(2012)

QUESTO 1
Considere os diagramas de bandas de energia do silcio cristalino tipo P, do metal (alumnio) e do
xido, Figura 1. Nestes diagramas temos:
EC = energia do nvel de conduo;
EV = energia do nvel de valncia;
Ei = nvel de Fermi intrnseco;
EFN = nvel de Fermi do silicio;
E0 = nvel de energia do eltron no vcuo.
M = funo de trabalho do metal
Si = funo de trabalho do silcio
Si = eltron afinidade do silcio
ox = eltron afinidade do xido
E0

E0

E0
qox= 0.95 eV

qSi

qSi = 4.05 eV
qM= 4.1 eV

EC

Ei

qp

EC = EFm

EG = 8 eV

EG = 1.12 eV

EFP
EV
a) Silicio P

b) Metal

c) xido

Figura 1. Diagrama de bandas de energia.

Com o silcio P e com o metal se formou uma estrutura metal-xido-silcio e se aplicaram as tenses V G
e VC > VB, como indicado na Figura 2.
Vamos denominar
S: a queda de tenso no silcio cristalino P (da regio de contato da fonte V B-silcio superfcie
silcio-xido);
ox: a queda de tenso no xido de silcio (da superfcie silcio-xido superfcie xido-metal);
Cox: capacitncia por rea do xido entre o metal e o silcio.
1.1 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura metal-xido-silcio (V G = VC = VB = 0 V).
1.2 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura quando V G = (MSi) e VC = VB =0 V
(situao de flat band).
1.3 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura quando V G < (M - Si) e VC = VB =0 V. O
que acontece com a concentrao de portadores na superfcie neste caso?
1.4 Quanto tem de ser a queda de tenso no silcio para iniciar a formao do canal n dado V C > 0 e VB =
0 V.
1.5 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura metal-xido-silcio onde VG > VC > VB.
1.6 Determine a relao entre VG, VC, VB, ox e S (pode tambm aparecer na expresso M e Si).
1.7 Denominemos
QG a densidade de cargas no metal (positiva);
QB a densidade de cargas total no silcio P devido s impurezas aceitadoras ionizadas;
Qi a densidade de cargas devido aos eltrons livres na superfcie do silcio.
Relacione estas grandezas entre si, e relacione QG com ox.

1.8 Caso usemos a aproximao de que a queda de tenso no silcio acontece em uma regio sem
portadores livres, regio de depleo, qual a expresso para Q B como funo de S (suponha que
o silcio tem dopagem constante e igual a NA).
1.9 Utilizando os resultados acima, determine uma expresso para Q i (deve estar em funo de VG, VC,
VB, M, Si, Na, Cox e constantes fsicas).
1.10 Qual a tenso que devemos ter em VG para iniciar a formao de canal n (VTn ou tenso de
threshold)?

metal
SiO2
N++

VG

VC

Silicio P

VB

VC > VB

Figura 2. Estrutura metal-xido-silcio.

QUESTO 2
Considere os diagramas de bandas de energia do silcio cristalino tipo N, do metal e do xido, Fig. 1
(considere n < 0,4 V)
E0

E0

E0
qox= 0.95 eV

qSi

qSi = 4.05 eV
qM= 4.1 eV

EC
EFN

EC = EFm

qn

EG = 8 eV

EG = 1.12 eV

Ei

EV
a) Silicio N

b) Metal

c) xido

Figura 3. Diagrama de bandas de energia.

Com o silcio N e com o metal se formou uma estrutura metal-xido-silcio e se aplicaram as tenses V G
e VC < VB.
Agora S a queda de tenso no silcio cristalino N.
2.1 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura metal-xido-silcio (V G = VC = VB = 0 V).
2.2 Que tenso deve ser aplicada em VG para que tenhamos a situao de flat band (no h queda de
tenso no silcio ou EC, EV e Ei constantes)( VC = VB = 0 V).
2.3 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura quando V G > (MSi) e VC = VB = 0 V. O
que acontece com a concentrao de portadores na superfcie neste caso?
2

2.4 Ainda considerando a situao anterior, VG > (M - si) e VC = VB = 0 V, e lembrando que a

concentrao de eltrons uma funo exponencial de (E FN Ei), qual ser aproximadamente a
queda de tenso no xido.
2.5 Quanto tem de ser a queda de tenso no silcio para iniciar a formao do canal p dado V C < 0 e VB =
0 V.
2.6 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura metal-xido-silcio onde VG < VC < VB.
2.7 Determine a relao entre VG, VC, VB, ox e S (pode tambm aparecer na expresso M e Si).
2.8 Denominemos
QG a densidade de cargas no metal (negativa);
QB a densidade de cargas total no silcio P devido s impurezas aceitadoras ionizadas;
Qi a densidade de cargas devido s lacunas livres na superfcie do silcio.
Relacione estas grandezas entre si, e relacione QG com ox.
2.9 Caso usemos a aproximao de que a queda de tenso no silcio acontece em uma regio sem
portadores livres, regio de depleo, qual a expresso para Q B como funo de S (suponha que
o silcio tem dopagem constante e igual a ND).
2.10 Utilizando os resultados acima, determine uma expresso para Qi (deve estar em funo de VG, VC,
VB, M, Si, ND, Cox e constantes fsicas).
2.11 Qual a tenso que devemos ter em VG para iniciar a formao de canal p (VTp ou tenso de
threshold)?

QUESTO 3
Considere agora que a porta do transistor foi implementada com polisilicio. Neste caso temos duas
opes, polisilcio dopado com N++ ou polisilcio dopado com P++. Vamos considerar que no primeiro
caso, o nvel de Fermi existe e EF EC = nvel de conduo (muito dopado); no segundo caso o nvel de
Fermi EF EV = nvel de valncia. Com o polisilicio e um silcio P se formou uma estrutura poli-xidosilcio e se aplicaram as tenses VG e VC > VB, como indicado na Figura 4. Para o polisilicio N++ e para o
polisilicio P++, responda:

Polisilicio
SiO2
N++

VG

VC

Silicio P

VB

VC > VB

Figura 4. Estrutura poli-xido-silcio.

3.1 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura poli-xido-silcio (V G = VC = VB = 0 V).

3.2 Qual a tenso que deve ser aplicada em VG para que no haja queda de tenso no silcio
(considere que VC = VB = 0V)(tenso de flat band).
3.3 O que acontece com a concentrao de portadores na superfcie quando a tenso em V G for menor
do que a tenso de flat band?
3.4 Quanto tem de ser a queda de tenso no silcio para iniciar a formao do canal n dado V C > 0 e VB =
0V.
3.5 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura poli-xido-silcio onde VG > VC > VB.
3

3.6 Determine a relao entre VG, VC, VB, ox e S (pode tambm aparecer na expresso Si e EG).
3.7 Relacione QG, QB e Qi e relacione QG com ox.
3.8 Caso usemos a aproximao de que a queda de tenso no silcio acontece em uma regio sem
portadores livres, regio de depleo, qual a expresso para Q B como funo de S (suponha que
o silcio tem dopagem constante e igual a NA).
3.9 Utilizando os resultados acima, determine uma expresso para Q i (deve estar em funo de VG, VC,
VB, Si, EG, Si, Na, Cox e constantes fsicas).
3.10 Qual a tenso que devemos ter em VG para iniciar a formao de canal n (VTn ou tenso de
threshold)?

QUESTO 4
Considere agora se formou uma estrutura poli-xido-silcio e um silcio P e VG e VC < VB. Para o
polisilicio N++ e para o polisilicio P++, responda:
4.1 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura poli-xido-silcio (V G = VC = VB = 0 V).
4.2 Qual a tenso que deve ser aplicada em VG para que no haja queda de tenso no silcio
(considere que VC = VB = 0V)(flat band).
4.3 O que acontece com a concentrao de portadores na superfcie quando a tenso em V G for maior
do que a tenso de flat band?
4.4 Quanto tem de ser a queda de tenso no silcio para iniciar a formao do canal n dado V C < 0 e VB =
0V.
4.5 Desenhe o diagrama de bandas de energia para a estrutura poli-xido-silcio onde VG < VC < VB.
4.6 Determine a relao entre VG, VC, VB, ox e S (pode tambm aparecer na expresso Si e EG).
4.7 Relacione QG, QB e Qi e relacione QG com ox.
4.8 Caso usemos a aproximao de que a queda de tenso no silcio acontece em uma regio sem
portadores livres, regio de depleo, qual a expresso para Q B como funo de S (suponha que
o silcio tem dopagem constante e igual a ND).
4.9 Utilizando os resultados acima, determine uma expresso para Q i (deve estar em funo de VG, VC,
VB, Si, EG, Si, Na, Cox e constantes fsicas).
4.10 Qual a tenso que devemos ter em VG para iniciar a formao de canal p (VTp ou tenso de
threshold)?

QUESTO 5
Considere agora que se formou uma estrutura metal-xido-silcio como na questo 1, e onde V G e
VC < VB. Suponha que h carga fixas na interface xido-silicio com valor Qf de densidade como indica a
Figura 5.

Qf

N++

metal

SiO2

VG

VC

Silicio P

VB

VC > VB

Figura 5. Estrutura metal-xido-silcio e cargas fixas na interface xido-silicio.

5.1 Qual a tenso que deve ser aplicada em VG para que no haja queda de tenso no silcio
(considere que VC = VB = 0V)(tenso de flat band).
5.2 Qual a queda de tenso no xido neste caso?
5.3 Determine a relao entre VG, VC, VB, ox e S (pode tambm aparecer na expresso M e Si).
5.4 Relacione QG, QB, Qi e Qf e relacione QG com ox.
5.5 Caso usemos a aproximao de que a queda de tenso no silcio acontece em uma regio sem
portadores livres, regio de depleo, qual a expresso para Q B como funo de S (suponha que
o silcio tem dopagem constante e igual a N A).
5.6 Utilizando os resultados acima, determine uma expresso para Q i (deve estar em funo de VG, VC,
VB, M, Si, Na, Qf, Cox e constantes fsicas).
5.7 Qual a tenso agora que devemos ter em VG para iniciar a formao de canal n (VTn ou tenso de
threshold)?

QUESTO 6
Um fabricante deseja implementar transistores NMOS do tipo depleo, V Tn < 0. O processo
estabelecido resulta em carga fixas positivas na interface xido-silicio de valor Nf = Qf/q = 1011 cm-2. A
espessura do xido de 50 nm e o gate feito de alumnio.
6.1
6.2

Caso as dopagens possveis para o silcio sejam NA = 1015 cm-3 ou NA = 1017 cm-3, qual deve ser
selecionada para se obter, com mais certeza, um transistor tipo depleo?
Faa os clculos para saber se possvel obter um transistor depleo.

Valores de constantes:
q: carga do eltron =1.6x10-19 C na tecnologia;
k: constante de Boltsman = 1.38x10-23 J K-1

si: permitividade do silcio = 11.7x8.854x10-14 F cm-1

ox: permitividade do silcio = 3.9x8.854x10-14 F cm-1
ni: concentrao intrnsica de portadores no silcio = 1.45x10 10 cm-3
(use T = 300 K)

QUESTO 7
Considere o transistor NMOS da Fig. 3. A densidade de carga para os eltrons livres em certa posio
x dada pela expresso:
5

Qi(x) = Cox(VG VC(x) - VT)

onde

VG a tenso no gate;
VC(x) a tenso no canal do transistor na posio x;
VT uma constante (tenso de threshold).

Considere que a mobilidade constante e igual a n. Determine a equao do transistor na regio trodo
e na saturao, supondo que a largura do canal W e o comprimento L, em funo de V G, VS, VD, VT.
L
Gate
(VG)
ID
Fonte
(VS)
N

SiO2

++

++

Dreno
(VD)

Silicio P

Qi(x)dx=COX(VG-Vc(x)-VT)dx

Figura 3. Transistor NMOS.

QUESTO 8
Considere agora que o valor de VT no constante e obedece a seguinte relao:

VT VFB 2 P

1
COX

2 si qNa ( 2 p VC ( x ) VB ) .

onde VB a tenso de corpo (bulk). A densidade de carga para os em certa posio x dada pela
expresso:
Qi(x) = Cox(VG VC(x) - VT)
onde

VG a tenso no gate;
VC(x) a tenso no canal do transistor na posio x;
VT uma constante (tenso de threshold).

Considere que a mobilidade constante e igual a n. Mostrar que a corrente de dreno na regio triodo,
neste caso,

I D n

W
1
2
{COX (VGS V FB 2 P V DS )V DS
2 si qN a [(2 P V D V B ) 3 / 2 (2 P V S V B ) 3 / 2 ]}
L
2
3

QUESTO 9 (1,0)
Suponha agora que a mobilidade dada por

n ( x)
onde

n0
E x ( x)
1
E cr

Ex(x) o campo eltrico na direo x e na posio x do canal;

Ecr o campo eltrico crtico (constante).

Determine novamente a equao do transistor na regio trodo e na saturao (considere VT constante).

QUESTO 10
6

Considere um inversor e que as tenses VDS sejam, na maior parte do tempo, grandes de forma que

VDS
1 , tanto para o transistor NMOS quanto para o PMOS. O transistor NMOS caracterizado
LEcr
por 0n, Wn, Ln, VTn e Ecrn, enquanto o transistor PMOS, por 0p, Wp, Lp, VTp e Ecrp.
10.1 A partir dos resultados da questo anterior escreva a equao dos transistores na regio trodo e na
saturao.
10.2 Determine a tenso de transio do inversor.
10.3 Determine o tempo de propagao tPHL e tPLH para o inversor.
10.4 Desenhe com detalhes a curva sada x entrada do inversor considerando que a modulao de
canal desprezvel. Use para simplificar que 0n E crn

Wp
Wn
0 p E crp
e VTn = -VTp.
Ln
Lp

QUESTO 11
Mostre que o valor da capacitncia CGS do transistor NMOS na saturao dado por

CGS def .

QN
2
CoxWL onde QN a carga total no canal.
VGS
3
L'

sugesto: use que QN WC ox (VG VC ( x ) VT )dx onde L o comprimento efetivo do canal.

0

Ache uma relao entre dx e dVC, troque a varivel de integrao (de x para V C) e faa a integral de VC =
0 at VC = (VG VT).