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demateri
ales
teor
adeclaseytodalapartedeaprendi
zaj
eautnomo
de carbono.
Enlace Metlico;
Solidos metlicos (pocos electrones en la ultima capa) Nube electrnica comn
-
No direccional
Los electrones tienen libertad ( alta conductividad)
El conjunto de iones positivos de metal queda unido por la nube.
Entre metales (tienen 1, 2 o 3 electrones en la ultima capa, que son fciles de ceder a
un no metal electronegativos, pero si son dos metales los dejan).
n = nmero de tomos
APF =
+3 3
3
FCC
3 = 4
(4 2 ) = 2 + 2
16 2 = 22
22
2
=
=
16
4
3 capas
R ideal = Ri = c/a = 1.633
APF = 0.74 = 74%
R < Ri (Esferas achatadas)
R > Ri (Esferas alongadas)
Materiales:
Monocristalinos
Policristalinos
Se forman a partir del cambio de estado de liquido a solido. Estn formados por
granos, que cada uno tiene una orientacin, al unirse entre ellos forman cantos
o limites.
Es el resultado del crecimiento simultneo de cristales a partir de mltiples
puntos de nucleacin. (Muchos ncleos [embriones] que crecen de manera
diferente hasta que se encuentran los vecinos, donde se forman los limites)
El tamao del grano condiciona las propiedades del material, las zonas donde
se tocan los granos se llaman fronteras de grano o limites de grano. Aqu hay
tensiones. A un cido le cuesta ms atacar estas zonas.
Tipos de Imperfecciones
Puntual
Vacantes, intersecciones vacas, impurezas
Lineal
Dislocaciones
Superficial
Superficie de cristal, fronteras de grano, interfases
Volumtrica
Poros, fisuras, fase no cristalina
Defectos puntuales:
Defectos lineales:
Dislocaciones:
Defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada alrededor de una
lnea.
Creadas durante la solidificacin de slidos cristalinos o por deformacin
plstica.
Fronteras de Grano: son las zonas donde se tocan los granos. Aqu hay
tensiones. A un acido le cuesta ms atacar estas zonas.
Macla: pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica de dos partes de el
interior de un grano. Dentro de un grano se aplica un esfuerzo cortante que
puede desplazar los tomos levemente.
Variaciones en la secuencia de acopio
Difusin estacionaria
Mecanismos de difusin:
Energa de activacin en la difusin.
Difusin no estacionaria
2
= 2
Explica la tendencia de
la concentracin
= 1
2
FORMULARIO
10
Formula de Arrhenius:
-
[]
11
Diagrama Fe C
Fe () BBC
912C Fe () FCC
12
Es ms fcil hacer saltar tomos o planos uno a uno (Cremallera) que todos de golpe.
Como una oruga, no hace falta crear una dislocacin, sino que tenemos que comenzar
el movimiento de una ya existente.
13
Tipos de Dislocaciones:
-
Cua
Helicoidal
Mixta
Deformacin policristalinas
Deslizamiento: si tiene muchos planos compactos b (distancia del movimiento) en
todos los tomos es igual.
Maclado: si tiene pocos planos, cada tomo recorre una b diferente. El maclado se
hace fundamentalmente en HCP i BCC. B: es una distancia proporcional al plano de
macla.
Propiedades Mecnicas
-
Dureza
Resistencia
Limite Elstico
Tenacidad
Resistencia al impacto
Ductilidad (capacidad de deformacin)
Mecanismos
1. Reducir la medida del grano (aumentan las fronteras)
a. Cada frontera acta como una barrera de dislocacin a las distracciones.
Contra ms pequeo sea el grano, ms granos y fronteras de grano
habr. (Esto aumenta la RESISTENCIA y la DUREZA).
14
Laminacin
Embuticin
Prensa
Estiramiento / Rehilamiento
Curva
Extrusin
Plegadora
15
Reaccin de oxidacin
o Un metal M con valencia n se oxida al perder sus electrones de valencia
segn la siguiente reaccin:
Ejemplo:
M Mn++neFe Fe2++2eAl Al3+ +3e-
16
Reaccin Redox
Disolucin cida con elevada concentracin de iones de hidrgeno
2H+ + 2e- H2 (gas)
Zn Zn2+ + 2eZn + 2H+ Zn2+ + H2 (gas)
[red]
[ox]
[Total]
Potenciales de electrodo
1V = 1J / 1C
(nodo)
FeFe2++2e-
(Ctodo)
(nodo)
(Ctodo)
Cu2+2e-Cu
ZnZn2++2e-
Fe2+2e-Fe
PODER REDUCTOR
PODER OXIDANTE
18
Potenciales de electrodo
M1M1n++neM2n++ne- M2
.
n+
n+
M1+M2 M1 + M2
V0 = V20 V10
Formula del potencial en funcin de T (Ecuacin de Nernst)
[+
]
+
[ ]
(0.0592 )
19
Serie Galvnica
Reactividades y voltajes en agua salada.
Comparativa de valores
20
Velocidad de Corrosin
Velocidad de penetracin de la corrosin (perdida del grosor del material por
unidad de tiempo).
[]
=
[]
W: masa perdida
t: tiempo
: rea de muestra
k: constante
n: nmero de electrones
i: densidad de corrosin
F: constante de Faraday
Polarizacin de activacin
Algunas reacciones electroqumicas son muy lentas, y
requieren una cierta energa de activacin (la etapa ms
lenta controla el proceso)
1.
2.
3.
4.
Polarizacin =
-
i: densidad de la corriente
io: densidad de la corriente de
intercambio
21
Si las velocidades de reaccin son altas y/o las concentraciones de H+ son bajas, se
limita la difusin del H+ en la intercara y aparece una zona de agotamiento. Se dice
que el sistema est polarizado por concentracin.
22
Pasivacin (Pasividad)
Algunos metales y aleaciones normalmente activos, en condiciones ambientales
particulares, pierden reactividad qumica y se convierten en extremadamente inertes
(pasividad). Este comportamiento pasivo resulta de la formacin, en la superficie del
metal, de una pelcula muy delgada de oxido altamente adherida que acta como
barrera protectora contra una posterior corrosin.
Hacer que no reaccione un elemento (tipos acero inoxidable).
Primera etapa donde se oxida el elemento, si se sube el potencial.
A potenciales relativamente bajos,
dentro de la regin activa, el
comportamiento es lineal, como el de
los metales normales. Incrementando
el potencial de corrosin, la densidad
de la corriente desciende bruscamente
a un valor muy bajo y permanece
independientemente del voltaje: es la
regin nombrada pasiva. Finalmente,
a valores de potencial ms elevados,
la densidad de la corriente incrementa
de nuevo con el aumento del
potencial en la regin transpasiva.
23
24
Proteccin catdica:
o nodo de sacrificio: se engancha a la tubera de acero que se quiere
proteger a un nodo de magnesio.
Galvanizado:
o Se consigue con un bao de Zn.
o Por mtodo electroltico.
Oxidacin
25
Tipos de oxidacin
Relacin entre los volmenes del oxido y del metal (Pilling-Bedworth)
=
Ao: peso molecular del oxido.
AM: es el peso atmico del metal
o y M: son las densidades respectivas del oxigeno y del metal.
Cintica
Relacin parablica (protector)
Relacin lineal (no protector)
Relacin logartmica (protector)
26
V=RI
o Donde:
V: diferencial de potencial
R: resistencia elctrica
I: intensidad de la corriente
Forma diferencial = J
o Donde:
E: intensidad del campo elctrico
P: resistividad elctrica
J: densidad de la corriente
Resistividad elctrica:
-
= R
o
Como V = R I
[m]
Conductividad elctrica
o
[m]-1 = S/m
27
Teora de Bandas
-
28
Definiciones
Banda de valencia: aquella que contiene los electrones de valencia.
Banda de conduccin: aquella inmediatamente superior a la de valencia.
Banda de intervalo prohibido: es la banda que est entre la banda de valencia y la de
conduccin y para materiales aislantes es muy ancha y para a semiconductores es
estrecha.
Energa de Fermi:
-
Posibilidad 1:
o Sodio 11Na (1s2 2s2 2p6 3s1). Al tener la banda 3s1 a medio llenar, el
sodio es conductor. Pasa lo mismo con los de su columna en la TP (Li, K,
Rb, Cs).
o Estructura de bandas de un conductor 1.
Banda de valencia parcialmente llena
Tpica de metales s1.
Energa de Fermi en la banda de conduccin.
29
Posibilidad 2:
o Siguiendo el razonamiento, el Magnesio 12 Mg(1s22s22p63s2) debera de
ser un aislante, al tener una banda 3s llena. En cambio, un nuevo
fenmeno sucede
o Estructura de bandas de un conductor 2
Solapamiento de bandas:
Valencia
Conduccin
o Por lo tanto, es un conductor.
Energa de Fermi en el solapamiento de bandas.
Aislante
En los aislantes, la banda de valencia esta llena y separada de la banda de conduccin
por un intervalo prohibido suficientemente ancho para que los electrones no puedan
ser desplazados por diferencias de potencial pequeas.
30
Semiconductores
En los semiconductores, la banda de valencia esta llena y separada de la banda de
conduccin por un intervalo prohibido menor que en los aislantes, de manera que una
cierta cantidad de electrones de la banda de valencia, pueden llegar a la conduccin si
poseen suficiente energa. Pero adems, su conductividad puede regularse, ya que hay
suficiente con disminuir el campo elctrico aportado para que sea menor o mayor.
Estructura de bandas
o Zona de energa prohibida
Entre la banda de conduccin (vaca) y la banda de valencia
(llena).
o Energa de Fermi en el intervalo prohibido de energa
o Los electrones pueden cambiar de banda por activacin:
Trmica
Elctrica
Definiciones:
-
Efecto libre (electrn libre): Electrn con energa superior al nivel de Fermi.
o Puede ser acelerado por un campo elctrico puede inducir corriente.
Hueco: Falta de un electrn con un campo elctrico, que disminuye el nivel de
Fermi.
o Puede ser acelerado por un campo elctrico puede conducir
corriente.
El salto de un electrn crea un hueco que a la vez puede ser ocupado por otro
electrn de tal manera que la conductividad elctrica esta en funcin directa del
nmero de huevos y electrones libres y determina los aislantes, conductores y
semiconductores.
31
Conduccin en conductores
Cualquier energa puede activar un electrn por encima del nivel de Fermi (no en el
intervalo prohibido).
Movilidad electrnica
-
Centros dispersos
Contrarrestan la aceleracin del campo elctrico.
Pueden ser:
Vibraciones trmicas (fonones)
Defectos de la red (que hace bajar la conductividad)
Impurezas
Vacantes
Intersticiales
Dislocaciones
= = ||
:
:
:
:
:
:
32
:
:
:
:
Metales polifsicos
Depende de la distribucin
Hay valores entre:
= +
= +
Influencia de la temperatura
Aumenta la dispersin por vibraciones y vacantes
= +
33
Condicin inica
o Debida a iones
Aniones
Cationes
o Movilidad inica
Donde:
:
:
:
:
:
Conductividad total
= +
Conductividad en polmeros
o Suelen ser aislantes
o Polmeros conductores
Conductividad similar a los semiconductores.
Aquel que debe su conductividad a las impurezas
La concentracin de impurezas puede ser de orden ppm
(partes por milln).
34
Propiedades elctricas II
Se pueden clasificar en
o Intrnsecos
o Extrnsecos
En un semiconductor puro (Intrnseco) el nombre de electrones en la banda de
conduccin (libres) es igual al nombre de huecos en la banda de valencia.
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, le aadimos un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos triviales o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est dopado. Las
impurezas se pueden o no substituir por el correspondiente a el tomo del
semiconductor intrnseco en su estructura cristalina.
Semiconductores Intrnsecos
Conductividad intrnseca
Como
= || + ||
n: nmero de electrones
: nmero de huecos
: movilidad de electrones y huecos
: carga elctrica del electrn
n=p
= ||( + ) = ||( + )
35
Semiconductores extrnsecos
36
Conductividad intrnseca
o
= 2
37
||
: Conductividad
= | |
38
La mayor parte de los condensadores llevan entre las laminas una substancia
no conductora o dielctrica.
La funcin de un dielctrico slido colocado entre las lminas es triple.
o Resuelve el problema de la mecnica de mantener dos grande lminas
metlicas a una distancia muy pequea sin contacto.
o Consigue la diferencia de potencial mxima que el condensador es
capaz de resistir sin que salte la chispa entre las placas (ruptura
dielctrica).
o La capacidad de un condensador de dimensiones dadas es varias veces
ms grande que con un dielctrico que separe las laminas que estas
estuvieran en el vaco.
39
Capacidad de un condensador
Vaco:
A: rea de placas
L: distancia entre placas
: permeabilidad del vaco (8.8510-12 F/m)
Dielctrico
>
Permeabilidad relativa (constante dielctrica)
Condensador plano
=
( )
40
Campos y polarizacin
Un dipolo elctrico es un sistema formado per dos cargas q i q, separadas por p.
El momento dipolar p (p = qd) direccin y sentido de la q q.
Existen un par de fuerzas sobre el dipolo que tienden a alinearlo con el campo elctrico.
El proceso de alineamiento se llama polarizacin.
En el caso del condensador, la densidad de la carga superficial inducida. Do esta cerca
al campo elctrico.
En el caso del Vaco:
Tambin:
= ( )
= ( )
= +
P: polarizacin = ( )
Polarizacin
41
Tipos de polarizacin
Rigidez dielctrica
Un campo elctrico da lugar a pequeos desplazamientos de q ligados en las molculas
del dielctrico.
Si el campo es muy fuerte puede excitar los electrones de las molculas que se
aceleran pueden convertir el dielctrico en conductor (Este fenmeno es la ruptura
dielctrica).
La intensidad mxima del campo elctrico que puede resistir un material dielctrico sin
que se produzca ruptura es la rigidez dielctrica.
42
Fabricacin de condensadores
Detectores de infrarrojos
Generacin y deteccin de ultrasonidos
Piezoelectricidad
Para que la materia presente la propiedad de la piezoelectricidad ha de cristalizar en
sistemas que no tengan centro de simetra (que posean disimetra) y por tanto que
tengan un eje polar.
En el fenmeno de la piezoelectricidad al explicar una tensin mecnica Z, cambia la
polarizacin elctrica del material generndose un campo elctrico (aparicin de cargas
a la superficie del material). Tal y como se muestra en la figura, la tensin mecnica
cambia el centro de gravedad de la carga negativa y positiva produciendo un cambio
en el momento dipolar.
El efecto contrario tambin se da al aplicar un campo elctrico, aparece una
deformacin mecnica en el cristal.
43
Aplicaciones
44
[C]
A bajas temperaturas: 3 .
A altas temperaturas: 3.
Valor Umbra, nombrado temperatura de Debye, donde se estabiliza de manera
independiente de la temperatura a un valor C = 3R.
A temperatura ambiente, 25
0
0
= ( 0 )
O bien como:
o
45
Conductividad trmica
K: unidades (W/mK).
L=
).
2
: Conductividad elctrica.
En los metales con impurezas, se produce una reduccin de la conductividad
trmica como de la elctrica.
46
o : Tensin inducida.
o E: Mdulo de elasticidad.
o l: Coeficiente de dilatacin lineal.
Se generan tensiones por gradiente de temperatura.
Resistencia al choque trmico: capacidad de resistir la fractura producida
por las tensiones trmicas.
Tensiones residuales en un material frgil. Se pueden prevenir reduciendo
las velocidades de enfriamiento y calentamiento.
47
Definicin
o Dos cargas magnticas iguales y de signo contrario separadas por una
cierta distancia.
o No hay cargas magnticas solas.
Dipolo magntico.
Dipolo Elctrico.
Campos magnticos
48
Donde
H: Intensidad del campo magntico
[H] = A/m
N: Nmero de espirales
: Intensidad de la corriente
: Longitud de la bobina
Induccin magntica (B)
Donde
B: Induccin magntica o densidad de flujo magntico
[B] = T (Tesla)
H: Intensidad de campo magntico
Permeabilidad magntica
Donde
B: Induccin magntica o densidad de flujo magntico
H: Intensidad de campo magntico
: Permeabilidad magntica
[] =
49
Magnetizacin
Susceptibilidad magntica
= = 1
Donde:
M: Magnetizacin
H: Intensidad de campo magntico
m: Susceptibilidad magntica
Momentos magnticos
50
Formas de magnetismo
Diamagnetismo
Paramagnetismo
M>0
51
Susceptibilidades magnticas
Ferromagnetismo
Fcil alineacin de los dipolos permanentes con el campo magntico aplicado, debido a
la interseccin de intercambio al refuerzo mutuo de los dipolos.
tomo con dipolo magntico alineado Rotacin de dominios
Grfico comparativo
52
Ferrimagnetismo
Antiferromagnetismo
Momentos contrapuestos de igual valor Magnetizacin nula.
Propiedades magnticas II
Definicin
o Zona con igual orientacin de dipolos magnticos.
o Los materiales ferromagnticos macroscpicos estn compuestos de un
gran nmero de pequeas regiones o dominios magnticos.
La relacin existente entre electricidad y magnetismo se utiliza por la escritura
o lectura digital.
Pared de dominio o pared de Block
o Zona de transicin de dos dominios magnticos
53
Magnetizacin de un ferromagntico
Otros ciclos
55
Influencia de la temperatura
Magnetizacin de saturacin frente la temperatura
Temperatura de Curie (Tc)
Materiales magnticos
56
57
Propiedades
Donde
= =
Donde
E: Energa de los fotones.
h: Constante de Planck 6.6310-34 Js.
Translaciones elctricas
Absorcin:
La porcin del haz incidente que no esta reflejada por el material es absorbida
o transmitida a travs del mismo.
La fraccin de luz absorbida esta relacionada con el espesor del material y la
forma en la cual los fotones interactan con su estructura.
La absorcin puede ser consecuencia de una excitacin electrnica directa
desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin, o puede producirse a
travs de niveles energticos intermedios ocasionados por la presencia de
impurezas o defectos.
59
Sin impurezas:
El valor del intervalo Eg determina si hay absorcin para una
determinada frecuencia de radiacin; si la energa E supera Eg
hay absorcin y el material es opaco.
Con impurezas:
Luminiscencia
Si el fotn emitido es visible.
Tipos:
o Fluorescencia: tiempo de emisin < 1s.
o Fosforescencia: tiempo de emisin > 1s.
60
Transmisin:
Transparente:
o Deja pasar la luz sin alterar.
Translcido:
o Deja pasar la luz pero no las imgenes La desva al azar.
Opaco:
o No deja pasar la luz.
=
Refraccin:
Definicin:
o Cambio de direccin de un haz debido al cambio de velocidad de
propagacin.
Donde
: Permeabilidad.
: Permitividad.
ndice de refraccin:
o
o
Ley de Snell
o Cuando la luz pasa de un material a otro material, la relacin de las
velocidades entre un medio y otro es proporcional al cociente de sus
ndices de refraccin.
1 sin(1 ) = 2 sin(2 )
61
Reflexin
Mecanismos:
En incidencia perpendicular: = (2 +1 )2
Ecuacin de equilibrio: + + =
Color
62
Deformacin Lineal: =
Cizalla
Traccin
Compresin
Deformacin Lineal: =
Torsin
Tensin (Esfuerzo): =
Deformacin Lineal: =
Ensayo de Traccin
Cizalla
Torsin
Valor de Normalizacin =
Proceso
63
Dimetro Inicial (Do), Longitud Inicial (Lo); Dimetro Final (Df), Longitud
Final (Lf).
F(N)
L(mm)
(MPa)
F(N)/So(mm2)
-
e(mm)
L(mm)/Lo(mm)
-
Lmite Elstico
Deformacin Elstica
Tramo Elstico: Todo aquel material que al quitar la carga recupera las dimensiones
iniciales. En el grafico, una correlacin lineal o casi lineal, entre las tensiones axiales
y las deformaciones unitarias e, mantienen una correlacin lineal y directa entre
tensiones , y deformaciones e.
64
Ley de Hooke:
=
= ()
Ensayo de Cizalla
: Esfuerzo de Cizalladura.
: Deformacin de Cizalladura.
Mdulo de Cizalladura:
=
( )
Coeficiente de Poisson
Deformacin Transversal:
Deformacin Longitudinal:
= 2(1 + )
65
Deformacin plstica
Resistencia a la traccin
La tensin mxima m es la denominada resistencia a la traccin.
66
Ductilidad
(2 indicadores para saber lo deformable que es un material
(aleacin)).
Alargamiento porcentual (proporcional):
Estriccin:
(%) =
0
100
0
(%) =
0
0
100
=
0
= = =
2
2
=
= (1 + ) = ln(1 + )
Tensin: =
0
: Valor real
e: Valor nominal
67
Dureza
Resistencia a la ralladura, capacidad de rallar otro material (deformacin permanente).
En el ensayo de dureza se mide la resistencia a la deformacin de los materiales
midiendo la medida de una identacin realizada a una carga determinada.
68
Ensayos de Dureza
Rockwell
Se utiliza un durmetro. Es un mtodo ms universal por ser frgil y rpido.
Rockwell Superficial: La carga menor es de 3Kg, mientras que el valor de la carga
mayor puede ser de 15.30 o 45Kg. Estas escalas se identifican mediante un nombre
(15,30 o 45, segn la carga) y una letra (N, T, W o Y, segn el penetrador). Los
ensayos superficiales se realizan frecuentemente en probetas delgadas.
Rockwell normal: La carga menor es de 10Kg, mientras que las cargas mayores son de
60, 100 y 150Kg.
Penetrador:
El ensayo no mide la marca, sino la profundidad. Tiene una relacin material, escala,
penetrador y carga. Se utiliza una precarga, que es una pequea fuerza inicial que
aumenta la exactitud de medida.
69
Brinell
Penetrador:
2
0.102
2 2
W: Tipo de metal
F[N]; d y D [mm]
[] []
Aplicacin Industrial
Metales Blandos (Cu, Al, Pb)
Metales Semiduros (Fe, Aleaciones, Aceros)
Metales Duros y Microdurezas
Conversin de Durezas
Rockwell C (con Diamante)
Rockwell B (sin diamante)
A continuacin podemos ver una imagen en la que sale la relacin entre las escalas de
dureza de los materiales. En la parte derecha vemos la Escala de Mohs que va del
Talco al Diamante.
70
Correlacin Dureza-Resistencia
Resistencia a la Traccin TS (MPa):
= 3.45
71
Fractura
La fractura se crea con una grieta que crece. La tendencia hacia a una fractura frgil:
Dctil
Frgil
72
Fractura Dctil
Forma tpica de ruptura de las muestras a traccin de materiales dctiles.
Fractura Frgil
Mecanismos de Fractura:
Los materiales frgiles se rompen por clivaje (descohesin transgranular) o por
fractura irregular. Las superficies de fractura son planas (poca o nula deformacin
plstica).
73
Concentracin de tensiones
1
= 2( )2
0
74
75
Teora de Griffith
Donde:
-
Energa de Fractura
La grieta, se propaga si la energa subministrada al sistema es ms grande que
la gastada en el proceso de propagacin.
+
:
Formas de fractura
Tres posibles orientacin con fuerzas uniaxiales, respeto a la direccin de propagacin
de la grieta conocidas como formas de fractura. Por lo tanto, hay tres valores de
tenacidad de fractura, una per cada forma. No obstante, el MODO 1 de fractura genera
las situaciones siguientes:
(, )
76
Tenacidad a la fractura
K: Factor de intensidad de tensiones. Estima el nivel de tensiones alrededor de la
punta de la grieta.
=
[]
c: Tensin critica.
1 2
( )
Con una tenacidad dada podemos tolerar hasta a un valor crtico (de semiestructura).
Ensayos de rotura por impacto
78
Transicin Dctil-Frgil
.
Fractura Dctil
(Coalescencia de microhbitats)
Fractura frgil
(Descohesin)
79
Fatiga
Intervalo de tensin:
Amplitud de tensin:
Relacin de tensiones:
+
2
=
=
=
2
2
=
2. Propagacin estable
a. Dos subetapas.
i. Propagacin muy lenta a travs de planos de elevada
tensin o traccin.
ii. La grieta se reorienta en direccin perpendicular a la
tensin aplicada.
b. Mediante tcnicas de fractografa se puede analizar la
superficie de fractura en la que aparecen dos tipos de marcas.
i. Marcas de playa (macroscpicas) en
semicrculos. Cada marca de playa
representa un periodo de tiempo en el que
pasa la propagacin de la grieta.
ii. Estras (microscpicas).
81
Termofluencia
82
Explicacin de la curva
Al aplicarse la carga se produce una deformacin instantnea, tal como se indica en la
figura, la cual es principalmente elstica. La curva resultante de la termofluencia
presenta tres regiones diferentes, cada una de las cuales tiene sus propias
caractersticas. La fluencia primaria o transitoria pasa en primer lugar, y se caracteriza
por una velocidad de fluencia decreciente, es decir, el pendiente de la curva disminuye
con el tiempo. Esto sugiere que el material esta experimentando un aumento de su
resistencia a la fluencia, o sea, endurecimiento por deformacin, ya que la deformacin
se hace ms difcil a mediad que el material se deforma. En la fluencia secundaria,
algunas veces nombrada fluencia estacionaria, la velocidad es constante; o sea, la
grafica se hace lineal. A menudo este estado es el de ms larga durada. El hecho que
la velocidad de fluencia sea constante se explica sobre la base de un balance entre dos
procesos que comparten, como son el endurecimiento por deformacin y la
restauracin. Pero este ltimo proceso, el material se hace mas blando y retiene su
capacidad por experimentar deformacin. Finalmente a la fluencia terciaria, se produce
una aceleracin de la velocidad de fluencia y la ruptura final. Este tipo de ruptura se
denomina frecuentemente ruptura y se produce debido a cambios microestructurales
y/o a cambios metalrgicos. Tambin en el caso de fuerzas de traccin, se puede
formar una estriccin en algn punto de la zona de deformacin. Todo esto resulta en
una reduccin del rea de la seccin recta efectiva y en un aumento de la velocidad de
deformacin.
Influencia de la tensin y de la temperatura
T3>T2>T1
3>2>1
= 2
83
Parmetro de Larsson-Miller
= ( + log( ))
Hay varios factores que afectan a las caractersticas de la fluencia de los metales. Entre
estos se han de decir la temperatura de fusin, el mdulo elstico y la medida del
grano. En general, contra ms grande sean las temperaturas de fusin, el modulo de
elasticidad y la medida del grano, mayor es la resistencia a la fluencia de un material.
Los aceros inoxidables, los metales refractarios y las superaleaciones son
especialmente resistentes a la fluencia y son utilizadas en aplicaciones a temperaturas
elevadas. La gran resistencia a la fluencia de las superaleaciones de nquel y cobalto se
producen por aleacin por disolucin solida, y tambin mediante la adicin de una fase
dispersa, la cual es virtualmente insoluble en la matriz.
84
85
Equilibrio de fases
o Diagrama en equilibrio
Las fases son constantes en el tiempo.
El enfriamiento es lento.
o Diagrama en no equilibrio
Las fases no son constantes en el tiempo.
El enfriamiento es rpido.
Sistemas binarios
86
L
Lnea L: Lnea lquidus (por
encima solo hay liquido)
Lnea S: Lnea slidus (por
debajo solo hay solido)
Porcentaje de la fase =
100
36% 18%
100 = 56.25
50% 18%
50% 36%
100 = 43.75%
50% 18%
87
Diagrama de Fase II
L S1+S2
Isoterma EUTCTICA:
L A+B
C. Hipo
C. E
C. Hiper
89
Capas de i intercaladas.
90
1: composicin
2 i 3: puntos intermedios
4: composicin
91
Isoterma Eutectide
S1 S2+S3
Reaccin peritectica
Isoterma peritectica
L + S1 S2
REACCIONES
Reaccin
Diagrama
Ecuacin
Eutctica
L S1 + S2
Eutectide
S1 S2 + S3
Peritectica
L + S1 S2
Peritectoide
S1 + S2 S3
92
Diagrama Fe-C
Fe () Magntico
Fe () no Magntico
Fe () No Magntico
Fe () No Magntico
Austenita ()
Ferrita ()
Aceros
Fundiciones
Cementita (Fe3C)
93
o
o
Reaccin Peritectica
o
Lquido (4.3%C)
Reaccin Eutectide
o
Reaccin Eutctica
o
y(0.77%C)
727C
1495C
1495C
y(0.17%C)
y(2.11%C)+Fe3(6.69%C)
(0.22%C)+Fe3C(6.99%C)
94
(Ledeburita)
Aceros Hipereutectoides
o El enfriamiento desde el campo y de aceros a
carbono, de composicin comprendida entre
0.77 y 2.11% en peso de carbono, origina
transformaciones y microestructuras analgicas.
o La Cementita se llama Cementita Proeutectoide
porque se forma antes de la reaccin Eutectide.
La composicin de la Ledeburita sigue constante
(6.70%C) al variar la temperatura.
95
Transformaciones de Fases
Austenita
Enfriamiento
Lento
Enfriamiento
Rpido
Carbono se
difunde
Carbono no se
pude difundir
Hierro se
reordena a BCC
96
Resumen
97
Hipoeutectoide
Eutectide
Hipereutectoide
98
En Hipereutcticos
o Austenita Revenida: Cuando no hay un 100% de Martensita
Martensita + Austenita Revenida
o Cementita Proeutectoide + Martensita + Austenita Revenida
o Bainita superior
o Cementita Proeutectoide + Perlita Gruesa
o Cementita Proeutectoide + Bainita superior + Martensita + Austenita Revenida
(1)
(2)
APRENDIZAJE AUTNOMO
POLMEROS
Molculas polimricas
Las molculas de los polmeros son gigantescas comparadas con las molculas de los
hidrocarburos hasta ahora discutidas. A causa de su tamao se denominan
macromolculas. Dentro de cada molcula, los tomos estn unidos mediante
enlaces interatmicos covalentes.
Estructura molecular
Las caractersticas fsicas de un polmero no solo dependen del peso molecular y de la
forma, sino que tambin dependen de las diferencias en la estructura de las cadenas
moleculares. Tipos de estructuras moleculares:
Polmeros lineales
En un polmero lineal las unidades monomricas se unen unas a otras formando
cadenas sencillas. Estas largas cadenas son flexibles y se comportan como una masa
de fideos. Estas cadenas pueden unirse entre si por fuerzas de van der Waals.
Polmeros ramificados
Se sintetizan polmeros cuya cadena principal esta conectada lateralmente con otras
cadenas secundarias. Son los llamados polmeros ramificados. La densidad del
polmero disminuye.
Polmeros entrecruzados
En los polmeros entrecruzados, cadenas lineales adyacentes se unen
transversalmente en varias posiciones mediante enlaces covalentes. Muchos de los
materiales elsticos de caucho estn entrecruzados.
Polmeros reticulares
Las unidades monomricas trifuncionales, que tienen tres enlaces covalentes activos,
forman redes tridimensionales en lugar de las cadenas lineales generadas por las
unidades monomricas bifuncionales. Estos polmeros se denominan polmeros
reticulados.
la cual las cadenas se orientan. Esto hace que la resistencia aumente localmente y, por
consiguiente, en ese punto hay ahora una oposicin a que la deformacin contine.