Sunteți pe pagina 1din 114

llllll#RICHARD MARSCHALKO

ELECTRONICA
PNTRU
LEcTRoTd'Tffi,tlEfri
VOLUMUL I

DISPOZITIVE
5| c|RcU|T
LEc|.RoNlcE
FUNDAMNTAL
Editura MEDIAMIR
str. Iuu Maniu nr. 2
3400 Cluj-Napoca
c.P. 117, O.P. I

CUPRINSUL
COLECTIA INGINERULUI
Richard MARSCHALKO -
E lectronica p entru ingineri elecf rotuhni ci eni l.lnloducere. Pag.5
:
disp oziive,i circuite electroni ce
fundament ale 2.componeDte c|ec!ooicc pasive $i active.
Geoea]itJi. PaB. 7

3. Dispozitive semicoo'ductoare. Pag.3l


3. l .JoDcli.oea semicoductoae po.
Recenzenli: Prof. dr: ing. Radu MI'jNTE}IU 3.2.Co actul Betal - seEiconductor.
PaE. 34
Pag.45
Unyerstated Ibhnicd dn Cluj-Napoca
Prof. dr. lng. Emi| volcLBiscU 4.Diode semicotdlctoare. Pa8.5l
Uniyerstqtea Tehnicd din CI4i -Napoca 4.l.Diodc redresoac. Pag.5l
Prof. dr. ing. Iu|iu sZEKirL 4.2.Diode de sernDal. Pag. 66
Unversitatea',,I|anshlana''din Brapv 4.3.circuite clectoDice simple cu diode. Pag.70

bipolare $i cicuite fundamenlale c


-5.Tralzistoarc
t.alzisloare bipolao.
5. l.Suucrul, calact.ristici statice
li dinamice, Pag. 92
5.2.Model de semnal mic. Pag.l0l
D-escrirea cIP a Bib|loec|l Nat|onate a Romnie
I,,4'RscH^LKo, RICHARD 5.3.Func'iomrca Ilalzistoului bipolar in
conexiune emilor comuD. PaB.l03
ElectroDica pentru iuglneri elecEotehoicleni:
.- 5.4.Funclionarea tranzistorului bipola! in
dlsPozitiv {i clrcuite e|ecbonlce colexiule colecto! comuo.
fundamnta|e / Pag.l19
Richard Marscbalko. - Cluj_Napoca: 5.5. Functionarea trarzistorului bipolar i!
Mediamim, 2OO3
224 p.; 17x24 cn. conexiule ba comun. PaE.l2l
Bibogr. 5.6.cicui|e de stabilie a pnctului slatic
ISBN 973-93J7.63- dc funcliotare. PaE.l23
621.38 6.Talzistoae cu efect.. cmp $i cicuite
fundamentale cu tla'zistoale cu . ct de cmp' Pag.l35 -
.l.strucrur, c2.acteristici slaticc
ti dinamice. Pag.135
6.2.Model de ser.mal mic. P^8.142
6'3.Ana'logia fonnal cu tra-ozistoale|e
@ Toate drephrrile xupra acesti editii 8pa{in autorului.
bipolae !i concluzii geqerale Pag.143
T.Dispozitive seoicotrductoale mulrijorcliune. Pag.l48
7'l.Tiristorul co1vctrtioal. Pag.l49
7.2,Triacd. Pag.l57
7.3.Tiristorul cu comald de revcoire
pe Poan' GTo' Pag.l59
7.4.Dispozitivc scmicoEductoc l,eotru
cicuite de comald, Trigger Deviccs'
Pag.161

S.TraEistoare bipolarc cu comanda prin cemp, IGBT. PaE.L79 ^


8.l.Circuire de comaldli specifrce 1. IIVIRODUCERE,
tralzistoae|or biPolare cu cooand prin cop' !GBT.
Pag.188
8.z.Circuite de proteqie specifice
tlaDzisloac|or bipolarc cu comaldil prin cEp, !GBT.
Pag-198 -
9.Dispozitive oproelectroBice. Pag.205 Luctac de f4, sub titlul comu! dc 'Electrolic peDtlu iogfureri electrotehnicieli.,
f8c. Parte dint.u! ciclu de trei B.a.Euale, destilate sruditui dispoztivelol !i circuitelo
l0.Bibliografia. elocEolice nrtrdamcDtale, al cilcuitelo clectroDico pcntru seE.Dale coDti.De 9i, in siir$it, al
PaE,217
circuiElot clectroDicr dc ilDpulsuri. Ea se adcsca lo prim rnd studenlilor tr ingiDerie
ll.Itrtcmet - Adlese utile. PaE.Z24 electric !i ae un ptedoEioaot caractcr de c1rrs ulive$itar, lucntri care s-au luat n
considcraliulc atat la selectarca ea.c.ialului ct 9i la saucfuraca cspitolelor. Pe de o pae s-a
avut lo vedetc abotdaca a ct mai Eulte problcmc care pot iDteresa pe spcialistul io ilginerie
elcctic. Pc dc all parc voluEul dc idorEalio a t.ebuit limitat ia coocordanJ cu pevederile
ach]alelor planuri de lvlmiol si prcgra.E aaliticc. ca umare n raportul anali - sintc
s^a pus accAt pc chcstiunilc de anali a circuitelor elcctonice. De asemenea se pune accent
p fenoDenel fundaEeltalc cale stau la baza fiEclionii circuitelor olectrouice. Nu se
operca clr schcoe cchivaleste 5i llodcle' peotnr introducerca acestoTa DeavDdu-sc la
dispoziJic tiEpul nccesar.
stdeo|ii i! bginelie lectrc au o pregtic i! domeoiul electroDicii ce se
rcpartizeaz pe trci semestrc, dinte carc ultimul estc dedicat problemelor de electronic de
Puterc. Totuli Eaterialul abordat, cae 5e efeI la primele dou scBeste dc studiu, s-a
distribuit in trei mari capitole' carc s. constituio ca eDtit]i de sinc stttoare' De altfel aurorul
isi expriE cotrvin8erea ctr fie..re dio celc trei mMuale le ciclului care iDcepe cu aceast
cartc' ar tebui s ie sfudiat intr-utr sem6tru apaItc.
Cartea se adrcseazi 9i spci.listilo di' cercetarc, pioiectale !i poduc}ie in domeniul
electoteboicii 9i clertotricii, bclciciild do avaltaj c intr.u! voluE relativ tstns sunt
tratate aproape toate poblemclc specific electroaicii. Ea a fost elaborat integral prin cforfurile
personale ale autonrlui reflect coDccp}ia s asupra modului cuE trcbq'(e studiat
'i
elccrrolica dc cEc snrde4ii facultlilo cu profil clcctrotchlic.
Lucrarca sc bazeaz p o bibliogaie bogat! selctatl cu grij din literatura teblic de
specialitatc' cu ac{eot pe titluile in limba omn. In acest fel cititoruI va i direct orientat spre
cursuri uniYe$itare' c4i sau tratate cu ajutorul clola poatc obJile detalii suplimentare cu
prive la oric8rc din temele abordate i! qrrsul udversitar de faj. Di]xke ccle 9l ti|luri
biblio$af,cc cuprinsc rl capitolu] 10, sc eqrarc luqdle [62], [63], [64] cale pot n
colsideate ca surs de rcfeli!, datorit faprului c abordca problematica electrodcii cxact
dil puncnrl de vedere speciflc prcgtirii ingilerului elect.oteh!.ician. ca urtoale Yor fi DorEale
multiple|e rcferi'i |a aceste ratate.
cu scopul orieutrii pactict a viitorului specialist, s.a optai 9i peotnr un scurt capitol
i6

l l cc conline cteva adrcsc de INTERNET' deosebit de ule celor care ltt s vo rezuma la
lspcctclc teoctice alc electrolicii.
uto.ul, el Dsuli de pofesie ingincr electromecanic, arc o specializarE iliJial i!
ac|io!ri c|ecticc si elccionic de puterc. heze!ful crs u
vcrsita cste rezullaful experieojci
dc prcdarc r discip|inelo. de Electronica, ilccP'td cu anut 1992, la scJiilc de Elcctrotch!'ic.
AcJionri elcctrice, Msurd clectricc lnsrruEcltajie, Elecromecdc 9i Energetici
'i
indusrria'l de la Facultatea de Electrotebdc din cadrut Ut|iversittii Tcbnicc Cluj. Io paralel
2.COMPONENTE ELECTROMCE PASIVE SI ACTI\TE.
cu elabo'area |i Bodemizarea coBtiButr a materialului cuprils in accst] lucrac' s.a procdat
$i la ofii4alea li dotarca utrui laborator adccvat, car ioainte de 1992 nu exista in coofigura1ia GENERALITATI.
fculdJii' In paalel cu plcgti.ea aceshri Eanual univesitar a fosl fi''a'Iizat gb:idul pac.ic
$i
peltu seminarii $i lucri de laboator, care coEplcteaz mod nahr.al cursul
caea de fall, iltitulat 'Dispozitive circuitc elccttonicc fuadameltalc. se
la cunoa{tcrca elementelor dc circuit cu care 'i opcrcaz elcctloBica' att ca strucfur 'efe
s
fuclioare, ct si ca model matcmatic, utilizabil id Eod direct ! araliza proiectaea
circuitelor clectonice. A,|turat se itIoduc o scic dc cilcuite si'ple carc fudcpli.csc fuuctiutri
primafc de amplificac, stabilire a pulctelo staticc de fulcJional;' comand
'r scopul electrolicii este accla de a dezvolta o nou categoie de cicuite' care
sau protec1ie. indeplinesc o serie de func;iuni speciale, numite 'func1iuni electronice". Aceste funcliuni
^ .vo.-l aboIdatc toatc dispozitivcle serDiconductoare spccificc electroDic EoderBe,
inceptrd cu'diodcle semiconductoare !i pDa la.trazistoarcle bipolare
electronice suDt extlem dc Dcccsate in cclc mai diversc aplica}ii Practice, incepnd cu ce|e de
cu conanrt pril cmp, uz gospodrcsc.i pn la cele industrialc de celceare 9tiilJific. Ele se caracterizeaz prin
IGBT. Tratld. lucrurite di! unghiul specific ingincrului clectmtehnician, nu se vo
dctalia faptul c, in general' ou pol fi ealizate cu'icircuitele electrice clasice, sau se pot realiza greoi
chestiud de fizica $i rehlolo8ia scmiconductoilol
$i lrici Du Yor fi tntatc problemetc
.curs speciice si cu ralldameBe lcduse.
compoleltlor si circuitclor de foane gi ultra lalt frecYct. clst
avod ca scop Pe[tru ilrdepliliea scopurilol salc, electrolica foloseste loare componentcle cicuilelot
pIimordia'l cunoa$tcrea dispozitivelo electronicc' circuitele
complexe, petrtru sentrale contiDue electlice asociat cu o serie de componente specificc' numie dispozilive electronice'
sau disqete, vor fi abordalc iu cclclalte dou lucr&i.
componentelc circuitelor elcctonice prcluat diE e|ectrotehnic sunl cele pasive,
l.a Dchcierca acestei iDtroducli, autorul se siEtc obli8at str
mullumcasc edifurii cre rezistenle, bobine 9i coldensatoare. Penlu necesitlilc clcctroricii, accslea se produc inlr.o
s-a oferit s Publice aceasi serie de trei ma[uale
lltru stud.;Jii i! in8.iocrie electric. gam laI8 de valori $i tipodimensiuni standaldizate. lmpreun cu dispoitivele elctonice,
componcntele pasive alctuiesc circuitele electonice. Aceste circuite se pot realizacu tehnologie
clasic sa fo|05ind tcbnica circuitlor imprinatc uni. sau mu]tisl.at. Asupra acestor aspecle de
ordin tchlologic tu se va insista n lucrarea de fa|, dcoarecc poblematica face obiectul
disciplinei de "Tehnologie mca'ic !i e|ectic" care se gse$le in pIaJruI de nvtmnt pellru
Cluj-Hllledoala-Toplila anul inli al studeqilor in electrolchic. se cuvine s pecizm c proiectaea tehnoloBic a
t997 - 2002 acesto! circuite electronice se face as|zi cu ajutorul unor medi de proiectae asistat d.
Cluj,01.01.2003. ca|culator, cAD . compute. ided Desigo, care sunt 9i ele cunoscute de crre inginerul
electrotehnician, gralie disciplinei de .lngioeia proiectfuii cu ca]culatorul nunleric., prevzut
io anul trei de studiu. La data la cale s-a pregtit prezenrul manrral universitar, mediul de
Autonrl poate fi cootactat pri0 posr la adresa: proictare tehnologica sudiat este oRcAD 7. To| aici este locl s atm faptul c pe ba?a
informaliilo din acest ciclu de lucr.i de .E|ectlonic pentu ingineri eleclrolehnicje i., se poate
uliversiratea Tehdc cluj
Faru]tatea de Electlotehnic
aborda poieclara tehnic a unui num rcmalcabil de mare de circuite electronice' ln acesl
cetedJa d. .A.c}ioi E!e.t!ce 5i Robo]i, domelriu' al proiectrii tehnice, calculatorul este de asemenea de ncinlocuit' unul din medii]e
..&R de poiectae cAD ce| mai culoscut fiind PsPICE, [59]. studentul in electrotehnic vacunoaste
RO - 3400 Cluj
Str, C. Daicoviciu, Nr.15 9i acest aspect al proiectrii asislate de clculato a circuilelor e]eclronice, n cadrul activitlii
Tet. : 0040-264_t9316t, exr. t65
de seminar, pIevzule n ambele semestre de studiu al electrc.icii'
Fax.:0040-264-192055 Revenim aclJm la obiec|ul propiu-zis al acestui cairiill. Pe de o pane 1 se eela
analiza unor relele pasiYe Rc cu larg utili:ore att in circuite|e electronice pentru
sau prin E-mait : Richard.Marschalko@edr.utcluj.ro semnal continue ct !i in cicite|e lectronice de impu|suri, [62], [63}, [64]. ceste relele
pasive' cunoscute $i sub numele de fillre pasive sau linii de inlJzjere au fost studiate la
rEaschalko@yahoo. coo
disciptine|e de Bazele Electro(ehoicii' ceea ce ne popunem aici fiind definirea uno funclii
electonice specifice ale acesor cilcuile' Ele vor |t foale des regsite' ia structua iniern a

unor e(aje din configuralia circuitelo electonice conplcxe sau ca elemenl


de cuplar. inrre
elaje. It ambele cazuri' prczena acesto eJelc pasive va avea efecte iEPoltanre' Di! elala de mai sus, peDtru modulul aBpliicrii si pcotlu defazajul dintre serrlalul de iltare
Unele doile,
altele nu' a'upa comportii circuilului io ansamblu' dc iesite, rezult urmtoarelc cxpresii:
si cel
Pe ru inccput vom ana|iza cl mai simplu cicuit cu caracter de filtru. trece sus'
indicat n Figura 2.l' t62]' t63], t64]. Ne vom riferi pe rfud la cazuilc
aplicat Ia jntrare cse un semal sinusoidal, lespectiv' un sentral in
cnd scmnalul u(t)
to =
1
arctan oRC >o
tensiune.
foro de impulsuri ie ' (2 .4)
uc(t)

se colstat c modulul a$pliicfuii este totdeaurra subunitat, deci circuinr] atenue2",l semnalul
i) l ue(t) aplicat la futrare. De asemcea lezult faptul c sEtralul de la ielire este i avans de a fal
v de cl de la iltrare. P ru a putea calactcliza mai bile cilcuitul aDalizat vom intoduce
noJiunea de frccvenJ limit de fuDcJiomrc a cicui-rlui' ca fiind acea frecvenl de lucru la care
T atcnuaea seBlalului de iltaedevine:
.L
(2 .5)
Figua 2.l. Filtrul Rc "lrece sus'

Peotru p.ima etap a aflalizEi plesupunem c Ia inrarea circuitului


avem sennalu| u(t) Intoducnd Dimea dclinit mai sus i! rela1iile (2.4), Tezult urI|oalele Valoi pentru
de fonra: pulsalia limit, frecv.nta limit, rcspectiv, difefnta de faz dintre semrralul dc intrare gi cel de
iclie la ftccvena limit:

u(t) =
'/z tIsno a,=zrt"=]a
(2.6)
canctenzat plin valoalea efctiv U gi frecven1a f, dat de expresia: J as'
'0,
Deci pulsalia limir a cicuifului arralizat este ega| cu inversul constaltei sale de timP'
(2 .2)
Zn seguralele de iDtrare avand pulsa,ia egal cu pulsatia limit suBt dfazatc exact cu 45.. Revenim
tot la rclaiile (2.4) i.n carc intoduccm acum pulsa}ia limit- Rezult urmitoaele expresii
extrem de utile:
. Lucrnd cu Ieprezelrtalea in complex a mrimi|or electice care intervin, pentru
amplifi.a!ea complexl a circuiruhi ob.linem simplu:

<a!
u. --; 12.7)
_l =AeJg
!2 .31
" jrrc (t-
(t
s:ll
Et -l.
'li,
J:
10
i. 11
cu ajutorul acesto relalii suntem itr lrsru s ana]izm compoarca circuinrlui, atuuci c.od
frecvcnla sennalului aplicat la intrare sc modific tr limile larqi.
este desc s, pe intervalele corespunztoare dc timp, prin cxpresiile:
i

I
Dac frecvenla semnalului de intrale esle mult Eai mic dect frccvn'a liEit arunci.
raponul dinlrc pulsaJia limit $i pulsaJie ia valori Pozitive mari. ca urmarc' trcglnd termenul u(t) =+U. daca 0<C< !2
ega] c unilalea de sub radical, atenualea cu cae opereaz circuitul deyioe: (2.e\
i

:
A= ('Rc=21'fRC (2.8) u(t) = 0 daca j<t'r
Deci atenuarea ale valori forte mici, teruare "Putemic", ce'te propo4iolal
cu frccvenJa.
:
Defazaea serrnalelor de frecvent joas este practic ae qo;. t-a.frccvcnle.ae
'i lucru mul. oai
mai dect frccvenla limit, raporful pulsailor din expeliile (2.7) tindc T
la zero. Ca uroare
alenu:ue! circuifului sc apopie de unitate iar defazaju.l de zero.
i'Iecven'a Prio urma& seEnalele de
m.e trec tr a i atenuate !i ffu a fi dca.zatc. Acesle
l observajii asociate cu
diagrame|e de atenuale si faz idicate r]n Figura 2.2, expliciteaz
func1iunea de itltru pasiY
(rece sus al circuitului analizat, atunci
ctd semnale|e de intrale suot sinusoidate.

li

l
ll

.t

:l

r.tr
I
il
,l
c u"(t)

t
I
+ul
1

o u"(t)

.ut
u(lJ

I
FiEu^ z.2. Diagramele de atenuale . a2 peDtru
sus"
futrul Rc 1recc
-----f-
I

Io regim de impulsuri comDotalea acluiaJi


circuil trebuie$te abordat dir alt ulghi.
Presupunem c la intraIe se aplic un semna Figura 2.3. Releaua RC 'llece sus" in legim de impulsud.
aiscret, contonn cic.;.;. Acest semnal
72

seoualul de inrrae es(e deci de frecvent cotsta'rl l-3


f l/T !i are factorul rlativ de umplere
l/2. Dac admiem c crcuitul studiat nc1ioneaz =
l' c"'. ; ;i; co"nJctut tu ior,a,.a cste mult mai mic decet constaDta de tiElP a circuitului, adic:
cu impeda!a de iot.." l"fi.i;'.;il"i-;;;;io..i"o'il,.o"n.",o.
::j::t'::l:.1".:1*':
*,."*: trcce prin rezisrenla R' deoarece curetlul de i"li.".es[
11:::l':"
runc|looalea circuitului va i descris de ecualia *l'
"...
Ca urmare
diferential: T<21RC=21t 12.1,5)
duc( t\
L^ ---'..i.:-_
u- t)
-
(
-
ac R =o -

Pentu ambele intervale de timp, caJe caracterizez; semrtalul discret aplical ln accasta sifualie iD primul inrcrval al ciciuiui de furrcliomre coniiensatorui fiu ajunge ta
esl. constant, deci difereia|a sa este nu|. la rnlrae, acesla telsiunca Ui |i in al doilca iBterval al ciclului de fuIcJionae nu are la dispoziJie timPul necsal
Ca urma.re scriiod ccu"iiu J!.i.n.ru*
analiza(, prin diferenJiere rezult: pentru a se descrca comPler. ca urmarc, dupi terEimlea regiDului tntrzitoriu, tensiunea de
" ",."ul."rui
la ie9ire reproduce impulsutile aplicate la iltrajc, $tb forEa tIalslatat cu o constajrt Degativ
K:
duc(t) = dfu(6) - ue()] = - du.() (2.11)
u"(L)=u(t)+K t2.r6)
jn ecualia (2.lo) proced[d la separarea variabilelor
ffiii:Tl.Ti'il:1*tat 'i
se ajun.e la
circui(ul coovqte$tc impulsurile unipolale de la int.are i! impulsui bipolare de tensiutre la
du-( t) Ar iesie' Figua 2.3' b.
u"( t) RC
(2 . 12) Al doilea caz corespulde sifuatiei n carc prioada seurna]rrlui discret aplicat la iotrare
este de acela5i o.din de mIiD]e cu constanta de timp a circuirului analizat. Acum cottde$atorul
se incarc astfel ilcfu relsiunca la bomele salc ajulge la valoaea Ut la momentul T/2,
Ac.aJta ecualie are solulia: rcspectiv' se descac astfel ict tensiu&a la bomele salc devine zero la timpul T. soroa]ul
la iesirea relelei Rc sfudiate va corcspude cu forma de Bnd prezeotat in Figura 2'3, c.
ci'cuul lralsfer lhial !i difercnliaz semrralul de intare, acest cgim de fir'c}iolare
nlmindu.se regim de supradiferenliee. seEtralul discret, in fom de impulsui uipolare, de
ue(c, = (Ui - U.) e Rc (2 . 13 ) la iDtrare' se tansforEa' practic, lntl.uo semlral bipolar, tliuDghiular, la ie$ire.
Ultimul caz se lef9r la siNalia D care pe.ioada semtralului de intlale esle mu|t mai
mare dct coustanta de tilp a circuifului. Acum condensatorul se ncac la tensiunea Ui i!tr-
penlru intevalul de timp cprins iotle u inlcva'l de timp mult mai scut dctT/2, espectiv, sc descarc complet ndal ce sennalul
ncelutul unui ciclu 9i T/2, Uc" fiind tenslunea
estc ilcrcat condensalor.tl in momenlu|.initial, la care de intrare a devenit zero. ca urmae |ensiunca de ielie va fi nul pe toat durata ciclului, mai
t = 0. Pentru io.".""i"uia"ii-p
T/2 5i sfr$ilul ciclului, T, solu'ia ecualiei puJil veci!tatca momeutclor celld se schimb starea i'{rii. cjrcuitul func|ioDcaz ca
difeenjiale este: "upr,n..n.."
diferen aror, soualul de la ie'ire iind:

ue\t) =-Ue
_ __z
Rc 2.14} f\
'' -aE =
p. 4,, | ts\
uq\U/ (2.L?)

Ucr fiind tensiunea la bomele condensatorului o folma de uod caractedstic acesrui regim de funcionare rezul! din Figura 2.3, d' circuitul
C, la timpul t = T/2.
Pe baza rezultatelo de mai sul convetelte se@[alul discret unipolar de la inrrare in impulsuri bipolaIe, scune, la ielie. El se
proceda la. analiza func1ion-rii cilcuifului
regim de impulsuri. vom folosi " ill compon ca u! circuit de iBgustare a iEPulsurilor.
expresia (2.6t..primu, ; p" ;; i';'T:il
"":'|]::i
l, esle mult mai male dect frccvena limit "Ti::i:*: |::ffl[ ,iH1jlJl:,1",j,#::
Nc vo eferi iq cotrtinuare la un circuit dual celui abordat in paragraful anteior- Este
Yorba de rcJeaua Rc iEdicat iD Figura 2.4, cale itr colditiilc unui serunal sinusoidal u(),
a circuitutui. .e,ltra s.pis, pi,io"i" i.p'.,',ir". aplicar la intrale, fudeplielte fuDcliulea de liltru lrece jos, [62]' |63]' [64]. Adnriteru irt
"al contiluare exPresia (2.l), petrtusemnalul u(t). Afuncj atenuarea complex a circuitului va deve i:
L4
15

t
^-
Yz iuc (2.18)
E'
1
1 + joRC 2tRc
" ;toc Q.zL)

uR(i) Revcnind acum diB nou la relJiile (2'19), i cale iltodlccm valoaea pulsaliei limit pe care
a.m stabilit.o mai sus' obJinelr umtoaele forEule adecvate alalizei funclionrii circuituiui dat:

. !)2
a! (2.22)

g=-6a6g4n-!L
@_
Figua 2'4. Filtnrl Rc "tlcce ios'.

sepr.od parrea real si partea imaginar a expresiei de


mai sus, vom obtine urrntoarele relaii
penlru modulu| atenurii si pentru faza sennalului de la
iesire in raport cu semnalul aplicat la
I

inIare:

,1L + a2 R2 c2 (2 .1,s)
g=-arctano-RC<O

si in acest caL fuctionii circuitului va fi u{urat prin i[toducerea


frecven1 limit, ^'|^|iz^
noFunii de
ca fii'ld &ecventa acelui semnal de intrare c*"''" n
reladei:
"i""u"-"-rom
q
-u-1
u
1{=-=-: (2.20) 1
,lE
T
2

Folosind aceast conditie in priDa din.r lelalii]e (2.l9), rezult in mod dilect exprestile
cunoscute pentru pulsajia'i frecvelF limi, constatndu-se ins Figura 2.5. Diagramele de atenuare. faz penlnl fihul R.
scmnalul de la iesire ve fi cu 45. in ulma semnalului -'--''**
c la acest punct de func1ionare
"trece ios".
de in;rare,-'-
i""'.". n rnsur s concluzionm: Dac Pulsatia semnalului de inrale sle mul( mai
mic dccl"""rn
pulsa|ia limit a circuitului atunci raponul pulsaiiilo tinde la zero gi depl ulmae
colstaota de tiBp a rejelei Rc luate ln considerare. coDdensatorul c Du se poale icrca la
modulul atenurii devins unita! iaI faza sennalului de icaire devioe zero. Deci sennalu| de la
tessiunea +UI i! iervalul de timp 0 . T/2 dar nici nu se Poate dcscca comPlet inte T/2 $i
intra.re va fi regsit la ic5ea circuitului, f a fi nici alcnuat 9i Bici defazt. Dac circuitul
T. TeDsiutca la bomelq sale evolueaza perttraneD,t expouetr}ial o jurul uBei valori cale este
prelucrea un senal de i'ltrae calacteiz't print.-o rccvent egal cu frecvenla limit' atunci
rccmai media tDsinii u(t) aplicate la intrare. circuitul' a5a cum lezult 9i din Figura 2.6' c,
sernnalul de la iesirc va avea ateuaea confoun cu IelaIia (2.2o) va fi in urm cu 45' fa} functionea ca integrator, conveti-Bd imPulsul iDt-u Divel de tensiu]e ProPo4ional cu factorul
'i semnalului de i'trae
de srmalut de intare. ln sfr9it, ultimul caz este cel in care flccven1a
de uEplere al seBlului de i.ata..e, la amPlitudiDe +U| coasta'ut a acestuia.
este mult mai nalc dect frecveop limi! care calactedzeaz cilcuitul' ln acest caz moduluI
aeIurii tindc |a z.o iar faza senrralului de ie'i. ctre.9oT. Deci acst sennal dc inrrare va
fi practic suprimat' asociat cu dcfazaea co.espunloare. cele de mai sus, impreun cu
diagamelc de atenuare $i faz plezcDtate in Figura 2.5, jusrific fulcjunea de filtru rece - ios
al relelei studiate.
Pcntu alaliza in e8im de impulsuri, presupunem.c la iquarea cilcuilului se aplic
selualul discrer, unipolar conform cu expresiile (2.9)' Ecuaia difeenJial care caaclerizea2i
funclionaea retclei Rc va fi:

u()= R r(t) +
1
(2 .23)

solujia geneal a acestei ecuaii csle de forma:

,,/|\-,,|\-||
ue\L/ - qc\ L,r - 11 -+..'-,
[,,j \'l. - e (2 .24].

pentru intervalu| d timp cuprins iotre 0 li T/2, espectiv:

t-j
---ad- (2 .2s)
u() = uc(t) = tli e.
pentnr iltcrvalul de rimp cupilts intre T/2 $i T. s-a p.esupus c la iocePutul ciclu|ui
condeDsato.ul c este descrcat ia la momentul T/2 tensiunea la bomcle sa'le aJe valoarea +Ui.
Exp.esiil (2.24) si (2.25) ne oferI posibiliraa iIterPetrii fudcjionii qe|ei Rc
analizate, in c8im de impulsuri. Daci perioada implsuilor de tcrsiune u(o eslc muh mai
maIe dec( coqstaDla de timp a circuitului afunci condensatorul c se lncarc foane
repcde, chiar
|a inceputul cic]ului. la tensiu'ea +Ui, rspectiv, se descarc comple( imediat
dup t : T/2.
Asa cum czult 9i din Figura 2.6, b' circuitul leproduce la iegire icmnalul aplicar la intrare. d U(t)
E| funcIioneaz ca o linie de lranse a impulsurilor fiind destinat eliminrii nor zgomote oe
inalt frccvenJ caIc insoJesc semnalul de intrare sau pentru eventuale adaptri dc impedaB,.
Asemntor cu cele @nstatale la circuiful analizat n paragraful anteri-or, dac frecvenJa
seE[alului de intra.c sle in jurul valorii frecvenJei limit, atuBci condensatorut 5e va
incca
complet itl intevalul de mp 0 - T/2, respctiv, se va descijca pntr la ielsiune lul iotre
momentele T/2 $i T. Telsiunea dreptutrghiula de la iltlare va d convenir
intr-un semna,]
quasi-triunghiular u.uipola. circuih{ taflsfer liniar
$i integreaza scrualul u(t)' regimul de
futrclioraenumindu-se de supraintcgrare. o situalie de acst fel cste evideDJiat
in Figura 2.6,
c. ln sflit, ultimul caz este cel in cae perioada sennalului d itrtrarc este;ult Eal mic Figura 2.6. Releaua Rc 'tece jos' iE e8im dc impulsuri.
decr
18
19
vo. fi aia|izate in
continuare alrc dou reele Rc mult aplicare in circuilele electronice
Atunci atenuarea complex deviDe:
destinatc prelucrrii senalelor cootiue. La inccput nc vom cfei |a filtrul pasiv .rece .
band di! Figura 2.7' t62]' t63]' t64l.

t)
"=n;;*t.,n (2.30)

I
l U(r}

ca umare ob.lem urtoarele expresii pntlu modulul atequrii cicuitului:



I

L I
Figwa 2.7 . Filtrul pasiv ''tre.e band'. (2.31)

cesta este alctuit dintr.un cicuil Rc serie si unul para'lel. valorile peElu reastenla
rezistorului R si pntu capacilatea condensalorulr.ri C din cele ou circuite sunirespectiv
egalc.
lmpeda$a circuitului serie de Ia intrarea iltului este:
rcspectiv peotru faza sennalululde ie$ire, n aporr cu sctulalul u(t) aplicat la intrare:

4=p*_]_-
' j@c
arcEan r - Ci2
Q = 12 -32)
Impedana circuitului para]el de la ielire ale valoarea:
-::

dmi!nd c filrrul studiat funcJionea practic il gol, pe baza celor dou


relalii (2.26) ti
(2.27), penrru atenuarea complex' a cicuitului vom pute scrie:

.r - '; - -;---.---=
Yi 3_s - !4 =

12.28)
i @RC
11 + joRC)2 + joRC

Introducem ufmtoarele notalii pentru pulsa'ia limit a cicuitului


9i penru lapoul dintre
pulsalia semnalului de inr.are' u(t) si pulsajia limit:

.o=-L o= (t
)o
(2 .29)
Fi8ura 2'8. DiaEramete de atenualc . faz pentu filtrul
pasiv 'trecc banda".
20

2L
s constal simplu c" anrnci c-ud Du|saia semlalului
dc iDtare are tocmai valoaea pulsajiei
Petru tensiunea !L' confornl acum circuifului diu Figura 2.9, se ob1ine simplu expresia:
ljmit a circuitului, atunci sernnalu cules |a i"5ire
de 3 ori. Pin ecere Ia limi! ln exprcsiile
e.tci,,rJu-Ji"il.ifi,"l 9l .*"
inlrare cu frecven1a mult Eai mic .car.rrecveni"
iz.ztl si ,"i;l;;il
a.zzi:l "."no.,
semnalele de
timiu:il;;;"i;;,".e u-= t1J or_1 )a
cilcuitu|ui devenind o si faza seonalului d
ielir tinziind ctre +9P. Atenuarea ' cicuitului
a(eoua'ea -
3+j (2 .34)
tinde de aseme.rea ctre 0, asociat cu o'der"-..
calaclenzate Prilk-o fre.venJ mult mai mare
i'
'e .. s0", o.*..,l#l."." o" i"..",.
dec r'".""nl. ri*iir.a.J.*i.t jui. ca urmare
--T--
9| ace.te seruule sunt pactic eliminate.. Acesrc fapte justifici
fu".d;;;;;. ..ece band
:"::::Hl'""::'*".
Figura 2. 8 evidnlia
""".t
i"" si pii".id.".jJ oJ."L'"*",,,-n Prin separaea pqii reale 9i imaginare io ecua1ia (2.34) se poare rapid detemina mo].lulul
atenudi iltrului opre''te - band:

1
"n ,1,
(2.35)

uo(t)

Figura 2.9. Filtru "opreste - ba[d. il punte


wien -
Robiuson.

f
In sfrgit, ultimul circuit De care l vom ,a1

aborda este puntea wieD - Robinson,


indep|ilette funqiunea de fi|tru ooreste care
- band, [62], rea'^toqj. p""* irratiza rapiaa
frrnc1ionirii aceslui fiItru vom tace ou."."a}ia'ce
de porenrialul masei circuirului. Ea
t"*iun;;;idil ;;ffi il " msura fala
-i"iir.u
aDare^ca diferenya dintre ren jun"ul"iu
rc?istiv si rensiuDea de la ielirea unui fittru. uoui olui.o,
,r*" u-ol-_"i"il;;rd"i',1, anteno.. ca
c rezistcIJelc divizorului au valoril
ij]i,".'.i}T'tri*Tl zr, i-i,.si.ioro,ioo,.r"li"

rI Figura 2.l0. Diagrame de atenuare . faz peot.u puntea


3 * j Qt-1 (2.33) Wie! - RobinsoE.
--7--

Plecum !i faza seElalului cules la iegire in mpo cu cel aplicat la intrar:


22

ar- 30 diclectice cu ud d supafat, sub influcn'a unol clecrozi metalici disputi pe suPrafala
Q = arctan ; O*O (2.36) dielectricului se poate influen1a propagarea rrno uade de vibralie la nivelul acestol suprafete.
n sfrsit, comPonarca nor relele de mici domenii dc magnetizare sepaate' format in corpul
solid , este contolat itr cazul dispozitivelo! cu bule magnetice. Dintre cele Patru principii de
func|ionare enun'ate mai sus, primcle doul sunt mai rspDdite 9i, drept urmaie, vor fi aDa'lizle
. .. . Figura 2.10 prezint diagramele de arenuare si faz construite pe baza uhimelo. dou
elalii si cale caracterizeazi funciomlea ca filtru opre$re . band pun1ii si in cursul de fa.
a wien . Robinson. La Deci s-a arat c circuilele electricc care folosesc si dispozitive electrolic se numesc
frecveoJe dc lucru mult mai mici sau mult mai-nad rrcct
frecvenla l;Jt a circuifului, cilcuite electtoBicc. scopul cIcujlclor elcctonicc cste dc a lealiza funcJiuDile electronice
semalul de injare se regse5te la iegirc, atenuat de 3 ori
!i practic fra |r defazat. Semnalcle specifice' [18]. Ditre acestc funcjiuni puero aici Ec'}}iona, cu scop de exemplificare:
de intrae cu frecven' apopiat de frecveota limit a ciriuitutui.unt
piacrl" supnoare. rcdlesarea, ampliicarea uDor semlale' geBcrarea de oscilalii aJmonice' stabi|izarca teosiunii
Este evident c cxisr multe alte retele pasive utilizate dcs in;leci;nic'
boldarea sau a curefului, convclsia serEnalelor de .Niuoe D selrn3le de cuten! sau invers. modlla'ea.
lor devine facil pe baz metodelor expuse mai sus.
demodularca sau detecJiaunot semoale, prelucarea unor scnnale discrete cu aiutorul circuitelo
de impuIsui, etc. Pe lfug scopurile etlEcrate mai sus, considerate ',primo;diale"' cicuilele
lectonice mai au !i un scop "secundaI"' si cl foane importa-Dt. Acesr scop "secundal. const
Al doilea obie.tiv al acesrui capitol se refed la rcluarea, pe scult, in coltextul
specilic in a ctea condiliile ca disPozitivelc clectroDce s poat indeplini optim func1ia 'primordial".
al electro cii, a unor no|iuni fundamentale privind dispo"iti"" J"ct.ooic",
Jrs]. Este vorba aici de circuitele de stabilire a punclclor optime de funcionae,de proeclie, de
'tiinJei
Aceste noiuni. se consider in bun pane cuuoscute di la
disciplina de "Fizic-, sMiati art msu a oor parametri' de supraveghere !i de colrand, etc.
|n ltceu cat $t |a tacultale, pe paculsul a dou semestrc. De
asemenea mulle ilformaii DisPozitivele electrolice folositein aplicaiile practice au calac|erisicile difeite de cele
lmportante sunt furnizate de ctrc disciplina de Materiale electrotehnice.
ideale, foate des luate in considerarc in proiectare. De asemcnca' Daamerri indicai in
Dispczitivele eleckonice sult acele componeqrc ale circuitelor
elechce a cror calaloagele de produse ele4toncesult oientativi' fiind afeclali de o seri dispersie de ordin
cornponare se bazea pe coltrolul mi$cfuii purttoriloI
de sacin n corpul solid, n gaze sau tehnologic a valorilor. Uo circuit electronic bine proiectat va asigura in mod optim hrnclia sa
in vid.fn prezen! aproap toare dispozitivel; elctronicl folos.sc
regul in semicooducloare.
ii
conffia corpur sorio, de speciic, exploatld calit1c dispozitivelor electrolice folosite $i 'mascnd'' defectele lo. E|
va tebui s asi8ulc itr acelasi timp posbilitatea producJie de seIie, permilnd schimbarea
Reamjntim c in tuburile elect.onice corduc}ia alc loc pritr
vid, intre electrozi mcralici intre carc se aplic o ifcren1 ae porcnlla. in
deplasarea elctoni'|or coulponentelor cu altele de acala$i tip, f! ajusti $i Ie8tajc suplimcntale.
riactic viaut ain Revenind la problcmatica funcJiunilor electonice specifice, din punctul de vedele al
tuburiIe. elefionice este un gaz foarte rarefit' in
care parcursut tiur Jitociu a ctectronito. putrii transmise pio scrnalele prelucrate, circuitele electronice pot i de dou categorii. Pe
este m]rll rnai mae decat dislana dintre electrozi. In acrualul
stadiu a" ae"iott"re a cr"cr,o,.icli dc o pane exist categoria circuitelor care pelucreaz tralsmit semnalcle electice putoare
tuburile elecrronice pot fi considerate de domeniul istoricului,
la ele pe Parcursul acestui ciclu de lucri. Subliniem
ca u.ruu." * oi nui ..rcri de itrforma|ie. ln acesr caz cstc esetrtial acurate}ea irt 'i prelucrare 9i transmilerea Dcalleat a
"oru
ins faptut ca toate |ircu.itet" ete"t.onicc sernnalului. Putrea transmis nu este un paamelu serrBificativ' cilcuitele de aceast nalur
isi au.un-echivalent in tcblologia tubuilor electronice. De
asemcn""
fapol c tubul.electroqic mai este pactic ulica soIu1ie ta erri1eoar"r""
*uio"ii *"i ot,"-a. se lumesc ccuite electronice pentru scmnale contine' espectiv' de iopulsuri. Pe de alr pane

putere, respectiv in televiziutre' tebnica de.calcul


'" ii." 5i ro*" .u." 85im cicuilclc clcctrodce de pu(ere, destinate controlului si cotvesiunii enegiej, la cai:e
9i msurrile elecroni"", *" oo ,-" *pu, factorii cei mai imponanli sult putelea transmsmis 9i randamenrul conversiei- Este evidenr c
nc utr inlocuitor defilitiv al fubului catodic.
aceast din urm clasificarc tlebuie|te privit n mod clastic, g.anilelc dinte cel dou calegorii
ln dispozitivele semiconductoae Dafura colducliei
cste tot elccronic' DupI cum biae de funcliutti neftind !i8id dclimitate. Mai ales n ultimii ani, pin aPariia dispozitivelor
se 9tie, peotru descrierea cr mai iDruitivtr a fenomenor
electric n dispozitivele semiconductoare, alturi de
..'" io.o-".onoo.ria cuenlului electlonice dc purere $i de inalt frecven'x, asociat cu te}motogii modeme de comand si
coocepful d" ereJtroniiuJ. io corpur .oria leglare, ca tehnica modulri i! durat a impulsuIiIor - MDI, a de\,enit exlrem de aclual si
sc itoduce !i concepful de gol. Reamintilr ci golut
csie o p"ni".IE ni.i"e' carc
Poaa o Problema calittii enerici prelucrate de circuitele electonice dc putere.
sarcin elctric egal da de semtr opus cu a etectronuIui gi
cnDului e!ec!ric-
c se poate ffi" suu u"1iuo"" Acest ciclu de lrci luci de "Electronic pentru ingineri electrotehnicieni" nu va
aborda problemcle circuitelo! electlonice de purere. Aiestea vo studiate sparat, pe baza unei
O"n"Ui" de mai sus a dispozirivului electronic s-a folosir
-^^.. 11 termenul de "cootrol". bibliografii bogao, exis(enre in litcratua tehlic de spccialitate il limba romn' [l), [3l].
Acest termen se refer fic Ia cont.olul milcfuii puntorilor de
^
saci!, fie la controlul iajec1iei t32]' [35]' t36]' t37]' t38], t46]' [47]' t48], [49]' tso], t6o], 16l], etc. Tofusi' aceast cane
de punlori de sarcin in zona activ a dispozitiwlui
. Accst com.r po"t"-"*er"'r" pu air".irc va aborda detaliat si disPozitivele semiconduclcae specifice circtri'elor elect.^:..ce de putere.
L1 mal.ea.:ajoitate a dispozitivelo.electIonice se '" J;;.ilectric exterior
:1l] Dispozi|ivele electrodce' indifeIet de tiP sau tetEolo :' au o serie je proPrietli
datolat unei diferenle de potcnlial. Teusiulea aplicat 'p"I"Ji;"
conuolea |",. ..."" p.,n fundamenta-le, comune, [IE]. Aceste propielli vor fi analizare :' -cd sinrer.c in conlinuale.
dispoziliv. In cazul componentelor optoeiectronice, prio "u."o,,i|
efectul uoui flux Iuminos se conrroleaz Dispozitivele electronicc 'funcJioneaz in circuite e|ectrice frlj;l .e, impei.ln cu surse de
numuj de purltoide sarcin diDtr.o anumit
zona dispozitivului
"i".i.oii".t
oi.po,i,i'"r" energie, .ezistori, bobine |i condensatoae. Mrimi|e care apar '.:erfa1i di"lIe dispoirivul
25
e|ectronic $i celela]te elemente de circuit sunt, in general, curen,i clectlici tensiuni elec!ice'
A9a curD rezull din Figura 2'll, dispozitivele clccronice Pot avca 2' 3 sau 'i mai multe bone. caIacterul lor neliDia!, caracte.islicile dioa.o.ice se speciic sb fo.ma de fulc.lii de timp, avnd
compoarea in regim staliooa a un disPoziriv electronic cu dou bone este caacte'iz2! prio tensiuEea u ca parametru.
calacleristica sa static cae este o filtclie cc rcprezint valoarca curcntului i pliD dispotiv h gencral pcntru disPozitivul elctrooic cu trei bomc sunt valabile rela1iile:
ot.po!l||v .lct.!c cU 2 bo.q i.=-(i.+i.)
12'39)
OE
ur=- (u1 + u2)
+
ca umae dspozitWlelccrroDic cu trei bome va fi calacterizat prin dou caracteristici staticc
de forma:

Dtspozltlv elect.6tc cu 3 bo.n. i, = j,(u,, u.)


(2 .40)
i, = ir(u, u"\

rcspctiv, p n dou caacteIistici dioamice conforrne cu exprcsiile:

.' = ' ( u.. u', t)


(2 .4L)
i" = ir(i, u, t)

se cuvioe s precizB c iD majoritatea cazurilor' la circuirele electronice care


prclucaz serralc continuc dc flecvcE industdal, propietlilc dc iDteles a]e dispozitivelor
electronicc pot fi descrise cu rcferire la caracteristicile lor statice.
subliliem lBc o dat proprietatea speciic tururor dispozitivelor clect.onice de a avea
Figura 2.1l. Explicative privind propriet,ilc generale caracteristicilc statico neliliale. Aceast nclilialitate a caractoristicilo! statice poate fi util, cum
ale dispozitivelo electronice. estc. de excEplu . nelinialitatca caracteristicii statice a diodei seniconductoare, exploatat n
rchnica ledresrii sau deteclii seuuralelor electdce. In multc aplicatii de electronic
qeliniaitatca caracteristicilor statice a dispotivclo! seBicondctoac poate ins deranja, caz
peutnr o tensirue u aplicat la bomele salc: i! ca'e tebuie'te s se poccdoze la liniarizarca acestor caacterisci statice.
o a'lt! proprietate iopoltan. a dispozitivelor electronice este aceea c cle au un
\z '.t ,t
caractcr parametric' Aceasta ilsear c cel puJin una dintre mrimile caracteristice
dispozitiYului poate fi controlat Pe cale electlic. Decxemplu, in cazul ta'ristoarelor bipolale,
Se va vedea c n dispozitivele electronicc starea dc coDducie sau de blocale 5e cuertul din circuin colecto - cmitor se poate controla PTin interrnediul cureotuluidio circuitul
realizeaz plin modificalea uoo! conceltralii de putoii de sacifl' prcces cale tlecesil ur baz . eEitor, aceast proPietate aflndu-se la baza utilizrii acestor tajEistoJe in circui|ele
aumit inteval de timp, numit tiop de comuta}ie' ca urmarc caracteristicile statice tru po! de a.mplificae. La tTanzistoarcle cu fect de cmp, lezistenja den.suls este o funclie de
descrie complel componarea dispozitivelor eleclronice, in special afunci cnd se prelucreaz tcosiuea gril . surs, caracteIistic ce Permito folosirea taIEistoalelor cu efect de camp ca
scmnale de foane lnalt frecvenl sau semltale discretc, (Iegim de impulsui). In aceste cazuri Iezisten}e coEa.Bdat ! tensiune. I! sfasit, un uhim exeBPlu se Iefe.a la cazul diodclor
devile necesa $i cunoa'terea caracteristicilor dinamice ate dispozitivului. Petrtu dispozitiYul semiconductoae cu jon4iune pn. La funcjionaca n cadranl 3, iB regim de polarizare inve$'
electrcoc cu dou bome caacteristica dilamic este o firqclie de forma: capacitatea atrod - catod a dodei este o ilcjie de teDsiunea invers aplicat, poprietate
exploahr in cazul diodelol valicap ce inE in alcnrirca unor cilcuite oscilatoare comandate,
i = i (u, t\ (2.38) pe post de caPacitate coEaoda i'! tensiuoe.
o ultim propietate general lenalcabil, coBun majoIitJii dispozjtivelor electronice
caracteristicile statice|i cele diBamice ale dispozitivelor semiconductoae se dau uneori este aceea c ele au un caracter activ. Prin aceasta trlel9geE c dispozitive]e electronice pot
sub form ana|itic, dar cel mai des el sut indicate grafic. In acest din ulm caz' impus de asiguta ransformarea putcrii de cureDt contiou, absorbite de la sursele d cc, D pulere de
seroal' Pentru in]elegeca ioponatrjei cu totul deosebite a accslei proprietJi, vom aborda n
26 )1

exemplu di! domctriul cicuirelor simPlc cu tranzistoarc bipolaIc. FuncJonaca


aopliicatorului
de tensiun di! Figura 2.l2, a, o vom analiza i! continua.re apelnd
la curro5tiio1c oobanaite la
disciplineIe de Fizic'

t^.
I

t".

I
?

Figura 2.12. Explicativ privind calacterul activ al dispozitivelo


elctonicc.

caacteristica circuitului baz - emitor a traEistorului, prezentat ir Fi8ura 2.12' b o


pesupunem liniarzat in plus, admiteD c tensiunea baz . emiro, usE nu dcpinde de
'i, emito, ucE. Fa dc un punct static de functionare, caracterizat
valoarca rensiunii colector.
printr.o valoarc stationar a rensiunii baz - emitor, UBE presupunem o mic modificale a
setnnalului de ntlae. ca urmae, ! condiliile ipotzelor simPlificatore admise, curenful de
ba se va schimba !i el cu cantiiatea:

u'n ,," .42)


at
= r (2
gs

Pesupunem acum c si caacteristicile de ie'ire din Figura 2.l2, c, sunt oTizontale' adic
Izisten'a diferenlial colector. emitoI, rcE liode ctre iofinit' ca urmale Yarialiile mici ale
curentului de colectoI vor depinde numai de modificfuile corcspunztoarc ale cuentului de
baz. Putem scrie atulci:

i"=pj"=Icz_c, (2 .43]'

In aceste condiliuni, modificarea tensiunii de iegire, care este 5i tensiunea colector - errulor,
UcE, a tanzistoului, devine:
2B
29
Aui". = ( Li" _ Rccz) - (./5 _ Rcrc1) =
t2 . 44)
- Ry' j"
generatorul seonalului de intra'e. Putere dc ia{ire este fumiza! de o surs de tensiutre
- Rc(rc2 - t;) = contilui Rolul dispozitivui elecEonic, i! acest context, cste de a tralsforma o putere de
curcnt cootinuu ltr Putere de scmnal, dc o foro oarecare' deterniDat de evolulia mrimii
aplicare la intrarca cir itului
Apeld acum la relaliile alterioare, (2'42) mai putem scrie:

Aui.,=-PRy'j"= '1(2.43),
Inainte de a iDcheia acest capitol este ncgesa! s e efeIiril pi scun ii la cieva
principii fudamentale .le studiu 8l circuitelor electronice, [18]. Din cauza ploprietJiloI
- F;:
LBE
A u". = ,Au,' specia-lc ale dispozitivclor electroqice, prczeniate llai sus' teoIia circuil.Ior liliae tru este
aplicabil circuitelo electoaice' Totugi aceast eoie este utilizat, in condijiulile n cae
futrc]ioo'jea dispotivelor elecEolice poate fi
'lilializat". Prin liniarizare n1elegem
aploximarea liliar a caracteristicilol statice pe porjiudle aJlate in vecintalca unor puncte
medii d firDcliolae' Liniuizarea este valabil doar in jurul respectivului punct mediu de
cu A s.a notat factorul de ampliicare rersiuqe al circuirului, cae in mod uzual ia valori fillcliooare. De aici tezult ir mod automat restdclii rBferitoae la aplirudinea semnalelol
de ordinul sutelor. Rczuh Prelucrate, c{re trebuie s lie "sclrnale mici.' ce evolueaz evident io junrl puqctului mediu
c:
als. se objhe i! acst fel cicuihrl echivalent dc semnal mic al circuitului e|cctronic srudia!'
A ujes > A ui, Acsta coinc elemelte obi$nuite de circuit: sulse de tensiuDe' suse de culent, ezistenle,
(2 .46], caPacit'i sau iDducrivitJi. ceea ce este speciic este faPful c sulsele cae apar in modelul de
ic; Aj8 semtral mic al dispozivelor glcctrodcc !u sult independente ci sunt comandate iar paramelri
de circuit depind dc puttctelc Eedii de frtoc}ioDae a'lese.

AdmiF.qd urmtoagle expesii pentru modificrile puieii de la intrarea, respectiv' de la iesiea Un eleBent ajuro! dc maxim importaDl iD a.aliza gi sinleza circuitelor electrodce
cicuitului : este posibililatea EprJirii circuitului complex io mai multe bloculi sau elaje. Un astfel de elaj
pe de o pae tebuie'te s fudeplineasc o fuDcliune electloic clar li pe de a]t pae esle de
Apj. i,
= A ujnA dolit s aibe iEpedaDja de intrare ct mai mare iBpedanJa de ie$ire ct mai rnic. o imp4ire
(2 .47
Apr"" = A uru"A j. optiBi a uDui circuit elect'ouic ls etaje permite 'i Bulte simplificri de calcul, inJele8elca mai
)

. buD a lolului coDpolcntelo o proiectarc Bai facil. Asupra aceslor probleme se va eveni
'i
detaliar n a douaJucralc diD prezetrtul ciclu' destiBat analizei circuitelol electronice.
pentru actorul de amplificae in putee, AP' oblinem: coBsidIente practica legate de caracterul statistic al datelo de catalog penru
dispozitivele electfooce !i legate de dispelsia tehlologic mare palametrilor fac in majoritatea
P'.' cazuilor inutil calculul exact al circuitlo electonice.
a

Pi,,
t2 - 48't In razul cilcuitelo! lectrolice pofund nelioile regimul dinamic se poate studia fie
"cn
- n rst
pri! rezolvaea ecua}iilor difee4iale adecvate, fte plin metode ga'ice sau grafo - analitice. se
"t aPelcaz des la metode de aProximarc linial pe po4iuli a caraclerislicilol dispozitive|ol
electronice, dcci o aproximare prin llii fnte.

Este extem de i-EportaDt s sublinieE c iD prezent o alali sau o siDleza de cicuit


Este evidelt c $i acEst factor de ampliicare fu putere are valori mari. Diu analiza cfecluat electolic Du 5e poate ace dect aPelld la mediile spcciice de proiectare asislat de calculalor,
czult clar c tensiunea !|are de la ie'ire, precum $i diltlc cae menjionm aici ctcva dintre cle mai cunoscute in prezeDt: sP]cE, dezvoltat la
Puteea mare disPonibil la ie$irea
cilcuirului srrnt o consecinJ a culentului din circuitul de colector a] trarEistorulul, curen cale BoIkelcy Univcsity, califomia' USA; PSpice' produs de Microsim copolatio!, UsA, (
el(e de valoa controlal de tIa.ozistor da cale este furnizar de ctre sulsa de trsiune continu www.miclosim'com , E.mail: sales@microsim.com ); simPlorer, dezvolta| de lrma sIN{Ec
slabilizat care alimenteaz circuitul de colecto. Dci putrea de iesire nu este dat de GmbH & co KG' Deutschland, ( www.simplorer.com , E-mail: info@simec.com ); PLc
Circuit Simulation & Design Tool, produs de firma APLAC Solulions Inc., USA,
**.,*,.,.*.=..ail.:'s.les@aplac.com
al ' :upport@aplac.com ); $i' n sfrsit' sn,cAD,
lrmei Powesim Inc., USA, ( www'porversimtech.com
, E-mail: info@powersiqtech.con
). vaJiante ale acestol suporturi CeD ipecirce .I".oo"i"i .*iJi"p"*oi"
cadul activittii de seminaiza.e' doqi sIudetrIi se in laboraror. Io
vor raniriuiza neiur Pspice, [59].
singura metod de cercetare cu adevTat performa
estc cea fu carc inginerul
ana]jzeaz sau proiectea un circuit Dc. baz" g"".ia"
5i .op*,i"
"uooEio;ao.
prin modelare 9i simulare ""t. Trecerea.la
pc calculator. "..,in"l,
:To":11]j:l::.::"'*l
oe experunentae' respecliv'
faz.I. supeioale
ealizare prorotip, nu mai este perEis! nainte
etapelor anterio! nreionate' de ndePlinirea 3.DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE.
Mai subliniem si fapful c desi sfudiul circuitelo. electlolice
.
apro:dmaliv, cel pJin dia cauza linia 2
ale tordeaula un caactel

erecuonice ."dil" ** ;;;" ;-.;*l:i"ff1,ff :1:':,L*,:J:r#.:"rxffi1.':.:f iT:


rehnologie de serie. cst lucru c;te posibir-nu.a
prin int,Juc"io-ii-J,J,i."
de.ajwtare 5i reglare oecesare, evidelit n oum Dispozitivele electloice folosite in prezent sult apoape iD exclusivitate
mini. pcltu a reaoce msturil"'" !i,
"'"^.o.",o.
mai ales' dispozitive
pri! olosirea cu succes a rcac;iilor o utocu.lte automaa.' semiconductoare. Dispozitivele eleetronicc bazate pe dispozitiveie seniconJuctoare
taletlul de ploiecta.ot al ingioerului,
aici-," ."p.rJ'i" plimul IBd oot n nA
jonc}iuni' uoa su mai multe joncJiun sau urilizeaz' contacrur . ,.^i.onu"ro..ln-
':u
categoria dispozitivelol clcctronicc frjonctiuli sunt cup lse o bn'"ta
Parte dintle tranzistoarele
cu cfect de cmP. Dispotivele electronicc cu jonc;iuni pot avca
.IFEi
ojonc1iuue' in cazul diodelor
cu joncliu''c pn, a'I tra'zistoaelor cu efcct dc crop cu jonc1iune,
sau al tra'zistoarelor
unijolctiue,. UJT. o cxtlen de Iargi utilizae h e]ccrrnici o au
tranzistoarele bipolare, care
sunt dispo"itiy electrotrice cu dou joncliuni. cu prc.dcIe o clectronica
de putcrc, dat gi in
multecircuite elec*onice care prelucreaz sem.nale iscretc, se folosesc
dispozilrvele electronice
cu mai mult de dou jooc;irrni' numite' de aJtfel' chia. dispozitivc sem'colductoarc
mu|tijolcJiune. Din aceast categorie- jen,ioD'o: tiristoalele dc
iifcrite tipui, rriacuile,
lranzistoarcle un'oncjiune pro8raBabile, tiristoarele tctlod, etc.
In sflsit' contactul melal -
scmiconductor' de obicci cu caacteohmic' este plezeut la tenoiqalele
fururor dispoitiYelor
elcctronice' iar ccl cu calactcr semiconducto iir stuctuadiodelor
schottkY.
. ]n plezcnt o cate8orie apane, dar deosebit de imponalr, o
scmiconducroale hibride' rezultate o urma integrrii uiptar - ubs,"oo,iitui"
dispozilivele
dintrc care ctemenful
reprezeruativ care sc reoarc esle tranzistorul bipolar cu
iomand prin crnD. IGBT.
Aceast prim lucrac di! ciclul de electonic penrru ingineri
electotehlicicni
aboldeaz tocmai sfudiul detaliat al acestor dispozitive etictronice "asociat
cu .unoa$terea
circuitelor fundamertale i! cac acestea funcionez.
In scurta clasificaJ dc mai sus !u au fost luate in considerare
circuirele iutegrate,
liaiarc sau logice, ele nu rePrezint a'ltceva dect o realizare r"l',,orogi"a a"
-deoarece
calaclerizat p.in faptuI c ntr-o singur caPsul' cu un num
adecvaI de termilale' "a,r,
es(e
incorporal.un circuit elecoric complex. Acest circuit eleclrooic
con}ine, la urma urmei, tot
un ansamblu de blocuri fuqcionalc sau taje care se bazca' pe
dispo;itiv;te semiconductoaJe
sus. menlionate, utilizate in circuite ce reatizea funqiunile elec;onjce
fundamentale.

se cuvine s facem cteva scune considera1iuni pe marginea propriel'i|or


fizice
fundamenlale ale matelialelo! semiconductoa_re. Ele yor avea
pornind de la idcea c la disciplina dc Fizic' ln capirolcle
*
aio",.r'r,.i"t recaplaulativ,
de nzi.' .o.pulul solid' acesle
chestiufu au fost detaliat investigate. De asemenea eie au fost
studi..lc n.moa amnultJit Ja
disciplina de Materiale elccrrotehnice.
I
33

I
Majoitarea dispozitivclor elecllonice mode,ne srrnt realizate
Pe substlat de siliciu' si;
o laI8 rspldire avnd !s |i cele pe subst.at dc germaqiu, oe; gaio.",."o,
GaAs; indiu.
f::for' n|; etc. Principalele mateliale semiconductoare' siliciul lEo
si i"'.-i"''
chimice aflate in grupa a lv-a a tabelului Lavoisier - Nendeleev, a""ii"t,"ui"nt",
sun! elemente
AT' 2
e 2k" (3 ' 1)

I
pnn patu eleconi de valenJ. Rezistivitatea e]ect'ic a materia]elo. ""'u"t".i,"."
semicolductoarc es{e de
odinul 10.| . l0+J ncm' fiind mai ma{e dect a leta|elor, c"'".."'l'u.. " uJo.i Itr cxprcsia de mai sus A este o constalt, k este coDstanta lui Bolzmann, E6 este difelenja
lJ ocm
$i EIai mic dect cea a izolatolilor, caacte za1i prin valon
Peste 1o.l;o;;.
"ub ditre livelul ercrgetic tniDiE al beDzii de conductie gi nivelul encrgeic maxim
at beozii de
Condilia cc se impune Pentru ca matcrialele semiconductoare s prezinte valenfi iar T este lemPranua absolut. Peltru siliciu Eo ale vatoarla de 1'l2
proprlet1ile ev pcntru
I
neccsare'funcJionrii ca dispozitiv elcctrorric este acea de a avea geEBaEiu Yaloaea de 0,67 ev. I. tcmpera(ula de 3oo K;coDcntlajia $i
o srrucfut de monocristal. iEtrhsec de purttori
Aceasta insearnn c releaua c stalin a materialului tlebuie s fie de sarcin alc va]oaea de 1,45xl0lo cm.3 peolru siliciu, resPectiv,
ct mai pe.fect posibil si 2xl0|3 cmo pentru germaniu'
numrul de defecte ale ejelei tlebuie s fie placric neglabil' Aceste c\!B coBcetrtr4ia de ato.i .1 Date.ia'lul semicooductol este de ordbut to.l cnij
defect sunt darorate, n rezulix iroediat
principal, apariJiei inEEpltoae a unor atomi oe impuiitaji ci munrl de purt}tori de saIciD c.stc 'Ielativ" redus doci, semicoductorul ininsec prezut
ntrc atogtii seritconductonrlui'
Precizlm c ir Pfezent, pe Pment, cu tehnologiile acrual",...uu pu.u,
material semicotrductor cu diametrul in.jur de 70 nm' Se sperl c
vor putea cre$te $i monocristale mai mari, mrindu-sc astfe| capabiIitatea
i"uli,u''onocistale dc
in coqdi1iile dln spaliu 5e
o
'ezisteoJ
'elativ' mare. RezisteEla aceasta este !i neliniar, 9a depiBde dc cureor,
ac{sfuia' conduc,od la mrirea puterii d.isipatc care colduce la cregrerea
urmare la cresterca coDcentr4iei intriNci de putori de sarci!. Intrucet
ce$terca
tempelatuii $i ca
I
n curent a nurnlul de punto.i
dispozitivelor electronice de putere. de sarci! electlic negativ, electlotri este egal cu Eumrul de purttori de

I
sacin electric
Presupunnd un mateial serniconductol pur, Dumit inlrinsec, n poziliv, adic de goluri, materialul semiclnductor il]trinsec nu
fiecare atom se invecieaz cu patru atomj uniforE distribuili io
le,eaua sa cristalio Plezint alte plopriet'i speciaje.
spatiu. ei patru ercctroni oe Pentnr ca Elaterialele scmiconductoae s dobldeasc proprietile soeciale
cerute de
valelj ai atomului @nsiderat sunt pu9i in comun cu aromi din jur, utilizare'lo n teblologia dispoitivelor electronice' esteneces;cu p.io i.pu.in"*"
in laorul legturilor
covalcnre caIe se folmeaz. La o.K toJi etectronii de vale4 sunt

I
cup;in$i i; I;;tWi covarenc, s se .ealizeze semicolductoae cu exces de elecroni liberi, resectiv, semiconductoare "on.,oluia
cu
nu surt Puntori de salcin liberi 9i deci nu pot aparc cure4i ilcctricr excs de 8oluri libere. Precizn de la inceput c
semicoductoul se componi ca u'' izolaror perfeci' Principii'e
dc conduc1ie. Pri opcralia de jmpulihcale marerialul
rnrre rleutru din punct de vedee eleatlic da coDceBtralia unei ca(e8orii
mecauicii-c.u.i,,uce, apticate t" le pu.ttoi libgri de
co'pul solid semiconducto! studiat arat c o acest caz to'i electrolii sarcitr dcvine mult Eai mare dect concentatia celeilalte categoiii de puntori
de vaenia a atomiror ae liberi de

I
material au o energie corespuotoarc unii uena ac sarciB.
-semiconductor o.nlte band de
valenJ. La "nc'gie
tempeaturi diferite de trK, o pane diote elecrronii cuprin'i
pot primi enegie sufrcient de Ia re1eaua cristali! penrru parlii
itiiffilite covalente Petrtu lealizarea ului semico'ductor cu exces de electroli, numit '.ser.lconductor
de
a ia p,ovio. tp n'' la ca'.e raPortul colcentraJiilor de puttofi de sarcin este' n > p, se
Nivelul elergetic al acestol electtoDi cre$te, ci trecnd iot dte "to.ui" ""re Procedeaz la
bald de energle, numit impuIificare cu elemente Pentayalente, Dumitc "donoaje.. Din aceast caiesorie
de elemente

I
balda de conducJie. Ace'ti electroni, cale provin diD upelea lor me!io!trm fosforul, arseniul sau stibiul. Uo atom de .inpulitate doDoare.,
lcgturi coente qi care se ;rbstifuie un atom
afl in bandade colduc}ie sc pot dcPlasa liber in ittterio.ul le1elei de semiconductor di. cristalh. Patu di'te elect;Bii si de valenl vo. forma legluri
cri;alin;. l;'locul cae a fo
pfusil de electronul trecut in banda de. conduclie .r.n" '"jeaua
cova.leDte cu atomii vecini,
o ii""..i"r po"i.i"r ial al ciacelea, slab lgat' la telperatura camerei primeglc suf'icient
'''"injPe acasl
necompensat. spunem c in releaua crislalin a aprut un gol pozitiv. energie peDtru a sc desp trde de atoEul donor Si a se transforma iotr-un
eleciron de conduclie.
se Pozilie
I
poa|e dPlasa un alt elcton, aflat n ba'da de vateo,, care ic.}rimb doar ApariJia pc aceast ca] a electrolilor de coDducle itr monoc.istal nu este insolit
o legture covalent $i dc llaria
cu Prin aceasla' in mod apaent, go|ul pozitiv s-a dep|asat direc1ie
opui dc.8olui, ca umarc coDceltrajia de purttori de sarcin ncgaIivi va deveni prc<lonlittaot.
"lta. anur
lr oanqa oe valeol. ca urmarc Din ruperea lcgturilor covalente "ectroouI' Evideot c fu material vor exista |i goluri' formate confrm celor pecizate
pafiicul "libce'. n materialul iemicond*.o'i
au ap'rut dou catcgorii dc la n|la|iza
n.g"ii"iii.eil'.i'".o""ui"". semicoodt]cto.ului intiIsec da! colceltatia acestor goluri esrc practic ncPIiiabi|'
vn
"I."iooii
precim inc o dat c milcalea eIectonilor regativi
se datore;tc deplas.&ii ci;Eonllol trecu,i
in banda eorgetic de conductie iar miscarea g|urilor pozitive
irve.s, a electronilol afla1i irt banda etrergctic de r'en1
s"o."r*"'i" ;.pi.''ii, io s"^
Peotu obtileea uDui semiconductor cu exces de goturi, numit ''sirnicoIt<Juctot
p" la carc IapolNl colceutr4iilor puntorilor de sarcin este p > n, in
semicooductorului iotrilsec so introduc' atomi de lcmentc irivalente,
r|c ttp
rclcau cristi|l||| il
I
9i care sctrirnor oar o regitura nrirnitc 'irIr1rrrrit1i
covale.ut cu. alta' cele dou cate8orii de puntori u" acceploare". Dintre aceste eleme e tivalente me4ionm borul, indiul, galiuI
9i golurile
I
sau i|Iul|llll|ll|'
asigur conduc1ia culentului electric in scmiconductoare. '","i'i
r" "r."t'i":a,'"i*trinii
i"lnnsec ins
Atoeul de impuritate va satisface Bumai trei legaNri covalente cu atomii dc sonrcor(llrirof
'".l.'i""i"*i
colccntraliile de electotli, n si goluri, p,.sunt cgale' Valoarea
n' = n = p se nuDc'te vcin. Rmise plin urmare o leghlli covalent Desatsfcut. Ea se poalc
colt)l)Iui| (l| l|||
conceltralie intrinsec de purttoi' fiitrd dat de relatia' ' electroo diDtr-o legturl covalent vecin, proces carc las iD urEa lui un go|
pozlttv' Al,.ll||l
acesto! goluri lu a fost inso'it de fomaJea simultan
9i a unui
seBicolduclorul astfel impuifical vor fi goluri ! erces adic, "l.ct'oulibc..
Ca unl)i|lc i|!
conceDtralia dc purtlllot i {|c
salci! pozitiY va deveni preponderent. Confonu mecanismului de formare descris
]a anlrliza
I
semicoDductorului iotrinsec, in semiconductolul de tip p vo! fi ji electroni liberi dirr
concentajia lol va fi leglabil in rapot cu concentlaJia
8olurilor.
T
Jf
Coucentra1ia de electroni libei ditr semiconductorul de tip o' respectiv, concentralia ccl prezentat n Figura 3.l. Dcscrielea Batematic exac a fcnomeDelo din joncliuoea p
de goluri din semiconductorul de tip p dcpinde de gradul de impiicare a materia]ului, folosegre sistemul ecualiilor de baz ale dispozitivelor semiconductoale, scrise pentru
ca cste ior
o chestiune de ordin tehnologic da ale conseciJrlc extfem dc i.ponalte asupra caacteris|icilor volumul joncJiu.uii.] AceasB este o problem de fizica corpului solid care coDduce la calcule
fimcliona]e ale dispozitivelor lecronice realizate. I! plactic seiolossc des;i semiconductoac laborioase rr care sunt interesali specialillii implicali il poblem de tehnologia
cu gad foae mare de impurificare, notate cu simbolurile n+, respectiv, pl. semicotrductorilor.
Majoritatea dispozitivelor eleclronice bazate pe matcialele scmiDductoaro se obtin
pin reaiizarca pe molocrislalul de siliciu sau de germa.oiu a mai multo straturi,
de rip u sau
de tip p. Numul acestor strafuli| amplasara lor 9i colceDtraJiile de puntrtori
beri deiarcin
vor deild calactelisticile funcJionale ale dispozitivului electrodc' In lucraJ.ea de faJ voT fl
descrise mai multe catcgorii de astfel de dispozitive, fnici o ptctcntic de
a cpuiza P .---1.++. n
problemarica, ntrucai tr acest doEcEiu !mne descbis un cmp larg de ccrcehrc.

3.1.JoncliUna smiconduc.oare pn.

Aqa cum s.a pccizat mai sus, disPozitivelc electrodce scmiconductoae au n


construclia lor egiuDi ale rcJelei monocristaline cu divcrse inpurficri, att ca mrime
a
concenlraliei ct $i ca tip de impuritti. Jorctiunea pn rcprezint o structur fizic lealizat
intr.
un motoc.istal, care are dou regiuni vecine, una de tip p gi a'tta de tip n' Linia de
dcmarca1ie
dintre cele dou regiuni se nuBelle jorcIiurc Etalur8ic. sublideD irc o dat
c majea
majoitate a diJpoziivelor electronicc semicoaductoalc conlin uDa sau mai multe jonctiuni
c cl mai simplu dispoziliv electrolic, realizat cu o sin8ur joBc'iune este dioda !i
semicolductoare. Precim ns si faprul c o diod scmiconductoari nu se confuEd
cu
Jonciunea pd cae sttr la baza ei, [18].

Figura 3.1. Joncliunea semiconductoare pn.

s admitem c coEceDtralia de impuritti diq materialul semicoDductor este


N^ perrtru Figura 3,2. Explicativ privind caracteristicile joncJiunii
partea p,.respectiv' ND pentru partea n.a materialului. pn.
fuci, definhd prin r.i^-. No
conceotalia net de impuritti, Eodelul eal, unidimerrsional, al jonc1iunii pn
va fi conform cu
37
l! 8ene!a,l' in cazul lostru dc utilizatori ai dispozitivelof elecronice' studiul joDc'iunii
pn se poale lace in mod satisfctor pe un caz particular dc iE|pu|iicare' $i a'lume pe profilul
egiuoa de sarcio spalal, lgieca ei total se poate stabili cu expresia:
abrupt al concenu.aliei dc imPuritti' In acest caz admitem ipoteza simplificaioac c in zona

+ (+ **)
F;;-----;-------
p se gsesc lumai irpuritli acceptoae in colceotlatie colstant N^ iar io zona n se gsesc fo= fno *loo=^l Tro (3-4)
numai imPurit'i donoe, in conceDtlalie to! constatrt, ND. ca urmae curba conceolraiei nete I !J '"D rv.
de impurit1i devine confom cu Figua 3.2'b. Putolii de sacin, electonii golurile, sunt
'i metalugice,
in pemaflent mj$cajc, si d aceea, irBediat dup realizarea tehnolo8ic ajoltcliunii
Mai sus cu s-a notat Pcrmitivitatea electric absolut a matelialului semiconductor.
utr nuor de elecuooi din zona n mig.eaz fu partea p, rcsPectiv un numr de goluri migreaz
IYulte dispotiv eiecronice dobndesc plopritJi specia.le printr.o dopare selectiv
din zona p id zoDa D a subslranrlui de matelial semicotrductor. Ca urmarc, confolm
a joncliuilol. Estc vorba de ralizarea de cooc.nr'Jii mult mii nari de impuritIi
aproximatiei de golire, mateia'lul semiconductor, in jurul jo!9liutri metalrgice, se imPate i\ a joncjiutrij.faJ de]cealalt. Aceste jonc1iuoi se notez cu p+n dac N^>
inrr-o parte
rei re8iuni: o egiune de lecere, aflat tocmai B jurul joBcJiunii metalugice, marcat in \ >No, respectiv, cu
( pn+'dac N^< (No' lo acst caz regiuoea dc lrccelc se gsc;te praciic numi
Fi8ura 3.2,a prin domedul . l," (
x +l- $i dou cgiuni leutrc' p Ei n' aflate relativ '1
semicouductor slab doPat. De exetlplu' lrgimea ulei joac1iuni p+l va fi:
a panea de
deparle la stnga, respecriv, la dleapta de joncliulea metatu8ic. Toatc fcnoBenel specifice \
5i de goluri sunr
joncJiunii se petrec in regiunea de trccerc. Aici coDcentratiile de elecrloni ',

dife.ite de cele di zoncle p gi n cxtrcmalo, Fi8ua 3.2,c. Cooform aproxima1iei de golife. in fr ' 7,r ' (3.s)
regiunea de trecerc nu oai exisl pultoi liberi de sarcin electric. EletroBii caJe au migrat OJV^
in zona p din slenga joDcliunii metalurgice s-au combitrat cu golurile aflate initial io aceast
paJte a semiconduclolului. De asemenea, goluile care au trect in zooa D din dreaptajoDciunii
ID cazul acestojonc}iuni, plopretJiIe sPecifice depild lumai de conceqtlajia de impudt}i
metalurgic s-au combinat cu electronii liberi gsiji. ca urma|e delsilatea de sarcin de volum diB
egiunea slab dopat.
di! regiunea de recele va fi:

Q"=_Qa --lpo<x<o (3 .2)


o<x<l-no caracteris'ticr stafic a joncliu[ii p!.

Pe de alt parte golurile acumulate i! paea n si e|cctrotrii acumula'i in paea p conduc la caracteristica starici a jouctiunii pA se refe la fuuc}ia cac eIplicitea dependenla
apailia unui cemp electric impri'Bat E' Acest cmp are o iBtcDsitate de valoae relativ marc cuenfului pri.o joncJiune' I^, de teD5iurea de polarizae a accs|eia, v^. Luld in considerare
notaliilc din Figua 3.3, distingem dou sti posibile dc
deoarcce dieen}ele de potenlia'I mici datoate procesclor descdse mai sus se slabilesc iqrre Polalizarg a jonc1iunii: polarizarea
dircct, clld v^ este potiv, curerrtul pi! joncliuoc, I^' tczultind gi et pozitiv, I^>0,
Puncte oaeaplopiarc dil spaliul imcdiat ve.in jonctiunii metalurgice. Rezumnd, pc dc o
lespectiv, polarizarea inves' c,!d v^ cste D.gariv' cureDh' pri.Ejotrcliun fiind el neiv'
Pa.rte, in legiulea de trecere Bu se mai gscsc punod libed, ceea ce justificl si ltuEele de
egiune golir
I^<0. 'i
pe de alt Parte, eiist acumulri de sacnielect.ice cae geereazz uD cmp
plicarea teNiuqii de polarizae v^ mnduce la schimbalea cmPului electric E di!
'i, E, ceea ce justiic 9i oumele de legiune de saIcin spaJial dat aceleaJi
e|ectric impimar,
vecinlalea jolcjiunii cu cfe4l a$pra Dodiicrii echiliblului iaiJial existent inte cuentii
regiuli. din
joncJiunc' care sunt cuteoli de difuzie 9i cuIeDJi de cmP.
Regiulile p si ! exuerale au o comportare ideltic cu aceea a dou smicotrductoale
seParate. In acgste re8iuqi neutIe Bu exist sacio electric net.
PolarizalEa direct a jooc1iuuii pn conduce la micsolarea Yaloii cmpului lectric
Revenind la e8iunca de trecere, difereop de potenlial diDte limitele regiunii de
im, pn la dispadjia complct a accstuia. curcnJii de cmp scad in timp ce cuen|ii de
difuzie cesc' Apale procesul de itrjecjie dc pWtrori minoritari, feDomenelc de recombinare
saciD spatial se Dumelte difere4 intem de poten'ial, [l8l. Valoarea ei este dat dc
a pgechilor elecuotr . gol dcvedtrd prepoDdercnte. cuIeEful pozitiv priD joncjiuIe,
unntoarea expresie: I^ > o, ae
trei compooente: curentul de difuzie a goltri.lor, (a), curentul de difuzie al elictronilor, (b)
9i
x,uo'-&T _ N, 1V^
(3.3)
curentul de rccombi.oare a perechilor elcctron - gol din.regiuoea de trecere, (c).
poziv Pri-u joncliune are valori relave mari.
Cureltut
Z Polarizalea invers ajoocJiunii po conduce l a cre.'terea valorii cmpului elecrric intem.
ca umale cr,[e4iide difuzie scad gi cureflIii de cmp cresc. Datorit crnpului electic cresc]rt
predo'ni; feomelele dc geulae de Perecbi lectrcn -
In relalia de mai sus semnifica'ia mrimilo! care intervh este: k . constanra lui Bolzmann, T. 8ol, carc Punt; de sarcin, odat
apntji' 5c li despart. cuetul negativ priljoncliune, I^ <o' are el trei componente: culertul
temperatua absolut, q. sarcina elemental a electroDului' N^ . concentra}ia impurit|ilor
a.:ceptoaIe' No . concentra1ia impurittilo doltoare
de difitzic al electronilor, (a), curetrnrt de difuzie al golurilo, 'i(b)
$i cu[enful de generae al
!i n' - cocetraliaitrinsec de puttori perechilor electro[. gol' (c)' cu!nrul legativ
diJl substarul de semico'duclo. Cunoscnd difernJa inlcm de care caracrerizaz PriD joflc]iuBe aIe va]ori lelative foarte n ci in
Poteial aport cu curenjii Potivi coespuDzloi funcJionrii la polarizae dircct.
3B 39

Pj=V,r*=3P1ux (3.8)
fcnomcnul minc reversibil deoaEce temPelafura in veci.trtatca joncjiunii nu ajunge la o
valoe la carc mat.dalul seBicolductor gi-ar schimba iremcdiabil p.oplittite prin topire'

Figura 3.3. ConvenJia de semne pedru tensiuni


gi curenli la studiul joncliunii semiconductoare
pn.

Fr demonstlalie prccizm c expresia maiematic a caracteristicii statice ajoncjiunii


pn, la polarizare dircc re foma:

, 1:-4 . ga Figura 3.4. caIacteristica static a joncJiunii pn


kr - 1) + .o9r zkr - L\ (3.6)
T. = .od'-
. T-.(e T- (e'
cuprirx in cadanul I.

In cxpesia (3.6), lod esle co&ponenta cuenrului de saruaic corcspuDztoale proceselo. de


difuzie gi componenta curctrfului de sarura}ie corespuDztoare fenoEeoelor de 8eneae.
Io!. este strpungcrea invcrs a uneijonc;iuni pn poare apare darolit urmtoarelor dou Dloccse: Pe de
IecoEbinaE cale caacterizeaz p(occsul conduciei in joncliunea pn. Pentru ca]culele plactice' o Pae .tlpungerea invers este u! rezultat al multiplicjrii 1n avalals a punt;rilor liberi
de
in diferitele schemc clectronice, rezultatc sarisEctoare se obJi.o cu Elaia aprcxiEativ: saJch electric. Acest enomcrr apare iotruct cmpul electric foate in.ens din retiunea de
sarcin spaia] poae imprima o ener8ie cescuttr purti(orilor de sarcini-
qV,
= :0T | ntr - 1\ (3.7)
\e

Mai sus, m reprezint o coDstant coostructiY carc i! mod uzual ia valoi cupinse intre l gi
2. Figua 3'4 prozint po4iunea de caacteristic slatic a jonc'iunii pn cuprinse in cadranul t
$i contbrm cu expresiile (3.), respectiv' (3.7). Tensiunea vF nu poate dep'9i n mod uzual
valori cupinse ntle 0,8 9i 0,9 volt, avnd ca mrime tipic 0,3 v in cazul jooctiutilor pn
ealizate pe substat dc germaniu 9i 0,7 v in cazul joncliuoilor pn realizate pe substrat dc
siliciu. La dispozitivele optoelectronice pe substrat de oa As, aceast tensiurre esre injur dc l

si.pu geiea jonciunii 'este ul fenonie& carc aparc la funcjioBaIca in cadanul lll,
]a polarizare invers, atutrci cod tensiuoea aplicat circuitului arlodic' v^, devine mai mic
decit o valoae vBR, numi( tnsiune de strpungerc. Figra 3.5. strpugerea invels a uDei
joncliuoi pn nu este uq fenomeo disluctiv. In msura in cae curcoful itrvers prin joncJiue este
limi{a la o valoare IRM la care puterca disipat rrfne sub valoarea mxit admisibil, adic; Figura 3.5. Caracteristica static a joncJiunii pn
la polarizare invers.
40
4t
Pe de alt Parte, in cazul ma(erialelo semicotrductoae cu concentralii mali de
in coNiderare ca o rezisteo dc valoale iBfinit' iaIjoncjiunea polarizat direct ca o lezistenl
impuril4i, ca.c dep|esc va'loi de ordinul lollcm.J' strpungerea inves poate apaIe pin efect de valoarc nul.
zener. Acest efect conlt n apari'ia ului trum;J mae de Purttoli liberi de sarcin electlic
pin rupera legturilo covaletlte din monocristalul de semiconductor' datoit acluqii direcle daca Vn < O
a cempului electric. In egiunea de srpungc.c inves a caracteristicii statice, tensiuBea la Rax= 0 daca 7n)O
bomele joncJiunii pn cste Practic ildepende de curentul prin joncliune. Aceast cgiune a
caactclislicii stalice se nume$te egiune de stabilizae. PrczcBla acestei regiuni de stablizae
este exploata! d disPozivele electonice folosite in cicuirelB electronice 8ereratoare de
ln accst rEodel foa|'e sinpijicat s E.Elijeaz deci cure!.iii irrYIsi prin joDcliulie blocati,
tensiune sau curen! cons(a!!, espectiv, in cicuitele de |imitare mPotiva supatensiunilor de
espcctv, cdedle de teDsiule pe joncJiunea aflat itr coEducjie. Acest Dodel estc deosebit de
!c|ea sau dc comutalie. Alturi de valoea curentului direct prin joncjiuoe, tensiunea de ulil la alaliza calitativ a circuitelo! cu dispoitive clectotric de putere. Prill utilizarea sa se
strpungere, VgR esre un al doilea palametru esnlial in ca'actedzaea ueijonctuni pn. In mod picrde instr posibilitatea dc a se obne informalii cu prirc la pierdelile in dispozitiltl
uzual, ensiunea de stpungee este cuprins inrre valori de ceJiva volti valo.i de ordinul electrcnic.
milo de volli. 'i Dac uu se Poate trglija cderea de teniune pe joncliunea alat n conduc;ie gi dac
ID general n analiza circuirelor electonice ste dificil de lucral cu modelul rea'l al
in bilanIul pierdlilo dc pulctc iDjoncJiune co ea doai pielde lo directe' atunci unul dintre
joncJiunii Pn, dar de expresia (3.6) sau de expresia (3.7). De aceea esle util s |um in
urEroarclo ci model silDplifrcat ale jouc1iunii pn poate fi eventual luat iD considelare: |n
considerae cleva mode|e simplificale ale joncliunii.
cazul joDcliunlo. p cu caractcistica apopiat de fo.ma venical fu cadlanul I se poate aborda
s varialta diB Figura 3.7, la cale joncJiuea blocat este considerat ca o lezistenJ de va'loare
A^
^rt'^ ^x

}
u
A -- x
H){J-=-..--o

Figura 3.7. Modelul simplificat al joDciunii pn


cu cdere de tensiune constant.i la polarizare
direct '

iD|rtrit iar io stale de cooducJie este asimi|at cu o surs de leDsiune clltinu constant de
valoare v^o, cu rezistelta btern !ul:
Figura 3.6. Modelul idealizat al joncliunii pn.
Rar= - daca VA < VAo
(3.10)
o Pim vaianl este aceea de a admile o analogie total intre o jolcJiuoe pq si uD .R = 0 si V^ = Vao daca vA > vAo
contacl electromecanic s. Figura 3.6,a. Prin aceast simplificae extem, calacteistica slalic
a jonciunii devine de forma plezentat in Figua 3.6,b, joncliunea polaizat inves fiind lua
42 43

Figura 3.8. Modelul simpliicat al jonciunii pn


pentru aplicalii la curenli de valoare mare.
Figura 3.9. Modelul combinat al joncliunii pn.

In cazul jonc'iunilor pn car funcJionea fie in stare btocat, ne in cotrducie' la


curen;i direc1i dc valoare semnificativ, se rccomad utilizalea uDui oodcl conform cu cel din
. Modelul iodicat io Figura 3.9 lepezint o combinalie a celor dou variante
descrise. Este luat io considerare at! tensiuoea V^o ct
anterior
9i rizisteop R^* |a punctul static de
Figura 3.8. Aici l^w reprezi[t curenrul Prinjoncliune la punctul sbtc dc func|ionale iar v^w fungiomlc. ca umale ti acest cazjoncJiunea va fi reprczentat prirrtr-ltzilsren1i
ae valoare
cdeea de teNiune la bornele joncjiuBii, coiesPunztoarc cuIeltului I^w 9i stabilit pe idioit la teruiuni mai mici decr v^o 9i priotr-o rezisten1 de vaioare finit R^*
la tnsiunile
caac.erislica stalic eal sau cu ajutorul modelului exact al joncliuii. JorcJiufta va fi luat de lucu mai mai dect v^o :
n considerare ca o rezistenJ de valoare inilit aturci c.od este polarizat invcrs, Iespectiv'
ca o rezislen} de valoale constatrt, R^x, atunci cnd se gseste in conducIie:

daca v^ ( veo
Eex=- daca V"<0
v,". (3.11) R^* = \!:l!! daca Va z Voo
(3.13)
Rax = -!! daca V^ ) 0

Expre5ia simPlificat a caacteisticii statice a joucjiutrii aflate n conducJic estc si ea foane Expresia-analitic corespuiztoale furc|ionrii joncliunii pn n cadrarrul I, la lensiuni v^
simpl:

\3 tz
^=+
. )
(vA _ vA) (3.14)
.'AK

se poale imediat constata c folosiBd modelul simplificat din Figura 3.8, joBcJiurca este
asimila! cu un elemerrt de circuit care are pierderi nurrrai in cotrductie $i aceste picrderi sunt
propo4ionale cu patratul cureDtului prio joncjiunc. Degi.implic ud model ceva Eai complex' acest uItim variant ofe lezultate
supc.|oarc, mai
a'Ies in a'aliza si sinteza circuitelo dc putere.
44
45
schcEa echivaleEt a jonctiuoii Bai cooli-oe li rczisteB}a serie a strucfurii' Rs, a crei
va]oafe
se shbil.sre di! calacteristica stalic !i cale modelcjz efectele de la nivel
riare de injec1ie a
puIttolilor.

-.
tinpul..I!elaliilcdeDaisus4rcprezitrtariajorctiuoiiscEiconductoaropllialoTeplezlnt
de vial aJ puntoilor mobiIi de sarcin. se'miicalia tuturor clotlalte n]Jimi care
intervi! a fost explictat pe Pa'cutsul plezBh ui capitol.
Mgdul de folosire al modelului din Figura 3.10 este derermiuat de polaiizatea in cu.ent
coEinuu a jociinii. I-a polaiizc invcis caPacitatca dc diFzic cstc ncglijabil, iczistc$a
Ld inler! se coasidcr lrrfrnit 9i lczisten1a serie 5e Ee8leaz si ea. Coite"'l deci umai
de barier, C"' desprc caIe sublioiem c depinde de tensiunea v^. l
:Pacllata Poladzale
Figura 3.10. Modelul de senmal mic joncliunii diect,.la nivele mici dc semlal' se poatc ne8lija capacitatea de baIier
pn.
al $i e;isten1a serie
Modelul va c.4i.Be dcci nuDai tcziste4a intem Ri caPacitatea de difuzie Co. In sfrlit,
\.
ia
culcnJi I de valoae Elale se Ya lua in considemre doar 'i valoarea Ieziste4ei serie, R..
. Trecerca unei jotrc}iu!]i pB di! starc blocat in stalc d conducJie
$i inves nu se face
i.ustatrtaDeu dirl cau c eslc itrsoJit de proc.se de acumu'lae sau de elirninare de purttori
In circuitele elcctronice liDiare, atunci cnd jotrcliunea pn prelucreaz semnal mici, de
modelul din Figula 3.l0 este cl mai recomatrdat. se lemarc fapful c acesr model esre a'lctuit
sarciD. Acesk feqomene, Dumite dc coDutaie' vor fi detalial ana]izare la studiul
caacterislicilo ditramice ale dispozitivelor electonice bazate pe joncliuDi semiconductoare'
din dou rezislenJe 5i dou condensatoae. RezistenJa R. es(e rezistenla intern a joncliunii,
avnd valoarea dat de expEsia:

3'2.contactul metll . semicoductor.


KT:
(3.15) co acful dillre u.! metal!i u! seEicolducto replezint o strucfur izic cu
Proplieu' speciftc ce apare in toatc dispoitivele electonice' [l8]. In mod automat, pril
tebnologia de [oollae a temiDalelol compotrentelol electronicc se cleea coDtacte
metal -
semicotrductol' cale este de dorir s prezinte un caracter ohmic, cu lczistenJ ct mai rnic. 1n
cb este capacitatea de baIier, a cIei mrime rezult di.tr relatia:
a.uumite coudijii iEs contacful metal - semiconductot poatc avea
si o comportale asemntoaJe
vb0 uoei jolcliuni, caz n cae el se numegte contact redresol. Propriet1ile de care beneficia7i
cb co acrl dir]tre uu Eetal si un semic,Bductol depiad de natura metalului. de nafua
(3. 16) sediconductoului 9i dc gradul de impurificae al scEicoDductorului. In conrinuaIe se va
-; ploceda la o aDali succint gi ct mai intuitiv posibil a
Poblemelor legate de conractul meta'l
- semicolducroa,
Supraf4a semiconductorului lepreint o discoEnuitate in taPort cu stuctu ra pododic
a solidului di'' i.uteriorul monocistalului. Atomii de la supnfala semiconductorului nu
In relajia (3.16)' C' reprezint valoarea capacitJii pentru V^ = o, adic:
mai au
veciqi in cxterior pentru foroaea le8fulilo covaleote. Ca rrrmare, pcntru aceast regiune
mi'carea electronilor va fi guYemati de aPaliJia in banda interzis a unot nivele eoergelice
QENp (3.L7| sPccifice, lumite sr.i mpide de suprafal. ExisteD|a acestor sti rapide de suprafal co;duce
2 la modificri i zola adiacent a solidului care se tIaduc pril apa'i1ia unor reliuni golite.
"o ln cazul unui semiconductor de tip n, electrcoii din apropierea supraf4ei au tendiuF
de a ocupa complet stIilglaPide dc supafal. Rczult c la suPlafala mooocristalului se vor
acuBula salcini electiice negative ia! in volumul su saIcini electice pozitive. h acest fel se
cd teprezint capacitatea de difuzie, care ae va'loarea:
va forEa o tegiune golit, caracteIizat printr.un cmp electric imprimat E' orientat di'spe
interiolul Eaterialului ctre suplafa}a sa' FiguB 3.l1' Accst cmp electlic E se ooune
cd =
@or. (3.18) tansferului.ltr coutinuare al electronitor citrc suprafa,. ca urmae se va ajunge la o stare de
zkr ecbilibru dinamic caracterizat Pritr faptul c' trumai o Pane din stile -rapide dJ suprafa1 sunt
comPletate cu electorri. S presupunem acum c semicotrductoul de tiD n aralizat se aduce in
contact Bemijlocit cu un metal' Figura 3.12. Rezult imediat o l8ire a regiunii golite de la lo'
46 4'7

la lo di! cauza unui proces suplimeDta de transfer de electroni, pe de o par1e din balda de
conduclie a semiconductofului ctre orctal !i, pe de al Pate, din meta] pe stlilc rapide de
E'
________-____>

E' t4
+
S
p

t'4 +++ J
n
Figura 3.13. Conractul metal
, I'o ,
semiconductor de p p, (a).

Electlonii.caIe ocupau doja strile rapide de supafal trcc iB


Figura 3.11. Contactul metal suut
.
livclc
banda de va]enJ, unde
erelgcticc liberc. ca u.Eare potenJialul suprifgei semiconauctoruluiacvin
semiconductor de tip n, (a). jar al volutrului su devinc pozitiv
rcgativ. si in acest caz apare un cEp electfic imprimat
E, orientar
ins.cte interiorul semicooduclorului, Figura 3.i3. Acest
cmp sc o|uc i.an"re.tui in
contlnuae de electroni' ca utmare, echilibru zona golirl va
|a o l.giie to,. t,, rnom"nrul
"'ea
suprafal neocupatc. strucrura caIe a rzultat ln acest fel ae un cancter ledresor, asemnror
jooc|il.utii Pn. ast la baza diodelo schottky, a{a cu se va vedea in capitolul urmtor.

M W''-
p*
S
p
Figura 3.14. Contactul metal
semiconductor de tip p, O).
I l* * + +

M -l+++
: l. + + + + + S n cate supafa|a libe a acesrui semiconduclor de tip p 8e aduce
ir conlact cu n metal' nccpe
++ ++ n ul proccs de traDsfer de elcllotri dinsprc mctal spre scmiconductol.
Acegti electroni ocup
s|rilc rapide de suprafa' si micaoreaz sacina pozitiv existent
aici inainte de contact. Poare
apa.e chia unxcedent de sacin negativ la suprafa1a
de cootact' rn .|"'iiJ ..giun"" gorite
va dispare, apnd chial un sIrat de acumulare e goiu.i
ta sup.ar4a, riguial.tq. contactul
astfel rezultat, futre-un metal gi, un semiconductoioe tip p,
are u
Figura 3.12. Contactul metal caracreristic terminalclor tun.or dispozitivelor electronici. "a'"lt..
or.rnl",
"t
tiina
semiconductor de tip n, (b)-

. Cracteristica static a contactu|ui Deta| . serBicorrductor.

Figula'3'15 prezinr modul de


Irrcazul unul semiconductor de tip p' la supafa1a de separare cu mediul au loc procese . .
semicooductor gi co[vcnlia de snDe
atasae al te.minaielor la contactul mctal .
similae celor descrise mai sus. adoptat pentru rensiuneala bo-", v^, ii."uu .u."n,ut
prin dispozitiY, t'
48
49

coltacful Eetal . seEimlductor cu calacter oh.Eic are caracteristica static de forma


plezetat i! Figula 3.17. ceast caacIeristic slatic este bidircclional !i poate fi aproximat
cu relalia:

,_L-,
-A--p uA
"c

& leprczint ezisteqJa contacnrlui, care Pritr tchnologie adecvat trebuieste ealizat de valoajc
cet mai mic.
Figura 3.15. Terminalele gi convenlia de
semne pentm contactul metal
semiconductor.

I' acesle condi'iu$i, peDtru contacful metal . semiconducto de tip n' car9 alc caracter
edreso!, forEa caracteristicii statice rezuli di! Figura 3.16
9i este dat.de exoresia:

qv^
r = r aTi - rr
. Ll
(3.19)

ln re|alia (3'l9), b esrc cun|ul de polarizare invels, dat de legea emisiei a lui
RichaldsoD:

s0.
o=AoA,T2e kT (3-20)
Figura 3.16. Caracteristica static a contacNlui
metal . semiconductor cu caracter edesor.

FaJ de Eimile folosite deja in acest caPitol, in exPresia de mai sus mai aPa':
stucfur, A. . o cotrsta.ot cu valoaea de l2o A cm.z K.2 bariera de potenlial 4 . ada
calactelistic contactului $i ildepeldelt dc
$i Q", o problco dcosebil apare la accle termimle ale dispozitivclol electronice uDde
PolaIizale' colhcnrl metal - seBiconductol a'c calacter ledlcsor, afectnd fu accst fel caracte sticile
se poate
constata c formula caacieristicii statice a cotaclului metal .
semicolduclor funcJiolale ale iltregului alsamblu. Itr acesl c..tz se procedeaz Ia impuificarca
cu calacE redesor esle similar cu cea a joncJiunii pn, pe[ru cazul m
= l. cderea de seEicoDductolului cu iEPurit}i io cotrceltraJic mare, realildu.se o stlucfur n+. ca umaJe
elrsluDe pe strucora polafizat dircct rezult mai mic, n cazul
siliciului, de exemplu, regiuuca de sarcin spa;ial va l foae sub1ire gi curenrul invers lo va deveni foarle mare'
jonctiuea ptr are 0,5 - 0,7 V iB tiEp ce contactul metal _
semiconductor de siliciu arc doar 0,3 Accst faPt este e{hivalent cu o colduclic iD aabel seosuri' Asa cum se va Yedea lot in
- 0.4 v.
capitolu.l urmtor, anulajea caracterului ledrsoI al contactului metal . semiconductor
se face de fapt pdtr cearea colrdijiilo! de apaijie a efecfului tulel.
50

4.DIODE SEMICONDUCTOARE.

cesr capitol este dcstinat culoastelii diodelo! ca elemeff de circuit electonic. se vor
abolda caacteIisticile fiuctionale si performantele diferitelo! categoiii de diode, asociat cu
cunoa|terea unor circuite fundaEcDrale in cae rolul definitoliu pivind furcIia electronic
indeplinit il au tocmai accstc componente clectronice. se va evila ins analiza acelor cateeoi
de circuite cu diode ledlesoarc ca'c iltr o domeniul de pcocupri al e|ectronicii de puiere'
Io geEelal prin diode vom iBtelege dispozitivele electronice car se bazeaz pe
caBcteristica static ajolcfulii pn sau pc caracteristici stalice asem.Doare acesteia. Vom trita
Figura 3 . 1 7 . caactelistica static a contach:lui
diodele conform unei clasificri func;ionale' clasificare carc lc mpanc fu .mtoaele categorii:
metal - semiconductor cu caracter ohmic.
diode redresoare, diode de.eoare, diode de comutatie, diode Yaricap, diodestab|izatoare,
diode tunel' diode schottky' etc. Diodel redlcsoare, care au o selie de cancteistici
funcJional . colstluctive si aplicative specifice se vor analiza iDtr.un para8ra separat.

Consideraliunilc de mai sus reprezint doaro succint recapitulare a problemelor legate


de mecanismul conduciei cueurului electric in semicoducloare, suficieDt ins pentru
4.1.Dode redresoare.
inlelegerea functiootJii difedtelor dispozitive elecEonice, cu care ne voqr ocupa iu caDirolcle
urmtoale.
Diodele ledresoarc, tl7]' tl8]' t35]' t361' t37]' t38], t46], t66]' suut dstinate
aplicaiilo de conyersie a ener8iei de curent alte.nativ iD energie de curent continuu. In
aceste aplicalii paametrul cel mai imponalt cse cei ii.iana -encrdticzliiilceii ilciriv
diodele redlesoare se realizea ittl-o gar! foaIte laIg de tensiun li cufcni, cupriDzeBd vatori
de la zeci de volJi si amperi pn la cteva mii de volti si cteva mii de amDeri. Din Dulct de
vedee tehnologic' aceste diode folosesc aproape in exc|usivitate c mate;ial semic;nductor
siliciul. Acestapoatc fu.Ectiona la temperaruri marj, deci dispozitiyul electronic obJurur va pulea
luca cu incrcarc in curent mare !i la tensiuoi iqverse de stIpungere mari. Dc asemenea
culenJii inverli sunt mulr mai mici in cazul folosirii substrafului c. siliciu fa! de cazul celui
de germaaiu, deci pierderle iu dispozirivul afla! in sure bloca sunt
9i ele riduse.
Diodele redresoare sut diode cu joncliune pn. Ele r'zult prin atala'ea lacele dou
zone-ale oonocistalului, dc tip p, Iespcctiv, dc lip n, a doi clectrozi numi|i anod, respectiv,
catod $i incaPsularea corespu]tztoae a dispozitiwlui' specruI caPsulei esle detcmna( de
curentul direct maxim admisibil, ..nsiunile ivesemaxime suportate n stare blocat
5i de
domeniul fecvcnlelor dc lucrr! recolaldate. :]ractic roli ace'ti pJametri stabilesc piede.ile
de Pute.e care apar ln dispozitivul e]ecllonic h timpul lucrului
s;. in u|tm instan, cantitaea
de cldu ce va trcbui evacuat din vecintatea joncliunii. Dioce]: redesoare d mic Duterc
snt montaIe in capsule de material plasc sau din melal. Ele se monteaz direct pe ciicuitul
52
53
impima!' alturi de ahe componen(c| rciea lor fiind natu.al, ' a i posibil arasaIea !lui
radialor. La diode|e de medie Putere se folosesc capsu]e semntoare tra&isto;lor. cu este malcat cu cifla l, tind de forma unui cilildru cu dametul de 10 . 25 m'E si ioltimca de
PosibilirE de montarc Pe circuitul imprimat iozeslraIe cu radiatol adecvar salt cu oosibilitatc 0.3 .0.4 Erm. Acest moBocisIal se 8sc'te intr dou discuri compeusatoale de temierarur'
de montaJe directtr pe ."diator. Acesae lucnrri s-au tratar detaliat Ia disciprina dc rehnorogii 3, realizate ditr wolfram sau molibdeE. Acest a.osablu se gselte fu corpul diodei, 5, contactul
electric. |i electronice' La diodele redresoale d mae !i foart ..e pui"," se elec|ric adecvat rezultnd prin presare cu o fo4 plesrabilit' cu ajutorul unor arculi taler sau
Drocedeaz
numai la o incapsu]a'e adecvat montrii pe radiator' cu posibilitate de rcire cu aer sau cu a] unor acui ilelae, 4. corpul diodci, priD piesa de legfu 2 se poate moota' prin
lichid. Rciea poate fi uuilateral sau bilatcral. In cazul icirii cu ael' aceasta itl'uubac,pe radiator' Acesta reprczht 9i ulul di.Dtre terBi-oalele disF|oziti!'ului electronic.
Poate fi prin
cooveclic natural sau fo4at. La rctea oat cu lichide se pot folosi chiar gaze lichefiare. cellalt termioal este accesibil pdn piesa de colexiuoe 8 care, prin conductoul flcxibil 7,
9i
ptulde in ilteriorul corpului diodei printr-o trecerc izolaDt, 6' realizat din sticl sau
cIalric. Din Eotive de siDplificarc a tchnologiei de Eontare-a cicuitului electronic' se
ploduc diode cale au fi anodul, fie catodul legat la
Piesa de legtur 2. se colstat c o diod
redresoae ae o tehDologie de rcalizaro mmplcxl ca inlenleaz intr.o utsur lelativ mar
chia 5i palaBetri si dc oatur electric. De oxemplu, eziste4a diodei aflate in conduc}ie este
o rezultant atat a Paramctrilo semicotrductorului ct !i a rszisteo'ei obmice a pieselo! ce
iDtevi i! Pocesul tehlologic de realizafc a disPozitivului electronic.

IA
Iosr,r

Ionu

towlr
IA

EE
tl
'; UR

Ao----ttt-
-. r

Fig,4.2. Caracteristica static si


simbolul diodelor redresoare.
Fig.4.1. Explicativ privind
construcia unei diode redresoale
de medie putere. Rezult deci clar c o diod Tedresoare nu este tot una cu joncJiunea pn caie st la baza
ei' Putem reveni acum la Problcmatica Plopriu-zis a paragraf,rlui nostru. Figura 4.2 prezint
caracteriica static- a unei diode redresoare asociat cu simbolul ei. Aceasl caacteistic
Cu scop de exemplificaJe, in Figura 4.l se red o sec}iuae pint.-o diod redresoare sttic, rcP.ezilt depelde4a cuetrfului alodic I^ d valoarea tensiunii a]od-catod, U^, esre
de Putee, prvzut penEu a furcliooa montal pe diator, cu cupri$ itr cadralele I !i III. Po4iunea din cadalul I corespulde diodei polarizate diect 'i !i
rcire unilareral cu aer, prilr
conveclie natural sau fo4at' Monoclistalul dc siliciu care st la baza dispozitivului aflatc ln conducie, respectiv, poiunea din cdraoul IlI corespunde dispotivului electroic
ele.!.onic
blocat, cae preia tnsiuDea de Polarizae iovels la bolDel sale. Figa 4.2 Du lespect intru-
54
55
tonrl p(oPorJiile dinte imile clectrice cae intervin, ea avnd in primul rnd uo caracter
calaloagcle de diode indic de obicei scpalat cele dou po4iutri ale caactcrsticii
explic.ativ. sunt eprezentali o serie d para.oetri calacteristici crc au utr rol seotial in
statice. Figura 4.3 eyide|iu car8c-tristica static la polarizare direct pentru o diod
unei diode peltru o aplicatie dat. vom plezeota succint acc$ti 'Iegerea
Pametri. Pe Poiulca de rcdrcsoale. se remarc fapnrl c la dqsitti de curcnt mici, de ordinul a 10A/cm2 aceast
caacterislic static ditr cadranul III lomarcm:
caactclistic este o dleapt, aploape veicd.La densiti de curent ma!i, de ordinul
- URWM, tensiurca invers' de lucnt maiim admisibil. mDlitudilea tcNiunii sursci de
l00A./cm2 caracteristica ilccpe s se illcliJrc, iD rcgim dc suplasarcin dioda componndu.se
alimen|are a motajului electroic il care fuflc1ionea dioda nu ari voie s dep$casc aceaJt
ca o ezisten. ca$cteistica di.cc depinde !i de tempcratura la cae |uceaz EoDocrista'lul.
valoale. Intl.u punct de funcJionar, la o teNiuDe inversa U1, prio diod va trccc urr curen.
rezidual invers IR. Deci in dioda blocat apar Pierderi care la tcnsiuni invcrse de lucru normale lo doEeniul incicrii de duat' cldelea de leDsulc dircct cste Eai mic Ia t, = loo"c dect
la t, = rs.6. La incrci mai mari,
.ln
se ncadreaz ln valorile indicate io cataloage 9i care, in foatte multe cazuri sunt ncglijabile'' domeniu| suprasaJciilode scu du;at, cderea de
tensiurc la bomele unei diodc creste pronunlar cu temperatura.
- U"*u, tensiuuea invcs repetitivtr Daxim. Este o tensine ioves dc valoalc maIe
cae poa{e apale' pentru utr tEp oaIte scurt, o singu! dat, in ficcare ciclu de frulgiouarc al
diodei. cre$lerea curentului ilvcls p durata existe4ci tensiunii UnnM nu modiicl scmlificaliv
pjerderile lotal din dispozitiwl clectrolic. Acesr paramctru este iame ieponaDt
di.u cauz c
el permile o alegee ralional a circuitelor de proteclie mPot.iva supratensiunilor de
comuta1ie
$t a celor cae proviE din reeaua de a]incnlarc.
. UrsM, tensiunea invers de suprasarcb maxim.
R.prezint uo livcl de telsiulc cae
poate apare numai accideqtal la bomele dispoitivului electlo'ic. Accast
tcnsiuc invcrs
conduce la o crcotere nepermis a curcnniui rezidual invers, ceea ce are ca efect
suoralncllzira
joncliutlii' De acca teNiunile de valoare apropiata de U$M tlebucsc detecre
cu relee
electro\Lice de tensiune de vrf, circuiful in care firnc1ionea dida ebuind a fi
decuplar inE-un
interval.de timp dat s ce| puti'u petrlu un interval de timp prccizat o cata]o8. Dulata minim
a decupllii este $i ea dat, fiitrd depcBdent' de condiiite e rcirc.
MIinile semnificativc de p po4iurca de caracteristic static din cad.anul l sunt:
- IowM' cuentul de lucru Eaxim. El este curentul co inuu de
dat la care picrderile
directe pritr dispoziti!.ul electronic au o astfcl de valoarc inct cldua produs iq veci!tatca
joncliunii poate fi evacuat in cooditiile de ciIe indica.e dc
ctre pductor. Dioda poate
funcJiona timp nelimita! in orice putct de functionarc inferior, caracteiizat prin
l^ si tensiunea anod . carod U^. Di! pulct de vedIe pu. func|iolal
curennrl aaodic Fig.4.3. Caracteristica static a diodei
ios' di;potivut elec!oBic
poate pe|ua in conduclie curenli de valoalc Eulr mai mare. edresoare la polarizare direct'
- IDRM, curentul direct .epctitiv tnaxim. Este valoaea maxim a curenfului prin dioda
cre poate sa apar, o sidgur dat, iu fiecare ciclu dc funclionae'
fr a afecta re8imul tcmic
al dispozitvului electrorric. In geneIal vIfurile .epe(itive
de culeIt apar in circuitlc elegronice
dio cauza procese|or de comu(alie !i valorile lor pt fi influeotate pri; modifica-rea pantei Pentru calculul pierderi|or difectc i! dioda ledresoare vom lua iq considerare
dl^.ldt
de varialie a curenIilor prin diod. caracteristica direct din Fi8ua 4-4, pe caJe pin inrermediul talgeotei la caracteistic s.a
. IosM, curenful direct de suprasarcin maxim' defilit tensiunea de la coful dc sarurare a joncliunii, U^o, caje !e valori uzuale n jur de o.75v.
RepeiDt cea mai mar. valoac 8dmis
pentnr curentul dc suprasarcin prio diod' In urma apaiJiei u.ui Tot pe baza igulii 4.4 s poate defid rezistena difcrenJial a diodei, in jurul ultui punct
curent de aceast valoare
cderea.de. teflsiune. diect U^ devie ata! de mare.utpierdeile
de puterc coDduc la
static de funcJionalc I^, dup cuE ufEez:'i
du. (i,)
suplainclzirea plactic instaotance a monocris(alului, suprarcilzire
iii cielufii urmioaie dc fuacjiolarc. ca uima:c u curent de
care nu mai poate dispare
LU.
'''a!oare :propia* e I^". poele -d- - - l:. -
rl suponat de dispozitvul elcctronic u timp limitat, dup carc circuitui --;;".A alA
pentlu-un inrcrval de limp dat. Ace$ti timpi sunt precitati
tr;uicltc dcconeclal
TI . U.^ (4.1)
i! cataloage. IJr general o alegere - - A-----l!! = nrnn
co.ect a' siguranJelor ult(aapide evit defcctaea diodclo!
datorit depjirii cueo1ilol de
supasarcin accidental. Totusi, acolo unde frecve!'a accstol
culenJi cstc;el.ativ EJe sq poare
apela la o delectare a lor cu rclee electmnice de cuent
de vri 9i se poate prcceda |a o
deconectare rapid de vrie. Astfel se poate evita interven1ia
siguran1elor uitrarapide' ore esre
prea coStisitoare. In acesle cotrditiuni' cderea de tensiune u^(t) la bomele diodei va fi:
56
5'7

Figura 4.5 se fc la cBracteristicile statice la polarizare iDvers ale diodelor. se


remac cde dou po4iuni spe.ifice, cotespunztoale stfuii de blocarc' lespctiv' s!ii de
strpungere. staca de blocarc cstc o starc noEDal de funcJiomlc a diqdci Polarizate iven.
Dispozitiwl elctroBic preia la bomele sal tensiulea atrod.catod Eegativ Ur in cotrdilile in
cae cule!ful alodic negav Pstrea o valoa.re rcdus lri, uumit cu!e!! rezidual invers. Acest
culcot rezidual i.Bvers este cel mult de oldtrul miliaEPeri-lol, i cazu.l diodelor redresoae
destinate aplicaliilor de putere foatc tture. Dac tensinea invers Us dep9elte valoal.ea de
strpungere' Ugr, atuqci puocnrl de {unc1ionare aI diodei trEce fu zoua de sirputgerc'
strpuBcea diodci poatc fi de nafur electric, aturci cend se da1ole$te cmpului etectric foae
intens ditr vechtaEajoDcJiuoii sa poate i de naBr tcrmic' atunci cnd se datoreste crcsterii
coocentratiei de puttoli de sarcin sub ac]iurca tempeafurii mrite a mooocristalului de
sliciu. sa gum s.a xPlicat clal la snrdul jotrc]iunii semicolductoale ptr, fucjionarea ! zona
de slrpun8erc !u estc leaptat distructiv. In cazul diodclor rcdrcsoare nu este ins permis
opdarca aclst dolreEiu. Rcved'ud acu-E 8suPra func,io!ii in zola dc blocarc estc ecsa.
s P.ecim c la o teDsutc iDvels Ur dat, curennll i.trvers dePinde de tempeatut, in mod
practic dublndu-|i valoarea la fiecare cre'tele a rcDrl,rahr.ii cu l0 . 15 .c. Ca urmare la o
tenpentur gfitI a jorciulii caractedslica de blocaIc va fl cea cocsPuPtoare culbei trasate
Fig'4.4. Explicativ privind calculul cu liqio punctat iu Figura 4.5. Se reroarci deci faptul c cresttea temperafuIii joncJiunii
pierderilor directe in diodele redresoare. conduce Ia scderca pietdcrilol dLecte dal' in acela'i timp 9i la crc$terea nedorit a pierde.ilor
inversc' cac apar iD dioda blocat.

ua( t) = UAo + d iA(t) (4.2\

se poate acum calcula puterea disipat de o diod in conducJie, dac aceasta ae un rcgimciclic
de fuDcjiotlae:

^ 1 rr ue(E)
to=iJo jA() dt (4.3)
T.t2 )r..r t
Inlocuiod io expresia (4.3) elalia (4.2) se va obJire:

1 fT
,, = =,
Jn LUA' rdiA(t\
+ ] j() dt l4 L\

Apelfud acum la definiJiile bilgcunoscute ale valolii medii ii Yalorii efective, pentu pute.ea Fig.4.5. Caractetistica static a diodelor
Po rezult explesia fiBal: Iedresoare la polarizare invers.
Po = O.l5 IAn.d + rd l:err (4.5)
Se remarc deci faPful c picrderilc de pulere prin dioda aflat in cooduclie au dou fualiza 5i sinteza circuitelol Gu diode implic 5i luarea in considenre a
coIPonent. lo calculele practice determinqrea aceslol pierderi esre mult u$urat de faplul c caracteristicilor |or d coDut8Je. Tlecerca uoei diode di staea de blocae in cea de
in caraloagele de specialitate producirorii dau direcr diagrame cu valorile precalculate ale conduc}ie, sau iavqs' nu se face instantaleu ci treccsit uu interval de rimp numit tim! de
perde.ilo pentru difelite forme de und ale cureotului pri! dioda redresoaJe. eveoile' ca uftuae itre ccle dou stistaIioDare iltervine utr e8im traDzitoriu' deterBiDat
de faPful c fi.caje stae este caacterizat de o anumit colccntlalie a purttorilor de sarcin
58 59
din veciorareajonctiunii, coDcenlratie care trcbuielte modificat la schimbarea strii. Trecerca
unei diode din stare blocat iq srale dc conducJie se nunre$tc reveDilc diecr. h mod
corespun"itor, trececa diodei din sta'e dc cotductie in starc de blocarc poat nuoclc de
reve0i. ioveIs. La fiecale prcces de comulatic se pierdc o ca.nlitate de cuergie cae depiodc
de parameti diodei de Parameti electrici ai circuiulu in cc funqioneaz dioda. Aclste
'i
pierdeli cesc cu frecveoJa comutatiilor' astfel c [a fccveE}e dc lucru mai mi de 4oo Hz ele
nu mai pot ft neglijate. I! acest caz, Peltru esli[urea corect a Pieldcrilor totale prin diodtr,
Ia pierderile ln conduc|ie 9i pierderilc tn sla'c blocar trebuicste aduDar si suma piederilor cale
apa la comutaJia direct, rcspectiv, la comuta|ia ilvers. EIo se por stabili exact cunoscld
evolulia tensiunii la bomele diodei !i a cuenrului prin ea in timpul prccesului de comutaie. o
evaluarc absolu! sarisfctoaje din puncNl de veder al calculului termic rezult p.in luarea in
considerare a enegiei pierdu(e n tiBlpul comutatiei !i a timpilor de comutalic, palamelri care
se indic in cataloage.

In acest paragraf se va aqaliza p scun comutalia direct, sau altfcl spus, revenirea
in sens direct, [l7l. Dac unei diod. aflate n slae de blocarc i se aplic o teosiulc dilect'
U^ > 0, atrrnci este necesa utr interval de tj|p Pentru ca stalul c;tra'I aljonc1iunii s ic
invadat de punto.i, Pentu a deveni bJr conduct'or. ln acest inp la bomele diodei apale o
cde.c de tensiun dircct, a crci yaloale depinde att de Panta de cre9(e!e a cuIetrfului cr
$i
de valoalca staliolar a culentului care se va stabiliza duP termiDaea e8imului tlaDzitoriu.
valoaea acestor palametri cste dictat i! primul !trd de circuinrl it care functioncaz dioda'
Fi8ura 4-6 evidenliaz procesul comutaliei directe. sc coDstat c cesterea vjorii curentului ( ',,',..\.
gi a pan(ei sale de clcstere conduc !i la miea supfalensiunii la bomele dispozitiwlui
electronic n timpul comutaliei. ca urmac, ala cum rezult si di! Figura 4.6, c, pie|derile
si
vor lua valori mrite. Intervalul de timp cupins inlrc momentul apiJiei tensiulii dc polarizare
diect, UA, 9i momentut cnd lcnsiunea anod - catod ajunge la valoaJea stalionar
corespunztoae punctului static de funcionae, U^w, se nume'te timp de levenire direct, td,
valoa'ea sa f.iild n general indicat de catloage. Pc durata revenirii dircctc puteea disiDat
in diod va f'i:

F.a(t) = ur( t) . i,q( L) (4.6)

Aceast putere poate lua valori instantanee maxime, PM^x, mari, de oldioulmiilorde watt. cum
ins timpul de revenire direct' t'd, este foane mic, pierderile medii care apa suot leglabile
in cazul diodelor care lucrea n circuitc la frccvenla relelei publice de 50 sau 60 Hz:

fr t\ dt (4.7'
Iot,"p"d( Fig.4'6' Comutatia direct la diodele redresoare.

cootrolul Pierderilor la comutalea direc a diodelor Du se impune numai |imitarca vaiorii


Ll frecvnle de lucru mari Du se mai poate face abstac}ie de pierderile calc apar la comulalia
culentului de lucru I^w ci s a pa!ei lui de cregtere, la valori mai mici dect pantele de cre$tere
direct deoarec va]oalea lor medie cresle pin scderea duratei T a cclului di lucru. Pentru
maxime permise de producto! 9i indicat de ctrc acesra in cataloage. Din acesr puncr oe
vdere inductivitliIe existente in circuilele electonice sunt binevenite. In!'.adev' intr.u
60 61

circuit R . L, la colectaea telsiutrii directe, U^ panta de crestere a cure ului va i: precizri. Pima se tefer la fapn c! cale prezeDtate sutrt conforme c.u notaJiile folosite in
Figua 4.7. A doua precizae este lecesar pcDtru a sublida faptul c Dici timpul de comutare
ivestr Li gi uici tiEpul de eveBire inves t,i rru au valori cortsta[te. Ei depind de tehnologia
dia(t)
dt
_
zU^
(4.8) de realizale a diodei dar 9i d conditie io cal se desfilsoal pocesul' adic de tensiudlc care
apa $i de co!figuajia circuitului. Tiopul de revenire, to, dat i! cataloagele dc diode este
orieltativ, efcTildu-se la ni9te coldiliui medii de comutare.

Aceast valoale trebuie s ie trlai mic decat cea dat itr catalogul dc diode, cu luarea in
considerae a un coeficient dc siguanJ subuuitar k,:

di"(r)
_______:-<Kt-r-
...di^. (4.9)
dt --'s'dt'a@

'ui
Dac inductivitatea L a circuirului nu este suicient pentru limitaea adecvat a pantei de
c.e9tere a curentului la comutaea di&c! a diodei' atunci in serie cu aceasta se prevd bobine
de comutae. Montaea lor se va facc nuEai atunci cr1d cle sunt lealmelte lecesale deoarcce
a{a cum se Ya vedea chia in Pa'agraful umto, efectl lor este defavorabil di! punc'l de
vedere al comutaei inverse. Pomiod de la rela.tiile (a.8) 9i (a'9)' inducrivitatea minim
lecesa in circuitul unei diode redresoe se va putea stabili Pc baza expresiei:

r. >
; (4.10)
^t \ att / udrn

Fi8ura 4.7 este dstiaat lmuririi procesclor c.re nsolesc blocare5 sau. cu alte
cuvinte. rvenirca invers a diodclor, tl71' [35]' [37}' [38]. Dac la un momelt t" cicuitu|ui
unei diode allate in cogductie i se aplic' inr.utr fcl oarecae, o tensiurc ne8ativ .U^' atulci
ncepe rr!. procs tlazitoriu ce se va finaliza pin blocalea dispoitivului electro'ic. Dioda nu
poate comuta i$taotaeu deoaece Putrolii cIe se gsesc in cantitate Era! i stratul ccntral
al jonctiunii tebuiesc iBdePnali Pr recombinae si difuzie' l,a inceput, datorir tlsiunii
negrtite -U, cureotul prin diod i.ocepe s scad, cu o lege dc varia|ie cotrfor! conigulaliei
circuitului' curetrtul i^ prin diod cste pozitiv si, ca urmale, sta!a de corducI a dispozilivului
electlonic este neafectat. Numai dup momerrfu| tl cel|d cuenful anodic devine negativ incepe
proccsul propriu.zis de comutale invers. Ptr la t,, deci pe durata timpului de comutale
invrs t.i, tensiunca atrod-catod a diodei isi pstreaz neschimbat valoarca pozitiv Fg,4.7 . Revenirea invers a diodelor redtesoare.
coespuoztoaJe sttii de conduclie. In acest timp cureDtul Eegativ prin dispozitiv cre'le cu o
Pant doterminat de paa.Betli circuilului, alin8nd valoarea sa maxim lrx
la momenlul t!.
Agum joncJiunea ili recapt capacitatea de blocare gi ca urmare cuetrrul invers scade rapid la Poblemele Bu sut de loc simPlc deoaJec, a|a cuB se poat vedea si diq Fi8ua 4.7'
valoarea sa staionar, lR. Ac4st proces se incheie la momentul t!. lnterva'lul de tirp cuprins b' dup btocalea diodei, cae aIe loc la t,, tensiunea la bomelc sale Du evoluea7 direct cte
nne momentul tI, cand cuenful pozitiv pritr diod se aoulca 9i momeotul tr, cnd se termjE tensiunea invers.U^ > UrwM, ci, n primul moment tide s ia valori ne8ative mull mai mari.
procesul de blocare al diodei se numelte |iEtp de revenile inves t,i. se cuvin aici dou
I Procesul tralztoriu prezentat io Figura 4.7 are un caacter putmic amo.tizal dar in pactic
i
!

62 63

apar o multe cazuri oscilalii de tcnsiune de mai lungI dural. supatelsiuDile rezult nrucr acesle coodiliuoi, din considercntc geometlice simple, sarcina de rcveoile ilvers Q. cale
elcrgia reacriv stocat Ia t! in inductivitlil L din cicuitul diodei, (cel pulil inductivilater de calactelizeaz procesul de comuta1ie invers atralizat va fi:
comuralie LmiJ| se tansfe pn Ia t], deci irI.un inrervalul de timp foae scu' pe
condensatorul din schema cchivalcut a dispozitivului electoic. Accst proces cstc utul rcpetitiv
deoarece se desfisoal o dat lfiecare ciclu de fic'ionae a] diodei. TensiuDca i.ovcls O,, _1-
- a .auex (4.1,1)
maxim cae apare, UxMN(, nu are ca utmac voie s deptrseasc teosiunea inves Tcpedriv "ri
maxiu a dispozitivului electronic' URRM, luat n considerae cu un f!rctoI de sigra.trl
subunitar, lg"- Acest deziderat sc poate atinge prin folosirca unui circuit dc protecJic adecval.
lntrucat productorii !u dau iB general indicatii privind curetul iovers hxim IiM|\, De aseEeuea, pentru valoalea maxim a cuentului iDvels, IRMN(, vom putea scrie:
dimensionarea circuitelot de proteclie se face pc baza sarcinii de revenie invels Q.' care esre
proporlional cu a a cupdtrs iltrc curba curnnllui din Figua 4.7, a, $i axa absciselo, il re
momentele tl gi t!. sarcitra de revenire invers este chr caitatea de puntrtori de sarcin din
jonciulece trebuielte elimhat pettru ca aceasta s isi recapctc capacitatea dc blocre. 14 .1-2]
cataloagele de diode tedresare con|in si o diagram cu cubelc de valialie a sarcidi de
evenie investr Q.' exprimat i! }rC sau pAs, variabila de pc axa absciselor fiind pana de
scdere a curenNlui anodic' diA/dt iar paametrul caracteristicilor curenfu| alodic itrilia|' l^w Pe baza celor dou relatii de mai sus, ptrtu sarcina de rcvenile inves se mai poale stabili
care trecea pir! dispozitiwl clectoIic inainle de ini'ieea procesului de blocare. Pen|ru cxDresra:
lmuriea modului de calcul al circuitului de limitare a supratensiunilor de comutalie vom
aborda un model simplificai al comutalici idverse, conform cu Figura 4.8.
din
^ -- ! -2 (4.r-3)
",, Z..i ZE
Acum rezult simplu va'lorile care caracterizea timpul de Icveaire iDves:

(4.14)

li curentul invers maxim, IRM^X:

di. (4.rs)
Fig.4.8. Modelul simpiificat al procesului -- aE
revenirii inverse.
in cazul pocesului de blocac ana-lizat. sunter' acum in osur s determinm caPacitatea
necesar a'condensatonrlui cae,trebuielte monta| i! palalc| cu dioda peotru ca supalensiunea
se constat ctr admitem ipoteza ctr cureotul invers prin dispozitiv scMe practic talzitoric la comutaoa illvs s ou deP$easc o valoarc apropiat de tensiunea invers
instantaneu la ze(o in mometul io care acesta i;i iecapt capacitatea de blocale. ca urmare epetiliv marim. PeDtru acasta Punem condilia ca toat energia reacliv slocal in
pe acest model simplificat al procesIui timpul d comutre invers, td si timpul dc revenire induclivitJile circuitului la momentu| t2 s fic traJrsfe.attr coldensatoru]ui de protectie. Rezulr:
invers' t.i coincid. Mi admitem c Paffa de scdere a cuEntului anodic este coostalr. [n
64
65
lD parte valabile 9i pcotru dispotivele multoDc]iule, tiristoae, tiaculi sau tirisloare GTo,
1 t12 _l- u t-2 rrz
^ ^su U]w
I
^
1<\ motiv pe ru care la capitolclc lespctive 6c Ya reveni cu precirile suPlimentre
2 2 uecesafe. 'tueai

Prin urmae formula peDtru calculul capacitlii condelsalorului va devcrd:

2
g = L !touM- 1ga tprl (4.1,7)
u,tilt
^su

Intoducnd acum sarcina de revenire invers paflta de scderc a cureotului pin diod,
Fig.4.9. Circuit de utilizare pentru
m.imi cae caaclerizadz plocesul de blocare 'iiDvestigat 9i care se pot detemioa Pe baza diode redresoare.
cunoa$terii circuitului al datelor de catalog. rezulr relalia definitiv de dimensionarc:
'i

)n di. ' Inabte de a incheia accst Para8raf destinat comutaliei diodelor rcdlesoae Yom face
cteva colsideraiuni cu PriYire la timpul de TeYenire al diode|or redrsoare. Acest
si
(4.18)
62 1, --9!- 1so tppl Parametu se Poac iDfluenJa plin tehnologia de lealiza.re a diodci. Exist diode redresoa.e
-- su u P,tul
^
dcstilate aplicaliilor la rcJeaua publicl de 50 sau 60 de Hz, cae au tiEpul mediu de eveEiIe'
t., cu vaJoli cuprilse iDtre 50 9i 2oo lls. Pentru aplica}ii la frervco1e de ordinul ctorva kHz se
ploduc diodcle redresoare rapide care au timpul de levenire.rntre 10
9i 50 ps. Acesea au
srcna de levedc invers Bai Bic de{t cca a diodclor red(esoare leote' de rEea, itr schimb
In geneal valoaea capacitii acestui coDdensator dc ploteclie rezult de ordinul 0.2 - 2 pF. au prdei mai mari gi sunt mai scumpe.
Aplicarea sa este insolit de dezavantajul cae ezult din faptul c el se descac prin cicuirul Alegerea colect a uDei diodc, itr-o aplicalie dar, implic verificarea ei din punct
anodic al diodei la rcepurul umtorului ciclu de fuDclionale. Peotru ca energia .eactiv stocal
de Yedee a| ncIzirii. Rcmatcm aici c imelespecializatc idic, in general' radiatoul
in coldclsatorul dc proteclie s nu 6e disipe tocMi pe rezisteBla diodei 9i pentru a limita modul de rcire lecolqadat. I! plus se PeizeAz, in foile de catalo8 coIespuntoare.
9i
curentul maxim la couta.a dilect a dispozitivului in serie cu condensatolul se plevede o lezisteolele tcrEice di.ltrejolcJiuoc capsula, R-g, capsrrl 9i radialo!, R,cll !i dint'e radiato!
ezistcnl de descrcarc, R' valoea ei se estimez id func|ie de corribuJia admis a
9i ambieot, Rll\x^. Peotru .gimuri 'i de fulcjionae io impulsuri se indic diagramclc
cicituli de protecie la cu.eDtul de comutac diect, cae un poate dep'i culclrul repetitiv
direct al dispozitivului, lslM. In mod uzual rezult valori de ordinul a l0 - 50 o' Puterea
impeda!clor te|ice, z,n, dc aseEeBea lntre difelitcle elemeDtc cotsttuctive ale diod;i 'i in
frJ.oclie de caracFristici'le ciclului de frrlctiomre. Dac se stiEeaz corect pierdeile 'iprin
disiPat de aceast rczisteol trcbuieltc de asemenca estima cu 8rij' luand.r! considerare dispozitivul eleclodc' i! conduclie, in comutalie 5i D stare bloca, atunci, cu rezisten1cle
durata regimului tranzitoriu de ilcIcare, especliv descrcare a condeDsatolului de protec'ie; 9i
iEpeda4ele sus.meqionatc se poatc stabili cu prccizie tempealura la cale va lucla
duata ciclului de funciionarc a diodei redesoaJe $i cner8iile vehiculate Pdn accsle pocese. mouocristalul in coudi,iitc aPlica}iei date' Pen(u aceasta, asa cum s-a studiat la disciplinete de
PIactic se folosesc rczistente cae pot disipa purefi cupinsei re valori de oldiltul uBittilor de teloteh!'icl, t.ebuieste intocmit schema echivaleDt termic a disPozitivllui elect.onic, pentru
watt' ajungdu-se la puteri maxiBc de cejiva zeci dc watt. Prezenla rezistenJei dc proteclie este regim sta}ioml, espectiv, peotu regim traJEitoliu. hoblema, desi foane important' nu poate
benefic !i din punctul d vedere al elimilii poceselo oscilante la blocaea diodelor' fi arat detaliat iD acest cadu' ltr actiYilarea dProiectae no'iunile de.ja cunoscute se vorputea
T.ebuieste gsit un echilibu iDtre valoatea si Putclea disipat de rezistenJa R si capacitatea colTleta cu inforEatiile din catatoagele de poduse eleckonice' eaterialele dc informare ale
coDdensatorului c, pentru ca la pierderi ralionalc in circuiful de protec1ie s avem o |imitare fumelol de specialihe, p8], sau din lucrri ltii4ific destinatc alalizei comoortrii termice
eficace a suprateDsiuoilor de comutalie. a dispozirivelor clectronice,
cele pezentate mai sus ne pe.Eit s tra8cm concluzia c o diod edreloare ou se Petrtru a ncbeia complct accst asPect de calcul tellic al circujtelor electlonice tebuie
montea singur n crcuirul electrouic. 5a cum se vede din Figur 4.9, este nevoie de utreg
5 pleciz5m !i aici c celc prgzeltatc mai sus sun| pcrfect valabile pentru celelalte dispozitivc
ansamblul elemente carc Yor asigura si funclioDarea ei sigur, inclusiv siguranJa ultralapid s,
electronica. traDzistoare sau disPotive multijonc1iune. calculul 'itermic nu trebuie|te neglijat
cae se alegc ditt catalog conform prescrip;iilor peBtru dioda dat. deoarece el esle o coEpoDe de baz ce asi8ur fiabilitatea circuitelor electlonice comDlexc.
se cuvine s mai subliniem !i aptul c cele aalizate Bai sus privind comutalia sunl
66 6'7

4.Z.Diode de semnal.

Diodele de sennal vol fi in coutinuare prezenrab Pc scurt, in ordinea confortn


clasificii fuuclonale de la inccpuful acestui capitol, [l8].

Diodele detectoarc, [18]' sutt diode cae se folosesc pentu demodulalea senrnalclor
radio' video' etc. Func1ia lo este asemqtoae cu cea a diodclor redresoare. ceea c. cste
specific aplicatiilor in cae se utilizeaz diodele dctectoare este aceca c semalele prelucrate
au ftecvenle mai, de sut dc kHz, MHz sau chiar GHz dar put.ile tansferatc sunr
nesemnificative. Ca urmare acesre diode trebuiesc s[ aibe capacitJile asociate joncliutrii pn de
valoare cr mai mic. cest lucru se asigu. pe cale tehnologic prin realizaea uno jotrcliuor
cu ade foate redus.

Diodele dc comutalie, [l8]' sunt diode folosite in circuielc eleclronice de impulsui.


Pntru a trdcplini opti4 functiunile ccrute dc regimul de ipu]suri principalii pa'amcti carc
intcrescaz{ sunt timiii de comutalic direct, respectiv, ilves. Acc'ti rimpi este de doit s fie
Fig.4.10. Explicativ privind
ct mai mici posibil cu scopul mfuirii vitezei de comutaie a dispozitiwlui electmnic. Io acesl
caactelisticile joncIiunii p+n.
sens trebuie redw timpul di via1 al pun orilor mobil de sarci!, o, lucru care se rc.lizea
pe cale rehnologic, PiliEpurificalca suplinentar a stnrcNrii cu' Eateriale adecvatc. De depliea icnsiunii ncgative de strpulgee vrR curelNl invers Printr-o joncliune incepe s
exemplu, in cazul siciului se foloseste aurul. Rcalizile acnra'lc itr domedul coButirlici cu c.easc in timp ce tensiunea preluat mane aproximativ constat. Acest lucru se dalore5te
diode cu jonciune pn se efer la timpi minimi de comutati dc circa 5 s- Diodle de in principal fenomenului zeler, dac dioda are tensiunea V." mai mic d.qat 5,7 v 5i se
comulalie nu sunt iqs necesalc numai la circuitele eleciroDice cae prelucreaz scnnalc itr datorelte in prncipal fenomeoului de Eultiplicare in avalan! a punbilor da satcin dac
form de implsuri. Ele i5i gsesc o aric lag de aplicalii 9i la circuitcle clccEonicc de dioda.este cara.terzat de o tensiune vs. suPerioa valorii de 5,7 v.
impulsuri de putere, dinte cale uo loc apate il leprczi]rt circuitele caJc fuocloneazi cu
modulare durat a impulsurilor, t491, t50], t70]' t83]' t85]. ln acest caz se folosesc diode
scmiconductoare de comu(alie de Putere, cu joncfiune Pn. Performanlclc superioaE de
comutalie aduc ins cu ete piedei lDrite i! diod', deoalecc calact.risticilc static devin mai
nclinate in urEra inrpurificdi suplimcntare.

Diodele Yaricp, 1181' t62l' t63]' t64]' servesc dept cooderrsatoac cu cpacitate
v&iabil pe calc eletric. Ele se utiliza i circuitele acordare' oscilaloare, ilrc, etc. Penru
^t
J'
-rl
a futrciona ca condeDsator cu capacitate variabil leglat p cale electric, ac.ste diode lucrcaz
it mod normal pola.izate ilvers, pc por'iunea de blocale a canctcristicii static. Teh.Eologic
.l
aceste diode sut aslfel cocepute irct la tetrsiuni aqod - catod Begative, ln schema .cNvaleor
s apa doa.r capacitatea de barie!. Mrimea acestei capacitJi de balier se controlcaz prin
valoarea teosiurui de polaizare itrves aplicate. Pctrtru a se atilge o varialie maxim de
capacitate la o varialie dat de tensiuoe, diodele vaicap se construesc cu jolctiune de tiP P+n.
A'a cum s-a pezentat iD cPitolul 3 qi cum rezulti gi din Figura 4.l0 in acest caz sc apclcaz
la o structur special cu un profil bipcrabupt al concentralii de impuriti. |n acest fel se fig.+. f l. Simbolul gi caracterisrica unei
ob|ine peqtru dioda varicap o caactcristic C = f(UxJ de felul celei prezentate itr Figr 4.l1.
Alt'rat s.a iodicat $i rqodut de sinbolizare al aceslor diode itr circuirele elec(ronice.
diode varicap.

Diodele st.bi|izatoare, Zener, u8]' [22l' t62]' [631' [64], folosesc r.giuda de In geoera'l se foloseslc denumilca de diod zener pc ru toate diode|e stabilizatoare'
stabiliii tesiunii contiDue. se 9tie c la
stpungere a calacteristicii statice in vedeea indiferent de fenomeDul fizic ce st la baza Procesului de strpungere i!ve:s. ceea ce
deosebel|e ploccsul dc strpunge.e invers Ia diodele stabilizatoae in raDort cu diodele
68
69
obi$nuite esle modul de distribuire curen|ului invers in secliunea jonciiunii. l-a diodele zene
a
care au uz < 5,7 V, canct.rizate prin predominanJa efectului zencr, acest factor
tebnologia de fabricare asigur o distribuire uliform a cuelru'lui invers. Ca urmarc aceste
diode por funcliola un rimp nelim,itat pe poiuoea de strpungere a cracleisticii slatice cu
o" Y".]. La diodcle' stabilizatoarc Pcste 5'7 v' undc predomin multiplicarea indeava]aD$ abatere

a-pu.ttolilor, factorul de abatelc este pozitiv 9i poatc lua valori destul de mari.
condi|ia ca pulerca disipat in jonqiunc s nu dP'easc valo.ile indicate dc poductor. Compensaria
efectelo ne8ative cac apa! i! acest caz se fac simpl folosind olosind
factorul de abatere
negativ al unei diode obi9Duirc care se corcctc i! serie cu dioda stabi|izatoare
in cauz. Ceea
ce se ob}ine cste ur a'a noit element de felint.

l+ a,J

T,l arT

Fig.4.12. Simbolul gi caracteristica static


a diodelor stabilizatoare.

Figura 4' 12 pune in evidelJ caracteristica static a unei diode zene.' alturi de dou Fig.4. t3. Sinbolul gi caracteristica static
ditre simbolurile cele mai folosire peDlr acestc diode. Diodele itabilizaroaIe se poduc lumai
pe substrat de siliciu. Ca urmale, tcnsiunea lor de plag la polarizare direc' U^o, este cuprins
a diodelor stabilizatoare simetrice.
inte 0.5 !i 0.8 v. caacteristica sta(ic pe po4iunca de blocae la polarizare iavers este
pIactic orizoota'l deci restcIa intem coesPuDtoale are valori lDa.ri. Cureu1ii inver5i in
In aPlicatiile pracce se poatc folo'i si dioda stabilizatoare siletric a cei
aceeasi po4iuDe a caacterisricii slatice sunt d ordinut pA' dcp'iod llutt valorile caracteristic
caactcristici slatic cstc da n Fi8ura 4.l3' impreun! cu simbolul specific.
altor diodc. Dup atiogerca teDsiunii de strpuo8ere UBr, trumit aici teosiune Zelet, Uz, Dioda
stabilizatorc simeic s. Poate si.Dplu .aliza |i ptitr coDcctajea in scric a dou
curentul prin dirPoziti\tl electrooic ncpe s cresc ln mod semnifrcativ. Popietatea de diode zener
obi9'uite,! a'a fel ilct s aibe u! electrod de acrlasi nu. pu! i.o clmun. Acste
stabilizare a acestor diode derivtr tocmai din proPrietetca remalcabil c la valialii clativ mari diode se
utilizeaz lDai ales iB circuitele de P.otccJic, de exemplrr Ia intile anplificatoaelor
l ale curcntului invers coespuDd modific'i U mici ale tensiuBii ivese anod . catod' Altfel
spus, cfectul de stabilizare es|e cu att Bai bun cu cat rezis(elta intem difeen|ial:
opea}iona]c sau i! ci'cuitclc gril - surs la (ranzistoaele cu efect dc cmp.

D,iodele tulel' [l8]' sunt diode de sen.nal caacterizate Pri! faptul c la polarizare
_ _Lu (4.19)
dirct, dcci i! cadra.uul |, au o caacteristic static o form de S. AclEst form panicular
" Lr se datoreste po4iuoii P. v a caracteristicii, Figura 4.l4, por1iune care pezint rezistcnl
diforeulial n8aliv. E tehnologic, dioda tu l baadu-se pe o joncliune
'ezult
serniconductoarc de tip p+a}, cu colce ralii foac DaIi dc iEpuritJi in anbele egiuni'
Regiuna de sarcia spa1ial la accste diode are o l1ime foarie uricx. Ca
est mai mici. Afilmaia esre echivalent 9i cu observalia c pe po{iunea de strpungere urmare apare
caacterisrica static adiodelol stabilizatoar trebuie s fie ct mai vetical cu putilt. condiJia Posibilitatea recerii electotrilor diB banda dc coBduclie a regiunii n, printr-un efect specia],
numit cect tuoel' dircct iE banda de vleDj a regiulii p. AceaJt trccere se face la
de mai sus este cel mai bine indeplinit de ctre diodelc stabilizatoae cale au Uz = 8 v. energie
colstatrt. cureDtul corespu.Dztor cae aparc, oumit cureut nrnel' rn.l' se adun la cuentll
Probleme deoscbite n aplicaliile cu diode Zener |e ridic !i modificarea cu tempemtura a
obi'nuit al jonc}iunii pl. cest cureD! cxisr trumai la tensiuni diricte mici, pentu cale
lensiunii de stabilizare Uz. Este de dolit ca factoul de abatere clativ cu temperatura a se
asiBur uprapuBelea bc'zilo enc.gctice. Electrolii ajun$i
telsiulii de stlpuDgere, Uzl(T.UJ s fie 9i el ct mai mic posibil. La diodele stabilizatoare -s Plin efcct tunel in^regiunea p se
gssc deja in balda de valclj, pitr urmalc Bu vo mai fi supu9i pocesclo
de ecombinale-
70 .tl
Din ac.ast scurt prezeotac rezult c diodelc tunel au ca pri-ocipal' caTac(elistic o vite d deraliat in m]rlte lucrfi de sperialilate' t62]' t631, t64l. In plus funclioDaea
comulalie foaIte nrar, fiind folosite cu precdere circuitele electonice de impulsuri de lalt lor mcodc|c de
calcul spe.iflce pot fi deduse pri! paiculizarea circuitelol comaniale,
frecveD. Figura 4.14 preziot caacteristica static a diodcloi funel. 'i de ace]asi
de pulerc,
tlume, [l5], t1]' tl7]' t3u' t32]' t35], t36], t37], t38], t46].

.l

-l+

Fig.4.15. Caracteristica static $i simbolul


Fig.4.14. Caracteristica static a diodelor diodelor Schottkv-
tunel.

vom prczenta i! cootinuare o clas de circuilc destinate generii uoei teDsiuni de


Diodele Schottky, [ dispozitive ele{rronice realizate pe baza co actului metal
18.], suDt iesirc de valoare mare, io coodi1iile i! cae curentul de sarcin plsreaz
. semiconducto cu camcter redresor. simbolul acestordiode, asociat cu caracredstica lor static valoli modelate.
Aceste circuite Poa numclc de circuite de mu|tiplicare a tersiunii,
rezul! din Figura 4.l5. Aceltc diode sunt caractcrizate prin tensiuni de st!pungerc invefs t62], t3], t64] si se
folosesc iD aplicajii de e'ectrostatic sau de c|conic plofesionat
mici ins au tirDpi de leveAire inferioi vlorii de l00 ps, ceea ce le lecomand ill (ebnica 9i msu'Jetectronice, in
majoritatca cazuilol in cale se utilizez tuburi catodice. rigura +.t6 se
circui!.lor de deteclie de frecve! foarte ridicat 9i in 1ehnica circui.clor intcgrate logice rapide refer Ia circuiul
dut,|or d tensiune Greinach.r - De|on' El nai poan 9i nu'"le e circuit dub|u
din emilia TTL . schottky. Diodele schot(ky de tedsiune Bedie au o lalg utilizat in monoaltrnan|I din cauza modului su speciflc dc funcJionale. Pentru desc.ierea
elecrronica do putere, cu prccdere h tehica surselo! d tensiunc contiDu cu fulctioare itr pe scun a
funclionii Yom plesupune ci la intrare se aplic o tensiune ahemativ siDusoidal'
regim de comutaiie, t491, t501, [54], t831, t841, [85]. ui"(t), cafe
ae valoalea efcctiv Ui":

4.3.Circuite electronice simple cu diode, t) = ,/2 Uin sir'@ t


u.a ( t4 .20)
se vor analiza in contiouare ceteva circuite ir carc f,rncJia electonic spccilc este
indeplinid de diode de semnal !i de diode redresoale de mic putere. la cum s-a precizat li l secundalul trarrsformatorului T egsim o lensiune de aceea5i fonn cu valoarea
etectiv U:
la inceputul acestui capitol, circuitele de rdresare de putere nu voI fi aici abodate, e|e
consliruindu-se ca ut capilol de ba al cursului de Elccrronic de Putere. circuitele de
redresare de mic putere, cale ilDt. n cooigura1ia sursclor de alimeutare cu etrergie electic ,. u(a) = ,/1 u sinat (4 .2L)
a circuilelor electroDice de semnal vor fi relativ succint luate itr consideraJe. Aceste ci_rcuite cu
diode' in coofiguralie monofazat monoalreman, monofaza! cu nul, monofazat iu puorc
Graelz sau trifazat 9i qzestrate cu filtrae capacitiv a tensiunii de iegirc sutrr pezentate Peparcursul semialtemanlelor pozitive funclioneaz rcdesorul molrofazal
monoa.Itemant ba2al
pe dioda Dl gi care are ca sarcin condensatorul cl. Dac admitem c circuiul functloneaz
in
72
gol atunci acesr condensato se va incrca la valoaea de vrf a tesiunii din sccuadarul
tralsformatoruli. In lod ascm!to' pe duara semialtema$Jelor ncgativc estc operaBt
redesoul monofazt motroaltema} bazat pe dioda D2' condensatorul q' ca'e cprezint
circuitul de sarcin al acesrui redeso sc va incca si el l amplitudinea teEsiuii u(t). Prin Q = r,r =L (4.23)
umrarc tensirrne.a de la icsilca circuitului analiza!, u.(l)' la fuoc'ionae io got, va lua valoarea:
lD lelalia de mai sus f este frecvenla telsiunii altemative de la i rale, cracterizat prin
perioadu T.
U"= U., * uc,=2 '11 u (4'22) IBtruct aE leglijat intervalele de tiEp de coDduqie a diodelor, toat salcina eleclric
Q
ploYine d9 pe areturile cotrdeEatoarelol, deci Dodificarea de tcnsiue corrtin de la iesire
va fi:

La ie$ire rezult deci o tensiule continutr care are Yaloalea egal cu dublul amplitudinii tensiunii '.,1
o (4.24)
altemative de la ita.e.
c C
c rcprelt capacitatea condelsatorului echivalcnt coldeDsatoarctol c| si q, legate in serie.

o2

T_-l
'"''Jj
Fig.4.16. Circuitul de multiplicare a tensiunii Fig.4.l7. circuit dublol de teDsiuDe vi'llad n casczd.
Greinacher-Delon.
Figula 4.l7 puBe ! cvidetrl o alt codigulalie dc circl dublor de tensiuDe. Est
Yorba da un crcuit in c-oscad cu un singur taj, nBit 9i circuit villard. Petrtru desclicrea
ln practic, in prezen1a unui curent de ie9irc I.' pesupus chiar constant, tersiule de fulcJotrfii admiteE tcasiulile de i.Dtarc descrisc tot pdn cxp&sle (4.2o), respecliv, (4.2l).
ie$ire va avea o valoare medie IDai mic decat cea estimat mai sus !i nu va i colstant, iind Prsupurem si in acrst caz, la iceput, filDc'iotrarca i! 8ol a cilcuifului. Aruaci, pe parcursul
caacteizat de o prrlsatie U' Intr.adev, diodele conduc numai afuci ctrd sut polarizate smialrcrlalr,elor Degalive ale te$iulii de iltae, u(t)' tcnsiuoea condensatolului cl, ucl' va
direct' adic aNnci cend valoaJea installanee a tensiunii altemative u(t) este superioad tensiunii deveni:
de pc condensa|orul colespurEto. lE acesle htcrvale de timP Yaloarca insrantalee a tensiunii
de iesire cl!!e. Atunci cnd diodele suot blocate, lensiulea de ielife scade, ene.gia de cureIt uc.=tl7 u @.25)
continuu iind fumizatl de condensatoare' Valoarea medie a telsiunii de ie$ie 9i pulsa}ia ei
dcpiJrd deci de valoarea curentului dc sarcin. In geoeal circuitele de multiplicar tensiunii
Cooiorm cu aota1iile din figur rensiunea dc la bornele diodei Dl cste dat dc exPesla:
funqionea cu salcin mic si coNtant la ie5ire. Din accst motiv intcreseazi iD primul rtrd
valoal.ea prrlsatiei, sau attfel spus iplul tensiunii de iesire' o stimale satislctoare oblinem
dacl adrEitem c diodele conduc intervale de timP foarte mici, Practic neglijabilc in raport cu uDt=u(t)+Ucl (4.26)
perioada sennalului alternatiy de la inttare. Irl acest caz sacina electric Q lransferat
circuitului de iesire va fi:
Altfel spus rco.iulea de la bomelc diodei Dl este tot tensiuoea de i.otrare dar translatat cu
74 75

valoalea tensiunii dc la bornele condelsa.oului cl. Prin dioda D2, condensatorul C! sc va


ncrca la tensiuneai
cl .rJ l
u,=,lZU t Uc,=2,8u (4.27) acz
oa
tl 0t

Deci si io acest caz, in legim stalioDar, tnsiurca dc ic|ie este dublul amplirudilii lcnsiunii
ri
"h(!r I I I'u
loa Dl

altemative de itrtra.e. Fornele dc undi caracteristice, conforme cu descrierea de mai sus a c:i c2: ;,
funcion.ii circuittllui slt evidcntiate prin Figura 4.18.

_t

Fig.4' 19. cicut multiPlicalol de tensiuDe cu 3 etaje.

I
AU +......) (4.30)
T -+
L1

ln exPresiile dc mai sus n seonific numul de elajc al cilcuitului dc multip]icale a ensiutii.


Fi8urd 4.l9 sc rcfer in mod cvidcot la un circuit cu 3 etajc. Avantajul deosebit a] folosirii
Fig.4.18. Forrne de und caracteristice circuifului dublol de tensiurc circuiNlui villard cu mai multe etaje coDst o faptul c pe o cale relariv simpl se pot obline
in cascad. rcnsiuDi continue ma!i' solicitarca dispozitivclor electronice 9i a condensatoarelor nedep5ind
valoaJea dc:

Pulsatia tensiutrii de ielire estc d.tcmitratil de vlorea curennrlui de ie9ic li de


capacitatea condensatorului q.Aseo!(o cilcuifului Gleinacher - Delon, | aici se Poa(e
uc=2au (4.31)

simplu determina expresia de calcul a riplului eDsiutrii:


vor fl abodate in cotlrinuare cteva aplicalii ale diodclor stabili2atoare de tensiune.
I" 22], 62.t, 63]' 641.Inainte de a trece la prezentalea cilcuitelor electronice specificc este bine
(4.?8)
C, s evidcDliem fapful c filtrele cu cajacler trcce jos, Rc sau I-c, analizte in capitolul 2 nu
stabilizeaz tensiulea de ielire. Ele indeplinesc doa o funcliuDe de filtrare. Folosirca cilcuitelo.
cu diode zeBer este insoit dc avantajul c funcJia de stabilizare cste asocial cu funcia de
filtrarc a semmlului de iesirc al circuitului. Factorul s, defioit prin:
Precim c itr cazul cicuifului dublor de tensiue villad cderea ile tensiule la cre!(clea
sarcinii il circuitul de ie$ire depinde de capacitatea condcnsaloului ct 9i dc rezistenla inrem AU,-
a iarlsformatoilui dc a]imcBtale. (4.32)
Figura 4. 19 arat modul simplu in carc circuin' sNdiat Bai sus se poate dezvolta prin
suplinetarea numJului de etaje. TeNiunea de iesirc la funcJioqarc iu gol devioc:
poat numele de factor de filtraJe dac ne referim la componenta de altemaliy a tensiunii de
u'=?n'/2u (4.?9) inlac si de facto absolut dc stabilizaIe dac ne refedm la circuilul de ie|ire. I' expresia
(4.32) $i U. sunt mici modificri ale, :espectiv, tensiunii de inlrare $i telsiurii de ie$ire,
injurul ^U'.
valorilor lor dc regim sta1ionar, respctiv, Ui" $i U.. Facton!] l.: fi|trae al diodei Zener
Riplul tensiunii de ie$ire, la curent de sarcin constMt l., re vataea: nu depinde de fecvenF. Ape|nd it continuare la nota.'ii|e folosite r .: sus' se poate definj si
76 ll

facrorul relativ de stabilizare pri! relalia: rczistetrFi R.


.t.o
este vorba dc u circuit relativ des aplicat Practic vom p-roceda la o anali
auJuh _
aui^ u,
-
u"
(4.33) ceva Eai 'o[ucat
detaliat a fuoclioDlrii si modului su de ploiectarc.

lu, au" ui, " ur^


^u l1
Acesla refle.t calitatea stabilizrii tensiulii contiBue. AdmiJnd o calacteristic stalic aploape
vetical pcntnr dioda zcneI, deci o zistent . foane mic, tensiunea la bornele d.ispotiwlrri
electronic va fi colstalt cgl cu Uz, idePcndcnt de lcnsiunca circuitului de inttare'
'i
(filtaIe) !i indcpcldeot de curenful p! diod 9i prin circuitul de ie'ire' (stabilizare).
Iz mln
lR

I7

Iz ra"

Fig.4'20. circuit simpl de stabilizac a tensiunii cu dioda Fig.4.2l. Explicativ peltu calculul circuitului de stabilizare
zene. cu diodi ZcD.r.

l.E acesr scop, .o Figua 4.2l vom relua si caracteristica static a unei diode
Figura4.20 preziDt cel mai simplu circuit de stabilizae cunoscut' El se compune doar stabilizaloare. ln timpul fulc}io!ii circuifului, cunh)l pritr diod tebuie$te s cvolueze inte
di.otr-o diod Zeoc si o rezstenl R. Factorul de iltTaIc al circuilului este: valori biae defiaite:

R+r, R (4.34) I^n3i"3I-- (4.37)


s=---,-----":=-
r, l.
valoea EiliEi a cu'eotului pri.u dispozitiYul electrooic, L . ste impus de necesitatea dc a
!i are valori cuprinse iBte l0 !i 1000. Pentru actorul rclativ de stabilizale al teBsinii continue nu opea cu curenJi Zener prea mici, deoarece in acca zon a carac|elisticii stalice rezistenJa
outem sc e: , icrpe 5 c.asci in mod prolu4at, factoul de stabilizare scade gi influen1a zgomote|or
asupa semnalului de ie9iie devine de.anjalt. FuaclioBalca cu cuenli plea mari prin dioda

s= tu" (4.3 s) stabilizaloaB, apropiati de vrloaea LE, cste de asemenea de evitat deoarece ne apropiem de
liEita de pute|e carc poate fi disipat de dispozitiv, ac,esta se inclze9tc si se poate distruge
lenlc.
Fulc}ioEaea satisfctoa'e a ciTcuifului analizat impuDe ca valoalea medie a lensiunii
Performanlele circuitului suBt buoe dac remalcm faptul c rczisleola sa de icsitc este: de intraIe, Uh s fle suiciet dc mare iB lapon cu tetrsiulea diodei stabi]izatoae folosite, U.:

(4.36) U."=(7.5 +3)U, (4.38)

Deci.io ae valori !.ici 9i este iEdependelt de rezistenta cilcuitului de intare de valoaea PresuPulem c la irrtrarea circuinrlui se aplic o teosiune variabil cu cel mult in jurul
'i ^U
'r8 79

valorii medii U:
Izut* = Iaun - I,ytx
un=U+hU
=
(4.39)
(4.45)
U-AU_U-
- (1" * aI) > I^.
Mai admitem c curennrl de iclire se poate rDodinca cu I. i jurul vatorii sale dominale L:

i,=1,+LI" (4.40) condi]ia impus itr relala (4.45) asigur funcJiorrarea permanet a circitului de snbilizarc,
cvitndu.se blocaIea diodei Zcoer. curentul maxiE pjn dioda stabilizatoal se stabilesre afunci
cnd tensiunca de intlale alc valoi maximc ai curcntul de ie$ire dvine minim:
Pentru simplificae coosiderE tesiunea U" constatrt, adic operm cu o caacteristic static
practic venical pentru dioda zccr |i avnd r" foae mic. Atunci' peutru ca la curent de iire
nominal punctul static de funcloDare al diodei s sc gseasc la curetrtul I. di.o Figura 4.2l' Ir*, = I*u - lepn =
valoarer rezisten1ei R se va stabili cu xpresia:

u-u,. Il+LIl-U- _ (r, _ Lr')


(4.46)
(4.41) < ru,",
R=
I" * I.
s obline o funcJionare cu at,t mai satisfcitoac a circuitului cu ce! Yarialia cuentului prin
In condili normale de funcJiooare, cuenntl Daxim prin acast rezisteoj aparc atunci cend dioda stabilizatoarc,
tensiunea de intare cste maxim: ^I,i
AI I _ I (4.4't)
-'. = -ZMAX - Z-LIIN
U+LU-Uz
I** R
(4.42)
esie mai mic. I! mod evidetrt rclalia (4.46) nu ne d cea mai mare valoae a curelu|ui Drin
dispozitiwl elecoDic. cest culenl apale atunci cnd cicuiful func;ionea in go| 5i tensiunea
In regim de avarie, cad rezislenla circuitului de iesire ste foate mic, curentul p!i[ dioda de intrale cste maxi. Deci:
stabilizatoale scade sub I-i" si pulctul ei de funclionare lrece pe poiulea practic orizontal
de blocare, caracterizat Prinil-o lezistcnl difere4ial foarlc marc. In acest caz culentul pdn Irr^ru^x = Iru^x (4.48)
rezistenla R va ceste pesrc IxM1;g, Iuclu cc trebuie$te evitat prin eliminaca posibilittilo dc
apari;ie a scuncircuitului la ie!i|e. Revednd la funclionalci Eonnal, pe baza relaliei (4.42)
putem cstima puterea necesar a rezistorului R peBtu a satisface aplicaliei date: cu ajutorul valorii date de relaa (4.48) se poatc stabili Puterea maximx disipat dc dioda Zene
din aDlicatia analizat:
P" t t"ft l2rru ; k">1 (4.43)
Pr.^r^x = Ur lrr^*r^, 3 k" Pro*, ; k" < I (4.49)

lDtruct pe baza tooreme' lui Kirchoff pntru curcnJi putem scrie ci:
Explesia pernite verificarca sau alegerea dispozitiyului lectronic, puterea disipat admis' P'"."
(4.44) fiid una dintre daEle de calalog a]c diodelor zener.
Inainte dc a iocheia prezentarea acestui circuit simplu de stabilizare se cuvile s
precim c nu cstc neccsar montaea uno codensatoarc de ihrare la iesire. Ete nu au nici
un efect, tcnsiulea dc ierire fiind impus de dioda stabilizatoare. condensatoare de filtare la
suntem n nsur s stabilim limitcle intre cale evoluaz cucntul prio dioda stabilizatoae. intrare sult ns binevelite deoarece poi contdbui la Tcducerea pulsaliei cilrenrului prin
Curentul minim apare afunci cnd teosiunea de intlae este miiml !i cule ul de ic'ire ia dispozjtiv, s.a prccizat deja c reducelea domedului de yaria}ie al curentului Zcner are
valoarea sa maxim: ^I.. factoului de stabilizre.
ca efecl cre$terea
Pentru aplicatiile ca'e necesit tensiuni foarre precis stabilizale se foloseste un ci.cuil
80
8l
cu dou: ctaje conform cu Figua 4.22.

te

Fi8.4.23. circuit d stabizarc pcntru teDsiuoi dc ie'ire mici.


Fig.4.22. circuit de stabilizare cu dou etaie.

cuoosott a caacleristicii salc statice:


Dac cu iodicii t |i 2 notm factorii do stabilizarc corespu0ztoi fiecrui claj, atunc factorul
tolal de stabilizae tezult din produsul fac|orilor i.dividuali. Deci facrorul di iltrarc devine:
u,tx
s=sls2 (4.50) (4.54)
I^= I.(D Gut - L)
In mod asem!to' factorul rclativ de stabilizarc va i:

in cale cu UT s.a trolat factolul DkT/q din elalia (3.7). Efecfund derivata pa4ial in funclie
S=SrS, (4.51)
dc teDsiunea anod - catod oblitero:

La ace.r circuit, in mod uzual S ia valori de ordinul lo: - lo. PriD inlroducotca tensiunii
UAT
p.esEbilizatc Ull, diD punctul de vedee al intrrii circuitul stabilizeaz foarte
birte. In raDon
cu.varialiile saJcinii ins perormaltele nu se modific fa} d cazul confi8ura|iei dio
Fiiura I dl,t , -u-
Io"-' I^ (4.55)
4.20 dcoaec rezistenla dc iclire rmne la valoarea: . Afl tt=.sr r, ,
,D -v,tK v,r J7.
(4.52)
ca urmare rczisteD]a diferen1ial a uuei diode din circuiful de stabilizarc di.u Fisura 4.23 se va
putea dctermila cu elajia aploxirBativ:
Itr cazul in care sunt necesale tetrsiuni stabilizate de valoare mic tru se e'comand
fo|osi9a
diodelo zcle din cauz c pent caracte stici de stabilizare Eqsatisfctoale. Perfolmanle
superioarc rezult pliD utilizarea circuitelo cu diode obilnuite, funcionnd la polarizale
direct' Utr exemplu de astfel dc circuit este da! in Figura 4.23. F'clolul
su ;lativ de (4.s6)
slabilizaJc cste dat de expresia evidelt:
'A

c- PU
(4.53)
Plecim c aceasl elalie va rnai i folosil si iu capitolele urmtoae ale acestui curs-
"'D "i^ h Ycde.ea stabilizjdi sau limitrii telsiuqilor a]temative se recomand uo circuit
Pentru a apre.ia rezisteBJa difereDJial a diodei' ID' vom lua in consideale exp.esla simplu care oloseste dou diodc zeler montate a'a cum rezult din Figura 4.24. Dac facenr
analitic abslraclie de cdeea de teNiune pe dioda polaizat diect' atunci lensiu.nea
82 83

alrcnativ uii cu ajutorul utrui apaat care indic valoarea mcdie. Te$iulea artat de voltmetru
va i:

u,=,^_IJ^o (4 58)

Fig.4.24. cicuil de limitare a tensiunilor altemalivc.

msura la iegirea cicuitului, .(r), va lua umtoaele valori:

u,(t) = - Ur daca uin < -U,

u"(t) = utn daca lu,^l < U.


(4 s7)
Fig.4.26. Circuit cu diode pentlu msurarea amplitudinii
u"(t) =
' Uz daca Lin 2 u, unui seEoal altemativ, l.

Deci vor fi msurate corect semlale caIe au amplifudinca suficient de mae pcntru ca s se
Atunci cld este necesar aceea$i func}iune da! la leDsiuDi de valoale mic, de exruplu pcntru poat ueglija cderea de tensiune pe dioda rcdresoale polaizattr direct. condensaroul c s
poteja-rea intrii unor circuite elctronice, se rccomand cilcuinrl similal prez.'t'at iq Figura incarc prirl rczistcoa de ialire a cilcuitului B'surat. Dac acest lezistenl ae valori maIi,
de exemplu ! cazul circuitelor prevzulc cu condensato. pe Patea de iesire, atunci eroarea de
msurae ceste iadmisibil do mult.

Lt-tl c

ll"lll'" "tv x l
'" I

t{ | "rl
"i" I

I
rtll
I
L
Fig.4.25. Circuit de limitare a tensiunilor altemativc oici.

o alt categorie de aplicalii [a cale De vom referi pe scun este legat de folosirca Fig.4.27' Circuit cu diode pentru msuralea amplitudinii
diodelor de seEl'lal iD circuitele redresoare de msur. Itr acest caz redresorul tlcbuie s urui seual a]temativ. 2.
geereze la iegirea sa un nivel de teosiu[e continu care s ie propo4ional ie cu valoarea de
vlf, fie cu valoalea medie a tensiunii vaiabile de la intrare. se lecomand n acest caz folosirea unui a'lt ciIcuit de msur, a crui configura1ie esre
Fi8ura 4'26 pune in eYident modul in care se poate m'sura anplitudinea unui seinoal in Figl)ta 4 '2.I ' Pe duIala semialtenanlelor negative condeisatorul c se incarc la
prezenlat
84
85
amplitudilea rcnsimii de iotrarc.'Pdn urma.rc teosiusea ur la bomele diodei Si in acelagi timp
la bomele apajatului de msur va i;
, I rr lil dt (4.61)
u,= ,n* u^ (4.5e) ^ T JO

Inkucal sc ltie c valoaea efectiv a seEnalului este dat de elatiai


Dac semlalul de iltrare este simetric a.unci yaloarea sa mcdie este zero !i apararul d msur
va irdica amplitudioea lui.

Pentru Bsurarca tensiu-oii vrf la vrf a unui semnal a|temativ se poate apela la
Io' * a'
(4.62)
circuitul simPlu dirt Figua 4.28. se observ imediat c este vorba de uo cilcuit multiplicato.
de teNiune cu un etaj. Tcnsiunea cootinu de la bonele apaarului va fi totdeauna egal cu
diferenja dinte cea mai pozitiv cea mai negativ valoale a teosiunii de intrare u'".

i
'i pe ru etalolaea corcc( a apantul va trcbui stabilit rela}ia diltre I^ si I.. ln cazul

--
cureqtului cootiDuu gi a'l iEpulsulilor poiodicc bipolare simetrice ccle dou tDrimi sunt egale'

:r*
Pentu semnale sirusoidalc, conform cu ecua,iilc (4.61) 9i (4.62), puten scrie:

^",i
---*=
- = rt ,.
"+ {1""
t,
^ -lT,to lsrnotl d, =
1l
(4.63)

respectiv:
Fig.4'28. circuil cu diode peltru nsurarea tensiunilo! de
vrf, U*'
T . a l^ (4.64)
Jo sln'ol dt
t;
In practic cel mai des sulrlem intcresa in cuDoa'teea valoii efective a tensiunii
altemative. Acest lucru sc poate face siurplu prin msurarea va]orii de vrf $i etalonalea scalei
apalatului corespulzto! Yalorii efective, pe baza relaiiei cunoscute:
ca urmae coeflcietrtul de etalonalc se va stabili ie baza telalieii

'12
'"r=4t'
(4.60) ,_71
,.f - 'A (4.5)
-

solu'ia este satisfctoare lumai atunci cfud setnnalul nsurat este silusoidal simetic. It mod asesDtoI se pot calcula coeficieBJii de elalonare
La orice alte fonoc de uld aPlicatc la intaea circufului de E'su vor apale crori inadmisibil Peqlru semlale de alte forme
aplicate la intrarea circuitului.
d mali. Din acest moiv se prefer stabilira Yalorii medii a modulului serutalului periodic de
intrarc, conform expresiei:
86 8'I

ln finalul acesfui pa.agraf prezenti|m $ ts6i ci.cuite siople destinate stabiliii medici Vom exemplifica acum' prin figurilc 4.32 9i 4.33' dou apcajii ale diodelor varicap'
valorii absolute a ouentului de intfae ln circuiful de u$I' Figura 4.29' Figura 4.30 ri Figura [eZ], [63], [6a], io circuite de acord, coealdate in tensiune. ln ambele cazuri diodele varicap
4'3 l . se rema.c faptul c se folose|te un circuit de rcdresare cae stabile$e valoalea absolu| a sunt concctBte in paralel cu condensatonrl C din circuind oscilang reistenla R avand scopul de
semnalul de intrare, asociat cu un apar.at de msul ce ildic valoarea Eedie. a separa generatorul tetsiulii de coEand." uo de scmnalul de iDalt fiecveor' cicuilele se pot
folosi, de exemplu, in tehnica oscilatoaelo. comandate in tensiune sau pentru controlul automat
lh lln
al frecventei.

FigEa 4.]2. Exelplu de aplicae a diodelor valicap, l.

Fi8ura 4.29. ccuit de msufare a valoii Figura 4.30. circuit de msurare a va|oii
medii a senr.}alului de i!ta!:e' l. medii a seonalutui de int-re. 2.

Figura 4,33. Exemplu de aplicalie a diodelor varicap, 2.

I'ltrucel circitele de redresarc dc mic de medie putere fac Parte integant dirr
paitea de alimenta.o cu energic a echipamsntelor 'ide electionic industrial, in continuue ne
vol referi, foarte succint, la o serie de aplicatii din acest domeniu, [62], t631, t6al. Figura a.3a
Pezint configu.alia unui monofazat EoDoalteman!. Presupunem c tensiunea
'edresor
alternativ din secundaul transformatorului T este de forma:

Figua 4.3l. cicuit de msumrc a valorii uJt) =


'fzu sin(a t) (4.6)
medii a seEmalului de intrare, 3. valoara medie a tensiunii de ieqire este Ui.! 9i rezis..oF d intae a circuitului
eleclronic din aval se consider Rs. Rolul filtrului capacitiv.onectat la iesire este Pus in
88
89

evidenl pin Figura 4.35. Dac rezisha inlern a EansforEatorului este R.b, ia tecvna T'
tensiunii de alimentare u(t) este {, ahmci principalelc caacteristici al acestrri ledeso vor i: t - " irso
.amplifudhea tcnsiunii de i9'iie la ,ncliolare n go| ; (4.73)
-/R. n
LI^o = {2rl - rl' {4.67)
-crreohtl Eaxio de cuplare a circuitrrlui:
t:..
uod UD este cderea de tensiune p6 dioda ed!soare; ! <''ttu (4.'t4)
R.

l1(t) Ites
1(t)
(t)
T u 6s
*"!J cTl
ut(t)
I ut".l
Rs
iulrtr

Figura 4.34. cicuinrl electlotric al rdlesonrlui monofazat monoalteman!.

-cdrea intem relativ de tensiune: Figua 4.35. EYPlicatiY privind efechrl condensatorului do filtrare a knsiunii
rI
- r?r0-II
- r.r n. de iegire.
- r 0.04 (4'8)
IT x Figura 4.36 se refe! la un circuit redresor cu diodg ln co!figualie molofazat cu nu|,
pentru care principalele performan|e se pot estima cu ajutonrl uEtoareloi exuesu:
dac:
-amplifudinea tensiu de ie$Ie la fudc|ionale i! gol:
R.
n
< 0.4 (4.69) u,,"o=,f2[] -u, (4.7 s)
-riplul tesiunii de ietire: rrnde UD este cd.ea d tensiule pe dioda rcdresoa!.e;
.cderea intem relativ de tensirrne:

I U -TI
U-C 0.04 (4.76)
=-s (4.70)

invers maxin pe dioda redresoare: dac:


-tensiuna

U- =2J'U (4.7t) ; < 0.8 (4.71)

-riplul tensiunii de ietiro:


-curenful mediu prin dioda redresoa.e:
I.
I^= I (4.72) [! x ---]L
- 2C (4.78)

.Cuenrul de vrf periodic;


.teqsiunea invers oaxirn pe dioda redresoare:
90 9l

u^-* = ZJ'U (4.7e) celelalte camcteristici pot fi deteEi[ate cu cxpresiile date pentru cicuiful Donofazat dubl
a]temanl cu nu|, cafe rmen Yalabile qiPentru aceast con.figwafie.
-cujenlul tuediu prin dioda redresoare:

_l rtft)
'n - 2'iu (4.80)
lff)

'*-l
tl
tl
1(f)
ulttl
rlt)
rt
'"'Il
{ o_J

{uzttr

12G)
Figura 4.37' circuin elecnonic al redresorului monofazat, dubl alteman, n punte.

Fi8u.a 4.36. RedIesorul monofazat, dubl altelranl' cu nul. sprm ca pri! aceast{oqiuo de scut prczeftae a cicuitelo! edresoare cu diode la
fuele.acesfui capitol nu !e suprap\rnem cu programa disiiplinei de Electronic de putere, ln
.cuentul de yrf pe.iodic:
schimb acordm un ajutor ingiaerilor care 5e pregtesc la s,tiii c u sfudia aplica1iile de
Elcconic itrdustrial.
u.-
? ------.]'L
" 't;R.l.
(4.81)

.cuentul m&\im de cup|are a cifcuitu|ui:


l: ,,
I (4.82)
""ux,
FigIa 4.37 evidenliaz cofiguralia lcdresorului monofa"t n punte necoEa'dat cu
diode, numit des gi redresor ! puBte crtz. si pentru acest circut se indic lo continuare
expresiile cae pefuit determinarea pincipalelo. caracteristici fi.rnclionale:
-amplifudine tensiulii de iELe la frmcionae l! gol:

{l =
^FZLI - ZU
, (4.83) )
'""o
unde UD este cderea de tensiune pe dioda rcd.csoae:
-teosiulea invers maxim pe dioda redresoare:

u^ = Jlu (4.84)
93

electrodul ata5at lui, poa nuEele de ba' B. Celal$ doi electrozi ai acesfui disPozitiv
electsollic, ata$a stratuilor extreoale de mateial semiconducto, poat numele de colector, c'
respectiv, emitor, E.

s.TRb{zIsToARE BIPoLARE sI CIRCUITE


FUNDAMENTALn cU TRNZISToARE BIPoLARE

Acest capitot este destinat cunoatterii tranzistoarelor bipolae ca element de cbcuit ot


e|ectronic. Se va pune accent asupra aspectului inginercsc al problemelor sfudiat, enunlldu-
se la chestirmile de frzica 9i tehnologia acestor disPozitive elechonico. Pe.manent se va avea in
vedele scopul filral al acstui Gus unive$iia, 9i arrume acela de a ofci cititorului un instrumet
eficient' prin intermediul cruia el poate poiecta !i exprimenta cicuite|e electonice cerute in
plactica inginerului electrotehnician.
..pnp''.
Figu'a 5.2. sitobolul schema echivalent cu diode pcntru arzistoare
'i
5.l.Structur, caracleristici static 9i dinamice. cilcuiful de inbale, plin cc 5e comandi tsaDzistorul, este rcalizat in juul electrozilor
de baz 9i cmitoI rfoate multe apca1ii, circuiful de iegire, wrde se culege senutalul
Tranzistorul estc uo dispozitiv electsonic cu ajutorul cuia po( fi amP|ificatc sau 'i, n jurl electrolor de colccto 9i emitor. Precim c schema
preluqel cste construit
comutate semnale electricc, [l8], t62], [63], [64l. se produc tranzisioare bipolae pe substrat de echivalent cu diodc care s.a prczeAtat Eai sus este foalte simpl, da ea nu De ofer nici un fel
gemraniu sau pc substrat de siliciu. Ele suot dgstinate att pelucrrii de srnale, contEe sau de infomalii cu privire la tDodul d fimcoDare al tanzistorului bipola' ln schimb ca are
iscrete, numindu.se tranzistoare de mic putere sau tanzistoae de seBmal cat li aplicliilor de dcosobinrl avantaj de a ne da o imagine zugestiv asupra modului dc polarizae co.ect a acestu
electronic de putere, cz in care srmt cunoscute sub nuoele dc tralzistoare de putere. dispozitiv electonic. Dioda ec.bivalent din cLclitul emitor-ba flmclionea polarizat direct,
Pdncipial stuchlra de tr"anzistor bipolar rezuh plin ealizara pc monocdstal a dou jonctiuni n zona actir iar polen}ialul colectorului tsebuie s aibe un astfel de seon inct, fr semnal de
semicnductoale pn, piimpuriicarea adecvat a Baterialului. ca urmare vom distinge dou cooandil n baz4 dioda ecbivalent colector-baz s fio polalizat invels. ln acest context,
..npl'' de tip ..pnp''' simbolul
categorii de tta'zistoae biPolae, de tip 9i $i scbeEE ecbivalent Figura 5.3 indic polaizarea corect a trarEistoarelol de tip.hpn'' ia Fi8ula 5.4 pola'izarea
cu diode a ttaDzistoa.elol bipolae este dat in Figa 5'l pentfu t.anzistoarelo de tip npn,
corect a lrazistoarclor de tip
..prtp''.
respectiv, in Figua 5.2, penku tralrzistoalele de tip pnp.

.._
a
Dt
rhr>o
l,t.tu
I V

..npn''
Figura 5.1. simbolul $i schen echivalent cu diode Pelltru traEistoae

se constat c trazistorul poate fi echivalat cu dou diode crr jonc1iuoe po care au Figura 5.3. Explicatiy privind polarizarca corect a tiazistoa'elo .bpn''
straful p. espectiv! str6ful n comutt. cest strat de mateial semicolducto, ca de altfel !i
94

Inainte de trece.mai depate in xpuerca noasE' se cuvine s facm ttrEtoele Reracm aici doa! faptul c i! Pucful A dc pe ca':acterisca de intral. putem defini o
prcizti foarte intportante: In cursul nostu uoiversitar de vom leferi cu precdere la rezistenl static a cLcuihrlui ba-mitor RB, pin elalia:
.hpn'', frlosind acolo rrnde cstc naplat
tranzistoare si circuite cu tra'rzistoale de tip
..pnp''. 'tumai .ttpn'' li are
nevoie tranzistofu.e de tip De altfel, orice circuii clectolic cu Fa'rzistoar.
u_^.
un echivslent it tehnica ci.ctelor electronicc cu eaDzistoac '.pP''. Tccerea de la un circuit .'RE (s.2)
..npn'' la crcuhrlsimilar ctr tanzbtor .bnP,' cu par"aEetri echivaleli pe acela'i I
cu t.anzistor -aI
'i
substrat, se poate face foalte simplu, prin inYeBaea Polait|tii tuhtor su.selor de alimentarc din
valoaea acestei .ezisteolc iltecsc din punctul de vedele al poiectrii circtului de
circuit' a polaittii fuNro diodclo li a pol''itii futuo. condensatoaelor electroliticc - dac
stabilic a prrnch ui static dc fiEc|ioBae dar preziot un intcres redus !a sh]diul funcliei
exist. sub|iniem c bansptmerea unui circuit rcalizat cu traozistoae pe subsEat de silciu n
" electonice pincipale 8 ccuihrlui' adic al fuocliei de prelucrale a semalului de inuale.
circuitul similaf cu t"aDzistoare pe substrat dc 8ermirniu, sau inven, nu este at?lt de simpl din
cauz c cel pulin cafacteristicIe de inta'e gi curen1ii reziduali invergi ai joncunii colectoi.
ba suot diferili. In acest din urm caz se impune reproiectarea circuittrlui'

I9(O

Fi$a 5.4. Polarizarea corccl a trarvistoatelor..pnP''. Figura 5.5. calactcistica de intrale a tsaDzistoallor bipolae.

Putem abolda atralizs caracteristicilor lttice dc intrr$ dc ie|ir. a tanzistoarclor


Itr cilcuitele lctsonice cae peluctea sennale continue, aceste seuale trebuie s
dup ce Yom aita c poDrielatea fuldamcllll . .ranzi'&gl9!9l.u!pd3l9.9{g3s!9.!'!-
Dolarizale corect. cureDful de colector. I.' este un multiplu bie deterBinat al curenfului de fie suficicnt de mici petlu c puDcn de fclionarc l dispozitivului electonic s sc modilice
baz' IB. RaPortul: numai in jul puncfului A. In acest fel cicuiful de iltre nu va ayea nici tendnla de blocare,
ci de saturare profund, evitndu.se distorsiuoile 8sigurndu.se cottdiluni conforme cu
B=--L (5.1) 'i
liniaiziilepe cae le vom efechra. s admitem c semn8lul dc intrarc variaz cel mult cu
ir mod corespunzito culenful de intae evolund .rntse liEitele i6 . similnd ^uBE, acum
caractcTistica dc inare unci drepte, vom putea dcEi rg$9str-!'fcjen[!E-.de-t|s!9g-
traozistorului prin utoaea relalie:
carac.eristica de intrae a tranzistotului biDolar di.otse curenNl de
bez 16 si tensiunea ba.emitor, UBE. cut jodcliunea ptr baz-emit]ol oprezint o diod
semiconductoare Polarizt direct' aceast caractelistic este Practic identic cu caractedstic
s|atic a unei diode. Figura 5.5 se refer la caracteristica de intrare a rmui tanzistor
.hpn.',
nsurat i condiliile unei tensitrni U6g de valoare constant. Tensiunea UBE^ de safuraric a (5.3)
joBcliunii ba.emitor ale valori injur de 0,5 - 0'8 v la ta'zisto8ele cu si[ciu ri dc auoai 0,l
- 0,4 V la tranzistoaIe|e cu grEadu. Pelhu ca un trnzior s poat plelucra seElralele
apcate la iqtare este occesa! ca rprealabil circuifului baz-cqitor s i ss stabileasc un punct Aceast rezistenl difeentia| dc intr.are ne aal ce sa.cin reP!rz!! ba!4!!9q.p9!I'u
static de frnclionare, A, adic s se gencreze rtn cu.ent de baz 161, cruia li corespunde o gct!!B!gru] semDalului de iqtrae. Va|oarea sa depinde rr mod evident de modul de alegle al
tensiune baz.emito UBEI. Asupra acesfui lucrr 9e va teveni in paa8afele special destinate PWch'ui . Pentru a putea esiima comeniu| de valoli intse ca'c este cupils !o, relun
studiu|ui funciei electTonice secundare de stabilie a prmclelor statice de frnc|ionarc. explesia caracteisticii statice a rtei joncliuni, valabil pentru semnale rnici:
96 97

valoi apropi8te de UcFs,{t. I! sccst di! urm caz cai.acteristicile statice se inclin mult, cueful
( YaE
dc colecto lncepe s depind ! mod seonificativ de teusiunea colecto.emito!, efecful
t- r.L
U
' -l (5.4)
modiEcrii qrrenhui de ba devcnind secutrd. spunem c puncn dc f.rnc|ionare aI
dispozitivului elecbonic a intrat ft! zlna de safuBic, principalul efect fiind de asemenea
5c disiorsiooarea semlalelor Felucrate. ca rrrearq taDzistorul va tscbui s opereze la culeni de
In Elalia (5.4), I este cuentul de baz.ud(sle-t9!$!s@*F.{9lj'adJ'T_=LT.q'.aFlu{! colector stDeriori zonci de blocarc 9i la tensiuli colectol-emitor supefioale zonei de safuafe.
obtinem:
lti" -.: '"L'i-'elq'" t"t." z.ali-45.oV.Difereopind-acruo'expresia.de-m3ls'us, Este cec8 ce Errmim fuDcso'r.r ln zoEr rcliv a ca..ctrlsticii statice de ie9ire a
trglzistorrelor bipolare. Accst dederat se asgur prin proiectare8 itrgijit a cicuitelor c6e
indeplinesc fiEcia elec&oDicl secunda de stabilile a pulctului static de funclionarc.
1
(s.5)

prea mic.
pate
Inainte de a inaliza acest paragEf mai precizm dou! lucruri imponaole' Pe de o
atniionm alupra faPtului ce, lj cure* dc ba constalt, telsiuea ba2-emitor a unui
j-ffimffi*:l*:*::l:
.u.
i""'t a" i.''r*i modifrcarea ie$iunii colector.l!'ito!-jDlluoleaz.-!94s.iulea--baa.
j F4!-!o_ry!-Y'.d.9-q4!Lpd4-i
:mitgr.

o'r,
= Luo =lu") cs
(5.6)
LduCE )lB=
..actoa.i!e-.qo.p!i!-c3p.! tensiu4e:li..cg19!g'!9g.?i:.'r!g!ia
are semnilica$a inversl,h'; l'n!i
intem.. din tarrzistor. Cum-ralorile-s-sunr-d-ordinul-10: -.-t0:;.il..Yom- 4eela in
Figura 5'6. caacieristicile de ic$ie ale tranzistoaelo biPolae.
maj oritatea demontsati,ilol-uoastre.'

crracteristic! d ie'ire a Ealzoalelor bipotae, Figuls 5.6, este dat in 8ena-al sub
foIm grafic, 9i nc indic reia$a existelt ltle cuenful de colector, 16 $i tensitmea colector
Dac adtaitsE acrrm c tensirea colector.cEito arc valoarea UcEl, coespunztor
Duncfului static di' caracteristica de intrare a talzistoului bipolal, vom regsi prmctul static
emitor,-Uc.. rninrcat cu'cnh de colcctor depinde de cuentul de baz, vom distinge o familie
de caracteristici de ie$ire, avad ca para.Bebu pe IB. coespunztor lui
qrrent de ba nul, e frrnc[onaro A1 lrr ptanul camctcristicilor de ie'ir, curenhtl de colector stabilildu.se,
vom regsi o curb care Du .ste 'altceva dect chial caracteistic. sBtic a jonctiuii colotor- conform cxpresiei (5.t), la valoate staliooar lcr. Peotsu ccst punct static dc funclione
ba la- polarizate invcs.'Acesst c8racteistic de6ne$e $ doeoiul de frnc$onare aI o rezistcu{ static! d. ic|irc prio r'8toaea c\plesie:
putom dfini
tJalrzistorului irr carc starea acesfilia se consider blocat. Pe msu ce valorile constante ale
curentului de baz dcviD din ce fu ce mai ma!i, ezult cube caracteizate pin curni de
co|ecto lofuili, pentnr acelea$ valori ale tensiunii oolector.emitor' calitati\ putem afirBa' c p u^^.
prin valorile urentrui injectat in circuihi ba.emitor control'
..calacterislica static invers
^cr -
- ___!g.J-
I-,
(5.7)
a jonc$unii colector.ba... caractelistica superioa, co'espunztoalc I- IDMj( peDite cl
generarea de curen1i de colecto apropiaf de valoaea .{im da! prin .atalog, lcr.N(' .mtre Este
;dent c la u cufeut de ba dat, tensiunea colecto.emitor, UcE , poate lua o.ice valo.i vrloaea aceste rzistonle depide de putrcful static de funclionare ales
9i ea are o sem:riica1ie
o gi UcEitj(: valoaea nraxi a teDsiuii nu poate fi dep4it in tiopul fr'Ectionnii din raliuni cds in ploiectaea circuitelo. elecbonce cu tsanzistoae.
legate de protcjarea dsPozivul electonic lmpoiriva fenomeuelol d slrlrtoge.e invers. La ac la cuent coDstant 1n'cjrcuihba1el!9]'ts!!l!!pq.cplpgtp!:9qlql99$'-o.Qific
p."lu""*ea seonallor continue se ecomand utilizarea nor telsiuni de lucfu ^m circuiful e-cqiralra{sGlaq,4!isii"".+.J"":!:lir:=i,.:!*bl+9gll1:=::l:*t"*"
iolector.emitor ma Bici decet UcEM,{x peuttu a se evita aparilia distorsiunilo. Tot n Putern atrrDci d:fini rezisteD|q dilelelfial'co|ellor..rB-i!9rj-nn
rela|ta:
cicuitele elechooice petusemnale cootiue 'i este necesa ca teosirrea UcE s nu scad la ^ic.
98

(5.8)

Deoarece in afara zonei de satrrra1ie caraiifrsticil6 d6.iegE suot pilc orizontale, aceaste
rezisten( ae valor ma.i, cuP.ilse, de obicei' lnhe l0 k) si 1 tLLa tranzistorul biPol i{eal
curefu]ru de
I-el-s!9li4.dif9Ie4ialtrcole9taLem(o.[9stejDi6. Preci"im cI la valori mari ale
colector, valorile acestei eistente scd deoarece creste up iclinarca caracteristiclo de
ie{ir.e.
U al doilea parameu iEPortaot al cacterstcilor de iegire ll putcm de6ni dac ltrm
n consideraliuno o Eodifica.. mic a cucnfului dc bz, de la IDl la IB2 , la tcnsiune colectol.
eEito' constatrttr A'a cum se poate vedea li n Figura 5.6, roa't o Eodiicrc corcspulzloarc
a curenhrlui de colecto' dc la lcl la Ic'. suntem ln msur afurci s dc6d'' asemnto

p=i=
^t- (s.e) Figua 5.8. Explicativ privind depcndenp factonrlui p dc aecvenp.
B
Precim c i.o expesia (5.9) ic este e8al cu Icl . Ic,9i, din motive de spaiu, n este Tlecem acum la invcigarea, pc scurt' a caracteristicilor dilamicc ale
evidenliat separat pe Figua 5'' ^ talistoarelor bipolarc' [18], t25]' t38], [39]' 1o)' 72I, .l3]' [E2]. Irr acest caz' in regim
quasstalioDar, Fmchrl de frrnc1ionare al tranzstoului bipolal Poatc fi gsit doar in dou poilii
In general factorul=0-llfelJuin_d9 .factorul dc arnplificare i curent contiBuu, B,
definit anteior. Figua 5'7 evidenlia felul n carc faclorul de aopIificale n cuent. de seDnal distincte: fie i! zona de bloc6le, (l) . pe Figura 5.6, caz in care tcrtsiuta colecto. . .mitor are

eis'dp.lqd9-d9JuloaleLcurnilul.d9..99leo!9n acE-as-66eiiEEp6i c16 voilie valoi mai $ culenful dc colcctor estc foartc mic' fic n zona de sanrrare, caz n care tensiunea
colecto! - emito este apropat de U65511 iar c!enful de colector avalori mari, (2) - pe
amplificri mari irr circuitele cu tralEistoarc bipolarc dac puncful static de fihcionate se va
selecta la cuenli medii, (pentu trazistorul dat), deci n cqEul zooei active de fimclionaIe. Figua 5.6.
Acest factor de aPlificare depinde !i de frcvenla semlallor va.iabilc preluffate. Pn la
ecvene de lucru elativ mari, Figura 5.8, p est practic gal cu B. I,{ iecveEla limit, f. el rg
devine de = l.41 ori lai glc dccat factorul de amplificale in orent coDtinuu iaI la aecvenla de
tiere, fT, p devine egal cu unitatea, adic dispotivul clectsonic nu nai adplific ln curot.
Pentru inginerrrl electrotehnician, care lucrea cu circuite de electonic industrial,
dependenla Prezentat in Figura 5.8 arc lm caEotgr informati1 pe parcursrrl acesfui curs
universita noi admind egalitatea p = B = colstant.
p{JcErc

Figu.a 5.9. coEutalia dfuect la tr.aruistoalele bipolale.


Figura 5.7. Dcpendeola factorului de alrplificae in qnent, d seiloal Eic
de valoaea culctului d9 colector
Deplasaea punctului de funclionare inte cele dou puncte lldicaie poa numele de
cofiutaie a tanzistoului bipola- ceast coEutalie nu se face inslan:aneu. din motive detaliat
r00 t0l

expuse.l capitolul 4 ea este isolit de pirderi de putee. Figua 5.9 scoate it viden cele expusc roai sus devin utilc in Isua in cae P.oiectantul circtelor clectronice
proccsul tra.Dzito.iu de 'isanrrarc a unui traDzisto bipolar, calacterislic deplasrii purchrlui de va a'lege di! c.t.loagel c coEpou.Dtc .lectrolic. tralzioa'cle calc sunt necesare unei
$clionare din (l) io (2), conforE cu Figt'..a 5.6. safuraea dispozitiwlui electroruc este aplioai dat 9i din caracteristicile grafice igi caloulea parametri specifci Punctelor de
contolat io circuihrl de baz' prin injectarea unui cwent iBl co!st8^l 9i de valoae suficient de frroc1ionare selectate. o se.ie de valod nuEeic! tipice, minime' respectiv, maxime indicate
mare. Ploccsul inves, nulrit ploces de blocae al tratEisio!lui, este prezent8t.m Figua 5.l0. tabclat, wulea aclst prors.
Blocarea este controlat tot in circuitul baz-emitor, pin alu|ala curenfului ca menFnea
starca safuat a tanzisroNliri. cure[ b:anzitorii negativi, i6, , pe durate procesului de bloc$e
Pot avea efecte benefice asuPra coBpotrii i! alsamblu a dispozitiwl electroic. Etapele de 5.2.Model de semnal mic.
desEiuae ale acestor procese dinamice de comutare sunt de asemenea de|nite pe figurile
mentiouate, [38]. Modul coAcret in cafe putrcful de frMclionale pacurge zona activ ln timpul In paI-agrafirl anirior s.au iatsodus o setie dc prrsmetli cere perrcit caacleri.arca
procsului traDzitoriu de comutae depinde de caracterul circuitului' [70]' fiind dc imponanF nuEeric a utrui punct de funclionac al telzistorului bipolar, precum a condiliilor salo do
csenlial di puncful de vedere al siguran|ei i| funcionare a tranzistorului. functionalc i! juru| aceshri putrct de i,rcliotac.ccea cc cste oecsa acr|!
'i este stabilirea unui
Bodel malsnatic.al-dispazitiwlui.electsoic cs s descrie ct mai satisfctor-htF6iea
acestuia ln jIul acesfu Punct da frroclioate. cum caactcisticile st8tice Prezeotate snt
p.ofrtnd oeliDiIe, acest Bodel Eateoatic va putea fi dezvoltat' pri liializarc, numai in juul
puoctrrlu stsc selectat lezultatle obliuute 6i!d valabile nuEai in osura in care semaale|e
prelu.ate vor cvolua n junrl pulch'ui de futrcliolae abordat. vofu iDt'oduce acest model
mateEBtic, care sc va nuBi modelul de scrlurl Eic al tralzistorului bipolar. In acesi scop
rcmarc c att modificile oici ale teNiuii ba.Eitol, ct 9i 8le crrentului de colectol
$mt funcliuoi de dou vatiabilq depklzeld de vaJiaa cur.ntului de baz de vaiaia rensiunii
colector{mi tor: 'i

u". = u",(i,,u^.\
-"L _ :t \.'-. :" , (5.r0)
. - I. \
tc = rc\r a,ru)

calculm dife.enlialele totale ale celo. dou el?les dl rlaliile (5' l 0):

",, =lAf,**,
i, *
lhf
d
,,=-,' "*
ai^l
(5.1 1)
ai- f
0,, =
I
i, * I d d,,,,
li),*=o, ldft ), "=.,
Fi8ura 5.10. Pocesul de blocae al taizistonrlui bipolar.

Furtofionaea in leg|m de coButalie a tranzistoarolor bipolare 9i cunoa'terea proceselor Folosind acum lotaiile i.otsoduse in Paraglafu| alterio., rezuli2:
de coElutalie ln intimitatea lol sunt esenliale la iuv.stigar.a crcuitelor el.ctroEice de
impuburi' Faptul c n strile quasista1ionuc de blocare sau sahu.ae Pierderile de putere, p, in
cicuihrl colecto.-emitol sunt eduse, fec aplicabi|e tnBzistoarele lD electrouici d. putcre'
unde se opeea aproape ix exclusivitate n regim de cotEutaie. Pierderile de pute de la un
! dur, = ,rrdi, * ,,du",
ipotetic punct static de fuc|ionae amplasat iD Eijlocul zonei active a haizistonui de putere (5.12)
sult de neacceptat di cauza imposbilitlii evacua i cldWii produse. di, = Pdi, +
I
a u^-
Asupra problematicii caracteristicilor dinamice, de coEutalie, ale tranzi5toarelor -CE
bipolae se va Ieveni in volud al treiIea al acesrui cus univrsital, care se va intitula
..Electonic
Puau itrgheri ele.hotehniciei - cicuit electonice de imPulsuri'' Ecuafiile (5.l2) eprezint r!ode|ul de scmna| EiG'aI traDzistoului bipolar" sub.jqlma s{b
cafe ie voo foiosi in in prczeotul .r'rs u.oiveiJitar. I-uana i,'
"ootinuare '
"pi'.lliodti.]".}"pliirc}'
ii'r"'ti"""
' I

" i ll(l') i;
LO?

toate constantele din cele dou ecualii sunt crmoscute pen1nr un tranzistor dat
d fucionare ales, asociind ccuali'i.lor (5.l2) cclelalte ecualii dc tcnsiuni
li pentru uo punct
sry ;)
5,4.Funclionarea tranzistorului bipolar in conexiune ernitor comun.
103

9i curen1i spetifice
circuitului elect.oDic sfudiat, vom putea aborda orice poblcrnc tle analiz su siE.r a Circuitul clectonic cel mai simplu in cae un tranzisto. bipolar, T' flmctioneaz in
circuitului. conexiune emitor bomun cstc prezentat ln Figura 5.l l. In continuare vom demonstra c acest
circuit electronic ldeDlinest. frtnctitmea de a.opli6catoI de tensiune' vom calcula factoul de
mplificarc prcum $ rezistenta de intrare de ie'ire a cicuihrlui.
Iformativ, plecizm c fonla matricial a sistemului de ecualii (5.l2) este: 'i

(s.13)
l:::1=l'; !l:',",1
Recuuoastem aici matricea de paramehi hibrid' I{" , cunoscut di! tcoia cuadripolilor
electrici:

0,," oo"1
| (s.14)
1h.,,,
ho,]

Prin identificare, rezult c, .baeehi in b" ai tranzistorului bipolar, pentu conqxirmea


.trito comt]n''' vof t:

'r, = hr, | \2.


(5.1s)
Figua 5.l l. AEplificator cu traLzisto bipolar fu cooxiune emito! comu! simp|

f = hr,. 'cE - "22.

Lund i! consideraune Figura 5.5 9i Figura 5.6, admtem pentru fuceput c, print-un
ce'ti parametri sedau in.ataloagele de t.anzistoale bir'ol8.e, asociat cu condi}iile speci.fice mijloc oarecae' punctul static de func|ionare al circuifului de intae s.a stabilit in A, respectiv'
de
msllrar..In t.atatele de electodic' pe baza acestor prametsi s deduc modele de c puncnrl static al cicuinrlui d ieti'e s-a stabilit in Al. Aceasta insearDn c potentialul de
iucru, utile
inginerilo electroni'ti. !a cufu s-a precizat gi mai sus, noi vom aboda chstiunile cuetcontinuu al bazei ste UBEI, cueoful prinjoncliunea ba-emito este lDI iar cuenful de
de anaiiz $
sjote a circuitelo electrouice pe baza sisteBului de ecuatii (5.l2), prin Eijloace colecro ae valoarca Ic|. Intc curenn dc baz si culenful de colectol este evident lespectat
mai apropiate
de formalia inginerului electotehniciart. relali (5.l). Pesupunnd deocamdat ca circuiful din Figua 5.ll funclionea in go1 sau ae
ca sa.cir un alt circuit electolic cu iepeda!a de intrae infnit, cuenful dc ie$ire, i."', va fi li
el rul. Atunci culeltul cotltinuu de colector, Icl este asi8rrrat de sursa de tensiuoe continu'
o.sisteEatizae fu aaliza !i sinteza cicuitelor electronice eleoentale cu htlzistoa1e +Us, prin rezistena fu, nu.g t rezistenl de colector. Pin alegerea valorii acestei rczisten|e
devile Posibil Pe baza conc.ptului de coDexiutre r dispozitivului clcctronic. confolE elatiei:
clasiicaea are
la baz identi.ficarea acelui electrod al tra-qzistorului cac;ste coneclat
|a poteo1ial coasranr, sau,
ir mod particular, la pote!$alur masei sursei sau sulselor de alime'tare a circuit_rrui.

''r=r%=+
I,, acest
context distingeru circuite cu traIzistoa.re bipolare ir conoxiune mito.
comu& colccto. comun (s.16)
sau ba coBrun. I"D coltinuae se vo. studia cifcuite electonice fuodameotali'
cu tranzistoare
bipolale, confom clasificrii de mai sus. se va urnIi punerea in evidenp
a func|ei electronice
pri.cipale a circuifului, asociat cu stabilirea rezisten|ei;ale
de intrare, ."'p""tlu, ! ."qi,".
104 105

impunem ca te siunea de ie$irc s ia va!9g9a.ooqinu19gagc9-uc61. Facem dou precizri D


du,o = - P R"di, = - p---:Ld u
..imou!ree''
imDortante. Pe 3-o Dde sublinieE c aceast a tensiurrii colectot-emitor est (5.23)
poiiuita ain cau c nanzistonrl bipola prezini caracteristici dc ie$irc Practic oizotale, ,BE
pentru rensiuli mai mai dect v{IoaJe de saturaie. Pe de alpe sublinienr c alegerea
valor tensiunii U661 poate fi dependent de apcaie' dar in gen.al se lrefer ca ea s fie chiar
jumtate di'l Yaloa.ea tensiunii stabilizate de alimentarc a circuifului, plasndu.ne 'in ccntrul
familiilor de caracteristici de ie'e. Prin rrmae rctorul dG alrplircare al scBDalului .le tensiune aplicat la intTarc va fi:
suntem acum in m5ul s analiz&tr oodul in carc Prcluc.eaz cicuiful electronic un
sernnal mic uio aplicat la intrare. vom aborda mai intei o anali sinPliicat aP.oximativ. du n^
,,=_:=-p.--9- (s.24)
Remacm fapfuI c int'ajca circitului sfudiat coincide cu cicuihrl de inbare, ba-emitor, a|
" du.
,^-
trarlzistorului T. Ca urmare:

(5.r 7)
Din cauza si.BPlific.ilo pezeotate pe parcursul demonsbr|iei, expresia (5.24) are un
caiact 8ploxiEativ. ionr5i ea cstc folosit cu dcosebit succes ! practic' conducnd la
este o relalie ce l mne valabil $i pelltru vaialiile mici ale sermalu.lui de int.are: ezultate r;bdv satisctoarc' se poate constata siBplu c facton' de aBplilicae depinde de
tranzistorul ales, prirr valoarca coeEcierrtrrlui p, precrrm gi de puncnrl static de firoclionae prin
du = du-^ (5. r 8) valorile reziste4ilor Rg 9i lgE. Deoarcc valoi mrite ale ezistentei de colector conduc la
tBiuni roici ae ie'ire eciat cu oe'tera tDdinlelo| de distosiona.e, iar valori redtrse ale
Admind c teNiunea baz.emito este independeot de tensiuoea colector-mitol,
zisteltei difeeliale baz-emitor 8fecteaz in mod ndorit restcnla de in.ae a
modificarea dqn a sernnalului de intrarc va genea o schimbare co.esPulztoare a curgnfului de
aooMtonrlui. rezelva de ajustale a lui U plin leProiectatea punctului static da firncgonre
est! rehtiv ti.roitat. Sernnul minus dil rcla1ia (5'24) evidcnlia fapful c accst ci'cuit simplu de
baz|
amplicare defazeaz semnalul de ie9i'e cu l80" fal de semnalul aplicat la inarea sa.
du^- du Ne propunem acrrm s faceo calculul xact al factorului de abplificEre al circuih'ui
diF = ---tz = -----tt (5. t e)
snrdiar In acesfscop ata5lo ecu.liilor din modelul de seonal mic al tranzistorului, ecualiile
" fu
'rE soecfice circuiului. Reat urDtorul siste de e.ual:

Penbu un tanzisto bipolal ideal, c1r caracteristici de ie|ire orizontale' rcE +


.o ii, d u^- = rrrdi, t ,,dr",
dept umare, modificrile cenhrlui d colector depind numai de modificrile curenfului de
t
i" = pdi" +
baz.'
d =dr",
di" = B di, (s.20) CE
du^- = du. (s.25)
PenEu tensirmea colector.eito a tlaistoului putem s scriem:
d'r, = d'",
u"r=Ur-R"i" (s.21) du- = -R"6;"

rclalie carc, prin difer.en;ier.e, cu luaea in considet.ale a fapfului c tensiunea colectoI.emitor Efechr.od acuE toate substituliile necesare, ob1inem sistemul do ecualii mult mai
este tocmai tensiulrga de iesre' ne d:
sinplu:

dr,o = drr, = -Rcdic. (5.22) (du =r,-di-+vdu.


|-Ebf
1 duh" (5:26)
+ Ldu.
I
l-
fPr"s = Bdi-
deoalce tensiutrea cotinu de alimentae a circuifuluj este plesuPus const8nt. Efectund
acum n]ocLliile succesive ezu|t simolu:
L-?cE
106
107

De aici 8.flm foa.te sioplu rczlstcnta dc iltr.rc a circuitului:


Iotnrcat urmim deterBi0aea factorului de a$plificaro teosiune a'l citcuifului
electonic, vom rnul1i a doua ecua1ie cu factoul . BE / p 9i apoi o adunru la prima:
(5.32)
d, +, 3,
.^i"
p^,u""= vrduks
r-.
- ff.o","" (5.27)
'c t" cE
Deci rezistenta dc inbac a aopliEcaroului cu tra!2istor bipola ln conexiune mitol-
Din relalia (5.27) oblineo imediat rezultatul doit: comun este egal cu lestenla difefenlial ba-6mitor, coEspunztoare punctului static dc
funclionae ales. Rezult de aici ca puocful atic d nttrcEoDare Ya aebui selectat cu deosebit
gij, pentu ca factorul de ampliEcae in tensiune s fie suficient dc mare lo condi$ile io care
du p
A-.=---j!!-=- B 't rczistenla do iltrarc nu scade prca rult.
" du -1; (5.28) Putero proccda 8cum la stabilirea rezienlei de iesfue a ampliicatorului itrYesti8at. Prin
definilie rezistctra de ic'ire a cilcuifulu s1abiloltc qr ce valoale scade tensiurrea de ie!|Tc
n"l
BE ;CE atunci cnd cuenn de iegire c9$te:

Relalia (5.28) ne d v!|oaes exacti factoru|ui d. i!


arnplilicatorului
rmp|ificar.
tranzstor bipolar in conexiune cmitor comun simpl. Deoarecc glpresi8 din
llsiuoe a
'u |a" f
paranteza rotund -cu
'"er
t = ----.J!!^ = - |-.-r| (5.33)
IL di.
de la nmitol are valori cuprinse intre o.l
si o.dl' ea poat fi n;dat $i
afunci 4ungcm din nou la expresia (5.24), determhat ta) luur=o,
lpotezele accePtate c rqg
Pe ci mu|t mai simpte, pomind ac ta
= co fi v, = 0 . Practica proiedrii cilcuitelo elecEolicc a
^tt4
c tofu$ aFoxima|iile fonButa (5.24). suqt **"i p*" targi, aat, io accla'i
9":9.,n1.
fo1owea formr'rlei (5.28) este p-rea greoaie. s negliim afunci (5.zs).noa'ractonrr
timp,
v.. voo I.otIut teDsirmea ba-emito este constantl oeglnd factorul v., pima eca|ic di]! modelul
ajun8e arunc| la expesia v'lorii practice a actoruIu de aElpliicrre: de semnal mic al tranzistorului devine:

*'",
e,, =
" --iR"-ss__-
ru\R" + r") = -BR" (5.29) durr=rrrdir=o (5.34)
tne

c'din PuncruI de vctlere al factorului de amplificarq rczistenla de unde, in mod evidcnt:


'" ^^'^^.T:.::::.:"r"ot"serva
in paralel cu ezistella difeenial colector.emitor,iapt ecn1iat '
'Pfur slmDolul x ::i1tf.
.::::i"-.:"^1.::5 9i
oloslt in al doilea termen din.elalia de Eai sus. 10
pot 6 gsile o seie de considenliui suplimentare
[62], t63], 6a], de e;eo;Iu, diD = 0 (5.35)
asupt'a cslculului.a.it"ii i"
.
rrn
^ oelra|e,
"-pIin""o.
aborda-in conlinuare ploblema reste;ei dc inbare 8 anplific;torului
, .Y:: ca stab||elte cum sfudiat.
evoluea curenful de intraro in circuit, i6 dac se rrodiic
tensiunea de ntaIe,uin : In acst condiliuli cea dc a doua ecualic din.modelul de semnal mic al tlalzistontlui
va |ua 5i ea orma simPl:
du
- ^u = ----lL
l. = ----14
di (5.30) i; =
utC
I -'-. (5.36)
^t.t'tin
-AUCE
CE
observnd c semnalul de intrare in circuiful alpliicato! este
.coincie chia. telsiunea baz. Remarcnd inc o dat c cuetul de ie$re este diferit de zero, pentru tensiunea
edto. a tan?istorului bipolar, c cu.eafijl de iatrare
tranzistoului |i negl.od factorul v* oriEa ecua1ic dn modelul
;" ;il]l do ba al colector.emitor putem s sc.iem:
de s"^na .i" m.-.to.l|tui'
(5.12), devine:

,c, =U, - x"i*" = u, - n (i" +;,o"


) (5.37)
d',n = i, (5.31)
'rrd
108 109
r.i. .
Prin dierenlieea expresiei (5.37) ezu|t. Ilaintc de a inchcia ac subcaPitol, subliniem c ln vtor vo! renunta, tot di-u motive
dc timp 9i spa1iq la deoolstar.a exact a valorilor caractc.isticilor cicuitelor clecEonice
s,tdiate.vo 8boda o aDalid indirect, pollhd dc la bazcle izice alc func1ioorii circt.rirelor,
a ur, = - Rr(d r" +l I (5.38) 8guoeDtnd trs solid expresiile de calcul inbodtrse. Pntru dgmonstra1ii oxacte lecoEandrm
consulta.a r'tneia dioEe lucrrile [62], [63] sau [64].

cu observa|ia c telsirea colcto'-gmitor a tranzisto.ului este tocmai tensiunea de


ie$re din cicuiful amplificator' inlocuind exP.esia (5.36) in rlalia stBbilit mai sus, obli.le.ni

a;,"" = -n"lja,,* *d, l (5.3e)

' P.in umare rezistelta de i.'L. a ampEcatorului de tensiune cu tranzistor bipolar in


conexiune emitor coEtun va 6:

du n- R^ r--
',""
=
i:tc' --
,I +14-
----e
= -
^;iT
(540)
Figua 5.l2. schea echivalent a arnplificato*T;u o*iuo. u'lolat in conexiune emitor
,CE

sau" scris simbolic:


circuitul 8mplicato cu Ealzistor bipol! ilr conexjrue ctoconun' sfudiat 6ai sus,
se caracteiza Pin valori rclativ oari ale factolului de amplificarc in tensiune da aPlic}iile
cl telatiy insabil 9i predispus la distorsionaea senalului de
r. = R^ x r^- (5.41)
practice doronstreaz
intrale. Dc acea
est
se prefe folosirca unor gicuite
fiDdanentale prevzute cu reaclie negativ.
Aceste circuite au factor d ampliicarc mai redus, i! schiDb prezint stabi|itate nit 9i
tendinlc de distorsionare dimiduate.
sedoul inus se rgfer la fapful c teasuoea de ia'ire scade odat cu 6e$erea
curenfului de ie$e. Expresia (5.41) ne arat c din punchrl de vedere a.l rcstentei de iq'fue o vom analiza acu& un circuit simplu dc smp|ilicare cu tnziJto bipolar in
valoare ct mai mic peot! Rc este binevenit. ceasta dgplassaz ins punctul static de coletju!! Eitor coEu' preYlzut cu rcacfic uegativ de l.Esiule. circuiful electloic
functioqar. rr dooreoiul tc{siuqilor mai, favorind distorsirrnile si leduce fac1oul de invcstigat, cu u! num milim de notalii Decesar aDalizi funclionrii sale, este prezentat in
aorplificare 1n tensiune al cjJcuitului. Dac tsa.ozistorul luat ill coDsidealiuo. cste de bun Figura 5.13. si io accst ac.st caz P!supu!.o c! print.un mijloc oarecre cste stabilt punctul
calitate $ putem admite c restEnla sa difercnial colector.emitor' la puqcbrl static de static de functionae al tsalzistorului T. Acasta ilseao! c t.lsiunea ba-emitor are valoarea
nDqionarc' este in{init' atunci se poate lua in coruiderale ful proiectre formu|a mult mai UrEt, cueDful continuu iE ciroui$l de ba este IEl iar cuentul din circuitul de colector este lcr.
simol: calgulDd yaloaea reisteolei Rc tot cu telatia (5.16)' iopuneE tensiunea de iegie, in liPsa
seonalului dc Ltrae' la valoarea Uer .
Fcnd abshaclie dc cele do! ezistenlo Rl 9i R3, circuitrrl din Figura 5.13 este cl al
r.=R^ (s.42) unui amplificatol simplu de tensiune nn congxiunc emitoT-comun, cae aJe ca mrime de inbare
tcDsiulea l.de coand" uo idetic cu tDsiuea ba.mitol, uDE a talzistorului T. ca mae
cicuitul va ata aceast tensiule de coload 6xact n conformitate cu cele xpuse i'l
p8ra8afi alterior. caacte.ul de Boutate al circuihrlui 8nalzat este aceta c, datorit pezenlei
Figura 5.l2 pezint un model al af,pli-catorului de tensiune sfudiat, intocmit pe baza cclo! dou rezistenle Rl R!, telsiulea l\ depiDde att de tensiunea de int.arc, ui", ct 9i de
analizei de mai sus' Petrtru odce circuit electonic putem concepe modole si.rnilare, dar vom 'i dou ezistenle Een}ionate formeaz, de altfel, tocmai releaua de
tensiunea de iegire, r!"'. celc
evita introducerea 1or in cotexful acestei lucri destinate ineioerilor electrotebnicieni' rcaclie a arBplificatorului. Pntru a illelege modul de fiDcionare al cfucuifului vom pesupune
ll0 lll
c la htrare se aplic seolul mic Lql li vom investiga regimu.l t']zitoriu cae car.cterzez
evolu|ia tensiulii de iegLe ctre noua sa Yaloac stalioDari. In accst scop vom admite c Datoric acestei tensiuni iniale de comand ncepe ins 9i schimbarea teosiuni de
culent.l de baz al ta'zistoului T, iB este neglijEbil n rapot cu curenlii pri! reistenlelE din iegLe' conform rela1ie cunoscute:
leeaua de reactie.
du = -A..du^ (s.46)

urrd AU este factorul dc mplificr


n tcnsiuno al aroplificatonrlui fr eactie, calculabil cu
exp!esia:(5.29). Pe msu cc olodificarea tensutrii de ie$ie crelte, schimbarea ini|ial a
tensiuii dc comsnd devinc:

R, R'
,!r,- * ,lu < du-
nt +R2 te'
lne ln (s.47)
lnt v-
I

f
I
.rt, + -&,
|
lu,* 'u
t
't
t Relalia de mai st rezult dn (5.44) prin tansformi simpl. Dac admitem c modificarea
tensiun de irrtrae a fost pozitiv, tensiunea de ie'irc scade, deci dui.' , conora expresiei
(5'46)' este ngativ.
A'9a cum s-a cvideiat in (5.47), modificaea tcnsirmii de comanda scade gi
ea, fenomen canctedstic reacei negative' RegiEul quasistalionar ln ci'cuitul de i$ire se atinge
afulci cld modificarea tensiunii de ieir cre$te atft dc Buh incet anuleaz modiicarea
tensiunii de comand, du.1 devenind egal cu 0. Din lela$a (5.47) putem sce atrroc:
Figr.ra 5.13. Afuplificato cu ta[zistor bipolar in conexjune emitor comun cu reaclie negativ
dc teflsiune R^du. + R.du =0 (s.48)

conform teoremei lui Kichoff pent'u cuen1i, apl,icat in nodut dirr vecintatca bazei Prin rrrmare factorul d6 aBplificate ln tensiune al acesfui anplificator cu reac|ic negativ de
tranzistorului T, rezult c iRl = - iR2' ceca ce s.rat c cclc dou ezistenle sunt pacuse de tensiuue este:
acelai curent. Prit! urmate, pomind de la teoema lui Kirchoffpentru teositmi' scris referitor la
ochiul care corrline acestc ezisteolg lezult?i:
, - d''," __n
-
R,

R,
^t_ n l (5-4e)

," * Uur, = - ('u,n (uo, * ,,",) s 1)


'R, + 'R, l"^ ",.")]* Rezultaful obilrut este aproximativ' deoarece admi1nd c in regim quasistaliona
modi5carea te$iuttii de coland tinde la 0, adic:
Diferenliind acum relafa de mai sus gi lund:in considera1iue fapnrl c tensiulea de
polarizae a bazei, respectiv' tensiunea de ie9ie la pulcful static de fl'rncio.re sunr constantc, du.
obfinenr: dt1 = - ---::t- --; g (5.50)
"u
du & t,
lau. , \l+du
\ nr -au !
= (s.44) aE presupus c factorul de ampli'ficare in tensiune al aEP]ificatoului f' reacie, AU tinde la
Rl+n2 tes tes
in.finit. Acest ezultat apoxioativ Futea fi stabilit 9i pe ci mult mai simple, folosild teorema lui
Kirchoff pentru cueoli, aplict pentu Bodul din jurul bazei foarzistorului T' iJ! conditiile
Imediat dup aplicarea semnalutui de intrare, modificarea clu;o a acesfuia ou gene.eaz
ipotezelo simpliEcatoae acccpta.e mai sus:
si o modifcare Eic, inaotaqee, a se8naluli de ie'ie, deci d!ti.' egal Ju 0' Prin
urmare, modificarea ioifial a teffiunii de coEand va fi| 'lnne du'' -du" d''*-d''
* = (5.51)
&,
l, R, '
du
i, *R, (5.45)
se remarc fapful c aplicarca condiliei (5.50) ne conduce imediat la rela1ia (5.49).
rt2

vom abolda acum o pocedur de calcul care ne va conduce la o formul .xact de


calcul a amplificrii ci'cuin ui investigat. Renu!end la becerca la limit din (5.50) 9i n"ccsare
..o
(5.55), vom obtile inc o dat rela,'" t,.,ii, o"."..*.u'l]
apelnd "f""tuaoa
ale ci' ""t"ut.l"
la o form u5o! modificat a exPresiei (5.44)' putem scrie: 'i Inainte de a continua exPunerea legal de analiza acsNi circuit eorafcrn c s-a
rtrbilit prh 4 mijloace diferit. valoaea aproximativ' respectiv; cxac a factorului de
du R. amplificae' s-a Procedat iD Bod intenlionat i acest fel pcntu a a!ta citito.ului c in analiza li
du = ----E - = du,,
,' - =-t _-{auih -duitI G.5Z) sinteza cicuitelor electronice exist totdeauna mai mujte posibilitli de lucru, cunoaiteea nrai
, fi.+qt multo etode putnd i bcnefic la poiectaa eicicnt a circuit.lo complexe'
.va
Pe[u deterBibaea factolului de am.plificare Ag al amplificatorului f eaclie se
Efecfud acr[B toate calculele necesare $i grupnd corespu!tor telEenii oblhem folosi in mod evident expresia clltloscutl (5.29). Rem-a|cm ins fapful c iezistenla R2
urmtorul ezultat sDDiicativ: rprezint o sarcin in ctcuitul de iegie iar rstena Ri detemin o cdee de tensiune ce
liEitea culentul de intae. ca u'ma.e sc ecomad utiliiaIea urmtoarei forme corectate a
1 durz R( r) relali.i (5.29):

uJ
r
i=
= __-:
o,lt.
_ (553)
. d u'
.U A.. e,,=-P#
R-xr-^xR^
"t 'af
(s.5'1)
Dac in par. anteza Iotunda adgriteo o teroenul l /AU es(e mult mai mic dect unitatea. anrnci
obirrem formula pactic ..exact..
$ de c8lcul a fadorului de Eplificae..in bucl.. :
Pentru deteminaea rczistcnlei de int.are a alEplicatoului studiat vonr investiga
modul in care evolueaz cuentul prin rezisten1a & .o u!na apari|iei tensiunii de comand.
I l R
_ -'l
A, =_ u (5.54) conform cu Fig-a 5.l3 putem scrie:
\
rli _
a,c - (-t\a"
\ ut . _ \
(t* e..\a"
ut . z du
_.
"'n2 -
(5.59)
Di.o aceast expresie obtineE evidq relalia aProxinativ (5.49) atunci cnd, pdn tlecee |a
limitii' pDtlu Au foatc maIc, prthul terEien din melbrul drept dispae. De 8ici ezult fapful R, x, lt
c factoful dc gmPlificare AU al abplificatorului r reac1ic folosit in cicuit trebuie s fi. cu Au
att mai male cu cet do.im un facto de amplifica.re ..in bucl.. mai mac atunci putem 8pela la
si
formula aproxiEativ, fii a fac erori oari' Mai mult, fapful c factorul de arEplificare al ..se compo* din punctul de vedere al
alplificatolului fr reac1ie nu mai intervine in caracterizaea circuitului ampiificator, i Expesia dete.Binat teflect faptul c rezistenla Rl
confer acestuia stabilitate, imuqitate la zgomote) tendinle de disto.siolae rcdusc asociat cu itrrii ca cum ar fi legat in paralel cu 196 9i ar avea valoarea de AU o.i mai mic. Ca urmae
rezistenla 'i
de intrarc a cicuihrlui se poate stabili cu fordula:
Posibilitates scbimbii tcanzistolului T, fr ca factoul de amplificae al amplificatonrl cu
reace s fie afectat n mod seElificativ.
In srgit vom ata acum faptul c la concluz similare plteam ajunge in mod direct
r &) * i,
abordnd an?'iza cilcuitlui Pivit ca sistem automat de oglarc, pevzut cu laclie negativ. = n. + lr^- x (5.59)
Din automatic se itie c pentiu uo sistem cu amplificaa AU pe bucla direct 9i prvzut cu un u)
coeficient de reac1ie lg pe calea de reac1ie negativ4 factoul de alEplifrcate Ab afe valoaea:
Notend cu g "cettigul" buclei dc reglare:

/s {{\
1+ U k, (s.60)
A.
Remarcnd c io cazul cicuitului inYestigat .o acest paragraf coeficienful de ieaclic este cgal
cu:
putem determina rezistena de ie|ire a amplificatoIului de tensiune cr] tranzistor bpolain
cooexiune emito. comurt cu reac1ie negativ de tensiune pin exPresia:
n,
k= (s.s6)
\ ,;".=*(R.,,,,,\) (s.61)
ll4
I l5
ca o concluzic general a acesnri pamgrafputcm afi'ma c circuitul studiat ae factor
de amplificarc in tensiune mai cdus decat al amplificaronrlui r reac1ie d ca$ig in Dat pcntru evoluia curenfuIui pnrezistenla din circuin de eEito este adevr-at]l relalia;
stabilitate ;i are teldinle de distorsionarc reduse, este dezavantajat de o reste4 de inhae de
valoae mic, fu schimb se bucu de o rezisten dc ie$irc cu valoa scBnificativ rdus. Alte di^-=di^+di^ (5.3)
aEnunte pot fi consultate inb.una di.tr lucrrile [62] sau [63].

ca rrrare cdea de tensirre pe rezistenla R:


Ne vom ocupa in continuare tot de un cilcuit amplific.to cu tranzistor bipolar in
conexiure emitor coEun, prevzut ils cu eac|i. legativi dc cucnt. cLcuiful clectroic, duo = Rud io (5.64)
asociat cu mimile elec&ice nccesare analizci finctiotrdi salc n caa uoui sennal mic de
intrare' qn este prezentat in Figura 5.t4. A|a cum se poate u5or obscrva, acest circuit rcarlt din
crelte mai ales datorit evoluliei curenfului de colector, tinznd s reduc Ia 0 modificarea
cel al amplificatoul soPlu, f& reaclie, cu tanzisto bipolar n concxiune emitor comur1
ledsiunii baz-.Eitot pe msw cc cenh de colectoI' espectiv, tensiunea de ie$ire, ti4d s
prin completarca cu o sitlg rezicn' RE, dc valoalc Bic, amplasgt fut cicuiful emiton|lui
atng noua st8re staiona. Deci varialia tensiunii baz-mitor reprezint nuoai o Fac1iunc din
i dispozitivului electronic. Pecizm de la nceput fapnrl c valoarca mic r aceslei rezist.tlle
variaia tensiE de intraTe' prezeoa rezistenlei Ravld utr efect de eaclie negativ de cuent,
asigur n continuare ctcuihrlui analizat caiacterul d conedurre cmitot comurl
I coeficicntul de reac$e fiind:

+ug k^. -4 n-
(s.65)

Ca urmarg privind cfuauiful ca rtn sistem autooat cu leaclie oegativ 5i apelnd la rela|ia (5.55)'
puteB stabili dire.t factorul de .oplificale i! lensiune al circuifului cu exp.esia;

rlR-
_:___:_____L (5.6)
A, , R"

fu care factoml dc amplifcare An se poate calcula cu (5.29).


Inmtcet cicuirul arralizt este des utilizat, cosidedlr ca binevenil 9i efecfuarea
calclelor exactc pdviud peformantelg sale. Pentsu stabilirea valor factorului de amplicale
it teIsune, vom lua n considerare mai lnti prima ecualie din modelul de sefinal mic al
!:arrzistoului bipolar' (5.l2). coDfom cu notaile din Figua 5.l4, admitind c factontl v. cste
rcglijabil putem scrie:

d u^^ du. - du^-


di, = ---P- (5.67)
Figua 5.14. Amplificator cu tanzistor bipola! in conexitme emitor comutr cu leaclie ne8ativ
'
'tt 'o
de cent
Pentru modificarea curenlului de colector in funcfie de varia|ia teEsiunii de ie$ie
mne valabil elafia (5.22). Mai mult, neglijnd contribulia curenfutui dincircful de baz
Admitem c puncful static de -rnc1ionarc al disDozitivului electonic a fost stabilit asupia cderii de tensiune l8 bomele rezistctre R5 obtilem:
prin&-un mijloc oaecare, h condilii simi|ac celor exprse.n paragrafele a'!t.rioae. Tensiuoea
de comand a tranzistorutui T, egal cu tensiunea ba-mitor..dife; si.l! acest caz de semnalul
mic de tensiune aplicat Ia intraea circuitului. Intr.adevfu, Iund in consideraiune o modiicare
du du-_
K!
d i- = - -----!!- = (5.68)
du;n a semlalului de intrare, putem sqie:
"RrR"
du,=durr+duu (s.62) De aicirezull o mod evident c:
l1 I l7

n- considernd teIsirmea ba.emito ifaJrzistorului indePendent de modiicrile tensiu4ii


d u^^ = ----Ld u (5.9) colecto-mito, cste valabil giul de ralalii:
xc
du-- du - d u^^
relae cale ests biDe Ddepliniu n practic" observeld c iE conforEitate cu notarrile di! di" __-_J!_______-__ (5.76)
Figua 5.l4:
'BE 'Bs
du--=du. -du^- (5.70) Cu ajutorul lui (5.?5) se ajunge la:

': i' -du'- FR'di" (s.77)


9i iElocuind Ar Eod corespunz"ltor rslaliile de mai sus ln cea dc a doua ecualie din (5.12), vom
obline: " ,,,

jv R. n_ valoarea cutal a ezistenlei de intrae fiind:


q
t" --Lf,, duiB + --!-du
d u. R^ i.! D .'

_'c F-+ 'BE


^c (5.71) (5.78)
'cE
Efechnd acum toate calculelc algebrice eaesare ajuogem u;or la expresia: In Practic aceast rezistenl de intrae are valori mari.

du
___-L=_:=_
l n_ calculul restentei de ie'irc a ampliicatoului shrdiat in acest parr8raf il vom face tot
; - 'at
1n*,;
(s.72)
du. . ^c
pomind de la rela1ia dc dcic'(5.33),' fur care ins telsiunea de intare este constant.
Adnipnd 5i iDdePenden|a teBsiunii baz.emito fa de tensiunea colector-emitor, vom putea
scrie:
analog rela1iei (5.66).
du = durr+ dro = ,r"di, + Rrd iu = 0 (5.79)
Vom proceda in continuare la stabilirca valorii rezistrlei dc fubsre a gircuitului, pe
b8za rel8liei de lefifrie(5.30). In cazul cilclifului studiat aici tensiunc8 dc ijnFalc difer de
Deoafece expesla:
teDsiuoca ba-eEitor a ta.uistorului dar cuefirl de htrae tDlnc c8al cu curentrrl dc baz.
Fr a face o f,oae plea mae} n acast deBonsalie PuteE admito caractristicilc dc iegire )i _) !)i (5.80)
alc tlaDzistonrlui c8 orizootale il zona activ ds ftrncliolae' Atunci l/rgE tinde la 0 9i va.ialiile
cureohui de colector depind !mai de Eodificile mici ale cuentului de ba:
rmfure valabil pent cuelhtl de emiror al traozistorului, pe baza ultinrelor dou relalii
di" = Fd i, (5.73) rezult:

Admiteo' ca 9i mai sus' c rczistetrla di'r cmito. ste parcurs lumai de cucnhrl de colector al (s.81)
traizistorului:

RE = B + t = (t * f)t, o pt, =," (s-'14) Pentrll c lcsten|a din emitoul bazistorului T are valori mici' modificrile tensiunii
de iesire 5e datoesc in priDcipal varialiilor tensiunii colerto-emitor a tranzistoului. Pfin
Atuoci: tuma:

u-- du =du^-q ju^-adu^- (5.82)


-f
d
= Bat, (5.75)
r18 n9
cu ajutonrl expresiilor (5.El) (5.82), a doua ecuatie din modelul de seal mic al
tranzistonrli dvine: 'i
D1 5.4.Funclionarea tranzistoru|ui bipolar ln conexiune colctor
a i,C = - ,n5(ai-
/ \ B
+ r,t-'l a -L7r, t
Ct r
(5.83) comun.
.BE CE
Figura 5.l5 pezint cifcuirul clectrouic al anplificatorului cu tsalzistor bipo|ar n
conexiune colcclor coEun. se eEac fapful c circuitul dc iltare estE identic cu cel al
Renun|od acum $i la diB, cae cste negljabil irt raport c1t dic si efegtund clculele ampli.ficatorului de teDsiune cu &alzistoI bipolaI D concduno $itor comuD' pevzut cu
algebrice in (5.83), vom obline: reac1ie negativ de ouent. semnalul de ie'ic se clege dio eEitorul trarEistoului T. lntruct
tezistetrF de colcqto estc Rc = 0, Putem asioila amplicatoul cu tra.ozisto bipolar in
I coDexiune colector comun unui aoplificato in conexiune emitor comu.n' cu reaqie negativ
--7----Tt\ du. (5.84)
Eaxim de curent.
r^-l
(!l |
+ Brl
i
\ . I
BE,/ +us

stim l acest fel cum se odific cuehrl de colector al ts"anzistorului di circuiful rc


ahlci cnd tensiunea de ic|fuc variaz. Pentu variaria tclsiuii dc ie$e din 16
sfudiat ^c
o
', ".=
t
|
apli.ficator mai Pltelt scrie ns:
T
I t- ,, \'l
duPr = d|U.
I r
_ R^|di^
L\ L
+ di..||= -R^d^ -
tttJ
R.di.'. (5.85) lles I

lutes
Psbnd numai priml 9i ultimul embru al expresiei de mai sus gi idocuind Y
modiicarea curenfuli de colector cu valoaJea daul de elalia (5.84)' dup reguparea ?I
termenilo $i efectuaea calculelor se oblre:
t_
di r r 1
(5.86)
du. r. R^ x_)
,*(,*,
"lBE,
,
Fig. 5.15. mpliicato cu taPistor bipolarfu conex'une colecto. comun.
Cfucuit reDetor De editor

Rezult c lezistenla de iesie a anplificatorului va fi: Dac la intrarea circuifului ap|ic& o tensiune mai marc dect 0,6 v, atunc tensitmea

( n-)l
|o" *'.rll*
de ie9ire, cae este locmai tensiunea de la bomele reziste|ei R" cre'tc pn cnd:

L=-l P;-ll=-^, (5.87)


t",=t,n_Uuoxu,_0,6Y
L \'at/ l (s.88)

Din cele demonstrate mai su! Putenr coocluziona c ampliicatoul cu lrnsto bipola
in conexiune emitor comun cu reaclie negativ de cllrent 'are li l factorul de amplificare in Afunci petru factoru| de ampiiicae n tensirme a] circuituil'|i puteur scrie:
tensiwte mai mic decet amplificatoul ffu reacEe dar este mai stabi|' cu tendinte de
distorsionare a stmnalului mai reduse i permite schimbalca dispozitivului elecbonic f ' u du.
modifrcri majore ale pefotmanlelor. cicuiful se buqll de o rezistnl de intrare mae, il =--]9L = -----l![ l (s.8e)
condi$ile in care rezisteola de ie|emne la valorile caracteristicc circuifului neprcvant cu u du ^J -
eacJle.

Deci factorul de ampli.ficare este practic bitar' circuiful .te!'et. la iegire seranalr:l
aplicat la intra!a sa. Aceastii propietate leElarcabil a amp|ificatoului sfudiat justific
'i
120 121

..circuit lepctor pe emitor''. Teoretic amplificaea este


deuEiea sa' mult folositl iu practici, de U.mare a avantajelor specifice, vom re8si tranzislonrl biPola in conexiune coleclor
ulo subulitartr, valoalea sa exact fij'odi coplexe.
coDun in multe cicuite electronjce

A=r- ,"' t-r (s.e0)


5.5.Func|ionarea tranzistorului bipolar in conexiune baz comun.
f lR''.')
Acest pragraf este destinat analizei firlclionrii tanzistoaelobipolae in cea de a
Elgrcsia de mai sus se poate ulo deduce pe baz modelului de seonal mic al teia variant de cilcuit fundaBctal, caracterizat Pdn fapful c potgnftalul bazei dispozitiwlui
taazistorului' asocist cu eruafrile .suplimetrtae sp.ifice circuifului. DeooskB$a poate ti electronic este constant. circuiful, prezetat i Figura 5'16' ae multip|e asemnri cu cel al
gsit ln [62] sau [63]. a.Plificatolului cu Eanzistor bipola in conexiune emito comuB simPl.
- ientrrr calculul rezistenli de intrae ie poate folosi laia dedus la amplific5totul cu
tranzistor bipolaI lo conxiurc eoitor cooun, cu rcaclie oe8ativ de cuerrt:
+us

rn=ror+ FRg (5.er)

deoaece, a$a cID' s-a speci.Ecat si Eai srts, circuitele de intlare suot idetrtice. ceast lezerl
de iDtrare are valori mari.
valoalea esteulei do ie9ile cste dat de:

,*=R,*o
r-_
(5-e2) t-E
"l^l I
u,".
Y I
dac admitem c geoeatoul semalului aplicat la intsare are rezisten| de iesile nl. Dac
geoer.torul s"-nilului de inbar ale restcnla de ie9te R!' afurci, cotform [62]' [63]'
rezisteuta dc ieiire a cicuihrlui repetor pc eDJto ce$e |a:
t t
t +R
I = l(- x (s.e3)
t1
Iig.5.l6. Explicativ privhd fiDclionarca tranzistorului bipolar
in conexiuoe ba comun.
Mai precim nc o dat faph' c sEnul x in ultiEele dou rel4ii ae Pe rdai depae
seonificalia de ..conectarc n palalel''. Rcstenla de ie$e stlbilit cu (5'92) sau, duP caz' cu
(5.93), are valori mci. Dac baza trazistoului este cbia la poten$alul masei srlrsei de alimentare, afunci
Avnd amplificalea practic uqita, estsnl dc intsale Bare 9i rezstenp de iegbc singua dife.en este aceea c semlalul de inEae dcvie:
mic, circuitd repetol p emito! se folose$e fu eleconic p9 post de cicuit de adaPtate de
impeda4. se poate Eota la iltraea unui cicuit, dac acgsta are rezistenla de intsalc plca tl. = -u-- (5.94)
roic' la iegirea rrnui circuit ce prczid rezisten| de ie|ire inadmisibil de ma sau intre dou
circuite la cae, pin ouplale, dvizorul fordat din rezisteDele de ie'i!e, Espectiv, de inte a
atenua i] !]od seorificativ seEnalul dg pTelucrat.
Deci circuitul va Putea pelucra semnale continue negative sau, in cazul fo|osiii unui
Mai sublinieE 9i fapful c 8mplificatorul cu tanzistol bipola! in conexjuoe colector circur! adecvat de stabiliJe a punctului static de funclionare. semnale altemative. Valoarea
comun nu distoNioneaz seE-Ealul prelucrat din cauza reac1iei oegative foate mai. o restcBt
factorului de ampliicare !n tensiutre lnne aceeasi ca !i la conexitllea emitor comun simpl:
de valoale mic introus in cicuiful de colector nu Eodific i! mod seElificatiY fuucfionarca
R^ x r^-
repetoului pe emito! deoarcce valoarca tensiunii colector-emitor Bu i!ueDleaz tensiWea de
A=p L Lt-p
lR^
L (5.es)
ielig att timp cet u cE > U cE.'.
'at 'BE
r22
t1 l?3
cu m.nliunca c scmnalul de iclilr aEplificat va fi in fa cu semalul aplicat la inEarea
circuifului. stabililea expresici de mai sus' po baza modElului de semna| mic al talzistorului,
poate i gsit, de exemplu' in [62] sau [63].
Pentru estimarea valorii rezistenlei de itrafe a acesfui cicui| alDplificator' vom 5.6.Circuite de stabilire a punctu|ui static de unclionar
emaJca fapful c cur.nful de inhae este chiar culenful din circuiful de emitor al ta!'zistorului.
Prin umare: mas descbis o probleo de Eaxim ioponanF legat d folosfuea aalzistoarelor
n circuitele electro c de pelucrarc a scmnalelor continue' Este vorba de modul de realizare a
du du^- du^^ du^- fimctiei electonice secundare a circuinrlui, 9i const ln cunoaiteea metodelo de stabilirc a
,,, -
f = -
d l;?i =_
( ---
p) ; i "
_
p;?, (5.96) puncn:lui static de firnclionare al dispotivelor elecEonice. Chestimea este elativ spiloas
inauct circtete ce i.Ddeplinesc acast fimctirmc electoic secuda trebuesc s
inuenlez cat mai pu|i! posibil patea de cicuit elecEonic cae indeplineste fllnctmea
p'moldial vord aboda acest subiect n caz particular al cicuitelor firdameutale i&odus
lvlai sus afi! aduris faPful evidetrt c p ste mult fiai Eale dect rtnitatea. Presupunrd acum c in paragrafele antetioarc. Dac seolalul de itse este contiluu, rripolar' vadbil, adic de
n pdma ecuae din modelul de sern.oal mic al tranzstorului' tensiunea ba.emitor depide forrna:
numai de cuenful de baz, pentru ezistetrla de intsae obinem !lalia siDpl:
ttiu =Uin +u tn alt
(5.100)

(5.e7)
9i componeota sa de cuetrt continu! Ui,,' fal de valoarca v&f la vrf a componentei de
altemativ' Uio a. w, ndepln*e codiliai
Aceast reisien| de intraJe ale valori Eici.
Din cauza identitli ci'cuitelor electo\icepe paeade ieiile, pentru q. rmne Un 2 Ur** *Urtt*U ottw
+ 0'61/ (5.1 01)
valabil explsia demonstrat la ampliicatofu.l in conexirme eurito! comuJ! simpl:

atunci stabilirea puncfului static de mclionare ale o lezolvae elativ sipl, cu ajutorul unei
rezistenle sau a uuui divizor rezistiv dc tensiune cuplal direct la inbarea circuitului.
= R" o Rc (5.e8) lo foalte Eulte aplicai tebuicste ils prlucrat !u!ai compoDcnta altemativ a
',u "cr sednalelot de forEa (5.loo). I! Eod paticula seEnalul fi si sinusoidal' Potgnlialul de cuenl
continuu al 8Eneatorul semnalului uii poate E zero sau poa|e avea o valoare oarecuc U;n..
Deci rezistenla de iegire a amPli-ficatorului dc tensiune cu harEistor bipols n Perrtru a elimila efectele acesfui potenial de cureot continuu' bebuie ca el s nu apar la
conexiune ba comun nu se modific i! llod senificariv, a rapon cu celelalte citcuite c. El
itsaeaccuifului electloEic. Aceasta se face cu ajutonrl unui condensator de intrae .!ede''
sfudiate pn in prezeut. las s teac numai copooeta de altemativ a seronaldui dc intrae, dci ceea ce
Vom analiza in continure factonrl de aoplificare in cuert' ct' al circuitului. Putem cilcuiful elechoqic se rezt'l Ia:
sclie n nlod direc1:
(5.102)
P di, p
(5.ee)
di- 1+ B Io acest fgl '5 potenalul de cuent cotinuu al intrii !one nedefinit. stabilfuea
punctutui static de frmclionare at circuihrlui electronic cost tocma in pocedIile pin ca.c'
ie la surse indepelde e de sennalul de intarc' aplicm la intraea c.cuitului un nivel de
Rela1ia de mai sW scoate in evidel p.oprietatea remaJcabil a cilcuifului sfudiat, 9i
telsiune contnu, asociat cu moDtalea uror eleente de circuit suplimentae, cae mpreun s
definesc punctete de fucliola'e pe cacteistica de intae, lespectiv, pe ca'actedstica de
anume aceea de a avea factorul de aEpliicae in curnt, .! unita. Aceasta lscarrrn c curcnfu|
ie$ire a tTa.Dzistonrlui. Exist mai multe procedee de giolvaea acestei probleme. aliza o
de colector al tranzistoului ircarc gencratoul semnalului de intr8e \, carc trcbuic'te s
poat fimiza acest cent De. altfel, aceasta este prcprietatea cae justiic majoritatea vm face cu nuoeroase lferid la paraglaful 5.l, cu deosebilB la !i8ua 5.5 $i la Figura 5.,
cale, in cootinurre, trebuesc perEatreot a fi avute ln vedee.
aplica1iilor acsfui ctcuit, pentru fi$cliunea de amplificato neiDversor de terrsiuoe existnd
nrulte alte cicuite avantaioase.
5.6.1'stabilrea pulctulu siatic de fuclionare t! tanzistoarele bipo|are in
cotreuue mitor.comun. Vom aborda mai inta cca mai sipl metod de stabilie
puncn-rlui static de fimc1ionare, pIiB utilizalea unui divizor rezistiv de tDsiunc coDtiu.
.Circuitul
electronic esti prezentat fu Figua 5.17. semnalul (e i[tlao se aplic bazei
trarrzistorului ampficator i prin intermedut condensatoului de ;ntrae c, ia semnalul de
t24

ie$i'e amplificat s cl ege tot din colectorul dispozitivului electsonig dal pdn interEediul
conrleosaionui de iesirc, ci"". Pucful static do firno$onarc a trarrzistorului se stabilc9te cu
, _I
ajuto l divizonrlui de tetlsiuue continu forEat din rezistedlele & !i R2' aliDental de la susa 'p -'at-'nz
-I (5.10s)
dc tnsiuno stabilizal a circuih ui' +Us'
Pent u reziste{a Rr oblineE atunci valoarea:

u- -
-"1:
u
n' =
^^.
(5.r06)

ia pentru R, rezult:

(5.107)

In gene.al .ezistenlele astfel calculate au valori elatiY mici. Rezistenta infe.ioar de


PolaJizae trebuie s fie vaiBbil pentru ajustaea experfuental a puncfului static de
funclionare.
Tesiunea coleclo - emitor a tralEistonrlui ompLificato! va fi dat de relalia:

Figua 5. l 7. stabilirea punchrlui static de firacliona& cu diYizol ,,,o,=U",+ UuD,= Au(U,,, * u,,) (5.r08)
Teistiv de tcnsiune coltia

in cale fu are sernnificalia din expresia (5.29). Rezuk c diva cu temperAtura a tensiunii
Pentu calculul valotilo! acestor restente, uEitc ai zistcnle de polarizare, ba - emito! a tranzistorului va 6 amplificat cu acela'i 6ctor de amplificarc cu caIe este
pesupunem Pi'Btru rrceput c seE!.ll de iltrsre ste nul' ui! = 0. lo acestc condi$i, luind in aruplificat gi semrralul util, dc prelucat. sputrcm ca acest cicuit de stabili'e a puncfului static
considerarE datele de catalog alc -alzistorului selcctat pentru aplicaa dt!' impuneB pulcful de frbclionae ac amplificaea derivei, AD, egal cu amplificarea o tensiunc:
static de firDclionarc pe caactersticadc ielirc a taDzistouli, A1( UqEl, 161 )' Figua 5.6.
Crrrenhrl contiauu de iegire fiind nul, curennrl de colector al tr8nzistonrlu parcu.8 t restella ,= Ao (5.109)
de colector, Rc' carc trebuic s aibe valoaea:

u--u^-. u^-u.. Acesta este un prim dezsvantaj al circuitului.


Din punctul de vedere al intIii, Iestenlelc de Polarizare sunt
..vzute'' in
Paalel cu
fic=-tr: (5. r03) rBE din cest rotiv estenla de insa a a$pliicatolului scade mult:
'cl 'ct 'i
,,, = Rr* \rrre (5.110)
Punctului statc de f!.Bcolafe At ales pe caBcte.istica de isiqli corespunde puncful
de fibcionr'e A( UBE|, IBl ), pe caacteristica de intrag Figui- 5.5' TinAnd cont de dispesia
tehooloic de paaoetri a disPozitivelo. se.oiconductoa, este suficieot ua calcul aproxiErativ Acest al doilea dezavantaj al cbcnui poate fr pa4ial eliminat' prin alegerea rezistenelor de
al reelei de poladzare. coDfoB cu ligua 5.l7: polaizare de valoae nu foarte mic. prinh.un compromis acceptabil lelativ la relalia (5.l05).
condensatoid de iegire, C1.. elimin din tensiunea dat de expresia (5.103)
coEponenta de curent continuq astfel inct tensiunea r\", va conline ntrmai senrnalul de intrae
i*, = i, + io (s.104) aopliircat:

u = '.u. (5.1 1 1)

rela|ie general, valabil $i in curet contirruu. legnd un cuent de polalizale ID cel pulio cu
rm ordin dc rrime mai mare decet cuenful de ba IB, Putem scriei Dac ftecvnla seEnilului de Latrare este constant, ahmci caPacitile condesatoaelor
de intrare, respectiv' de ie'ie, se pot alege astfel ncat la aecvenla di lucru a ampliicatorrrlrti
126
121

ele s prezinre o leactanl capacitiv cAt Eai mic. DePt ufEtarc toate cele przentatc llai sus
sunt exact valabile, Dac frecvenla serlalului este vaiabil, atulci condensatoele de itrtsae, In cazul paicul al cicuitelor cu tralzistoare cu germaniu' cuenhrl redual invers
respectiv' de iegire' formea impreun cu esten'a de intrae a arnplificatonrlui, espcctiv, pdljoncuoea colcctot.baz' IcBo' nu Bai poate fi neglijat' el avnd valori de acela9i ordin de
rezistenla de sarcin, relele Rc, crc sunt responsabile de atuea 9i defazarea supliDcnta. a m.ime ca gi cuettul de ba. htruct cu luarca in considcrre a crenfului dual colector-
semnalului prelucrat, fal dc cel de intrae. Efect9lc sunt seEnifrcave mai ales dacl accveula bazt cuenful de colecto! al tsalzistonui este:
de lucru dif mult de &ecvenfa pcnbu c.re s.au stabilit capacittile condcnsatoarc|or din
cicuit. In acest caz amplificaton'' prit ca cua&ipol, bcbuie$t completat pc patea de intrae I"xBI"+BI"ro (5.113)
gi de ielire cu cele dou elele' umnd a se face calculul complet, conform capirolului 2 din
pezenhrl crts.
la calculul .ezistenei de polarizare se va op.ra cu un cue[t de baz popo4ional sczut.
o stabilitate temric Eit a puncnrlui static de funclionae se poate obinc pi Rczistena de intrac a circuitului:
folosiea circuifului bazat pe gencralor de curenl de baz cu edst.nt ohmic rr|are,
prezentat in Figua 5.18.
rinrBE
= -R. x r (5.r 14)

cste mult mai oae dect ce a cicnrlui analizat in paragraful aEterior, lucru care se constituie
ca un avantaj. Din pcate accst cicuit este trrai predispus la distonionarea senalului prelucrat
deoaece' la seIroalc dc intlare Eari, arrzistorul poate mDc blocat pe anumite itervale de
tiop, deoarce condenstonrl de i!tsare sc catc rapid prin BE de valoale elativ mic, dar se
descac leot prir Rl, care e rezistenl obmic ae'
Si in cazul acesfui circuit, ampli-&carea derivi cu teEpentua este egal cu
amplificarea semalului util. In pactc aoplificarea derivei cu temprahra a puncfului sttic
de funcionarc trebuie s fie cel pufin cu un ordin de mlrime mai oic decet mplificaea
scDmalului de intrare. In accst scop se recotbaud olosirea rcliilo ln cicuitele dc stabilir
a punctului static de futrclionare a tranzistoarelor.
ID acest seos uo prim exeBplu este ofedt de ckcuitul prevzut cu reacic negativ de
t.nsiu!e din Figa 5.l9.

Figura 5.18. Stabilirea punchJui static de funclionare prin injectarea


cuenfului de baz..

stabilirea valoii rezistenlei d6 colector gi ale8ea punctelor de funcfonarc A1'


respectiv, A se fac la fcl ca gi ltr cazul circuifului an8lizat anterio' cuooscnd valoarea necesar
a cuentu|ui continuu de baz' ezistenla Rt de Polrizare rczult simplu din: t
)r 1",*
-l lu,o,
*,_\+=%+"u t
(s.l l2)
t
Aceast ezistenf Ie o valoate orare gi, pcntru ajustaea puncfului static de fDcionrc, p.actic
o frac|iune mic a ei se montcaz rcglabil. Figura 5. l 9' Explicativ privind polarizarea tlaEistoaelor Pin
stabili|atea puDcfului static de fimciolare, it caa accsfui circt este irluenlat de reaclie egativ de teasiune
vajalia cu atemp9ratu.a 8 facto.ului d amp]iEcare fur crent continuu a tranzistorului, B' cae
poate cre9te pn la de 4 o'i la loo oc, in raport cu valoB.ea pe ca.re o avea Ia tcmperafua
ambientrrlui. Un efect defavoabij l are dispesia tehnolo8ic de paa'etri a tsanzistoare|or. Pentu a simplifica de |a iDceput cxpuneea s admitem c n sinteza circuifului vom
'i alegc pentu estenlele Rt ti &, care stabilesc reaclia negativ irl teosiue continu, valori
129
128

suficint de peBtru ca crrrenn de ba al tranzistorului s fie negtijabil faF de cu:trful


Eici
pril aceste rezist1e gi, siEulta!' vBloti sicieDt d9 Bari peotu ca curetrtul pin Iezisteolele
i"pt"i a"."""1iu n" neglijabil fa1 rte curennrl de colecto al t.azistoului, presuPus egl cu
' 'r='nE "
r, *
f, (5.120)

ortennrl prin rezistcn1a dJ cotector, 1mc6onare ln gol sau pe sarcin cu imledaDl in.fiDitii.).
"a
Precizm'c accste cadilii su .elativ u9o de tndPliit ln practic- Afunci putcm ad.Bite c i ale va|oriceqtiv redusdispune
divizolul dc telsiune continux format din iestentcle rePlei de re5clie firnc$onea 1n gol 9i: de un anplificato cu re'istenl de iltare mai merc, sc poate
proceda la stabilirea putlctului stac de. fitnc$ona! cu ajutorul urrui circuit d polarizsrc cu
p
ieac1ie negativ rlc curent, asa cum se indic n Figura 5.20.
t! (s.1r s) -*
-BE =+4,
p
-'t +P 2
i.rl

Alegand pe!tru cureshrl di! relcaua dc reaclie o va'loale lp mult lai mare decet
doroeniul crier{iror de baz ai tralzstonrlui' da Eult mai Dic decet va'lorile curen$lor de
colecto., pentsu.ezistenla R2 oblineE:

u .-u^- (5.116)

In acaleali condiii, peDtsu & reanlt yaloarea:

u__
R = ---pL-
--l (s.117)
I
punctul static de funcliooare este: cu
AmpliEcaea dcrivei cu tsoperatua igwa 5.20. Poluizarea taJEistoaalo folosind cicuite
a

reac;ie negativ de cunt


LU. .
4+& ]L
,= = L + --'L << .. (s.r 18)

^= 4 4U conforcelorcunoscute.elastudiulfunctiooriiarnplificatouluidetensiune
cu Teacle negadv de cure$t'
contiour-"u-niozi'toi bipotar n conexrno cmilo-coru
punctului static de fr'nclionBe
este:
se coostat ulo! c pin alegerea de valori apropiate pcnEu ezisteDlele din ctcuiful dc reacfie amotificarea dcivei cu temPcanEa a

de teosirue continu, aceast amplicae a dcrivei cu temperatura Poate fi redus in mod


seEniicativ fa1 de amplicarea ieoroalului de intr.are, u;n, care !mne conform ergresiei Rc
Aoo - (s.121)
(5.29), deorece aplificatoul !u preziDt]i reace fu curent altemtiv. condilia lccese este ca
n-
rezistF dc iegire a generatorului seoaldui de i!tsa.e, \
s fie foate Bic" Dac aceast
esten nu este neglijabil' iotsuct ea apao io serie cu condensatonrl de intrare, llpleun cu
&
ea fomreaz o !lca de reaclio de teDsiung n cugnt altemativ, apliicarea Telativ mae, pentlu ca s avenr o valoale mlca
restenta Resten1a din emitor va nebui aleas de valoare
semnalului de iflkae scznd li ea' do la valoarea dad dc (5.29) la valoaa: J."i, uun stabilinrc lemc a circuitului. Deoaece codematoul cE pne la
"ii*.i'ii,
l;-';..1id'd;i enitolutui ttalzistontlui T in cunt
" altomativ, cLcuiful funclioneaz
i]"u""ii i'il*i de intrae' ui.' care oste amplicat cu factoul de
u=_ &
a" oi s",noalutui
(s.1 1e) "Je.e
io r*.i*" dc valoare mare, dat tot de rolalia
(5 29)'
*.'..---ca"J_"i'"oit.'rui
n -oiin..t" de polarizarc se poaie face in mai dlulte moduri-
De exemplu, dup
cu a puctului static de
h"-;*;;;;;i; p.oti, u.prin.-i" derivei teoperatura
tiza (5.l2t)' stabili Potenal| dc cuent
a'a cum s-a stabit la studiul conexiunii emilor.comuo cu teactie negativ de tensiuDe. ffi;;;;; s "j"urur tui nc pe ela$ei Putem
baza elallel:
Restenta de int.ae a cictuluisMat este dat? de: cootinurr al emitorului tanzistoului T fal de ms' P
130
131

U, = R, t r, = nr(I r, * I"r) o Rr I", (s.t22) negrtiv de cetrt !i a capaciti coldensatonui de decuplare' lucru cae se poate face pe baza
algotmului descrfu mai sus. Rezistgnla dc intrare a ctcuinrlui este 9i ca favoabil, crescand ln
raport culelaia (5.l26) la valoalea:
Atutrci tensiunea continu la inbalea amptificatolului cu reaclie negativ d cwert va
trebiu s aibe valoarea aproximativ:
r._ = r-. (5.12'l)
u*r-ur*ura (5.123)
s.a constatat c nali"A circutelor de stabilire a puncfului strtc de fuclionale s.a
fcut pentru cazul amplificatoaelo! in conexiue emitor comua simpl. Este evident fapful c
cunoscend acum tensiunea la bomele lzistenlei i'fe.ioare dc polarizare, apellind la principiilc .xpuse r'nn v'Iabil p.!tr amPlificatocrcle l coEeIiun mitor coEluu cu
ipotezele simpl.ficatoae adecvate li folosind mcIodcle dc calcrrl din paragrafele antcdoare, 5e reacli. n.gatfu .l. tcEsiuD. sau de 'i cureDt. In acest caz este extsem d iEpotert modul de
pot stabili siEplu Yalorile celor dou rezistenle neccsare' alegerc $ ampl8sac a cilcuit.lol da rracie, in a5a fet nct reac|ia din circutul lrplificatorului,
Esle foatc impotnt de subliniat faph c dac aecvcola de lucfu a ciTcuifului difer pe cae o Pute nr'mi si tcclie Pridcipal' 9 ib.fluqeze ct Eai pu!i! cicuitele de reaclie din
mult de cea pentu care s-a ales condensatorul cE de decuplare in cureqt altemativ, atunci paftea de polarizIe, 9i eciproc. In acest sens sunt cxtscE de ule cond.nsatoaele de decuPlre
circuiful va lucta cu reaclie ncgativ de cwent gi din puctul dc vedere al sernnalului dc intrae,
9i bobinele de bloc8lc a cwentilor altemati, calculate in mod coresluntor $i amplasale cu
amplifi carea acesn-ria devenind: talelt. DiD Botive dc timp, aceste chestiuni vo fi analizte detaliat la semina! 9i laborator.

+u5
io C- I
.1-,_-_e- = -.] _ (5.t24)
Ao A, f" A, jo: R"C,
Mai intai remarcm faptul c am considerat ezistenla din enitode valoare neglabil fat de
reactanla capacitiv a condensatorului de decuPlae. In al doilea nd subliniem c in condiliile
in care relaia (5.124) este valabil semnalul de intaeeste mai pulin amplficat 9i dcfazat
suplimentar. Aga curn se indic in [62]' [63]' condensatonrl de decuplare se poate alcge 9i
subordonat criteriu.|ui de a avea, la aecvena minim de lucru a crcuitului, f., o reducere a
modulului ampliticrii serru]alului util la valoa.ca:


(5.12s)

Folosind circuittrl de pola.izIe cu reaclie negativ de curent, din puncfuI de vede.e al


semnalului de intrare, de prelucat, rezisten dc intrae este:
-Ug
r. = r-- x .l?. x f- (5.126)

valorea ei cste evident mai male dect cea din rela1ia (5.120), caractefistic cicuitelor de
polaizae cu reacie negativ de te|siune.
cifcuiful de po|arzae al unui tIalzistor, folosiqd leacia negativ de curent' devine
foarte simplu in cazul in c'e circuiful electronic este limenlt d la surs db| de tea'iune Figua 5.2l. circuiful de polariza'e cu reaclie rlegativ de crrent, in cazul
contiEu' fapt ca.acteristic majorit|ii aplica1iilor modeme' 5a cum rezulr din Figura 5.2l nu aliDentJii afipficatoului do la sus dubl de tensiune continu
'
n]ai este necesa condensatonjl de inbare, potenlialul de cuent conthuu al bazei tranzistorului
amplificato, T' fiind 0 prin rczistenF intem de valoare nr-.rl a generalorului senmalului de
amplificat, q.. Este evident afunci c, in cazul in care smnalul de intrae este zem' att 5.6.2'stabilirea pulctului strtic de funclioua.e la tranzistoarIc bipol're ^ln

potenBalul colectoului tranzistorului fa' de mas, ct seEmalul de iegire' vo fi nu]e. cocxic colecto.comuE. Petru polarizarea tra"joatelor care f'rnclionea i circuitele
'i
calculul circuifului de pola'Iizare se reduce la deteroinaEa valorii rezistenlei de reactie .epetor pe emitor se foloselte des divizoul ezistiv de tensiue coBtiDu. A$a cuE rezult din
Figura 5.22' acest divizor slabile$te ttn potelial constant in baza tatuistonrlui T. De obicei
scest potenl sc 6legc de valoac +Us / 2, pentru a asigura un domed'] maxi de variatie
pntlu telsiunea de icaire, q.. calcrtlul valoilo! celo dou rczisteqle de polarizare se face +u5
conform metodelor expuse n paagrafele a.ttioae. stabilitatea punchrlui s|atic de funconae
este deosebit de bun, avfud irr vede.e c aBplifica.ea de.ivei cu tempenrr4 ca de altfel $
amplifcaa n tensiune altemativ a cicuitul, sunt subunilae.

+|.,lg

-us

Figua 5.23. Explicativ pivild polarizalea tranzistorului in conexiune colector


comun in cazul alimelrtii circuifului de |a suls dubl de tensiune'

Figura 5.24 se refer la rezolvea stabilirii Puncfului static de funclionare al


ba.ozistoulT, care func1ionea lrr conexirrnc baz comun, pliu racle E.gativ de
(ousiuu. coEtiuu.

Figura 5.22. circuit de polariz8e plio diYizor rczistiv de te'siunc continu pen&u
tralrzistoare fu trc$o!Jld tt coBcxiune colectol-coDun
+u5

Rczistenla de i!foarc a cilcuihrlui de sarcin' conectat la ie'ie nu ar voie s scad sub


valoa.ea rezistenlei din emitorul baozistorului deoarece io evantualitatea acestui caz, pe
semialtemnele ne8atve ale crrefului de iesirg cuentul de colecto. al t.anzistorului se Cles
seDalul de iegi.e cste .liiaf'' cic1]itul distolsiorca seEnalul 8plicat la iffrale.
aulea
Rostefa
'i de in&.ae a circuifului c1r tra'zistor bipolar il cotrexiune colectol comlm, l----1
polarizat pin divizor de tensiuo cotrtinu' este lelativ ic:
""i-lr I

lutes
,, (r* + I nr) x Rt x,R2 (s.128) + ll Y
--
*-Ir
PeD&ua se elimina acst dezavaltaj, s ecomand utilizalea, acolo unde este posibil, a
rrnei sulse duble do alimenta.e, ala cum se indic i! Figrrra 5.23' Aceasta conduc la
simPlificalea circuitului de poluizare, lrr condiiile il ca.e rczistenta de inbare se pstreaz la
valoarea c.respunztoare circuirlui epetot Pe eoitor n' polarizaro.
Figura 5.24. Polaizarea tranzistorului in colexiune baz-comun o.
reacie negativ de tensiune continu.
5.6.3'stabiliea puuctului strtic de fulcion.re la traEzistoerele bipolar csre
ulcfioles ln conetiune baz.coitu!. Din cauza similifudbilo! de topologie 9i de
frDclionare cu oilcuitele in coaerdune eBitor-coouq 9i principiile de polarizate a
tazistoarelor cre fimcioneaz in conexirrne ba.coIt se asea.Enn.
semrtalul de intraje se aplic anplificatorului Pin transformatorul de impulsuri l.
ln
curent contittuq pin lenla inten nul a acesfu transfomator' emitorul tlajrzistorului este
134

la IDas. Potenialul dc curcnt continuu al bazci ncccsat polaizii, sc ob'ile ditl colector, pin
eeaua obi$nuit de raclie, foEat din rczistlele Rt li Rt. pailia circuin ui de polalizarc
Ilu schfuEb cu nimic fimclionare cicuifului, fa| de cclc prczcntate fu paragraful 5.5, deoaace
priu Plezenla condensatoruli de decuplare Cg, in cuent altemativ, potenlialul bazi
tranzisioului se psheaz tot la valoare trul.

+u5 6.TRANztsToARE CU Er'EcT DE cMP sI CIRCUITE


FT]NDAMENTALE CU TRANZISTOARX CU EFECT DE
cMP

TraDzistoale cu efect de ceEp . TEc' field.effect talsistors - FET ln literafura


tebnic de spccialitate de limba engle' spre deosebire de baEistoaIele bipolare, sunt
dispotive electronice semiconductoale cate se comaDd pin intermediul unui cmp electric,
'"1 dec, Pactic f cosuo de putere, [34], [62], t63]' [64]' t70]' [75]' [87]. E\i dou tipuri de
I tranzistoae cu efect de cmp. Pe de o palte siuDt cunoscute EaDzistoarele cu efct de crp cu
joncune, TEC-J sau J-FET, la care cucful dir cLcuiful p.incipal se poate cont'ola prin
schtrrbarea sec1iunii de conduc1ie. Pe de alt pate exist t.a.zistoarcle cu efect de cEp cu
1 grit izolat' insulated.gate field-ffect aalsisto$, IG.FET' la care curenn din circuinrl
principal ste cotrolat pio iotermediul tensiunii elecEice aplicate une pelechi de electrozi
izolali. La ambele tiptrTi de aE]zistoae cu efect de cmp curenful pri'tcipal cicul pfutr-o zon
.igura 5.25. Polaizalea tlazistonrlui lt conexiune baz<omun, de malo.ial scDcoductor, fie de tip ..n''' fie de tip ..p'', cae poart numele de ..cJtal de
pdn leactie ncgativ de cuent. conductie", sau mai simplu, 'tanal".
Talzistoele cu efct dc cemP au o 9erie de plop.ietli comune, speciale, cae le
impun, pe scar laJg, att n cicuitele elcctronice pentsu seEnale cotiue sau disclete cat 9i in
cicuitcle elecbo ce de putec.

Un ultim cilcuit dc polaIizale Pczcrttat Fi8t".5.25, abodea pToblema stabili.ii
puctu|ui static de firnctionare al trazistorului folosind uE cicuit cu rcacc lcgativ dc cur. .
In acest caz potenlialul de cureot continuu al bazei se stabile|te prin divizo! rqzistiv de teDsine 6.1.Structur, caracteristici statice gi dinamice'
cotinu' Din punchrl de vedere al sernnalului de intri' de amplificat cilcuiful rmne f
rcactie. Deoarece tsaDzistoarelc cu efect de cemp cu joncliuu li tralzistoaele cu efect de
calculul circitelor electronice prezentate ln Figura 5.24lq Figua 5.25 se face in cmp cu gril izolat au priDcipii constnrctve 9i firnc1ionale diferite, h prima faz suntem
'i
mod asemnto! cifcuitelor coresprrztore in conexiune eldtoI-coml. nevoili s le studiem sparat.
Figura 6.l pemite tlmuirea s&uctu a modului de funcfionae a urui trrn'islor
cu cf.ct d. cenp cu Jotrciunc' TECJ' cu canal'i de tip 'n''' [87]. Eleqbozii aferenti cicih]lui
principat al trat\zistolului, Nmii drDa - D sau colector 9i sursa - S sau emitor sunt ata'ali
unei po4iuni de Eatcrial semiconducto de tip .h"' cu cotrcent.alie redus do impuitli.
Aceast zon a Eaterialului seoiconductor coostihlie iar caDalul tra.ozistorului. Electsodul de
comand, numit gr - G' ste coBectat la zonelc de tip .!.'', cu concentraiie mare de
impuit, realizate pe acelagi rncnccristal. Ai3 c'Jm elte bb. edelrli3t in figu!, cic'.littJ gri]
- surs se nu este altceva dect o joncliune p.q la caJe zooa de salcio spa{ial se extinde cu
precdere in po4iunea q a seBicotrdu.tolului. In particular mai preczm gi fapn c in tinpul
f,nclionlii aanzistorul, aceast zon golitil va fi Eai eilsPe paea drenei, felomen car.e
ntt afecteaz Bodul de lucru in ansamblu al dispotivului. Figuia 6.2 evidnlia famila de
calactedstci statice alE cilcuitului de ie5ire a tralzistorului TEc - J. Palametrul carc defile$te
aceste caracteristic este tensiunea glii - sus. Pentlu ioceput adBiteE ca aceast tensune de
comand gril . strs' Uos, este zeo. Mrid i! Bod poglesiv telsiunea potiv dreo . s!rs'
UDs, colstatm c curenful de den, notal cu Io in figurite luate 'l consideraiunq celte,
136 131

oonfoD caracteristicii de rezstenl lelinia a seEicotrductorului. L8 o valoale UDEo a tensiutrii tensiulea gril - srrrs. ca 9i la EaBzistoul bipola, suntco n zona actv de func1ionare a
del - suls, toJi purttor de sacq electsic din canal sunt impca|i io Procesd de dispozitiwlui electroic, cu deosebfuea c ..controlul'' asupra crtcnh'rlui se face print-o
conduo|ie. spuueB c ln acesl momnt c{ulul se blochea, cuetulde dtcn rim.trnd rensiu.rre gi rrrr printr-un cuDt. Acest
..co!tol'' cste bine evide{iat dc ctre calacteistica de
constant' degi teDsiuea deD - sus clee i.n continuare' ccle prezentate corspund cubei
comand, tumit]i caactistic de tsansfe! a tranzistorului cu efect de cnp cu joncliune
supeioae din Figura 6'2. canal n, przootai'i !D Figua 6.3' [64]. Conform celor descrise mai sus devine evidelt si 'i
polarizafa corect a acestor tratrzistoae' corespulzto! cu Figua 6.4.

!o
ucst{cs
t-
%sa<tsr
uosgocsz
uos
uBt

FigIa .1. Pincipiul constluctiv al tralzistoafelor cu efe{t de cop cujolciule' TEC.J. Figua .2.caracteristici,le dc iegire ale tranzistoarelor TEC.J

Figu'a 6.2 ne pcnoite s de6im, asemtor ca 9i in cazul traizistoarclo bipolae,


Dac aplicm acum o tesiule potiv circuittdui g'il - sus" zola de sarci ezistenla difeleial dleu. sus a t8lrzistorrrlui TEc:
spalial se leducc, aparttr crcut pozitiv de gril' lns numrul de pu'tto.i libei dj! c8.oal nu
se schiEb saniffcat% mov Pentu ca'c crcateristica do ielite, lD = I
Uos ), rmne la
valoi apropi8te dc cclc c.rc au coespuEs situaliei ln c8re tensiuoea 8!il . surs a fost nul'
TocBai din aqst Eotiv, la acest tip de tsaDzistor, n mod nomal se opea numai la
polarizare invers a circuifului de coEand?L Aplicnd o tersiune 8ri!l . surs negativ, zona de
sarcin spa1ial corcspuntoare jonc1iunii p*n sc o(titlde, cu p.ecdee n scmiconductorul n,
slab iDpurificat' adic fu canal. Ca urmare, canalul, adic seciutrca de colduclie, se Ieduce
Iizig nuarul de puttoli beri dc sarcin dininudu.se gi 6l, fu. Dod cotespurztor. Prin
uroare blocarea canalrrlui va avea loc Ia o tensiune UD6o ceva Erai !dic' ia cureff, praic
coestant pri.tr caalul blocat' va fi 9i el diBinuat, caacteisticacolespunztoare lui Uosr io
Figua 6.2. Negativarca in continuare a grilei f8l de suls co[duce la tensuni UDso, Iespegtiv la
curen1i de dreo 5i mai mici'
Remacm fapn c tralzstou.l cu efect de cep cu gril izolat studiat are, formal,
cancteristici de iegire asemntoae cu ccle ale banzistorului bipola.. Dac tnsiunea drcn .
surs arc valoi ldai mici decat UD6o anrnci oe situm in zona dc lugu cu carralul neblocat si
curenh de dea depinde ln principal dc lelsiulea drcn - sws' smilal functiontrii
tralzistoaelo bipola in zona sahtlat. I.a tensini dro . s\Es ce deP5sc telsiunea UDso .tl'..
cue.hrl de den ste practic indepondent de tensiunea d.n - sus, fiind coltlolat doa de Figura 6.caracteistica de transfer a trarrzistoaelo. TEC-J cu canal
138 .. t39

va|oare nul' ca 9i la tranzistorul J . FE,I, Pen la blocarea canaIulr.ri cuenfut de dren cr$e,
,,,=^:r=l+),",=-, (6.1) dup cale I.one la valoalea aproximativ coDstant conform cu antrlalea fufuro purttorilo
libri d sarch electric din caDal n procesul de cotrducie.

Deasemenea'lateDsiuncdeD-sulsconstantl'lnzonaactivdfi&c|ionaea u6s
dispotiwlui, se poate inEoduce panta caactcristicii de tra$fer, s:

p__ I^,-t^.
--^t^ 'pt -pz =lla',)
-2 1.. =*, (6.2)
"
s,=
o uo, Uorr- Uor, l?uor)uos'

matEuraric chiai panta curbei


Este evident c aceast pant a caractristicii de tansfr repr.zint
rieu.u e's, ng*a p; baza c&eia se putea de asemenea proceda la definire.
in

.tl''.
Figua 6.4'Polai2aea corect a tanzistoarclo TEC-J cu ca.nal Figlra 6.5. Principiul constructiv aI tranzistoalelor cu efect de cmp
.rn cu 8lil izolat'
accep1iunea
Nu puteR intoducr o caracterstic dc itrae a accstor trarrzistoar,
este cel al unei
celei specific.e tranzistoarelo bipolarc. Aid cum's-a precizat,circuih.de intrae
a cacuifului de
ionctirrlri care luqeaz la polarizare invers. Ca urmare schema cchivalenl Dac aplicim o tensiu.B de comald g.il - surs pozitiv, condensatolul din schcma
i"-"i" gla . suts' este predominant cpacitiv, cwen|ii continui din acst circuit fiind de echivalent se incalc potiv Pe paIta gdlei. Acasta inseam o Begativare a canalului, ceea
lopA, rezisten1a de intrari lncadrndu-se h domeniul: l0l0... lo'' o. Aceasl ce corespundo unei acuoulfui de lectroni suplimentali in canal, ca cuo a fi cresot endul
"'t'"rio'n.
ilrrr.a p.op.i"t"i" i".arcabe sprijin afrrna$a confom c.eia accste dispozitive electsoDice de impuriicare al 8cestuia' ca umale c8nalul se va boca la o 'itensiune UDso Bai rBae,
filocloneaz in mod practic la putre de comand nul. corespruEtor gi unui cureot dc den 6escut. Rezult caacteisticile statice superioa din
Penlru a introduco tranzistoa.t. cu efect dc clmp cu gill izo|at' IG. FET' n Figrrra .6. spunem c t.anzistorul este coobolat ln doEeDiul de fi!'ctiolare cu acumulale de
vom referi la Figr.rra 6.5, care ia in consideraliunc de asem'nea un dispoitiv cu canal n' [8?]'
Pe puttori de salcin ltr caDal. Dac! teosiunea gril - surs este negativ, canalul se potivea.
o-i.pte u unui.o.,o"ii'tul d" tip p' cu impurificae medie, se depune un.strar sub|i de Aceasta inseaqm c Jr canalul tranzistorului apar goluri potive carc se rcconrbin cu
mat"rial izolato.. Prin acest mateial izolator ptsun4 prin iDternediul tmol trecei metalice, electrolii libeli eYi$eqi ii|ial. hirt umare, ln mod apa.ent' gadul de impurificare al canalului
electroli principali, den, respectiv, sus, la dou zonc de contact, d tip n-' putemic scade ii, cu cet tensunea de coEaDd esto mai mic, cu att loai lepede se inslalea blocarea
impuriflcate. Int." a"est" zooe de contact rxist spaliul r! mediu iPu.ificat, care constifuie canalrr!'.r!, !a !E c\Eert de den dimiuat. Se ob1in caracteristicile inferioare din Figua 6.6,
canalr-rl trarrzistorului. Grila de comand a ttanzistorului ste ata$8t,
prin interDediul ului speciice regimului de fltnctiouae cu leducere de Puntori de satci.n din canal.
electrod mtalic, materialului izolato! din drcptul canalului. statului de tip p i se ataseazi $ o b practic tranzistoele ]G . FET se produc PeBu a futrcliona numi nts.unul dinte
gil au{lial, Gl, conectat de obicei la caPsu|a dispotiwlui $ fotositi n circtritelc de cele dou domeaii posibile. Pe de o pate exist tranzistoarele ''cu canal indus''' conductive la
;rorcclie.
.a.menre ci'cuiful dinte grila de comand'i li sulsa Eanzistorului este cel al utrui cordeNator' o tensirme gril - sus nul, cc lucrea in doBeiul cu leducele de purttoi de sa.cin'
aceshria fiind slecEodul G, ia. ccalalt alntu insu$ canalul de tip D aI .
caiacteristicile lor seamn oult trJrzistoafelor J FET. Pe de alt pate cuooa$em
"
tazistoului. tranzistoalele IG . FET ..fr canal indus''. blocate la teDsiue ul de comand' cale lucrea
Alalizm modul de fi-rnc1ionarc al aceshri dispoziiv cu refeie la Figura 6.6' cate ln domeniul de firnctionare cu acumlale de puttori de sacin o canal. Accst Proces de
..imboglie.'. Aceste din rrn tranzistoarc
evidentiaz familia sa de caacteistici de ie9ire' Dac tensiunea de comand gil - surs este de funclionae mai Poalt si Dumele de 'Bconaepin
il
t
140
"l t4l

IG.FET, fiind blocate la tensiuqe aul gril-surs, sunt 9i singuole care se pot aPlica t! {
'.'. ' :

elecbooica de putere. traazistoare de acist iel. Polarizarea lor corect poate fi |i ea ulor s|bilit pe baza inforrnaliiloI
si caa tralzistoalclor IG - FET se pot defrni paatDeti i!tsodugi pentiu i olente oe fl8u:| o. /.
talzistoaele ce efect de cmp cu jonc1iune' ln acest caz performaa1cle sunt suPioare' j
deoarece cuetii de ilEae scad la Yalori de ordNl l0..,..,'l0... A, odco!$punzto'
ezisteota de inta ros crescod la 1oll....lol5 o.
Trmzlstod. oJ ooc' de cp - Tc
TEC.J TIOSFET

}.|osft cu c]6l l'dus l.lorf6t f..6 c8n6l tndug


uossxcsl C6ml p cEl P C6n.l p

.D ?o
,1 ctP 5
GIP
I
uc*tbs '"-1
.'-..|
''-1os
...1

t^l lb
::=:=-
IE,
V--1 -lY
-./
|

uosr(bs llo
lr^^
b.l- - -.I'
.Io{

/l up / ,_\!
I
up LES aJo
ksz<tst c|..d ctrllto d C|.c1nt6 dc Ctr(lrtt6 d6 clr.r de cl.cl-to do

uGs30csz 'Pllf|calo-o
u06 cI 6rlcg cI lrloglc. Cl dlglt.le CI dtslt.lc cI djgi!]o CI digltolo
ElgcLo!'ca

Figula 6.6.cacteristicile de ie9ire ale tranzistoaelol cu efe.t de cp


.
cu gril izolat ti caal dc tip D''.
Figura 6.7.clasificareg gelcral a kanzistoaelor cu efect de camP.

Este imPortant s speci5co faptul c, irr oarea majoritatc a caZrilo, materia.lul Sunt necesare o serie de precizri suplimeotale cu privirc la calacteristica de sansfer.
izolatol folosit este un oxid metalic, de acea se spule c taozistoaclc IG . FET sunt rcalizate Pet'u orice tip de l.anzistor TEc ea este desciis dc rela|i4 [64]:
in tebnologie metal-oxid-seEiconductor, numit tehnolo8ie MoS. Ca rrrmare aceste
tr8zistoarc au primit nunele de tlaDzisloare MosFET. 'i Dcoalec izolatonrl oxid betalic !u
poate supoda tesiuni mai maIi de +/- 20 v, circuinrl de intsae a.l acestor anzistoale este
sesibi'l. Elc sunt sensibile $i din cauza rcziste{ei de intsaie ioate mai care facc ca zgomote
r"=r^[,-t)' (6.3)
elecbice Dedorite 5 poati deaqja fiDcionalca trazistoarclor TC'Sublinien c respectnd
indica|iile productorilo, so pot proi.4ta circuite foae sigure 9i stabile qr t.aDzistoae cu cfect
de ceBp. Mai atragem ateoa asuFa fapfului lD domeoiul acestor Ealzistoae, mai ales d
Putee Eedie gi lDarg xist o lullioc de lll'Be coBe'cialq de "Im.' SIRET' sIPMos' etc. I.B .elatia de mai sus Up rePrezint tensiunea de pag sau dc blocare, pinct.off voltage in
Figgra 6.7' [63], [64], ilustrea clas.ficarca tr"alzistoaelo cu efect de cmp, asociat literatura tehnic de limb englcz Pentsu tensiruri de comand mai mici decet aceast teDsime
cu siEboluile gi caracteristicile de tansfr 9i de ie'ire specifice. Dcoarece tranzistoa'ele cu de pr"ag, cuentul de dretr scad sub valo.i de ordinul nano.amperilor, circuiful dlen . sus
efcct de cmp pot fi cu canal de tip n sau P, constatn c exist lase catgo distincte dc fiind plactic blocat' IDs este o valoae a cufentului de den, deEit disti[ct fu illlclie de tipul
tanzis(oului TEc. La taEistoalele c conduc la teBsiune gril . suls nul, lEJ este tocmai
143
t42
.
tralEistoa.elor blocate la tensiune gril srs
cuenful de dre! msrrat la Uos = o. ln cazul Precizm c in tebnica cicuitclor clectionice cu tlarzistoare cu efect de cmp conexiunea gil
Uos egal cu 2Up.
.r".r*ri;;;*l"*"" curentttluide destabitit l8 o tensiunc de comand
il;,..l"" (6.2), valabit pcntru
comun sc foloseste extrem de rar.
ielatia de defurilie a pantei caracteristicii dc comandl
""r
orice iterval, vo putea scie:
6.3.Anatogia forma| cu tranzistoarele bipolare 9i concluzii generale.
tos'o (6.4)
Functia electronic trdeplitrit de cic1ritele cu trazistoarc cu efect de clp, Iezistenla de
intrar, repectiv, cea de iegire a acstor ctcuite so pot ns stabili in mod direst, pe ci mult mai
siople' pe baza uoei alalog formale cu tsaDzistoael bipolarc. Peotru a edenlia aceasE
folosi in continuare. arxioeie-foIrdat. pri&a ecualie d.rn aosaurblu'l de rcla$i (5.l2) s adEitem c variasile tensiunii
s.a oblinut n acest fe| o rela1ie remarcabil pe cae o vom mai
.ol"cior-emitor ou''Dinflurueaa teosiunea baztEitor. Atunci devile va]abil .elaa:

d u^-
6.2.Model de semnal mic d i, = --st-
(6.e)
de. cmp au aliua BE
Intruct, confom cu Figura 6.7, toate tralzistoa'ele cu efect
n"n"."ral statice a-circunui de ielire precum li a caracteristicii de transfcr
"-J".i"itii
";;ffi";;l"-;pJ.u fi t.atat" i.. p.ocescle dc analiz 9i siorez dc cicrrit elecbonic'
pe lnloolind reztaful obtinut rlai sus la doua ecuae din (5.l2) ajungem la rezultanrl
renarcabil:
baza unui model de semnaf Eic wric, [62]' [63], [64]'
--__..a"-ahvedefecrezisten1acircuitrrluigril-susestepractici'!'fitt?ljecuatia

"o.".puo*" "i,"uitului
de intee devine fotc simpl 9i se poate scrie direct:
di'=-!-6"'*J-du"'
.CE
(6.10)
BE
dio x
'
0 (.5)
..contsolaf'pi! tensiune.
care coresprmde rrnui tranzistor bipola
Pentru a stabili ecua$a a doua din modelul de seEDal Eical tsanzistoarelor cu efcct de
de
circuiirrlui de icaire, pomim de la fapntl c curoful de dlen depindc
"a.p, "*
tensiunea
"o..puoae
gril.surs 5i de tensiulrea dlen.$rs:

/\
i, = iol'or''^) (6'6)

Efectund acum diferenliala total a aceshti cu.en! de den oblinem


urmtoarca

relatie:

.t; =l
|aif
-'p I tu .+ |at^)
| _JLl du^ (6.1)
"'o - |L"'a- lun.=ur'"cs
"cs J ^ | 2r, lu6s-'rt
L-_Ds.t
__

Remalcand acum in rela|ia ('7) prezlta parametrilor defiliPe caracteristica de


iesie a trarrzistoarelor cu efect de cmp, Putcm scrie:

dir=Sttu^*lOr^
-DS
(6 8)

Rela|iile (6.5) 9i (6.8) stabilite in acest sbcpitol constifuie modelul dc s.mDal mic al Figura 6.8.Trsnzisto!u1 cu efect de cmp TEC.J, n conexiune
trDzistoarelo cu eccl de cemp' Pe baza acestui modcl sc pot studia circuitele cu acesie sttrs comrrn
disDozitive semiconductoae. in conexiune surs cornuD, dren comD su gril colE.
144
145

T.ecld acu la o compaae a lolailo. (6.8). (6.10)' putcr! afirma c rclaliile I


fimdaEeltale cal cracte.zea circlitelc cu tranzistoare cu'iefcl de cp se Pot stabili Porind =
de la exFcsiilc stabilite pentsu cictelc
..echivalelte'' cu tralzistoarc bipolaE, ln|ocid, acolo ..l
!+-
ud. apar' pe rE. cu rcs co' pc p / r31 cu S, resp.ctiv, p. rcE cu D!. I.o [64] acast .bnalogie
=
forEal.. este codus rlai depac, ci inleresali fiind ilvita s consult aceast| lucrale di! -.sP-ls
bibografic. (6.12)

se vor p,ezenta lD colti'luae ceEva ci'ctc silople ou EaBzistoae cu cfect de cmP. ca


dispozitiv scmiconductor ya 6 luat ln consdera taDzistoful J-FET c1r canal dc tip .h''. Figura 6.E
se refer la frcioDarca tBnzistorului ! conexiul su$.coBlt!, ca aEplificator de tosiune
L="n" I

continu fuelnd |a analogia stabilidl rnai sus, &ctonrl de amplifcarc fo tersine. Tezistenla de ca $i n cazul circuinjlui repeto. pe emitor' amplificarea n tensiune este practic ur tar.
intrarc i rczisteola de i9ie a cicuifului 5e Pot stabi cu lEEtoatle
'lalii;

z=-s(nrxr^)
lor=/cso' (6.11)

= Ro *
',"" 'rs

uln
?---'{
I

I Figura 6. l 0. circ1tit rcpeto. pe sus cu tiatrzistor cu efect de cfunp


cujoncliune, TEC_J.

Figura 6.9' mplifictol d seElal alternativ cu Ealzistor ql efect


de cop cujonqiune. . Nu putem lcheia acast capitol !r a scoate in eden| o propietate specific
tra'zistoarelor TEc. A;a cum rea{t cla din cal-.cteristicile de ie'i'e din Figwa 6.2, ta tinsiuni
dreu.surs mici trbzistoar.l cu efct d. clmp s. coEport aproJrtativ ca Dble rsteo!e
obBicq a cIo valoare poatc fi modificat tn limite lagi prin reglarea tensiunii grila.sursi.
cooforrrr [64], dac tensunea dren-surs irrdeplineste condilia:
In caa amplificrii scEnalelor altmative devine necesar Polalizarea co'ect a
tanzistonui. Figura 6'9 idic u.u asel de cfuct' la carc stabilirca Puncfului static de frmclionare
se face cu reac1ie negativ de curenl Rgzistenta Ro menlie glila Ealzistonrlui la potenial rul, n
tiEp ce
'estents
..decupla .
R6 aduce $rsa la pote!}ial potiv. EdeDL rezisteflla din circuinrl sursei este uDs << ucs - up (6.13)
n cwent altelDativ, de condensatonl conectat fu paalel cu ea.

Figula 6.10 plezint circuihrl io conexiuoc dreo comrrn, nrroit gi.tepetoI pe surs... ahrrci rczjstenla dren-surs depinde de tensiunea g:il-sus coofoml relaliei:
Caracteristicile sale sunt urBtoaf ele:
t46 147

{J"
u^" ---..=.----.-.--i I
"Ds
/ = :
I, =
zlDslucs - up)
= =
.t
(6.14)
f^ =
UF
----7t--------T (6.17)
al |'-. rr
"Ds\ruc - 'JP)
I

si ln acest cz valoa.a seralului de la ie!rea divizorului coEandat de te'sirme va fi


Figura 6.11 prezint cic|tihtl rmui divizor de tensiune comandat, la c.e s.nalulde dat tot de rctaa (6.15).
ieiire este:

n^"
Tf n_"-
(6.15)
=
",*

9i ea depinde de tensiunea de conand care aste chia tesirmea gil.surs a tranzistonrlui.

Figura 6.12.va.ianta d lezisten liniadzat' cotDarrdat n tetsiue cu


' trdnzisto. TEC-J

Estc iEportant de subliniat c t.a.ziorul TEc, funcfonnd ca lezisten comandat n


teDsirrne rmle un cfucuit clectonic' cu cornpoB.Dte active gi nu are proPriet4i absolut
identice cu rezistent. ohmic.

Figura 6. l l .Divizor dc teIsirmc coEaodat cu talzisto cu efecl de cemp


pe post de ezistencotsolat irr tensiune.

Deoaec. ca''actersticile circuihrlui din Figura 6'Il sunt n.linia., pforBnle


superioa.e pot fr 'oblinute nuloi c|t cicuihtl indicat ln Figua 6.]'2. L1].'a?'ea se ob1irrc cu
a;torul reai1iei negatiYe iltrodrrse de resteDlele R2 9i Rr caJe se recoEand s fie egale intse ele
si rnuk mai mai dect rezistenla den.sus comard,a6. Datorit PEzelei acestor rezistele,
tensiuna gril.surs a Fazistonjlui \/"a fi:

,c, lt + uor)\ (6.16)


--
1\rc
Drep! ealttat rezistenla dcn-sus v deve i:
149

.rn
Ea este cuprins cadranelc I $ IIl, este nelinia.' discontnu $i prezint o zon
sihit n cad.anul I, caBctc'izati prin .st.ol diferco1ial .negativ: P;laizat inves
stnrctura cstc ilr Dod tlorEal blocat 9 pen b tensiunea de strpungee, UBR'
Poate suPota
tensiuni dc odinul Diilor de vol|g curen|ii rcziduali inverg! IeR, trcdeP'ind cliva miliamperi.
Polalizat direct, acca'i stucfu rrlene o state blocat, prczint stare de impedanl maie,
curentl rzidua| direct, IRD' estc ncglabil $ poate p.elua tot tcnsiuli dc ordinul miilor e vol1i.
T.DISPOZITWE SEMICOIYDUCTOARE Dac se deP'e'te a'a luEita tensiune de basculae drect, UBD*, strucfua trece in slare de
MULTIJONCTruNE impedanl Eic' pemind trecgea unor currli de sute de amperi, cu cderi de tensiun la
bome de odinul vollilor. Trecerca de la o stae la cealalt se face prin parorrgerca zonei cu
rezisten diferenlial negativ, pe csJe dispotivul nu poate firnctiorra sbil. condilia
supliee ar de hbarc.In conduclie a stuch'uii :!npn'' este aceea ca cuenful pin dispotiv,
deteninat de tensiunca de aliBentare caracte.isticile cbcuifului oxterio; acesfuia, s
convsa enegiei electriae de anulri parametli lo energie lectsic de alti parametd 'i
deP!asca o valoare minim, ttumiti ..cuent de acroiare'' sau de ..ag|are''' ..]atchin8 curent''
a figuat totdeaua prfute preocuP.ilc impotrnte ale speci8liltilor trr elecbolic. Este l
in literafura tehnic de sPecialitate de limb engle, IL. odat aflat in corductic. structura
..pnpo'' nu se mai blocheaz,
doEcniu specfic, ln carc, sple deosebie de elecbolica de semnal, s9 lucreaz [a tensiuni dect dac' umale a pfoceselor din circuih]l exIcor, curenhrl
clecice Elari, cu curenti clectrici de valoare mare si undo prevalea at calitatea nogici
prin dispotiv scade sub o valoarc mai roic dect un curent minim de funcIonae,nurfu!
..culent de menlioere''
sau, o limba cnglez' ..ho|ding curren!'', 1lr.
electricc coovcrtite cet 9i alda$enful coDversiei.
Pomfuld dc la strucha .t'npo'' descris mai sus, in anul l958, fiIma amedcarr Genal
La incpuful aoilor .50 ai sccolului trecut dispotivel elecbonice semiconductoare
produse, diode, tralzistoare bipol8r 9i balzistoare cu efect do cEP se puteau aplica i! Electric a scos pe piat tiristorul conven1ional, urmat rapid de o inteag familie dc dispotive
electlooica de sem'ral dar' din motivc dc ordin tehnologic, accesul lor ir doeniul conversiei elecEonice bazate pe acela'i princpiu de funclionae. Toate aceste componente e|ectsonice
active, cu mai mult de dou joac1iuni' srmt cunoscutg in literafura tehnic ame.ica! ca scR .
co$giei electric se limita la aplica}ii modeste, cu putgri de ordinul maxi8 al sutelor de watt. ln
electsoEica de putere dooinau ventilsle cu vid sau cu vaPoi de oelc' excitolul, ignitronul si|icon conholed Reclifiers, adici .tcdesoa co&artdate cu siliciu''' la noi incettenindu.se
numele de dispozitive semiconductoare multijoncliune.
sau tiratronul, vertile ce astzi suot de doBenul tlecufului' prezeataod doar n ilte.es d
Dispozitivele semicoDductoare multijoDcliune au avut un succes imens gi au dominat
ordil ioric.
piala electsonicii d putere pn aFoape de sI9itul secolului )o(. In aplicaliile de foae mae
Pomid de la ideea 9 un nuer mai mare de sbahjri de matdal semicoBductot pe
putere nu au nici acum ul lnlocuitor rcdutabil. La putri Eedii | su|t ns in pezen|
acelagi monocrstal ar putga mfui perforna!ele n teosiune ale diqpotvelol, Shock'ley a pusia
punct sauctu8 ..plrpB'' cu patsu sbatu.i gi 3 jooc1iuni' [15]' t3u'
concurate, in modu| cel mai scrios, d. ce tranzistoaele bipolare'oari dc putee, t.anzistoaele
[32]' I35]' t38], t4o]' t56], MoSFET de putere gi, mai ales' dc cte &anzistoaele IGBT.
[6l]' [7l]' p8,]. Acst skucfur ae caracteristica stac indicat n Figua ?.l.
Acst capitol al p.ezr|fului curs un,iversitar este dedicat crttroastaii dispozitivelor
semiconductoare multijoncung inclusiv al celor d rnic putere, cuprinse in categoria larg a
ala numitelol .,dispozitive de aEorsarc''' .\lrigger devices''. cteva c}cuite fundamerrtale
asociate vor confri $ rrn caacte. practic.aplicativ xpunerii. sfudenful in electothnic va
bebui s acorde o deosebit atnlie acesfui capitol deoarece, ^rn actualul sistem de inv!mnt
universital de pfofll elect.ic din Romnia, el cste cel mai in msur a se implica in chestiuile
pactice legate de conversia static a ener8ici eleclrice. cele mai impoante aplicalii ale
,^lT \ dispoziti!.lor sfudiate aici vo fi abordatc la disciPlinele viitoars de Electonic de putce,
convertoare statice, Aclionri clecbice sau Uti|izile cnergiei electrice-
Este evident c spatiul limtat al cursului nu permite epuizarea luturor p'ob|emelor
legate de dispovele multijonc1iune' de aceea se recomand cititorului consulta'ea
biblograIiei asociate.

F,)'"
7.1.Tiristoru| convn'tional

Paagraful intoductiv al capitolului a scos in mod clar in eviden! fapful c strucfula


.!npn'' shockley din Figa
7'l este lm dispotiY electronic cu dou bome' deci un dispozjtiv
necomandat. Tiistorul convenlonal a fost dezvoltat pdn asocierea la cei doi lec&ozi terminali
Fig.7.1. ExPlicativ plivitrd structura,.pnPn'' shockley.
ai strucfurii ..pDpn'., nuni[i anod, spectiv, catod, a utui a| tTeilea electod- nurjt g l sau
poat. Acest al trcilca electrod s-a cooclat la skah' ..p'' sifuat pe partea catodului. El are rol
dc elecod dB comld li, ala cum se va detalia n contiouare' il acest fel s-a ajuns la un
150
l5t
dispotiv elctronic activ, semicomandat, numit tirislor. Fuoc{iomrca 9i c.acteristicile nodul tiristonrl este conectat la emitontl lanzistolului superior, catodul Ia cEitoul
tiristorului pot fi detaliat analizate pomind de la bazele fizice ale conducci ilt dispozivele traruistorului inferior ial grla de comand se conf.rnd cu baza traruisionrlui inferior.
semiconductoae' [3l]' [32]' [38]' pl]. PenEu inginerul elecEot.hnica.\ care ste un utilizator 7.3'c scoate iD eden 9i
Figura
bfue aceast analogie a tirorului cu un ansamblu de dou
al acestol componente, este irs suficient o prezelltare mult mai simpl, dal foarre ifuitiv, a 'oai iEportant s renarc.E ploprietatea
barrzistoarc. In plus, ste foarte
fuoc$onrii tiristorului' pomind chial de la stucha sa, indicat in Figua ?.2. special a confguratiei de
tiristor, Iegat de fapfuI c curentr d6 colectoI al unui tanstor ene acela5i timp cureutul
9i
de baz al tranzistorului complcrnetrta din stuctur' Figura ?.4 sc refer Ia ccterisca
static
a circuinrlui dc ieiire, od.atod, a unui tiristor conven1iona|' impeun cu dou dilt.e
si'bolufile sale cle Eai folosite' Acst figur, rnpreun c Figura.7.3
Permite explicarea
propretlilo tistorul conven1ional, inclusiv analiza gadului s'de conblabilitate.

I4
I1

IL
un IH

Figura 7.2. structura tiistorului convnlional.


(Im >oc2)xlc
Redesenat, in Bod simplificat aceast stluctur esle pezent li in Figua 7.3,a' o l)>G.{}
anali atent a acestui modcl, eviden$a faptul c tiristonrl poate fi prit ca un asaEblde
dou hanzistoale unul supcrior, de tip ..pnp'' li alful inferior, de tip ..npn'', conctate ca in
FigJa 7.3'b.
90

d-+F...K
I

JH

Figrrra 7.4. caracterstica static a tilistoaelor convert1iooale

Dac tcnsiuoea alod-catod est tregativ' strucfua fiDclioDeaz in cd&nul uI.


Jonclinile extremale, de pe pate catodic, J.", respectiq *odi" JA si'nt poladzate
""" .bn'' in stare blocat.
inve{s ii tiristorul ae o co.portarc simila cu a diodei cu jonc1iuoe
Dac
tensiunea anod.catod devine potiv afunci puncful statc de filnco;ale a ti'istoruIui
sc mut
in cadranul I. De- aceasl dat joncliunea medie' JM ste cea calc preia tensiunca de polarizare
b) c) direct a dispozitivului, carc se gse$tc tot ln star blocat. Prin tistor circul curenfi'l
ezidual
diect, IRD' de valoare mic. conform cu Figufa 7.3,c, acest cuent estg tocmai su$a cureDlior
Figura 7.3. Schema echivalent cir tra'Eistoae a tiristorului reziduali inver'i, IcBo, p.i.o joncliuaile colector-baz a celor dou tralzistoae din
schema
echivalenl. Dc tensiunea de polarizare direct a tiistolulu] cre$te' cesc
in mod
co.espunzto 9i acegti crenfi reziduali inver;i. La teosiunea de autoamorsae, numit
si
t
152
153

tersirre de basculae direct' Um',."., cuenful rezidual i'tvels colector-baz al unuia dintrc tiristoaelo, deoarece aceasta mr'te pulin panta admisibil de cr9tcr a tensiunii de
traDzistoae, cae este tl ac.la$ timp 9i curenntl din circuitul bamitor al tanzistorului Pola.izare di'cci in stare bloc8l a dispotivIui.
compleeenta di! saucfu!' deYiDe suficint de Dare Pltnr a ini$a Eecerea ln zona activ de
frt.octioBa.e accshri ltim tratrzistot. cuenful su de colctof este rs tocEai curgnful baz-
cEitor al priEului tanzisto'. ca urBare clcnhrl de colecto al prisului tralzistor crelte in
coDti rarc' accontund tcndida de sahnare 'i a aobelor trsDzisloare. P.ocesul descris ostc
caractEristic stucnrrii cu Patsu #afuri .bdpn'' 9i dc6're$e a'a numita .taclie pozitiv iltem
funcioMl.. care caractgizea toato dispozitivcle Eultijolrcine. Datorit acestei reaclii
t'ozitive cotrstructivc' aDbelc Faozistoate ajuDB iD starc firlalt s8turadl' ca vroa'e Pulcful statc
dc funcfiolale se Eut de pc po4iulrce 3 a c8r8cteisticii statice. pe po{iunea 5.
cor.sPuaztoa'e stIi de coBductie, cuiertut I^ prin dispoitiv fiind dictat de teasiunea de la
bome 5i pararoeri cclorlalte coEpoleEte ns.iate cu titistorul. TeDsiulea dintse anod catod
scade la o valoarc !dc' de ordiDul volor, depndet de stuchi 'i
de modul de incaps.ulare
'i
a disPotvului. In tiEpul tecr din stae blocat ln stare de conduclie, s parcwge, datolit
eacliei potive intemq zoia 4 a c&acteristicii static, zo l care restella difeenfial a!od.
catod cste negativ.
Pezenla electrodu'lui de coand Permite ils ini|ierea procesului de reaclie iltem
din structu la tensiuni mai Eici dect tensiule3 de autoamorsale. Intt.adevr' cicuiful de grl
al tiristonrlui nu est. altceva dect cicuihrl de intare, ba-ito, aI tanzistoruli .hpn'''
inferio, din schema ec!valent. lojcctnd in circuinrl dc comand un cent Io|, Bic, cureotul
de colecto! al ttanzistoruli incepc s cleasc lD mod senmificativ la o tensiunc U8Dt, mai mic
decI UBD*, declansndu.se asfel procenrl de i.otsae in conduce a stluchrrii. cu cet cureonrl
de g:il idectat are valori mai DaIi, cu at scade tensiunea de amorsate a tiistorului, UDD'
Dup tscceea putrctului dc filncliore a dispotivut pe po4irmea 5 a caracteristicii statice,
semnalul de cuelt n circuinrl de gril ou mai cste Dacesal deoarec leac|ia Pozitiv btem din
stuchf men|ine ln stare satrtlat c4le dou Eatrzistoae din schema echivalenu.
Blocalea tirstorului poate avea loo numai pdn reducerea crrreohrlui dil circuinrl Figu.a 7.5' caracteristica static a cilcifului gril-catod
anodic zub va]oarea crrenhrl de Benlinre IE. Precizm c puocn $atic de firoclionare a
dispozitivului nu se Poate muta de por|ira 5 a ca.actedsticii static dilect p po4iuncB 3. Dn ce|e exprrse Dai sus se Poate trage concluzia ilportant c tiristoarIe suot
starca de blocarc la poladza direct se poate *inge nuoai dup o ctap intermediar de dispozitiv clectroEicc care ou amp|iic. Ele func.ionezl !umai iE eginr de conuta|ie,
firnc1ionare la polarizare ive.s, Pe po4iutrea l a caractelisticii statica. pezetand doar dou sti gtabil.: stea blocat, espectiv' staea safurat, in conduclie.
Din celc de oai sus tzult c piseEnalul aplicat io circuiful de comand gil.catod comutaia dir.c6 a tiristoaclor rep.czint pocesul tlaozitoriu lcgat de inkarea in
puteB corrtrola nnai aosae8tiristorului, blocaroa sa fcndu-s. prin alto mijloace. De aceea conduclic a dispozitivului polaliz8t diect. comutalia direct' numit si amorsare, Poate avea
sPutreE c tiristorul cotlv.!|ioBal cst u! dispozitiv lectroDic slBicoEaldt' loc lcoretic pc 4 ci diferite:
caracteristica static a cicuifului de it.ae 8ril-catod, Figua 7.5, ne arat crrm l.comulai' dir.ct priD lutoaEorslre, datoril dep$irii valoii tensiunii de
trebe9te selectat n mod corect seEmalul dc coEand. cicuitul de gil este cel al unei diode basculae dLect?l, Uaouo. Metoda nu se folosgte la tiistoa.ele de putre deoaece stabilirea
cu jonc1iune
..pl'', care frrnclionea in mod normal la polarizare direa. Din motive de ordin
leactiei pozitive interne este lnt' piedril de co&utafie diectii cesc, strucfuIa 5e inolzeste
tehAologjc, panretri acestei joncliuni vaa io limite largi. cele mai perfonuaate exemplare $ se poatc diskuge' Pentu a pleveni amorsri nedortc pe aceast cale' tensiunea de
cor.spud crrbei iDfelioa$ di! Figura 7,5, respecti1 cele mai pu1in porfomralte, care impun autoatBorsae a tiristoarelor trbui. s ie cat mai mare' Acest dezidcrat so realizca in practic
tensiuni na.i penEu acelasi cuent de gil' corespund curbei superioa. din igu. Puncful Pe cale tehnologic, ccle dou tanzistoae din sohema echivalent avnd factorii de amplificale
static de funclionae trebuiegte selectat !tse cele ilou catactcristic limit, fr a se dep$i nici in cuent, p, aproxirnativ egali 9i de valoare ct mai mic. sublniem fapful c utilizaton nici
puterca de comand laxiE lecourandat. Este indicat a se lug'a permaleDt $i in 8fara nu curroa$te toDsiunea de basculare direct nraxim a dispozitivloI cu carc |ucrca'
doeoiului de amosae condilionat de 1empcratur. Este iEportant de subliniat 9i fapN c poiectarea fcndu-se pe baza tcnsiuoilo! Dormale de lucru date n catalog, [35]' [38].
parametri de amosae n curelt continuu, da1i sub form aumeric in ctaloage, sunt n5te 2.cooutalis ilirect datorat vitez.i de cre$tere mari a tensiuDii d polariz,re
parametri minimi care nu garmte8z! fimcooa'ea optiB a disPozitiwl. ca u1aae, puncntl di.ct in sare blocat. I.D acest caz crrrntul capacitiv prin capacitatea jocliunii medii este ce|
static de filrclionale al cicuih'ui de coEand se recomand a fi stabilit in ceotrql caactefisticii care joac lolul uflui virfual cuent de comand, [r|}' [38]' 9i ini'ia procesul de reacrie
static dc aBorsare Uo = UoGd. Peotru cei interesa}i privild aplicaila practice ale cicuitelor pozitiY iltcm dirr sbucnu. Metoda tru se poac fo|osi, din motive identice cu oe|6 de la
cu tiistoare se cuvine s Procit! c joDcliuB9a .!tr'' gril catod' din Elotive de ordiD p8agafi' anterior. In mod norral, dac viteza dc cre'tere a tensiunii d po1aizare diect nu
tehnologic, poate supota doar teDsiuni invers modeste, de ordilrul vollilor. Tofu$, tult.le deple$e valoarea critic dai in cat8log, ahlrci sunt excluse comutaiile dijecte nedorile ca'e
aplicarii practice se procedea la o u5oar po|aizare invels n circuinrl de comand al pot apare Pe aceast cale.
r54 155

3.cotButalia direct piB comrtrd pr Ycrtic.t. Este.o metod de comand vo fi respos8bilc dc supratensiuni la blocar, da, iD cazul particular al dispotivell
teoretic c se b^z;a pe controlul valodi teosirmii de amorsare prin valoalaa cuenfului de Eultijo[cliunc' 9i urroai al lor, cle nu ridic problemq putnd fi con&olate cu circuite de
gil injectat circuitului dc comand. Ala cum s.a artat deja, cu ct valoarea anplitudinii protectic simplc 9i economica. calcuN inductivitlii bobioelor de comutae se poate fac
curentulrri de gril este mai mae cu att scade tensi*ea la cate se inilia re.ac1ia poitiv..slab'',
cae confoB celol Prez entate ln capitohl 4. l .
conduce la inlrarea in conductie a tiistonrlui. cul ns seEmalul de comand este CoEutati! lnversl a tiristoarelor de putere este procesul tralzitoriu de trecerc a
parcurgerea zonei cu ezisten! difeenalnegativ se face leDt, pierderi]e de coButa|rc cresc acestora din stare de conduc1ie ln starc blocat' la polarizare dircct. Procesul poatc ave6 loc
9i, d'"p1ufoa'e, -"toda descrs aici nu estc recomaudat.
Practic ea poate duce foate u'or teoretic prin 9utltaca tifistoru! cu u! alt dispozitiv, cu impcdan mai mic, da, d6 obicei, se
la distrugerea seiconductorului' procedea la blocre contsolatll, cu ajutoul ud6i leDsiui negative aplicatc in circuit, asdel
1.comuta|ia direct pritr coltrol de frztr cste modul nor'rral corect de comand inct s se genercze procesul de scdere cenful anodic sub valoarea curenhrl de
'i
al tiistoaJelor de putere. Figura ?.6 reflect proceselc t'anzitoii corespu!toare acelnri caz B!tinere.

lrcv
|rt-l
lt I
L trz tg t. |
Itrr.t1rP1
,il1

Figura 7'6. Explicativ pivind colrualia diect a tiistorului


convennonal
Fi$aa 7.7. comutalia invers la tiristoalele convenlionale
Presupunnd tiristorul polaizat direct, la moEetrtu| do.it se aplic cicuifului dc comand un
de amorsare
impuls de curcnt cu panmeti optimi, selectali confom caracteristicii..asistc' a
Figura 7.7 se refer la irn astfe! de proces dc ilocarc a tiiston'ui de puiefe.
dispotivuIui. entru a aYca'o binuta|ie satisfilctoafe' impulsul trebuic s comutalia
Felromenele care apar seamn cu cele desclise ln capitolul 4.l pentfu diodele edresoae cu
chiar gi pe pri4a prte tiinpul de stabilic. sem!tor cu coEutaa dircct a diodelo joncue .!n''. P.ezetrla in skuch]ra tiristolului a mai multor jonc1iuni, confer o serie de
redresoare' Figiri.4'6; 9i aiapiir:pierderile de putere, cale pot fi dimbuate prin inoduceea paticul.liti procezului. La momenhrl t2 numai jolcliunea de pe patea catodic' lq se
in ci'cuit a unor Eobide de oitatie astfel calculate inct panta de cre'telc a cu.rentului s blocheaz 9 se stripunge, prelund o tensiune invels de ordinul zecilor de volt. Prin urmare
rmn totdearroa sb vloea ridisibil indicat de poductor in catalog. Ideea folosirii curenful inves prin dispotiv corrtinu s crcasc, da! cu o-pant mai mic, pen b momenful
bobrrelor de comutalie const in a defaza in um cuienful pil tiisto, in a|a feI inct el s ia t' cnd gi jotrculrea de Pe partea alodic, J^ se blocha. Acu.o dispotiwl lrecap|
valori semi.ificativ mari numai dup ce telsiunea la bomele strucfurii a sczut la valoarea capacitatea de blocre la pola.izare invers $i cltlBtul scade Tapid la valoarca corespunztoarre a
stalionar, mic, coespur]ztoare strii de conduclie. Evident, acste bobine monlate n cicuit
t56 157

cureltului edual ilvcrs, IR't. Id acest Eoreot


joncliutre3 Eedic inc nu esJc revenit' ca l volt. Pe de alt pate au fost prrse la Punct tiristoaele cu conduclie
de lucru sunt de ordinul a
potiv. Procsut de trece.e la iuv..si, RcT,..reverse conducting thyrislors'', carc pieziqt in cadranul III o comportae de
.rro'f aispoativr'r nu poate prelua teDsiunc alod.catod
;ffiil il;a fuie icepe iel m t drrp rnom.nhrl t5 care cstmrche.z ti.Epul de revenire' diod Polaat dilect' Fi8ua 7.9. In accst caz nici nu mai este nevoie de !ontarea diodei de
;.d'""'l;i ta dioo, revenirca inves a tiristoaielor iDsolit de supratelsiuni de
adecvate. sinplifqile
curcnt irrves in cicuitele electronice de putere respective.
;;"..,t;. ; ;io"'" t"u"r," limitat cu ccuitc
de Foteclie
adoputi ji "fu;; dc calcut idicate i capitolrrl 4.1 rmn valabile.
---.'-'- meto<lete
"".eolto' aiodelor, 5i tiristoaret, din puocnrl de vederc al tiEpului de evenire' se
a 200 - 300 ps'
produc
."oo pentru aPlicalii "lcote;, ia releaua de 50 sau 60 Herft, cu !- do oldinul
o"n.ru ae freoveo! ridicau, cnd q- este mai mic decst 50 ps. Primele, mai ieffine
;,.-; il;tJar" ooiaalc, cclc di! a douo catcgoie, mai scunPq nulritrdu.sg liistoae
"ptic"tii
oo'u".
u-*..n,e pliviqd tListoalele de pute'e pot fi coDsultate ln oricare dintro lucrrite
^,"
indicate la nceputul aceshri capitol'
ixisu -utt" apcalii lD cate tiistoarele de pute.e, prevzute cu-diode suPresoale,20de.
de ordinul
cuelt invers, montate -tip*a"L t,.tui" .a ftnqineze la ficcvenle ddicate,
apid. rru oai sunt
25 kl]a fiin necesari timpi tlc revenire sub l }rs' ln acest caz tfuistoa.ele
Peon,r astfei dc aplicatii s.au dezvoltat ins dou c.tegoii de tilistoare sPecialq
"atisfioarc' ."n.4a''au-sc h p;rfoioalele supelioae la polaizc invers, s-a pufut ajurge
iji. l" uov/tt UBD*"
iil; .;;;" "ers foarte favorab. Pe e o parte exist tiristoarclesteasi'etrlcc,
;""-u, AsT,
;^!y^""i"J yristors',
.a" la care t n siurea de strpuogere invers, Ugn, Bult mai mic
aect*siuo"a autoamorsae, UBDB, respectiv decat tensiuEea direct de lucnr maxim,
UDWM. caracte.istica static a 8cestof tiristode esto Prezgtat ln Figura 7'8.

Figua 7.9. caacteristica st8tic a tiristoarelor cu conduclie invqs

Ti'istoatele asimetice !i tiistoole cu coBduclie invers ili gsesc aplica|ii in special


irr teh.oica coovetoarelor rezonarrtedin clectroternie.

7.2.Triacul

Exist o categolie larg de aplica|ii' in special in domeniul conversiei dtecte de cuent


altemativ la frecvnl coDstant, cu ajuton' variatoarelor de cuedt altemativ, unde circuihrl
electoric de putere const din tiistoare moltate in antipaalel sau ansmbluri de tifistoare
tDoqtate iD aoipaIalel' Con.6gura$a acesfui cicuit elccEonic impuoe transferul semnalelo de
comand cte tiristoarc pfin haDsformatoa'e dc impulsuri, faPt care cotplic 9i scumpe;te
aplica$a o ansamblu.
Dn motiYelc expuse mai sus a fost lecesar dezvoltalea unui dispozitiv electonic
multijotrcliune, dotat cu urr si.ogu eleclrod de coDrand 9i care s permit att conlro|ul
cuellilo! potivi, cet pe cel al cu!.alilor tregati. cu alte cuvinte, ste vorba de o
'i
compooent calc ae caacteistica static simet'ic fal dc oigine 5i sifuat iD cadanele I !i 1II'
Figura 7'8. Calacteristica static a tbistoaolol asmtrice Ea poat numele de triod.tiistor bidilecliona|, Triac sau BTT - ..Bidirectional triode
th}Tisto" in litcrahlra tehnic de limba englez sau de ..sieistor'' in literafura tebnic de limb
Fapful c tensiunea de stpungere invers estc Eic Du pIezint nici tm fel de fl.ancez' respectiv, fus. In Romnia s-a incetlenit nuoele de tliac'
pr.oblemc irr aplicafi deoaece olicuB, datolit pezenlei diodei supresoare, tensiutile inverse
158
159

Funclional, pe parte de puterc, triacul este identic cu dou tilistoafe montatc n


ltiparalel. Necesitatea de a avea rro clcctrod de comand]l utric face n5 ca stuctura sa s 6e
ceva mai complex, Figura 7.l0.

1
ILt
c,z E2 lxt
l=
%. c &--""
J*
Ip3
lg3
I
EI EI

Fi8ua 7.11. cacteistica static a triacurilor.


Figufa 7.l0. sEuch.a gi siEbolurile uzuale ale tiacului.
Motiv de oldin tcbnolo8ic au limitat Perfomanlele in curent ale triacurilo l8 valori
sub 60 A. In schiEb cu tsiacurile modeme se pot rezoh diect, fE traasforEator de seDarale.
Este voIba de tm dispotiv multijonciune cu 6 sta.uri' electlozii principali iind El 9i
aplicaii dirccte la elea' lucu cae le ofe utl cmp foae latg de aplicalii.
E2. ia electodul de comand fiind grila G. cnd difc.ade potential dintre elecbozii El g
E2 este Pozitiv, 'l conduc'ia curentului pincipal $nt acdve stafuile pl.n2-p2-n3, impulsul
de cueot de comand aplicat nlr gril 9i alctlodul E2 iind tcoEandat a fi pozitiv. Dac
diferenla de potenial dintre etecboi principali El $i E2 est [egativa' atrrrrci sunt active
7.3.Tirjstorul cu conand de revenire pe poart, GTo
strafuile p2.D2.pl.nl, comanda alceqdu-se tot cu curent injectat intre gril $i elechodul 2,
curentul recomaldat {iind ins ncgativ. h acest ultim caz' a'a cum indic si c8acteristica In capitolul 7.l s.a evide{iat faph c tjistoaele de putere sunt dispotive
static din Figua 7.l1' puucful static de a.rnclionarc al triacului se gsEte in cadranul III. sEiconductoale ultijoncrrncsemicomandate. Ete pot fi comutate in conduclie cu aiutorul
Urmrind cu atenlie Figua 7.l0, se reBarc faptul c, indif.rent dc semnul dif.enlei de impulsului de cureDt iljectat in grit dar qu pot fi blocate pIin intervenlie in circuitul de
potenlial dintre electTozii principali, curentul de comand poate fi pozitiv sau negativ' Modul de coEand. Procesul de eac|ie pozitiv intem odat stabilil este cel cae u Doate fi itteluDt
comatld optim este irrs cel rtcomandat mai sus. Chiar 9i fu acest caz' curenlii de.c.ola!e $
prin iaterven1ic pe grila de cooand.
enrinc.e din cadranul III sult apreciabil mai mari dect cei din cadranul I. Ace'li curnti Tfuistoarele cu comaodli de revenfue pe poart, GTo . ..Gate tum-off
minimi c.esc la valori nepermis de mari la folosca |lno. cuenti de comand] cu sdn. difc te th},risto's" sunt o clas de dispozitive Bultijonc|iune intsate Pe piala seroiconductorilor de
,80 ai secolului trecut
de cele recomandte. DIePt uIEaJe scade snsibilitatea la amosae a riacului, devin neccsale Putee la mijlocul alilor $ care futruncsc tote propriet1ile tiristoarclor
valoi mite de curent de g'il' apa lnclziri locale il structur, aceasta inbfuliod prcmatur. de Puterq asocit cu posibilitatea blocii, la polarizare direct' prio intervcn1ie pe grila de
lucnr care se manifest in |tnal prin intrerupeea cilcuifuIui dc comaldjl' colrld' [38]' [56.l.
Figura 7.l2 prezint simbolul tiristorului cu comaod de revenire
Pe poaIt' asociat cu
comutalia triacului este ase!ntore cu cea a tifistorului de putere' probleme 8chea sa echiv.leat cu tazistoaJe bipo|are 9i principirr| str de comao..srructua acesnri
deosebite ridicndu.se la contlolul sarcinilor inductive' unde Ia blocarea dispoitivului dispozitiv clectonic nu dife' in pritrcipiu, de ca a tiistoaelor de putee. ca umae
lectronic panta de cre$ere a tensitmii la bome poate depsi valoaea c tic admis d. catatog. caracteristica lor static ste asemn:i3ale, Figura 7.4. Deci li ace dispoliv arc caracteristica
ca u.nae pot apare amors&i ..false'', fr comand in gril, pertulbltdu-sc funclionara leliniar, discoltinu, c8ac:erizat je o zon c]r ezistenli dife.enial negativ. comuralia
convertoului. De aceea, io acost caz se ccre o p.oieciare foarte i'grijit a circuitclo d dilect se face 9i ca asemnitor' c! ajutonr| unui iopu.ls de cure;rt pozitiv injectat i! grila de
protecfe, U5l, [6], [35], [36], [37], [38]. comald. Proprietile specifice ale iJistoaleto GTo r.zu|t din fapfut ce priltr.o tebnologie
ingrijit' stlatu.ile .!" 9i "n'' de pe paea catodic a dispotil,ului se fac iub1iri, factonrl de
160
161

alrplificare in culent, p. al trazistorutiderior de tip ..npn'' din scheBa echivalent devennd iltruct joncliunea gril-cato4 asemrtor ca la tidstoarclg conyeolionale, nu admite tensiuni
foate Da.e. ca uEarc, dac cu ajutorul unei tensiui ne8ative aplicatc cicuihrlui gdl catod iverse de luclu Eai mai' Din 9cc5t tDotiv' sursa de tensiune negativ pentru blocae trebuie s
putelu extsage pin electrodul de glil o fractiule IcoE diD culentul aodic I^ al tiristolului, cooli! un condensato. de joas tensiune' cu capacitate foalte ErJe, picrderi rcduse gi
atnci Pocesul de leaclie potiv hten se ntscupcti Puncbl de fr'llc|ioDare al inductivitare parait practic neglijabil. Ace8s|a imPune folosiea rrnor circuite de comand cu
diJpozitivului poate tece de pe porlirmca 5 a ca'acteristic statice' dtect p poiuDea 3. componedte scumpe, a clor valoale poate depii chia pretul tiistorului GTo Eplicat'
Tiistoalcle GTo stmt dispozitive electronjce dc neinloct rr aplicatii de tensiune gi
cuent mae' cirto ar fi c.le din domeniul inve.toalelor pertru comanda 5i reglarea vitezei
motoelor de acionare de pe vcbiculele de t'actiune fcroar. Pent! vghicule de ta]sport
urban, sububatr rame de metrou sunt ins deja scrios concrrate de ctre tranzistoae|e IGBT.
'i
PenEu infomalii suplimentae in doldeniul ti.istoarelor cu comand de revenire pe
poa, recomartdm cititorului mai ales lucralea [56].

I^
"[-
+"4'
7.4.Dispozitive semiconductoare pentru circuite de comand.
Trigger Devics.

Acest subcapitol al prezentului cus universita ste dedicat prezentrii unei clase de
componente electsoice speciale cBIe sunt utilizate cu precdere n implemenlarea ci.cuitelo de
'( comadil a dispotivelol semicolductoale de pute.e. o buD pate a acesto! colBponente sunt

lr
| ele disPoziti!.e multonc1iuoo. Ele se foloscsc cu u rinl la tealizaca circutelor de comand 'i
cu componente d;scrcte. Fiild ulot integrabile, lc gsirD $ n st.uchra multor circuitc integate
specializate' AsIc. Appfication spcciflc integatd cicuits, destinate aceluia'i scop. El sunt
folositc de ascmenea la rcalizarea unor circuite logice dc seEal, aplicate lndeosebi in
comunicalii.
Rolul dispozitivelor scmiconductoare pentru circuitele de comad poate fi usor
lnleles dac mai subliniem inc o dat faptul c tiistoarl., triacuile sau ti.isroaete GTo se
cont.olea prin..comaud! pe oizontalq' amo.salea lor avnd loc prin impulsuri de
Figua 7.l2. sinbolul, structura 9i principiul de conand al tilistoaelo GTo' comand aplicatc la momentc binc dcfiitc. Acast comand Pe oizontal se poate face Pe
dou ci. Pe de o Prrte cxist o catego.ie foarte larg de echipamente, ledesoare sau vafiatoale
de curent altematiY, undc contsolul uxulde energie pdn convertor se face plin ..cotrtro| d
Tilrprtl de rcvenirc al tiristonrlui GTo afo valori cDaraabilc, fiind sub 0,5 ps. 'zi... lll acest caz, a$a ouB se evidenliaz li in Figura 7.l3, dispotivele de putere se comand
Palmet.ul & definit ca: uldeva in iltcrvalul de tiEp ct sutrt Polarizate diect. cu c! arorsarca este mai intatziat fal
de trecerea prio zero a teLsiuni'i de polaize, cu att puteea trsferat la iegie estc mai mic.
Pe de alt parte se folosesc deshrl dc mult li convertoale la care pute.ea medie transferat la
I' ie|ile rezutt din rapoful dintrc numrul de altemanle pe parcursul cIoa dispozitivele de
o = .co (7.1) putele conduc numul de altemanlc in care aceloa'i dispozitive sunt blocate. In acest caz,
I
conform cu Figua 'i 7.l4, comatrda 5c face in ..pachcte de alter!r!e'' dspozitivele se
li
comand imediat dup eccea r sels Poitiv a tensiunii de Polarizale direct' In amndou
dinee sifuaiilc p.czctate EPulsurile dG comandtr l.ebuiesc s ie sincroDizle cu telsiuua
9i numt
,t9tig la blocEe''' estc o mrime speci.Ec acesto dispozitive 9i !e arat cet din i! priBu| ca4 iotrziet. iE rod coespuDztor. Aceste dou funcliuni' asociat cu o
Ji'
curen anodic bebuic extms prin g l penbu ca tiristonrl GTo s se blochezc. cu ct acest amplificare de putere pe pa.tea de ie'irc trebuiesc s l indeplineasc ct mai simplu
parametu ale valori mai nai, cu atet componenta luat in coDsiderarc este mai pelfonna[t. dispozitivele electronice Pentlu ci'cuite de comard.
UauI valolile sale sunt cuprinse llae 2 |i 20. Subliniem c valoarea crrrerrhrlui negativ de
bloc8e poate fi aFecabil. De exeEplu la un dilpotiY dc 600A, ctr &E = 20, curenhrl ia Nmim disPozitive 6mi.onducto9e d. amorsarc' ..triggr devices''' [23], [40],
vslori de peste 30 A ! [42], 43), t44l, [6l]' [7l]' accle componcnte clectonice, de ic putere, caIe au o
se cuvile s ai prciE c acest ploces de ..exbagcrc'' a cEenfului n vederea caracteristic stalic a circuihrlui de ie$te rlinia cafacterizat prinE-o po4iune cu ezisten!
blocii titistorului GTo rru este de loc simpl. 'a cum rczult 9i din Figua 7.12,c, cuenh dif.renlial Degativ. La baza nmciotrdi acestor dispoitive st pocesul dc .teaclie pozitiv
oegav din cicuiful de gdl tebuie9te ..instalaf' ua timP foart Bic, de ordiaul timpului dc funcliona| inrem..ca.e face ca rtse cle dou stri stbile de funcfionale tsecerea s sc,fac
pint-un proces automat de comutalie numit ..basculare". Ca urmae' utilizld dispozitivele de
revenie, cu ajutorul uoe su.se d tensiune negativ. cae Du poate depli valoaea de 20 v amorsare, devine posibil descfuca'ea rapid, lamomente bne prccizte, a unui condensato,
I
I 163
!

dintr-ua ccrrit RC, s generarea, pe aceast cale a unor impulsui de amorsae a dispozitvelor
multijoncliune do putere.

a)

a)

b)

Figu.a 7.l4. kincipiul comenzii dispozitivelor smiconductoae multijoncliuue de putere pin


pachere de altemalq aplicat la variatoare de cu.reDt altemativ, s $i la ledltsoare, b'

h c.ntinuare vor fi prezentate cele mai cunoscute dispozitive eleckonice de amorsa.e.


Intuct asupra lor nu sc va mai leveoi pe paculsul acesfui ctrTs' vo fi indicate cteva
circuite de aplica$e simple. 'i

TrauziltorI uuijouciun.' TuJ, Unijoctiorr alzistor, UJT' i limba englez' [40],


[44],ee uful dintrc ce|e ades folosite dispozitive pcntru coanda tiristoarelor. In .ealitate
el nu are nimic coEun c1t aanzistoarele, ln accepliunea n care acestea au fost studiate i
capitolele anteriore !i. nu este nici dispotiv electronic multoocliune. T.anzistorul
unijolcune eo in principiu doar ! doDocistal de Eaterial semiconductol Putemjc
iBpurifict. El are proprietatea c curcoful care circul ntre elechoi principali, Bl $i 82,
lttsi baze, poare fi Erit 1o avatan9 prin injctarca de puttoli pin electodul de comand E,
nuBit emitoI. Iigura 7.l5'a evidenli8z sinbolul 9i polarizalca corect a acesfui t.anzistor.
b) scheEa echivalent din Figua 7.l5'b e arat c intre cele dou baze tralzistorul utrijoncliune
poate fiprir ca uo ansmblu de dou uzisteoe' RDl $i RB,' Potenlialul emitoului, aplicat pdn
Figura 7.13. Principiul comcnzii dispozitivelo. semiconductoale multijoncliune de putere prin dioda D6la puncnrl comun al ezistcn|elor, poate conbola valoea resteplei iderioa.e, RaI.
control de faz aplicat ]a a 9i la vaiatoae de curcnt alteTnativ. b. s presupMelo c tensiunea din cilcuihtl celo dou baz estc UBB li c dispozitiwl este blocat.
'edresoae' Atunci cuenful care trece prin circuitul celor dou bzE Ya fi:
t64 t65

u^^ valoaea de sanJrarie IEs |i scade potenlialul emitorului la U65. In mod corespunror vo cre$le
I "BB
- 82= xr, * Ru, p
"tB
Q.z) 9i curen1ii bazelor 1 iespecliv, 2, ceca c conducc la cotcreal lesPectiv, scdera
pot.n$alelol electJozilor'i,Espctivi. Modific!ile de cueni gi potenfiale descrise roai 5u5 slrnt
--2L
evident posibile datorit pezellei elemotelor externe d circuit.
Doci acest cu.eBt depildo doa d teosirrea aplicatlil de rezistcqa semiconductorului,
rosutil ilte celo dou baze.

Zo.! cu
l.zste|t
(fftd!
rB06tlvd

Figura 7.15. Simbolul, polaizea coct schema echivaleati a baDzistorului uijoncliune.


'i
Figura 7'16. caacteIistica static a tranzistoului unijonctiune, la tensiuDc nI intre baze' A si
cule!ful prin dioda Dr ind nut, dizorul folEat dlo lestenlele RsI li Rsz
pentru o yaloare const8nt a tcnsiunii dintre baze, B.
fiEconea itr gol li poten$alrrl nodului A din Figu.a 7.l5'b, arc valoarea:

x'l D
u,=u* Rr, * R- .'BR
(7.3)
Geneatorul de impulsrrri cu tarzistor rmijorrc[iune din Fi8u.a 7.l7 fuircioneaz pe
baza pincipiilor de clmutatic descrisc mai sus. Deoarece yalooea tcnsiunii de basculaIe UE...
depinde mult de temperatuli' este necesaf compensalea termic a circuitului' lucru care
impune alegerea rezistenlelor R| $ R! astfel incet 5 fie ndepliDit condi|ia, [40]:
Factorul de educe.e l telsiuoii intodus pri! explesia (7.3) define$t un palaeetr al
0,7R"" (1- 7)R,
R_, =-
"dlzistorului unijoncliune, notat cu 1:
(7.6)
n-_ ,lUt rl
- -
'l-p ___.pL (7.4)
^ns Frecvenl de oscillie a generatoului se Pote stabili ugo cuTeldlia simpl:

valoarea acsstui parametu este in jur de 0,5 |i 0,8 $ nu poate fi modificat, fiind de I
natur constuctiv. (7 .1)
Plr cand diod Dr este blocat, adic PotEnlialul emitorului este Eai Eic decti
cn-hl-I
U-<U.+U^=U- (7.s)
' n

Impulsurile pozitive culese de la electlodul Bl pot fi direct folosite pentu cornanda


r! valabile telaliile de rnai sus cuentul din circuitrrl bazelor are valoaea ledus stabilit unui tiristoI de Putere. locuindostenla R| cu priloanrl unui transformator de impulsrrri, se
poate obline $ o separare galvanic' foate necesar in multc 8pliclii. limeDtnd circuitul cu
A'a cua indic 9i cuba suprioa 'i din Figua 7.16, iE mo.ocBtul n care Ug devi[e mai mae
decat U* valoalea rezisterlei RBl scade busc, cre$te cu.e[ful din cicfu| de emitor la tensiune edlesat dubl altmanl sau cu tensiune trapezoidal' prin reglarea potenliometului
& se pot obline impulsuri de comand defazate fa de teceileprin zero ale tensiunii de
161

intlae, deci se poate proceda la


.'control de fa... I ocuind acest poten|ioBetu cu tm ci'cuit
Doalece teosiunea dc basculare a diacului, de 28 . 36 v, are valoa! elativ mare, cl se poate
fur tcnsiune, s9 Poate asigura comenda
clctsic
g"*"' a" *,tunt'
"b'*dat aplica numai la circuite de teDsiulc nalt. Un astfel de circuit tipic este artat lrr Figura 7. l9.
"i""o"J" "*"nt lutomate d reglae a convcsici de nergie.
;;"""t t'"o""lill"; g*erate, foute util tn sisteDre

**- *@-

Figura 7. l 8. Simbolurile uzule !i caacte.istica static a diacului.

cele Bai crrnoscute diacui aflate pe pia' 9i fu prezent srmt: A 9903, siemens; DA 3,
Dibathem; BR l00, Philips; sT 2, General Elecaic; V 413 lv, ITT; MPT.28, Motorola; TI.43'
Texas hstumenB; N 4l3, NEc.

Figua 7.17. Principiul de frDcionare al 8eleratoalelor


de impulsuli cu t.anzistoae ulijonctiu|e.

produc $ tranzistoar
Pentu aplicaii speciale, in domeniul cicuitclor de impulsuri, se
;;b'1. Iri electroica de puterc is s.au generalizat tI.alzistoafele unijonctiune
'"ij"*lil;l;
J"',".i.J ."i ** i" iip
.tt'', doaJece csr; avantajoas generarea diect 8 impulsurilor pozitiYe
fal de poten}ialul masei ci'cuihtlui.
celernaicnoscutetranastoaeunijonc|iunesutBsv57,AEcPTelefirnken;TlS43'
General Electric. Acest
Texas Instrents; 2 SH 14, Toshiba; 2 N 4E}l, Motorola sau 2N 2646,
din urm tanziso! unijooc;irrue se produce 9i in Romnia.

Un al doilea dispozitiv de amorsare des utilizat esta discul, Bidirectional Diode


sale
ThYisto in limba englez., [40], [?t]. caactelistica s stBtic 9i dou dintrc simbotuile
."i.""'r"r".t" sunt.prezentati in igua?.l8. Dacul a o stucfur cu 3 strafuri Pentru dou
io*tio"i.
,ud.it" r.." deci asimntor unui tajrzistor bipola' f a avea baz accesbi|. 'i a
pozitivi !i negativi de valoac aproximativ egal, straturile de haterial
"u.enfia" p" partea coleitorrrlui 9i
.".i1o,,au"ro. a emitorului st asemntoar. e, din Puhct de vcdee
tehnologic. Folosfuea diacului s
te mult mai siEpl dect a tanzistolului uoijonctiuoe doaece
i" ur*a.j" eleaua de temporizare Rc nu este necesa nici rrn alt clcment exterior de circuit.
Figura ?' l 9. Piocipiul cilcuitelor de a&ors.e a tiacrrrilo cu diaculi.
r68

TraDzisaorul uuijodcllune prognErabil, TUP, Programmable Unijonction Nusele acestui dispotiv electroAic estc absolut impropriu' deoarece ia ealitate el
Transistor, Pl'r, fu teIatura tohic de limba elglez4 [a0]' [7l]' a fost dezvoltat pe[tru a accelibil grila de Pe partea anodic. Din acest nlotiv
este asem.oto unui tiistor' la cale este
elimina dezavantaj t.a.ozistoarelor rmijooc|iune conven1ionale, lggat de fapnrl ci factontl se mai folosesc denumirilc de tiristor cu comand 8nodic, (cu impulsufi negative), sau de
.rns
i.ote,o n ttu estg ajustabil, dec basculaca arc loc la o teosiune coast&t' a crci valoae tilisto. 'icomplcmenta. In plicaiile practic grila nu se utilizeaz peotru comalrda de
dcpioile nrurrai de tesiune de aliDentare din circuinl bazelor' Popriettea caEctedstic aruorsare, pe orizontal, a dispozitivului' Tranzistorul unijoncliune progamabil se controlea
tranzistoaelor rmoncfiune pograBabile este tocBai acea c telsiulea de basculsre direct io mod normal prin comand pe ve*ical. UA divizor de teosiune concctat in cicuihrl gilei
.brogrameaz. nivclul ttrsiunii cootinue la crre va
este ajustabil Gu ajutorul unui si.Bplu divizor tezistiv de t.!si!e. avca loc autoaloosarea din cicuiful anod-
catod. spre deosebte de ttistoarcle de putere, aici nivelurile de cureni $i tensiuni sunt mici $i,
ca urmare, bascularea direct pri.a comand pe veltical nu este periculoas Potru strucfura de
material semiconducto..
Figua 7.20 ne aat simbolul, schema echivalent cu tanistoaeli calacteristica
static a taszistorului utrijorrc1iune programabil. caractelistica static a acesti dispozitiv este
foa.te asemntoae cu cea a L.anzistorului un'oncliune. speciic este fapful c puncfu| static de
firrrc1ionare din .!rf'' .
peak''' P(Ir U.), espcctiv din .!ale'', ..valley,', v(Iv , Uv)
' au
Paranetri contolabili prin..p!oganae''.

Vanff
Up
zona clr rozlsfenta
dfcontlala ngatlva

Vale,V

Up
uv Figra 7.2l. cicuiful de aplicalie speciic al tranzistorului
unijoncliune progra.nabil

rP
lr
Lv 1F
Lund in considerare ci-rctul specific de aplicarie pezentat n FiBura 7.21, valoafea
teosiunii de P.ogr.mal, Us, pe caracteristica static din Figua 7.20'c, este:

u'=ut{h; (7 8)
Figura 7.20. simbolu'l, schema echivaleotll cu talEistoale $i caractcrisca static a
tra.ozistolului n-oijoocliune programabil.
Tensiunea din ,,vrf', Up, difer de U5 doar prin cdeea de lensiue pe o joncliune,
carc ae valoaea aproximativ de 0,6.0,7 v. Rezistenta chivalent a circuiNlui de gdl:
170 Lll
uneori ntrurit 9i diac, lucnr cas corrduce la contrrzii clt diacul prop.iu.zis, cu srrcfu. de
n,& aa'zisto. Figu.a 7.23 edeL|a' simbolul, schema echivaleut clt tranzi3tore bipolale $i
"o
P =
f,*&
--:.----:-
(7.e) caracteristica static a acesto dispozitvc ENltijonc!une. se lemac fapn c circuiful
cltrloscut cu dou tal]zistoare coBp|ementae este copletat cu 2 rczisten1e $i o diod
stabizatoae. Rolul acestei diode este impotant deoarcce stabile9te valoaea tensiunii de
.,vale'', catc csc dac aceast basculae dircctil a dispozitivului in aBaDblu. caactgistica static ae o form aDroDiat de
punctlo. de .aeP' 9i
inunlea valorile curenlilor sPecifici folosit plEu prognmare guntcaz cea a sbuci]ri shockley, dat plezint o modificaIe a pantci chial io zooa rle comute, carc, pe
scade. ccst fapt este nolmal eoacce dizorul hng ezstelladifelen1ial uegativ prezint $ rrn calactel capacitiv difemtial negativ. Acest
prin urar.' scade sensibilitatea lui.
circuiful b:anzistorului unijoncliun pogranabil ti,
'czistell fapt influenleaz cooportarea dinamic a dispotiwlui.

,{x8YTi I

Figura 7.23. Simbolul, schema echivalent cu traIzistoae si caracteristica


static a diodelo cu 4 strafuri

@mandat cu
Figura ?.22. variato de curnt altemativ cu tiistor,
" tra.ozistor unijoncliune programabil Diodele cu patnr stafuIi se pot folosi in locul diacurilor, pentsu comand direct a
tiistoarelor sau triacuilor, io circuit aseEoroale celu adtat i Figtua 7.l9' Ele sut produs
in Rusia, sub numele,{ 22,l A.....vI5i 2z8 A..'.I4' lespectiv de ctc frma ITT. cu siobolul
de amo(sare in cazl concret al
Figua 7.22 evidenliaz o aplica$e a acestui dispozitiv 4E20....4E200.
economic de variator de curent altemativ monofazat.
ti,i.to., iut-o schem Diodele cu cinci st!.atui au evident caactelistica static sibehic fat de oriEi!.
precdera in circuitele
Trazistoarel unijoncFune programatile se
"o'.n"ii.iiui foloscsc cu. DepetrdenF accenfuat d. teEperatr a cemcteristicilo diodelor cu a $il stafuri,
a" i.pur,uri, crr aplica1ii in co.municalii. ca dispozitive aTos= sunt preferate precum li fap c au perfoEanle dinaEce elativ modeste le fac s fie mai putin folosite irr
la
-de.
tensiuni joase, unde'
il;#;;";;.;ltitate
"r""uoni"" oare in cicuitele cae funi1ioneaze
5e itegrea ulor Tn
apotcu alto dispotive de amorsare.
i""JL'." *''pr", nu Pot fi aplicate. Dc asemenea au avantajul c
pc scar larg.
i""r"*ir. "r'*ir"i integrate speciatizate, unde sutrtsuttt aplicate, prin urmalc, comutatorul Dllaleral cu liliciu, ..silicon UnilateBl switch'', sus, este un circuit
'"'''* ii.t--r"a."1e u'i]oncli'une progr'aurabile Produse de -relativ puline
flrme'
integrat specializat Pentru comaJtda tiristoaelo. care a fosl dezvoltat Dentlu a elimina
"AEc.Telefi$ken; D 13 T l, Geneal Electic; MPU
,,'"ntiona. ."ii.'*tutl'i. n3v ssi, dzavantajele p ca.e le prezit diodele cu patu strahi' [4o], [7t]. struchna sa inrem,
"u N13 T, NEc.
Motoola; simbolul li caacte.istica sa static sunt a!tat in Figua 7.24' Din motive legate de aplicalii
l31,
specia'le di! doBeniul circuitelor de irrpulswi' cilcuiful integat Bonolitic a'e accesibil 5i
Diodele cu prtru cinci siraturi repzint o. alt. categoie de dispozitivc de
li lcctrodul de g!il. Figua 7 '24,c evide!|iaz fapful c comutatorul unilateal cu siliciu are
..ooal"-roto,i* in de putere 9 in circuitele de inpulsuri. de uz geleral' [40], [7l]. caractcristica foarte apropiat dc dispozitirr.rl de amorsare ideal. Tensiunea de basculare dircct.
respctiy, al tliacului la
"t.cnonia
rr" uulu tu,a stuctufile bine cunoscute ale tiristorului covenlioal,
- cu patru staturr este
cu o valoare in jur de 6'8V' il ace util in aplica|iile la joas tensiue. coeficienful de
inJ nu nici un fel de electrod de comad. Dioda temp9afuI al diodei zener compenseaz temic crcuiful baz-emitor al tra'zistoului suoerior.
""t" """"sibil
:
,72, t73

de p .!np''. ca rrrEa.e ccuitul se buou de o deriv cu temleratu.a remacabil de


mic' de
ordinul a +0,02%/ "C.
Figua 7.25 se refe' la un edresor motrofazat integral comandat, la care impulsur.ile
de codand apcate in gila tiistorului gulato sult geneBte de ulr circuit de comand cu
comutator uuilatelal cu siliciu. Pentu ca acest cicuit de cooand s nu fie afectat de histeezis.
la lDcepufuI ficcrui ciclu de funcionae condensatoul din eeauade temporizare trebuie;te s
fie complet desc.cat. Acest lucu este asigurat de rcstenla de loko' montat in paale| cu
circnitul de control.

Figura ?.24. stucfura intem' siEbolul li caacteristica static a


contactoul unilateral qr siliciu
.!.ogamarca''
Dac se plocedea la modificarea telsirr de ba,sculae dircct|t prifl
potenlialului gruii, anurci cotlutatoul unilateral cu siliciu are perfoEsnle asemJrtoa.e
tanzistorului inijoncliune pogramabil' DQ aseBeoca' c1r diodc stabilizatoac amici cuplate
ntre gril catoa' putem reduce teDsinea de atoaloorsae mi simultan vrful de ouent de
ie$ire. 'i 'i
Figua 7'2. strucfura intem, simbolul li crracteristica static a
contactorrlui bilateal cu siliciu.

comutatoae utrilaterale cu siliciu sunt produse mai ales de ctre firnele americane,
menionm aici MUs 4987 al firmei Motorola sau 2 N 4967 al ftrEei Genral Electric.

comutatorul bilatcra| c siliciu, ..silicon Bi|ateral switch''' sBs ee varialta


simekic a comutatorul unilateral cu siliciu, dezvoltat special penku circuitele de comand si
teglare a triacurilor, [40], [7l]. Figura 7.26 aat stuctua intcm, simbolul 9i caracteristica
static a cooutatorului bilateral cu siliciu. Se constat c si acest dispoziiiv de amorsare este de
fapt un cicuit integat loonolitiq care are accesibil grila de pe partea electlodului A?. ca
rrrEac, la circu[ele mai petenlioas9 se poate controla valoarea tensiunii de basculaIe direct'
ca un exemplu tipic de aplicae a comutatonui bilateal cu siliciu, Figua 7.27 indic cicuifuI
unui sislem de eglaea iluminrii unui bec, conholat prin variator monofaza| de crent
a.lternativ cu &iac.
cele mai cunoscute tipui de coButatoate bil8tea]e cu siliciu sunt MBs 4991 al fifitei
Motorola sau 2 N 4991 al 6rmei General Elccric-
A$a cum s-a plccizat in paagratl alterior, cicuitele simple de comand a tiristoarelor
sau tsiacurilor, realizat ou diac, contactor unilatcral cu siliciu sau contactol bi|ateal cu siliciu,
Figura 7.25. cicuit de coEald pentu tiristo! cu contactor pot prezenta un fenomeo de histerezis, dato.at faph]lui c condensatoul din circuitul de
unilateral q siliciu. temporizare al amorsrii nu se descarc complet la sfiij9iful iecrui ciclu de lucru' 9i, ca
urmale, urEtoalea etap a controlului de fa incepe ditr condilii initale Deoule. Petru
t14 t.t5

.tiistor care s amolseaz cu mpuls pozitiv $i so stilge cu impuls negativ pe grila


catodic, fa| de catod;

-tilistoI cale se amorseaz cu impuls negativ gi se stinge cu impuls pozitiv pe gila


alodic' fata de anod;

.banzistor rmijoncutre pogamabil pe grila anodic' conforB cu Figl,t.d..l.29,a;

-tranzistor unijonctune proganabil complenentar prin control pe gila catodic4


coforE c Figura 7'29'b.

Figua 7.27. cicuit de aplica$e a contactonrlu bilateral cu siliciu.

dczvoltat coEulltorul asimtic


eliminaea acestui ferromen nedolit, fil.ma Gcreal Electric a
;tffi;;-.t ;tlt"tu;-i'e"yt"ttl""i silicon Bilatcral switch'' AsBs sau "Asymetrical AC
sT Prezenlr unei diode zener supliEentare, ln sric c! stucna unul
irireer switctr'' ae tip 4.
statice a conlactontlui
ilffii";;til'J "'.
sti"i.," nesimetria
"onf"ia
doit a caracteristicii
) c)
asimetric bilateral cu siliciu.

..silicon controled switch"'


Tifutoul ttroil, trumit li comutator conholat cu siliciu,
de
scs, i" tii;;;fu; rchnic e limbi englez' P..e.zi. t -Ultittlu't dispozitiv
u.oi.*" p" ir abo!d?!m i acest sucapitol, [40], t]-'l. ElaT b* sPcmra
'filttorrcliutre
cunoscut Figura 7.28. sructul4 schema echivalent cu tranzistoale simbolul tiistoruli tctrod.
c",
"-" tiistorul cotrvcnioml, ivnd accesibil atet clectrodul
'a. de comand de pc 'i
7.28 stucfura, schema
oartea catodic ct si pe cel de pe patea anodic. Figura
"",u"i".izenze arat?l
!JI'i'"r*.e bipot"'" ji-rig*"
si-tolrrl fistorului tetrod. cafacteristica Iui static este
;;;;;i;;* "" "-'i.ioaie
;' p."""ot"te-i'' 7.4 pentsu tkistor. Anmci cnd nu. sc apelea Ia cuennrl srr de menlinee, deci sensibilitatea dispozitiwlui, poate fi Eit pin
i"-i*a" p" *" ai''o"""" g.il",.co""tc.i."u static' a tiJistoului tctrod corcspunde Dnei diode cu procedeelc .xpuse la tarzistolul ulijoncliune. Tiristorul teod se foloselte crt precdcre ln
tchnologie plana li
i .ilt".l'."l. ""- ." r'ia"in rigu.l.zl,". se poate ploduce sioplB.cu dovedit li pdn
cicuitele dc imPulsuli da nici olul su ca dispotiv de amorsare !u poate fi neglat. Figul
.s"l "g"uir. Este disptiwl .le amorsae cel mai versatil, fap| 7.30 aiat o aplicae tipic din a.est doEniu. Esle Yolt'a dE uo circuit redresor monofazat
"*
posibi|lile de a fi utilizat ca: mooaltematrI comandat, cafe !e caacteizeaz priDt.un grad Elil de stabilitare la unghiuri
de conducfe mici. Tidstoul tetrod se folose'le ca dispoitiv de amorsare contlolat pe grila
anodic. Afutrci cd tiristorul telod basculea in conducie, etrergia stocat i! condensatolul
.diod cu patu strfuri, f comand pe gil; c este Fa$ferat in cicuibl gilei tiistoului T cae adorseaz l colduce pn la siLgiful
semiaItemanlei Pozitive corcspunzltoare. Tiistonrl teEod comut ns o conduc1ie numai
-tiristo cu comand de stingere pe g!il' GTo, aEorsabil $ blocabil p.in comand
pe cnd potenlialul grilei salc de coEand devine mai mic dect potenlilul anodului. Pe durata
oricare dintre gile; prieei jumtti a seEialtcmanlei potive aceast condi|ie nu este l-ndeplitridt, deoalecE
potenlialul gilei' alimentat plin divizo.ul rezistiv, cree ai repede dect potenlialul anodului,
*
r&
1'16
* t1'l

.'
conectat la condeDsatorul din circuhrl de intrziere. situatia sc inveGea dup 90 cu a

potentiooatrul de 4? ko putldu-se stabi ungbiui d9 coIoald de l20. 178 8rade. Mai oult' a
i d doua a scmialteman1ci pozitive teosiuea la bomcle coldcnsatorului c !$'re
reltiv "
coostaot 9i asigur eqergie oPtilr pelu aoorsae. tiristorului. Circuin are 9i
-o
a" p'"""ot. stabilitaL b la Bodificarea r.alorii lensiulii de aliroentarc de la
""-t"j''r
elea. "

b2

t,,
|
fr
-I [-'
lu,
Figu.8 7.30. cicuir pe!tsu comand2l plin co!tsol de faz cu tiristo' thod.

convertoarelor crr tiristoarc de putere gi, espctiv, hiacuri. Priucipiul fr'ulcional al etajelor din
con8u.alia unor astfel de circuite ite$atc Eono|itice s vA Putca bine hlelege dup
Pafcu8eea urEtoaelor dou volume alc plezEnfului cu.s universitar.

Figura 7.29. Explicativ priviod utilizarea tiristoru|ui tetsod ca ttrnzisto unijoncliune


-programtit, a 9i ci tralzistor unijoclilme plograo.abil comploeltar, b-

Din c8uza avantajelor pe cae le ofe, tiristoarele tetrod sunt produse de ctre mai
multe fioe. MeotionE aici urntoale puri: BRY 46, ITT; BRY 39' Pllips; 3 N 8l'
Geoeral Electric sau BRY 20, Sienens.

InaDlc dg a lctreia acest capitol, se cuvile a fi subliniate dou pobleme legate de cele
preztrtate' P6 de o pate s-a ovitat iDdicaea de date de catalog pontsu dispozitivele
muljonc1irmo de putcie 9i de amorsale abordatc. sifualia pe pial este foarte dinamic' d9 JTJ1JL
aceei remand?ln shrdiul cataloagelor oferito de btre firme sau' mai bine, a paginilor lor de
Inte.net. Pe de alt patc trcbuie s DceoliooE c exist n nuor iDpresioDant de mae de
cilc'rrite integrate spicializate pe&u c.manda dispozitivelor multijonc$urre de puteG, [23],
t371, t38], i4o1. o schem bloc
geocra peotu acstc ci'cuite este dat?l fu Figua 7.3l. rtmciile
ind;piiniio sunt relativ simple. stud.lhrt in electsotehnic!, la labo.ato' va face cuno}tiinl cu Figura 7.31. Schema bloc de pdlcipiu a cLcuitelor integrate spccializate pentnr comanda prin
dou 8s6el de cicuite, pA l45 MAA 436, destinate sistemelo de co.dad $ Ieglae a contol de fa.
'i
178

Avrdu-se in vedee apful c in volu'ncle umtoarc nu sc va Eai evcni la


disDozitivele multiionctiune' mai zubtiniem aici c p.qtru activit4i de Ploiectaeaezvoltae ln
ace.st domeniu. sJ r.comand lucrfuile [90] $ [9l] din bibliografie, care abordcaz
in ood
foarte detaliat problcmatica sfudiat.

8.Trarrzistoare bipolare cu comanda prin cmp, IGBT.

Att llaDzistoarcle bipolare de putcre, ct !i tta'zistoarele cu cfct de cmp dc putere,


MosFET, au o selie de avaltaje' rcspcctiY dczavaqtaje' atunci cqd func}ioneaz itr egim de
cotuutalic. hteresant este faptul c avaDtajele, cspectiv, dezava ajele acestor dou categorii
de compolete electrolic. se cooplctea2 oarecum rcciproc.

Utilizalea tra&islou|ui bipol de putele itr convenoalcIc statice este favoizat de


cderea de telsiule mictr ltr ci&uitul colecto - cmitor, -D sta.re safurat' dar estc fu accla5i timp
scios limitat din cauza putcrii dc coEtd aprcciabilc lecsac in circtul baz - cmitoI.
TraDzistoarcle cu efect de cEp dc putcre, MosFET, sutrr si ele iots.o situatic similat. Puterea
de comand Piactic lul iq circuitul 8il - suts Ie rccomald p.ntfu aplicatiile de electronic
de putee dar rczico'a elativ Eale d.e! - surs n stalc sanllat cotrduce la picrderi
apreciabile de putere i! conductie. TraDzistorul bipolat cu comanrl prin cmp, IGBT,
j.osulated.8ate bipolal tatrsislor D literafun tebnic de liEbi etrgle,
luroit uqeori si truzistor
cu gril izolat, IGT, iosulated.gatc tralsistor' este tocmai un rezultat al cercetl'ilol privind.
htcgra.ea funcJio!l bipolar . Mos, dcsfJurate cu scopul dczvolttii unu dispozitiY
semicoDductol care str elimi.ue dezavantajelc tra.0zistoalelo bipolare 9i MosFET' exploatnd
ins calitilc lo' [5q. Intr.adev, tralzistorul IGBT esle un dispozitiv scmicolducto cac din
puncBl dc vederc al utilizatorului se comport ca un tranziltoT cu efect de cep in circuinrl de
comand gril - emitor 9i ca u! talzistor bipolal itr circuitul de ie$irc, colector . emitol.

Tlazistorul bipola cu comald prin cmp a fost pus la pulct de citre firma Harris
semiconductol ln atrul 1980 9i a intIat pe piala dispozitivelo de puter dup 1990, aslzi
pIoducndu.se i! mod Dormal unitli care lucrea n domeniul sutclor de amperi 5i al miilor
de voli, ftccvenlcle dc coEutajie iiod de ordinul a l00 kHz. In litratura lcblic in limba
romo exist foartc pulilr Iefcriri la tra'zistoaele IGBT, [a9], [50], [56]. Tounai diB cqste
Eotive, prczentul capitol va aborda in mod de|alat problcmatica tralzistoarelor bipolale cu
comand prin cmp' IGBT' prin pisma pe.formante|or, caracteristicilor firqcioEale $ a
circ]titelor de coBa!(u potecIe specifice. Ififormatiilc prezentate vor permile ilginelor i!
.lectlctlbnic! s dcYiDi 'i
E Eod efectiv jl i7atori ai traruistorelor IGBT. Imoortart de subliniat
'
este fapful c itr acest crpiol se preziot pri.DciPii fu.Ddamcnta]e' diDtre care mulre pot i folosite
si iB proiectaca circuitelo! cu tranzistoale bipolarc de putere sau cu tranzistoa.c cu efcct de
cmp de putere' MosFET.

IlairBte de a sc abolda detaliat problematica tra.nzistorelol bipolare cu comand prin


cmp, IGBT, prin tabelul umtor, [74], se evidentiaz cteva dintre calittile sau defectcle lol'
comparativ cu tralzistoar.le bipolfe li MosFET:
180 l8l

E E-Emuor
cRACTERIsTIcI Talzistor bipolar MOSFET IGBT

ar
I
\ 10
Limita supelioa de
tcosiuDe de lucu Dedic joas i!alt

cicuihrl de c{irBanda
- cheltuie rcdusc
c tJ o
- puterc lzuc Eic roic

ca(acteistici dc I

cornutalie I

- timp de satularc Eediu scurt mediu I


Eediu
\
a L--"
- timp de blocare luog scun
- pierderi de putere rtlalT mici medii

Caractelistici de
coEduclie c
- deusitatc de cureot
"2)
adroisibil tture oict Illare
mici C-Colecror
- pierderi de putere qici tlrari
.lD Figura 8.1. Simbolul si st.ructura
FncJio&re
scurtcircuit iBposibil inposibil posibil
tranzistoarelor IGBT.
Frccvclta de lucu Tranzistoarele IGBT pot s fuBc|iouez in zona activ a caractIisticii dc ie|i!e, in
(limila pentru o.sxlc.D) Iegm de amplificarc. Ele se utilzcaz D5 foa.e ral in astfel de aplicalii. Ca gi in cazut
- uzual l0 kHz 100 tltz 20tJlz tatrzistoaelor bipola dc putere si al traqzistoaelor cu efect de cmp de pute' conditiilc de
. rDario 50 kllz 250 kltz 80 kHz
evacuarc a cldurii Produs n rimpul funclio!fuii |imitcaz sevcr plterea disipaltr maxim, in
rcgitu de amplificale perfonEatr|elc acesbr dispozitive semicoDducloare neputnd fi exploatatc
dect lot-o propo4ie extrem de Eic. Tralzisloarcle bipolare cu comand prin cmp se
Figrrra 8'l Prezit strucfura, schema echivaleot 9i dou diotr simbolurilc uztale folosesc in tBod oormal ld Tcgim de coEutalie, st.ile stabile fiind cca blocat, cnd tensiunea
folosite peltu tralzistoaele bipolarc cu coDand prin cop' IGBT' [6]. structura acestor colector. emito. estc mc' cureoful de colcctor fiiod practic nul' especliv cea saturat crrd
ttanzistoarg astc foarte ascotr!toag cu cel a tralzistoarclor de putee cu efect dc cmp' lnsiuca colcctoT. emito ale valoaJea mic, colespurzatoare satualiei' curentul de col.{lor
MosFET, cu cnal de tip "tr. , cu functiolae fu doDeiul de acumulaE dc Puttoli de sarcin. fi ind c.r'enfu l sacinii.
stratul supli.mctrtar P+, calizat pi! impurificarc adecval pe paltca colcctonrlui, conduce la Treceea tlaflzistorului IGBT din srarca blocat in stare de colducJie se num9te
un trazistor bipola PNP suplmcltal, cale lEPleu! cu tlalzistoul MosFET existcnt comuta|ie direct. Acsr proccs cstc pezeotat i! Figura 8.2 pentru cazul unei salcini ezistive
alctuicsc loul tlanzistor IGBT' DiD pcate i tucfura semiconductoaIe apare u mod automat in colclorul tralzistorului, p4]. Circtul de usurae folosit rezult din Figura 8.3. comutalia
9i talzislorul NPN "Paazitar,, care' inrprouo cu tatrzistorul PNP conduce
Ia o $rucnlr diroct se de-sfsoa sub cfcctul aplicIii tesiunii dc comand v6g\ io circuirul 8ril - emitor
Bedorit.dc tiistor caig poate fi esPoDsabil dc fenomeoc de acolarc in rimpul fulcionii a] tanzistorului. Tensiuuea dc gril vcE evolueaz exponeniial, dup o legc cale dePinde $i de
traDzistorului cu comald pIiD cmp. Acest tiristo! supli.Eenta este i!5 dezactivat Prin rezisteula dill cicuitul de gril, R!. Procesul de comutaJie este carac|erizat de dou iItervale
ilrtegralea ezistcnlei Rs de valoale oateEic ti pril realizae pe cale tebno|ogic a de timp distinctei timpul de intrziere sau de stocae' Id, respectiv rimpul de comulae propriu .
tla.ozistorului palazita NPN cu u! factol do aEplificare iD curcnt ct oai mc. Ca urmare zis sau timPul de cre|tcre, t.. ca urmare, timpul de comutare direct, t*, va fi:
tralzistoaele IGBT modemc fucJioea la teDsiuli colccto. . cmitor Ead, si D codiJiile
ulor varia1 rapide alc tensiuD colcctor . mitor f' a ac.o9a tr mod ac.ideltal, altfel spus
caacteildu.se priqtr.o sltucfur "latch.up free", tq' tlz]' t41]'
ta2 183

(8.1) Procesul de comutalie iDvers' uumit si de blocarc, este evidciat prin Fi8ua 8.4. Asa
cum rezult ditr cilcuiful de Esu.ae altuat, Figula 8.5' blocaea tlanzistoalelor IGBT este
luat io colsidcarc iu conddiile nei saiciDi rczistiv - inductive in cicuitul de colector al
conform cubci PoN din Figura 8.2.
Piederite in timpul comuta|iei dirocte cvoluea dispozitii'uli semiconductor'
tctr;iune colector . cnitot si curent de colcclo! date, depindc
|ia"'i,.peqtu
"u"'"" ""*1* .oot.l"bil p.io dirr cicuiol dc gril' Rc.
" J*" '""is!en!a
""*""ii"i'
I 1,0
loo
t"'"
iC,

Pon

0,1
a

,1,0
t
I
I

"GE

Figura A.2. comuEatia direct.a


tranzistoarelor GBT .

Fi$ra 8.4. Comutatia inversa


t'ranzistoarelor GBT.

coutalia ilve.s ae loc prin aplicaIea tcusiunii negative VEGM c;lcuitului 8ril .
elqito. al traJEistoului. ca urmale tetrsiut&a de gril v* va evolua ctre rroua sa valoae

Figura . crcuiEu1
8.3 de Lestare staliolar tot expone!,ial, coDstada de timp fiiud ajustabil cu ajutorul accleiasi rezistenle Rc'
comutalia ilvels a acestol tanzistoare are loc tot in dou etape, caracterizate oritl rrrmitoaele
comuEatiei directe. l
intenale de timp: timpul de intrziere la blocare $i timpul de colutale propriu'zis sau de
cdere, t' Timpul total de coEutare' to, va fi priB urmare:
184
185

tczultnd prin folosiEa uno diode supresoa&, DF adecvat tIaEistoaeloI IGBT. Aceste diode
sunt caacteriza(e Print.o caacrcristic de levclirc i.overs moale' trumit .soft lecovery! n
t.lrt'tt (8.2) literafura teh.ic de specialitate de limb engle.

:L
Nu este obligatorie folosirca urci tetsiutri Degative vEcM pettlu blocaEa tla.nzistorului
iGBT. cotuutalia invcrs poate avea loc 9i prig aducc'ea PoteEtiahlui gri|ci la valoaea o
corespulztoare potenlialului emitorului. vataje lcgate itr special de viteza de corDutalie !i I
de siguta4a io funclionare fac lns prima metod pleforabil. vcE

I
CEJ.V ,"-'J
0-
' "ce
|

I
I

Clncult prlnctpal
Figura 8.5. Circuitul de E.estare a1
comuLatiei inverse.

coDform figuii E.5' iD paralcl cu sarcitra este prevazut o diod de cuent ilvers.
Accasta nu exclude i!5 o lntregiEe supratcosiunile la boroele circuitului coleciof . emito!'
caractedzate pin valoalea maxim vcEH a telsiun la blocae- Acste supntcDsiuEi sunt
rezultantl prczojei i.oductiYit]jilol paazite di circuit care nu pot fi climitrate o totalitate ici
cu cea mai lngrijit ptoiectae a cablajului.
curba qaIcat]c1! P. i Figura 8.4 eviden]ia picldcrile de pulere in timpul
coButale invefse, pierderi de purere care depitd de timpul de comutae, deci pot fi iofluer'are
gi cle pdtr Yaloarea reziste4ei P.c de la iqlirca etajului finat de cotrandl al ta.uzistonrlui. ln
cazul tranzistoaelo IGBT o ateBlic deosebit rebuieste acordat faptului c curenful de
coleclo! lrai pstle2z o valoalc redus un ti.op relativ lung dup terminaea procesului de
comutale, cld teosiulca colector . emi.or a atils deja valoaea sa de cgitr staJionar, vcE.
Datolicl acostui cutent ledus. nuit i! literatula tehnic dc lioba etrgle "tail curent"'
pielderile totale de putcrc la lcvedca itrves sult aPleciabil E'rite. Cl|cult de supresare
In regim de impulsud, fu cazul ulei sarcini czistiv . iductive ! cifqtiful de colecto.
al tr.uzistolului, condiJiile de comutalie devin mai scvere deoarece a momeohrl comenzii de Figura 8.6. comut'ata directa a
saturare dioda de ! DF se gse'le iE colduclie. ca urmale la coEularea cureahJui de salciu tranzistorului cu functionare in
in circuiful de colector al talzistorului accsta va prelua B mod suplimetrta !i cueotul dc regim de impulsuri si sarcina RL in
Ievclie iqvcls al diodei' Figura 8.6 evideo1ia comutalia dired a talzistorului itr accst caz colector.
pnctic, cicuib, luat i! colsideI8re fiisd prezeqtat D F8ura 8.7. curenful maxim prin
traIzistor poate fi rcdus pri.o ategeea optiD a timpului de coEuta}ie, apclndu.se din rcu la
rczistenJ Ro. Aceasta este ils doar o posibilitate de iEburrt,tire a comutaiei, efectul maxim
r86 187

fuclionale a circuitelor clccttonicc clr alzisloale


\ UD facto cae maelte siga$a in
uo rzistor asociat care ajuge la cure4i de pB la 8 ori curcBtul nomilal' la telsiuni de lucru de 80% din UcE
rcsr ca p,oau"lto;i tivr"uzl dc oicei modute care couli'n * cu coditia ca semnalul de comand de blocae s ie genemt ln mai puiu de l0
".teii;"a" caracleristicilc din catalog refeiudu.sc la ve ilul
cu dioda de cuent invers co.espulz toaJ, nricrosecuode de la aparijia scutci.cuinrlui. Aceast performan1 rezult pfin fapful c structura
cu dou ttlzistoatc ai dou diodc' desti.Bate unui .l8tch.up ftee' chiar itr acest
" .i*i"* Moduielc complexc
ckcuitelo cu de tListor parazitar din conigra|ia tralzistorului IGBT Eetle $i
.'brat" de coverlor polifazat ulurej n msur 9i mai mare poiectarca
^a"r "uriout.
regim deosebi. de sever de futrclioflare. Performatrla aceasta este exploatat de proiectanli in
pane din problemelc de supate.siuni de comuta1lc
traisroare 168T, etiminnd 9i o mac seosut fiabili?iti circuitelo cu IGBT, p!r folosirea utro! reaclii de curent chiar in etajul final
parazite datolarc unui cablaj i.lsulicleDt opllmrzat.
ceate de ilducrivitlile dc coma!d,, putru comcDzi de blocae rapd in caz de scucircuit, asociat cu rezistenle de
blocaIe iD cilcuitul de gil, RdY, de valoaJe Bit'peBtu a evita suPratensiunile $i oscilaliile
dc tc'siuo la blocare. In mod suplimeitar se ecomand iB acest caz 9i diode Zeoer de 16 V,
de cooutatie, ltr antipalalel, montate dircct itr circuitul gri'l - emitor auxiliar' pentu a preveni
distugqca starului de oxid izolator, datolat uoei supatclsiuni urai Dar de 20 v ltr circuitul
de gil.

oF

'cE I
.t,

E i^rr'. A 1 circuitul de tesEare ar


comuE.atl,el Ln regim de impulsuri pe sarcna

putre sau tralzistoarelor cu cfect de


ln mod aseEntor tranzisloa(elor bipolale de
de lucru puncnrl de firnciionare al tralzistoarelo IGBT nu ae
cem9 de Dutere, in Bici un regim
dc ielir?, lc = f(UcJ, numit alia
;fu:;"':d;; ilio^"Jo uio" a"r'ir al caacteristiciiaia de furrctioae sigu peDtu
".."ir""'" si8ur, soAR. Figua 8.8 cvidetrtiaz
i,"-i,i","'" iog'i. ioo e si tooo v, produse de ctre rrma SEMIKRoN, [52]. Diagrana
ilopulsuri. Este foae
in c8in dc pigura I .8. Aria de functionare
se .eicra ra fuBc}io[ae in regim de cu."ot "onti''.'o $i
j*oo.t-. fumizeaz diagra.Ea pcntru aia de fuoc on.re sigur
sigura a
t ranz istoarel"or IGBT.
a" ca a1i p;oductori
ilil;;;;;. '".-""r
.d',ire nep..ioaice ae fuEctionale rcspcctiy pcntru eBimuilc priodice de

t|.ln"1io,we ale tranzistorului bipolar cu comand prin cnp' t74].


in rapon cu
ceea ce confer un giad supcrior de robustclc tralzistoalelor lGBT
t,-'i,to*"l" bipola.re dc putcre 5i tranzistoarele cu cect de clip dc purere stc faptul c Figura 8.9 sc refe! la uB cicuit de testale a tegimului dc scuncircuit Pntru
i"""ti"''"" l"gi. de sc.,nci.cuit este posibil, [52]. Evide , acest inod dr ]ucru rrebuie s
t.alzistoaiele IGBT. Accst cacuit cosputrde unui choppcr de utr cadran la cae salclBa cst
;;;;".pd;i ;" ; Regirrtul de iucru periodic csle adnis Dirnai in.inreioul aliei de
regul. scurtcircuital. lD mod Dormal trur 'tul scurtcilcuiteIo! eliliinatile prin comand se indic in
fuoc1ionare sigur, une temPeatua jolcliulii rmn..la
vatori admisibile dac rctrea
catalog si are o valo8rc liDitar, ca urmae aParilia loI iqtr.un convecr tebuieste coltorizat,
periodic d scuncircuit nu
ii'pJ.'i*l'i i" r*" iu condi1-iile prescrise' Fuuctionaca n rcgim
adecvat Pc 8ril un scutcilcuit
asociat cu informarea sistemului c. comznd al iBstalaiei, E vederea decuplrii automate in
..ti Un traizisto IGBT poaie intrcrupe pin comand
cazu! rcpetii eveaimetului.
"a.l.x.
188 189

ultiE iDsta4, dac se sesizaz! uo cureor de scuncircuit in circuinrl colectol. elrito. Pentru
u
s -r0-r5v Scrrr crcut a sc exploata posibilitatea iralzistoarclo! IGBT de a eliEioa Dri! couand cuIentii de
-
scuncircuit' scmnalele de croac se transfcr in timp midm diect cti.jului prefroat oe comande.
>.--- circuitcle integrate Eodemc peEtu colralda tra.zistoaelor IGBT refu!caz' cu separae
L galvanic senmalul de croale gi ct.c Eic.ocalculatontl care comaDd converrcrul, sau iniregul
proces, pnru coltorizarc $i decupla& defilitiv dac abaterca aparc de mai roulte ori io mod
_rL succcsiv. Evident realizag crcuifului dc comand]l in coDfigualia pezentat cste rclativ dificil
dal utilizarea ttaDzistoatelot IGBT Du se poate concepe fr circuite integte de comald
-+|+- spccialzate. Acestca cxist pe pia1, productorii dc tralzistoale ofeind circuitele de comand
l0lrs
adecvate Drodusclor lo.

Enlio. .uxlll..

Fi$Ea 8.9. CircuiEul de tesEare a


tranzistoarelor IGBT la functionare in
acurtcircuit

siguraDJa i! fuoc'iooare a conYcnoarelor clcctonice dc puterc cu anzistoarc IGBT


se poate asi8ua prin folosirca ciClilelot de comandi optine, asociat cu circuite
corespuoztoaIe de proteclie iDpotriva suPrateDsiutrilor cuenJilo dc scurtcircit. Un
'i
conYertor bhe procctat trcbuie s ofcrc un grad ct mai ridicat de autoProtccJic, chiar n
cazul u!o! seruale de comald glegite sau afectate de utr Divel ridicat dc zgoEote. Tocmai'i ditr
accste motive io coBtiuuaie Ee vor alaliza detaliat pritrcipiilc spccific. de coBand si de
proleclic peotlu circuitele elcctrolicc cu tra.Dzistoarc IOBT.

8.l.Circuite de comand specfice tranzistoarelor bipolare cu


comand prin cmp' IGBT.
Pertru uo singur tranzistor bipola cu coEatrd pria cnp dia configur4ia unui
cotrve.to electronic de putee circtul dc comard] adecvat lezuli din Figura 8.10' [76]. se
presupule c sisteEul de reglae $i c.Eald al cotrvgrtorului se bazea pe uD microcalculator,
(Pc, oicocalculatol spccializat, DsP, microcottIolcr' etc'). Impulsulile propIiu-zis de
comand suut generate dc uo circuit sP c ializat p@tru odulae D duat a inpulsurilor, PWM ;--_-________i
!i sult tralsfelatc in circnrl dc comald aJ tlalzistorulu pi- intermediul utrui tlansfo.mator Figura 8.10. Circuit de comanda cu funct.ii de
dc impulsuri iu vederca scparii galvalice. Folosirea de oplocuPloare
.rntruct
fu acest scop cste de
pe de o Pae circuibl
protectie bazate pe senzori integrat.i. Schema bloc.
asemelea larg rspodit. sepaarea ga]vaDici cslc vital nec,sal .
elecEonic dc putere estc afectat de serioase z8omorc de Datu electric $i po de alt pate
potcnFalul cmitorului tlanzistorului IGBT coBandar poate i Yariabil D tinPul fuucjioiii
coDvertorului. circuitul de comald al t.aDzistonrlui co4ine tr etaj de coEand prefinal si unul Figura 8. 1l Pule n evide! u! circuit de comaod pentru tranzistoae IGBT la cae
final. Etaju] dc comad prefEal preia semalul dc comand 9i l tanser aoplifrcat etajului seDnalul aplicat in ciIcuiful gfil . cnitor est prelucrat de un amplificato! integat 9i transfIat
filal dac nu se coDstat u! rcgim de avaic fu ve{htatea tlarEistorului. Elajul de coma'd in gril prinr.m etaj final cu tra.Dzistoare bipolalc compleBcntare. se foloso|te sulsa dubl de
fiDal coEaod a.lzistorul io asdcl de condiJii ict s czultc comutaia optim in circuhul tnsiuno co inu peltu a lrenJilc le8ativat 8!ila traozistontlui IGBT ln timpul strii de
colector - emitor. IDputsul de comand se poate supriEa sau iotlcruPe dac temPea|ua blocae. Intre icairea etajului fual9i gril se afl o siogur rezisten Ro' cofisianta de timp a
joncliudi dep'este valoile admisibile, dac iD star blocat a tralzistonrlui tesiunea colclo - cguihllui dc cama'od ftind aceca'i att peBtru procsul dc saturare c si pentru procesul de
eEitor nu este suficieqt dc mare $i D c.olduclie ou csle ati.os starca coEplet safuat sau, in blocae' [76). Formele de u.od carc cactcrizea evolulia telsiuDii si cure.fului din gril in
190 l9l
prezeotate prin Figura 8.12. Prin modiicarca
cazul folosirii ci'cuitului descris mai $rs, suDt . curennrl inYers Baxim in dioda spresoae gi curcnnrl mxim coEutat.
in crcuiml
.""i'.""r.i RG se poate ajusta durata de stabi'lire a regimului quasista1ionar
'io.li
" giiil qi p.t" -"";ta oirimizi lo mod relativ comaia alzistoului.

"l 0n 0ff 0n

hvnc
I
I I
I I
I

I | .-.>
I
I

)'r'vec

VLR

Fiqura 8.11. schema elecEronica de PrinciPiu ri


'G
p.t..'' crcuitu1 de comanda al unur I

tranzstor IGBT.
pe care le ridic
Este foarte important s reYenim mai delaliat asupra problcIelor
IGBT intruct aceasta ijtflue4eaz iotr.o
,"zi.tcul" Ro dio ci.cuin,l d" gil al ta.ozistorului
in eviden
J*a t,oteiato.'" proccsele e conutalic diect si invers. Figura 8.l3_scoare
"p"'J*r" ii.pir"i de comutaie de valoarca acestei rezislentc, [76}. Petr(ru optimizaea
traniistoarelor bipolue c comand pril cmP s.au dezvoltat citcuire
de comand
"oioututi.i final dc cstc rfel conccput incli dou
o",.""r" superioare in carc eujul comand
de tinp de incrcae
"".
i""i.,rcoi. oir.,ir",.noE respec(iv &R impuo independent consta.orele
espectiv de descrcare a capacitiii gil . eEito!' [52].

crc$terta valorii lezistenlei R{F are drcpt consecinJe: Pierdcri milejn


rralzisior la
,"*.a"' pi..a",i.xrite la revenirea invers a diodei supe.soae, piederi totalc de coBulalie
Pigura 8.12. Tensiunea si curentul in
mrite'iimp de stocare mrit la rcvenirea drect, viteza d vaialie a !.siu!'ii col.ctor
- edito
circuitul grila- emitor al E'raz!:orului
ult i"au si inves maxim diminuat n dioda supresoare. La alegeca valoii rezistenei
"u'"nt
RoF trcbuieste gtsit uo compromis irtre mtoarcle elemenle:

. piedeilctotale dc comuralie direct adEtisibil in lraDzistorul loBT 9i pierdei|e de

blocarc n dioda supresoarc; ltr cazul lezistouJci Ro", m-rirea valorii sale arc drcpt rezultai urtoarele coDsciBle
relativ la procesul de blocare gi performan1ele genealc ale traDzistoru]ui IGBT: cresc picrdcdlc
- timpr:l maxim admisibil de stocare la sarurac rapoa! la cuetrtul naxim comutat 5i de comutalic la blocare i! ta'zistor, creste timpul dc futrziee la blocae' cre$te tiEpul de
fecvenla maxim! de comulalie; cdere' scade viteza de valialie a tensiu.trii colector - eEito!' dv/dt' scad vfuile de teDsiune
tE2 t93
la blocae si, i.B sfgit, crestc selsibilitatea la vaIialii mpide de tensiulo a tralzistorului blocat.
Il dimensionarea valorii tezistenJei RaR va trebui 85it uo coDpromis otle urEto8rele
eleEcDte:

. pierderile totale la blocarEa tralzistoului


$i futrzierea admisibil la blocare ca.re
iaflueo1eaz cureonrl maxim comutar si ftecvea Eaxi'. d lucru:

. supratesiuuea Eaxitl adBisibil la cuteBtul DIir! comuta1' eveDtual scutcircuit;

. seosibilitatea adoisibil la dv/dt.

vLF- vLR - lsv rv!- 25oC


tv;- t2spc

lr Figura 8.14. principiul circuj-tuIui de


r l 1i comanda cu tranzistoare in contratimp.
toff
rp sl vadalta explicitat de Fi8ura 8' 15 aIe utr singur etaj caIe folose$te un cilcuit integar
sPecializat pcntru comalda tralzistoatelor bipolate cu comaDd pfin cmp.
0.5
4a- -'

g,l lo
0,5 t\\l
r
I "cE
Ro tll.-
Figura 8.13. Influenta rezistenEei din circuitul de
comanda asupra t.impilor de comuiatie.

hformativ se poate preciza c la taIEistoarcle IGBT acfualc cataloasele ecomand


peltu ccle dou EzisteDje Yalori cupdlse intre 3.3 si 27 ohm, dar nu mai mari-decat 50 ohm' Figura 8 - 15. Principiul comenz.r-r,
De aseEenea se Eai recoDa.gd ca rcisle{a &R s nu dep'casc cu oai Eult dc l8 ofun tranzistorului cu circuiL inteqrat
Yaloaea rezistetrlei Rcr. speciaIzaE.
Iu contiuare s prezint cteva circuite de comand la crre se pot oPtimiza
bdepeudeDt plocesele de coEutalie diect !i ilvers a tranzistotului prin componelte adecvat circuiful plezentat i! Figura 8.1 atp di.u nou o confrgura.l'ie it dou etaje, pdmul bazat
alese h circih' de g!il' [76]. Figua 8.14 se refer la un circuit i.o care etajul plefioal esle pe u amplificator i.ot.grat ial al doilea folosind tlanzistoare complementare. o calacteristic
realizat cu un circuit amlificator iotegrat ial etajul fi'rl se bazcaz pc ua circuit cu tralzistoaJe comun a tutulo circuitelol de comatrd ildicate este aceea c folosesc' Pentnr fiecae
fu contratiED . tranzisto IGBT comandat tcBiuae cortiqu flotalte. Acest fapt 5e constituie
c.arc dou surse de
194 195
un numt
ca utr dezavaDtaj, dac lum in considerare faptul c un colvcltor modcm poatc avea
relativ mare de Yentilc Pe de alt pate, acolo unde acest lucru este posibil, se rccoIuId circuiful de comand
din Figura 8.l7' u2]' care ac calacrcIistic faptul c tcosuDea de aliEeltae necesar se ia
chial din circuiful de teDsiuue cootitrui de alimntare a p4ii clecrronice de putcrc in care
fi .ldclioneaztr tnnzistoml.

circuitele plezctalc @ai sus au un cancter principial . Pentru poiectalc s reclm.od


consultaea documeEtaiei oferire de produc(orii t(aDzistoarelor IGBT ca modemizaz
permanent 5i ofena colclcd io doEedul circuitelo! de coMnd.

loformtiv, Figua 8.18 evideDtiaz! uD cu|z coDcre! ir carc etajul p.efila'l se bazcaz
pe amplificatorul operaolal dc uz general LM3ll iaI etajul Enal este rcalizat cu cicuitul
intcBlat monolitic SGl644.

Figura 9.16. Princj,piul circuitsului de


comanda cu tranzisLoare complementare .
a'il
ln configuta1ia sa. Pe dc o pae acestc swse de tensiule pot apela la un siBgu tansformatol
de inalt' frecvcn cu un nur adecvat de sccundare gi stabilizare local. IuYcstitia esle
acceptabil dac se ia iq considerae consumul de putere PTactic neglijabil al circuitelor de
coBaod ProPliu-zisc.

JL

Fgura 8.18. ExemP1u practic de circuiE de comanda.

A5a cE s-a prccizai la aaaliza schemci genercle de co.atrd! 3 lragistorutu! bipolar


cu cog|aBdi piD c3!rp, IGBT, fiEcjionaea sa sigur esre coDdi}iolat de detectarea la timp
$i
cu aculateje a gurEnlilor de scuncircuit, io vederea elimiorii lor prD comaod direct de
blocare. h co inuare se iau n considererc cteva cotrfiguatii posibile peltnr detcctaea opdm

Figura 8.17- Pij,ncipiul comenzii fara surse a acestor culenJi de scuciEuit. Bte.videDt ca sem.nalelc de eacjio astfel obtinute pot sevi
Si pcntru scopuri de supravcgbere gi rcglarc ^t! condi i nomrale de fuuclioaare, in circuitul de
de tensiune locale. coEaldj iera'hic supcrio, itr acesr scop iild necesar doar amplificarea gi tlansEiterea lor'
cu luarea in colsidrae a separrii ga'Iva.ice.
196 t9'l

Figura 8.20. Principiul detectarii


curenti1or de scuItcrcuit pe partea
sarcinii.
FiquIa 8. 19. Principiul detecEari curenti}or
de scurEcircuit in circuiEul inEermediar de o valiantl de ideD|ifica're optiE a supacureolilor in vederea proteji ranzistoaelor
tensiune continua. IGBT' aPlicabil la toate tipurilc dc convertoarc, inclusiv cele de putcre ma!e, 5e Prezint in
Figura 8.2l. l! accst caz sc alplasea puncte de msur a cureotului itr circuitul coleclor.
emitor al fiecui tranzistor.

ci&uitut ditr Figua 8.l9 con}nc ut! singul punct de supraYeghetc al supracueo,ilor,
amplasat n circuitul sursi de tensiuoe cootin care alinentca colvenoul'
dcci in circuitul
de iotrare' Circuin'rl plefiEal de comand al fiecaui tanzistor tra!$fc
seEall de coEaDdii
gselte i!!re
cle etajul final numai in condiliile ln cac cuenful dc itrae itr colvetor se
liEite amisibile. Plicipiul este siEplu, ecouomic ils Du asigu dect o plotcctie rclativ a
vetrtillo seluiconductoarc. origiea supacuJeltilor di! circuinrl s'sei nu este evideoliar.
gama dc puteri
solulia ploPus s poatc folosi ol succcs la convertoare cu laDzistoare IGBT, ln
mici.

ln cazul vaiatrtei din Figula 8'2o arnplasaea purctelo! de D5u se face ! ctcuirul
de iesie al c.nvgrtorului eleclroic d pulec. Prelcralea celor do sennale de rcacJie sc facc
de curlt
asemfutor ca 9i n cazul ckcutului aBtciol. Fiecare di! celc dou scE.oale de rcacJie
trebuie s s glseasc ntrc lmitele adeisibite !i circuitul de comald al fiecanri
tra'isto
IGBT al coavcrtorului ebuie s ia 10 coraidare accste semnale. Daca sacila este le8atl in
stea,frcouexiuaedenuldeJilreEidormatiecuprivirelacurcn1i.idiBtoatefazelesarcilii
trifre. Nu se iau fu coDsidctare supracurcE}ii cae Plovio i urma dcfcctrii uoui dispoitiv
semicoductor de PuteTc. De aseEclea Du se sesize eve!fuale scunci'cuite pe blal rcaltate
print..o comaBd gre'itx. Aceast comald gelit poatc uJor apac in ufBa uBo zgorBotc pe
Figura 8.21. Pri.ncipiul identificarii
ii,,i" d. t.-"-i."." a impulsJilo sau prin paiametri iocorecJi folosiJi la calculul semnalului
curentilor de scurtcircuit 1a fiecare
PwM de modulale in durat a irrpulsurilor. Dia cauza acestor limitri priBcipiul de identif'icare
tranzistor in parEe.
al supracurenlilor din Figua 8.2o estc folosit doa la cotrveoafele cu putcre instalat medic.
198
199
etajul
La puteri mai toate scotralclc de caclie dc curcnt runt lua|e in cousiderae lt prorejii dispozilivelol scmicolductoarc !i a convetolului mPotivasupratensiunilor dc
pefinal dc comand] al ficcarui tralzisto. La puteli mici 9i medii se poate opela in circuitul
coEut4ie si a supratelsunilo extcmc. Acestc supatcnsiuni sunr incrente itt orice convenor
hecrui traruistor de pu(ere lcBT Dumai cu reaclia de cur.nt proprie. deoarece lici cu cea !!ai ingrijit proicctarc a cilcuin ui tru se poi elimina comple(
inducrir.it'ile parazitc, LP.

{-"'{--

4: d+''
a) | Htr RIL

Fiqura a .22. Princpiul identifcarii


cuientilor de scurEcircuit prin valoarea
tensj.uni colector-emitor a tranzistoare}or
saturat e -

Irl toate cazuile este biEevenit o preluca'e supIimetaI a sem[a]elo de reaclie'


pilcipialbazat pe o logic de tip sAU' iformalia rezultattr fiind retumat $i Bistemului de
$ reglre ieahic suprior. Aparcol solulia este costisitoac, iqs cxistena pe Pia'
"o..aa
a unei ofee foate lalgi in matcric de taductoac de curent cu separarc galvenic infirm Figura 8.23. circuit de protecte ndiwiduala
aceast ipotez. pentru tranzistoare IGBT.
Dac protjaJea ficcui tranzistor impotriva supracurcn1ilor din circuitul proPnu esle
coosidcri suficictrt atutrci se poate apela la o m}surale ildilect de curcnt prin incrmdiul
Figura 8.23 preziDt cteva circuito de protcc'ie individuat mpotriva suprateasiuoilor,
tensiunii colector - emitor a trarzistorului sanuat. UD cilcuil care corespunde accstui principiu
circuite carc tlebcsc utilizate n partc' peltru ficcarc dispozitv semicoouctor at unui
cs(e indicat iD Figura 8.22. Rczultate satisfctoare se oblin itr spccial itr cazul in care cicuirul
coDveno. Figura 8.23.a se refer la varia. elc foane simple cu grup Rc de
de supravegherc, prezeltat priDcipial 9i io Figura 8.10, pcrmitc $ rcnrmarea cu separare Proteclie, cu diode
zencr cc putcrc' rcspcctiv o conliguratic combinatl cu grup Rc asociat, in paralel, cu dioda
galvanic a seEmalului de eroac, dac accsta exisl, ctre sistemul de eglarc al convertoru|lJi.
stabiliz'lroarc de putere. Un cicuit superio!' bazat pe o Ie'ea RcD este evietriat dc Figura
8.23.b, [74].
valoarca capacij condensatorului de protecie se poate determina cu formula:
8.2.Circuite de protecfie specifice trarzistoarelor bipolare cu
comand prin cmp' IGBT.
o ultim probli Ioai trcbuiEfe explicitat Peot$ ca accst capitol s dcvin cu C s>i cM!(dvcJdt) (8.3)
adevrar ulil celor care dbresc s proicctczc' s experimcnteze sau s' produc conveoarc de
ca,/cc cu Epdulate in duat a impulsurilor folosind ca dispoziriv seruconduclor t.anzistoalele
bipolare cu comand prin cmp' IGBT. Estc vorba de chestiunea extrcm dc imPonat a
201
200

Pe ru valoare ezisteElei Rs din cilcuitul do Prctcctie se pot folosi expesiilc:

lcllc, <Rfth,t(4.c) (8.4)

Pdtcrea disipa'' d9 leistorul ci circuiBl de protectie se stabile're cu


etPresn
urltrltoiEe:

(8.5)
P vRs=o.5.c Jvcr)z1"

seLoificatia Erimilo! cae au htervcot itr fo[Dulele de loa sus ste:


i"- : cuetrnrl de colector oaxim regim de fuDclionae nomE];
ai.'lar : pann ae cre'tcre admisibil pctutensiuuea mlector - eEito a blocarEa
tralzistorului;
: elsiunea colec(or - eitor inaiDE de satulaea tlaDzistonui IGBT;
Figura 8.24. Aplicarea protectiei individuale la
I"* : curetrhrl de colectol dc vfpcTiodic, maxiE admisibil;
Eranzistoarele IGBT ale unui converLor in Dunt-e.
: durata minilr a teosiulii gril - emitor, ta fuDcJio&rc ormal a
colvetonrlui; Dimensionar.a .esteolei de proteclie este posibil cu formula:
f. : frecvena maxim de lucnt a tralzistorului.

Dioda D5 llebuieltc s io o diodi aPid sau de comutalie.


R,=u&..CB) (8.7)
Picrderilc de Pute.e i! acest cicuit de polec}ie suDt relativ ridicale ca valoa'e li cresc
Ditr acest
io mod seonificativ cu crcaterca flecvcei de lucru a truzisloaeloT din cotrveor-
de tralzistoarc
motiv acest circuit de protec|ie se utilizca in convettoarele cu ua Dutolk redus
io puntc trifazat folosiea aclsfui cicuit este posibil, a5a
qrtrr rezult
" put".". ra Putcrca disipat dc czistcoJ de protcclie va ft:
"i'".'ir"le
ii io rig*. 8.24, dar se rccomatrd numai Pentru cotrverloirrele cu putere iDstalat mic'
destbate a functioa la ftecvc!}e de lucru elatiY reduse.
(8.8)
Pentru coEveoaelegae opereaz p baza teblicii de modularc in drat a P vr|=o.5'c a.(: -D,V:c."
de inalt ftecve4, 5c rcomand
imFsurilo, cu fit.Ectii dc coBpararE rlte ciTcuite de proteclie

.
impoliva suplaleDsiunlor de comuta}ic !i ditr e,eaua de aliEeotae.
rigura 8.25 prczilt' u circuit de protec'ie mpotliva suplatc.siuniloi, adecvat
convertoare]or io punte trifazat cu IGBT, c89 futrc}ionea pd' modulae itr durat a
Mrimilc car intcrvin io erpresiile de dimnsiolare Plezenhre mai sus au urmtoalea
imDulsurilor.ProEcJiasefacecurclclcRcDcomuDepentruunbraJalconvetoului.valoaIea seurificaJie:
capacitI coodensatorulu din cicuirul de potecio se calculea cu exprcsial

(8.6) . valoalea maxim a curentului coltiluu comutat:


c a,.Gl.L?)t(k1-DY,cd
r" - inductivitatea paazit a circuitului cuprins otfc sursa de
9i nodul cocspulzto brajului coDvertoului;
frffi.'rlilrlic
i lll': o'j ii
{'l:\
,, ,,,,,-..1. ./,
202 203

V". . teNiuDea coBtinu din cicuitul irmcdial;

h . suPIatcnsiulea admisibil, corcspude aportului v"u",./V66 admisibil:

Vceu - tensiulea colecto! . emior maxim admisibil la blocarca raDzistorului:

f. - fgcven|a maxim de rcPetale a procesului de blocare a ta.lzistonrlui.


-l
l"-
Dioda DB trebuielte s io o diod: rapid sau de Comutalie.

Figura 8.26 . principiul prot.ectiei


tranzistoarelor cu grup RCD comun.
Exist o docuroentaie tebnic rclativ bogat ln doneniul circuitelor cu tanzistoare
bipolare cu comand pri.n cmp, IGBT. ccasta sc lcfer ater h. caIacteristici firnctionale'
prilcipii de coEand !i plotcclie specifice ct si Ia o serie de aplicalii colcrete ln cc|c mai
diverse domenii alc electronicii de Puee, 21], 29],'49), tso],
t55], t58]' I7?].

Figura 8.25. Princpiul proLecEiei tranzistoarlor


IGBT cu grup RCD Pe brat '

:.l"- +'"
Pierdeile n cazul folosirii acestui circut dc proteclie suat scDsibil reduse fal de cazul
circuitului preze0tat iD Figua 8.24. De aceca coufigunlia descris itr Figura 8.25 sc ccoma.od
in cazul converloarelo cu |GBT cu putere iostalat mae.

In cazul cchipameDtelor cu tlalrstoiue biPolac cu comldl prin cnp, cu putere


iosta]at medie $i cu circuit io puBte trifazat se poate folosi cu succcs circuiNl de protcclie
comun pezentat io Figura 8.26. Dimesioalea elemeotclor coEporcrrtc 'i se poate face
asemnior cazului snrdiat Eai sus. In flnc, rl cazul Putcilor mici se recomatrd un ctcuit Figura 8.27. Prj,nciplul protectiei distribuite
simplu indicat ! Figula 8.27. Efecn' inductivittilor panzite de pc ficcae bral este clotrola( taanzistoarelor dintr-un convertor trifazat.
local cu coodensatoarelc cD. un si.lgur grup RcD este folosit pentm controlul suprarensiunilor
geDe.a(e de induclivittea parzit din circuitul sursei dc curent continuu.
204

h prezent productotii de traDzistoae bipolare cu coEartl pdlr cE. p se orientead


tot Bai muli in di.rectia "oodulelor i.BteligeDte de Putcrc', IPM - btelliSe Powcr Modules'
putere
cae lncorporea iEt!.o sngu! litatc frltrc}ional dispozitivele semicolductoare de
asociat cu circuitele de ptotecJic. sunt accesibilc ps Pia| modulc iqdividuale, IBodulc de bra}
de convcno sau modc coplete in puBte, mono. sau trifazat. Folosind accstc module 9.DISPOZITTVE OPTOELECTRONICE
inteli8ente de putere, asociat c.tt odulelc pizate d comald, [52], [78] tespcctnd
docueata1ia iodi""ta a" ci.s plodctori, P.sll!!eg cilEuitelcl elec&olicc se 'isimplifrc io
mod semliicativ. Rolul spcialisfului s reolieltca fu dircctia strategiilor de coEaDd 9i
DisPozitivele optoelechonice reprezin6 9i ele o categorie impotant?i de componete
- -ca" prezaplicatiilol
rcglare sPecifice dc electionic.
ntate io acst capitol se coDsrihrie itr acs! context, intI-un minimuB dc necesare in proiecrarea sistemelor dc comand $i reglae electronic a echipamentelo de
iforEalie, suficie ils sfudeBtilo in electrotebic peltlu a aplica cu succes acesrc ulizare a energiei elecb.ice. Dispozitivele optoelectonice convcrtesc senuBlele electrice in
dispozidYe seodcotrductoaTe performante iD cilctele ele4tronic de putere. seEralc optice sau invers $i cuprind: dispozitive recptoae' dispozitive e'riftoale 9i
dispozitive de tansmite.e diect a semnalelor optice' [2], [63]' [64]' t69]' [88]' [89]. Pe de o
parte aceste dispozitive elecbonice permit ilrplementa.ca de sisteme de reglare in care
pararnetri controla1i sunt rimi de Ean luminoas. Pe de alt Pate folosind dispozitivele
optoelectonice se pot realiza simplu |i sigur linii de tansmite.c a nfomatiei, aco|o urde
volumul marc de date sau nivelu] ridicat de zgolote de Dah electric limitea aplicabilitatea
liiilor clasice dc tansitere. Petuspecia'listul in ingincrie o|eckic acast din urm
aplicalie prezint lm interes cu tohrl deosebit.
Dispotivele optoelectooicc Iealizea o punte de |egfur inke dou sisteme fizice
distincte, de nahrr electic 9i optic. Ca urmare investigarea lor in doialiu iEplic pe lng
cutrogtinp de clechicitate $ qmogtine de baz lcgate de fuimile fotometsice. Plezentu|
capitol va -E dczvoltat pomind d. la preriza c aceste cunoltinle de optic au fost dobenditE la
disciplinele de Fizic din liceu 5i facultt' La nevoie sc poate aPela la brevia'ul ccapitltlativ
caIe insolte Eajo.ittea lucilor dedicate dspozitivelo. optoelectonic' [63]' [6a]' [9].
se vor analiza n cootinuarq pe scurt' dispozitivele optoelect.onice de ittes penfu
aplicaliile in electrotehlic. Este edent c exPuner]ea scult care uJmcaz nu poate epuiza nici
pe departe aceast problematic complex.

Folorstoalele sltnt c.le mai simple dispozitive optoelectonice receptoae' Ele sunt
dispozitive semicooductoaJe f. jooc|iuni' cac au propdetatea c rezistenla lor ohmic
depilde de gadul de iluninare, [62j' [63]' [64]. si$bolul9i caracteristica lor static este dat in
Figua 9.l. Fotoezistoarcle 5e cotlport aseEntor rczistoaeloobiyrte, in seusul c
La
valoa'ea Iesten|ei lo nu dePinde de valoaea gi seBulul tensirmii electrice aplicate la borne.
ilttninri de valoae medie reistenla ohoic a unui fotoesto evolueaz propofional cu
iluminaea. c.nform relaliei:

(e.l)

coeficienful Y fiild cuprins inte:

/ = (o,s .... r) (e.2)


206
207

terminalele dlodci se scutcicuitea Es' deci la tensiune anod.catod nul. cueln'l de


Pdn crcltrea ilu.in'ii lezistenla scade ctc o valoae miiE. coeficienhrl 1 nu cste
scurtcict prin dispozitiv ste proporrioal cu iluminarea. sensibilitatea are valori tipice in
absolut constant' valoalea sa mrindu.se la iluminri reduse. lo accst dn rrrm domeniu gi
dotleniul 0'l l./l1r)(. Prin mri!6a progcsiv a tcnsiunii invcrse la bomele diodci, valoaea
rezistenla titd s creasc[ la E!imca de htuleric. Rrportul dbtre valoarea de infimeric a
curcntului inv.ers u se modi6c n mod seE.Eicativ, la i,lumulale constant," Deci fotodiodele
Iezistenlei li cca corespuntoate iluDinii EaxitDe poatc ajtmgc la l0o. va|oaea rczbtentei,
vor nrncliona n ci'cuitele elcctronice polarzte negativ' sernalul electric de ie$o Eind chiaf
la iluminri rcdusc, depindc foade mult gi de teBperatur. In plus, se constat 9i rm fenomen de
..ine4ie optic selcctiv,,, caiacterizat prin faptr c valoalea rczistenlei de valoaca culgnllui ezidual invers. sc emarc deci faptul c mlimea vadabil cu iluEinaJea
Pe caracteristica
este ic' avd va'lori sub l00 rrA.
static se atige dupun tiEp d stabilir destul de lun& d o.dul milsecudelor la ilumi!fui
de m de lux si de ordnul scundelor la ihrloiui mici dio domcoiul l lux. valoaea staliooa!
..stile antcioarc'' ale
a rezistenlei nu depinde numai de valoalea staliola a ilulinrii ci gi de
dispozitiwlui. Mai pccis, pentru o ilumiale actualtr dat, vom oblinc o r.zisterl mai mare
dup iluminarc anterioa putcmic li de duat' dect dup stae de iftuneric.

Figura 9.2. siobolul si caracteistica static a fotodiodelo.

rotodiodele se pot realiza pe subst!.at de seleniu. Acestea au o sensibilitate redus- da


se pot uiiliz4 cu succes ln convcna energiei luninoase tr energie electric. Fotodiodele D6
substral de siliciu se pot folosi irr domeniul lrrngimilor de und de 0'6'....l lo" h tinp cc
Figura 9.1. Expticativ privind simbolul 9i ca..cateristica static a
fotorezistoarelor. fotodiodele lizate Pe substr&t de gennaniu sult cel mai sensibile l1 plaja de o,5.....l,7.rlD,
lo4ia fotodiodelor estc mult mai mic dect cea a fotorestoarelo' ca uIIDae fiecventele
liEit de lucru se sfueaz lrr ju de 50 kHz. Din acest punct de vedee, fotodiodele pin sult
PeBtIu realizarea rrnor fotorezistoac cu rspu.s ma in dooeniul vibil se folose'te |i
mai performante, fiecvenlele Eaxitre de lucnt ajmgerrd la valori de ordilul a I GHz
sulfura de cadmiu, CdS selcniura de cadmiu' cdsa Fotorezistoaele elizate pe ba de
'i de plunb, Pbse' au rspunsul maxim io inaarolu, la 2,5 pm
Ala cuE 5.a prcizat mai sus, seo'ralul fumizat de fotodiodo este Eult Eaj ic dect
sulfu de plumb' Pbs li seleniur
cel 8eneiat de fotorczistoae. ca u.mar ste decesa o a'plificae colespulztoare. Utilizlrea
$i, respectiv, 4 pnt' [88]. fotodiodelor cu avalan$ controlat limin acest dezavarrtaj al fotodiodelor obigauite.
suprafala fotosensibil a fotoezistoaelopoate varia inhe l mm' 5i c$va centimerri
sendbilitatea acestol dispotive optoelectonice poate fi mrt 9i prin cre'terea supafelei
ptali. se incapsulcaz ! plastc, Eetal, cermic sau icl.Pot avca puteri dsipate de cliva
fotoscsibile.
watt, motiv pntu carc pot 6 aPlicgte la comanda dirc| a uno lici cleEente de execulie.
Fotorezistoaele se olosesc cu precdere in msu!tori optice' automatizri sau
In catcgoia coErponBtlor oploetectonice recptoare cu tr.i t.ninale sunt
ecbipaente deprotecia mrrcii.
cuprinse fotot.alzistoarele, fotofet.urile fototi'istoaele. FototrrDstorul este u! lrazistor
bipolar la cale jonciu!a colector-baz fibctioneaz
'i ca o fotodiod. Deci cuenful de colectoI
Fotodiodel. au fost dezvoltate pomind de la Proprietatea joncliuoii semiconductoae
..pn'' de a avea cenful invers aI fototraozistoarelo este contolat pin cu'enful rezidual invers al jonclirj'ii colector.baz,
Proporiodal cu iluminaea ap|icatji' [62]' [63]' [64]. simbolul curet cae la ndul lui depinde de iluminare. Figura s i eviden;iaa sinbolul
caacteristica static a fotodiodclor ezult din Figu. 9.2. 'i fototlanzistorului, schema 5a echivalent pecuul gi schema echivalentil a fototraazistorutui
se constat c la cuent anodic nul gi |a iluminare redus a jonctiunii, la bomele anod-
compus, Darlingtotl configuraa concret a cicuiful'ri de apliclie i:lprrne sau nu coectaea
catod ale unei diode pe substsat de siliciu putm msu.a o cderc de tensiune de apoximativ
bazei fototanzistoaolor. Fotoanzistoaele coPuse, fur configura|ie Dallington suEt necesare
0,5 v. Aceast cdee de trrsiule nu este practic inlluentat de modiicaIea iluminrii. Dac
pentru eplificalea nai accenfuat a selhnalul de iesie.
248 209

Domeuiul lrmgimilor de lrod la carc disPotivul pezint sensibilitate oaxim


'i
frecvqrlelc limiti do lrroru srllt dictate de pcformalcle fotodiodei di.o coDfiguralia se remac faPtul c este un cilcuit irt co4exiune dren comuI culenful fotodiodei
trlzistonui. produce o cderede teosiunc negativ P ezistenla & cdee de tensiurre care comand
Fazisto.ul cu cfcct de cerop. Intsucat crrrentd de intae este foarte mic, valoaea rezistenlci R
poate fi Bae, circuitul fiind sensibil 9i la culenli fotoelecbici mici. Ceea ce avantaiea foto-
fenrilc cste nivelu| de zgotnote in timPul funqionrii.
'edus

\l lc
."?
--J
+l
"l
I

:___J__t(
{ ,
l.
I

El
aJ b)

Figua 9.3. simbol fototlaDzistorului, sc}rcDa sa cchivalent ;i schEma cchivalent


a fototsazistorului compus, Dallingto. Figura 9.5. scheEa echivalent siBbolul fototiristonr]ui.
'i
Foto.fotul este utr efect de cmP de tipul J-FET' la carcjoncliunoa gril -
t.alzistol cu Folotiristorul' pnezentat c{r scheE echivalnt 9i simbol n Figura 9.5, este o
caual9ste o fotodiod' [62]' [63]' [64]. schema ecbivalent a foto.fefului si circuiful principial combinalie intc fotodiod 9i tiristorul de puterc conven$onal, t62], t63l, t64. curerrful ioveB
de uli'9csut date in Figura 9'4' pin fotodiod injectea in circuiful gril.catod putto'ii care determin basculalea irt
conduc1ie a tiistorului Polaizat diect. coDectaea elctroduhi de gril ln cicuit depinde de
apcarie.

Figura 9.4. Scheoa echivaleqt $i principalul circuit de aplicalie al Figura 9.6. Explicatit privind coEand amplificatoare|or cu Eanzistoare prin
foto-fetului. fototrazistoaJe de tiF ..n''.
2to
2ll'

Fototiristoul este deosebit de avartajos, mai des la aplicalijle dc tcsune ilaliil io Nu putcm incheia acst subcalitol dstinat djspozitivelor optoelectronice receptoare
cicuiful anodic. Folosiea sa este spndit 9i din cauz c estc posibil comatrda diect prin r a indica 9i cteva cicuitc specifice dE aplicalic, [69]. Figura 9'6 cderliaz pri.ncipiile de
fibr optic, eliminndu.sc dezavantajcle legate de evenhr8lele z8omote dc nafur clecEic din coead ln cueat a amPlifcatoalelor, folosnd fototrdnzistoale de tip .hpn''. Tot pentru
cicuihi dc comand, zgomotc injectate pe linia de tansmitee a imputsurilor, [89l. De altfel' comaoda io cnrelt a amplificatoalclor cu balzistoare, dar folosind fotodiode ca disDozitiv
din aceleasi motive se produc li fototr.Dzistoare| uEiionc'iutr progaoabilc sau tEtrodelc optoelecEonic, srtr recollaDdate cicuiteldin Figura 9.7. PeEu coEanda in tens.irrne a
folotiristor, [38], [71]. ampficaloaelo, tot cu fotoaaDzistoae de tip .t!p!'', se poate apela Ia co'gaide circuit
asemntoale celo din Figua 9.8. Evidcat, xist 9i o mullimc do cil.cuite cac foloscsc
-Us amplificatoae operalionale, dr ele vot putea fi abo.date doal tl al doilea voluru al prezenn.rlui
cws uniyersitar. coEaoda un tiistor cu ajutorul unui fototraDzistor coEpus, DaIgron, este
prezentat i! Figrra 9'9.

BC 2r3 B

Figua 9.7. circuite de comand optic a mplificatoarclor cu tranzistoare


folosind fotodiode.

Figura 9.9. circuit de cooand a unui tiristor prin fotobalzistor


coltrpus Darlington.

In categoda dispozitivolor opto.|cctrolic.rniEtoarc aunt cupise.liodt


.lctro|umilisceEte. Aceste diode au propdetatea de a emite luEin dac srEt Datcuse de un
cuent anodic direcl, [62], [63], [64]. Intensitatea lrrrrrinii emise depinde dc caracteristicile
diodei de valoarea cuenfulrli cale o stbate. spectrul de tecvenlc a lumidi emise qste bine
definibil'i pi lrmgimea sa dc und depilde de materialul folosL Urmtonrt tabcl,
[88], pune in
eden} ctevapcrfomran1e ale diodelor clectoluminiscente:

Materialul LungiDea Culoarea Lgi4ea Merit vizual


se!]:icoductor de ud?l luminii intervalului (l/w electric)
a luminii eilise iipecbal (!n)
emisc rrcr)
Ga As 920 intarosu 30 0
GaAso Pi l 660 tosu 30 0,012
Figun 9.8. Comanda in tensiwre a amplificatoarelor cu t anzistoare, folosind GaA& 5; o r 6l ' potocaIiu 30 0,200
fototranzistoae de tiD .h''. CaAso rrPorr 590 galben 25 0,200
GaP JttU verde 25 0,300
zt2 213

RdaeDtul diodelo clectsoluminiscentg dq'inde dc materialrrl folosit, cteva vlori


tiDice fiind: 57q perrtsu c.le in iDftalo9u, o,5% pe!tru c,cle ro$, 0,o5% penu cele v6zi.
i".* a" t*'i"i" ai'ect da.ulde ea de tcbnologie, avod valori intse t,6 v la cle o$ii |i
2'6 v la cele yerzi. ceste 'i lc asigu ul larg docni! de aplicabilitgte in tehnica
periorma$e
ls6./ F
eiementelor de afigle. Didcle electolrroioiscente se pot gsi ca unit1i iodiduale. De
aseEeuea le i!.M'ln coD6guraiia eleldeDtelor de afi9are cu Eatsice de puucte' Ele sut !i
eleoennrl de ba al circielor rte afi'are uuoerice sau alfanumericc cu 7 seglDgntq uDde
fie{arc segnent se oaterializea dg obicei pritr cooeatalea fu selic a dou diode
ele.hol||miniscnte.
Diodele clectoluEiais.e$te pot futtclicla siloplu c..! o ezisten| serie de limitae a
curennui, a$a cuo sc aTat t! Figura 9.l0, [69].

Figua 9. t l . Fulcliomea diodelol electroluminiscente alimentatc Drin


sus de cuent constant cu hanzistoaE J-FET'

Figur8 9.1o. FuDconarea diodelor electrolrrrrrinisceqte il cicuite


siople cu rezisto serie.

o stabilitate supcrioar se poate obline ins la ali.Bentarea diodelor elcboluminiscente


ca iro Figua 9.l l
Prin genetalo de cu.ent constant, realizabil cu trazistoare cu efect de cep,
sau Ju traozistoare bipolre, conform cu Figua 9'l2. De altl pomind de la ultiBele dou
c.icuito indicate, se pt coocepe coo.figrrra1ii n cae starea diodelor electroluiaiscente s fie
corolat ln fimce de diferite condi1ii de firnclio4ae a cicuih'ui elecbooic'

IE catcgoda .lispot|vlo optoelcctoDtcc d. tralsBitere a scmnolelor distiogem


diferitele tipuri de cuplarc optice. El servsc de obicei la iltorcolcctaea rmor circuite
clcctrice sa electronce caro au poton1ialc difritc Alc punctelo d mas' U! cuplor optic, [62],
cu u! dispozitiv
[63], t6a], se obiilc pli asmblarea unui dispotiv optoelrcbonic emilto!
i"cipto".-e5o cu-.""ulu ditr Figura 9'l3, cuplontl optic s poate baza pe mai multe
'i
com.bina1ii posibile de coldpoleote optolechoDicc, [88]. De obicei el se gse$te sub fomauBui
circuit tegrat Eonolitc. Penbu a se dispunc de un di8otiy cu atr.Iamet satisfctor' Figa 9. l2. ExPlicatiye privind fiEclionarea diodelor elecEolruninjscente
cuplorul optic fi!clioea i i.trdJoqu Cel mai iBportat palametu al optocuploalelor este
legate il serie li alieeDtate Prin generator de cuent constant'
factoru'l de tader Cq deEoit ca:
Acest pammtru este determinat B Prjncipal de peformanlele dispoitiw|ui receptot
din stuctul8 optocuplorului. E| este dat de obicei in proc,cnte. Urmtorul tabel ne pemite o
(e.3)
"=* compan1ie a crtploarelor optice, corlfoI! cite.iului anlerior:
214 2t5

se poate otserva c factonrl de Eansfe cel mai bun il rc cuplonrl optic


bazat pe
oiot""-rstor compus, n schimb fiecvenF sa m&Yim dc lucru estc cea ai mic.
."""pto.
"o exteE se gse$c optocuplorul
La cealatt .ordinul cu fotodiodl, cu factor de tra'Bfc oodst da!
;ild";J pa''a t" t"nlrre a lo MHz. kecizm c oplocuploarcle suot apte a
#..f;.;.;;;"ie logil ct scornale analogice, continue. In configurai de cLcuit
$
pot.prelucra.li semnale continuc
.p_*ili", tesl, teat' cu amlficatoare opera$onale incluse, ele
bioolare. esr.rpia c esfui lucru se va Putca cveoi n volrrmul
tr al c{rsului, dup intoducelea
aolificatorului operaliona|, ca e|eent de cicuit elecbonic.

6ffiEe
Figa 9. 1 4. circit i.! cascad?l penbu opiiEizara perfomatrelounui cuplor optic.

fo|oezisto,
Fisura 9.13. Posibitli de realizarc a cuploarelor optico: a) bec cu incandescenl.
. e|ectsolttoiniscent . folot.aluisto., d) diodil
laioaa
-..i..notu-i''isc.r'tr fotodiod, c) diod
. celut fotovollaic' e) diod:l elcctoluminiscet . fotothisto, f) diod
"tect'ot.'^ioi.ccgt
electloluminiscent. fototartzisto' compus Darlington.

Pentru a se exploata oPtim peffoman|ele unui optocuilor cu fototlanzisto se


Figua 9.l4.
recomand folosirea pe patea dc ie9ire a rrnui circut asemntor celui p.ezentt in
Acest circuit asigur o va.loare redus a capacitlii Mier:

Cr=C"r(,e,+t) (e.4)
Figura 9. I 5. Circuit de amplificare pentsu fiecvenle de lucru rbari.
216

pri! fapn c ampuacaea i! telsiune a plimrui etaj, A- este mic. ca uIDEre blocrea
fototrazistorulu est rapid 9i tecvenlele d lucu ridicate. Pentru fte.vcnle de luoru pq la
1oo kllz sc poatg folosi ti circuiful di! Figua 9.15. lo accst caz frecvenf. ma de operare
devi.oe posibil fiindc plin rezistena de l00k corcctat ilEc baza $ cEritoul fotots8ozistolului
se asigu descrc8ea aPidia capacitii Mill6.

Inainte de a itrcheia acest capitol precizB c in doEedul dispozitivelor


optoelectonica de af5arc exist uD |mr rema.cabi| de mae de ci'cuite iltegatc otrolitice,
bazate pe diode electroluminiscE e sau pe dispozitivc de afi;are cu cristale lichide. Uo
exemplu de astfol de cicui! asocial cu oilcuiful ilotegrat de coEaqd adccvat este dat iu Figu.a
9.16. lO.BIBLIOGRAFTA

l.Alexa' D.; Hubaru, o. . Aplica'ii ale conveoarelo! statice dc puterc, Editura Tchoic'
Bucure'ti' Romlia' 1989'

2.Alexa, D.; Gtlan, L'; IoDescu, F.; kzr, A. . convertoale de putere cu circuite lezonaDte,
Edirula Tcbnic' Bucuresti, Rolo.lia' 1998.

3.Ardclcan, I. 9i col. . circuite integrale cMos' Edihra Tehnic' Bucuesti, Romnia, l986.

4.Balabanian' N.; Bicl(an' T. - Teoia modem a cilcuitelor, Editura Tehnic, Bucuregti.


Romoia' l95.

s.Bama, A. - mplificatoare operalionale' 227 exemp|e 9i problemc' Edifuia Tehnic,


Bucurelti, RomDia, 1974.
9t 7{{6 All
6'Bayercr' R.; Teigclkn.r, J. - IGBT. Halbbrcken mi| ultraschellen Dioden. etz Bd'
108(198?), Heft 19, Seite 922 - 924, 1987.
Figqra 9.16. ci'cuit de afilare cu 7 sepelte peBbu seoale logice.
7.Bober, G.; Heumann' K.; Papp' o. . Qualiication of IGBT'S and SIRET for high frequeocy
inveltcr aPplication, Archiv fu Elekrotechoik 74(1990), pp.3 . 14' l99o'
Se cuviae s mai subliliem faphrl c folosirca eleeeltelor de afi9ale cu cistale
'i oPtic ciltig tot Bai Dult teen fu optoelecboaic,
lichide 9i tajrsnitelea de date prin fibr 8.Bode' M' col. - circuitc iornte lioiare. Manual de liliza'e, vol.l' Editura Teh-nic,
t6el, [8e]. 'i
Bucuresti' Romlia, 1982.

9.Bodea, M. !i col' - circuire inlegrate lidare' Malual de uli|izale, vo|.II, Editura Tchnic,
t'ucuesl' Komanla. lyJ.

lo.Bodea, M. si col. . circuite i egrate liniare. Malual de utilizare, vol.III


'
Edifu.a TehIic.
Bucure9t, Ro!|.ia, t984.

l l.Bodea' M' !i col. - circuire inte8rare liniae. Manual de urilizafe, vol.Iv. Editura Tehlic,
Bucurciti, Romnia, 1985.
2LA 2L9

l2.Bstcrting' w.; Kausseo, F.; sonmcr, K.H.; Tschartr, M- IGBT - Modules in Invcners:
.
Coucepr, Gate Drive, Fault Protection, PEMC'9O' Power Electro cs and Motion Control
z8,Hza'n,I. . ElektroDikai cr.isitk, Mszaki Knyvkiado' Budapcst' Huagary, 1979.
Conference, pp.35 - 41, Budapcst, Hungary, 1990.
29.He, X.; Willia.Bs, B.W.; Fioney, S.J.; Qiao, Z. - Snubber Eoergy Recovery Circuits with
l3.Browo, c. - Tratrzisroarc. Itrtrebri 9i rspulsuri, Editura Tehnic, Bucure9ti, Romnia, soft - clamping for High Powcr Invencr ApPlicatiols, EPE Joulal' vol., No.1, May t996,
r9't6. pp.16 - 21, 1996.

c' si col. - circuite integrate liniare, Editura Tebnic Bucursd' Romeia' 1975.
l4.Bulucea, 30.Her!covici, H. - Circuitele i.otegrat. iu aparatura de autolratizt.e, seria Elecronic,
Automatic, Matragemeot, Edifura Tehnic' Buculc$ti, Romnia' 1976.
l5.cski' F. 9i col. - Teljesitmnyelektonika, Miiszaki Kyvkiado, Budapest, Hungary, l973.
3l.Huna!o, K.; sfuDpe, A.c. . Tilisztonechqika, Miszaki Knyvkiado, Budapest, Hutrgary,
L6.Cski, F. si col. - Teljesitmnyelektronika. Pldatr' Mszaki Ktryvkiado' Budapesl,
19'14.
Huogary, 1975.
32.Heumalrl, K. - A teljesitmfuyclektronika alapjai' Mszaki Knyvkiado Budape'st, Hutrgary,
l7'Dan' .; Moseanu, Al. - Redresoao cu seconduc(oare' Edirura Tchnic, Bcurclti, 1979.
Romenia, 1975.
33.Hibbcrd, R, G. . Circuite iotegrate. lntrebri |i tspunsuri, Editura Tehnic, Bucue9ti,
l8.Dasclu. D. |i col. . Dispozitive $i circuitc electonice, Editura Didactic 9i Pedagogic, Romtuia. 1975.
Bucue9li, Romoia, l982.
34.Hillebrald, F'; Heierling, H. . Trvezrlstralzisolok ana'log s digitlis ramk{'rkben,
lg.Dasclu' D. col. . Dispozitivc cilcuitc electroqice, Probleme' Edifua Didaclic 5i Mszaki K[yvkiado' Budapest' Hulgary' 1975.
'i
pedagogic, Bucuresti' Romnia, l982'i
35.KelcEe!, A.; Maria Inecs . Mutatoare, Edifua Didaclic si
2o'DDtr' w.c. . Driving and Plotection of High Side NMos Powcr switches, IEEE
Pedagogic, Bucuegti,
Romtuia, 1978.
Talsactions on Industry Applications, vol.28, No.l, pp.26 .30, Jartuary Fcbruary' 1992.
.
36.Kelcmen, A. !i col. . Mutaroe. Aplicatii, Edi.ura Didactic 9i Pedago8ic' Buclrle'ti,
21.Eschrich, F. - IoBT Modules Simpli{ Invetcr Design, Power conve'sion & Intclligeut Roraania, 1980.
Morion, PCIM - Europe, No.4, July/August 1996, pp.284 - ?86, NiimberS, Gennany' 1996'
37.KeleEcn' A.; Mafia Imecs; Maschalko, R.; voiqrlcscu, E.; Koos, F.; Bloscoi, A' .
zz.Feie, |. 9i col. . Dioda zener. Aplicalii, EdiNa TebJ c, Buc1rlelti' Romnia, 1975. Elctrolic Industriall. Mutatoarc, Indnrmto de laboratol, vo|.I, Lito IPC.N, c|uj, RoEllia,
t9t2-
z3.Fee^czi, o. . Teljcsitmyszablyozo rnkrk, Mszak Ktryvkiado, Budapelt'
Hungary, 1981. 38.Kelemco, A.; Maia lEecs . Electrodc dc putere, E(litula Didactic si Pedagogic,
Bucuresti, Romitia, 1983.
24.Festil, cl'; szakcs, E.; ciu.a, J. - Powe! electronics in automatic coDtrol, Mediamira
science Publisb, cluj, Romnia, 1999. 39.Kocss' M. - FlvezctsiBpulzustcch.nika, lviszaki Koyvkiado Budapest, Hungary' 1973.

25.GoldeflbeTg, L.M. . Teoria 9i calculul circuitelor dc itlpulsuri. Edirua Tcbnic' Bucurelli' 40.i-anbn' M. - TeljesEnyszabtyzok integi|[ Ekri; Ivszki Knyvkiado, Budapest,
Romlia' l972. Hulgary, 1980.

26'cray, P.E'; Searle, C.E. - Bzele clectonicii modeme, Edihrra Tebnic, Bucure'ti' 4l.I-okuta, F.; Heisig, M.; lt' B. .IGBT - das Krzel fit! modmc IJi$fulgselekroDik,
Rom-oia' 1973. Elektronik 15/1991, Seire 82 - 87.

27.Gray' P.R'; Meye, R.c. - circuite itrteglate analo8ice, Anali si proiectarc' EdiruIa 42.I,ska, P. - Kistetjesitmuy motorok tirisztorcs szabljozsa, Mszaki Kuyvkiado'
Tehnic' Bucuresli' Romnia' 1983. BudaPest' Hr8ary' l98 l.
221-
220

Budapes!, Hun8ay' 198l. 58.skiD!e!, A. . IGBT Plus for Molor Divc ApplictioDs, PoweI coBvcrsio! & Intclligent
43.bska' P. - Tirisztor Ersek'Mszati KtryvLiado Molion, PCIM . Eulope, No.4, |996, Pp.274 .271' 1996.
HuDgary' 'uly/gust
44.I-oska, P' . Az egytegii tralziszto alkalmazsa' Mszaki Ksyvkiado Budapest' sg.sztojanov' l.; Pa'ca' s. - Alaliza asistat de calculator a circuitelor clectrouicc, Ghid
1919. practic' Pspicc' Editula Teora, Bucue'li, Romnia' 1997.
.
45.Lu.ugrr, S.; voiculescu, E.; Palaghit, N. Dispozitivc !i circuitc electioai.e, lodrumror
6o.stinescu, I. . Variaroarc statice dc tcnsiune coDtinu, Editura Tehnic, Bucues|i,
de laborator, Lito. IPC-N, Cluj' Ronnia' 1983.
RomDia. 1983.

46'Matlac, I. - coovertoare elBctroencrgetic' Editura Facla, TiBisoara, Romnia. 1987.


6l.strilcscu, I.; condruc, M. - Tirislorul, caracteristici' conand, protecJie' uti|iri' Editua
in acioBali cu motoale TelEic, Bucurcati, RoBfuia' 1983.
4?'Mgueanu' R.; Micu, D. - covctizoaE statice de frecveDa
asiocrole' Editura Tchqic, Buculalti, RoEelia, 1985. 6z-ie|zr, u.| schent' ch. . Halblcitel - s.haltun8stcchnit, splinger verlag, Bcrli[ -
prin Hcidclbcrg - Ncw-Yok, D.u(schland, l98o.
48'Marschalko' R. - convctoare dc putere peBtu re8larca vite7Pi tDotoarelor asi.Bcooe
oriclrr'e dupa cfurp' Te.te doctorat, Facultatea dc Electrotebnic, Uuiversitatea TclEic 61.Tietze, v.i scheDk, o.
- Analog N di8itlis IajTl'kiirk' Integrlt 5 diszkrt flvezetk
Cluj, Romtuia, 1989. kapcrclstcchDikja' Miiszaki KD).vkiado. Budaps(' Hulgay' l98l.

49.Marschalko'R..coDvetoaredeca/cccumodula'eiDdurataiEPulsurilo!,Fjitura 64.Tietze, U.; sche*, ch. . Halbleitc " schltungstecbnik' zhnle Auflage, Springer Verlag,
Mediamira, cluj, RoBlia, 1997. l.ndo0 .Pais - Tokyo - llong Kong. Barcclona. BudaPest,
Bcli.E - Hcidelbgrg - Ncw Yort -
a mpulsurilol DeutschlaDd, 1993.
so.M8rschalko' R.; Micu, D.o. . coovertoale de calc. cu modrrlare ia dural
si aplicatii, Editula MdiaDira, cl, Romia, 1997.
65.vt'cscu' A' cl. . cicuire cu seEicolductoa'e i! induslrie, mPlificatoae |i
sl.Moris' R.L.; Miller, J.R. . Ptoioctarea cu circuitc btegrate TTL' Editura Teh!'ic, 'i
oscilatoare, Edifura Tcbnic'' Bucc'ti, Ro&ania, l97l.
Bucue''li, Roltlda, 1974. 6.vt!cscu, A. !i col.. Dispozitive seniconductoare. Matrual dc utiliza.re' Editura Tehaic,
News' Bucuc$ti, Romnia, 1975'
52.Mourick, P. - IGBT Module Application aod Control, SEMIKRON Application
scr'lu<nor.i INTBRNATIoNAL' Dr. Fitz Mati! GmbH & co. KG' Germatry' 1992.
67.x xx - Das TTL - Kocbbuch. herausgegeben vod Tcxas lttstuments Deutschlald GmbH,
Bucutelti, ApPlitatiolslabo!' TExAs - TTL Receptek' Mszaki KByvkiado, Budapest' Hulgary' 1978.
53.Rpeanu, R' si col. - circuite istegratc enalogicc, catalog, Edifura Tehnic'
Romnia' 1983. 68.x xx - IDtegriete Li.lcaJ. !d I crface - schalfungen, Texas lJrstrumclts Deutscblald
GmbH, IJsrniug center' TEXAS . Alalog s illeszt integrlt IaDkIk, Mszaki
54.Rcdl, R. . Achievi8 coBpliance with New Line. HaBotric.r Regrrlations, PCM'96' Knyv}iado, Budapst, Hulgary' l979'
Power onversion and Intelligent Motioo Codereace, semila! 5, Niirnbeg, GerEa'ry'
1996.

& Intlligelt 69.x x x - Das oPTo . Kochbucb, Tens Instrumenls Deutschland GmbH, karnilg ceDtr,
ss.Rinehart, L'; Grafbam' D. - Half Blidgc Dliver chipscts, Powe c-onv.sion TExAs. optoelelrooikai ReclPtek' Mszaki Kiinyvkiado' Budapcst, Hun8afy, 1979.
MotioD, PCIM EuroP, August/SePteorber, pp 'ZOZ - ZlO, l99l '
70.x x x - Powel ajlsislor and Mosfet PPlications, MoToRol Inc., switzeland, 1983.
56.silald, A.P. . Tidstoare cu bloca.c pe poatt' GTo, Editura Tebdc' Bucure$ti' Romnia,
1990.
7l.X X X - SCR MANUAL, Ltrcluding triacs and other Thyristors. Sixth Editio!, GENERAL
ELECTRIC' Ptepacd by App)icatioo Euginccring centels Auburn' New.YoIk and Paris,
s7.simioo' E. . Electrotehdc' Editura Didactici $i Pedagogic, Buculelti, RoEnia' 1977. France' Fiitos -D.R.G!aham; F.B.Golden' Aubum, UsA' 1979.
222

86.x x x - Pove Pagcs 2000, The Europeatr Power Electronics Addrcss Dilecrory' special
AEG, Techical Informatiotl Editio!,of PCIM Europe, vol.l, POWER ELECTRONIC Components, Tecbrology,
72'x x x . Ad\ntageous coDtrol of bipolar powel tansistols'
15, GerE|arY, 1991. ApplicaioDs Systems, ZM Communicatiols cmb}l' Ntrabcrg, Gcruany'
1999.

tralsis(o modules, Technical Information, AEG


At1iBgesellschaft, x.
?].x x x .'Power 87.x x Elektolecblikai Kislxikon, Milszaki Klyvkiado' Budapcst' Hungary, 1973.
lndustriekomporf, nten, Edition 1987, Germay, 1987.
88.Nc$e!u, M. 9i Blu1, Gh. . De la cfectr' fotoelctic la celula solad, Edifura
AEG Atbatros,
?4.x x X - ICBT - Pov/crblocks' Tcchlical lnforEation' Aktieogesellschaft' Bucuresti, RoErilria, 1981.
Leishrngshalbleiler, Edition 1989, Germany, 1989'
89.x-x.x . & Fiber opcs catalog, Pastemack Eqterpriscs, cataloB#2ool.sA, Irvile,
9o:ial
75.xxx.Po,'Versemicoductos,sIPMosandIGBT,Poducthformation'Publishcdby cA, usA, 2001.
i.rJ"*a"".. Ct""p ' SIEMENS Altieogesellschaft' GedDany' 1992'
9o.Bodea' M. !i col. - Diodc $i tiisroare de putere, Matrul de utiliztc,
. .divers, EUPEC' AEc & volumul I,
7'x x x - To controt IoBT moduls: cbaacteistics electlooics
.E.;";;l"h" Perfomanje, Edifua Tcbdc, Bucuclti, Roofuia, t989.
Gcsellschaft fiir L.istulgshalbleite mbH + co
Kc' TechBicl
."#Ni,
Information l, Gcrmaly, 1991. 9l.Bodea, M. 5i col. - Diodc $i tiristoarc_de puterc, Matual de utilizatE, voluuul
II, Aplicatii,
Editua Tebdc, Buclr9ti, RoEnia' 1989.
77.x xX - Design in lcBTs . Motol Dive Applicatiors, Toshiba . clytr GmbH, Deccnber
1990' Grmany' 1990.

?8.xXx-SEMIKRoNluovation+service,PowerElectroqi6-LrisNngselektronik'99'
NiimberS, Germany, 1999.
crawfordsville'
79.x X x - NatioMl Power ICs DatabooklNATIONAL SEMICONDUCToR'
usA. 1995

inductols'
8o.x x x . Power compolells' The databook, dc.dc colvetc's, ta$formers,
Niivponr cor"lpoNrNTs, vitton xevnes MK14 5NA' EnglaBd' 1996'
8l.xxx.Halbleiter1999/2000,IXYSSemiconductorGmbH'Lampetheim,Germany'1999

82'x xx - Powel semiconductors. APplication Notes for lodrrstrial Electronics, Poduct


lnfo.malion 05.97' slEMENs A}tiengesellschaft' Nmberg' Uernany' lyyl '

83.x x x - Power supply circuits' Data Book, TExs INSTRUMENTS' owensville,


Missouri, USA, 1996.

84.X X X - &micotrductor Compore[ts Selector Guide, ADalog' Logic and Discretes'


icils/D. R*0, 5/1999, MoroRoLA, semicoEductor components Group' Deover'
coloado' UsA, |999.

SMPSRMi D'
85.x x X - switchmoderM Power Supplics, Reference Manual and Design Guide'
MoToRoLA, Semiioodrrctor Components Group' Deove, colorado' UsA,
Rev.o. 5/1999,
t999.
II.INTERNET - ADRESE UTILE

l. ABB corrol wwv.abb.com


2. ABB Semicolductors AG www. abbseE.cor.
3. dvanccd Povef coDversion www.apcuk.coE
4. Advatrced Power Tecb.Bolo8y www. advacedpower.com
5. AEG E.M.I. GEbE & Co'KG www. aegcEi.de
6, Allegro Microsyoms Europc lld. www. all.goBico. coB
7. !a!o8 Dsvics I!c. vww.a[alog-cotB
8. DaDfoss Silico! Powcr GBbH www, danfoss,/silicllpower.coB
9. Eupec GmbH www.eupc.coE
10. Fairchitd sEicooductor cory. www.fafuchildsei.coE
11. Feaz shawBut www.ferazshawmut.com
12.. Fuji Electric GnbH wY/w.fitji.coB
13. GLYN GmbH & Co wrPw.glytr.de
14. HTTACHI www.bitachi.u'com,/hevecg
15. loineon Tech.trologies AG www.i!ulco!.co!
16. Intcmational Rertifier Co Ltd www.rf.coB
ll. btcrsilColPoratioD v/v,/w,btersil.com
18. DrYS ScBiconductor GmbH w$qr. rxys. uer
19. LEM llsrume[ts GmbH wv,rw.leE.com
20. Lina Tecbnology corp. wrrw.lircar.com
2f . MACCON vertriebs GBbH www.ocmD.de
22. MoToRoLAseo-icoductor wlvw.Eotorola.com
23' Natiomt seEicotrducto GmbH vww. Datio!l'colo
24. NEc Electonics (Euopc) GebH
25. NEW?ORT COMPONENTS www.ncwpo.co.uk
26. ON SEMICONDUCTOR n4,,w.ollselli.com
21. Philipsscoicllducto www.sEicolductors.coE
z8. Power Elcctlotric's McsurcBents Ltd wvw-pcmuk.coB
29. Powesem GobH wlvw.povcsem.de
30- SEMIKRONlnterDatioDal lvww. semilcrotr.com
3I. SIEMENS AG wrw. sicmcns.delsemicondctor
32. TExs INSTRUMENTS www.ti.com
33. TOSHIBAELECTRONICS wvw. toshiba.com
34, VacuuEscbmelzeCmbH www.vacuuEschEelze. de
35. wEsTcoDEseEicouductos ufww.wcslcode.corn

etc, etc, etc.....