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1
1
2
2
8
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12
15
17
20
22
23
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25
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29
30
31
31
32
33
35
35
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43
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45
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55
55
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85
86
86
87
88
89
91
91
92
2.4
ii
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classe A
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4.3.3
4.4
4.5
4.6
4.7
125
125
126
126
127
129
129
130
131
132
133
133
134
135
136
iv
composants
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139
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143
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146
151
151
152
154
154
157
160
160
161
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165
165
166
167
168
168
170
173
176
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177
177
177
177
177
177
Chapitre 1
Modle mathmatique du
transistor bipolaire
1.1
Introduction
Lobjectif de ce chapitre est de fournir un outil simple et efficace de description et danalyse de schmas transistors bipolaires.
Il ne sagit donc pas de dvelopper des outils mathmatiques sophistiqus
qui ncessiteraient des ordinateurs puissants. En effet, ces modles - tels que
ceux utiliss en conception assiste par ordinateur (CAO) et quoique trs
performants - ne sont pas adapts des calculs manuels.
Le modle dEbers et Molls (1954) que nous proposons dans ce chapitre
peut paratre simpliste, voire obsolte. Il prsente malgr tout de nombreux
avantages :
Une grande simplicit qui autorise des calculs manuels.
Une reprsentation unique de tous les rgimes de fonctionnement des
transistors bipolaires : linaires direct et inverse, saturation, bloqu ;
grands et petits signaux.
Une reprsentation valable pour les transistors NPN comme PNP,
moyennant des conventions de signe.
Ces avantages suffisent expliquer lintrt du modle pour lanalyse rapide et la comprhension de montages dj complexes (voir chapitre 3). Il
permettra aussi aux futurs ingnieurs micro-lectroniciens dapprhender le
fonctionnement global dun montage avec ses points critiques et de mieux
1
1.2
1.2.1
Modle simplifi
La thorie simplifie de la diode jonction prvoit une relation couranttension de la forme :
h
i
qVD
IV = ISV exp (
)1 ,
(1.1)
kT
o IV est le courant volumique, ISV est le courant de saturation (ou inverse) en volume, VD est la tension aux bornes de la diode, et q, K et T
sont respectivement la charge de llectron, la constante de Boltzmann et la
temprature en K.
kT
25mV.
q
(1.2)
Modle rel
Le modle rel, qui doit tenir compte de lensemble des courants, de
volume comme de surface, est dcrit par la relation :
h
V
i
D
ID = I0 exp
1 ,
(1.4)
nVT
o ID est le courant de diode, I0 est le courant de saturation (ou inverse) et
n est un coefficient tel que 1 n 2.
La fonction, ID (V ), tant inversible, on utilise aussi frquemment la relation :
VD = nVT ln
I
I0
+1 .
(1.5)
Approximations usuelles
Gnralement, le coefficient n nest pas fourni par le constructeur, et, par
dfaut, on utilise n = 1. De plus, ds que le rapport ID /I0 est trs suprieur
1, on peut simplifier lexpression (1.5). En pratique, puisque I0 1014
1015 A, ds que ID 1012 A, lexpression simplifie suivante sera vrifie :
VD = VT ln
ID
.
I0
(1.6)
V
D
VT
(1.7)
Exercice
On considre une diode de courant inverse I0 1015 A. Calculer la tension de diode VD telle que ID = 1mA.
Pour ID = 1mA I0 , on peut utiliser la relation simplifie (1.6), soit :
VD = VT ln
ID
103
= 25 103 ln 15 = 0.69V.
I0
10
(1.8)
do :
VD = VT ln 10 57mV.
(1.10)
La caractristique courant-tension dune diode est exponentielle. La tension VD aux bornes dune diode conductrice est de lordre de 0.6 0.7V , et
varie trs peu mme pour des variations considrables du courant de diode :
VD 57mV pour un courant multipli par 10 !
Rsistance srie
Les contacts lectriques entre la jonction et les composants voisins (pour
un composant discret), ou entre la jonction et les lectrodes du boitier (pour
un composant intgr) prsentent une rsistance srie statique RS . Typiquement cette rsistance vaut de quelques m quelques . Si les courants sont
importants (composants de puissance), la chute de potentiel dans la rsistance srie peut devenir non ngligeable. Pour en tenir compte, on corrige le
modle (1.5) par :
I
D
VD = VT ln
+ 1 + RS ID .
(1.11)
I0
4
I
D
V
V
0 ,7 V
Fig. 1.1 Modle idal de diode : caractristique ( gauche), schma quivalent en grands signaux de la diode conductrice ( droite).
Rsistance dynamique
En diffrentiant la relation (1.4), on trouve une relation entre les variations dID et dVD :
V
ID
1
D
dVD
dID =
I0 exp
dVD .
(1.12)
VT
VT
VT
On peut dfinir la rsistance dynamique (petits signaux), note rD , par
le rapport :
VT
dVD
.
(1.13)
dID
ID
On retiendra que :
la rsistance dynamique varie comme linverse du courant de diode ID ,
ID = 1mA et temprature ambiante, on a la valeur typique rD
25.
Modles simplifis
Le modle le plus simple considre la diode bloque ou conductrice, avec
les deux tats :
V > VD rD = 0,
(1.14)
V VD rD = .
On peut associer ce modle le schma quivalent en grands signaux (statique) de la figure 1.1.
En petits signaux, la diode conductrice devient un simple court-circuit
et la diode en inverse (ou plutt pour V VD , donc bloque) est un circuit
ouvert (Fig. 1.1).
1 rD
p e n te
D 0
k T
V
D
D 0
- k T q
rD
D 0
(1.15)
VD = VT ln
ID
.
IO
(1.17)
(1.18)
C C
/ R
I
D
C C
V
D
(1.19)
(VCC VD )
VCC
,
R
R
(1.20)
1.2.2
CT0
1
,
(1.21)
CD =
,
(1.22)
rD
o rD = VT /ID est la rsistance dynamique de la diode. La capacit de diffusion est donc proportionnelle au courant ID traversant la diode.
V
D
fr
1 1 0 %
tf r
Rfrence
Types de diode
1N4148
BAV 45
Diode de commutation
Faible courant inverse
trr
4ns
350ns
1.2.3
Modle complet
10
1.2.4
Influence de la temprature
(1.23)
dI0
N
dT
3+
.
(1.25)
=
I0
T
T
Cette relation (1.25) traduit les variations relatives de I0 en fonction des
variations relatives de la temprature T .
De faon usuelle, pour un doublement du courant, cest--dire I0 = I0
soit I0 /I0 = 1, on calcule la variation de temprature T :
T =
1
T2
.
3T + N
11
(1.26)
f
I
f
E
I
E
N P N
P N P
T2
T2
= 6.4o K.
3T + N
N
(1.27)
1.3
1.3.1
Notations
Dans cette partie, on utilise des conventions sur les sens des courants et
des tensions qui permettent de traiter indiffremment des transistors PNP
et NPN. Ces conventions, illustres la figure 1.8 sont les suivantes :
les courants sont positifs entrants,
les tensions sont rfrences par rapport au matriau N.
Fonctionnement simplifi
En polarisation normale, on doit tenir compte de quatre courants (figure
1.9). Pour un transistor PNP, on a :
1. le courant de trous traversant la base, I1 (effet transistor),
2. le courant de trous qui se recombinent dans la base, I2 ,
3. en HF, le courant de trous qui revient vers lmetteur, I3 ,
4. le courant de saturation de la jonction C-B, ICB0 .
12
P
N
E
2
3
f
E
f
B
(1.29)
(1.30)
13
IN
f
V E R S E
A T U R A T IO N
L O C A G E
f
E
O R M A L
pour comprendre qualitativement un montage mme complexe avec de nombreux transistors, et pour effectuer des calculs approchs de ses paramtres
principaux. Bien sr, pour faire de la simulation sur ordinateur, ce modle
nest pas assez prcis. Mais, pour utiliser efficacement la simulation sur ordinateur, il est ncessaire de comprendre qualitativement le fonctionnement
du montage, au moins pour viter un listing long inexploitable de rsultats
de simulations inutiles. Cest ce qui justifie son dveloppement dans ce cours.
1.3.2
(1.33)
a12 a21
a21 IE
+
a22 .
a11
a11
(1.34)
exp(E /T ) 1 =
et en reportant dans la seconde :
IC =
(1.37)
a12 a21
a12 IC
+
a11 .
a22
a22
(1.38)
exp(C /T ) 1 =
et en reportant dans la premire :
IE =
On a donc le
I
CB0
I
I
EB0
a21
a11
a12 a21
a11
a12
a22
a12 a12
a22
a22
(1.40)
a11 .
a12 a21
a22 = N a12 a22 ,
a11
(1.41)
ICB0
,
1 N I
16
(1.43)
et :
I ICB0
.
1 N I
(1.44)
a11 =
IEB0
,
1 N I
(1.45)
a21 =
N IEB0
.
1 N I
(1.46)
a12 =
et :
IEB0
I ICB0
IE
= 1
(exp(E /T ) 1) + 1
(exp(C /T ) 1),
N I
N I
ICB0
N IEB0
IC
= 1N I (exp(E /T ) 1) 1N I (exp(C /T ) 1),
IB + IC + IE = 0,
N IEB0
= I ICB0 .
(1.47)
En rgime de polarisation normale, on peut donc reprsenter un transistor
PNP ou NPN par un schma quivalent du type de la Fig. 1.11. Notez que,
dans ce rgime, la jonction B-C est une diode polarise en inverse, et la
jonction B-E est une diode polarise en direct. La tension E est proche
de 0.6V et le courant du gnrateur de courant est ngligeable par rapport
au courant de diode. De mme, la contribution ICB0 dans le courant de
collecteur est ngligeable par rapport au courant N IE ds que IE dpasse
quelques picoampres.
1.3.3
IEB0
I ICB0
(exp(E /T ) 1) 1
,
IE = 1
N I
N I
N IEB0
ICB0
(1.48)
IC = 1N I (exp(E /T ) 1) + 1N I
= N IE + ICB0 .
17
- I E B0
1 - a N a
I
(e
x p (f
fT ) - 1
E
P N P
- I
C B 0
I
E
1 - a
E
E B0
1 - a
a
I
(e
x p f(
C B 0
N
I
N
fT ) - 1
E
N P N
I
C B 0
I
E
1 - a
I
N
C B 0
I
I
a
N
I
E
f
C
18
IEB0
1
= 1
exp(E /T )
N I T
I ICB0
IEB0
1
= T IE 1N I + 1
N I
(1N )IEB0
1
= T IE 1N I
.
(1.49)
IE
T
(1N )IEB0
1N I
(1.50)
T
.
IE
(1.51)
(1.52)
19
iE
iC
rE
a
N
C
E
iB
B
1.3.4
Fonctionnement en saturation
ICB0 (1 + I N )
(exp(C /T ) 1),
1 N I
exp(C /T ) 1 =
IC + N IE
.
ICB0
(1.53)
(1.54)
IE + I IC
.
IEB0
(1.55)
f
C
V
f
E
C E
= f
E
- f
V
C
N P N
C E
= f
C
- f
E
P N P
(1.56)
(1.57)
Notons que ces quations restent valables pour tous les rgimes de fonctionnement du transistor. En rgime de saturation, les diodes BE et BC sont
polarises en direct et les potentiels C et E sont positifs : on peut donc
ngliger les termes 1 dans les arguments des logarithmes :
h I + I i
C
N E
,
(1.58)
C T ln
ICB0
h I + I i
E
I C
E T ln
.
(1.59)
IEB0
Calcul du potentiel VCE . Enfin, pour caractriser la saturation, on peut
calculer le potentiel VCE , qui doit tre de lordre de quelques dizimes de Volt.
Sur la figure 1.13, on observe que, compte tenu des conventions de signes de
E et C , les tensions VCE des transistors de type NPN et PNP sexpriment
de faon oppose en fonction de E et C .
Dans la suite, nous effectuerons le calcul pour un transistor NPN. Pour
un transistor NPN, on a VCE = (E C ). En utilisant les relations (1.56)
et (1.57), on a :
i
h (I + I )/I
E
I C
EB0
.
(1.60)
VCE = T ln
(IC + N IE )/ICB0
IC
IB (1
IC
IB
I ) i
.
1N
N
(1.62)
Le rapport IC /IB , appel bta forc et not f , est impos par les lments extrieurs. Pour garantir une bonne saturation du transistor, il est
beaucoup plus petit que N . Dans le cas o le transistor est hypersatur, le
rapport IC /IB 0, et la tension VCE devient :
VCE = T ln I .
(1.63)
1.3.5
Le modle dEbers et Molls est un modle grands signaux et petits signaux valable pour tous les rgimes de fonctionnement (direct, inverse, bloqu et satur) et les deux types de transistors. Cependant, il ne rend pas
compte de certains phnomnes, et en particulier :
1. des courants de surface,
2. de la modulation de largeur de base (effet Early),
3. de la variation des courants de saturation avec la temprature,
4. de la variation de N et I avec la polarisation, etc.
Modle de Gummel-Poon
Gummel et Poon ont propos en 1970 un modle du transistor bipolaire
dont le principe est fond sur une description des tensions et courants de
jonctions partir de rpartitions de charges dans le transistor et notamment
dans la base. Cette ide conduit un modle beaucoup plus prcis, mais le
passage de charges aux courants et tensions ncessite lintgration numrique
dquations diffrentielles, et requiert un calculateur. Cest ce modle qui est
utilis dans les simulateurs de conception de circuits intgrs.
22
E a r ly
C E
,
h22e
IC
(1.64)
o IC est le courant de polarisation (de collecteur) du transistor. On remarque encore2 limportance du courant de polarisation pour dterminer le
paramtre h22e .
1.4
Conclusion
23
24
Chapitre 2
Polarisation et stabilit
thermique
2.1
Introduction
2.2
Polarisation
2.2.1
Premire approche
iC
N
=
iB
1 N
(2.1)
varie considrablement pour des transistors dun mme type. En effet, le paramtre physique (que contrle le constructeur) est le gain N = iC /iE , qui
est infrieur et trs proche de 1. A partir de (2.1), calculons la diffrentielle
dN :
dN =
(1 N ) + N
dN
dN
dN =
= (N + 1)N
.
(1 N )2
(1 N )2
N
26
(2.2)
Puisque N 1, on a finalement :
dN
dN
dN
= (N + 1)
N
,
N
N
N
(2.3)
cest--dire que lerreur relative sur N est N fois plus grande que lerreur
sur N . Dun point de vue numrique, pour N = 0.99, on a N = 100,
et par consquent une erreur de 0.5% sur N entrane une erreur relative
dN /N = 50% !
Drives des paramtres
Outre la variabilit dun composant un autre, les paramtres des transistors, notamment ICB0 , E (la tension BE de la diode BE conductrice) et
N fluctuent considrablement avec la temprature.
Les courbes des figures ??, ?? et ?? montrent comment ces paramtres
varient avec la temprature.
On retiendra que les drives ont les ordres de grandeur suivant :
2.2.2
E
2mV /o C,
T
(2.4)
N
+2%/o C,
T
(2.5)
ICB0
0.1ICB0 /o C.
T
(2.6)
Montage de polarisation
R6 R7
,
R4 + R5 + R6 + R7
27
(2.7)
R
6
R
3
E
R
R
7
R
2
V
R
R6 (R4 + R5 )
,
R4 + R5 + R6 + R7
(2.8)
RE = R2 +
R7 (R4 + R5 )
.
R4 + R5 + R6 + R7
(2.9)
R7
,
R4 + R5 + R6 + R7
(2.10)
VC = E
R6 + R7
.
R4 + R5 + R6 + R7
(2.11)
2.2.3
Schma quivalent
En polarisation normale (ou directe), on peut calculer le courant de collecteur IC partir des quations dEbers et Molls, avec les potentiels E > 0
et C < 0. Entre B et E, le transistor est donc une diode polarise en direct, que lon reprsentera par un gnrateur de tension constante VBE et
une rsistance dynamique rE T /IC . Si on suppose que C est suffisamment ngatif, on peut ngliger exp(C /T ) devant 1, et on trouve lquation
classique du rgime linaire :
IC = N IE + ICB0 ,
(2.12)
IC = N (IC + IB ) + ICB0 ,
(2.13)
2.2.4
Le potentiel VB vaut :
VB = RB IB + VBE + RE
(IC + IB ),
(2.15)
I
VB VBE RE
C
.
RB + RE
(2.16)
RB + RE
RE
VB VBE
IC 1 + N
= N
+ (N + 1)ICB0 ,
RB + RE
RB + RE
)I
N (VB VBE ) + (N + 1)(RB + RE
CB0
.
IC =
RB + (N + 1)RE
IC
= N
RB + RE
VB VBE
+
I
CB0
+ R /
+ R / .
RE
RE
B
N
B
N
29
(2.17)
b
R
I
N
V
C
(b
B
+ 1 ) I
C B 0
V
B
R
E
+ r
B E
2.2.5
Optimisation
(2.18)
Le concepteur peut ajuster ce courant en jouant simplement sur les r et sur la tension V . Dans ce paragraphe, nous
sistances RB , RC et RE
B
allons tudier comment le rendre le moins dpendant possible de ces trois
paramtres.
Pour cela, calculons la diffrentielle dIC du courant IC :
dIC =
F
F
F
dVBE +
dN +
dICB0 ,
VBE
N
ICB0
(2.19)
1
,
+ RB /N
RB + RE
+ R / ,
RE
B
N
IC RB
+ R ).
N (N RE
B
=
=
=
RE
30
(2.20)
(2.21)
(2.22)
2.2.6
Influence de VBE
(2.23)
2.2.7
VB VBE
VB
.
RE
RE
(2.24)
Influence de ICB0
RB + RE
F
=
.
ICB0
RE + RB /N
(2.25)
F
> 0,
RB ICB0
F
< 0.
RE
ICB0
(2.26)
=
Leffet de RE est donc intressant, et on montre facilement que si RE
, F/I
01 , F/ICB0 = N et pour RE
CB0 0. Placer une rsistance
dmetteur de valeur non nulle permet aussi de rduire linfluence de ICB0 .
2.2.8
Influence de N
(2.27)
En supposant que les les autres paramtres ne varient pas, on peut crire
(au premier ordre) :
dIC =
IC RB
F
dN =
+ R ) dN ,
N
N (N RE
B
(2.28)
IC
N RE + RB N
(2.29)
En fait, RE
rE VT /IC
32
(2.30)
99RB < N RE
,
N RE
RE
.
RB <
99
2.2.9
Influence de la temprature
Comme nous lavons dit dans lintroduction, il est important que le courant de polarisation ne varie pas trop en fonction de la temprature. En
particulier, les variations des paramtres VBE , N et ICB0 avec la temprature entranent une drive dIC /dT quil convient de rendre aussi petite que
possible.
On sait en particulier que le courant IC augmente avec la temprature.
On rappelle aussi :
VBE
2mV /o C,
T
(2.31)
N
+2%/o C,
T
(2.32)
ICB0
0.1ICB0 /o C.
(2.33)
T
En utilisant la notation IC = F (VBE , N , ICB0 ), la drive peut donc
sexprimer formellement :
F dVBE
F dN
F dICB0
dIC
=
+
+
.
dT
VBE dT
N dT
ICB0 dT
33
(2.34)
En pratique, dans la gamme de temprature de fonctionnement du montage, on cherche encadrer le courant de polarisation : IM in < IC < IM ax .
Dans ce paragraphe, nous montrons comment calculer les bornes de cette
ingalit.
Temprature la plus basse
A temprature la plus basse, le courant IC sera plus faible et on en
cherche une borne infrieure. A partir des formules des drives, rappeles
ci-dessus, on voit que VBE atteint sa valeur maximale alors que N et ICB0
sont minimales. Dune faon gnrale, on notera :
(VBE )M ax = VBE , (N )M in = N , (ICB0 )M in = ICB0 = 0.
(2.35)
RB + N RE
Temprature la plus haute
A temprature la plus haute, le courant IC sera plus grand et on cherche
une borne suprieure. A partir des drives, on peut aussi crire :
(VBE )M in = VBE , (N )M ax = N +, (ICB0 )M ax = ICB0 .
(2.37)
VB VBE
RB + RE
+ ICB0
RE
RE
(2.38)
Encadrement
Dans une gamme de temprature, aprs valuation des valeurs extrmes
de VBE , N et ICB0 , on peut calculer les bornes de IC :
N
VB VBE
RB + R E
VB VBE
I
<
I
<
+
.
CB0
C
RB + N RE
RE
RE
(2.39)
(2.40)
T
A
T
J
P o la ris a tio n
- T
I
C
E ffe t J o u le
R s is ta n c e
th e rm iq u e
A
(2.41)
2.3
Stabilit thermique
Nous avons vu que le courant de polarisation IC augmente avec la temprature T . Si IC augmente, par effet Joule la temprature TJ (temprature
de jonction) du composant augmente, ce qui entrane une augmentation des
paramtres N et ICB0 , qui eux-mmes contribuent augmenter IC ! Ce
phnomne est schmatis la figure 2.4. On comprend quil peut y avoir
un emballement thermique, et quil y a risque de destruction du transistor si la temprature de jonction atteint la temprature maximale admise
(TJ )M ax 125o C.
2.3.1
Modles thermiques
35
T
P
R
J
J-B
R
B
C
B
B -R
R -A
T
A
2. Le circuit doit tre en quilibre thermique. En effet, de nombreux paramtres variant avec T , si la temprature fluctue fortement, le comportement du circuit peut devenir instable.
Dun point de vue thermique, le circuit peut tre reprsent par le schma
de la figure 2.5, dans lequel la puissance dissipe par effet Joule est la source,
les rsistances thermiques (en o C/W ) modlisent laugmentation de temprature par Watt dissip et les capacits thermiques modlisent les changes
dnergie (en J/o C). Dans ce schma, on a distingu trois interfaces thermiques : la premire entre la jonction et le boitier (JB), la seconde entre le
boitier et le radiateur (BR), la troisime entre le radiateur et lair ambiant
(RA).
En pratique, les constructeurs donnent les rsistances thermiques, mais ne
spcifient pas les capacits thermiques. Le schma thermique se rduit alors
la figure 2.6, dans lequel on ne modlise que les phnomnes thermiques
statiques. Pour un circuit intgr ou un transistor en boitier plastique (qui
sutilisent sans radiateur), le constructeur donne directement la rsistance
thermique RJA entre la jonction et lair ambiant ; pour un transistor en
boitier mtallique (TO-5) ou boitier plat (TO-8) qui peuvent recevoir un
radiateur, le constructeur donne frquemment les rsistances thermiques RJA
et RJR , entre la jonction et lair ambiant, et entre la jonction et le radiateur,
respectivement.
2.3.2
Equations thermiques
(2.42)
T
P
T
J-B
T
B
B -R
T
A
R -A
(2.43)
(TJ )M ax (TA )M ax
.
RJA
(2.44)
Exemples
On considre un montage avec un transistor 2N 389 dont le constructeur
donne la rsistance thermique RJA = 50o C/W et TJ < 150o C.
1. Quelle est la puissance maximale dissipe si lon veut que le
montage fonctionne de 25o C 50o C ?
Le montage devant fonctionner la plus haute temprature ambiante
(pire cas), on doit crire :
PM ax =
(TJ )M ax (TA )M ax
150 50
= 2W.
=
RJA
50
(2.45)
(2.46)
D T
A
D T
D T
P o la ris a tio n
- D T
A
D I
C
E ffe t J o u le
D P
R s is ta n c e
th e rm iq u e
(2.47)
2.3.3
Boucle thermique
Bien que les phnonnes dynamiques ne soient pas modliss par les rsistances thermiques seules, nous pouvons dduire de la boucle thermique
statique (Fig. 2.4) la boucle dynamique associe (Fig. 2.7), qui nous permet
dtudier la stabilit thermique de la polarisation.
Le bloc polarisation est caractris par un gain dynamique dIC /dTJ qui
dpend du montage (classe A, B, etc.), le bloc effet Joule est caractris par
un gain dynamique dP/dIC qui dpend aussi du montage, le bloc rsistance
thermique est caractris par la rsistance thermique RJA , qui ne dpend
que du composant.
On peut donc introduire le gain de boucle thermique G du montage :
G=
dIC dP
RJA .
dTJ dIC
(2.48)
= TA + TJ G,
TA
=
.
1G
(2.49)
augmentation peut tre malgr tout trs grande si G est proche de 1. Si cest
possible, on prfrera imposer un gain de boucle G < 0, qui entranera un
effet de rgulation.
2.3.4
(2.50)
2mV /o C = K1 ,
2%/o C = K2 ,
0.1ICB0 = K3 ,
RB + R E
1
IC RB
(K
)
+
K
+
1
2
+ R /
+R )
+ R / K3 .
RE
N (N RE
RE
B
N
B
B
N
Le terme dIC /dT est positif car cest la somme de trois termes positifs. Le
calcul numrique prcis, qui exige de dterminer de faon prcise les valeurs
des rsistances et de N , ne sera pas effectu ici.
Calcul de dP/dIC
Pour calculer ce terme, reprenons le montage de polarisation (Fig. 2.2)
et exprimons la puissance Joule P dissipe dans la transistor en fonction du
courant IC . En ngligeant le courant de base, on peut crire :
IC
VC VCE
.
RC + RE
39
(2.51)
I
C
d P /d IC < 0
r g u la tio n
P a s d e
r g u la tio n
V
C
/2
V
C E
C
(2.52)
(2.53)
(2.54)
VC
VCE
40
(2.55)
2.4
Conclusion
41
42
Chapitre 3
Amplification courant
continu
3.1
3.1.1
Prsentation du problme
Gnralits
3.1.2
I
I
V
V
C
R
C
V
(b + 1 ) I
V
B
C B 0
B 'E
b I
B
= rE (IC + IB )
= rE (N + 1)(IB + ICB0 ).
(3.1)
Cette relation nest pas linaire mais affine, ce qui traduit lexistence dune
tension de dcalage VB E et dun courant de dcalage ICB0 .
44
3.1.3
N
)
1 + N
(3.2)
(3.3)
= BICB0 .
(3.4)
T
T
Si lon travaille en amplification de petits signaux, les termes de dcalage
et de drive, qui sont des termes continus ou trs lentement variables, sont
sans importance. En effet, il suffit de les liminer par un filtrage passe-haut
(liaison capacitive). En revanche, si lon veut amplifier des tensions et courants continus, ces termes derreurs sont trs gnants, et ce montage ne peut
pas tre utilis.
3.2
3.2.1
Amplificateur diffrentiel
Schma quivalent et quations
V
I
V
I
B 1
B 1
B 1
C 1
C 1
C C
I
C 2
T 1
T 2
E
C 2
B 2
B 2
B 2
E E
IC1
IC2
VB1
B2
= (1 + 1 )ICB01 + 1 IB1
= (1 + 2 )ICB02 + 2 IB2
= RB1 IB1 + VB E1 + rE1 (IB1 + IC1 ) + RE (IB1 + IC1 + IB2 + IC2 )
+VEE
= RB2 IB2 + VB E2 + rE2 (IB2 + IC2 ) + RE (IB1 + IC1 + IB2 + IC2 )
+VEE .
(3.5)
46
I
(1 + b 1 ) I
C 1
C 1
C 1
b 1 I
C B 0 1
B 1
rE
B 1
B 1
- V
C 2
B 1
r
1
B 'E 1
V
I
C 2
C 2
(1 + b 2 ) I
B 2
E 2
V
E
C C
B 2
B 'E 2
B 2
C B 0 2
B 2
E E
R
R
RB2
RB1
+ B2 + B1
1
2
1 2 RE
V
RB2
+rE2 ) REE
2
E
IC2 = ICB02
+
R
R
RB2
RB1
+ B2 + B1
1
2
1 2 RE
V
RB1
+rE1 ) REE
1
E
(3.6)
= RC , on peut exprimer simplement VC1
(3.7)
RB
1
R2
B
1 2 RE
+rE1 )(
RB
2
+rE2 )
VEE
RE
(3.8)
Pour simplifier lexpression, on utilisera la notation x = x2 x1 et D
pour le dnominateur :
47
R
A
V
R
C C
C 1
T 1
C 2
T 2
3.2.2
VB VB E + RB ICB0 +
D
RB
VEE
RE (
+ rE )
(3.9)
VEE
RB
RC
+ rE ) . (3.10)
VB E + RB ICB0 +
(
D
RE
48
3.2.3
Tension de dport
Dfinition 3.2.1 La tension de dcalage ou de dport (en anglais offset) est
la tension diffrentielle quil faut appliquer en entre de lamplificateur pour
que la tension diffrentielle de sortie soit nulle.
Lexpression (3.8) montre que la tension diffrentielle de sortie est nulle,
VC1 VC2 = 0, si lon applique en entre une tension diffrentielle VB2 VB1 =
VB non nulle. Cette tension de dport (ou de dcalage, ou doffset) est note
Vd et satisfait :
Vd =
D
VEE
RB
+ RB ICB0 VB E +
(
+ rE ).
2
2RE
(3.11)
49
Id = (IB2 IB1 )d = IC
1
+ 1
1 2 + 1
1
ICB02 +
ICB01 . (3.14)
2 1
2
1
1
1
ICB0 .
2 1
(3.15)
=
=
1 2 103 .
2 1
1 2
1 2
(3.16)
Gnralement dans les amplificateurs diffrentiels, ltage dentre possde un courant de polarisation IC faible (de lordre de quelques A). Par
consquent, les deux termes de lexpression (3.15) sont du mme ordre de
grandeur.
Gain diffrentiel
Dfinition 3.2.3 Le gain diffrentiel Gd est le rapport des tensions diffrentielles dynamiques de sortie et dentre :
Gd =
d(VC2 VC1 )
.
d(VB2 VB1 )
(3.17)
A partir de la relation (3.8), en diffrentiant (ce qui limine les gnrateurs de tension et courant constants), on trouve :
Gd =
2RC
rE1 + rE2 + RB ( 11 +
1
2 )
2
RB
1 2 R E
(3.18)
50
d(VC2 VC1 )
.
dVB
(3.20)
dIC1
dIC2
dVB
dVB
=
=
=
=
1 dIB1
2 dIB2
RB1 dIB1 + rE1 (dIB1 + dIC1 ) + RE (dIB1 + dIC1 + dIB2 + dIC2 )
RB2 dIB2 + rE2 (dIB2 + dIC2 ) + RE (dIB1 + dIC1 + dIB2 + dIC2 )
(3.21)
La rsolution lmentaire fournit les variations de courants dIC1 et dIC2
en fonction de dVB , do lon tire :
h
i
RB
RB
(
+
r
)
(
+
r
)
R
E1
E2
C
1
2
RC (dIC2 dIC1 )
, (3.22)
GM C =
dVB
D
avec :
D =
i
ih
h
(rE1 + RE )(1 + 1/1 ) + RB /1 (rE2 + RE )(1 + 1/2 ) + RB /2
2
+RE
(1 + 1/1 )(1 + 1/2 ).
(3.23)
(3.24)
RC (RB / + rE )
.
RE
2rE
(3.25)
Le gain de mode commun est dautant plus petit que RE est grand et
que les transistors sont identiques (terme (RB / + rE )). Ceci donne un argument supplmentaire pour raliser la polarisation de la paire diffrentielle
laide dun gnrateur de courant dont limpdance de sortie, trs grande,
remplacera avantageusement RE .
51
b1I
V
B 1
B 1
+ 1( + b 1 ) I C
I
B 1
B0 1
b 2I
rE
B 'E 1
r
V
+ 1( + b 2 ) I C
B 2
E 2
V
E
B0 2
B 2
B 2
B 'E 2
E E
d(VB2 VB1 )
.
d(IB2 IB1 )
(3.26)
Sur la figure 3.6, qui reprsente une partie du schma quivalent de lamplificateur, et o on note V le potentiel constant (car polaris par un courant
de polarisation constant Ip ) des metteurs, on peut r-crire les relations
(3.5) :
(3.27)
(3.30)
(3.33)
2RE
.
(RB / + rE )
(3.34)
53
V
B
R
C
C C
C 1
T 1
C 2
T 2
V
B
+
Fig. 3.7 La tension de mode commun VM
C est la tension positive VB
maximale telle que les transistors T 1 et T 2 sont en rgime linaire.
(3.36)
commun minimale, VM
C . A lquilibre, le courant de polarisation Ip se partage galement dans les deux branches de lamplificateur diffrentiel. On
admet que IC1 = IC2 = IC = Ip /2, et, par consquent, VC1 = VC2 =
VCC RC IC .
Pour garantir que les transistors T 1 et T 2 ne soient pas saturs, il faut
que C 0, cest--dire que les potentiels de collecteur soient suprieurs ou
gaux aux potentiels de base (transistors NPN) :
+
VC VCC RC IC = VM
C.
54
(3.37)
3.3
3.3.1
On se propose de concevoir un amplificateur diffrentiel dont les proprits se rapprochent le plus possible dun composant idal, caractris par une
impdance dentre infinie, un gain diffrentiel infini et une impdance de
sortie nulle.
En ralit, ces valeurs thoriques ne peuvent pas tre atteintes, et on
cherchera simplement concevoir des circuits ayant une trs grande impdance dentre, un trs grand gain diffrentiel et une impdance de sortie trs
petite. A ces paramtres fondamentaux, il faut ajouter dautres paramtres
qui permetent de caractriser plus finement un circuit rel et ses dfauts, et
notamment :
la tension de dport (en anglais offset) et sa drive (en anglais drift),
le courant de dport et sa drive,
les courants de polarisation (en anglais bias),
la tension de mode commun,
la dynamique de tension de sortie,
la rjection de mode commun (en anglais common mode rejection),
la bande passante,
la vitesse de monte, ou vitesse de balayage (en anglais slew rate), en
V /s,
le courant de consommation, ICC en mA,
le courant de sortie en court-circuit, ISCC en mA,
la rjection de tension dalimentation VS /VCC en mV/V ou en dB,
etc.
3.3.2
Structure gnrale
55
C C
E E
2 ta g e s d iff r e n tie ls
tr a n s la tio n
s tr u c tu r e s y m tr iq u e
p u is s a n c e
s tr u c tu r e a s y m tr iq u e
56
V
I
I
R
V
Z
T 2
B E 2
R
E
Ce schma est bien sr extrmement simplifi, mais correspond larchitecture de nombre de composants actuels. Dans la suite, nous nous proposons
dtudier les diffrents blocs fonctionnels, et les amliorations que lon peut
y apporter afin de se rapprocher dun amplificateur idal.
3.3.3
Gnrateurs de courant
Dans les tages diffrentiels, et mme trs frquemment dans les autres
tages, la polarisation est assure par un gnrateur de courant. Ce montage
permet, en particulier pour le premier tage, dobtenir une bonne polarisation
en courant avec une impdance de sortie trs grande (assurant RE 1).
Dans ce paragraphe, nous tudions quelques montages parmi les plus usuels.
Gnrateur de courant diode Zner
Dans le montage de la figure 3.9, la diode Zner est polarise la tension
VZ par la tension Vp au travers de la rsistance R (ou directement par un
courant Ip ). La tension VZ polarise son tour le transistor T 2 et le courant
I2 du gnrateur peut crire :
I2
VZ VBE2
,
RE
(3.38)
1
h11 k RE
+
+ h11 k RE .
h22
h11
h22
57
(3.39)
V
I
R
p
T 2
T 1
V
Z
B E 1
B E 2
R
E
1
.
h22
(3.40)
.
h22
(3.41)
.
(3.42)
dT
RE dT
dT
58
I
1
T 2
T 1
B E 1
B E 2
VZ + VBE1 VBE2
.
RE
,
dT
RE dT
dT
dT
RE dT
(3.43)
(3.44)
car les drives dVBE1 /dT et dVBE2 /dT , sans tre exactement gales, sont
trs voisines et se compensent. Ce montage illustre encore le principe de
compensation.
Miroirs de courant transistors
I
1
T 2
T 1
R
1
B E 1
B E 2
R
2
(3.47)
Lerreur relative de recopie du courant command sur le courant de commande est de lordre de 2/, cest--dire du %.
Dun point de vue de la temprature, ce montage a un bon comportement,
car la drive est due aux drives des tensions BE des deux transistors, drives
qui se compensent. Ce montage trs simple est un bloc de base trs courant
dans les circuits intgrs.
Gnrateur de courant avec rsistances dans les metteurs
Ce montage gnrateur de courant (Fig. 3.12) permet de commander
facilement des courants de diffrentes valeurs en jouant sur les rsistances
dmetteur R1 et R2 . Le principe est similaire au miroir de courant prcdent,
mais la polarisation fait intervenir les chutes ohmiques dans ces rsistances.
En crivant la loi dOhm dans la maille entre les metteurs et la masse,
on a :
VBE1 + R1 I1 VBE2 + R2 I2 .
(3.48)
Par ailleurs, les tensions VBE1 et VBE2 suivent des lois de diode :
(
1
VBE1 = VT ln IIE1
VT ln II01
01
IE2
I2
VBE2 = VT ln I02 VT ln I02
60
(3.49)
(3.51)
I2
R1 h
I2 i
VT
=
ln
1
.
I1
R2
R1 I1 I1
(3.52)
R2 I2 R1 I1 = VT ln
soit, en divisant par R2 I1 :
.
(3.53)
I1
R2
Cette relation est valable 10 % prs si le rapport des courant satisfait :
I2
1
<
< 10.
10
I1
(3.54)
(3.55)
Pour I2 /I1 = 10, le logarithme naturel vaut environ 2.3 ; pour I2 /I1 = 1/10,
le logarithme naturel vaut environ 2.3. Par consquent, si 1/10 < I2 /I1 <
10, on a :
V
1
I2
T
ln < .
(3.56)
R1 I1 I1
10
Par ailleurs, on montre (voir TD) que ce montage a de nombreux avantages : le courant command est peu sensible aux variations du courant de
commande, sa drive est faible (grce au principe de compensation) et son
impdance de sortie est trs grande.
61
I
1
T 2
T 3
T 1
Fig. 3.13 Le miroir de courant de type Wilson fournit une recopie trs
prcise du courant de commande.
Variante avec la rsistance R1 nulle
Ce montage peut tre utilis avec une rsistance R1 nulle, afin de commander des courants I2 trs faibles. On peut crire la loi dOhm :
VBE1 VBE2 + R2 I2 ,
puis les lois de diode :
(
1
VT ln II01
VBE1 = VT ln IIE1
01
IE2
I2
VBE2 = VT ln I02 VT ln I02
(3.57)
(3.58)
I2
,
I1
(3.59)
VT
I1
ln .
I2
I2
(3.60)
prcise du courant de commande. Les transistors T 1 et T 3 imposent au transistor T 1 un potentiel VCE1 1.2V . Le courant de commande I1 polarise T 1
dont la tension VBE1 est recopie en VBE3 . Si les transistors sont identiques,
on a donc IE1 = IE3 , et par consquent I2 I1 .
Calculons de faon plus prcise la relation entre le courant de commande,
I1 , et le courant command, I2 . On peut crire :
IE1 = I1 IB2 + IB1 ,
(3.61)
IE3 = I2 + IB2 IB1 .
En utilisant lgalit IE1 = IE3 , on a :
I2 = I1 + 2(IB1 IB2 ).
Or, les courants de base valent :
(
IB1 =
IB2 =
I1 IB2
1 ,
I2
2 .
I2 = I1 + 2
1
2
(3.62)
(3.63)
(3.64)
(3.65)
Finalement, on a arrive :
I2 I1 1
2
.
2 1
(3.66)
Cette relation montre que lerreur de recopie est de lordre de 2/ 2 . Sachant que & 100, on voit que lerreur est plus petite que 2/10000, que lon
peut comparer lerreur de 2/100 du miroir classique. Ce montage est une
solution courante pour les miroirs de courant de prcision.
Sources ou puits de courant
Dans les ouvrages en anglais, on fait parfois la distinction entre current
source et current sink. En fait, cette terminologie prcise seulement si le
courant est fourni ou absorb par le gnrateur. Les deux montages (Fig.
3.14) utilisent des transistors de types diffrents et sont symtriques par
rapport la rfrence de tension :
63
I
2
T 2
T 1
T 2
T 1
P u its
S o u rc e
+
C C
R
V
T 2
T 1
R
C
V
2
C C
3.3.4
Translation de niveau
Aprs la cascade damplificateurs (frquemment 2 tages), il faut ramener la tension vers un niveau moyen proche de 0. Pour cela, on ralise des
dcalages de tension laide de montages translateur.
64
+
C C
V
1
T 1
C C
R
C
V
2
+
VCC
(V1 + VBE2 )
,
RE
(3.67)
do
V2 = VCC
+ RC I2 = VCC
+
RC +
[V (V1 + VBE2 )].
RE CC
(3.68)
65
(3.70)
+
C C
V
1
T 1
V
2
(3.71)
do le rsultat :
VBE1
V1 V2
=
,
RE
RC + RE
(3.72)
RC
.
V1 V2 = VBE1 1 +
RE
(3.73)
3.3.5
+
C C
V
1
T 1
T 2
V
E
V
R
B 1
+
C C
C 1
T 1
C 2
T 2
B 2
T 4
T 3
R
G
C C
67
Impdance dentre
Occupons nous dabord de limpdance dentre, ZE . Comme nous lavons
vu, elle est gale ZE = rE o rE est la rsistance dynamique de la diode
BEde T 1 ou de T 2. Soit Ip le courant de polarisation de ltage diffrentiel,
lquilibre, T 1 et T 2 sont traverss par un courant Ip /2 et la rsistance
dynamique vaut :
rE =
VT
2VT
=
.
Ip /2
Ip
(3.74)
2VT
.
Ip
(3.75)
2VT
.
Zmin
(3.76)
(3.77)
La valeur de est inconnue, mais on peut supposer que > min = 100. On
a alors, en se plaant dans les pires cas :
Ip
2min VT
2 100 (25 103 )
=
= 50A.
Zmin
105
(3.78)
Ip
IC
=
< 0.25A.
68
(3.79)
Gain en tension
Daprs la formule montre dans le cours, on sait que le gain scrit
Av = RC /rE , o RC = RC1 = RC2 est la rsistance de charge (entre
les collecteurs et le tension positive dalimentation) et rE est la rsistance
dynamique de la jonction BE deT 1 et T 2. En exprimant rE en fonction de
Ip , on a :
RC Ip
Av =
.
(3.80)
2VT
Le signe traduit simplement le fait que la sortie est en opposition de phase
sur lentre. Puisque lon veut | Av |> Amin = 10, il faut :
RC Ip
> Amin ,
2VT
(3.81)
cest--dire :
RC >
2Amin VT
2 10 (25 103 )
=
= 10k.
Ip
50 106
(3.82)
(3.83)
(3.84)
+
Si on veut VM
C > 8V , il faut une tension dalimentation VCC qui vrifie :
(3.85)
69
cependant rester suffisamment lev pour que le gnrateur de courant fonctionne correctement. En particulier, le transistor T 3 de sortie du gnrateur
doit rester en rgime linaire, autrement dit C3 0. Les transistors T 1 et
T 2 tant en rgime linaire, on a en particulier VBE1 = VBE2 = VBE 0.6V .
Ainsi, on doit avoir :
(3.86)
VB = VM
C = VCC + VBE4 + VBE1 = VCC + 2VBE .
(3.87)
Si on veut VM
C < 8V , il faut donc que la tension ngative dalimentation
satisfasse :
VCC
< 9.2V.
(3.88)
Calcul de RG
Calculons RG en supposant que le transistor T 4 mont en diode est travers par un courant (de commande, non reprsent) I4 = 100A. En utilisant la relation (3.60), on a :
RG =
VT
I4
ln .
Ip
Ip
(3.89)
(3.90)
Conclusion
Nous avons vu au travers de cet exemple que certaines caractristiques
sont contradictoires. Par exemple, si le courant de polarisation diminue, limpdance dentre crot alors que le gain en tension dcrot. Il faut donc raliser des compromis. En ce qui concerne le premier tage, leffort doit tre
port sur limpdance dentre. En effet, un gain moyen pourra tre facilement compens par la cascade avec dautres tages amplificateur, alors que
limpdance dentre ne pourra pas tre corrige par les tages suivants.
70
+
C C
T 3
I
T 4
I
1
D e
2
T 2
T 1
B 1
B 2
D e
2
3.3.6
Dans un circuit intgr, les charges passives (rsistances) prsentent plusieurs inconvnients :
la ralisation dun transistor est plus simple que la ralisition dune
rsistance,
un grand gain en tension ncessite de grandes valeurs de rsistances,
et entrane un encombrement important,
une grande rsistance de charge entrane une chute de potentiel importante, qui rduit la tension de mode commun en entre,
les rsistances sont des composants difficiles apparier.
Pour ces raisons, on a cherch dautres solutions, mieux adaptes aux
contraintes technologiques. Cest le cas des charges actives qui remplacent
fort avantageusement les charges rsistives (passives). Le montage dun tage
diffrentiel avec charges actives est propos la figure 3.20.
Le principe du montage est simple. En effet, les charges actives T 3 et T 4
forment un miroir de courant. Ainsi, le courant I1 traversant le transistor T 1
polarise le transistor mont en diode T 3 puis est recopi dans T 4. Le courant
de sortie, IS est donc gal :
IS = I4 I2 = I1 I2 .
71
(3.91)
Ip
e
I2 = I2 + 2rE2
= 2p + eI
(3.92)
4VT
I
p
e
=
1+
.
2
De mme, on a :
I1 =
2VT
Ip
e
.
1
2
2VT
(3.93)
Ip
Ip e
= (VB2 VB1 )
.
2VT
2VT
(3.94)
Si cet tage est charg avec une impdance ZL , on a une tension de sortie :
VS = ZL IS = (VB2 VB1 )
ZL Ip
ZL
= (VB2 VB1 ).
2VT
rE
(3.95)
3.3.7
72
B 2
iE
i
C
b rE
iB
b iB
Z
v
S
En passant dans lespace de Laplace (la variable symbolique est note p), on
a:
VS = ZL [IE + C( + 1)VS p],
(3.98)
cest--dire :
VS
ZL
.
=
IE
1 + ZL C( + 1)p
(3.99)
1
800Hz.
2 200 (100 103 ) 1011
(3.100)
3.3.8
Pour corriger leffet Miller, il faut empcher les grandes variations sur le
collecteur de T 2. Ceci est possible en insrant un tage cascode entre la paire
diffrentielle et les charges actives (Fig. 3.22).
73
+
C C
T 3
T 4
I
V
I
1
T 2
T 1
B 1
T 6
T 5
P
B 2
I
Fig. 3.22 Correction de leffet Miller par un bloc cascode.
i
C
v
P
= 0
b rE
iB
b iB
Z
v
S
74
B 1
T 3
T 1
T 2
T 4
B 2
3.3.9
1
.
2ZL CBC6
(3.101)
75
+
C C
T 5
I
T 4
T 3
I
V
B 1
I
2
T 2
T 1
B 2
T 6
Fig. 3.25 Paire diffrentielle transistors super-gain et le montage cascode qui assure une tension VCE de faible valeur.
de lautre. De plus, elle est difficile apparier ce qui entrane des tensions
de dport importantes.
Transistors super-gain
Le gain peut tre augment si le gain sapproche de 1. Pour cela, il
faut faciliter leffet transistor, cest--dire augmenter la proportion de charges
mises sur lmetteur qui atteindront le collecteur. Dun point de vue technologique, ceci est possible en ralisant une base de trs faible paisseur.
Linconvnient dun tel dispositif est le risque de claquage si la tension VEC
dpasse quelques Volts. Pour cette raison, en anglais, ces transistors sont
appels punch-through.
Lorsque de tels transistors sont utiliss, on ajoute au montage un systme
qui contraint la tension VCE de ces transistors un potentiel faible. Un
exemple dun tel montage est reprsent la figure 3.25. Dans ce montage,
la base des deux transistors super-gain, T 1 et T 2, sont reprsentes par
un rectangle. On remarque que le systme de protection (T 3 et T 4 et sa
polarisation) est en fait un bloc cascode dont la polarisation (par T 5 et T 6)
76
E 1
B 5
I
B 3
T 5
B 5
T 3
+
C C
C 3
T 1
T 2
T 4
Fig. 3.26 Exemple damlioration de ltage dentre : diminution des courants dentres et augmentation de limpdance dentre.
assure une tension VCE 0.6V quelle que soit la tension sur les entres.
Calculons la tension VCE1 du transistor T 1. Si la polarisation rend conducteur les diffrents transistors T 1, T 3, T 5 et T 6, les tensions BE de ces transistors sont de lordre de 0.6V . De faon plus prcise, on peut donc crire :
VCE1 = VBE5 + VBE6 VBE3 0.6V.
3.3.10
(3.102)
(3.103)
.
+1
(3.104)
(3.105)
En ce qui concerne limpdance dentre, si on note rE la rsistance dynamique de la jonction BE de T 1, on a sur la base de T 1 une impdance
Z1 = rE . Sur la base de T 3, limpdance est fois plus grande : Z3 = 2 rE .
Sur lentre du composant, limpdance est encore multiplie par un facteur
, soit :
ZE1 3 rE .
(3.107)
3.3.11
Une autre manire damliorer ltage dentre dun amplificateur diffrentiel est dutiliser une paire diffrentielle effet de champ (FET). Les
entres de lamplificateur sont alors les grilles des FET. Par consquent, les
courants dentres sont ngligeables et limpdance dentre est trs grande,
de lordre de 1015 .
Linconvnient majeur de ce montage est que lappariement des transistors FET est plus dlicat que celui de transistors bipolaires. Cela implique
une tension de dcalage plus importante, de lordre de la dizaine de mV, et
des drives de 10 20 V /o C.
Les amplificateurs oprationnels de la srie LF (LF 351, LF 355, etc.)
sont des circuits dont ltage dentre est une paire FET. Des dtails sont
accessibles dans la documentation technique de ce composant fournie en
Annexe de ce cours.
78
+
C C
S '
R
E
C C
3.3.12
Etage de sortie
Cet tage doit fournir une tension susceptible de commander des charges
importantes. Pour cela, on dsire un montage avec une faible impdance de
sortie.
Principe
Le montage typique qui fournit une faible impdance de sortie est le
montage collecteur commun (Fig. 3.27). La sortie VS suit3 la tension dentre
VS :
(3.108)
VS = VS VBE .
Cet tage est trs simple mais trs mauvais dun point de vue nergtique.
En effet, lorsque la sortie VS = 0, cest--dire en absence de signal, un courant
IE = VCC
/R circule dans la rsistance R conduisant une puissance P
perdue par effet Joule :
(V )2
P = CC .
(3.109)
R
Montage push-pull
Pour viter cette perte, on utilise deux transistors, un PNP et un NPN
(Fig. 3.28). De cette faon, le principe de fonctionnement est le suivant :
Lorsque VS > 0, le transistor T 1 est conducteur alors que T 2 est
bloqu : le courant passe donc de la tension haute dalimentation vers
la masse au travers de T 1 et de la charge RL .
3
cest pour cela que lon appelle aussi ce montage metteur suiveur
79
+
C C
T 1
S '
T 2
V
S
C C
V
S
S '
80
+
C C
T 1
D 1
S '
D 2
T 2
V
S
C C
81
+
C C
I
T 1
D 1
r1
S '
r
D 2
T 2
C C
VCC
VCC
.
r1 + r2
(3.110)
82
VBE
.
r1
(3.111)
V
I
D 1
T 1
T 3
r1
S '
D 2
+
C C
T 4
R
2
V
S
T 2
C C
3.4
Conclusion
83
84
Chapitre 4
Amplificateurs oprationnels
intgrs
4.1
Introduction
85
R
V
R
E
i2
1
i1
V
u
4.2
4.2.1
Principe de calcul
Montage inverseur
VS
R2
= .
VE
R1
(4.1)
(4.2)
u
E
V
-
1
(
R1
R1 +R2
(4.3)
1
Si on note = R1R+R
la fraction de la tension de sortie VS ramene sur
2
lentre de lamplificateur, on remarque que le terme correctif est gal :
1
1 = 1 + .
1 +
4.2.2
(4.4)
1
,
u
= VS R1R+R
2
87
(4.6)
R1
.
R1 + R2
VS
R1
= VE VS R1 +R2 ,
1
= VE ,
VS 1 + R1R+R
2
R1
1
1+
= VE ,
VS R1 +R
R1
2
( R +R
)
1
2
(4.7)
(4.8)
1
la fraction de la tension de sortie VS ramene sur
En posant = R1R+R
2
lentre de lamplificateur, on trouve finalement :
R2 1
VS
= 1+
1 .
VE
R1 1 +
(4.9)
On remarque que le terme correctif est le mme pour les deux montages
de base, inverseur et non inverseur.
4.2.3
Av (+) Av ()
,
Av ()
1 1+1 1
,
1
1
1+
1
.
(4.10)
88
e
m
1 /b
f
(4.11)
4.2.4
Remarque
Les calculs ci-dessus supposent que les montages sont stables. On pourrait
reproduire les montage en intervertissant les entres + et des amplifica89
R
V
E
u
1
R
V
E
R
1
V
S
u
V
u
90
R
V
E
i2
i
i1
Z
u
V
S
4.3
Erreur de calculs
Le terme correctif 1/(1 + 1/) peut tre tendu pour prvoir les erreurs
dues aux valeurs finies des impdances dentre et de sortie. Dans la suite,
compte tenu des rsultats du paragraphe prcdent, qui ont montr que le
terme correctif a la mme forme pour les deux montages, on neffectuera les
calculs que pour un montage inverseur.
4.3.1
Calculs
On considre le montage amplificateur inverseur (Fig. 4.5), avec une impdance dentre finie (ZE entre les deux entres de lamplificateur). Puisque
limpdance dentre est finie, le courant dentre i nest pas nul. La loi des
nuds sur lentre de lamplificateur scrit donc : i1 + i2 + i = 0, cest-dire :
u
VE u VS u
+
= 0
R1
R2
ZE
1
VS
1
1
VE
= 0,
+
u
+
+
R1
R2
R1 R2 ZE
(4.14)
avec VS = u.
Par analogie avec lquation (4.2), on propose de ramener toute linfluence
de ZE dans un terme (ZE ) tel que :
VE
VS
VS 1
1
1 VE
VS
VS 1
1
=
(4.15)
+
+
+
+
+
+
+
R1 R2
R1 R2 ZE
R1 R2 (ZE ) R1 R2
91
soit, en simplifiant :
VS 1
VS 1
1
1
1
=
+
+
+
.
R1 R2 ZE
(ZE ) R1 R2
(4.16)
1+
R1 kR2
ZE
(4.17)
Lintrt de cette analogie est que le terme correctif scrit comme (4.4),
en remplaant simplement par (ZE ) :
1
1+
1
(ZE )
(ZE )
.
1 + (ZE )
(4.18)
Quelques remarques
Remarque 1. Dans le cas o ZE tend vers linfini, on voit facilement que
(ZE ) et on retouve bien le terme correctif (4.4).
Remarque 2.
2
2
1 + R1ZkR
1 + R
1
ZE
E
=
=
.
(ZE )
(4.19)
4.3.2
92
R
V
E
R
1
i1
V 'S
i2
S
V
S
is = VSRu
2
En liminant le courant iS et la tension VS , on arrive la relation :
VS =
ZS /R2
u.
1 + ZS /R2
(4.21)
ZS /R2
.
1 + ZS /R2
(4.22)
VS
+
is = VSRu
ZL
2
En liminant le courant iS et la tension VS , on arrive la relation :
VS =
ZS /R2
u.
1 + ZS /(R2 k ZL )
93
(4.24)
ZS /R2
.
1 + ZS /(R2 k ZL )
(4.25)
1
(ZS )
1
1+
(4.26)
1
(ZS ,ZL )
(4.27)
1
1 + ZS /R2
=
,
(ZS )
( ZS /R2 )
1 + ZS /(R2 k ZL )
1
=
.
(ZS , ZL )
( ZS /R2 )
(4.28)
(4.29)
Quelques remarques
Remarque 1.
On vrifie facilement que le terme correctif et lerreur
tendent vers les valeurs idales lorsque ZS O.
Remarque 2.
Remarque 3. Dans le cas dun montage o la rsistance R2 est remplace par une capacit dimpdance Z2 = 1/C2 p (par exemple, un montage
intgrateur), qui dcroit lorsque la frquence augmente, on comprend que
linfluence de ZS peut devenir trs importante en haute frquence.
94
V
S
V
S
d
4.3.3
S
Z
R2
2
1+
1 + R1ZkR
E
ZS
R2
S
Z
R2
(ZE , ZS , ZL ) =
2
1 + R1ZkR
1+
E
4.3.4
(4.30)
,
ZS
R2 kZL
,
(4.31)
Conclusion
Dans la suite, on effectuera toujours les calculs en supposant que les trois
paramtres , ZE et ZS sont idaux, puisque lon sait trs facilement corriger
les erreurs de calcul introduites par cette hypothse simplificatrice.
4.4
Erreurs statiques
Les erreurs statiques sont dues des paramtres rels de lamplificateur modliss par des gnrateurs de tensions ou de courant continus. En
particulier, la tension de dcalage (ou dport, ou offset) et les courants de
polarisation sont responsables de ce type derreur.
4.4.1
Modle
Dans un amplificateur rel, si lon court-circuite les deux entres de lamplificateur, la tension de sortie nest gnralement pas nulle. Pour lannuler,
95
V
d
a m p li. id a l
a m p lific a te u r r e l
Fig. 4.8 Modle damplificateur tenant compte de la tension de dcalage.
il faut appliquer une tension diffrentielle continue Vd (Fig. 4.7). Pour modliser lamplificateur rel, on peut donc associer un gnrateur de tension
Vd un amplificateur idal (Fig. 4.8). La tension Vd rsultant notamment
des diffrences entre les deux branches de la paire difrentielle dentre, le
signe de Vd nest pas connu et varie dun composant un autre. Les feuilles
de spcifications des constructeurs donnent gnralement une valeur typique
et ventuellement une valeur minimale et une valeur maximale (parfois
plusieurs tempratures).
Equations
On considre donc le montage inverseur de la figure 4.9 dans lequel on a
tenu compte de la tension de dcalage Vd , et tous les autres paramtres sont
supposs idaux. En appliquant la loi des nuds sur lentre , on a :
VE Vd VS Vd
+
= 0,
R1
R2
do :
VS =
R2
R2
VE + 1 +
Vd .
R1
R1
(4.32)
(4.33)
Vd
R2
.
Vd =
Vd = 1 +
R1
(4.34)
(4.35)
R
V
E
V
1
i2
V
i1
(4.36)
Remarques
Remarque 1. La tension de dport est en gnral de quelques millivolts.
Avec un gain de lordre de la centaine, lerreur ramene en sortie est de
lordre de quelques dizimes de volts, ce qui est trs important. Il faut donc
frquemment compenser cette tension de dcalage, ce qui est possible si le circuit possde deux broches de compensation, permettant dquilibrer la paire
diffrentielle dentre (Fig. 4.10) : on rgle le point milieu de la rsistance
ajustable de sorte que VS = 0 pour une entre VE = 0. Cette compensation
simple nest cependant valable qu une temprature donne, en raison de la
drive de la tension de dcalage.
Remarque 2. Puisque le signe de Vd est inconnu, on peut placer le signe
du gnrateur qui le modlise o on le dsire.
97
C o m p .
C C
C o m p .
4.4.2
Dfinition et modle
Dans le cas dtage diffrentiel dentre transistors bipolaires, les courants dentre sont des courants de base, faibles mais non ngligeables. En
effet, pour un amplificateur oprationnel, le courant de polarisation Ip de
ltage diffrentiel est de lordre du microampre, les courant de base sont
donc de lordre du nanoampre la dizaine de nanoampres. Dans le cas
dtage diffrentiel dentre transistors effet de champ (FET ou MOS),
les courants dentre sont des courants de grille que lon peut supposer ngligeables. Ce paragraphe ne concerne donc que les amplificateurs oprationnels
transistors bipolaires.
+
Calcul
On considre le montage amplificateur inverseur de la Fig. 4.12. La loi
des nuds aux entres + et scrit :
i1 + i2 = Ib
(4.37)
i3 = Ib+
En notant u+ = u = u, cette relation devient :
(
VE u
VS u
= Ib
R1 + R2
Ru3 = Ib+
98
(4.38)
I
b
Fig. 4.11 Modlisation des courants de polarisation dentre dun amplificateur oprationnel.
V
E
I
1
i1
i2
-
V
R
i3
I
99
(4.39)
Les courants des deux entres ne sont pas identiques, mais ils sont trs
proches car les transistors de la paire diffrentielle sont apparis. Cest pourquoi, on compense ces courants en donnant la rsistance R3 la valeur :
R3 = R1 k R2 . En reportant cette valeur dans lquation (4.40), lerreur se
rduit :
h
i
Ib = R2 Ib Ib+ = R2 Id ,
(4.41)
o Id est le courant de dport, cest--dire lcart entre les courants de polarisation des deux entres.
Remarques
Remarque 1. Lerreur due au courant de polarisation est proportionnelle
la rsistance R2 .
Remarque 2. La compensation simple propose ci-dessus permet de rduire lerreur car le courant de dport Id est au moins dun ordre de grandeur
plus faible que les courants de polarisation. On peut affiner cette compensation en ajustant la rsistance R3 .
Remarque 3. Cette compensation simple nest cependant valable qu
une temprature donne, en raison des drives des courants de polarisation
et de dport.
4.4.3
Dfinition
On observe que la tension de sortie varie avec la tension dalimentation
VCC : VS = VCC . On caractrise ce phnomne par le taux de rjection
de tension dalimentation, not SV R pour Supply Voltage Rejection.
100
R
R
V
u
u
,
(4.42)
VCC
o u et VCC sont respectivement les variations de la tension diffrentielle
dentre et de la tension dalimentation qui conduisent une mme variation
VS de la tension de sortie.
SV R =
En pratique, on sait que limpdance interne dune alimentation est souvent selfique, et augmente avec la frquence, alors que le rjection des tensions
dalimentation diminue avec la frquence (en raison de (p)). Ces variations
peuvent entraner des oscillations, notamment dans des amplificateurs de
puissance, en raison du bouclage ralis entre la sortie et lentre par lalimentation. En effet, qualitativement, si lalimentation fournit beaucoup de
courant pour la sortie, la chute de tension dans limpdance interne entrane
un VCC < 0, qui entrane en raison du SV R une variation du gain diffrentiel du montage et donc une variation de lamplitude de sortie.
Mesure du SV R
On peut mesurer le SV R partir dun montage amplificateur inverseur,
dont lentre VE est relie la masse : VE = 0 (Fig. 4.13).
Daprs la dfinition, on a :
u = SV RVCC ,
(4.43)
Or :
R1
= VS ,
R1 + R 2
donc en diffrentiant, on a la relation :
u = VS
u = VS .
101
(4.44)
(4.45)
+ V
C C
-V
C
C C
VS
.
VCC
(4.46)
4.5
Rponse en frquence
On considre souvent la bande passante de lamplificateur comme sa caractristique dynamique essentielle. En ralit, les montages tant fonds
sur des contre-ractions avec des lments passifs, voire actifs, la stabilit
du montage est un aspect dynamique ne pas oublier. En fait, il sagit souvent de raliser un bon compromis entre largeur de bande et stabilit. Nous
montrerons dans cette partie que de nombreux paramtres, en particulier
les impdances de charges ou les capacits parasites associes aux broches
dentre de lamplificateur mettent en danger la stabilit des montages. Pour
garantir la stabilit, nous tudierons quelques mthodes de compensation.
De plus, la bande passante des grands signaux en sortie dpend dun autre
paramtre : la vitesse de monte (slew rate), que nous tudierons aussi en
dtails.
4.5.1
0
,
(1 + 1 p)(1 + 2 p)
(4.47)
103
V
C
R
E
B C
C C
C a p a c it
p a r a s ite
0
P r e m ie r ta g e
S e c o n d ta g e
0
,
(4.49)
1 + 2(1 + 2 )p + 1 2 p2
que lon peut mettre sous la forme canonique dun circuit du second ordre :
(p) =
(p) =
0
,
1 + 2 p + 2 p2
avec :
1 + 2
,
2 1 2
1 2
=
104
(4.50)
(e n d B )
m ( p )
p e n te - 6 d B /o c ta v e
p e n te
- 1 2 d B /o c ta v e
(e n rd )
w
1
- p / 2
- p
4.5.2
AV i
,
1 + 1/((p))
AV r =
1+
AV i
1+2 p+ 2 p2
0
105
(4.51)
R
V
E
m (p )
V
0
1 + 0 1 + 2
1+0 p
2
2
1+0 p
1+
2 p
+ 2 p2
(4.52)
avec :
=
=
,
1 + 0
.
1 + 0
4.5.3
1
p
.
2 1 2 2
(4.53)
AV r =
AV i
(p)
= AV i
.
1 + 1/((p))
1 + (p)
(4.54)
(4.56)
(4.57)
4.5.4
Pour viter les risques dinstabilit et simplifier lutilisation des amplificateurs oprationnels, les constructeurs proposent des circuits rponse
apparente du premier ordre. Lide consiste implanter une capacit supplmentaire en parallle sur la capacit parasite CBC du second tage (Figure
4.19).
107
IN S T A B L E
(e n d B )
m ( p )
m
0
p e n te
- 1 2 d B /o c ta v e
1 / b
(e n rd )
- p / 2
- p
Fig. 4.18 Instabilit dans le plan de Bode. Pour respecter la marge de
phase de /4, lintersection entre les courbes |(p)| et |1/| doit se situer
avant la seconde coupure 1 .
C a p a c it a jo u t e
p a r le fo n d e u r
R
E
B C
C C
C a p a c it
p a r a s ite
0
P r e m ie r ta g e
S e c o n d ta g e
4.5.5
109
(e n d B )
m ( p )
a v e c
c o m p e n s a tio n
sa n s
c o m p e n s a tio n
w '2
w
2
w
1
Fig. 4.20 Compensation interne dun amplificateur oprationnel. La frquence de coupure du second tage est fortement dimunu par lajout de C,
celle du premier tage nest pas modifi. La rponse en frquence est apparemment celle dun circuit du permier ordre, puisquune seule coupure se
produit pour des gains suprieurs 0 dB.
I = CBC
ou encore :
d(VS VE )
dVS
CBC
,
dt
dt
I
dVS
=
.
dt
CBC
(4.58)
(4.59)
(4.60)
110
V
C
C C
R
C
B C
V e rs
P u s h -P u ll
B C
-R
R
E
/R
E
P u s h -P u ll
S c h m a q u iv a le n t
D e r n ie r ta g e a m p lific a te u r
4.5.6
Compensation en frquence
fC2
= fC2
CBC
.
C + CBC
(4.64)
CBC
.
C + CBC
(4.65)
R3 + 1/C3 p
2R + R3 + 1/C3 p
112
R
V
R
I
D I
C
3
Fig. 4.22 Correction par retard de phase entre. Cette compensation est
ralise en plaant un rseau R-C lentre de lamplificateur.
=
=
1 + R3 C3 p
1 + (2R + R3 )C3 p
(1 + 3 p)
,
(1 + 4 p)
0 (1 + 3 p)
.
(1 + 1 p)(1 + 2 p)(1 + 4 p)
(4.66)
0
,
(1 + 1 p)(1 + 4 p)
(4.67)
(e n d B )
m ( p )
a v e c
c o m p e n s a tio n
sa n s
c o m p e n s a tio n
w
4
w
2
= w
3
w
1
F o n c tio n d e tr a n s fe r t
d u c o r r e c te u r
4.6
Bruit
La prcision des signaux est naturellement limite par les signaux alatoires gnrs par les composants (rsistances) et lamplificateur lui-mme,
en raison de lagitation thermique et de diffrentes imperfections. Les principes de calcul du bruit dans un montage amplificateur, qui sont importants
pour la conception de montages de prcision, seront prsents en dtails dans
ce paragraphe.
4.6.1
Gnralits
114
V
E
G
1
S 1
V
2
S 2
G
3
S 3
V
n
VS1
VS2
V
S3
etc.
(4.68)
115
4.6.2
Origine du bruit
Les causes de bruit sont multiples, internes ou externes. Les bruits dorigine interne ont des causes physiques, qui sont principalement :
bruit de scintillement d aux imperfections de ltat de surface. Ce
bruit est appel bruit 1/f car sa densit spectrale varie en 1/f ,
bruit blanc (en anglais, white noise), dont lorigine est thermique :
mouvement dsordonn des charges, ou lie la nature quantique des
charges (bruit Shottkey ou shot noise) caractris par une densit spectrale de puissance constante.
4.6.3
Dfinitions
vn2 (f )
Vn Vn () exp(j2f )d.
(4.71)
Thorme de Parseval
Le thorme de Parseval exprime que la puissance moyenne dans le domaine temporel est gale la puissance sur toutes les frquences. Autrement
dit :
Z
E(Vn2 ) =
vn2 (f )df.
(4.72)
On en dduit, quavec une erreur de lordre de 0.3%, les valeurs prises par
toutes les ralisations de ce signal sont bornes dans lintervalle :
p
p
[3 E(Vn2 ), +3 E(Vn2 )].
(4.75)
4.6.4
4.6.5
118
Kv
.
f
(4.77)
fH
fL
Kv
fH
df = Kv ln
.
f
fL
(4.78)
(4.79)
fH
fL
(4.80)
Calcul de Kv
Supposons que les spcifications donnent la frquence de coude fv et v02 .
A la frquence fv , on peut crire que les DSP du bruit en 1/f et du bruit
blanc sont gales :
Kv
= v02 ,
(4.81)
fv
soit :
Kv = v02 fv .
119
(4.82)
fH
.
fL
(4.83)
Un calcul similaire sapplique pour les courants de bruit, qui sont aussi
constitus dun bruit en 1/f et dun bruit blanc.
4.6.6
Les composants passifs sont aussi sources de bruit. On montre que lagitation thermique dans un conducteur ou une rsistance gnre une tension
de bruit. Ainsi, une self pure (pour laquelle la rsistance srie est ngligeable)
ou une capacit pure (pour laquelle la rsistance parallle est infinie) ne sont
pas sources de bruit. Frquemment, on supposera que les selfs et capacits
relles ne sont pas non plus sources de bruit. En revanche, une rsistance
sera source de bruit thermique. Selon le modle de Nyquist, on montre, que
dans une bande de frquences [fL , fH ], la puissance moyenne de la tension
de bruit thermique (ou Johnson) dans une rsistance R est gale :
4kT (fH fL )
,
(4.86)
R
o k = 1.38 1023 J/o K est la constante de Boltzmann et T est la temprature absolue.
2
2 2
Vth
= Ith
R =
V
E
R
u
3
V
-
V
S
= 0
(V
th
R
1
R
1
(V
2
th
(V
th
)
2
4.6.7
v0 = 25nV /
Hz
i0 = 0.01pA/ Hz
frquences de coude, fv = fi = 50Hz.
Calcul des tensions et courants de bruit propres de lamplificateur
En utilisant les rsultats du paragraphe (4.6.5), on a les relations :
fH
2
Vn2 = V1/f
+ Vbb2 = v02 fv ln
+ (fH fL ) ,
fL
121
(4.87)
et :
fH
2
2
In2 = I1/f
+ Ibb
= i20 fi ln
+ (fH fL ) .
fL
Aprs calcul, on obtient :
Vn = 3.9Vef f et In = 25pAef f .
(4.88)
(4.89)
4kT (fH fL )
.
R
(4.90)
Vth
= 0.58Vef f et Vth
= 0.55Vef f .
(4.91)
(4.92)
(4.93)
(4.94)
122
(4.95)
(4.96)
4.7
(4.97)
Conclusion
123
124
Chapitre 5
Introduction
Les applications des amplificateurs oprationnels intgrs sont extrmement nombreuses et varies. Initialement conus et utiliss pour les calculateurs analogiques, les amplificateurs oprationnels permettent de raliser des
oprateurs de calcul de base des systmes linaires : additionneur et soustracteur, multiplication par un gain variable, intgration et drivation.
Grace leurs proprits fondamentales : grand gain, grand impdance
dentre et faible impdance de sortie, ce sont aussi des composants discrets,
relativement faciles utiliser.
Bien sr, avec la grande flexibilit et la puissance des composants numriques, leur place est cantonne au niveau des capteurs et des actionneurs
et leurs circuits de conditionnement et dinterface. En effet, les signaux
analogiques sont convertis en signaux numriques ds que possible, traits
ensuite par des composants et calculateurs numriques jusqu la conversion
numrique/analogique, place juste avant lactionneur.
Les applications couvrent linstrumentation, le filtrage, le redressement,
la constitution de signaux de base (oscillateurs et gnrateurs de fonctions),
les tlcommunications (modulateur et dmodulateur), pour ne citer que
quelques exemples. Il est vrai que, pour ces dernires applications, les dveloppements en radio-logicielle rendent obsoltes les circuits analogiques.
125
e
e
R
1
R
1
-
u
n
R '
5.2
Nous prsentons dans cette partie les circuits de base du calcul oprationnels : en particulier ladditionneur et ladditionneur-soustracteur.
5.2.1
Sommateur inverseur
ik = i
X ek u
k
Rk
u s
.
R
(5.1)
(5.2)
e
e
n
R
R
u
n
s
-
R ''
R '
k +R
5.2.2
(5.6)
Le montage (Figure 5.2) est la gnralisation dun amplificateur non inverseur, qui reoit n entres ek pondres par des rsistances Rk .
127
Amplificateur idal
Dans ce cas (gain diffrentiel et impdance dentre Ze infinis), on crit
simplement les deux quations :
u+ = u = s R R
+R ,
P ek u+
= 0.
k Rk
Rk
R +R
Rk
k
(5.7)
(5.8)
Amplificateur rel
On suppose maintenant que le gain et limpdance dentre sont finis
et que limpdance de sortie est non nulle. On peut simplement corriger
lexpression idale avec le coefficient multiplicatif :
1
1 ,
1 +
o vaut simplement :
=
et la sortie :
s=
(5.9)
R
,
R + R
X ek
(kRk )
.
1 +
Rk
(5.10)
(5.11)
Pour compenser les courants de polarisation, on peut imposer que les rsistances vues sur les entres + et soient identiques, cest--dire :
R kR = kRk .
(5.12)
(5.13)
e
e
R
1
e '1
e 'n
u
n
s
-
R 'p
5.2.3
5.2.4
Additionneur-soustracteur
Ce montage est obtenu en combinant les montages inverseur et non inverseur (Figure 5.3). On a alors u+ = u = u. En crivant que les courants
dans les deux entres sont nuls :
( P ek u
= 0
k Rk
P ek u
(5.14)
+ su
k R
R = 0.
k
1
R
s
R
= 0.
(5.15)
129
+ = 0,
+
P
1
Rj
Rk
R
R
k R
j
do :
s= P
1
k Rk
(5.16)
X 1
X ej
1 X ek
R
+
.
Rj
R
Rk
Rj
j
(5.17)
on arrive lexpression :
X e
X ej
k
.
s=R
Rk
Rj
(5.19)
(5.20)
Rk
Rj
(5.21)
Cette erreur introduit donc une diffrence de gain entre les entres positives
et ngatives.
5.2.5
130
r
R
e
R
R
1
a R
qui se simplifie en :
s
,
(5.23)
R
si R. Dans les expresions prcdentes, en remplaant s par s, on fait
apparatre un gain g = 1/ supplmentaire. Par exemple, (5.21) devient :
X ej
R X ek
s=
K
.
(5.24)
Rk
Rj
i=
5.2.6
R
1
a r
2
(5.25)
= ,
R1
R2
R2
do finalement :
R2
.
(5.26)
s = e (1 )
R1
En tudiant la fonction f () = (1 )G , on montre facilement que
1 f () G. Pour G = R2 /R1 = 1, on a simplement 1 f () 1.
5.2.7
132
C
V
R
E
i
V
Si R2 , on peut crire :
e
s
+
= 0,
R1 R2
do finalement :
s=
R2
e.
R1
(5.28)
(5.29)
5.3
Montage intgrateur
5.3.1
Montage de base
Le montage intgrateur de base est reprsent la figure 5.7. Si lamplificateur est idal, on obtient lquation diffrentielle :
i = C
dVs (t)
Ve (t)
=
.
dt
R1
133
(5.30)
C
V
E
V
d
1
R1 C
Ve ( )d.
(5.31)
5.3.2
d(Vs (t) Vd )
Ve (t) Vd
=
.
dt
R1
(5.33)
(5.34)
R
C
V
R
E
i
V
Ve ( )d +
Vd
t.
R1 C
(5.35)
5.3.3
Pour viter la saturation de lintgrateur, on limite lerreur due la tension de dport en plaant une rsistance R2 en parallle sur la capacit C
(Figure 5.9). En supposant que tous les paramtres, hormis la tension de
dport, sont idaux, on peut alors crire :
Ve (t) Vd
d(Vs (t) Vd ) Vs (t) Vd )
= C
,
R1
dt
R2
(5.36)
do lquation diffrentielle :
Ve (t) Vd R1 + R2
dVs (t) Vs (t)
+
=
+
.
dt
R2 C
R1 C
C R1 R2
(5.37)
En absence dentre (Ve (t) = 0), la sortie, qui correspond seulement au terme
derreur, se rduit :
dVs (t) Vs (t)
V d R1 + R2
+
=
.
dt
R2 C
C R1 R2
135
(5.38)
En intgrant lquation diffrentielle homogme, on obtient la solution gnrale de lquation (5.38) sans second membre :
t
Vsg0 (t) = K exp
.
(5.39)
R2 C
On trouve facilement une solution particulire de lquation complte (5.38) :
R2
Vs0 (t) = Vd 1 +
.
R1
(5.40)
do :
R2
,
Vsg (0) = Vd = K exp(0) + Vd 1 +
R1
K = Vd
R2
.
R1
(5.42)
(5.43)
(5.44)
5.3.4
1
(Ze )
136
(5.45)
o
=
et :
(Ze ) =
1+
R1 Cp
,
1 + R1 Cp
0
R1 k(1/Cp)
Ze
(5.46)
0
1+
R1
Ze (1+R1 Cp)
(5.47)
1
(Ze )
0 Ze R1 Cp
.
(Ze + R1 )(1 + (R1 kZe )(1 + 0 )Cp)
(5.48)
(5.49)
(5.50)
Cette expression montre que, pour des frquences trs basses (p 0), le
module |Vs (p)/Ve (p)| devient :
V (p)
0 Ze
s
.
=
Ve (p)
(Ze + R1 )
(5.51)
1
.
(0 + 1)(R1 kZe )C
(5.52)
137
5.3.5
Rponse un chelon
Les diffrences entre lintgrateur idal et lintgrateur rel seront sensibles sur la rponse impulsionnelle. En effet, dans le cas idal, la tension
varie linairement avec le temps t ; dans le second cas, la tension varie exponentiellement avec le temps t.
Pour une entre e(t) = E0 (t) o (t) est la fonction chelon de Heaviside,
on a E = E0 /p do, en reportant dans la relation (5.50), la transforme de
Laplace de la sortie vaut :
E0 0 Ze
1
S=
.
(5.53)
p (Ze + R1 ) (1 + (1 + 0 )(R1 kZe )Cp)
Pour trouver Vs (t), on pose c = (1 + 0 )(R1 kZe )C, et on dcompose la
fraction rationnelle en p en lments simples :
E0 0 Ze
1
S =
,
(Ze + R1 ) p(1 + c p)
E0 0 Ze A
B
.
=
+
(Ze + R1 ) p
(1 + c p)
On trouve facilement A = 1 et B = c , do lexpression :
1
E0 0 Ze 1
.
S=
(Ze + R1 ) p (p + 1/c )
(5.54)
(5.55)
E0 0 Z e
Ainsi, lorsque t +, Vs (t) crot exponentiellement vers la tension (Z
e +R1 )
avec la constante de temps c .
On peut calculer lerreur entre lintgrateur idal et rel, en effectuant un
dveloppement au second ordre du terme exponentiel de Vs (t). En factorisant
avec la tension idale (qui crot linairement avec t), on obtient :
E0 0 Ze
t
Vs (t)
t(t) 1
.
(5.56)
(Ze + R1 )
2c
On observe que lerreur dintgration est une erreur par dfaut (signe ) qui
crot avec le temps. Sa valeur relative est :
t
.
(5.57)
2c
138
R
V
E
i
i
V
S
5.4
Montage drivateur
5.4.1
Cas idal
dVe
dVe
(t) = 2
(t).
dt
dt
(5.59)
(5.60)
Ces relations sont valables si lamplificateur est idal. Il en est autrement avec un circuit rel, mais, contrairement au circuit intgrateur, ce sont
dautres paramtres rels qui affectent le fonctionnement de ce montage.
Influence de la tension de dport
Si lon tient compte de la tension de dport, on peut crire les quations :
C
d(Ve (t) Vd )
Vs (t) Vd
=
.
dt
R2
139
(5.61)
R
V
i
C
i
V
V
d
dVe
Vs (t) Vd
(t) =
,
dt
R2
(5.62)
et finalement :
dVe
(t) + Vd .
(5.63)
dt
La tension de dport a donc peu dinfluence sur la sortie du montage drivateur : elle nintroduit quun dcalage gal Vd .
Vs (t) = R2 C
(p) =
(5.64)
Tous les autres paramtres tant supposs idaux, on prend en compte cette
erreur en corrigeant la rponse idale avec le terme correctif :
1
1+
1
(p)
(5.65)
1/Cp
1
1
=
=
.
1/Cp + R2
1 + R2 Cp
1 + 2 p
On obtient donc :
Vs (p)
Ve (p)
= 2 p
1
1+
1
(p)
140
(5.66)
1 0 0
d r iv a te u r
r e l
m (p )
d r iv a te u r
id a l
2 0
0
1 / R 2C
4
m
- 2 0
+ 1
t t
lo g w
6
1
1+
(1+ p)(1+2 p)
0
0
0 + 1 + ( + 2 )p + 2 p2
0
2 p
,
=
+
2 p2 +
2
p + 0 +1
2
0 2
+ 2 p2 +
+2
2 p
+2
2 p
0 +1
2
.
(5.67)
141
R
V
E
r
C
i
i
V
S
Vs (p)
R2 Cp
=
.
Ve (p)
1 + rCp
(5.69)
R2 Cp
Vs (p)
.
=
Ve (p)
1 + rCp + (r+R2 )C p2
(5.70)
p
r ( R2 )/C0. Si lon tient compte de la rponse en frquence (p) de
lamplificateur, on obtient lquation :
0 +1
rC 0
.
(5.71)
2 2
On remarque que 1, ce qui garantit un suramortissement. Autrement
dit, la rponse du drivateur corrig fait apparatre 3 zones : pour p <
1/rC, le circuit se comporte comme un bon drivateur ; pour 1/rC < p <
142
d r iv a te u r
r e l
m (p )
d r iv a te u r
id a l
d r iv a te u r
c o r r ig
1 / R 2C
1 /rC
t t
+ 1
2
5.5
5.5.1
Position du problme
Considrons le montage diffrentiel de la figure 5.15, qui est un additionneursoustracteur seulement 2 entres. En supposant lamplificateur idal, ona
en particulier u+ = u = u, et on crit les relations :
(
R2
u = e2 R +R
1
2
(5.72)
e1 u
uVs
= R2 .
R1
143
R
e
e
1
2
R '1
R '2
Vs
e1 e2 R2 R1 +R2
R1
R1 R2 = R2 ,
R1 +R2
R2 e1 e2 R2 (R 1 +R 2 )
= Vs .
R1
R2 (R +R )
1
(5.73)
Soit finalement :
Vs =
R (R1 + R2 )
R2
e1 e2 2
,
R1
R2 (R1 + R2 )
(5.74)
qui se simplifie, si R1 = R1 et R2 = R2 :
R2
(e1 e2 ).
(5.75)
R1
Ce montage simple prsente trois inconvnients majeurs :
les impdances dentres sur les deux entres ne sont pas identiques,
ce qui peut dsquilibrer le montage,
les impdances dentre sont limites : en effet, on ne peut pas augmenter les valeurs des rsistances R1 et R2 sans risque de crer des
erreurs importantes (courants de dport),
la prcision limite des rsistances entrane une erreur de mode commun.
Vs =
R2 (R1 + R2 )
.
R2 (R1 + R2 )
144
(5.76)
dR
d(R1 +R2 )
dR2
dk
1 +R2 )
= R2 + d(R
k
R
(R
+R
)
(R1 +R2 )
2
1
2
dR
dR1
dR2
2
2
1
+ (RdR
dR
= R2 + (RdR
(R +R
) (R +R ) ,
R
+R
)
+R
)
2
1
2
1
2
2
1 2
1
2
dR
R1
R2
dR2
dR2
R1
dR1
R2
+
R1 (R +R
+
1
,
R
R
(R
+R
)
(R
+R
)1
R
(R
+R
)
1
2
1
2
1
2
2
1
2
1
1
2)
R1
R1
dR2
dR1
R1
R1
dR1
dR2
+
.
=
R2 (R1 +R2 )
R1 (R1 +R2 )
R2 (R1 +R2 )
R1 (R1 +R2 )
(5.77)
Pour passer aux erreurs k/k, on prend les valeurs absolues des coefficients et
on remplace les termes diffrentiels dRi /Ri par les termes derreur Ri /Ri .
En supposant que les erreurs relatives sur les rsistances sont toutes identiques et gales R/R, on a :
k
k
R1
R1
R
R1
R1
+
+
,
R (R1 + R2 ) (R1 + R2 ) (R1 + R2 ) (R1 + R2 )
R1
R
R1
.
(5.78)
= 2
+
R (R1 + R2 ) (R1 + R2 )
(5.79)
Avec des rsistances de prcision (R/R = 1%), une erreur k < 103 exige
un gain diffrentiel G = R2 /R1 > 39. On peut alors crire :
R2
(e1 e2 )
R1
R2
(e1 e2 )
R1
Vs =
R2
ke2 ,
(R1 )
R2
kVM C ,
(R1 )
(5.80)
(5.81)
5.5.2
R
e
R '1
2
R '2
5.5.3
Seconde amlioration
On conserve lide de circuits dentre grande impdance, mais on remplace les suiveurs par des montages de type inverseur gain suprieur 1.
Cette ide supposerait davoir deux amplificateurs de haute qualit, mais
le diffrentiel pourra tre plus standard, puisquil travaillerait sur des signaux dj amplifis pour lesquels les erreurs propres lamplificateur seraient faibles.
Cependant, avec cette ide, les signaux e1 et e2 seraient amplifis indpendamment et donc diffremment. En particulier, sil existe une forte
tension de mode commun, le second tage (diffrentiel) risque fort de voir
ses entres satures.
5.5.4
Solution optimale
146
e '1
1
R
1
k R
R
2
V
4
R
e
R
3
R
1
e '2
2
e '1
1
R
R
i
4
R
e
i
3
i
3
e '2
2
147
(5.83)
e1 e2
.
R4
(5.84)
(5.85)
e '1
R
1
k R
R
2
V
R
e '2
R
1
R
2
R R3
(e1 e2 ),
R R4
(5.86)
R R3 e1 e2
.
R R4 e1 + e2
(5.87)
R3 + R3
(e1 e2 ),
R4
(5.88)
do le gain diffrentiel :
Gd = 1 +
R3
R3 + R3
1+2 .
R4
R4
(5.89)
149
e '1
e '2
R
1
R
1
u
u
i1
R
2
k R
2
i2
V
2
(5.90)
(5.91)
e1 e2 = 2R1 i1 .
(5.92)
2+k
i1 .
k
(5.93)
(5.94)
R
e
R
V
2
R
3
(k + 2)2
R2 + kR2 i1 .
k
(5.95)
1 + k R2
(e e1 ).
k R1 2
(5.96)
5.6
(5.97)
5.6.1
Fonctionnement idal
I
i
R
R
2
1
V
S
Fig. 5.22 Amplificateur trs grande impdance dentre avec les paramtres rels, Ze , Vd , I + et I
dentre apparemment infinie !
On peut cependant objecter que :
la tension e doit tre isole de la masse, ce qui est une limitation qui
peut savrer gnante,
le courant i nest probablement pas nul si lon tient compte des paramtres rels de lamplificateur, par exemple de limpdance dentre
Ze ,de la tension de dcalage Vd et des courants de polarisation I + et
I .
5.6.2
u+ = R1 I + + u Zu
e
(5.98)
u = Vs + e + Vd
Calculons la diffrence u+ u :
u+ u
u+ u = R1 I + +
Vs e Vd ,
Ze
R1 I + + V s + e + V d
u+ u =
.
1 + R1 /Ze
Or, u+ u = Vs /, do, en factorisant les termes en Vs , on tire :
Vs =
(e + R1 I + + Vd ).
+ 1 + R1 /Ze
152
(5.99)
.
R2 Ze
R2
i = I +
(5.101)
+
+
.
(5.102)
+
R2
R2
Ze
Ze
Ze
Cette expression montre que le courant dentre, i, est constitu de deux
termes : le premier est une source de courant constant et le second correspond
une impdance Ze .
Application numrique et discussion
A titre dexemple, calculons la tension Vs et le courant i pour un amplificateur oprationnel SN 52770 avec les caractristiques suivantes : = 50000,
Ze = 108 , Vd = 2mV , I + = I = 15nA. On prendra pour toutes les rsistances Ri = 10k.
On trouve :
Vs = e 2, 15mV,
i = 200nA +
quivalente supposer u+ = u
153
e
.
5000M
R
2
V
R
1
V
i
5.7
Convertisseur dimpdances
5.7.1
Multiplieur de capacits
Ce montage est illustr la figure 5.23. Nous allons montrer que ce montage, vu entre la masse et la sortie V , se comporte comme une capacit que
lon peut rgler avec les autres composants passifs du montage.
Principe
Si lamplificateur est idal, on a :
+
= u = Vs ,
u
Z
Vs = V Z+R
,
1
i = (V Vs )
1
R1
1
Rs
(5.103)
.
Rs
(Z + R1 ).
Rs + R1
154
(5.104)
Vs
Vs (1 + 1/)
(5.107)
(V Vs )
Rs .
(5.108)
1
,
1
1+ R
Rs
(5.109)
(5.110)
1
.
R1 C
(5.112)
1
.
C
(5.113)
.
C
R1 C
(5.114)
(5.115)
156
ie
V
V
R
e
5.7.2
Ve h
R2 i
R2
1 1+
=
Ve ,
R3
R1
R1 R3
(5.117)
Ve
R1 R3
=
.
ie
R2
(5.118)
157
ie
e
R
s
R
V
V
e
R
R
d V
S
A m p li.
e
- R
R 1R
2
3
d ie
S o u rc e
- R
s
R1 R3
die .
R2
(5.119)
Pour la source, on a Ve = e Rs ie do :
dVe = Rs die .
(5.120)
R2 Rs
< 1,
R1 R3
cest--dire si :
(5.121)
R1 R3
.
(5.122)
R2
Dans ce montage, la situation intressante est celle pour laquelle le montage
est instable. Ce circuit est appel trigger. Si le systme est instable, la sortie
de lamplificateur sature soit vers une tension positive, (Vs )M ax , soit vers
une tension ngative, (Vs )M in , selon le signe de u+ u . Ces tensions sont
Rs <
158
R1
(Vs )M ax .
R1 + R2
(5.124)
R1
eM in R3 + (Vs )M ax Rs
(Vs )M ax =
.
R1 + R2
R3 + Rs
On en dduit :
eM in =
i
(Vs )M ax h R3 + Rs
R1
Rs .
R3
R1 + R2
(5.125)
(5.126)
R1
(Vs )M in .
R1 + R2
(5.127)
eM ax R3 + (Vs )M in Rs
R1
(Vs )M in =
.
R1 + R2
R3 + Rs
On en dduit :
eM ax =
i
(Vs )M in h R3 + Rs
R1
Rs .
R3
R1 + R2
159
(5.128)
(5.129)
( V s)
e
( V s)
M a x
M in
e
s
e
e
M a x
M a x
M in
( V s)
M a x
( V s)
M in
M in
= R1
(5.130)
5.8
Oscillateur
5.8.1
Analyse du fonctionnement
R
3
V
C
R
R
5.8.2
Calcul dtaill
M a x
u
V
u
-
M in
s
( V s)
M a x
( V s)
M in
(V )
s M ax (Vs )M in
.
(1 )(Vs )M ax
(5.134)
T = 2R3 C ln
(1 +
162
(5.138)
D
R
R
3
V
C
R
R
5.8.3
(5.139)
e (V )
s M in
.
e (Vs )M ax
(5.140)
Dcharge de C
La dcharge de C seffectue vers la tension (Vs )M in au travers de R3
(en ngligeant laction de e au travers de R si R R3 ). A linstant de
163
f
T
T
a ( V s)
M a x
a ( V s)
M a x
Fig. 5.30 Frquence et priode en fonction de la tension e avec les paramtres suivants : R3 = 50k, R = 100k, C = 10F et = 0, 5.
basculement (Vs )M ax (Vs )M in , not t = 0, la tension Vc aux bornes de
la capacit vaut (Vs )M ax et la diode D devient conductrice. On a donc
lquation de dcharge :
Vc (t) = u (t) = (Vs )M ax + [(Vs )M in (Vs )M ax ](1 exp(tR3 C). (5.141)
La dcharge se poursuit jusqu la date T2 o la sortie bascule nouveau,
cest--dire lorsque VC atteint (Vs )M in :
T1 = R3 C ln
(V )
s M in (Vs )M in
.
(Vs )M in (Vs )M ax
(5.142)
Relation f (e)
On remarque que T2 ne dpend pas de e. La priode totale vaut T =
T1 + T 2 :
e (V )
s M in
T = RC ln
+ T2 .
(5.143)
e (Vs )M ax
Lallure de la relation f (e) est donne la figure 5.30. On observe que la frquence est majore par f (e) < fM ax = 1/T2 . Pour une tension e < (Vs )M ax
loscillateur ne peut pas fonctionner : f (e) = 0. Au del, la courbe f (e) suit
une allure approximativement logarithmique.
Ce type de conversion tension/frquence est ralise par la membrane des cellules nerveuses. Cette conversion explique que la sensibilit des phnomnes
de perception varie selon une chelle logarithmique (loi de Fechner).
164
+ V
D
R
3
D
3
- V
C
A
R
R
1
A
2
e
2
5.9
5.9.1
Etude du trigger
Ses tensions dentre et de sortie sont e1 et e2 , respectivement. Le montage tant instable (rtroaction sur lentre +), la sortie e2 ne prend que deux
valeurs : VM ax > 0 si u+ > 0 et VM in < 0 si u+ < 0. Le calcul des tensions de
basculement seffectue comme au paragraphe 5.7.2, en considrant les deux
tats possibles de e2 .
Pour e2 = VM ax , il y aura basculement si u+ < 0. En ngligeant le
courant dentre dans lamplificateur, on peut crire :
e1 u+
R1
e1
e2
+
R1 R2
VM ax u+
,
R2
1
1
+
= u
+
< 0,
R1 R2
=
do finalement :
e1 <
R1
VM ax .
R2
(5.144)
5.9.2
R1
VM in .
R2
(5.145)
de1 (t)
V VD
=
,
dt
R3
(5.146)
R1 V V D
t.
R2
R3 C
(5.147)
R1 V V D
R1
T1 = VM ax .
R2
R3 C
R2
(5.148)
On trouve donc :
VM ax VM in R1
.
(5.149)
V VD
R2
De faon similaire, on peut vrifier que, si e2 = VM in , on a une charge de la
capacit vers V au travers de R4 . Le temps T2 associ cette charge est
gal :
VM in VM ax R1
T 2 = R4 C
.
(5.150)
V + VD R2
Si les rsistances R3 et R4 sont gales : R3 = R4 = R, les demi-priodes sont
gales et on peut crire :
T 1 = R3 C
T = 2RC
VM ax VM in R1
.
V VD
R2
(5.151)
V VD
R2
.
2RC(VM ax VM in ) R1
166
(5.152)
5.9.3
Analyse critique
R '2
V
e
V 's
D '
D
2
V
s
5.10
Redresseurs
Lutilisation damplificateurs oprationnels permet de raliser des redresseurs sans tension de dchet, contrairement aux redresseurs diodes pour
lesquels la tension de coude VD introduit des dcalages importants.
5.10.1
Redresseur mono-alternance
R2
.
R1
(5.153)
R2 VD
R2
+
+ V0 1 +
.
R1
R1 1 +
168
(5.154)
~ 2 V
V
s
e
0
~ 4 V
0
R1
(5.155)
(5.156)
(5.157)
Sortie Vs
On peut faire des calculs similaires pour la sortie Vs . Celle-ci ne conserve
que les alternances ngatives de lentre e contrairement Vs , qui ne conserve
que les alternances positives.
Caractristique entre/sortie
En rgime statique, la caractristique entre/sortie du redresseur est donne la figure 5.33, pour un rapport R2 /R1 = 1. On voit que les erreurs,
169
V
e
R
V
V 's
R
0 1
R '
D '
1
D
V
0 2
A
2
V
R
R /2
5.10.2
= ,
R
R
R
(5.158)
R
.
R
(5.159)
(5.160)
R
.
R
(5.161)
(5.162)
R
R
R
4V01
+ V02 1 + 3
.
R
R
R
(5.163)
(5.164)
5R
2R
R
.
V01
+ V02 1 +
R
3R
3R
(5.165)
V
~ 3 ,3 V
~ 8 V
t
0
Fig. 5.35 Allure des signaux en sortie du redresseur double alternance pour
une entre V( t) sinusodale
V
e
R '
V 's
R
R
A
R
D '
1
R ''
A
2
V
R
172
R '
R
V
s
= - V
R ''
V
2
V 's = - V
e
R '
R ''
A
R
V
R
5.10.3
R
.
R + R
(5.166)
R '
R
V
V
R ''
0 1
= - V
e
+ 2 V
A
0 1
V
R
0 2
G=
R
R
=
1
+
.
R
R + R
(5.168)
En fixant R = R, on obtient :
R = 2R et G = 2.
(5.169)
V 's = - V
e
+ 2 V
R '
0 1
R ''
R
V
0 1
A
2
V
R
0 2
5.11
Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons tudi des montages trs classiques base
damplificateurs oprationnels, et quelques montages plus particuliers, voire
exotiques.
Lobjectif de ce chapitre nest pas de fournir une bibliothque exhaustive
dapplications. Mon objectif, plus ambitieux et qui est dans la ligne directe
de lesprit de ce cours, est de montrer que la conception ou la mise en oeuvre
dun montage doit se faire en trois tapes, qui peuvent tre itres au besoin :
une conception ou analyse simple du montage dans le cas de composants idaux, pour vrifier ladquation avec la fonction lectronique
dsire,
lanalyse critique des perturbations fonctionnelles dues aux paramtres
rels des composants, leur variabilit, etc.
le choix de composants adapts aux performances requises.
La seconde tape est bien sr la plus difficile, et ne pourra tre acquise compltement quavec des annes dexprience et de pratique, mais jespre que
vous en aurez compris lesprit. Tous les paramtres ne pouvant tre pris en
compte simultanment, la connaissance et lexprience permettent de cibler
ceux qui devraient avoir le plus dinfluence. Ensuite, il sagira, paramtre
par paramtre (en supposant le principe de superposition), de conduire les
calculs derreurs afin de valider quantitativement ses intuitions.
Dans la conception de circuits intgrs modernes, trs complexes, cet esprit sera prcieux pour utiliser au mieux les outils de simulation disponibles,
afin de choisir les paramtres tudier, de slectionner les tudes de sensibilits raliser, ceci dans le but pragmatique de ne pas tre submerg par
des rsultats de simulation inexploitables tant ils sont nombreux !
176
Chapitre 6
Documentations techniques de
quelques composants
6.1
Diode BAV45
6.2
Diode 1N4148
6.3
Transistor 2N2222
6.4
6.5
177