El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal

de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se
encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
ndice
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1Historia

2Funcionamiento

3Tipos de transistor
o

3.1Transistor de contacto puntual

3.2Transistor de unin bipolar

3.3Transistor de efecto de campo

3.4Fototransistor

4Transistores y electrnica de potencia

5Construccin
o

5.1Material semiconductor
6El transistor bipolar como amplificador

6.1Emisor comn

6.2Base comn

6.3Colector comn

7El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica

8Vase tambin

9Referencias

10Enlaces externos

Historia[editar]
Artculo principal: Historia del transistor

Rplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El fsico austro-hngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit en Canad en el ao 19251 una

patente para lo que l denomin "un mtodo y un aparato para controlar corrientes
elctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado slido del triodo. Lilienfeld tambin
solicit patentes en los Estados Unidos en los aos 19262 y 1928.3 4 Sin embargo,
Lilienfeld no public ningn artculo de investigacin sobre sus dispositivos ni sus patentes
citan algn ejemplo especfico de un prototipo de trabajo. Debido a que la produccin de
materiales semiconductores de alta calidad an no estaba disponible por entonces, las
ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado slido no encontraron un uso prctico
en los aos 1920 y 1930, aunque un dispositivo de este tipo ya se haba construido. 5
En 1934, el inventor alemn Oskar Heil patent en Alemania y Gran Bretaa6 un
dispositivo similar. Cuatro aos despus, los tambin alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Gttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificacin de seales de
1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prcticos.7 Mientras tanto, la
experimentacin en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de xido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemn Walter
Schottky y del ingls Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era
posible lograr la construccin de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vaco.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los fsicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8 llevaron
a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una seal con una potencia de salida
mayor que la de entrada.9 El lder del Grupo de Fsica del Estado Slido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabaj para ampliar en
gran medida el conocimiento de los semiconductores. El trmino "transistor" fue sugerido
por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basndose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basndose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10Segn una biografa de John
Bardeen, Shockley haba propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell deba estar basado en el efecto de campo y que l fuera nombrado como
el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
aos atrs, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo
que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el primer transistor de contacto
de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de
1948,11 a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este
dispositivo.12 13 14 En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron

galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Fsica de 1956 "por sus

investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor". 15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los fsicos
alemanes Herbert Matar y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Matar
tena experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio
mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemn durante la Segunda
Guerra Mundial. Usando este conocimiento, l comenz a investigar el fenmeno de la
"interferencia" que haba observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
En junio de 1948, Matar produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando
muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain haban
logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los cientficos de
Laboratorios Bell ya haban inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresur
a poner en produccin su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefnica
de Francia.16 El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicit la patente del transistor
bipolar de unin17 y el 24 de agosto de 1951 solicit la primera patente de un transistor de
efecto de campo,18 tal como se declar en ese documento, en el que se mencion la
estructura que ahora posee. Al ao siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron xito al fabricar este dispositivo, 19 cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese ao, el ingeniero
Sidney Darlington solicit la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,22 capaz de operar con seales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se
us un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran
grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milsimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones form el colector y el emisor.24 El primer receptor de
radio para automviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; us estos
transistores en sus circuitos y tambin fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa poca.25 26
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
1954 por el qumico Morris Tanenbaum.27 El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien haba
trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.30 31

Funcionamiento[editar]
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos
uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado
por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, 32 a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que

circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin
Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son
emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta
y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin
aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la
tensin presente entre la compuerta y la fuente, de manera anloga al funcionamiento
del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala
disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como
el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar]

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente
en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor[editar]
Artculo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores
son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la
amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construccin[editar]
Material semiconductor[editar]
Caractersticas del material semiconductor
Tensin
directa
de la unin
V @ 25 C

Movilidad de
electrones
m2/(Vs) @ 25 C

Ge

0.27

0.39

0.19

70 a 100

Si

0.71

0.14

0.05

150 a 200

GaAs

1.03

0.85

0.05

150 a 200

Al-Si

0.3

150 a 200

Material
semiconducto
r

Movilidad de
huecos
m2/(Vs) @
25 C

Mxima
temperatura de
unin
C

Los primeros transistores bipolares de unin se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El
material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parmetros en bruto de los materiales semiconductores ms comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parmetros variarn con el aumento

de la temperatura, el campo elctrico, nivel de impurezas, la tensin, y otros factores

diversos.
La tensin directa de unin es la tensin aplicada a la unin emisor-base de un transistor
bipolar de unin con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente especfica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensin en directa de
la unin. Los valores indicados en la tabla son las tpicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto ms bajo es la tensin
de la unin en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energa para
colocar en conduccin al transistor. La tensin de unin en directa para una corriente dada
disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unin de silicio tpica, el cambio es
de -2.1 mV / C. 34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores mviles en el canal de un MOSFET es una funcin del
campo elctrico que forma el canal y de varios otros fenmenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricacin de un MOSFET, para controlar su comportamiento
elctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a travs del material
semiconductor con un campo elctrico de 1 voltio por metro, aplicado a travs del material.
En general, mientras ms alta sea la movilidad electrnica, el transistor puede funcionar
ms rpido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparacin con
el silicio y arseniuro de galio:
1. Su temperatura mxima es limitada.
2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricacin de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es ms alta que la movilidad de los huecos
para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser
ms rpido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor ms alto
de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razn que se utiliza
en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente,
el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unin
entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una
unin de barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMTs
se utilizan en los receptores de satlite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz.
Los HEMTs basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones an mayor y se estn desarrollando para
diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Mximo valor de temperatura de la unin han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o
el transistor puede daarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metalsemiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comnmente como diodos
Schottky. Esto est incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de
silicio tienen un diodo Schottky inverso "parsito" formado entre la fuente y el drenaje
como parte del proceso de fabricacin. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces
se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador[editar]

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin
igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para
el amplificador transistorizado: emisor comn, base comn y colector comn.

Emisor comn[editar]

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
al punto de tierra (masa) tanto de la seal de entrada como de salida. En esta
configuracin, existe ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener
resistencia de emisor, (RE) debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se
aproxima bastante bien la impedancia de salida, por RC y la ganancia en tensin por la
expresin:
Como la base est conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensin constante, denominada y que el valor de es
constante. Del grfico adjunto, se deduce que la tensin de emisor es:
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base:
Despejando la corriente de colector:
La tensin de salida, que es la de colector se calcula as:
Como >> 1, se puede aproximar:
y, entonces es posible calcular la tensin de colector como:

La parte entre parntesis es constante (no depende de la seal de entrada), y la restante

expresa la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada
180 respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:
La corriente de entrada, , si puede expresarse como sigue:
Suponiendo que , podemos escribir:
Al dividir la tensin y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda
como:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor
ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn[editar]

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, da como
resultado que la ganancia aproximada es:
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn[editar]

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga.
Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la
fuente de seal.

El transistor bipolar frente a la vlvula

termoinica[editar]
Antes de la aparicin del transistor, eran usadas las vlvulas termoinicas. Las vlvulas
tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la
corriente que los atraviesa depende de la tensin en el terminal llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.

Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco
tiles para el uso con bateras.

El peso: El chasis necesario para alojar las vlvulas y los transformadores

requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde
algunos kilos a decenas de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.

Retardo en el arranque: Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a

funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conduccin.

El efecto microfnico: Muy frecuente en las vlvulas a diferencia de los

transistores, que son intrnsecamente insensibles a l.

Tamao: Los transistores son ms pequeos que las vlvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos

de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha de

considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las
vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho ms
pequeo.

Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeas corrientes.

Costo: Los transistores costaban menos que las vlvulas, desde su lanzamiento
inicial y se cont con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuara bajando (como de hecho ocurri) con suficiente investigacin y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora

digital, llamada ENIAC, la cual pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequea ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
vlvulas, de las cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una
organizacin importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada
de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 1960, algunos fabricantes siguieron
utilizando vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos elctricos musicales
como Fender, siguieron utilizando vlvulas en sus amplificadores de audio para guitarras
elctricas. Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta

potencia de la vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisin de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta
varios aos despus.[cita requerida]

Generacin de seales armnicas: Las seales armnicas introducidas por la falta

de linealidad de las vlvulas resultan agradables al odo humano, como demuestra
la psicoacstica, por lo que son preferidos por los audifilos.

Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos

electromagnticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricacin sovitica.[cita requerida]

Manejo de altas potencias: Las vlvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
travs de los aos se desarrollaron etapas de potencia con mltiples transistores en
paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Vanse tambin: Vlvula termoinica y Transistor bipolar.

Vase tambin[editar]

Historia del transistor

Quiteron

Semiconductor

Transistor de aleacin

Transistor de pelcula delgada

Transistor de unin bipolar

Transistor IGBT

Transistor uniunin

Vlvula termoinica

Datasheet

Referencias[editar]
1.

Volver arriba Patent 272437 Summary (en ingls). Canadian Intellectual

Property Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

2.

Volver arriba Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric
currents (en ingls). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

3.

Volver arriba Patent US 1877140: Amplifier for electric currents (en ingls).
United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

4.

Volver arriba Patent US 1900018: Device for controlling electric current (en
ingls). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

5.

Volver arriba Vardalas, John (mayo de 2003). Twists and Turns in the
Development of the Transistor. Today's Engineer. Consultado el 19 de febrero de 2016.

6.

Volver arriba Patent GB439457: Improvements in or relating to electrical

amplifiers and other control arrangements and devices. (en ingls). European Patent
Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

7.

Saltar a:a b 1926 - Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented (en
ingls). Computer History Museum. 28 de diciembre de 2015. Consultado el 19 de febrero
de 2016.

8.

Volver arriba Vardalas, John. Twists and Turns in the Development of the
Transistor. Today's Engineer Online (en ingls). Consultado el 7 de marzo de 2016.

9.

Volver arriba November 17 - December 23, 1947: Invention of the First

Transistor (en ingls). American Physical Society. Consultado el 7 de marzo de 2016.

10.

Volver arriba Braun, Ernest; MacDonald, Stuart (1982). Revolution in miniature:

the history and impact of semiconductor electronics (en ingls) (2nd ed. edicin).
Cambridge [etc.]: Cambridge University Press. p. 45. ISBN 0521247012. Consultado el 7 de
marzo de 2016.

11.

Volver arriba Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing

semiconductive materials (en ingls). United States Patent Office. Consultado el 13 de
marzo de 2016.

12.

Volver arriba Patent US2569347: Circuit element utilizing semiconductive

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Transistores Vs. Vlvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad, Oscar
Bonello, fundador de la compaa Solidyne y miembro de Audio Engineering Society
(AES), propone una interpretacin posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u
otra tecnologa.

Como funcionan realmente los transistores Versin original en Ingls

Smbolos de transistores