UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

Facultad: Ingeniera
Escuela: Electrnica y Telecomunicaciones
Nombre: Daniel Santander
Asignatura: Electronia y Laboratorio I
Docente: Ing. Alfonso Gunsha
Periodo: Marzo 2016 Agosto 2016

Transistor de efecto de campo (FET)

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente
interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de
unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son
dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios). Ambos
dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador.
Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente
diferentes.

Ventajas del FET

Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada
(aproximadamente 1M).
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controlados por tensin valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas del FET

Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

Poseen una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
Se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn
brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus
aplicaciones analgicas.

TRANSISTOR 2N5457
CARACTERSTICAS GENERALES

Posee un canal tipo N para mayor ganancia.

Tanto el Drenador como la fuente son intercambiables.
Posee una alta impedancia en corriente alterna (AC).
Posee una alta resistencia en corriente continua (CD).
Posee una baja transferencia de capacitancia.
Posee una baja modulacin cruzada y una baja distorcion de intermodulacin.

SIMBOLOGA - PACKAGE - PINES

VALORES MXIMOS
Dato
Voltaje DrainSource
Voltaje Drain-Gate
Corriente de Gate
Temperatura
operacin de unin
Temperatura de
almacenamiento

Smbolo
VDS

Valor
25

Unidades
V

VDG
IG
TJ

25
10
135

V
mA
C

Tstg

-65 a 150

REEMPLAZOS

MPF102
2N5458

GRAFICAS CARACTERISTICAS

Grafica 1.- Curva caracterstica ID vs VDS

Grafica 2.- Curva caracterstica ID vs VG S