UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

FACULTAD: INGENERIA

PRACTICA

CIRCUITOS DE DISPARO

CARRERA: INGENERIA ELECTROMECANICA

CURSO: LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL

PRACTICA: 6

NOMBRE DEL PROFESOR: INGENIERO JOSE LUIS APAZA

NOMBRE DEL ALUMNO: MARQUEZ BLANCO BEYMAR ALEJANDRO

FECHA DE REVISION: 26/10/2016

PREINFORME Nro 6
CIRCUITOS DE DISPARO
2.1.- Investigue las caractersticas del UJT
(Construccin, curva caracterstica corriente en
funcin del voltaje, circuitos bsicos de
polarizacin, y aplicaciones como circuitos de
disparo de tiristores).
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de
pulsos de disparo para SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un
emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en

realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se
le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en
su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal
N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy
pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la
resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo
del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este
dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura
siguiente:

R y R equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N

comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale
a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor
y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia
entre bases es igual a:
1

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB

entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base
ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en
el divisor de tensin se cumplir que:
Si llamamos =R /R , la ecuacin queda: V = V .
El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las
tensiones V y V .
As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca
caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que
aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V
entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:
1

BB

BB

BB

Al valor de V se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que

hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro
ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no
conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial
positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que
dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si
aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V ms 0,7V de
la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir,
producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para
1

conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario

aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una
tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los
portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de
cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar
que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N
dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la
resistencia R y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la
base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor
aumente considerablemente.
1

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento

(I ), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se
tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de
caractersticas y suele ser del orden de 5mA.
En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las
curvas caractersticas de un UJT. V (punto Q ) nos indica la tensin
pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de
encendido del UJT (recordar que V = V + 0,7). Una vez superada
esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que
I ), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de
mantenimiento es inferior a la de mantenimiento I (punto ).
v

Aplicaciones del UJT

Q2

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de

pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para
controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos

circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin V al

circuito serie R-C, formado por la resistencia variable R y el
condensador C , dicho condensador comienza a cargarse. Como este
condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin
intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor
hmico de la resistencia R es muy pequeo, el condensador se
descargar rpidamente, y en el terminal de B aparecer un impulso
de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador,
sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se
desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del
condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que
puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o
de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con
modificar el valor hmico de la resistencia variable R , ya que de
sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.
CC

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del

generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el
disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad
de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas,
lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza
sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor,
basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra,
lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS.

2.2.- Investigue las caractersticas del DIAC (Construccin, curva

caracterstica corriente en funcin del voltaje, circuitos bsicos de
polarizacin, y aplicaciones como circuitos de disparo de
tiristores).
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre
que se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo).

Smbolo del diac

Estructura interna de un diac

Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos
de unin o de zener.
Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente, solo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo.
El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones
de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de
alrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a un nen.
Los diac son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los
TRIAC, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos
terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza
el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la
referencia.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y
entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo
del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de
potencia mediante control de fase.
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control
de potencia, lo que significa que servir para controlar electrnicamente el
paso de corriente elctrica.
Principio de operacin y curva caracterstica
La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura
NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al
del transistor bipolar.
Debido a la simetrade construccin de este dispositivo, la ruptura puede ser

en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de

voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un
decremento en el voltaje de ruptura
, presentando una regin de
impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta
la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes
muy grandes.

Figura 1. Curva caracterstica del diac

Como se ilustra en la figura
1, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual
no es aplicable el concepto de corriente de sustentacin.
La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con
cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 1
ilustra esta caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente
fluye en una direccin que depende de la polaridad del voltaje en las
terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de

retencin
Fabricacin
La fabricacin de los diacs se basa en unir materiales cristalinos
semiconductores positivados y negativa dos, como el silicio y el
germanio, despus de un tratamiento especfico. Para que los materiales
cristalinos sean semiconductores, se les dopa (introducen su interior) con
partculas negativas o positivas, segn se requiera convertir el cristal
semiconductor en negativo o positivo.
Caractersticas generales y aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la
corriente del TRIAC, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante
una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control
de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin
de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.
La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuitorepre
sentado en la Figura 2, en que la resistencia variable R carga el condensador
C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a
travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le
pone en conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo
positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con
el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC
y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose
un simple pero eficaz control de potencia.

Figura 2. Disparo de un TRIAC mediante un DIAC

Otras diferentes aplicaciones de este dispositivo semiconductor son:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin regulada.

Interruptores estticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo-conversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefaccin.

Controles de fase.

Tipos de DIAC

DIAC de tres capas:

Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de

colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza tensin de avalancha en la
unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas:

Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la

caracterstica bidireccional. Su aplicacin tiene como dispositivo de disparo
bidireccional para el TRIAC.

2.3.- Investigue las caractersticas del PUT (Construccin, curva

caracterstica corriente en funcin del voltaje, circuitos bsicos de
polarizacin, y aplicaciones como circuitos de disparo de
tiristores).
El Transistor de Unin Programable PUT.
Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en
construccin y en modo de operacin. La designacin se ha hecho en base a
que presentan caractersticas tensin-corriente y aplicaciones similares.
Mientras que el UJT es un dispositivo de dos capas, el PUT lo es de cuatro
capas. El trmino programable es usado porque los valores de Rbb, n y Vp
pueden controlarse mediante una red externa. En la figura 7 puede
observarse la conformacin fsica y circuital del PUT.

Figura 1.- Circuito y Representacin del

PUT
Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho
terminal es:

Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb

El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de nodo no

sea superior en el voltaje de polarizacin directa de la juntura pn entre
nodo y compuerta y el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb

La curva tensin-corriente que representa

funcionamiento del PUT es mostrada en la figura 8.

la

caracterstica

de

Figura 1.- Curva Tensin-Corriente del PUT

Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo
cual los niveles de corriente sern muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp,
el dispositivo entrar en conduccin presentando una baja impedancia y por
lo tanto un elevado flujo de corriente. El retiro del nivel aplicado en
compuerta, no llevar al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario
que el nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por
debajo de un valor de mantenimiento I(br).
Aplicaciones
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si inicialmente el
condensador est descargado la tensin Vak ser igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo ste adquiere carga. Cuando se alcanza el nivel Vp de
disparo, el PUT entra en conduccin y se establece una corriente Ip. Luego,
Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el
condensador empieza a descargarse y la tensin Vgk cae prcticamente a
cero. Cuando la tensin en bornes del condensador sea prcticamente cero,
el dispositivo se abre y se regresa a las condiciones inciales. En la figura 3
puede observarse la configuracin circuital para el oscilador.
Funcionamiento de un PUT Transistor Uniunin Programable
Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre
A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor
Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G.
Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, este transistor entrar en
conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA
corriente que atraviesa el transistor) sea reducido de valor. Esto se logra
reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K.
Ejemplo de un oscilador utilizando un PUT
El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de
la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este
momento el transistor se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae
casi hasta 0 (cero) voltios y el transistor se apaga, repitindose otra vez
el proceso(oscilador).

Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G.

La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC.

2.4.- Investigue las caractersticas de los circuitos de disparo

tipo control horizontal y vertical

CONTROL HORIZONTAL
Variamos el instante t en el que VS del circuito desfasador pasa a ser positiva (Fig. 4.11.a)
disparando el SCR, mediante la variacin de R1.

DISEO:
transformador: Para un factor de regulacin dado (10 %) y los datos del problema tensin mx. de
salida en vaco del transformador :

Circuito desfasador: Fijando C (0,1 mF), R1 la hallamos, para un desfase dado:

Circuito de proteccin (circuito de disparo): segn las necesidades de puerta del

SCR - D: de caractersticas poco importantes, elimina los semiciclos negativos de
VS. - VZ > VGT. - Para una IZ supuesta (1 mA) I = IZ + IGT - R2:

Circuito de potencia: vemos que el dispositivo cumple las especificaciones del

diseo. - VRMS (eficaz)

- PAV (media de disipacin): mediante la grfica que nos relaciona esta potencia con
la IT(AV) para un ngulo de conduccin dado (a = 180). - Necesidad del uso de
radiador: calculamos la PAV que el SCR disipa sin radiador, y la comparamos con
PAV obtenida por grficas, si es mayor no lo necesitaremos.

CONTROL VERTICAL Consiste en aplicar, al circuito de mando del tiristor, una seal
alterna desfasada 90 (Fig. 4.12.a) de atraso respecto a la tensin de alimentacin
A-K, (fijando R1) y superpuesta a una tensin continua regulable (V) que variar el
ngulo de disparo. Un circuito tpico es el de la figura 4.12.b.

2.5.- Analizar el funcionamiento del circuito de la Figura 1.

Realizar las grficas de las formas de los voltajes en la carga y el
capacitor.
XSC1
R3
Ext Trig
+

4k

_
B

A
+

R1
8.2k

V1

R4
250k
50 %
Key=A
R2
C1
100nF

8.2k

D1
BT136

220Vpk
1kHz
0

2.6.- Analizar el funcionamiento del circuito de la Figura 2. Realizar las grficas de las formas de los
voltajes en la carga, capacitor 1 y capacitor 2.
XSC1
R3
Ext Trig
+

4k

_
B

A
+

R1
8.2k

V1

R4
D1
BT136

250k
50 %
Key=A
R5
8.2k
C1
100nF

R2
C2 100
100nF

220Vpk
1kHz
0

2.7.- Analizar el funcionamiento del circuito de la Figura 3. Realizar las grficas de las formas de los
voltajes en la carga y el capacitor de 47nF.
XSC1
R3
Ext Trig
+

4k

_
B

A
+

R1
8.2k

V1

R4
D1
BT136

250k
50 %
Key=A
D2

R5
8.2k
C1
100nF

C2
47nF

1N5758

220Vpk
1kHz
0

2.8.- Analizar el funcionamiento del circuito de la Figura 4. Comparar con el circuito de la Figura 3.
XSC1
R2
Ext Trig
+

4k

_
B

A
+

R1
8.2k
R3
D1
BT136

250k
50 %
Key=A
D2

R4
8.2k
C1
100nF

C2
47nF

1N5758

R5
100

C3
47nF

V1
220Vpk
1kHz
0