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UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL ELECTRÓNICA DE POTENCIA SEXTO
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL ELECTRÓNICA DE POTENCIA SEXTO

ELECTRÓNICA DE POTENCIA SEXTO “A” COSULTA No. 4

TEMA

“Interruptores de Estado Sólido

INTEGRANTES

Estudiantes del Módulo de Electrónica de Potencia

FECHA DE ENVÍO

  • 24 de Octubre de 2016

FECHA DE ENTREGA

  • 28 de Octubre de 2016

DOCENTE

Ing. Edgar Patricio Córdova Córdova

OCTUBRE 2016 – MARZO 2017 AMBATO

2016

INFORME DE COSULTA No. 4

I

TEMA

Interruptores de Estado Sólido

II

OBJETIVOS

 
 
 

Objetivo General

 
 
 

Objetivos Específicos

III

DESARROLLO

DISPOSITIVOS DE ESTADO SÓLIDO

Definiciones

Según Carlos Sánchez Díaz

“Los dispositivos de estado sólido de potencia son dispositivos capaces de trabajar como conmutadores (SWITCH), siendo gobernados mediante un terminal de control o GATE (puerta). El funcionamiento de los dispositivos de estado sólido de potencia tiende a semejarse lo más posible al comportamiento de un interruptor ideal” [1]

Según Rashid, Muhammad

“Los dispositivos de estado sólido de potencia son dispositivos construidos con el SiC (carburo de silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en aplicaciones de alta tensión y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios

gigavatios.”[2]

Según García, S. M., & Gil, J. A. G

“Los dispositivos de estado sólido de potencia son semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante la aplicación de señales de control a la terminal de compuerta y la salida requerida se obtiene mediante la variación del tiempo de conducción de estos dispositivos de conmutación.”[3]

Definición Grupal

Los dispositivos de estado sólido de potencia son aquellos dispositivos que son fabricados con materiales semiconductores y estos son capaces de soportar altos voltajes; por esta razón son usados en la electrónica de potencia como interruptores.

Características de los IES:

Capacidad de manejar potencias y frecuencias elevadas.

No existe desgaste por partes móviles.

Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos, no disponen de

ningún terminal de control externo para su conducción. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran los Tiristores, los SCR y los

TRIAC. En éste caso su puesta en conducción se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Su bloqueo lo determina el propio circuito de potencia. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo se encuentran los transistores BJT, MOSFET, IGBT y los tiristores GTO.

Clasificación de los IES:

 Diodos

Diodo Rectificador

DIAC

 Tiristores

SCR

TRIAC

 Transistores

BJT

Mosfet

 Transistores con Control en Compuerta

IGBT

GTO

DIODOS

DIODO RECTIFICADOR

Definición

Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor.

Diodo rectificador. Sean semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio, son tipos de diodo que constituyen el elemento o circuito que conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar. [4]

Símbolo

 

a)

Estructura

DIODOS DIODO RECTIFICADOR Definición Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite

b)

DIODOS DIODO RECTIFICADOR Definición Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite

Figura 1: a) símbolo; b) nomenclatura Fuente: Alfonso Carretero Montero, Electrónica

a)

DIODOS DIODO RECTIFICADOR Definición Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite

Figura 2: a) Estructura del diodo rectificador Fuente: Proyecto EATS Estructura Del Diodo De Potencia

DO-5

 
 DO-5 o ENCAPSULADOS     Aislamiento Conexión electrica Disipación termica o NOMECLATURA PN
 DO-5 o ENCAPSULADOS     Aislamiento Conexión electrica Disipación termica o NOMECLATURA PN
 

o

ENCAPSULADOS

 

Aislamiento

Conexión electrica

Disipación termica

 

o

NOMECLATURA

 

PN

DO-200 AC

 
 DO-5 o ENCAPSULADOS     Aislamiento Conexión electrica Disipación termica o NOMECLATURA PN
 DO-5 o ENCAPSULADOS     Aislamiento Conexión electrica Disipación termica o NOMECLATURA PN

Grandes corrientes de 3500 a 5000 amperios o NOMECLATURA PN

 

Curva Caracteristica

Figura: a) símbolo; b) característica de transferencia de un diodo ideal, c) característica de transferencia de

Figura: a) símbolo; b) característica de transferencia de un diodo ideal, c) característica de transferencia de un diodo real. Fuente: E. Alatorre, 2001

La figura muestra el símbolo esquemático de un diodo. La característica de transferencia de un diodo ideal se muestra en la figura ilustra adicionalmente este principio. Si el voltaje de ánodo a cátodo, V, es negativo es negativo se dice que el diodo esta polarizado directamente y la corriente I puede ser un valor positivo arbitrariamente grande. De hecho V nunca puede llegar a ser más grande que cero, porque un diodo ideal actúa como un cortocircuito de resistencia cero cuando se polariza directamente. [5]

Un diodo real tiene una resistencia que es menos de infinito cuando se polariza inversamente y mayor que cero cuando se polariza directamente de modo que las características de transferencia se ven como en la figura. Cuando se polariza directamente, el diodo actúa como una pequeña resistencia no lineal; su caída de voltaje incrementa a medida que la corriente aumenta, pero no de forma proporcional. Cuando el diodo se polariza inversamente, fluye una pequeña cantidad de corriente de fuga negativa. Si el voltaje se hace demasiado negativo, el diodo alcanza su ruptura, y pueden fluir grandes cantidades de corriente negativa. [6]

Figura: a) símbolo; b) característica de transferencia de un diodo ideal, c) característica de transferencia de

Figura 4: Parámetros de la curva característica del diodo rectificador Fuente: P. Malvino, 2007

Aplicaciones

Protección de polaridad

 

Conexión de dos circuitos independientes

Rectificador de onda

Fijador de tensión (Desplazador de nivel)

.

DIAC DIODE FOR ALTERNATING CURRENT

DIODO PARA CORRIENTE ALTERNA (DIAC)

Definición

Se puede decir que es un dispositivo conformado por 2 diodos conectados en paralelo inversamente el cual puede conducir en los dos sentidos de sus terminales, dependiendo su polaridad y su estado de operación se activa cuando llega al voltaje de ruptura o disparo que está comprendida entre 20 a 36 voltios dependiendo su referencia la corriente fluye en una dirección, el DIAC se apaga cuando su corriente baja del valor de retención.

Símbolo

 Conexión de dos circuitos independientes  Rectificador de onda  Fijador de tensión (Desplazador de

Nomenclatura

A1, A2 [7]

Estructura

 Conexión de dos circuitos independientes  Rectificador de onda  Fijador de tensión (Desplazador de

P 2 N 2 P 1 N 1 paraV 21 >0

P 1 N 2 P 2 N 3 paraV 21 <0

Curva Característica

        γ BO γ BO D D ension umbral

V γ =T V BO =¿ V γ =T V BO =¿ I D =¿ V D =¿

ension umbral de conducción del diodo (positiva) Tension de ruptura o Disparo de DIAC (positiva) ension umbral de conducción del diodo (Negativa) Tensión de ruptura o Disparo de DIAC (Negativo) Corriente de referencia Voltaje de referencia

Zona F = región en la que el diodo está activa Zona R = región del diodo en el cual está sin actividad [8]

Aplicaciones en electrónica de potencia:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentación regulada. Interruptores estáticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo-conversores.

Cargadores de baterías.

Circuitos de protección.

Controles de calefacción.

Controles de fase.

TIRISTORES

SCR

Silicon Controlled Rectifier – Rectificador controlado de silicio

Definición:

Según Albert Malvino define a un SCR, (rectificador controlado de silicio) como un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes más bien altas para una carga. Actúa a semejanza de un interruptor, cuando está en conducción, hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces como un interruptor cerrado cuando está en corte, no puede haber flujo de corriente del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto, la acción de conmutación es muy rápida [9]

Simbología:

El símbolo del SCR es similar a un diodo rectificador con la diferencia que cuenta con un contacto adicional como se puede ver en la figura 1

TIRISTORES SCR Silicon Controlled Rectifier – Rectificador controlado de silicio Definición: Según Albert Malvino define a

Siendo:

A: Ánodo,

G: Gate

K: Cátodo

Estructura

La estructura de un SCR internamente se puede visualizar con dos transistores como muestra en la Figura 2

K: Cátodo Estructura La estructura de un SCR internamente se puede visualizar con dos transistores como

Fig. 1estructura de un SCR

Está constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y del tipo N, la región terminal P2 es el ánodo (A) y la otra región terminal N1 el cátodo (K). La puerta (G) se sitúa en la zona P1.

Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el S.C.R. vienen determinados por la polarización a la que esté sometido y, como su nombre indica (controlado), mediante una señal exterior se le puede cambiar de uno a otro.

Curva característica:

Las características de un SCR se dan en la ilustración para varios valores de la corriente en la compuerta. Las corrientes y voltajes de interés usual se indican en la característica. A continuación se describe brevemente cada uno.

Figura: Curva característica de un SCR. Fuente: Fairchild Semiconductor.  “Voltaje de ruptura en directa, V

Figura: Curva característica de un SCR. Fuente: Fairchild Semiconductor.

“Voltaje de ruptura en directa, V BR(F) Éste es el voltaje al cual el SCR entra a la región de conducción en directa. El valor de V BR(F) es máximo cuando I G = 0 y se designa V BR(F) . Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, V BR(F) se reduce y se designa V BR(F1), V BR(F2) , y así sucesivamente, con incrementos graduales de la corriente en la compuerta (I G1 , I G2 , y así sucesivamente).

Corriente de retención, I H Éste es el valor de la corriente en el ánodo por debajo del cual

el SCR cambia de la región de conducción en directa a la región de bloqueo en directa. El valor se incrementa con valores decrecientes de I G y es máximo con I G = 0. Corriente en directa promedio, IF (prom) Ésta es la corriente máxima en forma continua en

el ánodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de conducción en condiciones específicas. Región de conducción en directa Esta región corresponde a la condición encendido del

SCR en la que la corriente fluye del ánodo al cátodo gracias a la muy baja resistencia (corto aproximado) del SCR. Regiones de bloqueo en directa y en inversa Estas regiones corresponden a la condición apagado del SCR en la que la corriente que fluye del ánodo al cátodo es bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR.

Voltaje de ruptura en inversa, V BR(R) Este parámetro especifica el valor de voltaje en

inversa del cátodo al ánodo al cual el dispositivo irrumpe en la región de avalancha y comienza a conducir en exceso (igual que en un diodo de unión pn).” [10]

Aplicaciones

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentación reguladas.

Interruptores estáticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo conversores.

Cargadores de baterías

Circuitos de protección.

Controles de calefacción.

Controles de fase.

TRIAC Triodo para Corriente Alterna

Definición:

Definición por Juan de Dios Sánchez: El TRIAC es un dispositivo de tres terminales, el cual es llevado a conducción (disparado) cuando una señal de baja energía es aplicada a la compuerta. El TRIAC funciona como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) conectados en paralelo inverso. Este posee varias ventajas sobre los interruptores mecánicos, ya que no producen arcos al abrirse o cerrarse. Además, su conmutación es más veloz, por lo que produce un control más rápido [11]

Simbología

 
Simbología Figura: Grafo de un TRIAC Fuente: ELECTRONICA LICEO POLITECNICO I.B.F. LINARES. Estructura

Figura: Grafo de un TRIAC Fuente: ELECTRONICA LICEO POLITECNICO I.B.F. LINARES.

Estructura

La estructura básica del TRIAC se muestra en la siguiente figura. La estructura muestra que el TRIAC es un dispositivo de cinco capas donde la región comprendida entre MT1 y MT2 forman un tiristor P-N-P-N (SCR) en paralelo con un tiristor N-P-N-P /un SCR complementario). La región entre MT1 forma dos diodos complementarios. Una señal de compuerta positiva o negativa causara la misma acción de transistor que encontramos en el SCR. Esta acción produce la ruptura de la unión que se encuentra en estado de bloqueo. La corriente fluye entre las terminales principales, lo que proporciona una corriente interna a la compuerta. El dispositivo permanecerá en conducción hasta que la corriente sea interrumpida. [11]

Figura: estructura interna de un TRIAC. Fuente: Automatización y Electrónica Curva característica Figura: Curva característica de

Figura: estructura interna de un TRIAC. Fuente: Automatización y Electrónica

Curva característica

Figura: estructura interna de un TRIAC. Fuente: Automatización y Electrónica Curva característica Figura: Curva característica de

Figura: Curva característica de un TRIAC. Fuente: Fairchild Semiconductor. Reverse Breakdown voltage: voltaje pico inverso

Forward Breakdown voltage: voltaje pico positivo Negative resistance characteristics: características de resistencia negativa

Aplicaciones

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre

los interruptores mecánicos convencionales y los relés. Funciona como switch electrónico y también a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

[12]

TRANSISTORES

BJT

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

Definición:

En electrónica de potencia los transistores BJT se emplean como interruptores controlados por corriente, donde según el sentido de polarización de sus terminales, este trabaja en su zona de Saturación (interruptor abierto – conducción) o en la zona de Corte (interruptor cerrado - bloqueo).

Simbología:

SÍMBOLO

TERMINALES

SÍMBOLO TERMINALES
SÍMBOLO TERMINALES

Emisor: Región altamente dopada, se comporta como un metal. Funciona como emisor de los portadores de carga. Cuanto más dopaje tenga el emisor, más cantidad de portadores podrá aportara a la corriente.

Base: Región central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el paso de los portadores, separa el emisor del colector.

Colector: Región unida a la base, de extensión más amplia. Cuyo objeto es captar los portadores inyectados en dicha región desde el emisor.

Estructura:

El transistor bipolar está formado por tres capas de material semiconductor dopado y colocadas alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. La letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector.

El emisor fuertemente dopado (n+).

Base estrecha y menos dopada (p).

Colector es el de mayor tamaño (para poder disipar el calor que generan los portadores al perder energía por pasar de la base al colector) y dopado "moderadamente" o poco dopado (n o n−).[13]

Materiales Utilizados:

Zona N: Con elementos donantes de electrones (cargas negativas) Arsénico (As) o Fósforo(P). Zona P: Con elementos aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga).

 Colector es el de mayor tamaño (para poder disipar el calor que generan los portadores
 Colector es el de mayor tamaño (para poder disipar el calor que generan los portadores

Principio de funcionamiento:

La operación normal de un transistor npn, los electrones son atraídos del emisor por el potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los portadores tenga energía cinética suficiente para atravesarla y ser atraídos por el potencial positivo del colector.

En electrónica de potencia los transistores bipolares mayoritariamente usados son los NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.[13]

 Colector es el de mayor tamaño (para poder disipar el calor que generan los portadores

Curva característica:

Curva característica:  Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se comporta

Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se comporta como un

interruptor abierto, que no permite la circulación de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en ésta zona de funcionamiento el transistor está desactivado. Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y éste soporta una determinada

tensión entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, típicamente representada por las siglas β F o F h. Por tanto, en la región activa, el transistor actúa como un amplificador. Saturación: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la VCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor casi ideal. La tensión que soporta entre sus terminales es muy pequeña y depende del transistor. En éste caso ambas uniones están polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensión colector-emisor en saturación. [14]

Aplicaciones:

Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM). Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación). Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia).

Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de

alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

MOSFET Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor –

Transistor de efecto de campo metal-óxido- semiconductor

Definición:

“Es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequeña corriente de entrada. Transistores controlados por tensión. Ello se debe al aislamiento (oxido de silicio) de la puerta respecto al resto de dispositivos. Son de tipo acumulación” [15]

Mosfet o transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor conduce corriente eléctrica entre dos patillas denominadas drenador y surtidor, cuando aplicamos tensión una tercera patilla llamada gate, es decir es un interruptor que se activa por tensión. De otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción y que su dieléctrico es un metal de óxido.

Símbolo:

Tipo empobrecimiento

Canal n

MOSFET Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor – Transistor de efecto de campo metal-óxido- semiconductor Definición: “Es un dispositivo

Fig.1: Símbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal n

Canal p

Fig.2: Símbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal p Tipo enriquecimiento Canal n Fig.3: Símbolos del MOSFET

Fig.2: Símbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal p

Tipo enriquecimiento Canal n

Fig.2: Símbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal p Tipo enriquecimiento Canal n Fig.3: Símbolos del MOSFET

Fig.3: Símbolos del MOSFET tipo enriquecimiento canal n

Canal p

Fig.2: Símbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal p Tipo enriquecimiento Canal n Fig.3: Símbolos del MOSFET

Fig.4: Símbolos del MOSFET tipo enriquecimiento canal p

Estructura:

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada, sobre esta capa, se

coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula

coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior

Fig.5: Estructura MOS

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que G y B son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor.

Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y substrato. La región semiconductora p responde creando una región de empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que ocurriera en la región P de una unión PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta región de iones negativos, se incrementa con VGB.

Al

llegar

a

la

región

de

VGB,

los

iones

presentes en la zona semiconductora de

empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la acumulación de cargas negativas libres (e–) atraídos por el terminal positivo. Se dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión fuerte.

Estructura física.

coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior

Fig.6: Estructura Física de Dispositivo Semiconductor MOSFET

Terminales

G (Compuerta)

D (Drenaje)

S (Surtidor o fuente)

Curva característica

 G (Compuerta)  D (Drenaje)  S (Surtidor o fuente) Curva característica Fig.7: Curva Característica

Fig.7: Curva Característica Dispositivo Semiconductor MOSFET

Corte.- La tension entre la puerta y la fuente es mas pequeña que una determinada tension

umbral (V GS

< V T ). con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto, debido a

que no hay conducción entre Drenador y Surtidor

Óhmica.- si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensión entre el drenador y la fuente es pequeña, el transistor se comprorta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia denominado Ron.

Saturacion.- si el transistor esta cerrado pero soporta una tensión drenador-surtidor elevada, éste se comporta como fuente de corriente constante, controlada por la tensión entre la puerta y el surtidor.

Tipo empobrecimiento Canal n

Fig.6: Curva característica del MOSFET tipo empobrecimiento canal n Canal p Fig.7: Curva característica del MOSFET

Fig.6: Curva característica del MOSFET tipo empobrecimiento canal n

Canal p

Fig.6: Curva característica del MOSFET tipo empobrecimiento canal n Canal p Fig.7: Curva característica del MOSFET

Fig.7: Curva característica del MOSFET tipo empobrecimiento canal p

Tipo enriquecimiento Canal n

Fig.6: Curva característica del MOSFET tipo empobrecimiento canal n Canal p Fig.7: Curva característica del MOSFET

Fig 8: Curva característica del MOSFET tipo enriquecimiento canal n

Canal p

Fig.9: Curva característica del MOSFET tipo enriquecimiento canal p Aplicaciones  La forma mas abitual de

Fig.9: Curva característica del MOSFET tipo enriquecimiento canal p

Aplicaciones

La forma mas abitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipos CMOS.

Resistencia controlada por tensión.

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET,).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BIBLIOGRAFIA

[1]Carlos Sánchez Díaz (2002), FUNDAMENTOS BÁSICOS DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA, primera edición, editorial universidad de valencia. Páginas 94-96

[2]Rashid, M. H., González, M. H. R. V., & Fernández, P. A. S. (2004). ELECTRÓNICA DE POTENCIA: CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES. Pearson Educación. Páginas

30-35

[3]García, S. M., & Gil, J. A. G. (2006). ELECTRÓNICA DE

[4]

Ecured.cu,

miércoles

octubre

2016.

[En

línea].

Available:

https://www.ecured.cu/Diodo_rectificador.

 

[5] E. Alatorre, Diseño digital: principios y prácticas, Pearson Educación, 2001.

 

[6]

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s.

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Albacete,

«UPSA,»

UPSA,

[En

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http://www.info-

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https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/05/diacs-y-triacs.pdf. [Último acceso: 25 Octubre 2016].

[8] Marino. [En línea]. Available: http://unicrom.com/diac-diodo-disparo-bidireccional/.

[9] A. P. Malvino, «Tiristores,» de Principios de Electrónica, Madrid, McGraw-Hill, 1999, p.

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[12] O. Jimenez, 19 Agosto 2009. [En línea]. Available: http://triac.blogia.com/. [Último acceso:

27 Octubre 2016].

[13] J. M. Albella, «ICMM,» [En línea]. Available:

http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/6%20Transistores

%20bipolares.pdf. [Último acceso: 26 10 2016].

[14] U. y. R. Mohan, Power Electronics: Converters, Applications and Design, Nueva York:

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[15] Muhammad H. Rashid, traducción Ing. Gabriel Sánchez 2da. Edición. ELECTRONICA DE POTENCIA: CIRCUITOS DISPOSITIVOS Y APLICACIONES.