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Este documento presenta la práctica 4 sobre la curva característica de un transistor. El objetivo es establecer la relación entre la corriente de entrada y salida del transistor bipolar mediante una tabla y gráficas obtenidas con una fuente variable. Explica brevemente la estructura de los transistores NPN y PNP, y describe las tres regiones de operación del transistor: corte, activa y saturación.
Este documento presenta la práctica 4 sobre la curva característica de un transistor. El objetivo es establecer la relación entre la corriente de entrada y salida del transistor bipolar mediante una tabla y gráficas obtenidas con una fuente variable. Explica brevemente la estructura de los transistores NPN y PNP, y describe las tres regiones de operación del transistor: corte, activa y saturación.
Este documento presenta la práctica 4 sobre la curva característica de un transistor. El objetivo es establecer la relación entre la corriente de entrada y salida del transistor bipolar mediante una tabla y gráficas obtenidas con una fuente variable. Explica brevemente la estructura de los transistores NPN y PNP, y describe las tres regiones de operación del transistor: corte, activa y saturación.
Transistores Clave: 5T2A Nombre Del Maestro: Colina Torres Jos Agustn Nombre Del Alumno: Martha Anglica Garca Villa Practica 4 Curva caracterstica del transistor Fecha: 29 de Septiembre Del 2016
Practica 4. -curva caracterstica de un transistor
Objetivo. Establecer una relacin entre la corriente de entrada y la de salida de un transistor de unin bipolar, obtener una tabla con los valores resultantes del circuito cn una fuente variable, y graficar las curvas caractersticas de entrada y salida. Introduccin. - Un transistor bipolar se forma agregando una segunda
regin pon a un diodo de unin pn. Con dos regiones n y una p, se
forman dos uniones, tenindose as un transistor NPN, con dos regiones p y una regin n, se forma lo que se llama transistor PNP. Hay dos regiones n + para el emisor del transistor NPN y dos regiones p + para el emisor del transistor PNP, para un transistor NPN, la capa n del lado del emisor es ancha, la base p es angosta, y la capa n del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado. Para un transistor PNP, la capa p del lado del emisor es ancha, la base n es angosta y la capa p del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado. MARCO TERICO. Hay tres configuraciones posibles: colector comn, base comn y emisor comn, la configuracin emisor comn, para un transistor NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin.
Caractersticas tpicas de entrada de corriente de
base lB en funcin del voltaje base-emisor VBE
Caractersticas corriente del voltaje
de de
tpicas de salida de colector lC en funcin colector-emisor VCE
Para un transistor PNP, se invierten las polaridades de todas las
corrientes y voltajes.
Hay tres regiones de operacin de un transistor: de corte, activa y de
saturacin. En la regin de corte, el transistor est abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones estn polarizadas inversamente. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unin colector-base (CBJ) est polarizada inversamente, y la unin colector-emisor (BEJ) tiene polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa.