DISPOSITIVOS

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5CV1

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESIME UNIDAD ZACATENCO

GRUPO: 5CV1

ALUMNO: CERVANTES PREZ JUAN CARLOS.

MATERIA: LABORATORIO DE DISPOSITIVOS.

PROFESOR: JOS REYES AQUINO.

TIPO DE TRABAJO: REPORTE DE PRCTICA N2.

NOMBRE DE LA PRCTICA: DIODOS

RECTIFICADORES.

FECHA DE ENTREGA: 03/10/16.

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Prctica No. 2
Diodos Rectificadores
Objetivos:
1.- Identificar el comportamiento rectificante en el diodo.
2.- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un diodo rectificador.
3.- Obtener y comparar las curvas caractersticas (V I), de diodos rectificadores
de silicio y germanio. En cada caso determinar el valor del voltaje umbral y
calcular las resistencias estticas y dinmicas en la regin directa de conduccin,
para un punto de operacin Q (VB, ID) arbitrario.
4.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica
V-I en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores
cuando vara la temperatura.

Desarrollo Experimental:
Conceptos Bsicos:
El

funcionamiento

de

este

diodo,

grandes

rasgos

es

la

siguiente:

En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua,

tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se
polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se
alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento
drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo.
Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos amplificadores,
limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc

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Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes

consideraciones (a partir de las hojas
de caractersticas suministradas por el
fabricante):
1.-

La

tensin

inversa

mxima

aplicable al componente, repetitiva o

no

(VRRR

mx.

VR

ms,

respectivamente) ha de ser mayor (del

orden de tres veces) que la mxima
que

este

va

soportar

2.- La corriente mxima en sentido

directo

que

puede

atravesar

al

componente, repetitiva o no (IFRM mx. o IF mx. respectivamente), ha de ser

mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar
3.- La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser
mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
Material:

Osciloscopio de doble trazo

Generador de seales
Multmetro analgico y/o digital
Una pinza de punta
Una pinza de corte
6 cables caimn-caimn
6 cables caimn-banana
6 cables banana-banana
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro

caimanes
Tablilla de conexiones (Protoboard)
2 diodos de silicio 1N4004 o equivalente
1 diodo de germanio OA81 o equivalente
2 resistencias de 1K a 1/2 watt

Experimentos:
3

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1.- Requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el diodo rectificador y del resistor:
1.- Smbolo del Diodo:

2.- Esquema tpico de uniones del diodo:

Diodos de "Unin Semiconductor-Semiconductor": Son los ms conocidos
(comnmente llamados diodos rectificadores), constituidos por la unin de un
semiconductor dopado tipo-n con un semiconductor del mismo material pero tipo-p
(diodos de unin n-p).

Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky":

Son los primeros que existieron (llamados "diodos de seal"), constituidos por un
metal y un semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar ligados
mediante un contacto puntual o por una unin fsica, como por ejemplo mediante
difusin.

3.- Modelo matemtico del Diodo:

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
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mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y

la diferencia de potencial es:

Dnde:
I: Es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.
VD: Es la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS: Es la corriente de saturacin (aproximadamente

1012 A).

n: Es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que

suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

4.- Modelo grfico (curva caracterstica V-I) del diodo:

5.-

Comportamiento

rectificador del Diodo:

Son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como

paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

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a) Grfica del elemento rectificante (diodo).

6.- Comportamiento resistivo del Diodo

b) Grfica del elemento hmico

7.- Principales parmetro del diodo:

La resistencia en el punto o regin de operacin, de bloqueo (polarizacin inversa), de
conduccin, tiempo de recuperacin inverso, tiempo de recuperacin directo, etc.

8.- Su definicin:
Un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario.
2.- Identificar el comportamiento rectificador de un diodo:

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Armar el circuito mostrado en la figura 1, colocar el diodo rectificador y observar el

comportamiento de ste elemento en el osciloscopio (en modo XY) en la figura 2.a
dibujar la grfica que se obtiene.

Figura 1.a Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificador de un diodo. El voltaje pico de la seal de
excitacin puede elegirse entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

Figura 1.b Grfica (caractersticas elctricas) que muestra el comportamiento rectificador de un diodo

Figura 1

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Figura 2.a Grfica del elemento rectificador (diodo)

Figura 2 grfica que se obtiene en el osciloscopio para el circuito de la figura 1.a, donde V es el voltaje en el
elemento bajo prueba medido en el canal 1 del osciloscopio (canal X), e I es la corriente que circula en el
elemento (corresponde al voltaje en la resistencia mostrada dividido entre el valor de sta resistencia), medida
en el canal 2 (canal Y) del osciloscopio.

Distinguir el comportamiento hmico para diferentes elementos electrnicos,

mediante el uso de un multmetro en su funcin de hmetro.
Cuando un multmetro en su funcin de hmetro, se usa para identificar las
terminales de un dispositivo, requiere que se conozca previamente cul de sus
terminales es positiva (voltaje de la batera interna del mismo) y cul de ellas es
negativa, ya que en base a esto, podremos saber cundo un par de terminales de
algn dispositivo, se polariza directa o inversamente y de esta manera conocer en
forma indirecta el tipo de regiones semiconductoras (P o N), que dicho dispositivo
contiene entre esas terminales. Para saber cul terminal es la positiva y cual es la
negativa en el hmetro, use un multmetro en su funcin de voltmetro, tal como se
ilustra en la figura 3.

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Figura 3 Circuito equivalente de un hmetro analgico y la forma de medir cul terminal es positiva y cual es negativa

Despus de realizar las mediciones que se indican en la figura 3, lleve a cabo las
mostradas en la figura 4 y reporte las lecturas que se indican en la tabla 1. Para
este punto se recomienda al alumno el uso de un multmetro analgico y que elija
la misma escala para la realizacin de todas las mediciones que haga, con el fin
de que pueda hacer una adecuada comparacin entre las lecturas tomadas.
Figura 4. Mediciones que permiten identificar con ayuda del hmetro, el comportamiento rectificante (diodo)

Elemento bajo prueba

Diodo (Comportamiento
rectificante)

Resistencia medida entre

Resistencia medida entre

las terminales T1(+) y

las terminales T1(-) y

T2(-)

T2(+)

1.89 M

Tabla 1. Mediciones de resistencia realizadas con el hmetro para el caso de un resistor y diodo rectificador.

3.- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N), en un diodo rectificador.

Para la identificacin de las terminales de un diodo rectificador, se pueden emplear
diferentes mtodos, se sugiere que se haga usando un hmetro analgico y se
llene la tabla 2. Debido a que un diodo rectificador presenta comportamiento
rectificante, si el nodo se polariza con voltaje positivo (mayor al voltaje de umbral)
con respecto al ctodo, el diodo conduce corriente apreciable, comportndose
como una pequea resistencia (a esto se le conoce como polarizacin directa) y
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cuando se invierte esa polaridad en el diodo, la corriente que circula es

despreciable, comportndose como una resistencia muy grande (polarizacin
inversa). Tomando en cuenta estos conceptos, la polarizacin del hmetro y las
mediciones de la tabla 1 es posible saber en cul terminal est la regin
semiconductora P (nodo) y en cul terminal est la regin N (ctodo) de un diodo
semiconductor.
Diodo

Resistencia medida entre

Resistencia medida entre

las terminales A(+) y K(-)

las terminales A(-) y K(+)

1.89 M
7.28 K

239.6 K

De Silicio 1N4004
De Germanio OA81

Tabla 2. Mediciones de resistencia en un diodo de Si y en uno de Ge. Polarizados directa e inversamente usando la pila
interna del hmetro

Mediante las mediciones repostadas en la tabla 2. Diga: Cul de las terminales

(T1 y T2) corresponde al ctodo y cul al nodo?
R= En los diodos el ctodo corresponde a la lnea que est dibujada en el diodo, y
tomando en cuenta las terminales correspondera a la terminal 1, T1 positiva.
En la figura 5 dibuje con detalle la forma fsica y las indicaciones (letras, nmeros, rayas,
etc.) de cada uno de los diodos, indicando cul de las terminales es en nodo y cul es el
ctodo.
Ctodo

nodo
Figura 5.a Diodo de Silicio

nodo

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Ctodo

Figura 5.b Diodo de Germanio

Figura 5 Dibujos de las presentaciones fsicas e indicaciones de los diodos 1N4004 y OA81

4.- Obtener y comparar la curva caracterstica (V-I), de un diodo rectificador de

silicio y una de germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y
calcular la resistencia esttica y dinmica en la regin directa de conduccin, para
un punto de operacin Q (VD, ID) arbitrario. Armar el circuito de la figura 6, colocar
las terminales del osciloscopio como se muestra (usndolo en su modo XY) y
obtener la curva caracterstica V-I, primero para el diodo de silicio, y
posteriormente para el diodo de germanio, reportar ambas grficas en la figura 7 y
llenar con los datos solicitados la tabla 3

Figura 6.a Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica de los diodos. El voltaje pico de la seal de excitacin
puede estar entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

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Figura 6.b Curva caracterstica de un diodo de Silicio

Figura 6.c Curva caracterstica de un diodo de Germanio

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Figura 7.a Curva caracterstica del diodo de Silicio

Figura 7.b Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 7. Grficas de V-I para el diodo de Si y Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito de la
figura 6.a

Diodo bajo prueba

De Silicio 1N4004
De Germanio OA81

Voltaje de umbral

Voltaje

mx

Corriente

mx

medido en (V)

medido en la curva

medida en la curva

7
7

en (V)
10
10

en (mA)
10
10

Tabla 3. Mediciones de voltaje de umbral y de voltaje corriente para el punto de operacin mximo que permite el circuito
6, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente

5.- Observe y reporte las variaciones que se presentan en la curva caracterstica,

en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores
cuando aumenta la temperatura ambiente
5.1 Utilizando el mismo circuito de la figura 6.a, acercar un cerillo encendido (por
un tiempo no mayor a cinco segundos) al diodo bajo prueba y reportar en la figura
8 lo que observa. Para el diodo de Silicio aumentar la temperatura ambiente
acercando el cerillo encendido el tiempo que sea necesario para que observe
como la curva caracterstica del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se
comporta como una resistencia de algunos cuantos ohms (al aumentar la
temperatura el voltaje de umbral disminuye y la corriente de saturacin inversa
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crece, si este aumento de temperatura es considerable puede hacer que el diodo

se comporte casi como un corto circuito). Despus de observar esto, retirar el
cerillo encendido y esperar que el diodo recupere su caracterstica normal.
Puede suceder que el diodo ya no se recupere, esto significa que ha quedado
daado definitivamente, en el caso de que si se recupere, es preferible ya no
utilizarlo en otras aplicaciones, debido a que en la mayora de los casos en que se
presentan estos

calentamientos excesivos el dispositivo queda con algunas

alteraciones que pueden dar problemas en el momento de su aplicacin en otro

circuito.

Figura 8.a Curva caracterstica del diodo de Silicio

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Figura 8.b Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 8. Grficas de V-I para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito
de la figura 6.a, con un incremento de temperatura
Figura 5.2 Con el diodo que ha quedado daado o afectado por el aumento de temperatura, usando pinzas
con todo cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa como est construido internamente y
con todo detalle dibuje en la figura 9.
Figura 9 Diodo (Construccin Interna)

Cuestionario:
1.- Para la figura 1. Cul elemento presenta comportamiento rectificante? Por
qu?
R: El elemento que se comporta como rectificante es el Diodo, ya que cuando se
polariza el diodo de manera directa solo permite el paso de la corriente en un solo
sentido y si se polariza de manera inversa no permite el paso de la corriente.
2.- Para el circuito de la figura 1, determine: Cul sera la corriente mxima que
podra tener el circuito si usa un voltaje pico de 10V y una resistencia muestreada
de 100?
R: Aplicando ley de Ohm tendramos:

V 10
I= =
=0.1 A
R 100

3.- Establezca un mtodo general para identificar un diodo (comportamiento

rectificante), usando un hmetro:
R: Solo midiendo su resistencia, de esta manera podemos identificar cual es el
nodo y cual el ctodo ya que si presenta una resistencia infinita sabemos que el
positivo del hmetro est conectado al ctodo.
4.- Investigue de qu forma se puede identificar el nodo y el ctodo de un diodo
usando los multmetros digitales y explique
R: En los multmetro digitales de ahora, viene una opcin en la cual cuando
conectamos nuestro diodo de manera directa nos aparece un valor, en cambio
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cuando lo conectamos de manera inversa no nos aparece ningn valor, tomando

en cuenta esto podemos saber cul es nuestro nodo y cul nuestro ctodo.
5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje
umbral. De qu orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que
presenta el diodo?
R: El Diodo no entrar en su etapa conductora, por lo tanto su resistencia ser
infinita.
6.- Determinar el valor de la resistencia esttica en la regin directa de conduccin
(para el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio
como para el de germanio, indique: Cul de los dos presenta mayor resistencia
esttica? (Usando los resultados de la figura 7)
R: Mediante Ley de Ohm, obtenemos que la resistencia para ambos sea
E 10 V
R= =
=5000
.
I 2 mA
7.- Determine el valor de la resistencia dinmica en la regin directa de
conduccin (para el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo
de silicio como para el de germanio, indique: Cul de ellas es mayor? (Usando
los resultados de la figura 7)
R: 3 K, la mayor es la obtenida con ley de ohm de 5K.
8.- Qu parmetro se debera de modificar en el circuito de la figura 6, para
poder observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
R: La amplitud de el voltaje de entrada.
9.- Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje umbral de un diodo
rectificador?
R: Se va acercando a cero el voltaje umbral, el coeficiente de temperatura afecta
de manera significativa al voltaje umbral.
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10.- Cmo es el coeficiente de temperatura de la corriente de fuga de un diodo

rectificador?
R: Ser ms estable.
11.- Explique a que se debe la variacin, en la corriente de fuga de un diodo
rectificador cuando se eleva la temperatura
R: Cuando se eleva la temperatura, los electrones de los materiales N y P
comienzan a liberarse por el exceso de energa por lo tanto producir una
conduccin en la polarizacin directa e inversa.

Conclusiones:
Durante el desarrollo de la prctica se analiz el comportamiento de los diodos
tanto en su forma simblica como su funcionamiento y caractersticas del mismo,
con ayuda de diferentes elementos de medicin y visualizacin como multmetros,
osciloscopio, generador de seales, etc, se midi la continuidad en diodos as
como el voltaje y la resistencia, se observ con ayuda del osciloscopio la forma de
onda que entrega un diodo rectificador de seales. Tomando en cuenta que una
rectificacin de seal es cortar o quitar una polaridad manteniendo un solo ciclo de
polaridad, con ayuda de una lupa y de un encendedor se analiz y observ la
composicin interna de un diodo y al acercar la flama al diodo la seal original se
acercaba a la seal de forma del diodo, dicho fenmeno era evidente. Se
analizaron los tipos de polarizacin de los diodos directa o tambin llamada de
circuito abierto, en dnde no pasa corriente e inversa o tambin llamada de corto
circuito. En general se analiz el comportamiento de un diodo el cual su funcin
primordial es el de rectificar la seal y convirtiendo una seal de CA en CD.

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