PROTECCION CONTRA SOBRECORRIENTE DE LOS SEMICODUCTORES

Las corrientes anormales sobrecalientan los semiconductores en una fraccin de

segundo, con resultados catastrficos, debido a que la temperatura de la unin
cambia muy rpidamente con los cambios en la corriente. Las sobrecorrientes
provienen de cargas excesivas del convertidor de potencia, o de un cortocircuito
accidental en los terminales de la carga.
La capacidad de sobrecorriente de los BJTs es muy inferior a la de los tiristores y
del GTO; como los tiristores se enganchan, su voltaje de funcionamiento es bajo
para corrientes muy por sobre la de funcionamiento normal; en cambio, si la
corriente de base del transistor es inadecuada para una corriente de colector
particular, el transistor puede salirse de saturacin, entrar en la zona activa, y
disipar ms potencia de la permitida, llegando a destruirse.
PROTECCIN DE LOS TRANSISTORES CONTRA SOBRECORRIENTES
La proteccin del transistor con fusibles es prcticamente imposible, pero se
puede utilizar su capacidad de apagado de modo efectivo; se debe disponer de
un dispositivo de vigilancia de la corriente de colector, de modo que cuando se
eleve por sobre un valor prefijado, se desconecte el transistor; tambin se puede
vigilar la tensin colector-emisor VCE(sat) para saber cuando se est saliendo de
saturacin, porque su valor aumenta, y la corriente de colector tambin sube
anormalmente. El dispositivo de proteccin debe iniciar una accin rpida de
proteccin, interrumpiendo la corriente de base del transistor, cortndolo; debido
a que el tiempo de almacenamiento del transistor causa retardos en el proceso
de apagado, puede ser necesario introducir una inductancia que retarde la subida
de la corriente de falla, y le d tiempo al dispositivo protector de actuar.
CIRCUITOS AMORTIGUADORES PARA PROTECCIN DE LOS TRANSISTORES
1. AMORTIGUADOR PARA ENCENDIDO (figura 1)
Reduce las prdidas del transistor en el encendido, limitando la velocidad
de incremento de la corriente de colector. Al final del perodo de
conduccin, RS permite descargar la energa almacenada en LS y limita el
sobrepaso del voltaje.
2. AMORTIGUADOR EN PARALELO (Figura 2)
Mientras el transistor est conduciendo, el circuito en paralelo con l
estar deshabilitado. La corriente de carga se divide hacia el condensador
al apagarse el transistor; de este modo, la velocidad de incremento del VCE
se reduce. Si el condensador es grande, el voltaje a travs del transistor es
bajo durante el intervalo de apagado, al igual que la potencia disipada; al
encender el transistor, el voltaje a travs del condensador es igual al de la
fuente y se descarga a travs del transistor; la resistencia limita la
corriente de descarga.
3.

AMORTIGUADOR POLARIZADO (Figura 3)

Como la resistencia puede retardar un poco el proceso de apagado, se le
coloca un diodo en paralelo, para polarizar el amortiguador. Durante el
apagado, el condensador est en paralelo con el transistor, porque la
resistencia estar siendo cortocircuitada por el diodo, que estar

polarizado directamente. Al encender, el diodo queda polarizado

inversamente y la resistencia limita la descarga del condensador.
3. AMORTIGUADOR POLARIZADO EN EL ENCENDIDO Y EN EL APAGADO.(Figura
4)

PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTE DE LOS SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA
Las sobrecorrientes se presentan por sobrecargas del semiconductor o a un
cortocircuito de los terminales de la carga.
La proteccin con fusibles para diodos o tiristores es posible debido a que estos
elementos tienen buena capacidad para soportar transitorios de corriente ( picos
de corriente de corta duracin). En circuitos de tiristores conmutados por el
cambio de polaridad en la lnea, se puede proteger al tiristor retirando su
corriente de gate al detectarse una sobrecorriente; para otros casos, se requiere
proteccin por fusibles especiales de alta capacidad de corte de corriente y de
alta velocidad; el parmetro utilizado para determinar el comportamiento del
fusible es llamado el I2t de fusin; esta es una medida de la energa total que
debe soportar el semiconductor antes de que se interrumpa la corriente de falla;
estos datos los suministra el fabricante del fusible.
La proteccin contra sobrecorriente se da seleccionando un fusible cuya
capacidad de fusin I2t sea menor que la medida I2t del semiconductor que
protege; el valor I2t cambia para el fusible y el semiconductor con el ancho del
pulso y la forma de onda de la corriente.
PROTECCIN DE PALANCA ELECTRNICA (figura 5)

PROTECCIN CONTRA SOBREVOLTAJES

La mayora de los semiconductores se destruyen con la aplicacin, voluntaria o
accidental, de voltajes excesivos.
Los sobrevoltajes se producen por el funcionamiento normal de equipos de
electrnica de potencia, o se sobreponen a la alimentacin normal de la
corriente alterna de alimentacin, debido a la conmutacin de circuitos en
operacin y a descargas ocasionales de rayos.
En general, la interrupcin del flujo de corriente en un circuito inductivo produce
sobrevoltajes peligrosos, a menos que se coloquen rutas de descarga de baja
resistencia.
Un mtodo prctico y barato de proteccin contra sobrevoltajes es una red RC
conectada en paralelo con el semiconductor. La carga lenta del condensador
limita la magnitud de los voltajes transitorios rpidos y reduce la velocidad de
dV
crecimiento del voltaje, o
; se requiere una resistencia de bajo valor hmico
dt
(menor de 100) en serie con el condensador para amortiguar las oscilaciones
entre la capacitancia y las inductancias parsitas del circuito; esta resistencia en
serie limita la corriente inicial de descarga del condensador cuando el
semiconductor es disparado. (ver figura 6)

Figura 6

Como la red RC amortiguadora es solo parcialmente efectiva en la supresin de

sobrevoltajes, se usan limitadores de voltaje hechos de material semiconductor.
El dispositivo mas utilizado es el varistor, o VDR (resistencia dependiente del
voltaje), elemento no lineal, de caractersticas similares a un par de diodos zener
conectados nodo con nodo. A voltaje normal, su resistencia es alta y su
corriente de fuga, pequea; al aumentar el voltaje por encima de su umbral,
circula una corriente alta que ocasiona una cada de voltaje grande, rebajndolo
hasta un nivel seguro. Luego del voltaje transitorio, el elemento vuelve a su

estado normal, si es que la subida de tensin no fue demasiado brusca y lo

destruy anteriormente. (ver figura 7)

Figura 7