comn se caracteriza por una alta
resistencia de entrada y una baja resistencia de salida. El circuito se muestra en la figura 6-5.

Figura 6-4. Configuracin Colector Comn

53

Figura. 6.5 Circuito ac en colector comn

Para el anlisis DC del Colector Comn, se utilizan las mismas formulas (1)-(6), con RC =0. Los pasos
para el anlisis AC de un colector comn son:
1.

Reemplazar todas las capacitancias con un corto y calcular la resistencia r con la ecuacin 7.

2.

La ganancia de voltaje se calcula utilizando la ecuacin:

Av
3.

RE || RL
Vout

1
Vin r / 1 RE || RL

La resistencia total de entrada por la seal ac se calcula con la ecuacin.

Rin r 1RL || RE
4.

(12)

La resistencia de salida es excluyendo RL,

Rout RE || re
5.

(11)

(13)

La ganancia de corriente es (+1)

Amplificador Base Comn: La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la
base es comn a los lados de la entrada y la salida de la configuracin. Un circuito completo se
muestra en la figura 6.6, mientras que el equivalente a.c se muestra en la figura 6.7. El circuito de base
comn tiene una ganancia de corriente aproximadamente igual a 1(=), una ganancia de voltaje
aproximadamente igual en valor absoluto a la del emisor comn, pero con signo positivo, es decir, sin
inversin de fase, y baja resistencia de entrada y alta de salida, limitada prcticamente por RC.
Para calcular los resultados en pequea seal, se usan las expresiones

Av

Vout RC || R L RC || R L

Vin
re
re

Rin RE || re re
AI

iout

iin

(14)

(15)

(16)

54

Figura 6.6 Amplificador de base comn

Figura 6.7 Circuito ac de base comn

Procedimiento
1.

Construya el circuito de la figura 6-8. Calcule el punto de operacin segn las frmulas (1)-(6), y luego
determnelo experimentalmente midiendo VCE e IC (preferiblemente midiendo VE y VC y calculando IC
por la ley de Ohm). Anote los resultados en la tabla 6-1 de su hoja de respuestas. Si tiene multmetro
que mida del transistor, mdala. En caso contrario, use un valor de para sus clculos.

Figura 6-8. Amplificador Emisor Comn

55

2.

3.

Calcule los parmetros AC para el transistor usando los resultados mostrados en la tabla 6-1, y calcule
las ganancias y los voltajes segn las frmulas. Anote los resultados de la tabla 6-2.
Conecte al circuito el generador y ajuste Vin, a 500mVpp y a 1KHz. Utilizando el osciloscopio ajuste el
voltaje y revise la frecuencia? Utilice el voltaje Vin y el voltaje Vout para determinar la ganancia de
voltaje Av. Complete la tabla 6-2.

4.

Utilizando el osciloscopio con sus dos canales, compare la forma de onda de la seal de entrada con la
seal de salida. Dibuje la relacin en la grfica 6-1 de su hoja de respuestas. Cul es la relacin de
fase entre Vin y Vout?

5.

Remueva el capacitor C2 del circuito y mida la seal AC de emisor, base y colector del transistor. Mida
la ganancia de voltaje del amplificador. Anote el resultado en la tabla 6-2.

6.

Coloque denuevo el capacitor C2 y cambie la resistencia RL de 10k por una resistencia de 1k. Observe la
seal AC del la base, emisor y colector del transistor y mida la ganancia del amplificador.

7.

Coloque de nuevo la resistencia RL de 10k y coloque la RE1 abierta. Mida los voltajes DC del emisor,
base y colector. El transistor esta en corte o saturacin? Explique.

8.

Coloque la resistencia RE1 y coloque R2 abierta. Mida los voltajes DC del emisor, base y colector. El
transistor esta en corte o saturacin? Explique.

9.

Construya el circuito el circuito de la figura 6-9. Determine el punto de operacin VCE e IC.

Figura 6-9. Amplificador Colector Comn

10. Determine AV, AI, RI y Ro. Complete la tabla 6-4

11. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales, compare la forma de onda de la seal de entrada con la
seal de salida y bosqueje los resultados en la grfica 6-2. Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?
12. Construya el circuito el circuito de la figura 6-10. Determine el punto de operacin terica y
experimentalmente y complete la tabla 6-5.

56

13. Como la ganancia de voltaje de un amplificador de base comn es grande, se ha agregado una
resistencia de 1Ken serie con la fuente. Es adems necesario regular la amplitud del generador de
seales para evitar que se sature el amplificador y para conseguir la mxima salida del amplificador sin
distorsin apreciable. Regule el generador y determine, complete la tabla 6-6.
14. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales, compare la forma de onda de la seal de entrada con la
seal de salida. Para el circuito de la figura 6-11 Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?

Figura 6-10 Amplificador Base Comn

Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994
[2] Floyd Electronic Devices, Fifth Edition
[3] Electronic Devices: Electron Flow Version, Third Edition

57

LABORATORIO 06
AMPLIFICADORES BSICOS CON BJT
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas
Tabla 6-1 Emisor Comn
Parmetros DC
VB
VE
IE
VC
VCE

Valores Calculados

Valores Medidos

Tabla 6-2 Emisor Comn

Parmetros AC
Vin =Vb
Ve
re
AV
Vout= VC
Rin(tot)

Valores Calculados
300mVpp

Valores Medidos

58

Tabla 6-3: Colector Comn

Parmetros DC
VB
VE
IE
VC
VCE

Valores Calculados

Valores Medidos

Tabla 6-4: Colector Comn

Parmetros AC
Vin =Vb
Ve
re
AV
Vout= VC
Rin(tot)

Valores Calculados
300mVpp

Valores Medidos

Tabla 6-5: Base Comn

Parmetros DC
VB
VE
IE
VC
VCE

Valores Calculados

Valores Medidos

Tabla 6-6: Base Comn

Parmetros AC
Vin =Vb
Ve
re
AV
Vout= VC
Rin(tot)

Valores Calculados
300mVpp

Valores Medidos

59

Grfica 6-1

Grfica 6-2

Cuestionario
1.

En un emisor comn Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?

60

2.

En el circuito de la figura 6-10 Qu conclusin se puede obtener acerca del funcionamiento del
amplificador con C2 abierto? Puede dar una justificacin terica?

3.

Cmo se afecta la ganancia modificando la resistencia de carga en el emisor comn y por que?
Comparando su respuesta con el resultado experimental hay concordancia con los resultados?

4.

Con RE1 y R2 abierto. El transistor esta en corte o saturacin? Justifique su respuesta.

5.

Segn la grfica 6-2Cmo se comportan las seales de entrada y salida del amplificador? Tiene
Sentido? Justifique.

6.

En un circuito de base comn Cmo se comportan las fases de las seales de entrada y de salida?

7.

Asuma que el amplificador mostrado en la figura 6-7 tiene 1.8VDC en la base, 1.1VDC en el emisor y
1.1VDC en el colector. Sera esto normal si el circuito es un amplificador? Justifique la respuesta. Si
no es normal Cul podra ser la causa del problema?

Conclusiones

61

LABORATORIO 07
TRANSISTORES FET
Objetivos
1.
2.
3.
4.

Visualizar las caractersticas de los transistores de efecto de campo FET y comparar un

amplificador que use este transistor con su equivalente bipolar.
Medir y graficar las curvas caractersticas de drenador para un transistor FET.
Medir VGS(OFF) e IDSS para un JFET.
Construir una fuente de corriente JFET para mantener constante la iluminacin en un LED.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 10010k
LED (1).
Transistor MPF102 canal n JFET (1).

Fundamento Terico
El transistor BJT utiliza la corriente de base para controlar la corriente de colector. En tanto que el
transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje que usa un campo electrosttico para controlar la
corriente que fluye. El FET comienza con una capa dopada de silicio llamada canal. En uno de los
extremos del canal existe un terminal llamado fuente (Source) y en el otro extremo del canal un terminal
llamado drenaje (Drain). La corriente que fluye a travs del canal es controlada por el voltaje aplicado a un
tercer terminal llamado puerta (Gate). Los FET estn clasificados como dispositivo de puerta de juntura
(JFET) o dispositivo de puerta aislada (MOSFET). En el caso de los JFET la puerta es de un material
opuesto al del canal formando un diodo PN entre ellos dos. La aplicacin de una polarizacin inversa en
esa juntura baja la conductividad del canal, reduciendo la corriente de fuente (Source) a drenaje (Drain). El
diodo de la puerta (Gate), nunca esta polarizado en forma directa y por lo tanto nunca fluye corriente a
travs de l. Los JFET estn diseados en dos formas Canal N y Canal P. El canal N se distingue entre los
grficos por una flecha entrando en el punto de conexin de la puerta (Gate) mientras que el canal P tiene
una flecha saliendo como se muestra en la figura 7-1.

a. Canal N JFET

b. Canal P JFET
Figura 7-1

62

La curva caracterstica del drenaje (Drain) para un JFET muestra grandes diferencias respecto con el BJT.
En adicin a que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, el JFET es normalmente activo. En otras
palabras un voltaje inverso debe ser aplicado a la junta PN puerta (Gate) a fuente (Source) para cerrar el
canal. Cuando la puerta (Gate) es corto-circuitada a la fuente (Source) se obtiene la mxima corriente de
drenaje (Drain) a fuente (Source). Cuando la puerta es corto-circuitada a la fuente se obtiene la mxima
corriente de Drain a la fuente disponible. Esta corriente es llamada IDSS para Drain y fuente cortocircuitada
(Drain Source current with Gate Shorted) El JFET posee una regin en su curva caracterstica donde la
corriente de Drain es proporcional al voltaje de Drain fuente, dicha regin es llamada la regin Ohmmica.
Para dicha regin se obtiene un parmetro denominado transconductancia, el cual es utilizado para obtener
la ganancia. La transconductancia puede ser encontrada dividiendo un pequeo cambio en la corriente de
salida por un pequeo cambio en el voltaje de entrada, para lo cual tenemos:

gm

I D
VGS

Pre Laboratorio
1.

2.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Modelo del transistor FET
Curvas caractersticas del transistor FET
Aplicaciones del transistor FET
El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor MPF102

Procedimiento
1.

Construya el circuito mostrado en la figura 7-2. Verifique que la fuente este apagada, conecte al
circuito y comience con VGG y VDD a cero voltios. Conecte un voltmetro entre el Drain y Source del
transistor. Mantenga VGG a cero voltios y lentamente incremente VDD hasta que VDS sea 1.0V ( VDS es
el voltaje entre el Drain y Source del transistor).

Figura 7-2

63

2.

Con VDS en 1.0V mida el voltaje a travs de R2. Note que la corriente mxima en R2 es la corriente de
Drain, ingrese dicho dato en la tabla 7-1 de su hoja de respuestas.

3.

Sin modificar VGG, incremente lentamente VDD de manera que VDS sea 2.0V. Entonces tome los datos
necesarios para completar la tabla 7-1. Calcule ID aplicando la ley de Ohm y complete la tabla.

4.

Repita el paso anterior para cada uno de los valores mostrados en la tabla 7-1.

5.

Ajuste VGG a -0.5V. Aplique este voltaje entre la puerta y Source ya que casi no hay corriente en la
puerta dentro del JFET y casi no hay voltaje a travs de R1. Ajuste VDD de manera que VDS sea 1.0V.
Mida VR2 y calcule ID. Complete la tabla 7-1.

6.

Sin modificar el valor de VGG ajuste VDD de manera que VDS alcance cada uno de los valores
relacionados en la tabla 7-1. Calcule la ID para cada uno de los valores.

7.

Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para VGG igual a -1.0V y 1.5V y repita el paso
anterior.

8.

Utilizando los datos obtenidos en la tabla 7-1, grafique las tres curvas caractersticas de Drain (V DS vs
ID) usando los valores de la VG , en el esquema 7-1 de la hoja de respuestas

9.

Determine VGS(OFF) e IDSS para el circuito de la figura 7-2 Use VDD=12V.Lleve VGG hasta que
VR2=0 y entonces mida el VGS (OFF). Conecte R! Entre Gate y Source y mida la corriente IDSS en R2.
Tome los datos y escrbalos en la tabla 7-2 de su hoja de respuestas.

10. Construya el circuito mostrado en la figura 7-3, Observe el voltaje de Drain mientras va incrementando
el voltaje VDD de 0V a 15V. Note que el voltaje de Drain comienza donde la corriente es constante.
Compare el valor de la mxima corriente obtenida en el paso 3 con la lectura del ampermetro.
Explique.

Figura 7-3

Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994
[2] Floyd Electronic Devices

64

LABORATORIO 07
TRANSISTORES FET
Nombre del Estudiante:__________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas

Tabla 7-1
VDS
(medido)

Voltaje de Puerta =
0V
VR2
ID
(Medido)

(Calculado)

Voltaje de Puerta =
-0.5V
VR2
ID
(Medido)

(Calculado)

Voltaje de Puerta =
-1.0V
VR2
ID
(Medido)

(Calculado)

Voltaje de Puerta
= -1.5V
VR2
ID
(Medido)

(Calculado)

1.0V
2.0V
3.0V
4.0V
6.0V
8.0V

Grfica 7-1 (ID Vs VDS)

65

Tabla 7-2

Parmetros medidos JFET

VGS(OFF) =
IDSS =

Cuestionario
1.
a.

Explique como encontrar IDSS a partir las curvas caractersticas de un JFET.

b.

Cul fue la corriente mxima que maneja el LED en el paso 10?

2. a.
De acuerdo a los datos obtenidos en los experimentos, Es posible afirmar que transconductancia
es constante en todos los puntos?

b. De los datos obtenidos, Qu caracterstica le indica a Usted que el JFET es un dispositivo no

lineal?

66

3.

Por qu un JFET puede ser operado nicamente con un voltaje negativo de puerta a Source?

4.

Compare la curva caracterstica de un transistor Bipolar BJT con la curva caracterstica de un transistor
de efecto de campo JFET.

Conclusiones

67

LABORATORIO 08
AMPLIFICADORES BASICOS CON FET
Objetivos
1.
2.

Medir Parmetros AC y DC, para amplificadores de Drain Comn, Source Comn y Gate Comn
Realizar pruebas con un amplificador de Drain Comn con corriente de Source.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 1K (2), 10K (2), 3.3K (1), 100K (1), 620K (1), 1M (1).
Transistor: MPF102 (1).
Capacitores: 0.1F (1), 1F (1), 10F (1).

Fundamento Terico
Los transistores de efecto de campo estn disponibles como JFET y MOSFET. Al igual que los transistores
bipolares BJT, los transistores de efecto de campo FET se dividen en tres tipos de configuraciones:
Drain Comn
Source Comn
GateComn
Una de las ventajas que tiene el transistor de efecto de campo FET sobre el transistor bipolar BJT es su alta
impedancia de entrada. En este experimento se realizarn pruebas de configuracin CA de los
amplificadores FET, empezando con el amplificador Source Comn, luego Drain Comn y por ultimo Gate
Comn.

Amplificador Source Comn:

La configuracin de este amplificador la podemos observar en la figura 8-1a en el que se incluye un resistor
de autopolarizacin RS para ajustar la polarizacin DC. El circuito equivalente AC se observa en la figura
9-1b donde se muestra la resistencia RS cortocircuitado mediante el capacitor CS sustituido por un corto
(impedancia AC del capacitor =0) y la resistencia RD conectada a +VDD se aterriza a AC, puesto que la
impedancia AC de la alimentacin de voltaje se sustituye por medio de una impedancia AC de 0. El
dispositivo JFET se reemplaza mediante el modelo simple para el cual una seal de AC aplicada entre la
compuerta-Source Vgs da como resultado una corriente de Drain-Source (canal) de valor gmVgs.

68

a. Circuito

b. Circuito Equivalente AC
Figura 8-1 Amplificador Source Comn

La ganancia de voltaje AC puede determinarse como:

Av

Vo
g m RD
Vi

La resistencia de entrada es:

Ri RG
La resistencia de salida es:

Ro RD
Amplificador Drain Comn:
En la figura 8-2a podemos observar el modelo bsico de un amplificador Drain Comn. La ganancia de
voltaje de este amplificador es menor que la unidad sin inversin de polaridad, este circuito tiene una
elevada resistencia de entrada y una resistencia baja de salida. Si se toma la salida desde la terminal de la
fuente (como se observa en la figura 8-2b) no hay inversin de polaridad entre la salida y la entrada, y la
amplitud de voltaje se reduce a partir del valor de entrada.

a. Circuito

b. Circuito equivalente AC
Figura 8-2. Amplificador Drain Comn

69

La ganancia de voltaje AC puede determinarse como:

AV

g mVgs Rs
Vo
g m Rs

Vi 1 1 g m Rs Vgs 1 g m Rs

Empleando rm =1/gm tenemos que la ganancia de voltaje esta dada por:

1
Rs
Vo
Rs
rm
AV

Vi
rm Rs

1
1 1 Rs
rm
Se observa que la ganancia de voltaje no se invierte y es menor que 1. La ganancia se acerca a la unidad
conforme RS se hace mayor en comparacin con r m. La resistencia de entrada del amplificador es menor
que 1, acercndose a la unidad conforme RS se hace mayor en comparacin con r m. La resistencia de
entrada del amplificador es:

Ri RG
en tanto que la resistencia de salida es el resistor de polarizacin de Source, R S, en paralelo con la
resistencia AC del dispositivo, rm:

R0 Rs || rm
Amplificador Gate Comn:
La configuracin de este circuito se puede observar en la figura 8-3a con una entrada AC a la Source, y
salida AC en la terminal de Drain. Este amplificador tiene una baja resistencia de entrada, ganancia de
voltaje no invertida (similar en magnitud al de Drain Comn), y resistencia de salida igual que la de Drain
Comn.
El equivalente AC para el circuito de la figura 8-3a se observa en la figura 8-3b.

a. Circuito

b. Circuito equivalente AC
Figura 8-3 Configuracin GateComn

70

La ganancia de voltaje se determina como:

Av

Vo
R
g m RD D
Vi
rm

La resistencia de entrada es:

Ri Rs
La resistencia de salida es:

Ro RD

Pre Laboratorio
1.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Modelo del transistor JFET

Curvas caractersticas del transistor JFET.
Aplicaciones del transistor JFET

2.

El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor MF102

Procedimiento
1.

Construya el circuito de la figura 8-4. Coloque el generador a 500mVpp 1 KHz. Verifique la

amplitud y la frecuencia con su osciloscopio.

Figura 8-4 Circuito Amplificador Source Comn

2.

Mida el voltaje DC en Drain, Source y Compuerta. Con los datos tomados del voltaje de Source y
su resistencia calcule ID y escriba los resultados en la tabla 8-1de su hoja de respuestas. Compare
el voltaje de entrada y salida observando las seales en el osciloscopio. Mida la ganancia de
voltaje y note su desfase (0 180) entre la entrada y la salida de la seal.

71

3.

Cambie la resistencia de la Source de 1k por una resistencia de 620. Note que hay un leve
incremento en la ganancia con una resistencia ms pequea. Explique Por qu incrementa la
ganancia? (Considerando gm)

4.

Cambie la resistencia RL de 10kpor una resistencia de 100kxplique el cambio en la

ganancia

5.

Construya el circuito de la figura 8-5. El Drain es conectado directamente a 15V. Mida el voltaje
DC en el Drain, Source y Gate, calcule ID y observe el voltaje de entrada y salida con el
osciloscopio. Mida la ganancia de voltaje y note el desfase y escriba los datos obtenidos en la tabla
8-2 de su hoja de respuestas.

Figura 8-5 Circuito Amplificador Drain Comn

Note que en el paso 6, la ganancia es menor a 1, debido a la transconductancia g m. El reciproco gm (1/gm) es
anlogo a r'e de un transistor bipolar, pero con una alta impedancia de entrada. Para mejorar la ganancia el
divisor debe tener una resistencia bastante alta de tal manera que el voltaje en la salida sea
aproximadamente 1.
6.

Simular el circuito de la figura 9-6, calcular rm y Av, teniendo en cuenta que gm= 2.25mS y
escrbalos en la tabla 8-3 de su hoja de respuestas.

Figura 8-6 Circuito Configuracin Gate Comn

Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994
[2] Floyd Electronic Devices,

72

LABORATORIO 08
AMPLIFICADORES BASICOS CON FET
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: ________________________________________

Hoja de Respuestas
Tabla 8-1
Datos Amplificador
Source Comn
Voltaje Gate VG
Voltaje de Source
Voltaje Drain VD
Corriente Drain ID
Voltaje de entrada
Voltaje de salida
Ganancia de voltaje
Desfase

Valores DC

Valores AC

Valores DC

Valores AC

VS

Vin
Vout
AV

Tabla 8-2
Datos Amplificador
Drain Comn
Voltaje Gate VG
Voltaje de Source
Voltaje Drain VD
Corriente Drain ID
Voltaje de entrada
Voltaje de salida
Ganancia de voltaje
Desfase

VS

Vin
Vout
AV

73

Tabla 8-3
Datos Amplificador Gate
Comn

Valores Calculados

Ganancia de Voltaje
rm

Cuestionario
1.

Con respecto al amplificador Drain Comn conteste las siguientes preguntas:

a.

Qu ventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador Emisor

Comn?

b.

Qu desventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador Emisor

Comn?

2.

Al comparar los circuitos Source Comn y Drain Comn, escriba las diferencias que existen entre ellos
y cules son las caractersticas que tienen en comn.

3.

Con respecto al circuito de la figura 8-4 Qu cambios ocurren en los parmetros DC y AC cuando C2
se encuentra abierto?

Conclusiones

74

LABORATORIO 9
FUENTES DE CORRIENTE
Objetivos
Conocer los diferentes tipos de espejos de corriente, los cuales son utilizados como una fuente de corriente
en circuitos integrados.

Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard

Dispositivos
Resistencias: 2k(1), 470(1), 1k
Potencimetro de 10k
Transistor Array 3046 (1)

Fundamento Terico
El espejo de corriente es comnmente utilizado para proveer corriente sobre un circuito integrado anlogo
porque este utiliza pocos componentes y por esto requiere de una pequea rea. En el espejo de corriente
que se observa en la figura 9-1, todos los transistores son iguales, dichos transistores tienen el mismo valor
de el mismo tamao y las corrientes de colector son iguales gracias a que VBE es igual en los
transistoresLa corriente de referencia Iref es determinada por las resistencias Rref y RA conectadas en serie
con el diodo del transistor QA.

Iref

0 VEE 0.7
, ignorando las corrientes de base.
Rref R A

Figura 9-1

75

La relacin entre I1 y Iref es obtenida con KVL en el lazo inferior.

I EA R A V BEA V BEB I 1 R B 0
Usando el diodo exponencial 1 a relacin de IE a VBE, y usando IEA Iref, dado que:

I1

I ref
VT
R
ln
I ref A
RB
I1
RB

Donde VT es el voltaje termal (0.026V a temperatura ambiente). La ecuacin anterior es utilizada para este
tipo de espejo de corriente llamado Fuente Wilson. Si Iref y I1 no son diferentes, el logaritmo tiende a cero
y puede ser despreciado, resultando:

I1
R
A
I ref
RB
En este caso no es necesario que los transistores sean iguales en sus valores de o en sus escalas de
corrientes. En principio las resistencias RA Y RB pueden ser removidas, resultando que I1 Iref por
igualdad de transistores. Sin embargo el uso de las resistencias es preferible porque ellos proveen un
feedback negativo que estabiliza la corriente. La misma estructura de referencia provee la corriente I 2 a otra
etapa de un circuito con la adicin de un transistor y un resistor (Q C). En la prctica una estructura de
referencia es usada para dos o tres etapas en un chip.
Otra variacin sobre el espejo de corriente es la fuente de Wildar, la cual es usada cuando un corriente
BIAS es necesitada. Este se obtiene removiendo R A de la figura 9-1 la relacin entre I1 y Iref estara dada
por:

I1

I ref
VT
ln
RB
I1

Si por ejemplo una corriente BIAS I1es igual a 20A es necesario que el VEE sea igual a -15V, la fuente de
Wilson pudiese requerir una resistencia Rref +RA de cerca de 1Mel cual ocupa gran parte del rea del
chip. Por otra parte la fuente Widlar con Iref = 1mA provee 20A con Rref = 14.3k y RB= 5kLa
referencia de corriente de 1 mA puede ser usada en otros circuitos sobre el chip. La razn por la cual la
reduccin en corriente es alcanzada con un pequea resistencia, es que un pequeo voltaje en el emisor de
QB reduce VBE en una pequea cantidad, la cual causa un gran decremento en I 1 por la relacin exponencial
iB-VBE del transistor.
Para que un espejo de corriente se aproxime a una fuente de corriente ideal, la resistencia r cs, del colector
del transistor de salida debe ser tan grande como sea posible. El espejo de corriente simple sin resistencia
de emisor tiene una resistencia de salida r0. Dicha resistencia de colector estar en el orden de los
100kUna caracterstica adicional de la fuente de Widlar es que la resistencia de salida de esta fuente se
incrementa considerablemente. La fuente de Widlar tiene una resistencia dada por:

76

I ref

0 ln
I1

rcs r0 1
I ref

0 ln

I1

Pre Laboratorio
1.

2.

El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Caractersticas Bsicas de las fuentes de corriente
Tipos de fuentes de corriente
El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor BJT 2N3904

Procedimiento
1.

Construya el circuito de la figura 9-2 con una resistencia RA = 2ky un potencimetro conectado
como RB. Seleccione transistores BJT con idntico. Escoja un valor de Rref para obtener una Iref
1mA.

Figura 9-2 Espejo de Wilson

2.

Mida Iref con un ampermetro y luego mida la corriente I !, para diferentes valores de RB, de modo que
se obtengan valores de I1 mayores y menores que Iref. Mida RB para cada valor de I1. R1 debe ser

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suficientemente grande para obtener un voltaje fcilmente medible con el Multmetro, pero no debe ser
tan grande que fuerce a QB a saturacin. Complete la tabla 9-1
3.

Construya el circuito 9-3 repita el procedimiento del paso anterior y complete la tabla 9-2

Figura 9-3 Espejo de Widlar

Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994
[2] Floyd Electronic Devices,

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LABORATORIO 9
FUENTES DE CORRIENTE
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ Cdigo: _______________________________________

Hoja de Respuestas
Tabla 9-1
RB

I1

Iref

I1

Iref

Tabla 9-2
RB

Cuestionario
1.

Cul es el rango de valores vlidos de R1 para el funcionamiento de la fuente de corriente?

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2.

Qu sucedera si RA o RB se hacen igual a 0?

3.

Compare los datos de I1 vs RA de los puntos 2 y 3 con los valores calculados. Bajo qu rango de
I1 se puede utilizar la siguiente expresin sin error?

I1
R
A
I ref
RB
.

Conclusiones

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