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[Comunicaciones Analgicas]

[Moduladores AM]

UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA


AREA DE LA ENERGA, LAS INDUSTRIAS Y LOS RECURSOS
NATURALES NO RENOBABLES
INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
Grupo 1
Integrantes:

Xavier Glvez
Carlos Flores

Tema:

MODULADOR AM DE BAJO NIVEL

Objetivos:

Estudiar y analizar el circuito modulador AM de bajo nivel.


Simular el circuito y verificar los resultados simulados con los
calculados.

MODULADOR DE AM DE BAJO NIVEL


Un amplificador de seal pequea, de clase A, como el de la fig. 1, se puede
usar para la modulacin de amplitud; sin embargo, el amplificador debe
tener dos entradas: una para la seal portadora y otra para la seal
moduladora. Cuando no hay seal moduladora presente, el circuito funciona
como un amplificador lineal de clase A, y la salida no es ms que la
portadora amplificada por la ganancia de voltaje en reposo. Sin embargo,
cuando se aplica una seal moduladora, el amplificador funciona en forma
no lineal y se produce la multiplicacin de seal. En la fig. 1, la portadora se
aplica a la base, y la seal moduladora al emisor.
En consecuencia, a esta configuracin de circuito se le llama modulacin por
emisor. La seal moduladora vara la ganancia del amplificador con tasa
senoidal igual a su frecuencia. La cantidad de modulacin que se obtiene es
proporcional a la amplitud de la seal moduladora. La ganancia de voltaje
para un modulador por emisor se describe con la ecuacin

A V =A q [ 1+m sen ( 2 f m t ) ] Ec . 1
En la que

A V =ganancia de voltajedel amplificador con modulacion(adimensional )


A q =ganancia de voltajedel amplificador en reposo (adimensional)

El

sen ( 2 f m t )

va desde un valor, mximo de +1 hasta uno mnimo de -1.

As la ecuacin 1 se reduce a
1

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A V =A q (1 m)Ec .2
Donde m es igual al coeficiente de modulacin. En 100% de modulacin,
m=1 y la ecuacin 2 se reduce a

A V (mx) =2 A q
A V (min) =0

Fig.1: Modulador de AM de bajo nivel

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Fig.2: Formas de onda de salida.


La fig. 2. muestra las formas de onda para el circuito de la fig. 1. La seal
moduladora se aplica a travs de un transformador T1 de aislamiento, al
emisor de Q1, y la portadora se aplica a la base en forma directa. La seal
moduladora lleva al circuito tanto a saturacin como a corte y produce as la
amplificacin no lineal necesaria para que se produzca la modulacin. La
forma de onda del colector incluye a la portadora y a las frecuencias
laterales superior e inferior, as como un componente a la frecuencia de la
seal moduladora. El capacitor de acoplamiento C2 quita la frecuencia de la
seal moduladora de la forma de onda de AM y produce as una envolvente
simtrica de AM en

V sal .

Con modulacin por emisor, la amplitud de la seal de salida depende de la


amplitud de la portadora de entrada y de la ganancia de voltaje del
amplificador. El coeficiente de modulacin depende en su totalidad de la
amplitud de la seal moduladora. La desventaja principal de la modulacin
por emisor es que el amplificador funciona como clase A, que es ineficiente
en extremo. Los moduladores por emisor tampoco son capaces de producir
formas de onda de salida de gran potencia.
Anlisis matemtico
Para encontrar el ndice de modulacin m, se debe obtener el voltaje pico
mximo de la seal modulada ( +V max ) y voltaje pico mnimo de la seal
modulada ( +V min ). En la figura 5 se observa que el voltaje pico mximo

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de la seal modulada y en la figura 6 el voltaje mnimo de la misma. Por lo


tanto tenemos;

+V (max )=2.39 V
+V (min)=122.362 mV

Em =

1
V
V (min) )
2 ( (max )

1
Em = (2.39 V 122.362mV )
2
Em =1.14 V
Ec(con gananciadel tr an si s tor)=

1
V
+V
2 ( (max) (min) )

1
Ec(con gananciadel tr an si s tor)= ( 2.39 V +122.362 mV )
2
Ec(con gananciadel tr an si s tor)=1.26V

la ganancia del circuito amplificador con el transistor Q1

A
( q)

se calcula

midiendo el voltaje de salida Vc y el voltaje de entrada VB en estado de


reposo, es decir desconectado la seal moduladora aplicada al emisor, por
lo que se obtuvo el voltaje del colector como se ve en la figura 3.

V B =EC (base del transistor) =19 mV


Aq=

VC
VB

Aq=

1.26 V
19 mV

A q =65.78
El ndice de modulacin m es igual a:

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m=

m=

Em
Ec

1.14 V
1.26 V

m=0.912

M =91.2

A V =A q ( 1 m )
A V (max) =65.78(1+0.912)

A V (max) =125.79
V sal(max )=Ec (sin ganancia ) AV
V sal(max)=19 mV 125.79
V sal(max)=2.39 V

A V (min) =A q ( 1m )
A V (min) =65.78(10.912)

A V (min) =5.7894
V sal(min)=E c(singanancia ) AV
V sal(min)=19 mV 5.7894
V sal(min)=110 mV

Si la seal se aplica a una carga de

R=10 K

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Ec(con ganancia del trnasitor )


Pc =
4R
2

(1.25)
Pc =
4(10 K )
Pc =39 W

Pc =

(1.25)
4(10 K )

Pbli =P bls=

PC m 2
4

0.912

2
39 W
Pbli =P bls=

Pbli =P bls=8 W

La potencia promedio total transmitida hacia una carga

10 K

es:

Pt =P c + P bli + Pbls
Pt =39 W + 8 W + 8 W
Pt =55 W

Simulacin en Multisim 13

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Fig.3: Seal de salida del colector del transistor en estado de reposo

Vp=1.26 V

Fig.4: Seal Modulada.


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Fig.5: Amplitud mxima de la Seal Modulada

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( +V max =2.39 V ) .

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Fig.5: Amplitud mnima de la Seal Modulada

[Moduladores AM]

( +V min =122.362 mV ) .

Conclusiones:

Se pudo analizar y comprobar que la frecuencia de salida de la seal


modulada con la frecuencia de la seal portadora es la misma.
Se determin q la seal modulada tiene un ndice de modulacin del
91.2%
La ganancia del transistor al aplicar la seal es de 65.78.
Se comprob que el voltaje de salida mximo y minino de la
simulacin de la seal modulada es igual al valor calculado.

Bibliografa:
[1] TOMASI, Wayne. Sistemas de Comunicaciones Electrnicas. Mxico.
2003. Cuarta Edicin.
[2] BOYLESTAD, Robert. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos. 2009. Dcima Edicin. Mxico.