3.

2,2 Succesiunea etapelor de ob\inere

Procesul de prelucrare

plachetelor

placheteior de

ele

siliciu

siliciu porne$te de la semifabricatul

reprezentat de lingoul de siliciu monocristalin gi constd in urmdtoarele etape:

05. Eliberare semifabricat + CTC (Fig. 3.7);
10. glefuire cilindricd exterioard (de rotunjire)
la diametrul neccsar:
15. Prelucrarea, prin glefuire pland, a ,,fla|-

urilor" in lungul cilindrului;

20. Debitarea lingoului de siliciu in plachete

(Fig.3.8);
25. $lefuirea plan-paraleld (Fig. 3.9);
30. $lefuirea pe contur;
3

Fig. 3.7 Semifabricat tip bara de siliciu

rnonocristalin. avAnd diarnetrul 3+ I 2
inches gi lungimea de cctiva metri.

5. Degresare-decapare;

40. Corodare chimic6;

IMino00]

45. Polisare mecano-chimicd;

50. Debiocarea plachetelor qi curdfirea chimicd:
55. Control tehnic:
60. Acoperire cu un strat protector;
65. Ambalare sub vid:

$lefuirea

cilindrici exterioarl a lingoului

de siliciu monocrstalin are ca scop oblinerea

A prevdzut in desenul de
Se realizeazd pe principiui

diametrului

execulie.

Fig. 3.8 Dispozitiv de debitare

siliciLr in plachete [Mino00]

barei de

rectificdrii cilindrice exterioare. cu sau fhrd

maleriahzarea centrelor, utilizAnd ca scul6
un disc diamantat. Toleran{a la diametrul
prelucrat

este

IsS

1,5pm.

Prelucrarea flat-urilor principale

Ei

secundare in lungul cilindrului oblinut de la

prelucrarea anterioard. Constd intr-o ;lefuire
plani realizatA cu o sculd diamantatS, pe

principiul rectific[rii suprafetelor

plane.

Operalia de glefuire a flat-urilor alterneazd cn

cea de control
18

al pozifiei fald de refeaua

Fig. 3.9 glefuirea plan-paraleld

plachetei de siliciu [Mino00]

cristalina (controlul este realizat prin difracfie electronicd, cu ajutorul unui

goniometru cu raze X) 9i de orientare in dispozitivul de prindere, Toleranta la l6time a
flat-urilor este limitatd la Ii< 1,5pm.
Debitarea lingoului de siliciu

in

plachete. Se utilizeazl un disc diamantat prin

galvanostegie. Lingoul este blocat cu rdgind epoxidicd pe un suport de grafit iar in

timpul procesului de debitare se urmdreqte orientarea cristalograficd a suprafefei

plachetei cu ajutorul unui sistem eD raze X. in timpul prelucrdrii, atdt iingoul cat qi
scula sunt rdcite in permanenld cu un jet de ap6. Lichidul de rdcire are dou6 roluri: de
a evita supraincdlzirea locald gi de a indepdrta reziduurile rezultate in urma t6ierii.
Magina de debitat lucreazd in ciclu automat, cu programarea urmdtorilor parametrii:

limitele de t6iere (de exemplu pachete de 30 de plachete); dupd debitarea fiecdrui

pachet se verifici curbura lingoului. grosimea, curbura pi starea suprafe{ei ultimei
plachete;

turalia discului: 2100 rotimin:

viteza de avans

a lingoului: 10 + 20 mm/min (= 0,005 + 0,01 mm/rot); se

urmAre$te ca stratul superficial perturbat s6 fle c6t mai mic.

cu toate acestea, in urma prelucrdrii rezultd un strat superficiai cu defecte, cu o

grosime de : 50 + 125 pm, care trebuie indepdrtat prin prelucrdri ulterioare.

Grosimea de tdiere, care este datd de rela{ia: g

a + b, unde a rcprezintd grosimea

: 0,2 + 0,3 mm, in

plachetei debitate iar & este grosimea discului de debitat (b

functie de diametrul discului)

Se face mentiunea cd grosimea finald a plachetelor se stabileqte propor,tional cu

diametrul, astfel inc6t plachetele sd reziste cdt mai bine la defbrmdrile elastice qi
plastice pe care le vor sui'eri in timpul proceselor termice. La aceastd grosime

finali

se prevede un adaos de prelucrare de mdrimea

stratului superficial perturbat.

Desprinderea plachetelor de pe suport, degresarea - decaparea. Desprinderea de

pe suportul de grafit se face cu apd calda, procesul fiind urmat de indepirtarea
urmelor de rdqina prin degresare - decapare. Pentru aceasta, plachetele sunt introduse
in..co$ulete" de polipropilena gi imersate in bdi. respectdnd urmdroarea succesiune
[Anto95]:

imersare in detergent cald in regim ultrasonic;

spdlare

cujet

de apa calda;

imersare in amestec sulfocromic (amestec de acid sulfuric qi anhidrid[ cromica), la

80"c;

spdlare cu apd deionizata;

imersare in acid azotic in regim ultrasonor;

spdlare cu apa deionizatd;

imersare in alcool;
uscare in vaPori de freon.

Trecerea la operafia urmdtoare are ioc numai dupd controlul dimensional al

plachetelor. Acesta constd in clasarea 1or pe grosimi cu abateri in intervalul t 10 pm
gi eliminarea plachetelor care nu se incadreazd in intervalul de toleranti.

'

$lefuirea plan-paraleld. Operalia

se executd

in mai multe scopuri:

reducerea grosimii plachetei pAna la valoarea inscrisd pe desenul de execu{ie gi

incadrarea ei intr-un anumit interval de toleranld (Fig. 3.5);

inclepdrtarea stratului ecruisat in timpul operaliei precedente (debitare);

obtinerea unei planeitdfi uniforme a suprafelelor placlietei, in limitele a 3-5 pm;

oblinerea condiliilor de paralelism dintre suprafelele plachetei, inscrise pe desenul

de execulie (Fig. 3.5);

asigurarea preciziei
suprafafd

zgdrieturi

pi

acurate{ei suprafelelor

care ar reprezenta imperfecliuni nedorite in placheta de

prin eliminarea defectelor

de

siliciu.
Operafia de glefuire plan - paraleiS are loc pe principiul lepuirii plane mecanice
[Diac85]. Plachetele sunt prelucrate simultan cu doua scule confeclionate din fontd,
av6nd suprafala activd intrerupti de canale in arc de cerc. pentru eliminarea adaosului
de material gi a surplusului de materiai abraziv. Aceasti caracteristicd imbundta{eqte

precizia de prelucrare Ei sondiliile de lucru. Corectitudinea pozi{iei reciproce a

sculelor este asiguratd din construclia maqinii, Pentru prelucrarea mecanicd propriuzisd este utilizat un mecanism (Fig.3.10) cu discurile 1 9i 3 in formd de coroand
circulard (care reprezintd platanele-sculb, superior qi inferior) gi colivii (in care sunt
amplasate plachetele 2), ca satelifi ai unui mecanism planetar. Antrenarea coliviilor
se face prin intermediul unui angrenaj dublu cu bolpri. Aceastd solulie constructivd
este preferatd angrenajului cu roli dinlate din doud motive: 1) - necesitd o execu,tie
simpl6, cei pulin pentru inelul exteriot;2) - prezintd o comportare mai bund la qocuri,
fiind recomandat pentru mecanisme cu vieze qi incdrcdri relativ mici, care lucreazd in

medii impure.
Operalia se executA pe rnaqini-unelte cu ciclu de lucru automat, previzute cu un
dispozitiv de control activ al dimensiunii prelucrate (respectiv grosimea prevdzutd a

gi cu un dispozitiv de corec!ie prin rectificare a platanelor-sculd.

lucru este aplicatd discului-sculd superior, pe principiul hidraulic.
de
Presiunea
Sensul de rota{ie al platanelor gi coliviilor este reversibil iar turalia este variabild,
plachetelor)

ceea ce asigurd varietatea rniqcdrilor cerute pentru un proces de lepuire corect'

DatoritA vitezelor tangenfiale diferite in punctele de contact ale platanelor-scuid cu

plachetele de siliciu, plachetele af'late la periferia coliviei sunt prelucrate mai intens
50

decAt cele situate spre cenlru, ceea ce determind eroare de planeitate, Pentru ca

sI fie minime,

trebuie ca centrul instantaneu de rota{ie (CIR) sA fie

situat in afara coliviei, respectiv sd fie satisfdcute una dintre relatiiie:
aceste abateri

r/R 3 Il4 ...

5,

d/R < 1t2 ...3,

sau

reprezintd raza cercului pe circumferinta cdruia sunt dispuse plachetele in

colivie, R reprezintl distan{a de la centrul acestui cerc la centrul instantaneu de
rota{ie (ClR), iar d este ldlimea platanului-sculd. Cercetdrile privind varia{ia uzurii
unde

/l

i-"/ o.i
1 -'l
I

\'

Fig. 3.10 Mecanism pentru qlefuirea plan-paraleld

plachetelor de siliciu fAnto95]

platanului-sculd au demonstrat cb aceasta depinde de modul de echipare a coliviei cu

plachete. Astfel, potrivit literaturii de specialitate, raportul optim intre turaliile

coliviei qi sculei pentru care se obline o uzurd aproape simetricd in raport cu lalimea
d aplatanelor este: r.o1io1./nrsu15 : 0,44.
Prelucrarea de glefuire plan-paralela se executi in mai multe etape, in func{ie de
granula{ia gi calitatea rnaterialului abTaziv, de concentra{ia abrazivului in suspensia
de lucru, viteza relativd dintre scula gi pies6, presiunea de lucru aplicatd. De regull,
pentru primele treceri se utilizeazd carbura de siliciu de granulatie 40 ... 16 pm iar

pentru ultimele treceri electrocorindonul de granula{ie 10 ... 8 pm. Lichidul de lucru

poate fi ulei, ap[ deionizatd.

$lefuirea pe contur.

in

cadrul acestei operafii are loc rotunjirea marginilor

plachetelor pe intreg conturul. Operalia este necesard din urmdtoarele motive:

5I

Evitarea ciobirilor ?n timpul proceselor de manevrare, transport 9i fabricalie;

ciobiriie sunt generatoare de praf de siliciu care poate contamina suprafa{a
plachetelor, provocdndu-1e degradarea gi afectdnd desfEqurarea proceselor termice.
De asemenea, particulele de siliciu pot afecta sistemele de transport qi
dispozitivele de prindere (pensete cu vacuum), precum 9i precizia de pozilionare in
timpul alinierii mdqtilor, la opera{ia de expunere (vezi paragraful 4:1.2).

Dacd marginile plachetei sunt nerotunjite, rezistul tinde sd se acumuleze pe contur

sub forma unei ,,coroane", ceea ce duce la aparilia unui interstifiu nedorit intre

cazul expunerii prin contact (ved paragraful 4.1.4). La

expunerea prin proiec{ie sau proximitate, senzorii de pozi{ie vin in contact cu
mascd Ei plachetd,

in

rezist, in locul suprafefei plane a plachetelor, ceea ce determind

aparilia erorilor de pozilionare.
aceastA coroanA de

Evitarea fenomenului nedorit a cregterii sub formi de ,,coroan6", pe conturul

plachetelor, a straturilor de material ce vor constitui microstructura.

Prelucrarea de qlefuire pe contur se poate realiza utilizAnd doud principii, total

diferite [Anto95]:

Principiul mecunic'. prelucrare cu un disc diamantat profilat dupd negativul

suprafefei prelucrate, cu urmdrirea conturului plachetei prin ,,cama mecanicf"
(scula este pozilionatd prin intermediul unui tachet oscilant, obligat sd urmdreasci
o cama coaxiald cu placheta gi avdnd un contur asemAndtor cu cel al plachetei) sau

prin ,,cama electricd" (conturul este generat de cdtre scula pozilionati in

coordonate x, z, dupd un program de comandd numericd).

Principiul chimic: rotunfirea are ioc prin corodare chimica; plachetele sunt
introduse in casete speciale, sunt antlenate cu ajutorul unor role in migcare de
rotalie pentru a lua contact cu agentul coroziv. Metoda preztntd avantajul de a
indeparta tensiunile mecanice induse in zona conturului de prelucr[rile anterioare.

in continuare are loc o a doua operalie de degresarea

celei anterioare. insi {brd detergent.

decaparea, asemdndtoare

inainte de trecerea la etapa urmdtoare, are loc din nou controlul dimensional, care
are ca rezultat clasarea plachetelor pe grosimi cu abateri in intervalul + 3 pm.

Corodarea chimicl. Aceastd operalie se realizeazd in vederea indep[rtdrii, de pe

suprafelele gi muchia plachetelor, a stratului deteriorat pe o adAncime ce cdliva
nrilimetri, in urma glefuirii (aqa numitul stat tn relie.f [Diac95]). Ac{iunea se
desfbgoari prin imersarea plachetelor intr-o solulie de acid azolic - agent reducdtor,
acid fluorhidric - agent oxidant gi acid acetic - agent stabilizator, cu rolul de a
impiedica formarea produqilor de precipitare.

<t

in continuare

este realizatd

cu abateri de cel

'

mult +

selecfie a plachetelor, respectiv clasarea lor pe grosimi

1 pm.

Polisarea mecano-chimici constd in lustruirea acelei fefe a plachetei care va

constitui substratul pe care va fi dezvoltatd microstructura. Scopul il reprezint6
oblinerea unei suprafele optic polisatd, cu planitate in limita a 2 - 3 ,prn, gi paraleld
cu
suprafala debazd (Fig. 3.5). in acest scop se utilizeazdun polisor de fetru. plachetele
sunt blocate pe platouri de aluminiu. glefuite pe ambele fe!e. Blocarea are loc cu flat-

ul spre exterior, materialul de blocare utilizat fiind ceara de albine. in timpul

prelucrdrii se utilizeazi ca lichid de rdcire apa, astfel incdt in zona de contact dintre
scula qi piesa sd fie asiguratd o temperatura de aproximativ 20'C. Solufia de lucru este
o suspensie de aproximativ 10o/o pudrd foarle fina (100A) de gel de sriiciu in apit,in
care se adaugd o solutie de hidroxid de sodiu, pand la obtinerea unui pH de
10,5

i1,5. in acest fel, de pe suprafala plachetelor se indepdrteazd,un adaos

6e

prelucrare de obicei de 25 pm.

' in

sfArqit, dup6 polisarea mecano-chimicd are loc deblocarea plachetelor, prin

incdlzire pe o plitd, gi indepdrtarea impuritdtilor rdmase. Curdlirea plachetelor se face

dupd principiul chimic, prin imersare in bii succesive cu tricloretilena caldd qi rece.
alcool, acid sulfuric, acid fluorhidric. amestec sulfocromic la 80"C, acid azotic
ultrasonat. intre ac.este etape, precum gi in finalul procesului de curdfire, plachetele se
clitesc abundent in apd deionizatd cu rezistivitate ridicata, in b6i, de asemenea,
succesive. Ultima cldtire se executd mai intAi in baie iar apoi in centrifuga de clatire
uscare, cu apd deionizatd, fiind urmatd de uscare cu azot cald. Eficienla procesului
de
cldtire este mult imbundtdfita daca apa deionizata se incdlzegte in prealabil la
30 - 45oC, deoarece solubilitatea agenlilor de contaminare cre$te de c6teva ori prin
crefterea temperaturii apei fafa de valorile obignuite, de 20 - 25"c. pe parcursul

procesuiui de curdlire plachetele nu trebuie ldsate sd se usuce deoarece apa contine

particule submicrometrice care riscd sd adere la suprafala plachetei gi sd nu mai poatd
fi indepdrtate in etapele urmltoare de curdfire.

O altd variantd de curalire finald constd in spdlarea plachetelor in apd deioni zatd in
regim ultrasonor, trecerea lor prin bdi succesive de alcool rnetilic pentru indepdrtarea
apei Ei apoi, uscarea in vapori de freon.

Ultima operalie consti in acoperirea piachetelor cu un strat de protectie de dioxid

siliciu gi ambalarea sub vid.

de

Observa\ie'. inaintea oricdrei operatii. plachetele de siliciu trebuie cur6tate chimic pentru
a indepdrta agenlii contaminanti organici gi anorganici ajungi pe suprafa{a lor in timpul

operaliilor anterioare sau pe parcursul manipuldrii. Dach a avut loc o contaminare

organicd severd, inaintea de curdlirea standard (prin imersie sau sub jet) plachetele

trebuie degresate prin fierbere in tricloretilenS, iar apoi in acetonA. Particulele existente
pe plachetl se indepdrteazdprin periere sau agitare ultrasonicd'