Comportamiento de los semiconductores tipo n y tipo p

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin

conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente
la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.

Comportamiento de la unin semiconductora PN

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente
denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores. Est formada por la unin metalrgica de
dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque tambin se fabrican
de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.
Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o
compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.
Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe

mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja
un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre.
Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a
la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la termodinmica) o
a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro (intrnseco) se cumple
que, a temperatura constante, el nmero de huecos es igual al de electrones
libres.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus
electrones al semiconductor.

Tema #2 propiedades de los materiales semiconductores

Describir las estructuras de las uniones PN
a) NPN y PNP

Npn
un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del
colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est
conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn
corresponda.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta

de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5.

Pnp
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

b) Unin al, si02, p: JFET, MOSFET

Los silicatos son el grupo de minerales de mayor abundancia, pues constituyen
ms del 95% de la corteza terrestre, adems del grupo de ms importancia

geolgica por ser petrognicos, es decir, los minerales que forman las rocas.
Todos los silicatos estn compuestos por silicio y oxgeno. Estos elementos
pueden
estar
acompaados
de
otros
entre
los
que
destacan aluminio, hierro, magnesio o calcio.
Qumicamente
son sales del cido
silcico.
Los
silicatos,
as
como
los aluminosilicatos, son la base de numerosos minerales que tienen
al tetraedro de silicio-oxgeno (un tomo de silicio coordinado tetradricamente a
tomos de oxgeno) como su estructura bsica: feldespatos, micas, arcillas.
Los silicatos forman materiales basados en la repeticin de la unidad tetradrica
SiO44-. La unidad SiO44- tiene cargas negativas que generalmente son
compensadas por la presencia de iones de metales alcalinos o alcalinotrreos, as
como de otros metales como el aluminio.
Los silicatos forman parte de la mayora de las rocas, arenas y arcillas. Tambin
se puede obtener vidrio a partir de muchos silicatos. Los tomos de oxgeno
pueden compartirse entre dos de estas unidades SiO 44-, es decir, se comparte uno
de los vrtices del tetraedro. Por ejemplo, el disilicato tiene como frmula
[Si2O5]6- y, en general, los silicatos tiene como frmula [(SiO 3)2-]n.
En el caso de que todos los tomos de oxgeno estn compartidos, y por tanto la
carga est neutralizada, se tiene una red tridimensional denominada slice o
dixido de silicio, SiO2.
En los aluminosilicatos un tomo de silicio es sustituido por uno de aluminio.

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de

campo de juntura o unin) es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales
que puede ser usado como interruptor electrnicamente controlado, amplificador o
resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comnmente
llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado
por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarizacin. La carga
elctrica fluye a travs de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla
entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin elctrica inversa al terminal de
puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la
corriente elctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensin
entre los terminales G y S (V GS) es igual a cero (regin de saturacin), pero

cuando esta tensin aumenta en mdulo y con la polaridad adecuada, la

resistencia entre los terminales D y S crece, entrando as en la regin hmica,
hasta determinado lmite cuando deja de conducir y entra en corte. La grfica de la
tensin entre los terminales D y S (V DS) en el eje horizontal contra la corriente del
terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva caracterstica y propia de cada
JFET.

MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en
la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados
en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente est conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo
se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el
aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido
por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas.
Las puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de
incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes
metlicos en la puerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la
puerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de
obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.

Unin PNPN: TIRISTORES

es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que

utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. 1Los materiales de los
que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como
conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la
corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia
elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo P-NP-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PN-P y N-P-N, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin
realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente),
el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).
Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de
silicio (SCR);2 otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los
dispositivos DIAC y TRIAC.
Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos
1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR
creado por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el cual fue
defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el
desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercializacin por parte de
Frank W. "Bill" Gutzwiller, de General Electric.

TEMA
#3
ESTRUCTURA
SUPERCONDUCTORES

CRISTALINA

DE

LOS

MATERIALES

CONCEPTO DE SUPERCONDUCTIVIDAD
Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos
materiales
para
conducir corriente
elctrica sin resistencia ni
prdida
de energa en determinadas condiciones. Fue descubierto por el fsico
neerlands Heike Kamerlingh Onnes el 8 de abril de 1911 en Leiden.
La resistividad elctrica de un conductor metlico disminuye gradualmente a
medida que la temperatura se reduce. Sin embargo, en los conductores ordinarios,
como el cobre y la plata, las impurezas y otros defectos producen un valor lmite.
Incluso cerca de cero absoluto una muestra de cobre muestra una resistencia no
nula. La resistencia de un superconductor, en cambio, desciende bruscamente a
cero cuando el material se enfra por debajo de su temperatura crtica.
Una corriente elctricaque fluye en una espiral de cable superconductor puede
persistir indefinidamente sin fuente de alimentacin. Al igual que
el ferromagnetismo y las lneas espectrales atmicas, la superconductividad es un
fenmeno de la mecnica cuntica.
La superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, incluyendo
elementos simples como el estao y el aluminio, diversas aleaciones metlicas y
algunos semiconductores fuertemente dopados.
La
superconductividad,
normalmente, no ocurre en metales nobles como el cobre y la plata, ni en la
mayora de los metales ferromagnticos. Pero en ciertos casos, el oro se clasifica
como superconductor; por sus funciones y los mecanismos aplicados.

TIPOS, CARACTERISTICAS FISICAS Y ELECTRICAS,

CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES

ESTRUCTURA

Tipos

Superconductores de tipo I: son los que tienen un nico campo magntico

crtico Hc, y pasan bruscamente del estado superconductor al normal.

Superconductores de tipo II: son aquellos en los que se pueden considerar

dos campos magnticos crticos, Hc1 y Hc2, estando plenamente en el estado
superconductor para un campo magntico externo por debajo de Hc1 y en el
estado normal por encima de Hc2, hallndose en un estado mixto cuando el
campo magntico se halla entre ambos.

Este criterio se debe al fsico Aleksi Abriksov y fue propuesto en 1957.1 2 De

forma ms rigurosa se emplea el parmetro de Ginzburg-Landau, de modo que

si (especialmente, si ) entonces la energa superficial del superconductor

es positiva y se trata de un superconductor de tipo I,

si (especialmente, si ) entonces la energa superficial del superconductor

es negativa y se trata de un superconductor de tipo II

caracteristicas
Son dos las caractersticas que definen a un supercondutor, una que ya la vimos
es su resitencia cero (Fig. 1) o conductividad infinita y la otra que el campo
magntico inducido es cero (Fig. 2) dentro de un superconductor cuando este es
enfriado por debajo de su temperatura crtica en un debil campo magntico
externo (el flujo magntido es expedido del superconductor). Este efecto es
llamado Meissner-Ochsenfel y es el que permite que los imanes leviten sobre un
superconductor.

Estructura
los materiales superconductores poseen propiedades magnticas particulares; un
superconductor masivo en un campo magntico dbil se comporta como un
diamagntico perfecto, es decir, la induccin magntica en su interior es nula

dado que el flujo magntico no penetra en el interior de la muestra. Este fenmeno

recibe el nombre de efecto Meissner.*

Efecto Meissner en una esfera superconductora enfriada en presencia de un

campo magntico constante; al enfriarla por debajo de la temperatura de transicin
el flujo magntico es expulsado del interior de la esfera
Este fenmeno llevo a las siguientes conclusiones:
el campo magntico en el interior de un superconductor no slo est congelado,
sino que vale siempre cero. Una consecuencia inmediata de lo anterior es que el
estado de magnetizacin del material que pasa por la transicin superconductora
no depende de los pasos que se hayan seguido al establecer el campo magntico.
Esta consecuencia marca tambin la diferencia fundamental entre lo que es
un conductor perfecto y lo que es un superconductor.
Por conductor perfecto se entiende que es un material cuya resistencia elctrica
es igual a cero. En tanto que un superconductor, adems de presentar resistencia
cero, presenta tambin el efecto Meissner. Se puede demostrar fcilmente que, en
un conductor perfecto, el campo magntico tiene un valor constante, esto es, est
congelado en su interior, pero no necesariamente vale cero, y esto trae como
consecuencia que su estado de magnetizacin dependa necesariamente de los
pasos, que se hayan seguido para magnetizarlo.