UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO

FACULTAD DE INGENIERA
DIVISIN DE INGENIERA MECNICA E INDUSTRIAL

ELECTRNICA BSICA
.

PRCTICA NMERO 5
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Grupo: 06

SEMESTRE 2017-1

26 de septiembre 2016

Objetivo general:
Comprender el funcionamiento de los transistores TBJ e identifica las regiones en las
que opera.

Objetivos particulares:

Mantener los parmetros de los TBJ en las regiones de corte, saturacin y activa.
Medir el efecto que produce la polarizacin de la base del transistor en la regin
activa, as como establecer prcticamente el punto de operacin del transistor.

Introduccin:
Los transistores bipolares de juntura son dispositivos semiconductores los cuales nos
permiten por medio de corrientes pequeas controlar corrientes ms grandes. Estos
cuentan con tres capas semiconductoras: base, emisor y colector.
Estos dispositivos pueden operar en tres regiones: corte, saturacin y activa.

Material:

1 Resistencia de 15K, 2.7 K, 680 y 120

1 Potencimetro de 5K
1 Transistor BC547A
1 Multmetro
Cables Banana-Caimn
Alambre calibre 22
Tablilla de Conexiones(Protoboard)

Desarrollo:
1) Regiones de operacin de los transistores (primera parte)
a) Implemente el circuito de la siguiente figura. (Vcc=10V)

b) Vare el voltaje VBB segn la tabla siguiente y anote los valores faltantes.

2) Regiones de operacin de los transistores (segunda parte)

a) Implemente el circuito de la siguiente figura.

b) Vare la resistencia del potencimetro segn la siguiente tabla y compltela.

Teniendo en cuenta:

Teora

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector = la

corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor
del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. Como no hay corriente circulando,
no hay cada de voltaje. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib = 0)
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de colector = la
corriente de emisor = la corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud
de
la
corriente
depende
del
voltaje
de alimentacin del circuito y
de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos. Este caso normalmente
se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como inducir una
corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = x Ib)
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Regin de ruptura: Ocurre cuando el voltaje de colector-base VCB es demasiado
grande. La unin del transistor colector-base presenta una ruptura elctrica, lo que
provoca una corriente de colector muy grande y no deseada.

Resultados y anlisis:
Circuito 1

VBB (V)
0
10

VCE (V)
10
61.9E-3

VBE (V)
4.6E-3
0.732

IB (A)
0.2
-606

IC (mA)
0
14.52

Regin
CORTE
SATURACIN

Anlisis de cmo se obtuvieron las regiones:

En la primera lectura tenemos que para un VBB de 0 [V], obtenemos una IC de 0 [mA] y
una IB de 0.2 [A], muy cercano a cero. Y una VCE de 10 [V], el cual es el voltaje de
alimentacin del circuito. Esto se interpreta a que no circula corriente por el colector y la
base, es decir que no circula corriente por el emisor. Por lo tanto, tenemos una regin de
corte.
Para un VBB de 10 [V] observamos que la tensin colector emisor VCE, igual a 61.9E-3
[V] es un valor muy pequeo cercano a cero. Por lo tanto, siguiendo la teora es una
regin de saturacin, ya que es un valor muy cercano al eje Y.

Circuito 2

Rp
(K)
0
2.5
5

VCE (V) VBE (V)

10.06
4.97
0.113

0.130
0.657
0.713

VB (V)

IB (A)

0.129
1.188
2.172

-646
579
513

IC (mA) prctica
0.2E-3
4.59
12.34

0.31E-3
7.93
24.05

Regin
CORTE
ACTIVA
SATURACIN

Anlisis de cmo se obtuvieron las

Ecuacin para obtener la ganancia de corriente de base
Para Rp 0 (K):
Para Rp 2.5 (K):
Para Rp 5 (K):

Anlisis de cmo se obtuvieron las regiones

Para una Rp 0 (K) observamos que la corriente en el colector IC y en la base IB son
muy pequeas y la tensin VCE es el voltaje de alimentacin del circuito con VCE 10.06
[V]. Por lo tanto, consideramos que la regin es de corte.
Para una Rp 2.5 (K) nos damos cuenta que no puede estar en una regin de corte
porque IC es 4.59 [mA] y no puede estar en una regin de saturacin porque no cumple
con VCE 0.2 [V]. Ya que VCE es 4.97 [V]. Tampoco puede ser regin de ruptura
porque IC y VCE no son los valores mximos. Por otra parte, IC es mayor que IB.
Por lo tanto, est en una regin activa.
Para Rp 5 (K) observamos que obteniendo una positiva, de 24.05 nos damos cuenta
que la corriente del colector IC es mayor a la corriente de la base IB. Adems, nos
damos cuenta de que VCE es muy pequea de 0.113 [V]. Cumple con VCE 0.2 [V].
Por lo tanto, la regin es de saturacin.

Estableciendo prcticamente el punto de operacin del transistor

En nuestro caso tenemos

ICsat = 12.34 [mA]
VCEsat = 0.113 [V]
VCC = 10.06 [V]
ICC = 0.2E-3
Saturacin
Operacin
Corte

VCE [V]
0.113
X
10.06

Por lo tanto, nuestro punto de operacin prctico est dado en:

X = VCEQ = 4.97 [V]
Y = ICQ = 4.59 [mA]

IC [mA]
12.34
Y
0.2E-3

Conclusiones
Ortega Martnez Diana
Con esta prctica comprend el funcionamiento de las regiones a las que opera un
transistor TBJ, el cual vara de parmetros dependiendo de los componentes del circuito,
como el voltaje de alimentacin, las resistencias, etc. Para el anlisis de las regiones en
las que opera, los parmetros ms importantes son la corriente en el colector, la
corriente en la base y el voltaje colector-emisor. Lo que interesa conocer es la regin
activa del transistor si lo que queremos es utilizar el transistor como amplificador. En
cuanto al punto de operacin prctico, los valores que obtuvimos en el laboratorio s
coincide con la forma terica, el cual es el punto medio de la recta de carga.

Snchez Marn Evelyn Leyden

Vega Soto Diana Laura

Fuentes consultadas:

Documento P5 Polarizacin del transistor bipolar de juntura

Notas de clase
http://unicrom.com/regiones-operativas-y-configuraciones-del-transistor-bipolar/