Cuestionario GTO

!. What are the constructional features of a GTO that bestows it with a gate turn
off capability? How do they affect the turn on performance of the GTO?
A pesar de que un GTO es un dispositivo de 4 capas (p-n-p-n) y 3 uniones al igual
que el SCR, tiene dos diferencias importantes que le dan la propiedad de
apagarse con el gate.
La unin Gate-Ctodo del GTO est mucho ms digitalizada comparada al tiristor.
Miles de segmentos de ctodo, normalmente est en anillos concntricos
alrededor del centro del dispositivo. Esta estructura nter digital izada del ctodo
del GTO asegura que cualquier filamento de corriente formado durante el
proceso de apagado del GTO sea rpidamente extinguido.
Los cortos de nodo son introducidos en la unin p+ del nodo y n base de un
GTO. Estos cortos consisten en la introduccin de regin n+ altamente dopada
dentro del nodo p+. Ellos hacen contacto directo con el metal del nodo y
proveen de un camino alternativo para los electrones que viajan a travs de la
base n para alcanzar el metal del nodo sin causar inyeccin de huecos desde el
nodo p+. Esto ayuda a reducir la tail current durante el apagado de un GTO.
La estructura nter digitalizada del gate-ctodo ayuda a potenciar la capacidad de
encendido di/dt del dispositivo debido a a la ms rpida y esparcida inyeccin de
corriente del gate adyacente al ctodo.
Por otro lado, la presencia de estos cortos tiene efectos adversos en el encendido
de un GTO. La introduccin del nodo efectivamente reduce la ganancia de
corriente para el transistor p-n-p de arriba. Esto tiene el efecto de incrementar la
latching current y holding current de un GTO comparado al tiristor. La mnima
corriente requerida para disparar el GTO incrementa.

U. Cules son las principales diferencias en las caractersticas de salida en

estado estacionario de un GTO y un SCR? Qu efecto tienen estas en los
requerimientos del gate drive para un GTO?
El primer cuadrante del GTO se parece al SCR pero hay diferencias importantes.
Tanto holding y latching current del GTO son considerablemente mayores a los
parmetros del tiristor.
La corriente mnima del gate requerida para disparar un GTO a un bloqueo de
voltaje en polarizacin directa dado es ms alta comparada al tiristor.
La corriente de fuga en polarizacin directa de un GTO es mucho mayor a la de un
tiritar con las mismas caractersticas. De hecho, si la corriente de gate no es
suficiente para prender el GTO, este puede operar como un transistor de alto
voltaje y baja ganancia con corriente de nodo considerable.
Un GTO puede bloquear un voltaje en polarizacin directa slo cuando el voltaje
del gate es negativo respecto al ctodo o al menos que el gate est conectado al
ctodo a travs de una resistencia pequea.
En la regin de bloqueo inverso (tercer cuadrante) un GTO asimtrico tiene mucho
menos reverse break down voltage (voltaje de ruptura inverso) aprox. 20-30V,
comparado al tiristor.
Excediento este voltaje se fuerza al GTO a operar en modo de avalancha inversa.
Este modo de operacin no destruye el dispositivo dado que el gate est

polarizado negativamente y el tiempo de dicha operacin es pequea.

Dado que la holding current de un GTO es mucho mayor a un SCR, variaciones de
corrientes de nodo pueden generar serios problemas debido a que el GTO podra
unlatch (desenclavar) en un momento inapropiado. Para evitar este problema la
unidad del gate de un GTO debe alimentar el terminal gate con una corriente
continua back porch durante todo el periodo ON del GTO. Esta corriente back
porche debe ser mayor que la corriente de disparo del gate.
Para asegurar que el GTO bloquea el voltaje forward y opera seguramente en
avalancha inversa, el voltaje del gate debe ser mantenido negativo con respecto
al ctodo para toda la duracin de apagado del GTO.
`. Cuales son las caractersticas deseables de la unidad del circuito del gate de
un GTO? Cmo ellas influencian el switcheo de un GTO?
La unidad gate debera:
Prender el GTO con una corriente de gate grande con razn de crecimiento
elevado (3-10 veces la corriente mnima de disparo del gate)
Mantener conduccin del GTO durante el periodo ON mediante la inyeccin de
corriente gate back porche positiva, la cual es ms grande que la mnima
corriente de disparo del gate.
Apagar el GTO con una gran corriente de gate negativa con alta razn de
cada.
Reforzar el estado de bloqueo del dispositivo aplicando un voltaje negativo al
gate con respecto al ctodo para toda la duracin de apagado del GTO.
Td y Tr pueden ser reducidos incrementando el peak positivo de la corriente de
gate y su razn de crecimiento durante el encendido. Prdidas de potencia por
encendido Eon tambin se reduce.
b. Qu parmetros de la corriente gate reduce las prdidas de encendido EON
de un GTO? Cmo se reduce la prdida de apagado de un GTO?.

Eon es reducido incrementando la magnitud peak de la corriente gate positiva

durante el encendido.
Eoff es reducido incrementando la capacitancia del snubber a lo largo del GTO.