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FISICA DE SEMICONDUCTORES

TRABAJO COLABORATIVO 2

Integrantes:
Martha Liliana Idrobo Cd. 1061748588
Carlos Andrs Gonzales Cd. 1.113.637.910
Stevens Olarte Forero Cd. 3.159.609
Margoth gaan Cd. 42.091.422

Tutor:
Luis Alberto Suarez

Curso:
299002_13

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)

Mayo 2016

INTRODUCCION

En este documento se encontrara sobre las caractersticas de algunos elementos de


semiconductores como son dispositivos unipolares, bipolares y electrnica de potencia.
Este es un ejemplo de un dispositivo bipolar el tiristor es un dispositivo semiconductor que
se emplea exclusivamente en aplicaciones donde se requiera pasar de un estado de franca
conduccin (ON) a un estado de corte o apertura (estado de OFF).
Continuando encontramos los dispositivos unipolares el transistor (jfet) es un dispositivo
semiconductor que basa su mecanismo de conduccin de forma casi exclusiva en un solo
tipo de portador de carga.
Finalmente La expresin electrnica de potencia se utiliza para diferenciar el tipo de
aplicacin que se le da a dispositivos electrnicos, en este caso para transformar y controlar
voltajes y corrientes de niveles significativos. El rectificador controlado de silicio (en
ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier), es un ejemplo de ellos.

OBJETIVOS

Desarrollar ciertas habilidades tericas lo cual nos llevara a hacer posible evidenciar
los conceptos bsicos tericos de diseo implementacin y simulacin de circuitos
elctricos.

Mediante la prctica utilizando simuladores se realiza un montaje de cada elemento


semiconductor.

Resumen de los ejemplos desarrollados en la fase individual.


Steven
s
Olarte
Forero

DISPOSITIVO BIPOLAR
TIRISTOR (TRIAC)
El tiristor es un dispositivo
semiconductor que se emplea
exclusivamente en aplicaciones
donde se requiera pasar de un estado
de franca conduccin (ON) a un
estado de corte o apertura (estado de
OFF), estas son las llamadas
aplicaciones de conmutacin.
Tambin es un dispositivo bipolar y,
por tanto, su conduccin hay que
verla en trminos de huecos y de
electrones. Este tipo de dispositivos
barre un amplio rango de corrientes y
tensiones de funcionamiento, muy
superior al de los transistores
bipolares (desde miliamperios hasta
5000A y desde voltios hasta 10kV)

Steven
s
Olarte
Forero

DISPOSITIVO UNIPOLARES
TRANSISTOR (JFET)
Se denominan dispositivos
unipolares a aquellos dispositivos
semiconductores que basan su
mecanismo de conduccin de forma
casi exclusiva en un solo tipo de
portador de carga. Podemos
considerar en principio cinco tipos de
dispositivos unipolares: a) Contacto
metal-semiconductor. Es la unin de
un metal con un semiconductor
(barrera Shottky). Equivalente a una
unin p-n abrupta a un lado. Adems,
para el caso de semiconductores
fuertemente dopados, este tipo de
unin constituye la forma ms
importante de realizar un contacto
hmico

Steven
ELECTRONICA DE POTENCIA
s
Olarte (SCR)
Forero
La expresin electrnica de potencia
se utiliza para diferenciar el tipo de
aplicacin que se le da a dispositivos
electrnicos, en este caso para
transformar y controlar voltajes y
corrientes de niveles significativos.
Se diferencia as este tipo de
aplicacin de otras de la electrnica
denominadas de baja potencia o
tambin de corrientes dbiles
En este tipo de aplicacin se
reencuentran la electricidad y la
electrnica, pues se utiliza el control que
permiten los circuitos electrnicos para
controlar la conduccin (encendido y
apagado) de semiconductores de
potencia para el manejo de corrientes y
voltajes en aplicaciones de potencia

Carlos
Andr
s
Gonzal
es

DISPOSITIVO BIPOLAR
TRANSISTOR BJT
El transistor bipolar o bjt es un
dispositivo electrnico, mediante el
cual se puede controlar una cierta
cantidad de corriente por medio de
otra cantidad de corriente. Existen
dos tipos transistores: el NPN y
el PNP, y la direccin del flujo de
la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el grfico de cada
tipo de transistor. El transistor
bipolar es
un amplificador de
corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas

(base), el entregar por otra (emisor),


una cantidad mayor a sta, en un
factor que se llama amplificacin
Carlos DISPOSITIVO
UNIPOLAR
Andr (MOSFET)
s
MOSFET (Transistor de Efecto de
Gonzal Campo
Metal
xido

es
Semiconductor)
Es
un transistor utilizado
para
amplificar
o
conmutar seales electrnicas. Es el
transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o digitales. Es el
dispositivo
semiconductor
ms
importante desde el punto de vista de
la fabricacin a gran escala de
dispositivos y circuitos integrados
(memorias, microprocesadores).
Los transistores MOSFET se dividen
en
dos
tipos
fundamentales
dependiendo de cmo se haya
realizado el dopaje: Tipo NMOS:
Sustrato de tipo p y difusiones de
tipo n. Tipo PMOS: Sustrato de tipo
n y difusiones de tipo p. Las reas de
difusin se denominan fuente y
drenado, y el conductor entre ellos es
la puerta

Lilian DISPOSITIVOS UNIPOLARES


EL TRANSISTOR UJT
a
Idrob
El transistor bipolar es el ms comn
o
de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o
silicio. En ambos casos el dispositivo
tiene 3 patillas y son: el emisor, la
base y el colector. Existen dos
tipos transistores: el NPN y el PNP, y
la direccin del
flujo
de
la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el grfico de cada
tipo de transistor. El transistor es un
dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con
la patilla que tiene la flecha en
el grfico de transistor.
El transistor
bipolar es
un amplificador de corriente, esto
quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de
sus patillas (base), el entregar por
otra (emisor), una cantidad mayor a
sta, en un factor que se llama
amplificacin.

DISPOSITIVO ELECTRONICA DE POTENCIA TIRISTOR (TRIAC)

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia


de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el
TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor
capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en
direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin
de nodo y ctodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente
al electrodo de gate/puerta
Muestra la estructura tpica interna de un tiristor. Como se observa, est formada por una
sucesin de capas semiconductoras en la forma p-n-p-n. La capa de tipo P externa
comunicada con el circuito exterior mediante un terminal conductor recibe el nombre de
nodo, y la capa de tipo N es el llamado ctodo. Con esta disposicin inicial sin ningn
terminal adicional ms que los del nodo y ctodo, el dispositivo as formado recibe el
nombre de diodo de cuatro capas. Obsrvese que aparecen adems tres uniones de material
semiconductor.

DISPOSITIVOS UNIPOLARES EL TRANSISTOR UJT


El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y
el colector. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de
la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de

transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha
en el grfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.

BIPOLARES EL TRANSISTOR BJT

Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales,
ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal. El transistor se ha convertido en
el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus
capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. No existe
desgaste por partes mviles. Los transistores son dispositivos activos con caractersticas
altamente no lineales.
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido
opuesto. Emisor, Base y Colector. En funcin de la situacin de las uniones, existen dos
tipos: NPN y PNP. La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la
Base Colector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una corriente inversa. En
npn, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. 4 N P N P N P mayor dopaje que

la base. Al polarizar la unin Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los


electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor nmero de
huecos, por lo que son atrados por el colector con alta concentracin de impurezas.

SIMULACION DISPOSITIVO ELECTRONICA DE POTENCIA TIRISTOR


(TRIAC)
Link de la simulacin.
https://www.youtube.com/watch?v=OQ_G8TUUCXU&feature=youtu.be
Esta es una simulacin del Triac, se busca con la resistencia de 6k proteger el capacitor para
que no se dae, el potencimetro busca aumentar o disminuir la intensidad del foco. El
Diac controla el gate del Triac para controlar los disparos cuando el potencimetro alcanza
su valor mximo realiza un disparo para dejar pasar el voltaje y la corriente permitiendo
elevar la luminosidad del foco.

DISPARO DEL TRIAC.

DISPOSITIVOS BIPOLAR EL TRANSISTOR BJT


Link del video de la simulacin.
https://www.youtube.com/watch?v=aVc9XuhhiCQ&feature=youtu.be
En esta simulacin se busca demostrar la funcin del Transistor BJT, cuya resistencia
disminuye con la intensidad de la luz, para esto se implement un foto resistor, un led que
encender cuando halla ausencia de luz y los ms importante es Transistor BJT que
funciona como interruptor para simulacin. Este es un ejemplo ms comn de un
dispositivo electrnico que se consigue en el mercado como fotocelda.

SIMULACION DISPOSITIVO UNIPOLARES UJT

Lo que buscamos simular es un circuito de potencia utilizando un UJT y SCR y una


lmpara que se utiliza como una carga. Lo que buscamos ver el disparo que ejecuta SCR
en las diferentes ondas. como lo muestra la figura a continuacin.
Link del video de la simulacin.

Como lo muestra la figura a continuacin.

CONCLUSIN.

Una vez terminada la actividad se adquirirn conocimientos solidos sobre elementos


semiconductores y sus aplicaciones, esto con el fin de conocer e identificar los dispositivos
unipolares, bipolares y electrnica de potencia utilizando herramientas de simulacin se
puedo evidenciar sus aplicaciones y lo importantes que son para la electrnica.

Bibliografa.

1. www.sc.ehu.es. Extrado el 28 de febrero de 2016


Desde http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm

2. www.etitudela.com Extrado el 29 de febrero de 2016


http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56993840f26d07/01d56994e30f406
32/

3. www.etitudela.com Extrado el 02 de marzo de 2016


http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm

4. www.etitudela.com Extrado el 02 de marzo de 2016


http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htmcomponenet
es

5. Wikipedia es un excelente sitio web para las definiciones.


(https://es.wikipedia.org/wiki/Componente_electr
%C3%B3nico#Componentes_semiconductores)