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Ao de la consolidacin del mar de Grau

UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO


VILLARREAL

PROFESOR:
Ing.

CURSO:
Laboraorio de circuitos electrnicos I

PROYECTO:
Desarrollo gua 4

INTEGRANTES:
Tarazona Melgarejos Omar
Morales Valles Jhon Alex
Snchez Coronado Milagros
Sinforozo Velazques Omar

PROCESO OPERATIVO
1.- Verificar los terminales del transistor utilizado en la experiencia y comprobar su estado.
DIRECTO: Rb-c y Rb-e resistencia baja. Y en inversa alta resistencia.
DIRECTA E INVERSA: R c-e y R e-c en ambos sentidos alta.
2.- Armar el circuito de la fig.4.1.

fig. 4.1.
-

Observar y medir los siguientes valores:


VE = 0V
VBE = 0.65V
IE = 0.98mA

VC = 5.29V
VCE = 5.29V
IC = 0.97mA

- Igualmente debe medir los valores exactos de las resistencias usadas en cada experiencia.

fig. 4.2
R1.5M = 1.5M W
R3.9K = 3.85K W
- Colocar el foco o cautin cerca del transistor y transcurridos 30 seg. Vuelva a observar y
anote:
VCE = 5.18V
IC = 0.98mA
- Tocar el transistor para apreciar su temperatura.
El transistor se encuentra a mayor temperatura de lo normal, debido a que el foco le transmite
temperatura, elevando as la temperatura del transistor.

3.- Armar el circuito de la fig. 4.3 y repetir las medidas del paso 2.

R1K=1000 W
VE = 0.859V
VBE = 0.644V
IE = 0.86mA

VC = 5.67V
VCE = 4.81V
IC = 0.86mA

Colocando el foco:
VCE = 4.6V
IC = 0.88mA
4.- Armar el circuito de la fig.4.4 y repetir las medidas del paso 2.

R100K=99.7K W .
VE = 0.00V
VBE = 0.666V
IE = 1.89mA
Colocando el foco:
VCE = 1.68V
IC = 1.87mA

VC = 1.729V
VCE = 1.729V
IC = 1.89mA

5.- Armar el circuito de la figura 4.5 y repetir el paso 2.

VE = 1.45V
VBE = 0.66V
IE = 1.46mA

VC = 2.9V
VCE = 1.49V
IC = 1.46mA

Colocando el foco:
VCE = 1.4V
IC = 1.35mA
6.- Armar el circuito de la fig. 4.6 y repetir el paso 2.

VE = 1.172V
VBE = 0.653V
IE = 1.19mA
Colocando el foco:
VCE = 3.22V
IC = 1.2mA

VC = 4.43V
VCE = 3.26V
IC = 1.18mA

7.- Armar el circuito de la figura 4.7 y repetir el paso 2.

VE = 0.724V
VBE = 0.655V
IE = 1.23mA

VC = 4.23V
VCE = 4.95V
IC = 1.23mA

Colocando el foco:
VCE = 5.02V
IC = 1.22mA
CUESTIONARIO
1. Haga el anlisis terico de la fig 4.1 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V)= 0.0000
Vbe (V)= 0.7000
Vc (V)= 5.2719
Vce (V)= 5.2719
Ie (mA)= 0.9739
Ic (mA)= 0.9683
Anlisis experimental
Ve (V) 0.0000
Vbe (V) 0.6400
Vc (V) 4.4100
Vce (V) 4.4000
Ie (mA) 1.1900
Ic (mA) 1.1800

Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 0.0000
Vbe (V) 0.0500
Vc (V) 0.0181
Vce (V) 0.0181
Ie (mA) 0.0061
Ic (mA) 0.0017
2. Haga el anlisis terico de la fig 4.3 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V) 0.8716
Vbe (V) 0.7000
Vc (V) 5.6634
Vce (V) 4.7918
Ie (mA) 0.8716
Ic (mA) 0.8666
Anlisis experimental
Ve (V) 0.8590
Vbe (V) 0.6440
Vc (V) 5.6700
Vce (V) 4.8100
Ie (mA) 0.8600
Ic (mA) 0.8600
Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 0.0126
Vbe (V) 0.0560
Vc (V) 0.0066
Vce (V) 0.0182
Ie (mA) 0.0116
Ic (mA) 0.0066
3. Haga el anlisis terico de la fig 4.4 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V) 0.0000
Vbe (V) 0.7000
Vc (V) 1.7646
Vce (V) 1.7646

Ie (mA) 1.8793
Ic (mA) 1.8686
Anlisis experimental
Ve (V) 0.0000
Vbe (V) 0.6660
Vc (V) 0.0560
Vce (V) 0.0560
Ie (mA) 2.3700
Ic (mA) 2.2900
Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 0.0000
Vbe (V) 0.0340
Vc (V) 0.0356
Vce (V) 0.0356
Ie (mA) 0.0107
Ic (mA) 0.0214
4. Haga el anlisis terico de la fig 4.5 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V) 1.5324
Vbe (V) 0.7000
Vc (V) 3.1004
Vce (V) 1.5680
Ie (mA) 1.5324
Ic (mA) 1.5237
Anlisis experimental
Ve (V) 1.8750
Vbe (V) 0.6560
Vc (V) 1.9440
Vce (V) 0.0560
Ie (mA) 1.8900
Ic (mA) 1.8100
Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 0.0824
Vbe (V) 0.0400
Vc (V) 0.2004
Vce (V) 0.0780
Ie (mA) 0.0724
Ic (mA) 0.0637

5. Haga el anlisis terico de la fig 4.6 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V) 1.1058
Vbe (V) 0.7000
Vc (V) 4.7668
Vce (V) 3.6610
Ie (mA) 1.1058
Ic (mA) 1.0995
Anlisis experimental
Ve (V) 1.1360
Vbe (V) 1.1200
Vc (V) 4.5800
Vce (V) 3.4400
Ie (mA) 1.1200
Ic (mA) 1.1200
Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 0.0662
Vbe (V) 0.0470
Vc (V) 0.3368
Vce (V) 0.4010
Ie (mA) 0.0842
Ic (mA) 0.0805
6. Haga el anlisis terico de la fig 4.7 y compare con los valores experimentales y grafique la recta
de carga y los puntos Q
Anlisis teorico
Asumiendo un promedio igual a 175 se encontraron los siguientes resultados:
Ve (V) 0.7702
Vbe (V) 0.7000
Vc (V) 4.2266
Vce (V) 4.9968
Ie (mA) 1.2469
Ic (mA) 1.2399
Anlisis experimental
Ve (V) 0.7240
Vbe (V) 0.6550
Vc (V) 4.2300
Vce (V) 4.9500
Ie (mA) 1.2300
Ic (mA) 1.2300

Comparacin de anlisis
Haciendo la comparacin mediante errores absolutos:
(datos tericos - datos experimentales)
Ve (V) 1.4942
Vbe (V) 0.0450
Vc (V) 0.0034
Vce (V) 0.0468
Ie (mA) 0.0169
Ic (mA) 0.0099
7.- Justifique porque un cambio de b(beta) provoca un desplazamiento del punto de trabajo.
El desplazamiento que produce un cambio b en el punto de trabajo se debe a que en la polarizacin
de cualquier transistor se cumple que Ic= b IB e IB es constante y depende de la polarizacin. Al
hacer un cambio de b , la corriente del colector ICQ va a variar y consecuentemente variara VCEQ. Por
tanto, esta variacin de b provoca un desplazamiento del punto Q sobre la recta de carga del
transistor.
8.- Razone porque las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de carga para el
amplificador emisor comun.
La razn se puede observar debido a que las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de
carga es que estas regiones de corte y saturacin son las ms allegadas a los ejes coordenados de las
x y de los y, respectivamente y es en estas condiciones donde un par de puntos para definir la recta
son mas fciles de calcular.
Para el caso de las condiciones de corte se toma el valor de Ic=0 y se obtiene coordenadas en x,
mientras que para las condiciones de saturacin, se toma el valor de VCE=0 y se obtiene la
coordenada en y. De esta recta trazada se obtiene el punto de trabajo Q del transistor y dicho punto
pertenece adems a la curva caracterstica del transistor utilizado en el circuito.
9.- Indique el tipo de polarizacin que ofrece la mejor y peor estabilidad del punto de reposo a
variaciones de b(beta) y temperatura.
La polarizacin ms estable de las configuraciones es la red de polarizacin con divisor de voltaje de
la figura 1.5. Si se satisface la condicin b RE>>10R1, el voltaje Vb permanecer suficientemente
constante para los niveles cambiantes de Ic. El voltaje de base a emisor de la configuracin se
determina por Vbe=Vb-Ve. Si Ic aumentara, Ve se incrementara de la manera descrita y para Vb
constante, decaera Vbe. Una cada de Vbe establecer un nivel bajo de Ib, el cual intentara
compensar el nivel incrementado de Ic.
La configuracin que ofrece la peor estabilidad es la polarizacin fija de la figura 1.1 y esto se debe a
que la configuracin es muy sensible a las variaciones de Ico y adems es sensible a los cambios de b
con la temperatura.
10.-Cul es la ventaja de usar una resistencia en el emisor de un circuito emisor comun?
La ventaja de usar una resistencia en el emisor de un transistor es la de permitir una mayor
estabilidad. Es decir que las corrientes y voltajes de polarizacin cd se mantienen mas cerca de los
puntos fijados por el circuito, aun cuando cambien las condiciones extremas como tensin de
alimentacin, la temperatura incluso en b del BJT.

11.- Es la polarizacin por realimentacion de corriente por colector tan eficaz como la
polarizacin tipo H.
Los dos tipos de polarizacin de transistor son estables pero el mas eficaz es la polarizacin tipo H,
el cual es mas estable frente a variaciones de b con la temperatura y a variaciones de VBE con la
temperatura.
12.- Explique en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin universal ante
un posible incremento de b(beta).
El comportamiento del circuito de polarizacin universal conocido tambin como configuracin de
polarizacin con divisor de voltaje ante un incremento de b , la corriente de base Ib disminuye en
gran cantidad pues:
El voltaje base a emisor es determinado por VBE=VB-VE. El voltaje de base VB=VTH, indica que el
voltaje de base es constante y no depende del b del transistor. VE=REIE, indica que al aumentar b IE,
se incrementa y por lo tanto VE aumenta lo que causa un decaimiento del voltaje base a emisor. El
incremento en IE no es considerable y mas bien su valor se acerca mas aun a IE= b IB de donde
IC=(VTH-VBE)/RE relacin que indica que el circuito de polarizacin universal es bastante estable
frente a variaciones de b y casi no siente las variaciones de VBE. El aumento de b hace que el circuito
se vuelva mas estable aun y por lo tanto su punto de trabajo poseer mayor exactitud a los valores
por los cuales ha sido diseado.
13.- Disee el circuito de la figura 1.5 polarizndolo correctamente, asuma: ICQ=1mA si
Vcc=12V, 50< b <150 y ICBO=0.
sea :
ICQ=1mA IEQ=ICQ=1mA 50< b <150(a) b RE>=10R2..(b)
De (a) se tiene: 50RE< b RE<150RE.(c)
en (b) 50RE>=10R2 entonces RE>=R2/5.
VCEQ=Vcc/2=12/2=6V (Para una condicin de mxima excursin simtrica)
Entonces: -Vcc+VCE+IcRc+IERE=0 pero IE=IC
-Vcc+VCE+Ic(Rc+RE)=0 por lo cual Rc+RE=(Vcc-VCE)/Ic
En Q : VCE=VCEQ=6V Vcc=12V Ic=ICQ=1mA
Rc+RE=(12-6)/1mA=6K W .
Sea RE=1K W (RE<<Rc) entonces Rc=6K-RE=5K W VBE=0.7V
VB=(R2Vcc)/(R1+R2); VE=VB-VBE pero IE=VE/RE entonces VE=IERE=1V entonces VB=1.7V
Como RE>=R2/5 entonces R2<=5K W se elige R2=4K W

Entonces VB= (R2Vcc)/(R1+R2) R1=17.176k W


Por lo cual se elige 20k W (valor comercial)

Entonces VB= (R2Vcc)/(R1+R2)


Despejamos R2 y se concluye que R2=3.3K W (valor comercial)
Ahora: 1/150<1/ b <1/50
por Ic tenemos: Ic/150<Ic/ b <Ic/50
Reemplazando el valor de Ic: 6.67uA<IB<20uA
Entonces el transistor:
VB=(3)(3K)(12)/(20K+3.3K)=VTH=1.699V VBE-VTH+RTHIB+1KIE=0
IE/( b +1)=IB Para b grande IB se puede despreciar
IE= (VTH-VBE)/1K=1mA (0.999mA)
VCEQ=12-(0.999mA)(6K)=6.006V
PQ=VCEQICQ=5.99mW=6mW
Icsat=2ICQ=2mA
VCEmax=15V (sobredimencionado).
Luego tendremos el circuito:
Caract. del Q: Pmax=10mW, VCEmax=15V, Ic sat=4mA, hfe= 50<hfe<150.

14.- Encuentre en un manual las caractersticas del transistor usado.


El transistor usado es el BC548.
CBE
VCE=30V VCEOmax=20V Icmax=200mA Ptotmax=300mW
Tjmax=150 C VCBO=30V VBEO=5V
a : Ic=2mA VCE=5V y f=1KHz
entonces : hfe= 125< b <500
15.- Anote sus observaciones y conclusiones del experimento.
Se observo que el utilizando una resistencia en el emisor de un circuito transistorizado le da a este
mayor estabilidad.
Se logro determinar y reconocer ciertas formas que sirvieron para estabilizar una etapa del BJT
frente a variaciones de b y cambios de temperatura.
Se comprob en forma experimental el funcionamiento de la polarizacin de una etapa de un
transistor bipolar BC548 para un punto de operacin Q para los diferentes circuitos. es mas estable
de todos.