TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

AUTORES
BRAHIAN RUIZ VSQUEZ
BRAYAN MAURICIO BARRERA
ALEJANDRO CUEVAS
FABIO PALACIOS
GRUPO 3

ESCUELA TECNOLGICA INSTITUTO TCNICO CENTRAL

PROGRAMA DE TECNOLOGA EN ELECTROMECNICA
BOGOT D.C.
2015

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

AUTORES
BRAHIAN RUIZ VSQUEZ
BRAYAN MAURICIO BARRERA
ALEJANDRO CUEVAS
FABIO PALACIOS
GRUPO 3

TRABAJO ESCRITO ELECTRONICA DE POTENCIA

PROFESOR:
GERMAN ROJAS
ELECTRONICA DE POTENCIA

ESCUELA TECNOLGICA INSTITUTO TCNICO CENTRAL

PROGRAMA DE TECNOLOGA EN ELECTROMECNICA
BOGOT D.C.
2015

CONTENIDO
INTRODUCCIN................................................................................................ 4
1. OBJETIVOS................................................................................................... 5
1.1 OBJETIVO GENERAL.................................................................................5
1.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS........................................................................5
2. FUNDAMENTOS DEL IGBT.............................................................................. 6
2.1 DEFINICIN DE IGBT................................................................................6
2.2 ESTRUCTURA DEL IGBT............................................................................6
2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE..........................................................................7
2.4 PRINCIPIO DE OPERACIN.......................................................................8
2.5 CARACTERISTICAS DE CONDUCCIN.......................................................8
2.6 CARACTERISTICAS DE CONMUTACIN.....................................................9
2.7 DESCRIPCION DEL LATCH UP.................................................................10
2.8 AREA DE OPERACIN SEGURA DEL IGBT (SOA)......................................11
2.9 VENTAJAS Y DESVENTAJAS....................................................................13
3. APLICACIONES DEL IGBT.............................................................................14
4. EJEMPLOS.................................................................................................. 15
5. CONCLUSIONES.......................................................................................... 16
6. BIBLIOGRAFIA............................................................................................. 17

INTRODUCCIN
Para hacer uso de las ventajas de un MOSFET y un BJT, el IGBT ha sido
presentado como un dispositivo hibrido entre ellos, ya que combina los mejores
atributos de ambos elementos para as lograr un dispositivo con caractersticas de
alta velocidad de conmutacin. Este dispositivo tiene las caractersticas necesarias
para reemplazar el BJT completamente.

1. OBJETIVOS
1.1 OBJETIVO GENERAL

Identificar las caractersticas del IGBT para la seleccin del mejor

dispositivo electrnico en aplicaciones de circuitos de potencia.

1.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS

Distinguir la estructura y circuito del IGBT.

Describir el funcionamiento del IGBT.
Mencionar las ventajas y desventajas del IGBT.
Enunciar las aplicaciones del IGBT.

2. FUNDAMENTOS DEL IGBT

2.1 DEFINICIN DE IGBT
La sigla en ingls significa TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA, el
cual es un dispositivo electrnico semiconductor hibrido que combina las
caractersticas de un MOSFET y un BJT. Este transistor tiene una alta impedancia
a la entrada y gran capacidad de conduccin de corriente.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como la del MOSFET y pocas
perdidas por conduccin en estado activo como los BJT. Es un dispositivo
controlado por voltaje, tiene una resistencia de conduccin muy baja y una
elevada velocidad de conmutacin y tensin de ruptura.
2.2 ESTRUCTURA DEL IGBT
A excepcin de la capa P+, el IGBT es casi idntico al MOSFET. La capa N+ es el
emisor en la parte superior y la capa P+ es el colector en la parte inferior. El IGBT
tiene un transistor parasito que est comprendido de cuatro capas NPNP en su
estructura.
FIGURA 1. ESTRUCTURA DE SILICIO DEL IGBT

Algunos IGBTs son fabricados sin la capa N+ llamados non-punch (NPT) IGBTs,
mientras que los fabricados con dicha capa son llamados punch-through (PT)
IGBTs.
A pesar de las similitudes fsicas, la operacin de un IGBT es ms cercana a la del
BJT que a la del MOSFET. Esto debido a que la capa de drenaje P+ es la
responsable inyectar los portadores necesarios a la regin N- y la modulacin de
la conductividad resultante.
2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE
El transistor superior PNP est formado por una capa de inyeccin P+ como el
emisor, la capa de drenaje de tipo n como la base y la capa p como el colector.
Si la corriente de salida es lo suficientemente grande, la cada de tensin a travs
de la resistencia puede polarizar el transistor NPN e iniciar el proceso latch up en
la estructura del tiristor PNPN. Cuando el latch up del GATE del IGBT se pierda,
el dispositivo se destruye debido a la perdida de potencia.

FIGURA 2. SIMBOLO Y CIRCUITO EQUIVALENTE

2.4 PRINCIPIO DE OPERACIN

Debido a que la entrada del IGBT es un MOSFET, cuando el voltaje en el GATE

es inferior al voltaje lmite, la configuracin del MOSFET permanece apagada; del
mismo modo la salida del transistor PNP permanecer apagada.
Cuando la tensin en el GATE excede el lmite, se forma una capa de inversin
en la regin de p bajo el GATE. Esta capa de inversin pone en cortocircuito el
emisor y una corriente fluye desde el emisor a travs de este canal. A su vez esto
ocasiona una inyeccin de huecos desde el colector P+ a la regin de drenaje y
una parte de estos se combinan con los electrones.
Estos dispositivos en condiciones de voltaje de 200V y frecuencias hasta 100KHz
y voltajes hasta de 200V con frecuencias por encima de los 100KHz.
2.5 CARACTERISTICAS DE CONDUCCIN
A partir del circuito equivalente, la cada de voltaje a travs del IGBT es la suma de
dos componentes: una cada en el diodo a travs de la unin PN y la cada de
tensin en el MOSFET. La cada de tensin a travs del MOSFET es sensible a la
tensin de control en el GATE. Para las corrientes que estn cerca de su valor
nominal, un incremento del voltaje en el GATE causa una reduccin de voltaje del
colector al emisor y un aumento significativo en la capacidad de pico de corriente.
Esto se debe a que dentro de su rango de operacin, la ganancia del PNP
incrementa con la corriente, y un incremento en el voltaje en el GATE provoca un
aumento en la corriente del canal, por tanto, una reduccin en la cada de voltaje a
travs del PNP.
La influencia de voltaje en el GATE sobre la cada de voltaje y la capacidad del
pico de la corriente, depende en gran medida de las especificaciones de diseo
del dispositivo. Esto es crucial para algunas aplicaciones, especialmente donde
puede ser cortocircuitada y por ello los fabricantes especifican los valores de pico
de corriente y de voltaje.
Caractersticas del IGBT:

Tiene la capacidad de soportar cortocircuitos

Perdidas en estado de bloqueo son inferiores. La frecuencia ptima de
conmutacin es superior a la de los GTOs e IGCTs.
Provoca prdidas de tensin y corriente y limita la frecuencia de
funcionamiento.

2.6 CARACTERISTICAS DE CONMUTACIN

Las formas de onda de un IGBT son muy similares a las del MOSFET. Esto se
esperaba ya que la entrada del IGBT es un MOSFET. Adicionalmente, la mayor
proporcin de un IGBT del total del dispositivo hace que la corriente fluye a travs
del MOSFET, por tanto, la tensin de conmutacin y las ondas de la corriente
muestran una gran similitud con las de un MOSFET.

FIGURA 3. CIRCUITO DE CONMUTACIN DEL IGBT

La salida del transistor PNP causa un efecto significativo en las caractersticas de

conmutacin del dispositivo, particularmente en el apagado. Para evitar el latchup, el GATE emite un voltaje negativo cuando el dispositivo est apagado.
El circuito de excitacin del GATE de un IGBT debe garantizar una conmutacin
rpida y fiable, pero en particular debe:
1. Aplicar el mximo VgE durante el periodo de encendido.
2. Aplicar un voltaje negativo durante el periodo de apagado.
3. Reducir al mnimo la perdida de conmutacin.
4. Garantizar la proteccin en un cortocircuito.
5. Realizar un control dcl/dt durante el encendido y el apagado para evitar la
excesiva interferencia electromagntica.
6. Un control dVce/dt durante el switcheo para evitar el latch up.

En siguiente figura se muestran las curvas de corriente y de voltaje durante el

encendido y apagado del IGBT.

FIGURA 4. CURVAS DE CORRIENTE Y DE VOLTAJE

.
2.7 DESCRIPCION DEL LATCH UP
Los huecos son inducidos a la regin N- desde el colector P+. Gran parte de
estos desaparecen por la recombinacin de electrones que vienen del canal del
MOSFET. Los dems huecos son atrados por la carga negativa de los electrones
hacia la regin de la capa de inversin, pasando lateralmente por la capa P y
desarrollando una cada de tensin en la resistencia hmica del cuerpo.
Este voltaje tiende a polarizar la unin N+P y si es lo suficientemente grande,
ocurrir una inyeccin de electrones desde el emisor dentro del cuerpo de la
regin y el transistor NPN se prendera. Si esto ocurre, tanto los transistores NPN
como el PNP se encendern y por tanto el tiristor compuesto por estos transistores
se adherirn y se producir la condicin latch up.

FIGURA 5. FLUJO DE CORRIENTE EN ESTADO DE ENCENDIDO

Si la condicin de latch up no termina rpidamente, el IGBT se destruir por la

excesiva disipacin de potencia.

2.8 AREA DE OPERACIN SEGURA DEL IGBT (SOA)

El rea de operacin segura se define como la capacidad que tiene un transistor
de soportar niveles significativos de corriente y de voltaje al mismo tiempo. A
continuacin se enuncian las condiciones de operacin a las que se somete un
IGBT a condiciones de estrs:

Operacin en corto circuito: La corriente en el IGBT es limitada por el

voltaje del GATE y por la transconductancia y puede alcanzar valores 10
veces por encima de su rango.
Inductive turn-off: Esta condicin se da cuando el voltaje en el GATE se ha
ido a cero.
Operacin como un amplificador lineal: La operacin lineal que ejerce el
rea de operacin segura del IGBT en combinacin de los modos descritos
anteriormente.

El rea de operacin segura de un IGBT es muy similar a la del MOSFET a

excepcin que el estado de cada de tensin es mucho menor.

Existen tres tipos de reas de operacin segura:

Forward Biased Safe Operating Area (FBSOA): es una caracterstica

importante con cargas inductivas.
Reverse Biased operating Area (RBSOA): esta es importante durante el
apagado del IGBT.
Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA): cuando se usan en
aplicaciones de control de motores debe tener la capacidad de apagarse.

La transconductancia de un IGBT ocurre cuando los niveles capacidad trmica o

de requerimientos de aplicacin estn mucho ms all de sus valores nominales.

FIGURA 6. AREA DE OPERACIN SEGURA (FBSOA)

2.8.1 Rangos de Operacin

Voltaje mximo de colector emisor (VCES): Este rango no debe ser excedido para
prevenir la ruptura de avalancha en el PN. Especifica
Corriente mxima contina de colector (Ic): La corriente mxima de colector
que el IGBT puede soportar durante el encendido.
Corriente mxima de pulso de colector (I CM): La corriente mxima de colector
que puede fluir durante un pulso especificado.

Voltaje mximo emisor en el GATE (V gES): La magnitud mxima permitida de

tensin en el GATE-EMISOR tanto en polaridad positiva y negativa.
Corriente de fuga colector (ICES): La corriente de colector que puede fluir durante
el estado de apagado del dispositivo a una temperatura dada.
Corriente de fuga gate-emisor (I GES): Usualmente cuando el voltaje mximo de
colector emisor es 0.
Voltaje de saturacin colector emisor ( VCE(sat)): Es especifico a un valor de
temperatura, voltaje y corriente del gate-emitter.
Voltaje limite gate-emitter (Vge(th)): es especifico en un voltaje y corriente de
colector.
Maximo poder de discipacin (Ptmax): Potencia mxima permitida en el IGBT
tanto en conduccin como en conmutacin, en base a una temperatura especfica.

2.9 VENTAJAS Y DESVENTAJAS

Los IGBT mejoran el rendimiento dinmico, la eficiencia y el nivel de ruido audible.
Adicionalmente:
2.9.1 Ventajas

Cuenta con una cada de tensin baja debido a la modulacin de

conductividad.

Baja potencia de conduccin y un circuito de accionamiento sencillo en la

puerta de entrada del MOS.

Amplia SOA. Tiene una alta capacidad de conduccin de corriente a

diferencia del transistor bipolar.

2.9.2 Desventajas

La velocidad de conmutacin es inferior en comparacin a la de un

MOSFET pero superior a la de un BJT.

Hay una posibilidad de latchup debido a la estructura interna del transistor

PNPN.

3. APLICACIONES DEL IGBT

El IGBT se usa en distintas aplicaciones de electrnica de potencia, en especial en
la modulacin por anchura de pulsos (PWM) de servomotores, accionamientos
trifsicos que requieren un control de ruido. A continuacin se nombran las
diferentes aplicaciones de los IGBTs:

Variadores de frecuencia
Convertidores de potencia
Compresores
Equipos de soldadura
Sistemas de alimentacin interrumpida (UPS)
Fuente de alimentacin switchada (SMPS)
Automviles, aviones, metro
Electrodomsticos

4. EJEMPLOS
A continuacin se muestran los diferentes IGBTs fabricados por la empresa IR.

GEN 4: Es verstil, rango de operacin de 250 a 1000V.

GEN 5: Es robusto, rango de operacin de 600 a 1200V.
GEN 6: Excelentes condiciones de conmutacin, alta capacidad de corriente
rangos de operacin de 300 a 650V.
GEN 7: Excelentes para conmutacin, rango de operacin de 600 a 1200V.

5. CONCLUSIONES
Estos dispositivos son de gran utilidad para aplicaciones de potencia, gracias a su
robustez, la velocidad de conmutacin y la capacidad de trabajo a la que pueden
operar, los hacen estar dentro de los elementos ms requeridos para las
aplicaciones mencionadas.

6. BIBLIOGRAFIA

http://www.irf.com
IXYS Corporation
Electrnica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones, tercera
edicin, Muhammad Rashid.