Parmetro

El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la

corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la

corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacion de
8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores
el valor del parmetro se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parmetro de un transistor

La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y
colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir
una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que
existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la
corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de
colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As,
nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro
lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se
pueden considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en
vez de utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As por
ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una
hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.

Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen
que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma
sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unin del diodo colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y,
por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las
hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las
variaciones que sufre con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor
mximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de
tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes
temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de
la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que
invalidaran las condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.

Relacin entre los parmetros y

Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = IC/IE y = IC/IB y teniendo en
cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE =
IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros,
tal como se indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia
de corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las
uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la
ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados
en las hojas de especificaciones tcnicas.
1. Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas

inversamente con la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la
circulacin de una pequea corriente de fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta que
no se alcance la tensin de ruptura de la unin. Normalmente esta tensin suele ser
elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el
fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas
VCBO.
2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el
colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor
a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de
electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente atrados por el potencial
positivo de la fuente. El resultado es una pequea corriente de fuga de emisor a

colector ICEO. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est
determinado por la tensin colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas
tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso
debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas
aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: VCBO = 30V y VCEO =
20V, lo que significa que este transistor nunca deber operar con tensiones
superiores a estos valores especificados.

Resistencia de entrada

Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto
desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura de
abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las de la
corriente de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva caracterstica

de transferencia.

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante las

variaciones en sus parmetros.
La IC de un transistor es sensible a:
: Al aumentar la temperatura aumenta esta magnitud.
|VBE|: Valor absoluto del voltaje Base-Emisor, disminuye cerca de 7,5mV por cada
incremento en un grado Celsius (C).
ICO: Corriente de saturacin inversa. Duplica su valor por el incremento en 10C en
la temperatura.
Cualquiera de los factores antes mencionados puede ocasionar que el punto de
polarizacin se desve del punto de operacin determinado. No podemos olvidar
que IB es muy sensible al nivel de V BE, especialmente para niveles ms all del
valor del umbral. De acuerdo a lo visto en los puntos anteriores sobre polarizacin.

FACTORES DE ESTABILIDAD.
Se define un factor de estabilidad S, para cada uno de los parmetros que afectan
la estabilidad de polarizacin:
S (ICO) = IC / ICO
S (VBE) = IC / VBE
S () = IC /
Las redes son muy estables y relativamente insensibles ante variaciones de la
temperatura, es decir tienen factores de estabilidad bajos. Por esto, es apropiado
considerar las cantidades definidas por las anteriores ecuaciones como factores
de sensibilidad porque mientras mayor sea el factor de estabilidad, ms sensible
ser la red ante variaciones en ese parmetro.

VCC
R1

RC
CO

CI
CB

R2
RE

RG

CB es el condensador de desacoplo. Se usa para desacoplar (o sea desconectar) la resistencia de base. Los
transistores bipolares tienen una ganancia de corriente o hfe muy inestable frente a variaciones de
temperatura o de componente, pudiendo llegar a duplicarse. De hecho, para el transistor de la figura, en las
hojas de caractersticas lo nico que nos dice el fabricante sobre la ganancia es que est en el intervalo 75
300. La resistencia de base proporciona estabilidad al punto de trabajo frente a estas variaciones, pero limita
mucho la ganancia. Al incluir el condensador de desacoplo, se mantiene la estabilidad del punto de trabajo (ya
que la corriente continua seguir pasando por R2) pero se aumenta la ganancia de la alterna al comportarse el
condensador como un cortocircuito para la seal de alterna, haciendo desaparecer RB.

Las ventajas y desventajas de la etapa base comn en algunas aplicaciones generales:

- Presenta ganancia de tensin que es muy importante en altas frecuencias.
- No hay desfasaje sobre la tensin de salida.
- Presenta una baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado para operar en circuitos
de baja frecuencia (B. F.).
- Presenta una alta impedancia de salida.
- Con un montaje en Colector Comn logramos una muy baja distorsin sobre la seal de salida y,
junto con el montaje en Base Comn, es bastante idneo a la hora de disear adaptadores de
impedancia.