Circuit Active Et Bruit Mohim

GELE5223 Chapitre 5 :
Circuits actifs
Gabriel Cormier, Ph.D.
Universit
e de Moncton
Automne 2010
Gabriel Cormier (UdeM)
GELE5223 Chapitre 5
Automne 2010
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Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
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Automne 2010
2 / 76
Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
Gamme dynamique
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Automne 2010
2 / 76
Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Amplificateurs hyperfrequences
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Automne 2010
2 / 76
Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Gain
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2 / 76
Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Gain
Stabilite
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Introduction
Contenu
Contenu
Bruit
Gamme dynamique
Gain
Stabilite
Design
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Bruit
Effet indesirable qui affecte la performance des circuits

hyperfrequences.
Reduit lefficacite dun système à detecter un signal.
Provient de plusieurs sources : agitation thermique des electrons,
rayonnement cosmique, etc.
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Bruit
On veut verifier combien de bruit est ajoute par notre système.

Plancher de bruit : puissance de bruit à lentree dun système.
Pour detecter un signal, sa puissance doit etre plus grande que le
plancher de bruit + un certain SNR.
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Types de bruit
Bruit thermique : bruit cause par des vibrations datomes ou

delectrons.
Shot noise : bruit cause par des variations aleatoires des porteurs de
charge.
Flicker noise : bruit cause par des fluctuations des conducteurs.
Proportionnel à 1/f .
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Bruit thermique
Bruit thermique
Un corps noir, à une temperature T , produit une puissance de bruit

Pn = kT B
o`
u k = 1.38 1023 J/K (constante de Boltzmann) et B est la
largeur de bande.
Temp
erature de bruit : temperature dune composante qui
produirait la meme quantite de bruit.
Le bruit thermique a une densite spectrale constante selon la
frequence : cest un bruit blanc gaussien.
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Bruit thermique
Bruit thermique
Pn = kT B
Selon lequation precedente,
Si B 0, Pn 0. Des systèmes à faible largeur de bande ramassent
moins de bruit.
Si T 0, Pn 0. Des systèmes à très faible temperature genèrent
moins de bruit.
Si B , Pn . Ceci est faux ; lequation precedente est une
simplification dune equation plus complexe.
Les resistances sont les sources les plus communes de bruit thermique.
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Bruit thermique
Bruit thermique
Si une composante (ex : resistance) genère du bruit blanc, on

modelise ceci par une source ayant une temperature de bruit Te .
Te =
Ps
kB
o`
u Ps est la puissance du bruit genere par la composante.
On utilise typiquement une resistance comme modèle de la source de
bruit.
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Bruit thermique
Bruit thermique : modèle de resistance
Modèle : source de tension et resistance

Puissance fournie par la source à la
charge :
vn =
4kT R
RL
Pn =
4kT R
vn2
=
= kT [W/Hz]
4R
4R
quand R = RL .
La puissance totale est obtenue en multipliant par la largeur de bande.
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Bruit thermique
Exemple
Bruit thermique : exemple
Calculer la puissance de bruit dun système ayant une largeur de bande de

1Hz à une temperature de 290K.
Pn = kT B = (1.38 1023 )(290)(1)
= (228.6 + 24.6 + 0) dBW/Hz
= 204.0 dBW/Hz
= 174.0 dBm/Hz
Ce chiffre (-174 dBm/Hz) represente le plancher de bruit dun système
ayant une largeur de bande de 1Hz.
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Bruit thermique
Exemple
Bruit thermique : exemple
Calculer la puissance de bruit dun système ayant une largeur de bande de

200kHz à une temperature de 290K.
Pf = 174 + 10 log(200 103 ) = 121 dBm
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Bruit thermique
SNR
Rapport signal-à-bruit (SNR)
Le SNR est definit selon :

SN R =
S
plancher de bruit
o`
u S est la puissance du signal.
Pour detecter correctement un signal, on doit avoir un SNR de 7dB à
17dB typiquement, selon le type de système et la modulation utilisee
(QPSK, etc).
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Bruit thermique
Mesure de Te
Mesure de Te
On utilise une methode appelee Y-factor (T1 > T2 ) :
Source 1 (T1 )
G, B, Te
P1 , P2
Applique T1 et T2
Mesure P1 et P2
Source 2 (T2 )
On obtient Te selon :
Y =
P1
P2
Te =
T1 Y T2
Y 1
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit
Autre methode pour caracteriser le bruit.

Mesure de la degradation du SNR dans un système.
F =
SN Ri
1
SN Ro
Dans certains manuels, F est le facteur de bruit, et la figure de bruit

N F est 10 log(F ).
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit
Par definition, lIEEE a adopte que le bruit dentree Ni dun système

est Ni = kT0 B, o`
u T0 = 290K.
La figure de bruit dun système est calculee selon :
F =1+
Te
T0
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit : composants passifs
Pour un composant passif (ayant des pertes), on definit un coefficient

de pertes :
1
L=
>1
G
La figure de bruit est :
F = 1 + (L 1)
T
T0
o`
u T est la temperature ambiante.
De facon generale, F = L.
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit : systèmes en cascade
Soit des systèmes en cascade, ayant chacun un gain et une figure de bruit.
G1 , F1
G2 , F2
G3 , F3
La figure de bruit totale est :

Ft = F1 +
F2 1 F3 1
+
+
G1
G1 G2
Le premier composant est critique.
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit : exemple

Calculer la figure de bruit.
Filtre
passe-bas
C
able
L = 3dB
L = 2dB
Ampli 1
G = 15dB
F = 1.0dB
Ampli 2
G = 20dB
F = 2.0dB
On suppose que T = T0 , donc F = L. La figure de bruit totale est :

1.58 1
1.26 1
1.58 1
+
+
0.5
(0.5)(0.63) (0.5)(0.63)(31.6)
= 4.04 = 6.06 dB
Ft = 2.0 +
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Bruit thermique
Figure de bruit
Figure de bruit : exemple 2

Le meme système dans une configuration differente.
Filtre
passe-bas
Ampli 1
Ampli 2
C
able
G = 15dB G = 20dB L = 3dB
F = 1.0dB F = 2.0dB
L = 2dB
La figure de bruit totale est :

1.58 1
2.0 1
1.58 1
+
+
31.6
(31.6)(100) (31.6)(100)(0.5)
= 1.28 = 1.07 dB
Ft = 1.26 +
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Bruit thermique
Gamme dynamique
Gamme dynamique
Les systèmes reels ne sont pas toujours lineaires : ils sont seulement
lineaires pour une gamme dentrees.
Ex : un ampli a un gain de 10dB ; pour une entree de -15dBm, la sortie
sera -5dBm. Mais une entree de +15dBm ne donnera pas
necessairement +25dBm à la sortie.
Gamme dynamique : plage dentrees o`

u la sortie est proportionnelle
à lentree.
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Bruit thermique
Gamme dynamique
Gamme dynamique
Le point o`
u un amplificateur cesse de fonctionner de facon lineaire est
definit comme suit :
P1dB est le point o`
u il y a 1dB de difference entre la sortie reelle et la
sortie ideale.
Le signal minimum detectable (MDS) est :

MDS = Pf + F + SNRmin
o`
u Pf est le plancher de bruit.
Gamme dynamique = P1dB MDS
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Bruit thermique
Gamme dynamique
Gamme dynamique
Pout
Ampli ideal
1dB
Saturation
Gamme
dynamique
P1dB
MDS
Plancher de bruit
Pin
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Bruit thermique
Intermodulation
Distorsion dintermodulation
Distorsion dintermodulation : Autre mesure de linearite dun

système. Cest une indication de leffet des harmoniques.
Point dintermodulation dordre 3 (IP3) : la puissance à laquelle la
fondamentale et les produits de 3e ordre sont egaux.
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Bruit thermique
Intermodulation
Produits dintermodulation
De facon generale, les harmoniques croissent selon leur ordre : pour

1dB daugmentation de la fondamentale, les produits de 2e ordre
augmentent de 2dB, les produits de 3e ordre de 3dB, etc.
Il ne faut pas operer un système à une puissance trop elevee : les
harmoniques risquent de dominer et causer de la distorsion du signal.
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Bruit thermique
Intermodulation
Si deux signaux de frequence similaire f1 et f2 sont appliques à un

système, il y aura modulation : des composantes apparatront à DC,
f1 , f2 , 2f1 , 2f2 , 2f1 f2 , 2f2 f1 , etc.
Les composants à 2f1 f2 et 2f2 f1 sont très près de la
fondamentale et ne peuvent pas etre filtres.
On utilise ces composants pour determiner le IP3.
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Bruit thermique
Intermodulation
Pout
Ampli ideal
OIP3
Saturation
P1
IIP 3 = P1 + 0.5(P1 P3 )
OIP 3 = IIP 3 + G
P3
P1dB = IIP 3 9.66dB
MDS
Plancher de bruit
IIP3
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Pin
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Bruit thermique
Intermodulation
IIP3 : exemple
Soit un amplificateur à 2GHz ayant un gain de 10dB. On applique 2
signaux de puissance egale à lentree : un à 2.0GHz, et lautre à 2.01GHz.
` la sortie, on mesure 4 frequences : 1.99GHz (-70dBm), 2.0GHz
A
(-20dBm), 2.01GHz (-20dBm) et 2.02GHz (-70dBm). Calculer IIP3 et
P1dB .
Les 2 signaux utiles sont ceux à 1.99GHz et 2.02GHz (2f1 f2 = 1.99GHz
et 2f2 f1 = 2.02GHz).
Alors,
P1 = Po G = 20 10 = 30 dBm
IIP 3 = P1 + 0.5(P1 P3 ) = 30 + 0.5(20 + 70) = 5 dBm
P1dB = IIP 3 9.66 = 14.66 dBm
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Bruit thermique
Intermodulation
IIP3 et P1dB de systèmes en cascade

On doit transformer les IIP3 de chaque composant à lentree, et prendre le
plus faible.
Filtre
passe-bas
L = 3dB
X
C
able
Ampli (LNA)
L = 1dB G = 13dB
F = 2.5dB
IIP 3 = 5dBm
Melangeur
G = 10dB
F = 12dB
IIP 3 = 0dBm
IIP3 du système
IIP3 du LNA à lentree est : 5 + 1 + 3 = 1dBm

IIP3 du melangeur à lentree est : 0 13 + 1 + 3 = 9dBm
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Amplificateurs
Partie II
Amplificateurs
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Amplificateurs
Amplificateurs
Les premiers amplificateurs hyperfrequences utilisaient des tubes ou

des klystrons.
Maintenant, les telecommunications sont basees sur des circuits
integres, dont les amplificateurs à base de transistors.
Les plus populaires : FET sur GaAs, transistors bipolaires, ou HEMT
(transistors à haute mobilite delectrons).
On peut se servir de transistors pour amplifier des signaux jusquà
environ 10GHz (bipolaire) et 100GHz (FET). On a meme reussi à
faire operer un FET à 1THz (mars 2004).
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Amplificateurs
Transistors hyperfrequences
Dans lanalyse de circuits à transistors, on utilise les paramètres S au

lieu de considerer le comportement physique.
On verra rapidement les modèles des differents transistors, mais la
partie importante est les paramètres S.
Generalement, on mesure les paramètres S des transistors.
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Amplificateurs
Transistors hyperfrequences
f
GHz
4
8
12
18
36
60
FET GaAs
Gain Fmin
20
0.5
16
0.7
12
1.0
8
1.2
HEMT GaAs
Gain Fmin
22
0.5
16
0.9
12
1.7
8
2.6
Bipolaire Si
Gain Fmin
15
2.5
9
4.5
6
8.0
HBT GaAs
Gain Fmin
20
4.0
16
10
Note : Donnees de 2004
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Mod`
eles de transistors
FET
Modèle petit-signal dun FET :
Paramètres typiques :
Cgd
Grille
Drain
Ri
+
Vc
Rds = 400
Rds
gm Vc
Ri = 7
Cds
Cgs
Cgs = 0.3 pF
Cds = 0.12 pF
Cgd = 0.01 pF
Source
gm = 40 mS
Cgd est très faible : cest le seul paramètre qui determine S12 .
Si on ignore Cgd , alors S12 = 0, et le transistor est dit unilateral.
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Mod`
eles de transistors
FET
Modèle petit-signal dun FET :

Cgd
Grille
Drain
Ri
+
Vc
Rds
gm Vc
Frequence à laquelle le gain du

transistor est 1 (0dB) :
Cds
fT =
Cgs
gm
2Cgs
Source
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Mod`
eles de transistors
Transistor bipolaire
Modèle petit-signal dun transistor bipolaire :
Paramètres typiques :
Cc
Grille
Rb = 7
Rb
R
Drain
+
Vc g m Vc
R = 110
C = 18 pF
fT =
gm
2C
Cc = 18 pF
Source
gm = 900 mS
Cc est trop grand pour que le transistor soit unilateral.

gM eleve : meilleur gain à basses frequences.
Parasites eleves : gain faible à haute frequences.
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Gain
Gain dun système à 2 ports

Soit un reseau à 2 ports :
Zs
Syst`
eme
`
a 2 ports
[S], Z0
Vs
in
ZL
out
On peut demontrer que :

in = S11 +
S12 S21 L
1 S22 L
out = S22 +
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S12 S21 S
1 S11 S
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Gain
On peut definir 3 gains :

Gain G = PL /Pin : rapport entre la puissance dissipee dans la charge
et la puissance delivree à lentree du reseau.
Gain disponible GA = Pavn /Pavs : rapport entre la puissance
disponible du reseau sur la puissance disponible à la source.
Gain transducteur GT = PL /Pavs : rapport entre la puissance
disponible à la charge sur la puissance disponible à la source.
La difference entre ces gains depend du type dadaptation entre la charge
et la source. Le gain maximum se produit lorsque la source et la charge
sont adaptees ; dans ce cas, G = GT = GA .
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Gain

Les gains sont :
|S21 |2 (1 |L |2 )
(1 |in |2 )|1 S22 L |2
|S21 |2 (1 |S |2 )
GA =
(1 |out |2 )|1 S11 S |2
|S21 |2 (1 |S |2 )(1 |L |2 )
GT =
|1 S in |2 |1 S22 L |2
G=
Si le transistor est unilateral,

GT =
|S21 |2 (1 |S |2 )(1 |L |2 )
|1 S11 S |2 |1 S22 L |2
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Gain
Amplificateur à 1 etage
Modèle dun amplificateur à 1 etage :
Zs
R
eseau
dadaptation
`
a lentr
ee
GS
Vs
Transistor
[S], G0
in
out
R
eseau
dadaptation
`
a la sortie
GL
ZL
Trois gains :
GS =
1 |S |2
|1 in S |2
G0 = |S21 |2
GL =
1 |L |2
|1 S22 L |2
Si le transistor est unilateral, in = S11 et out = S22 .

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Stabilit
e
Stabilite
On ne peut pas considerer lamplificateur et ses reseaux dadaptation

separement.
Des reflexions à lentree peuvent etre amplifiees et reflechies à
nouveau vers lentree, ce qui produirait S11 > 1 : le circuit oscille.
Pour certaines combinaisons de charge, S12 et S11 , lamplificateur
peut osciller tout seul.
Un circuit instable implique que limpedance à lentree ou la charge a
une partie reelle negative : |in | > 1 ou |out | > 1.
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Stabilit
e
Stabilite
On definit 2 types de stabilite :

Stabilit
e inconditionnelle : Le circuit est stable pour toutes les
combinaisons de charge et source. |in | < 1 et |out | < 1
Stabilit
e conditionnelle : Le circuit est stable seulement pour
certaines valeurs de charge ou de source. On appelle aussi cet etat
potentiellement instable.
La stabilite dun circuit est fonction de la frequence.
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41 / 76
Stabilit
e
Stabilite
Lors du design dun amplificateur, il faut sassurer que le circuit est

stable pour toutes les frequences.
Ceci peut etre difficile pratiquement ; on sassure quil soit impossible
que la combinaison de charges qui rend le circuit instable puisse exister.
Quarrive-til si un circuit est instable à une frequence autre que celle

du design ?
Il est possible que le circuit ne fonctionne pas du tout, ou quil oscille à
une autre frequence.
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42 / 76
Stabilit
e
Stabilite
Les 2 critères à satisfaire sont :

S12 S21 L

<1
|in | = S11 +
1 S22 L
et

S12 S21 S

|out | = S22 +
<1
1 S11 S
Ce sont des equations qui decrivent des cercles sur labaque de Smith : on
definit des cercles de stabilite à lentree et la sortie.
Pour un circuit unilateral, la condition est :
|in | = |S11 | < 1
et
|out | = |S22 | < 1
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43 / 76
Stabilit
e
Cercle de stabilite : sortie

Les cercles sont definis selon :
j1
)
(S22 S11
|S |2 ||2

22
S12 S21

rL =
|S22 |2 ||2
= S11 S22 S12 S21
1
cL
cL =
rL
j0.33
r=0
-1
j3
r = 0.33
r=1
r=3
o`
u cL est le centre du cercle, et rL
est le rayon.
j0.33
j3
j1
-1
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Stabilit
e
Cercle de stabilite : sortie
Si |S11 | < 1,
= 0
stable
j1
Si |S11 | > 1,
= 0
instable
1
cL
j1
1
cL
rL
j0.33
r=0
-1
Zone
Stable
r = 0.33
rL
j3
r=1
r=3
j3
r=0
-1
j0.33
j1
j0.33
Zone
Instable
r = 0.33
j3
r=1
r=3
j0.33
j3
j1
-1
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-1
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45 / 76
Stabilit
e
Cercle de stabilite
On peut faire la meme analyse pour les cercles de stabilite à lentree.

On inverse S11 et S22 .

)
S12 S21
(S11 S22

cS =
rS =
|S11 |2 ||2
|S11 |2 ||2
On peut dessiner les cercles de stabilite à lentree sur labaque de
Smith. On doit distinguer les 2 cas o`
u |S22 | < 1 et |S22 | > 1.
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46 / 76
Stabilit
e
Critère de stabilite
On peut definir des critère de stabilite comme suit :

Inconditionnellement stable :
||cL | rL | > 1 si |S11 | < 1
||cS | rS | > 1 si |S22 | < 1
Si |S11 | > 1 ou |S22 | > 1, le circuit ne peut pas etre
inconditionnellement stable.
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47 / 76
Stabilit
e
Critère de stabilite (2)
Un autre critère qui permet de verifier la stabilite sans tracer les

cercles sur labaque de Smith est le suivant : un circuit est stable
selon deux paramètres k et b1 , si k > 1 et b1 > 0.
1 |S11 |2 |S22 |2 + ||2
2|S12 S21 |
b1 = 1 + |S11 |2 |S22 |2 ||2
k=
GELE5223 Chapitre 5
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48 / 76
Stabilit
e
Critère de stabilite (3)
Un troisième critère de stabilite a ete developpe en 1992 :

=
1 |S11 |2
| + |S S |
|S22 S11
21 12
Pour quun système soit stable, il faut que > 1. De plus, plus est
grand, plus le système est stable.
Ce critère devient de plus en plus populaire.
GELE5223 Chapitre 5
Automne 2010
49 / 76
Stabilit
e
Amelioration de la stabilite
Comment ameliorer la stabilite ?

On peut seulement donner des directives generales, puisque chaque
circuit est different.
De facon generale, il faut reduire le gain pour augmenter la stabilite,

ce qui implique un certain compromis à faire.
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Automne 2010
50 / 76
Stabilit
e
Courbe typique de dun transistor non stabilise.
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
20
30
40
Frquence (GHz)
GELE5223 Chapitre 5
50
60
70
Automne 2010
51 / 76
Stabilit
e
On utilise une resistance en serie ou en parallèle à lentree et/ou à la

sortie pour stabiliser le transistor.
Si les cercles de stabilite sont du c
ote des faibles resistances, on utilise
une resistance en serie.
Si les cercles de stabilite sont du c
ote des hautes resistances, on utilise
une resistance en parallèle.
Generalement, il est suffisant de stabiliser à lentree. Cependant, ceci

augmente le bruit de lamplificateur. Stabiliser à la sortie aura moins
dimpact sur le bruit.
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Stabilit
e
Exemple :
j1
Ajouter une resistance en

serie dont la valeur est
determinee par le cercle qui
est tangent au cercle de
stabilite, ou
1
cL
rL
j0.33
r=0
-1
j3
r = 0.33
r=1
r=3
j0.33
j3
j1
Ajouter une resistance en

parallèle, determinee par le
cercle de conductance qui est
tangent.
-1
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Stabilit
e
Comment reduire leffet des resistances sur le gain ?

R
esistances en s
erie : On ajoute un condensateur en parallèle, qui
produit une faible impedance à la frequence dinteret.
R
esistances en parall`
ele : On ajoute un condensateur entre la
resistance et GND, ce qui empeche le DC de sechapper par cette
resistance. Le condensateur doit avoir une faible impedance à la
frequence dinteret.
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Stabilit
e
Ajouter une inductance à la source du transistor :

Utiliser une inductance
Utiliser une ligne de transmission terminee par un court-circuit
ou
L
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Stabilit
e
Ex : Microphotographie dun melangeur à 38.9GHz
FET
Resistance de
700 pour
stabilisation
100m
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Design
Design damplificateurs
Il y a trois types de design :

Design pour un gain maximum : ladaptation est faite au conjugue
des charges, pour un transfert maximal de puissance.
Design pour un gain sp
ecifique : ladaptation est faite à un gain
plus faible que le maximum, pour ameliorer la largeur de bande.
Design pour faible bruit : ladaptation est faite pour minimiser le
bruit ; on reduit le bruit au depend du gain.
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Design
Design pour gain maximum
Puisque le gain G0 dun transistor est fixe, les deux gains GS et GL

sont les 2 paramètres à optimiser.
Le transfert maximal de puissance se produit lorsque in = S et
out = L .
On utilise les equations des pages 36 et 38 pour faire le design.
GELE5223 Chapitre 5
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Design

On peut demontrer que les coefficients de reflexion à lentree et à la sortie
doivent etre :
p
p
B1 B12 4|C1 |2
B2 B22 4|C2 |2
S =
L =
2C1
2C2
o`
u
2
B1 = 1 + |S11
| |S22 |2 ||2
2
B2 = 1 + |S22
| |S11 |2 ||2
C1 = S11 S22
C2 = S22 S11
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Design
Design pour gain maximum : unilateral
Si le transistor est unilateral,
S = S11
L = S22
Le gain maximum est :

GT Umax =
1
1
|S21 |2
2
1 |S | | {z } 1 |S |2
| {z 11 } G0 | {z 22 }
GS
GELE5223 Chapitre 5
GL
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Design

ecifique
Design pour un gain specifique
On trace des cercles de gain constant sur labaque de Smith.

Ces cercles permettent dobtenir le gain voulu et les coefficients de
reflexion (à lentree et la sortie) pour obtenir ce gain.
On ne fait pas ladaptation à Z0 ; on le fait à dautres valeurs qui
donnent un gain plus faible.
On considère le cas unilateral seulement.
GELE5223 Chapitre 5
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Design

ecifique
Design pour un gain specifique
Les gains maximums des reseaux à lentree et à la sortie sont :

GSmax =
1
1 |S11 |2
et
GLmax =
1
1 |S22 |2
ce sont le gain supplementaire obtenu si les impedances dentree et de

sortie sont bien adaptees.
` laide de ces equations, on peut tracer des cercles sur labaque de
A
Smith.
GELE5223 Chapitre 5
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Design

ecifique
Cercles de gain
On calcule les centres selon :
j1
gS S11
1 (1 gS )|S11 |2
1 gS (1 |S11 |2 )
rS =
1 (1 gS )|S11 |2
GS
gS =
GSmax
cS =
G1 > G2
cmax
j0.33
j3
G1
G2
r=0
-1
r = 0.33
r=1
r=3
j0.33
j3
j1
o`
u cS est le centre du cercle de
gain (entree) et rS est le rayon.
La partie variable est gS .
-1
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Design

ecifique
Cercles de gain
On peut faire la meme chose pour les cercles de gain à la sortie. On

remplace S11 par S22 .
Les centres de ces cercles sont tous sur une ligne droite qui debute au
ou S .
centre de labaque et qui passe par S11
22
On peut aussi demontrer que le cercle de 0dB (GS = 1 ou GL = 1)
passe toujours par le centre de labaque.
Lorsque le gain est maximum, le rayon est 0.
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Design
Design pour bruit minimum
Comme le design à gain specifique, si on veut faire un design avec un

bruit minimum, il faut faire certains compromis.
La procedure de design pour bruit minimum est la meme que celle
pour un gain specifique : on trace des cercles de bruit sur labaque de
Smith.
Un amplificateur à faible bruit (LNA) est typiquement le premier
composant dun système de communication hyperfrequences.
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Design
La figure de bruit dun amplificateur est :

F = Fmin +
|S opt |2
4Rn
Z0 (1 |S |2 )|1 + opt |2
o`
u Fmin , opt et Rn sont des paramètres fournis par le manufacturier.
Ce sont les paramètres de bruit du transistor.
` laide de cette equation, on peut tracer des cercles de bruit, o`
A
u la
figure de bruit est constante.
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Design
Cercles de bruit
On calcule les centres selon :
j1
opt
j0.33
j3
F1
F2
r=0
-1
r = 0.33
opt
N +1
p
N (N + 1 |opt |2 )
rF =
N +1
(F Fmin )Z0
N=
|1 + opt |2
4Rn
cF =
F2 > F1
r=1
r=3
j0.33
j3
j1
o`
u cF est le centre du cercle de
bruit et rF est le rayon. La partie
variable est F .
-1
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Design
Linearite
Amelioration de la linearite :
Ajouter de linductance à la source du transistor
Ajouter une resistance de feedback entre le drain et la grille
Ajoute du bruit
Reduit le gain
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Polarisation des transistors
La polarisation des transistors lors de lutilisation à très haute

frequences est un peu differente des techniques habituelles.
Il faut faire attention pour que le signal dentree ne se propage pas le
long du circuit de polarisation et demeure plut
ot dans le bon chemin.
Le point doperation du transistor affecte aussi le bruit, la puissance
et le courant.
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Le point doperation affecte le comportement du transistor.
con generale :
VGS = 0 De fa
IDSS
0.9IDSS
I : faible bruit, faible

puissance
II
II : faible bruit, puissance

moyenne
0.5IDSS
III
III : haute puissance

IV : haut rendement
0.15IDSS
IV
I
0.5
1.5
VDS (V)
2.5
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Les circuits de polarisation doivent presenter une faible impedance à

DC et une haute impedance aux frequences doperation.
On a aussi besoin de condensateurs de blocage pour eviter que le DC
se propage dans le reste du circuit.
Deux methodes principales :
Inductance en serie avec la source,
Ligne de transmission /4 terminee par un condensateur.
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Option 1 : inductance
Inductance :
impedance nulle
`
a DC, et haute
impedance `
af
+
VD
Condensateur :
bloque DC
Cependant, parfois difficile dutiliser des inductances à hautes frequences.
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Option 2 : ligne /4
a
/4
+
VD
b
Condensateur :
bloque DC
Au point a, cest presque un

court-circuit à f .
Au point b, la ligne transforme
le court-circuit à un circuit
ouvert.
` basses frequences, la ligne peut etre trop longue ; mais plus la frequence
A
augmente, plus la ligne devient courte.
GELE5223 Chapitre 5
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Polarisation
Ex : Microphotographie dun melangeur à 38.9GHz
FET
Ligne de 90 `
a
38.9GHz
Condensateur
de 5pF : 0.8 `
a
38.9GHz
DC applique ici
100m
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Conclusion
Conclusion
Les points cles de ce chapitre sont :

Figure de bruit, IIP3, P1dB .
Gain et stabilite des transistors.
Methodes de design damplificateurs.
Polarisation des transistors.
GELE5223 Chapitre 5
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Probl`
emes sugg
er
es
Problèmes suggeres
Dans le manuel de Pozar :

10.1, 10.5, 10.6, 11.1, 11.3, 11.11
Et aussi les exemples du PDF.
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Circuit Active Et Bruit Mohim

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Gabriel Cormier (UdeM)

Gabriel Cormier (UdeM)

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Effet indesirable qui affecte la performance des circuits

Gabriel Cormier (UdeM)

On veut verifier combien de bruit est ajoute par notre syst`eme.

Gabriel Cormier (UdeM)

Bruit thermique : bruit cause par des vibrations datomes ou

Gabriel Cormier (UdeM)

Un corps noir, `a une temperature T , produit une puissance de bruit

Gabriel Cormier (UdeM)

Gabriel Cormier (UdeM)

Si une composante (ex : resistance) gen`ere du bruit blanc, on

Gabriel Cormier (UdeM)

Bruit thermique : mod`ele de resistance

Mod`ele : source de tension et resistance

Gabriel Cormier (UdeM)

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit dun syst`eme ayant une largeur de bande de

Gabriel Cormier (UdeM)

Bruit thermique : exemple

Calculer la puissance de bruit dun syst`eme ayant une largeur de bande de

Gabriel Cormier (UdeM)

Rapport signal-`a-bruit (SNR)

Le SNR est definit selon :

Gabriel Cormier (UdeM)

Gabriel Cormier (UdeM)

Autre methode pour caracteriser le bruit.

Dans certains manuels, F est le facteur de bruit, et la figure de bruit

Gabriel Cormier (UdeM)

Par definition, lIEEE a adopte que le bruit dentree Ni dun syst`eme

Gabriel Cormier (UdeM)

Figure de bruit : composants passifs

Pour un composant passif (ayant des pertes), on definit un coefficient

Gabriel Cormier (UdeM)

Figure de bruit : syst`emes en cascade

La figure de bruit totale est :

Le premier composant est critique.

Gabriel Cormier (UdeM)

Figure de bruit : exemple

On suppose que T = T0 , donc F = L. La figure de bruit totale est :

Gabriel Cormier (UdeM)

Figure de bruit : exemple 2

La figure de bruit totale est :

Gabriel Cormier (UdeM)

Gamme dynamique : plage dentrees o`

Gabriel Cormier (UdeM)

Le signal minimum detectable (MDS) est :

Gabriel Cormier (UdeM)

Gabriel Cormier (UdeM)

Distorsion dintermodulation : Autre mesure de linearite dun

Gabriel Cormier (UdeM)

De facon generale, les harmoniques croissent selon leur ordre : pour

Gabriel Cormier (UdeM)

Si deux signaux de frequence similaire f1 et f2 sont appliques `a un

Gabriel Cormier (UdeM)

P1dB = IIP 3 9.66dB

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