HF PDF

Electronique
haute
frquence
Herv BOEGLEN
I.U.T. de. Colmar
Dpartement G.T.R. 2004
Electronique
1. Introduction :
Quest-ce que la HF ?
Lappellation des frquences t dfinie en 1953 par un organisme international de
normalisation appel le CCIR (Comit Consultatif International des Radiocommunications) de
la faon suivante :
TBF : trs basses frquences jusqu' 30 kHz,

BF : basses frquences jusqu' 300 kHz,
MF : moyennes frquences jusqu' 3 MHz,
HF : hautes frquences jusqu' 30 MHz,
VHF : trs hautes frquences jusqu' 300 MHz,
UHF : ultra hautes frquences jusqu' 3 GHz,
SHF : supra hautes frquence ou hyperfrquences jusqu' 30 GHz,
EHF : extra hautes frquence jusqu' 3000 GHz
Position du problme : peut-on toujours appeler un chat un chat ?

Les composants passifs :
Nous avons vu en premire anne quune rsistance de 1 k prsentait une impdance de 1
k, que limpdance dune inductance augmentait linairement avec la frquence et que
limpdance dun condensateur tait inversement proportionnelle la frquence. En HF, ce
nest plus aussi simple : suivant la frquence un condensateur pourra trs bien se comporter
comme une inductance !
Voici par exemple le circuit quivalent HF dune rsistance :
Figure 1
C
Sil ny avait que les composants pour se comporter ainsi ! Les fils ou les pistes
interconnectant les composants ont un comportement inductif. Leur inductance peut tre
dtermine laide de la formule suivante :
Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003
Electronique
4l
L = 0,002 l 2 ,3 log 0,75

d
avec
L = inductance en H
l = longueur du fil en cm
d = diamtre du fil en cm
Application :
Une rsistance de 10 k couche mtallique est reprsente par son schma quivalent figure
1. Les pattes ont une longueur de 1,27 cm et ont un diamtre de 0,1628 cm. La capacit
parasite C est gale 0,3 pF. Calculer limpdance de lensemble 200 MHz.
Effet de peau :
En basse frquence, un conducteur utilise toute sa section pour permettre le transfert des
lectrons. Lorsque la frquence augmente, le champ magntique au centre du conducteur
augmente, poussant ainsi les porteurs vers la priphrie. Le rsultat est une augmentation
de la rsistance du conducteur. Ainsi pour le cuivre la profondeur de peau est de 8,5 mm
60 Hz et nest plus que de 0,07 mm 1 MHz !
2. Adaptation des impdances :

En HF, les impdances dentre et de sortie des quadriples amplificateurs ne sont plus relles
mais complexes. Sil ny a pas adaptation entre la source et la charge, il y a bien sr perte de
puissance, mais souvent lorsque les puissances sont importantes destruction du quadriple
amplificateur.
2.1 Rappel ( ?) de 1re anne :

Adaptation en puissance :
Considrons le dispositif de la figure 2 constitu par un gnrateur sinusodal dimpdance
interne Z G et une impdance de charge ZU :
ZG
I
ZU
Figure 2
Electronique
Posons :
ZU = RU + jX U
Z G = RG + jX G
et cherchons les conditions pour lesquelles le gnrateur fournit le maximum de puissance la

charge ZU :
A partir des quations :
U=
E ZU
ZU + Z G
, I=
E
ZU + Z G
La puissance complexe fournie la charge scrit :
S =UI =
*
(Z
ZU E E *
U
)(
+ Z G ZU + Z G
soit :
S=
(RU
ZU 2E 2
+ RG ) + ( X U + X G )
2
La puissance active fournie la charge scrit :
P = E2
(RU
RU
+ RG ) + ( X U + X G )
2
Cherchons, ds lors, les conditions pour lesquelles cette puissance est maximale, sachant que
RU et RG sont positif et que XU et XG
sont ngatifs si limpdance correspondante est capacitive,
sont positifs si limpdance correspondante est inductive.
Il apparat ainsi que la premire condition raliser est XU = -XG

soit :
P = E2
(RU
RU
+ RG )
Afin de dterminer le maximum de P, cherchons la valeur de RU qui annule dP/dRU :
RG RU
dP
= E2
= 0 pour RG = RU
dRU
(RG + RU )3
Ce qui donne pour la puissance maximale :
Electronique
Pmax =
E2
4 RG
Au total, la puissance fournie la charge est maximale et vaut E2/4RG lorsque :
RG = RU
X G = XU
soit :
Z U = Z G*
La figure suivante illustre le principe que nous allons dtailler dans la paragraphe suivant et
qui permet ladaptation dun quadriple amplificateur lentre et la sortie :
Figure 3
ZG
Circuit
Circuit
Quadriple
d'adaptation
d'adaptation
amplificateur
ZU
d'entre
de sortie
Exemple :
Soit adapter une source de 100 une charge de 1k :
RS
V1
VSIN
L1
100
j300
C1
-j333
RL
1k
Electronique
2.2 Les circuits de couplage :
2.2.1 Mthode gnrale de calcul des rseaux dadaptation :

Quelle que soit la configuration initiale des impdances adapter et du circuit de couplage, le
principe de calcul sera toujours le mme :
ou bien, on transforme le rseau en un circuit qui ne comprend plus que des

lments rsistifs et ractifs en srie, ou bien,
on transforme le rseau en un circuit qui ne comprend plus que des lments
ractifs et rsistifs en parallle.
Pour la configuration en srie (figure 4a) la condition dadaptation scrit :
R1s = R2S
et
jXS = j(X1S + X2S + ....) = 0
(les ractances XS, X1S, X2S, etc., tant prises avec leur signe propre : positif pour une
inductance (jL), ngatif pour une ractance capacitive (-j/C)).
Pour la configuration en parallle (figure 4b) la condition dadaptation devient :
R1P = R2p
et
jX
1
=
+
+... = 0
jX 1p jX 2 p
JX2S
JX1S
R2S
Figure 4
R1P
JX1P
JX2P
R2P
R1S
(A)
(B)
Electronique
2.2.2 Les rseaux en L :
VE
RS
VE
C
RL > RS
(A) Passe-bas
VE
RS
VE
L
RL > RS
RL
RL < RS
(B) Passe-bas
Figure 5
RS
RL
RS
RL
L
(C) Passe-haut
RL
RL < RS
(D) Passe-haut
2.2.2.1 Dtermination des formules de calcul :
RS
XS
V1
XP
RP
on transforme la partie srie (RS et XS) en son quivalent parallle :
RP =
XP =
Le circuit devient :
V1
X'P
R'P
XP
RP
Electronique
Ladaptation a lieu pour :
RP = R ' P
XP = X ' P
Soit :
Comme :
QS = XS/RS et QP = RP/XP
On en dduit que :
Exemple :
Calculer un circuit en L qui devra adapter une source de 100 une charge de 1k
100MHz. Le circuit devra permettre le passage de la composante continue de la source vers la
charge.
Electronique
2.2.2.2 Cas des sources et charges complexes (cas le plus courant) :
Deux approches sont possibles :
labsorption : les ractances de la charge et de la source sont absorbes par le circuit

dadaptation.
Exemple :
Soit adapter la charge et la source du circuit suivant :
RS
LS
100
j126
V1
Rseau
CL
d'adaptation
2pF
RL
1k
la rsonance : toutes les ractances de la source et de la charge sont limines par

rsonance (ractances de signe oppos).
Exemple :
Soit adapter la charge et la source du circuit suivant :
RS
V1
50
Rseau
d'adaptation
CL
RL
40pF 600
Electronique
2.2.3 Rseaux trois lments :

Avantage : on peut agir sur le facteur Q (et donc la bande passante) indpendamment de Rs et
Rl.
Voici les rseaux les plus utiliss ainsi que les formules permettant de les utiliser :
RS
RS
RL
V1
C1
C2
RL
V1
Figure 6
(A)
(B)
C2
RS
C1
RL
RL > RS
V1
(C)
10
Electronique
Rseau (A) :
Rseau (B) :
XC1 = RS/Q On slectionne dabord Q
XL1 = RSQ On slectionne dabord Q
XC2 = RL
RSRL
XL2 = RLB
RS
(Q + 1)
RL
2
XL =
XC =
QRS + ( RSRL / XC 2)
Q2 +1
A = RS(1+Q2)
A
Q+B
B=
A
1
RL
Rseau (C) :
XL1 = RSQ On slectionne dabord Q
XC2 = RLA
XC1 =
B
Q A
A=
RS (1 + Q 2 )
1
RL
B = RS(1+Q2)
Exemple :
On dsire adapter limpdance dentre du transistor bipolaire de puissance de rfrence
2N5642 celle dun gnrateur 50. Ladaptation doit tre ralise la frquence de
175MHz. On utilisera le rseau (C), en fixant Q = 10.
V1 RS
50
Rseau
CL
d'adaptation
RL
2,6
200p
11
Electronique
Remarque :
Les rseaux dadaptation que nous venons de prsenter sont les plus courants mais il en existe
dautres trois lments ou plus.
2.2.4 Utilisation de l'abaque de Smith :
2.2.4.1 Manipulation des impdances :
12
Electronique
Exemple :
Soit une impdance : Z = 0.5 + j0,7
on rajoute une ractance capacitive de j1,0
Soit une impdance : Z = 0.8 j1,0
on rajoute une ractance inductive de j1,8
2.2.4.2 Manipulation des admittances :
13
Electronique
Exemple :
Soit une admittance : Y = 0,2 j0,5
on rajoute une susceptance capacitive de +j0,8

Soit une admittance : Y = 0,7 +j0,5
on rajoute une susceptance inductive de j1,5
Exemple :
A laide labaque de SMITH, donner la valeur de limpdance Z du circuit suivant :
jX = 0,9
jX = 1
-jX = 1,4
Z
+jB = 1,1
-jB = 0,3
R=1
Exemple :
A laide de labaque de SMITH, concevoir un circuit de couplage deux lments pour
adapter une source de 25 j15 une charge de 100 -j25 60MHz. Le circuit devra
galement se comporter comme un filtre passe-bas.
2.3 Les quadriples amplificateurs en HF :

2.3.1 Le transistor bipolaire en basses frquences Rappels de 1re anne :
Revoyons sous la forme de questions-rponses les lments essentiels connatre sur le
transistor bipolaire :
* Constitution ?
Le transistor bipolaire est un assemblage de semiconducteurs de type N et P :
Son symbole lectrique est le suivant :
14
Electronique
IC
IB
T
IE
Ce symbole montre que le transistor est un nud de courant :

IE = IC + IB
* Utilit ?
Le transistor est un amplificateur. En fonctionnement linaire , on a :
IC =IB
Dans la pratique, 100 < < 300.
* Comment le faire fonctionner ?

Pour pouvoir amplifier, tout amplificateur a besoin dune source dnergie continue. Dans le
cas du transistor, il faut une alimentation continue en entre et en sortie :
RC
ICo
RB
IBo
T
VCEo
E2
E1
VBEo
15
Electronique
Chaque diple dalimentation (E1,RB) et (E2, RC) peut tre dcrit par sa caractristique
courant-tension. Il suffit de connatre la caractristique courant-tension en entre et en sortie
du transistor pour dterminer un point de fonctionnement :
IC
Droite de charge
statique
ICo
IBo
IB
VCEo
VCE
VBEo
Droite dattaque
statique
VBE
Les caractristiques courant-tension des diples dalimentation sont appeles droite dattaque
statique (entre) et droite de charge statique (sortie).
En plus dapporter de lnergie au systme amplificateur, les diples dalimentation polarisent
le transistor. En effet, ils permettent de positionner le point de fonctionnement de telle faon
ce que le transistor ne soit jamais bloqu (fonctionnement linaire).
* Quest-ce que le fonctionnement petits signaux ?
Le transistor est un dispositif amplificateur non linaire en forts signaux. Si on se limite de
petites variations autour du point de fonctionnement, on obtient une amplification quasi
linaire. Ce type de fonctionnement, appel petits signaux. Il permet dtablir un schma
lectrique quivalent du transistor :
ib
Figure 7
ic
h11e
ic
T
1/h22e
vbe
vce
vce
h21e.ib
ib
h12e.vce
vbe
On a les relations suivantes :
vbe = h11e ib + h12e vce
ic = h21e ib + h22 e vce
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Electronique
IC
h21e
h22e
ICo
IBo
IB
VCEo
VCE
VBEo
h12e
h11e
VBE
Rappelons la signification physique des paramtres hybrides :
h11e = vbe/ib pour vce = 0, impdance dentre,
h12e = vbe/vce pour ib = 0, raction sortie-entre,
h21e = ic/ib pour vce = 0, gain dynamique en courant,
h22e = ic/vce pour ib = 0, admittance de sortie.
* Existe-t-il plusieurs types de montages amplificateurs transistor ?

Il existe trois types de montages amplificateurs transistor :
entre
sortie
rfrence
B
C
E
B
E
C
E
C
B
Base commune
Collecteur commun
Emetteur commun
Commun signifie que llectrode est commune la maille dentre et la maille de sortie.
On remarque qualors le transistor peut tre considr comme un quadriple.
Caractristiques de chacun des montages :
E.C.
C.C.
B.C.
Avo
-50
-500
1
50
500
Ai
10
103
10
103
1
Ap
500
5.104
10
103
50
500
Re
103
104
104
106
1
100
Rs
103
105
1
100
104
107
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Electronique
Avec Avo = gain en tension vide, Ai = gain en courant, Ap = gain en puissance, Re =
rsistance dentre et Rs = rsistance de sortie.
* Lamplification comment a marche ?
Ic
Ib
Vce
Vbe
* A quoi servent les capacits de liaison ?
* Synthse : conception dun tage EC :

On utilise un transistor 2N2222 dont le gain en courant est compris entre 100 < h21e < 300. Le
montage est aliment par une source de tension E = 9V. On prendra IC0 = 1mA, VCE0 = E/2,
RC = 5RE, lentre sera polarise par un pont de base avec Ip = 10IB0. Lamplificateur devra
avoir un fonctionnement linaire entre 20Hz < f < 20kHz.
18
Electronique
Calculer lensemble des lments ncessaires au fonctionnement du montage. Calculer AV0,
Re et Rs.
19
Electronique
2.3.2 Le transistor bipolaire en HF :
Le modle petits signaux BF nest plus satisfaisant en HF. On utilise alors le schma
quivalent de Giacoletto :
B'
B
C
RBB'
CB'C
Figure 8
RB'E
gm.vB'E
CB'E
RCE
2.3.2.1 Signification physique des lments du modle de Giacoletto :

CBE : cest une capacit de diffusion analogue la capacit de diffusion dune diode
polarise en direct. Elle est proportionnelle au courant qui traverse la jonction base
metteur.
CBC : cest une capacit de transition analogue la capacit de transition dune
diode polarise en inverse. Elle est proportionnelle la tension VBC et laire S de la
jonction. Sa valeur est de lordre de quelques picofarad pour les transistors de faible
puissance jusqu' quelques centaines de picofarad pour les transistors de puissance.
RBB : cest la rsistance de llment semi-conducteur entre llectrode B et le point
interne B se trouvant la limite de la jonction de lmetteur.
RBE = h11e
RCE = 1/h22e
gm = h21e/h11e
On constate qu cause des capacits, les courants et tensions du transistor deviennent
complexes. Le coefficient damplification en courant h21e dpend alors de la frquence.
2.3.2.2 Dtermination de la frquence de coupure du gain en courant en courtcircuit :

Pour la calculer, on court-circuite la sortie : ce qui signifie que lon connecte une charge nulle
entre le collecteur et lmetteur. Le schma de la figure 8 devient alors le suivant :
B'
B
ib
Figure 9
RBB'
VBE
CB'C
RB'E
CB'E
gm.vB'E
ic
20
Electronique
On a :
iB =
iC =
Do :
Comme gm = h21e/h11e, on obtient :
GC =
avec :
z =
=
Mais z >> , parce que h21e >> 1 et que CBE >> CBC. On peut alors crire :
Traons maintenant le module de GC en fonction de la frquence :

|GC|
Figure 10
h21e
1
f
f = frquence limite de h21e.

fT = frquence de transition du transistor (|GC| =1) h21ef
21
Electronique
Cette frquence est trs facile mesurer et ce nest pas un hasard si on la retrouve dans tous
les datasheets de transistors.
Remarque :
Le schma quivalent de Giacoletto ne dcrit correctement le fonctionnement du transistor
que pour des frquences infrieures 0,5fT.
2.3.2.3 Etude dun montage metteur commun en HF :

Cherchons dterminer le gain en tension AV = v0/eG pour le montage suivant :
RB
Figure 11
RC
CS
Q1
RG
VCC
CE
RU
vo
EG
Schma quivalent en HF :
Figure 12
B'
RG
RBB'
EG
RB
CB'C
RB'E
gm.vB'E RB'E
RCE
CB'E
vB'E
RC
RU
vo
Le schma peut se simplifier de la manire suivante :
Figure 13
B'
R'G
VG
CB'C
RB'E
vB'E
CB'E
gm.vB'E
RL
vo
22
Electronique
avec :
RG = RG//RB +RBB
VG = EG.
RB
RG + RB
RL = RCE//RC//RU
Le problme consiste maintenant trouver le moyen de rompre la liaison directe entre la sortie
et lentre. Pour cela on applique :
2.3.2.4 Le thorme de Miller :

Soit un quadriple actif Q dont on connat le rapport A = Vs/Ve. Une impdance Z est
branche en parallle sur ce quadriple selon la figure 14 :
Z
IE
I
I1
VE
IS
I2
VS
Figure 14
Montrons que ce quadriple est quivalent au quadriple suivant :

IE
I1
I2
I
I
VE
Z1
IS
Z2
VS
Figure 15
On a :
IE = I1 + I
IS = I2 - I
et :
VE VS = ZI
23
Electronique
Exprimons I en fonction de A, VE et Z :
Do :
IE = I1 +
avec :
Z1 = Z/(1-A)
Exprimons I en fonction de A, VS et Z :
Do :
IS = I2 +
avec :
Z2 = ZA/(A-1)
On applique maintenant le thorme de Miller au schma de la figure 13 :
Le schma de la figure 13 devient :

B'
Figure 16
R'G
VG
RB'E
vB'E
Ce
gm.vB'E
RL
Cs
vo
On a :
Ce = CBE + CBC(1-A0)
Cs = CBC(A0 - 1)/A0 CBC
24
Electronique
Dterminons alors le gain en tension de ltage AV =
V0
EG
2.3.3 Le transistor FET :

2.3.3.1 Schma quivalent HF :
G
D
CGD
vgs
CGS
gm.vgs
RDS
Figure 17
S
Les mthodes de calcul utilises pour le transistor bipolaire restent valables pour le FET.
25
Electronique
2.4 Pratique des amplificateurs HF :
Nous venons de constater que le schma quivalent HF du transistor tait difficilement
utilisable pour un amplificateur un tage. Les calculs deviennent fastidieux lorsque lon
utilise plusieurs transistors. Il est bien vident que les concepteurs de circuits HF utilisent des
mthodes plus rapides et plus efficaces. Nous prsentons donc ci-aprs les aspects principaux
prendre en compte lors de la conception dun amplificateur HF. Nous distinguerons deux
cas :
lamplification petits signaux,
lamplification grands signaux ou de puissance.
2.4.1 Amplificateurs HF petits signaux :

Les constructeurs de transistors HF utilisent soit les paramtres y (matrice admittance) soit les
paramtres s (scattering parameters) pour dcrire le comportement HF du composant, comme
en tmoigne le datasheet du transistor 2N5179 ci-aprs.
Prcisons que du fait de la difficult dobtenir des mesures fiables au dessus de 150 MHz en
ce qui concerne les paramtres y, on trouve plus frquemment les paramtres s dans les
datasheet.
2.4.1.1 Description par les paramtres admittance :

I1 = y11eV1 + y12eV2
I2 = y21eV1 + y22eV2
Un transistor en HF peut encore tre assimil un quadriple. Cependant comme on la vu
prcdemment, des capacits parasites apparaissent en parallle avec les lments purement
rsistifs du schma en paramtres hybrides. Il est alors plus commode dintroduire les
paramtres admittance bien adapts aux circuits en parallle.
La correspondance avec le modle de Giacoletto est la suivante :
y11e =
y B 'E
1 + R BB ' y B 'E
y12e =
jC B 'C
1 + R BB ' y B 'E
y 21e =
gm
1 + R BB ' y B 'E
R BB ' gm
y 22 e = jC B 'C 1 +
1 + R BB ' y B 'E
26
Electronique
27
Electronique
28
Electronique
29
Electronique
30
Electronique
31
Electronique
Au del de 150 MHz, il devient impossible de mesurer certain de ces paramtres. En effet, on
ne parvient plus raliser V1 ou V2 = 0 car les court-circuits prsentent des composantes
inductives et capacitives. Pour cela on prfre utiliser les paramtres s.
2.4.1.2 Description par les paramtres de distribution :

b1 = s11ea1 + s12ea2
b2 = s21ea1 + s22ea2
Figure 18
Les paramtres s sont dfinis partir des conditions dinterfrence des ondes dans un
quadriple. Les coefficients a1 et a2 reprsentent les ondes incidentes alors que b1 et b2
reprsentent les ondes rflchies.
Les dfinitions des paramtres s sont les suivantes :
s11 =
s 22 =
s 21 =
s12 =
b1
a1
b2
a2
b2
a1
b1
a2
a2 =0
a1 = 0
a2 = 0
Coefficient de rflexion en entre

pour la sortie adapte (ZL = Z0)
Coefficient de rflexion en sortie

pour lentre adapte (ZS = Z0)
Coefficient de transmission directe

pour la sortie adapte (ZL = Z0)
Coefficient de transmission inverse

pour lentre adapte (ZS = Z0)
a1 = 0
La mesure de ces paramtres est plus aise que celle des paramtres y. Toutefois, il faut
disposer dun analyseur de rseau qui est un instrument de mesure coteux.
La reprsentation des coefficients de rflexion est trs aise sur labaque de Smith. Cest
pourquoi lutilisation des paramtres s ne saurait se concevoir sans cet outil graphique.
32
Electronique
2.4.1.3 Correspondance entre les paramtres s et y :
2.4.1.4 Mthode de conception dun amplificateur HF petits signaux :

Paramtres y :
- stabilit :
Nous venons de voir que la fonction de transfert dun metteur commun HF tait du
2me ordre. Ceci signifie pratiquement que le montage amplificateur peut se mettre
33
Electronique
osciller. En fait le paramtre qui explique ce phnomne est le paramtre y12 d
physiquement la capacit CBC qui rinjecte une fraction de la tension de sortie
lentre du transistor crant ainsi une raction. En conception, il est donc
ncessaire de sassurer de la stabilit du montage. Pour cela on calcule le facteur de
stabilit de Linvill donn par :
C=
y12 y21
2 g11 g22 e( y12 y21 )
Si C < 1 le transistor est dit inconditionnellement stable. Si C > 1, on devra utiliser

des mthodes qui, soit annulent linfluence de y12 (neutrodynage, de moins en moins
utilis), soit diminuent le gain du dispositif (dsadaptation entre et/ou sortie).
-
Gain maximum disponible (Maximum Available Gain ou MAG) :

Le MAG du transistor est donn par la formule suivante :
MAG =
y21
4 g11 g 22
Ce gain est le maximum que lon peut obtenir du transistor en supposant que y12 = 0
et que les impdances dentre et de sortie sont parfaitement adaptes respectivement
la source et la charge dutilisation. Ceci nest jamais parfaitement le cas en
pratique et le gain rel devra tre lgrement minor.
-
Adaptation :
Pour obtenir un gain optimum il est ncessaire que y11 et y22 soient les complexes
conjugus respectivement de YS et YL. Les quations suivantes donnent les valeurs
des admittances de source et de charge ralisant ladaptation en fonction des
paramtres y du transistor :
GS =
[2 g
11
2 g22
BS = jb11 +
GL =
. g22 e( y21 . y12 ) y21 . y12
[2 g
GS = conductance de source,
m( y21 . y12 )
2 g 22
BS = susceptance de source,
11
BL = jb22 +
Avec :
. g22 e( y21. y12 ) y21. y12

2 g11
G .g
= S 22
g11
GL = conductance de charge,
BL = susceptance de charge.
m( y21. y12 )
2 g11
34
Electronique
Voyons sur un exemple comment utiliser ces quations :
Exemple :
Un transistor possde les paramtres y suivants 100 MHz :
y11 = 8 + j5,7
y22 = 0,4 + j1,5
y21 = 52 - j20
y12 = 0,01 - j0,1
Concevoir un amplificateur fournissant un gain maximum entre une source de 50 et une

charge de 50. On utilisera labaque de Smith.
Paramtres s :
- stabilit :
avec D = s11s22 s12s21.

-
Gain maximum disponible (Maximum Available Gain ou MAG) :

Le MAG du transistor est donn par la formule suivante :
35
Electronique
-
Adaptation :
avec :
Exemple :
Un transistor possde les paramtres s suivants 200 MHz avec VCE = 10V et IC = 10mA :
s11 = 0,4162
s22 = 0,35 39
s21 = 0,0460
s12 = 5,263
Concevoir un amplificateur fournissant un gain maximum entre une source de 50 et une

charge de 50. On utilisera labaque de Smith.
36
Electronique
2.4.2 Amplification de puissance :
2.4.2.1 Position du problme : les paramtres petits signaux ne dcrivent pas
correctement le fonctionnement des transistors de puissance HF :
Exemple : Transistor HF 2N3948 :
Rsistance dentre
Capacitance ou
inductance dentre
Rsistance de sortie
Capacitance de
sortie
Gp
CLASSE A
Amplificateur petits
signaux
VCE = 15V ; IC = 80mA ;
f = 300 MHz
CLASSE C
Amplificateur de
puissance
VCE = 13,6V ;
Po = 1W ; f = 300 MHz
9
0,012H
38
21pF
199
4,6pF
92
5,0pF
12,4dB
8,2dB
Le tableau montre que limpdance dentre en petits signaux est inductive alors quen forts
signaux elle devient capacitive.
Conclusion :
Les transistors de puissance HF sont caractriss non plus par leurs paramtres y mais par leur
impdance dentre forts signaux (large-signal input impedance) et leur impdance de sortie
forts signaux (large-signal output impedance).
Exemple : Transistor de puissance HF MRF 321 MOTOROLA :
37
Electronique
Mais au fait, quest-ce que la classe C ? Cest une classe de fonctionnement du transistor qui
permet un meilleur rendement en puissance que les classes A et B tudies en 1re anne et qui
est trs utilise dans les amplificateurs HF. Voyons maintenant ses principales
caractristiques :
2.4.2.2 La classe C : tude thorique :

2.4.2.2.1 Fonctionnement :
Le transistor ne conduit que pour la partie suprieure de lalternance positive (figure 19). Le
point de repos du transistor est IB0 = 0 et VBE0 < 0,6V. La figure 20 situe la droite de charge
dans le rseau IC(VCE) et la figure 21 reprsente lvolution temporelle ( = t) de vBE et de
vCE. On dfini langle douverture du dispositif comme tant langle (modulo ) pendant
lequel le transistor est conducteur. Pour la classe C :
0 < 2o <
IB
Point de
repos
iB
t
VBE
Figure 19
VE
IC
Figure 20
Point de
repos
iC
VCE
VS
38
VCE = VS
+V
Electronique
2o <
Figure 21
Inconvnient de la classe C :
Le signal de sortie est une arche de sinusode dcomposable en srie de Fourier. Si lon
souhaite rcuprer le fondamental en sortie, il faut utiliser un filtre slectif accord sur celuici. Le taux de distorsion du montage est videmment moins bon quen classe A ou B.
Avantage de la classe C :
Le rendement est trs bon puisquil varie entre 0,78 et 1 lorsque langle douverture 2 est
compris entre et 0.
Remarque :
Le filtre slectif peut aussi tre accord sur des harmoniques du signal dentre, on ralise
alors un multiplicateur de frquence.
2.4.2.2.2 Montage de base :
VCC
RC
Q1
CC
Figure 22
LC
ve
VP
Le montage est un metteur commun polaris par une tension VP < 0,6V. On applique une
tension :
ve = Ve.cos = Ve.cost
La tension base-metteur vaut alors :
vBE = ve + VP = Ve.cos + VP
La conduction du transistor seffectue pour un angle tel que :
0,6 = Ve.cos + VP
soit :
cos = (0,6 -VP)/Ve
39
Electronique
La forme des tensions et courants est reprsente sur les figures suivantes :
IB
iB
VP
Figure 23
VBE
+
-
ve
+
ve = cos
VE+VP = vBE
iB
Figure 24
La tension vBE est dfinie par :
vBE = 0,6 + h11.iB = Ve.cos + VP
On en dduit lexpression de iB pour - + :
iB =
vBE 0,6 (Ve.cos + VP ) 0,6 (Ve.cos + VP ) ((Ve.cos0 + VP )

=
=
h11
h11
h11
soit :
iB =
Ve
(cos coso )
h11
Le courant collecteur iC est de mme forme que iB :
40
Electronique
iC =
h21 .Ve
(cos coso )
h11
La valeur maximale est obtenue pour = 0 :
iC max =
h21.Ve
(1 coso ) = I M
h11
Lexpression de iC peut alors scrire :
iC = I M
cos coso
1 coso
pour - +
= arccos
0,6 VP
Ve
2.4.2.2.3 Analyse spectrale du courant collecteur :
La fonction iC () est paire, la dcomposition en srie de Fourier ne comprendra donc pas de

termes en sinus :
iC = IC0 +
I .cos n
n =1
La valeur moyenne IC0 scrit :
IC0 =
1 + 0
cos0 0 .cos0
IM
d
2 0
1 cos0
IC0 =
I M sin 0 0 .cos0
= I M F0 (0 )
1 cos0
et lamplitude des harmoniques In scrit :
In =
+ 0
IM
cos0 0 .cos0
cos n . d
1 cos0
sin( n 1)0 sin( n + 1)0
n1
n+1
In =
= I M Fn (0 )
1 cos0
IM
Remarque :
Lexpression ci-dessus reste valable pour n = 1. La valeur du fondamental est obtenue en
recherchant la limite de In lorsque n tend vers 1 et en saidant du DL de sin x. On obtient :
41
Electronique
I1 =
I M 0 sin 0 .cos0
= I M F1 (0 )
1 cos0
Le graphe ci-dessous reprsente la valeur des diffrentes composantes spectrales en fonction

de 0 :
F1
F0
F2
Fn(0)
Figure 25
F3
F4
0
2.4.2.2.4 Amplificateur slectif :
Il est ralis laide dun circuit bouchon :

VCC
Figure 26
Q1
CC
LC
VE
VP
Le circuit LC peut tre accord soit sur le fondamental soit sur lune des harmoniques du
signal, on peut ainsi raliser une multiplication de frquence.
42
Electronique
2.4.2.2.5 Puissances et rendement :
Puissance de sortie maximale pour le fondamental :

PS = VSeff.I1eff =
VCC I1
V .I
= CC M F1 (0 )
2
2
2
Puissance fournie par lalimentation :

Pf = VCC.Imoy = VCC.IC0 = VCC.IM.F0(0)
Rendement maximum :
PS 1 F1 (0 ) 1 0 sin0 .cos0
=
=
2 F0 (0 ) 2 sin0 0 .cos0
Pf
Cette expression est maximale pour 0 0 :
max =
lim
=1
0 0
Un calcul identique pour les harmoniques de rang n donne :
max( rangn ) =
1 VCC . I n
I
= n
2 VCC . I C 0 2. IC 0
2.4.2.3 Calcul dun amplificateur de puissance HF classe C :

On dsire raliser un amplificateur HF 145 MHz dlivrant 35 W dans une charge de 50
depuis une source de 50 . Le transistor utilis est le MRF240 de MOTOROLA. Le gain en
puissance typique de ce transistor est de 11dB. On donne ci-dessous les impdances dentre
et de sortie du transistor :
Calculer les circuits dadaptation en entre et en sortie pour obtenir un rendement maximal.
On utilisera le circuit (B) de la page 9 en sachant que lon dsire une bande passante BP =
15MHz.
43
Electronique
Donner le schma complet du montage en ayant pris soin de rajouter les lments de
polarisation du transistor.
44
Electronique
2.5 Bibliographie :
Livres :
RF Circuit Design
Chris BOWICK
Amplificateurs de puissance Michel GIRARD
SAMS
La bible !
EDISCIENCE
Notes dapplication, articles :

HP : AN95-1 : S-Parameters Techniques
http://www.hp.com/
MOTOROLA : AN215A, AN267, AN282A, AN548A, AN721, AN791
http://motserv.indirect.com/
ELECTRONIQUE APPLICATIONS n7 et 8
Cours :
Haute Frquence
G. PRIEUR
Universit de Nancy
45

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TBF : trs basses frquences jusqu' 30 kHz,

Position du problme : peut-on toujours appeler un chat un chat ?

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

L = 0,002 l 2 ,3 log 0,75

2. Adaptation des impdances :

2.1 Rappel ( ?) de 1re anne :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

et cherchons les conditions pour lesquelles le gnrateur fournit le maximum de puissance la

La puissance complexe fournie la charge scrit :

La puissance active fournie la charge scrit :

sont ngatifs si limpdance correspondante est capacitive,

sont positifs si limpdance correspondante est inductive.

Il apparat ainsi que la premire condition raliser est XU = -XG

Afin de dterminer le maximum de P, cherchons la valeur de RU qui annule dP/dRU :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

Au total, la puissance fournie la charge est maximale et vaut E2/4RG lorsque :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.2.1 Mthode gnrale de calcul des rseaux dadaptation :

ou bien, on transforme le rseau en un circuit qui ne comprend plus que des

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.2.2.1 Dtermination des formules de calcul :

on transforme la partie srie (RS et XS) en son quivalent parallle :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

labsorption : les ractances de la charge et de la source sont absorbes par le circuit

la rsonance : toutes les ractances de la source et de la charge sont limines par

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.2.3 Rseaux trois lments :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

XC1 = RS/Q On slectionne dabord Q

XL1 = RSQ On slectionne dabord Q

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.2.4 Utilisation de l'abaque de Smith :

2.2.4.1 Manipulation des impdances :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.2.4.2 Manipulation des admittances :

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on rajoute une susceptance capacitive de +j0,8

on rajoute une susceptance inductive de j1,5

2.3 Les quadriples amplificateurs en HF :

Son symbole lectrique est le suivant :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

Ce symbole montre que le transistor est un nud de courant :

* Comment le faire fonctionner ?

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

On a les relations suivantes :

vbe = h11e ib + h12e vce

ic = h21e ib + h22 e vce

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

* Existe-t-il plusieurs types de montages amplificateurs transistor ?

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* Synthse : conception dun tage EC :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

2.3.2.1 Signification physique des lments du modle de Giacoletto :

2.3.2.2 Dtermination de la frquence de coupure du gain en courant en courtcircuit :

Herv BOEGLEN IUT de Colmar Dpt. GTR 2003

Comme gm = h21e/h11e, on obtient :

Traons maintenant le module de GC en fonction de la frquence :

 f = frquence limite de h21e.

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2.3.2.3 Etude dun montage metteur commun en HF :

f = frquence limite de h21e.

Cette expression est maximale pour 0 0 :