UNIVERSITE DE MONTPELLIER

POLYTECH MONTPELLIER
3me anne, dpartement Matriaux

Mthodes d'analyse
structurales et chimiques
3me partie :
Microscopies
- Microscopies lectroniques
- Microscopie force atomique

Cours-Matire : MASC

3me

Dpartement : Sciences et Technologie des Matriaux

Obligatoire :
Chimie
Optionnel :
anne
Matriaux

Mathmatiques
Mcanique
Physique
Communication

1er semestre :
2me semestre :

Cours : 9h
TD : 9h
TP : 8h

Nombre total dheures : 26 h

+ Projet commun MASC

Code :

Crdits ECTS :

Enseignant : V. Jourdain

Objectifs

Etudier les diffrents phnomnes d'interaction lectron-matire : diffusion, absorption, mission.

Prsenter les techniques d'analyse structurale l'chelle microscopique et les techniques d'analyse
chimique bases sur l'interaction lectron-matire, en insistant sur l'origine physique des
phnomnes tudis et sur l'interprtation des donnes : Microscopie Electronique
Transmission, Diffraction Electronique, Microscopie Electronique Balayage, Microanalyse par
Sonde Electronique.
Prsenter le principe des microscopies de champ proche, dtailler le principe de la microscopie
force atomique, sa mise en uvre et les diffrents modes dutilisation.
Dfinir les domaines d'application de chaque technique, leurs performances et leurs limites, afin
de pouvoir choisir le (les) technique(s) approprie(s) chaque tude.

Programme, Pr-requis, Ouvrages de rfrence, Contrle des connaissances :

Idem fascicule MASC 1 et MASC 2

Table des matires

Constantes universelles ............................................................................................................................................... 4
Glossaire de termes couramment utiliss en analyse des matriaux............................................................................... 5
MICROSCOPIES ELECTRONIQUES ........................................................................................................................ 6
I. Gnralits sur les lectrons.................................................................................................................................. 6
1.1. Electron libre ................................................................................................................................................ 6
1.2. Electrons dans un atome ................................................................................................................................ 7
II. Interactions lectron - matire ............................................................................................................................. 8
2.1. Les diffrents types dinteractions lectron-matire........................................................................................ 8
2.2. Section efficace, libre parcours moyen et volume dinteraction .....................................................................11
2.3. Spectres dmissions ....................................................................................................................................11
III. Microscope lectronique en transmission ..........................................................................................................13
3.1. Description dun MET .................................................................................................................................13
3.2. Fonctionnement dun MET ..........................................................................................................................16
3.3. Caractristiques et performances dun MET .................................................................................................20
IV. Microscope lectronique balayage ......................................................................................................................22
4.1. Principe .......................................................................................................................................................22
4.2. Description dun microscope lectronique balayage ...................................................................................22
4.3. Modes d'imagerie .........................................................................................................................................23
4.4. Origines du contraste....................................................................................................................................24
4.5. Rsolution....................................................................................................................................................26
4.6. Profondeur de champ ...................................................................................................................................29
4.7. Microscopie pratique....................................................................................................................................29
4.8. Prparation des chantillons .........................................................................................................................31
4.9. Conclusion...................................................................................................................................................31
V. Microanalyse par sonde lectronique ..................................................................................................................32
5.1. Principe .......................................................................................................................................................32
5.2. Description du spectre dmission lectromagntique ...................................................................................32
5.3. Appareillage ................................................................................................................................................33
5.4. Microanalyse qualitative ..............................................................................................................................33
5.5. Microanalyse quantitative ............................................................................................................................34
MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ...................................................................................................................37
I. Gnralits sur les microscopies en champ proche ...............................................................................................37
II. Microscopie force atomique.............................................................................................................................39
2.1. Forces interatomiques ..................................................................................................................................39
2.2. Principe de lAFM .......................................................................................................................................40
2.3. Mise en uvre .............................................................................................................................................40
2.4. Modes de fonctionnement ............................................................................................................................42
2.5. Performances ...............................................................................................................................................45
TD Interactions lectrons - matire .........................................................................................................................47
TD Canons lectrons.............................................................................................................................................50
TD Microscopie lectronique en transmission ..........................................................................................................51
TD Diffraction lectronique .....................................................................................................................................52
TD Microscopie lectronique balayage ..................................................................................................................53
TD Microanalyse par sonde lectronique .................................................................................................................56

Constantes universelles
NA = 6,022.1023 mol1
8

-1

c = 2,997925.10 m.s
-19

e = 1,602.10

C
-34

h = 6,626.10

-15

J.s = 4,136.10
-23

k = 1,3806.10

eV.s

-1

-5

-1

J.K = 8,618.10 eV.K

-31

m lectron au repos = 9,109.10

kg

-27

m proton au repos = 1,673.10

kg

-19

1 eV = 1,602.10

Valeur de kT 300K = 26 meV

Glossaire de termes couramment utiliss en analyse des matriaux

"Ce qui se conoit bien s'nonce clairement et les mots pour le dire arrivent aisment.", Nicolas Boileau.
"Il nous faut peu de mots pour exprimer lessentiel; il nous faut tous les mots pour le rendre rel.", Paul Eluard.
Rayonnement : Les rayonnements utiliss en analyse des matriaux (photons, lectrons, neutrons) peuvent
tre dcrits soit comme des ondes, soit comme des particules selon le formalisme utilis. On parle de la dualit
onde-particule des rayonnements. Une onde est caractrise par son amplitude, sa frquence et sa longueur
donde; lintensit dune onde est gale au carr du module de son amplitude complexe. Lnergie dune
particule est son nergie cintique et dpend de sa vitesse. Un faisceau de particules est caractris par son flux
(qui correspond aussi lintensit du rayonnement) et par la distribution en nergie de ses particules. Si toutes
les particules ont la mme nergie, on parle de rayonnement monochromatique, sinon de rayonnement
polychromatique. La dualit onde-particule sexprime par des relations entre lnergie de la particule et la
longueur donde du rayonnement qui diffrent selon la nature du rayonnement (lectron, photon, neutron).
Interaction : Linteraction des rayonnements avec la matire peut donner lieu diffrents phnomnes
lchelle atomique ou molculaire (absorption, diffusion, mission) avec une probabilit qui dpend du type
de phnomne, de la nature du rayonnement, du matriau et des conditions exprimentales. La probabilit
dinteraction est traduite par une grandeur appele section efficace dinteraction.
Diffusion : La diffusion est le phnomne par lequel un rayonnement est dvi dans de multiples directions
par interaction avec la matire. La diffusion est dite lastique si le rayonnement diffus est de mme nergie
que le rayonnement incident. Sinon, on parle de diffusion inlastique.
Diffraction : La diffraction est un cas particulier de diffusion lastique et cohrente par des structures
ordonnes (comme des cristaux). "Cohrente" signifie que les ondes diffuses sont en cohrence de phase.
Ainsi, leurs amplitudes peuvent sajouter par interfrences constructives. Le phnomne de diffraction se
manifeste par une figure de diffusion prsentant des extrema dintensit dans des directions discrtes. Un
diffractogramme donne lintensit de rayonnement diffus en fonction dune coordonne spatiale (angle,
distance ou distance inverse). Linstrument utilis pour lacquisition dun diffractogramme est un
diffractomtre et il permet des tudes de dtermination structurale.
Fluorescence : La fluorescence (ou photoluminescence) est le phnomne dmission de lumire par la matire
lorsque celle-ci est excite par des photons. La phosphorescence se distingue de la fluorescence par le fait que
lmission de lumire nest pas instantane mais perdure pendant un certain temps.
Spectroscopie : Spectroscopie signifie littralement "observation en fonction de la frquence". Les techniques
de spectroscopie ont toutes pour point commun d'tudier la variation de lintensit dun rayonnement en
fonction de la frquence, de l'nergie ou de la longueur d'onde. Du fait de la dualit onde-particule, ces trois
grandeurs sont quivalentes. Lappareil de mesure est un spectromtre et la figure obtenue est un spectre.
Analyse chimique (lmentaire) : Une mthode danalyse chimique (lmentaire) est une mthode permettant
de dterminer la composition chimique dun chantillon. Elle est notamment caractrise par la prcision de
ses mesures (cest--dire lincertitude qui est attache au rsultat) et sa limite de dtection (cest--dire la plus
petite quantit qui peut tre dtecte avec une confiance suffisante). Si la prcision est grande, on parle
danalyse quantitative. Si elle est faible, on parle seulement danalyse qualitative.
Microscopie : Microscopie signifie littralement "observation l'chelle micromtrique". Les techniques de
microscopie ont pour point commun la formation d'une image (ou micrographe). Le contraste de limage
rsulte de la diffrence d'absorption, de rflexion, de diffusion et/ou de transmission entre points de
l'chantillon. Une technique de microscopie est en particulier caractrise par son pouvoir de rsolution, cest-dire la distance minimale entre deux points contigus pour qu'ils soient correctement discerns avec le
microscope.

MICROSCOPIES ELECTRONIQUES
Le premier microscope lectronique, et les premires expriences de diffraction lectronique,
datent de 1930 mais son inventeur, Ernst Ruska, ne reut le prix Nobel de physique quen 1986 prs
de 80 ans. Le prix fut partag avec les inventeurs du microscope champ proche (Heinrich Rohrer et
Gerd Binnig).

Figure 1. a) Max Knoll ( gauche) et Ernst Ruska ( droite) travaillant llaboration du premier
microscope lectronique. b) Ernst Ruska, prix Nobel de Physique 1986.
I. Gnralits sur les lectrons
1.1. Electron libre
Les lectrons, contrairement aux photons, sont des particules massives (masse au repos m0
= 9,1095.10-31 kg) et charges (charge -e = -1,6.10-19 C). Lnergie dun lectron libre nest pas
quantifie, elle dpend uniquement de sa vitesse v. Plus un lectron est acclr, plus son nergie
augmente. Par exemple, si un lectron (charge -e) est plac dans un champ lectrique, il est acclr
dans le sens des potentiels croissants et acquiert lnergie supplmentaire E = eV o V est la variation
de potentiel lectrique.
Pour quantifier lnergie dun lectron, on utilise frquemment lunit pratique de llectronvolt (eV). 1 eV quivaut 1,602.10-19 Joule. Par la relation prcdente, on dduit facilement quun
lectron soumis une tension dacclration de x volts acquiert une nergie supplmentaire de
x lectron-volts (i.e. mme valeur numrique exprime en eV).
On spare gnralement les lectrons en deux catgories : les lectrons de haute nergie (de
10 1000 keV) utiliss pour la diffraction, la microscopie et la microanalyse chimique, et ceux de
basse nergie (de 10 1000 eV) utiliss pour ltude des surfaces.
Pour des nergies cintiques suprieures 100 keV, les lectrons doivent tre considrs
comme des particules relativistes car leur masse dpend alors significativement de leur vitesse selon
m0
la relation : m =
o c est la vitesse de la lumire dans le vide (c = 2,99.108 m.s-1)
2
v
1- 2
c
Comme toute particule lmentaire, llectron prsente en plus de sa nature corpusculaire une
nature ondulatoire. Londe associe un lectron a une longueur donde donne par la relation de
De Broglie :

l=

h
h
=
p mv

o h est la constante de Planck (h = 6,626.10-34 J.s = 4,136.10-15 eV.s)

En utilisant la conservation de lnergie et en remplaant les constantes par leurs valeurs

numriques (cf. annexe p. 36), on arrive la relation pratique entre longueur donde l et tension
dacclration V0 :

l=

12, 26

avec l en et V0 en V !!!

V0 (1 + 0,979.10 -6V0 )

ou la relation simplifie :

l=

12,26
V0

si V0 < 100 kV !!! (i.e. sans correction relativiste)

AN : l vaut 0,0548 pour V0 = 50 kV, 0,037 pour V0 = 100 kV, 0,00867 pour V0 = 1 MV.
NB : Cette relation nest valable QUE pour les lectrons (PAS pour les photons).
1.2. Electrons dans un atome
Dans un atome, les lectrons sont localiss dans des orbitales qui constituent le nuage
lectronique. Lnergie dun lectron dans une orbitale donne a une valeur prcise qui ne dpend
que du type dorbitale et de llment atomique considr. On dit que lnergie est quantifie et on
parle de niveaux dnergie.
La grandeur couramment utilise pour quantifier lnergie dun niveau lectronique est
lnergie de liaison (sous-entendu de llectron latome ), parfois aussi appele nergie
dionisation. Lnergie de liaison correspond lnergie quil faut fournir pour arracher llectron
son orbitale et lloigner linfini. Les nergies de liaison pour chaque lment et chaque orbitale
sont donnes dans des tables (Table 1). Voir aussi fascicule MASC1 sur le mme sujet.

Table 1. Energie de liaison des lectrons dans chaque niveau lectronique de diffrents lments.
Les valeurs sont donnes en eV.

II. Interactions lectron - matire

2.1. Les diffrents types dinteractions lectron-matire
Lorsquun faisceau incident dlectrons libres rencontre un chantillon, plusieurs phnomnes
peuvent avoir lieu. On distingue trois types dinteraction entre lectron et matire : la diffusion
lastique, la diffusion inlastique et linteraction de freinage.
Diffusion lastique
A des distances grandes devant le rayon de latome (> 1 nm), llectron incident ressent le
potentiel lectrostatique de latome dans son ensemble (Figure 2). Llectron est dvi mais lnergie
transfre entre llectron et latome reste trs faible (mais pas nulle) du fait de la trs grande
diffrence de masse. On parle dun choc lastique, cest--dire sans transfert dnergie. Aprs
interaction, llectron conserve la mme nergie et donc la mme longueur donde.
k
k0

Masse m
nergie E0

Masse M

Figure 2 : Diffusion lastique dun lectron par un atome.

Question : Si tous les lectrons diffuss de manire lastique par un chantillon possdent la
mme longueur donde, quel phnomne peut se produire entre eux? Connaissez-vous un autre
rayonnement donnant lieu au mme phnomne ? Quelle est lapplication de ce phnomne
ltude des matriaux?
La faible nergie cintique transfre latome peut cependant avoir certaines
consquences sur lchantillon. Pour des transferts dnergie infrieurs 0,1 eV, lamplitude de
vibration des atomes augmente (il y a chauffement). Pour des transferts de 3 5 eV, il y a possibilit
de rupture de liaisons chimiques. Pour des transferts suprieurs 10 eV, les atomes peuvent tre
dplacs de leur site, crant ainsi des lacunes et des atomes dans des sites interstitiels. Ce dernier
phnomne se produit si l'nergie transfre est suprieure au seuil de dplacement atomique Edpl
qui dpend de la nature du matriau (exemple : Edpl = 12-30 eV pour Ge).
Diffusion inlastique
A des distances de lordre du rayon de latome, llectron incident peut interagir directement
avec un lectron du nuage lectronique de latome (Figure 3). Etant donn la similitude des masses,
le transfert dnergie peut tre grand. Aprs le choc, llectron incident est dvi et a perdu une partie
de son nergie cintique : il est appel lectron diffus (de manire inlastique).
Llectron du nuage lectronique est le plus souvent ject de latome aprs le choc : il est
appel lectron secondaire. Son nergie cintique est variable et dpend de lnergie transfre par
llectron incident.
Latome se retrouve avec un lectron en moins, cest--dire avec une lacune sur une orbitale
lectronique prcdemment occupe. On parle datome ionis et cette premire tape est appele
8

ionisation. Contrairement linteraction lastique, la structure interne et donc lnergie interne de

latome sont ici modifies par linteraction.
Cet tat ionis de latome est un tat excit gnralement instable. Les lectrons du nuage
lectronique de latome vont se rorganiser pour atteindre un tat plus stable (i.e. de moindre nergie).
Cest ltape de dsexcitation (cf. figure 3). Il y a transition dun lectron dun niveau lectronique
plus lev (niveau Y) vers la lacune (niveau X). Ce phnomne peut se produire en cascade. La
diminution dnergie de latome est gale la diffrence dnergie entre le niveau lectronique initial
et le niveau lectronique final. Le surplus dnergie est libr sous forme dun photon dont lnergie
vaut :
E Photon = WX WY
Lnergie du photon est donc quantifie et caractristique de llment metteur. Compte
tenu des valeurs typiques des nergies de liaison (cf. Table 1), lnergie du photon mis est
gnralement mis dans le domaine des rayons X (par dfinition, les rayons X 1 sont les photons
dnergie comprise entre ~10 eV et 105 eV).
Avant de quitter latome, le photon X peut disparatre par interaction avec un autre lectron
du nuage (niveau Z, gnralement dune couche superficielle) et provoquer son jection : cest le
processus Auger et llectron mis est appel lectron Auger. Son nergie vaut :
E Auger = E Photon WZ e = WX WY WZ e
o WX, WY, WZ sont les nergies de liaisons des niveaux X, Y et Z et e est le travail de sortie de
llectron du solide (de lordre de quelques eV). Lnergie de llectron Auger est donc aussi
quantifie et caractristique de llment metteur.
Le photon X et llectron Auger sont appels rayonnements secondaires de dsexcitation.

Figure 3 : Diffusion inlastique dun lectron par un atome suivi de la dsexcitation de latome ionis.

Question : Le phnomne de diffusion inlastique dun lectron par un latome suivi de la

dsexcitation de latome ionis est-il semblable un autre phnomne que vous connaissez dj ?
Quelle est la seule distinction entre les deux ? Quelle est lapplication de ces phnomnes ltude
des matriaux ?
For brevity's sake, I shall use the expression "rays," and to distinguish them from others of this
name, I shall call them "X-rays". - Wilhelm Rntgen (1845-1923), dcouvreur des rayons X, sur
lorigine de leur nom.
1

 Interaction de freinage
Si llectron incident passe proximit du noyau de latome, il ressent essentiellement le
potentiel lectrique cr par le noyau charg positivement. Llectron est alors dvi mais aussi frein
(Figure 4). La perte dnergie de llectron incident nest pas quantifie et peut tre grande : de
presque zro toute lnergie de llectron incident. Lnergie perdue par llectron est intgralement
mise sous forme dun photon, dit photon de freinage. Son nergie vaut :
E Photon de freinage = E initiale lectron E finale lectron
Lnergie du photon mis ne peut videmment pas dpasser lnergie initiale de llectron
incident. Quant latome, son nergie reste inchange puisque sa structure interne nest pas modifie.

Figure 4 : Interaction de freinage entre un lectron et le potentiel lectrostatique du noyau atomique.

Question : Observe-t-on une interaction de freinage dans le cas dun faisceau incident de rayons
X ? Expliquez.
Rsum
Lensemble des rayonnements mis suite linteraction lectron-matire est rsum figure 5.
Rayonnements secondaires dnergie
quantifie :
Photons X (spectroscopie EDXS)
e- Auger (spectroscopie Auger)

e- absorbs
(effets de charge en MEB)

e- diffuss lastiques
(imagerie MET, diffraction
lectronique) ; aussi appels ertrodiffuss si diffuss plus
de 90 (imagerie MEB)

e- incidents

Rayonnements secondaires dnergie nonquantifie :

e- secondaires (imagerie MEB)
rayonnement X de freinage
(fond continu en EDXS)

Volume de propagation des e(volume explor par les e-)

ECHANTILLON

e- diffuss inlastiques
(spectroscopie EELS)
e- transmis sans interaction
(imagerie MET)

Figure 5 : Rayonnements mis par interaction lectronmatire et leurs applications.

10

2.2. Section efficace, libre parcours moyen et volume dinteraction

A chaque interaction avec un atome, llectron est dvi et il peut perdre de lnergie (en
particulier dans le cas des interactions inlastique et de freinage). Dans la matire, llectron incident
a donc une trajectoire en ligne brise (figure 6b). Un lectron incident aura une certaine probabilit
de ressortir par une des faces de lchantillon ou de sarrter en un point du solide si son nergie
cintique finit par sannuler. Le volume total de matire explor par les lectrons incidents sous la
face dentre est appel volume de propagation des lectrons ou volume dinteraction (figures 5 et
6b).
La probabilit dinteraction des lectrons avec les atomes via les trois phnomnes dcrits cidessus est trs grande et notamment beaucoup plus grande que dans le cas des rayons X. Ceci est
illustr par des valeurs de libre parcours moyen beaucoup plus faibles dans le cas des lectrons que
dans le cas des rayons X. Le libre parcours moyen est la distance moyenne parcourue par un lectron
entre deux interactions avec un atome. Le libre parcours moyen dpend videmment de la nature du
matriau travers. La figure 6a compare les libres parcours moyens des lectrons et des rayons X dans
laluminium en fonction de leur nergie. On note que le libre parcours moyen des lectrons est de
lordre du nanomtre alors que celui des rayons X est de lordre du micron.
a)

Libre parcours moyen

(dans laluminium)

b)

nergie (eV)

Figure 6 : a) Libre parcours moyen pour les lectrons et les rayons X dans Al. b) Trajectoires et volume de propagation
des lectrons dans un matriau irradi par un faisceau dlectrons.

Un autre terme utilis pour traduire la probabilit dinteraction est la section efficace
dinteraction, cest--dire essentiellement de diffusion dans le cas des lectrons. La section efficace
de diffusion s est gale au rapport de lintensit diffuse sur lintensit incidente rapporte lunit
de surface s0. La section efficace a donc les dimensions dune surface.

s
I
=
s 0 I0
Dans le cas des lectrons, la forte section efficace de diffusion entrane une rapide diminution
dintensit et dnergie du faisceau dlectrons au cours de la traverse dun chantillon. Du fait de
la forte section efficace dinteraction entre lectron et atomes, maintenir un faisceau dlectrons
ncessite donc de travailler sous vide.
La section efficace dinteraction s et le libre parcours moyen l sont relis par la relation :
l.s.N(V) = 1
o N(V) est le nombre datomes par unit de volume.
2.3. Spectres dmissions
Lorsque quun matriau est irradi par un faisceau dlectrons, il met diffrents rayonnement
(lectrons, photons) rsums en figure 5. On sintresse ici lnergie des rayonnements mis, cest-dire au spectre dmission. Lallure gnrale du spectre dmissions lectroniques est donne en
11

figure 7a (en fonction de lnergie) et celle du spectre dmissions lectromagntiques (photons) est
donne en figure 7b (en fonction de la longueur donde). Le faisceau incident est monochromatique,
cest--dire que les lectrons incidents ont tous la mme nergie E0.
Spectre dmissions lectroniques
On retrouve dans le spectre chacun des rayonnements lectroniques introduits prcdemment.
On observe un pic fin et intense lnergie E0 des lectrons incidents appel pic lastique et qui
correspond la fois aux lectrons transmis sans interaction et aux lectrons diffuss de manire
lastique (donc sans presque aucune perte dnergie). Les lectrons secondaires donnent lieu un
spectre large centr autour de 50 eV. On observe en plus les pics dmission des lectrons Auger et
les pics correspondant aux lectrons diffuss de manire inlastique.
Spectre dmissions lectromagntiques
On observe un fond continu de freinage limit par une valeur minimale de longueur donde
l0. La valeur de l0 correspond au cas limite o toute lnergie de llectron incident E0 a t transfre
un photon de freinage. On observe superposes ce fond de fines raies dmissions X de
dsexcitation dont les nergies sont caractristiques des lments prsents dans lchantillon.
Energie
I

Pic lastique

Electrons
secondaires

Photons X
secondaires

Pertes plasmon
Electrons Auger
Electrons
inlastiques

50 eV

Fond continu de freinage

E0

l0
a) Emissions lectroniques

b) Emissions lectromagntiques

Figure 7 : Allures gnrales des spectres dmissions lectroniques (a) et lectromagntiques (b) dun matriau soumis
un faisceau monochromatique dlectrons dnergie E0. Attention : le spectre dmission lectronique est gradu en
nergie tandis que celui dmission lectromagntique est gradu en longueur donde.

Chacun des rayonnements mis suite aux interactions entre lectrons incidents et matire peut
tre utilis pour caractriser la structure, la composition ou les proprits du matriau irradi.
Question : Pourquoi le massif des lectrons secondaires est-il aussi large et faible nergie
(environ 50 eV) dans la figure 7a ?
-

12

III. Microscope lectronique en transmission

Dans un microscope lectronique transmission (MET ou TEM pour Transmission
Electron Microscope), on utilise un faisceau dlectrons rapides (nergie comprise entre 80 keV et 1
MeV) pour clairer une lame mince du matriau analyser. Les lectrons transmis sont utiliss
pour former une image de la structure interne du matriau. Limage est forme simultanment par un
systme de lentilles lectromagntiques : limage est dite stigmatique.2 Le MET se distingue du
microscope optique par un grandissement trs lev (jusqu' quelques millions de fois), par une
grande profondeur de champ et par une rsolution atomique ou quasi-atomique.
En complment du mode image, le MET permet dobtenir des clichs de diffraction
lectronique renseignant sur la structure cristalline du matriau. Des dtecteurs pour lanalyse des
lectrons diffuss de manire inlastique et des photons X secondaires peuvent galement tre utiliss
pour une analyse locale de la composition chimique.
3.1. Description dun MET
Nous allons dcrire un MET en suivant le parcours des lectrons dans la colonne du
microscope (Figure 8a). Lensemble de ces lments appel colonne optique est plac sous vide.
a)

b)

c)

Les deux configurations dun MET :

b) mode image : diaphragme de contraste dans le plan focal image, A'B'
conjugue de A1B1
c) mode diffraction : diaphragme de slection d'aire dans le plan image,
pas de diaphragme de contraste, A'B' conjugue du plan focal image de
l'objectif
Figure 8 : a) Schma dun microscope lectronique transmission. b) Configurations pour les deux modes de
fonctionnement dun MET : mode image et mode diffraction.

1 Le canon lectrons. Cest l que des lectrons sont librs de la matire, focaliss et acclrs
lnergie dsire pour former un faisceau. On distingue deux types de canons lectrons:

Dfinition du stigmatisme en optique classique : tous les rayons issus dun point A de lobjet
convergent en un unique point A de limage aprs avoir travers le systme optique ; A et A sont
dit conjugus .
13

 mission thermo-ionique (mission chaude) : la source dlectrons (cathode) est constitue par
un filament de tungstne ou de LaB6 chauff par effet Joule (2900 K pour W, 1900 K pour LaB6). Par
effet thermo-ionique (cf. transparents de cours), des lectrons sont produits au voisinage de la surface.
LaB6 permet une mission thermo-ionique plus importante mais requiert un vide plus pouss pour
prvenir son oxydation (10-6-10-7 torr, au lieu de 10-4-10-6 Torr pour W). Une pice mtallique perce
dun trou (wehnelt) et porte un potentiel infrieur celui du filament, sert repousser les lectrons
sur laxe optique. Leur trajectoire sy coupe en un point appel cross-over, qui constitue le point
source des lectrons pour tout le reste du systme de lentilles. Le diamtre du cross-over est de lordre
de 30 100 m pour un filament de W et de 5 50 m pour un filament de LaB6.
mission de champ (mission froide): les lectrons sont extraits temprature ambiante par effet
tunnel (cf. transparents de cours) en appliquant un champ lectrique lev (V = 100 - 3000 V) une
fine pointe de tungstne (rayon de courbure de quelques dizaines de nm). Un vide de 10-9-10-10 torr
est ncessaire pour assurer un bon tat de surface de la pointe. La brillance (intensit mise par unit
de surface de la cathode et par unit d'angle solide, exprime en A.m-2.sr-1) est 104 fois plus leve et
le diamtre du cross-over 104 105 fois plus faible (de 2 30 nm) que pour un filament de tungstne
mission thermo-ionique.
Sous la source des lectrons, est place une cathode prsentant une diffrence de potentiel V
(de 100 kV 1 MV) avec la source. Elle permet dacclrer les lectrons. V est appele tension
dacclration : cest une caractristique importante dun MET, elle dfinit lnergie cintique (et
donc la longueur donde) des lectrons du faisceau. La dispersion en nergie des lectrons est de
lordre de 1 eV pour une source thermo-ionique et de 0,2 eV pour un canon mission de champ.
2 Les lentilles condenseurs. Sous le canon se trouvent les lentilles condenseurs (ensemble de
lentilles lectromagntiques, deux en gnral) qui permettent lutilisateur d'ajuster la largeur du
faisceau sur lchantillon. Selon les applications, les condenseurs peuvent former des faisceaux
parallles ou convergents.
Fonctionnement dune lentille lectromagntique :
Une lentille lectromagntique est constitue d'un bobinage de fil conducteur enroul sur un circuit
de fer doux (figure 9). L'ensemble a le mme axe de rvolution que le faisceau lectronique. Les
lignes de champ magntique sont principalement parallles l'axe du microscope mais il y a
galement une lgre composante radiale. D'aprs la loi de Lorentz, l'lectron de vitesse v se dplaant
en prsence d'un champ B subit une force F=-e(v^B). Si l'on considre des lectrons qui se propagent
selon les gnratrices d'un cylindre, la composante radiale BR du champ exerce une force horizontale
tangente au cylindre qui provoque une rotation des lectrons le long de la surface du cylindre. Sur
cette nouvelle trajectoire, l'lectron subit la composante tangentielle Bz qui l'attire vers laxe de la
lentille. Lensemble rsulte en une trajectoire hlicodale de llectron telle quillustre figure 9. On
peut associer la lentille une distance focale f (ou une convergence 1/f) donne par la relation :

1
K
=
f
E0

B dz
2
z

entrefer

Figure 9 : Schma dune lentille lectromagntique

Comme les lentilles optiques, les lentilles lectromagntiques prsentent des aberrations qui
entranent une dformation de limage de chaque point et limitent la rsolution du microscope.
14

 aberration sphrique : la distance focale varie avec linclinaison des rayons par rapport
laxe optique,
astigmatisme: la distance focale varie selon le plan dincidence sur la lentille. Le problme
rsulte dune symtrie de rvolution imparfaite de la lentille. Il peut tre corrig avec une deuxime
lentille rglable.
aberration chromatique : la distance focale varie selon l'nergie des lectrons. Le problme
est intrinsque ce type de lentilles comme montr par la relation en figure 9.
Les deux principales diffrences avec les lentilles optiques sont que i) les lectrons suivent
une trajectoire hlicodale et ii) que la distance focale peut tre ajuste volont en faisant varier le
courant dans la lentille (cf. relation figure 9).
3 Echantillon. Lchantillon est plac dans un porte-objet situ sous les lentilles condenseurs. Il
doit comporter des zones suffisamment minces pour tre observables en transmission. Cela ncessite
en gnral une prparation de lchantillon : amincissement dans le cas de matriaux massifs ou dpt
sur des membranes transparents aux lectrons (ex : film de carbone amorphe de quelques nm
dpaisseur) dans le cas de particules de taille nano ou micromtrique.
4 Lentille objectif. Cest la premire lentille former une image intermdiaire agrandie de lobjet.
Elle doit prsenter le moins daberrations possibles car toute distorsion introduite son niveau sera
accentue par les lentilles suivantes. Les caractristiques de la lentille objectif constituent les
paramtres cls dterminant les performances du microscope.
Une proprit importante dune lentille est que tous les faisceaux parallles arrivant sur la
lentille sont focaliss en un mme point du plan focal image (cf. figure 8b). Dans un MET, un
diaphragme (trou circulaire), appel diaphragme de contraste, est plac dans le plan focal image de
la lentille objectif. En mode image, il slectionne les faisceaux participant la formation de limage
finale (cf. 3.2. Fonctionnement).
Limage de lchantillon par la lentille objectif se trouve dans le plan image, conjugu du plan
objet (chantillon). En mode diffraction, on place dans le plan image un diaphragme de slection
daire qui permet de slectionner la zone de lchantillon participant la formation du
diffractogramme (cf. 3.2. Fonctionnement).
5 Lentilles de projection. Ce sont aussi des lentilles lectromagntiques. Elles servent agrandir
limage intermdiaire forme par la lentille objectif ( zoom ) et la projeter sur lcran
dobservation. En mode image, le systme de projection conjugue lcran avec le plan image de
lobjectif (figure 8b). En mode diffraction, il conjugue lcran avec le plan focal image de lobjectif
(figure 8c) (cf. 3.2. Fonctionnement).
6 Systme de visualisation et danalyse. Un cran fluorescent est plac dans le plan image du
systme de projection. Il peut tre escamot pour enregistrer limage sur plaque photographique ou
camera CCD, ou pour analyser le spectre dnergie des lectrons ayant travers lchantillon (pertes
dnergie par diffusion inlastique).
Question : Pourquoi lchantillon doit il tre trs fin en MET au contraire de la microscopie
optique ? A votre avis, de quel ordre doit tre lpaisseur dun chantillon pour tre observ en MET ?
Expliquez. Question annexe : pourquoi doit-on travailler sous vide en MET ?
-

15

3.2. Fonctionnement dun MET

Les deux principaux modes de fonctionnement dun MET sont le mode image et le mode
diffraction. Ce dernier permet dassocier aux clichs de microscopie lectronique une analyse trs
locale de la structure cristalline.
3.2.1 - Mode diffraction
Cette partie ncessite des pr-requis sur la diffraction dvelopps en cours de MASC 1 : loi
de Bragg dcrivant la diffraction dun rayonnement monochromatique par les cristaux, condition de
Laue ainsi que son quivalent gomtrique, la construction dEwald.
a) Gnralits sur la diffraction lectronique
Les lectrons sont des particules charges dont les trajectoires sont sensibles au potentiel
lectrique interne du cristal. Dans le cas des lectrons, le facteur de diffusion atomique dcrot trs
rapidement avec langle de diffusion car le potentiel dinteraction est longue porte : la diffusion
lastique et la figure de diffraction lectronique sont donc concentres aux petits angles. Ceci a pour
consquence que les plans cristallins participant au diffractogramme forment un angle trs
faible avec laxe du faisceau incident : ils sont quasiment parallles laxe du faisceau ; on dit que
les plans diffractants sont en axe de zone.
Il en suit quil faut travailler avec des lectrons de longueur donde trs infrieure aux
distances rticulaires pour satisfaire la relation de Bragg, nl = 2d sinq. Par exemple, on produit des
lectrons de longueur donde l de 0,037 ( comparer aux distances rticulaires de lordre de 1 )
en utilisant une tension dacclration de 100 kV. Dans lespace rciproque, il en rsulte que la sphre
dEwald (dont le rayon est par dfinition proportionnel 1/l) est trs grande par rapport aux vecteurs
du rseau rciproque (dont les normes sont par dfinition proportionnelles 1/dhkl) (figure 10a).
De plus, les sections efficaces de diffusion tant trs grandes pour les lectrons, le libre
parcours moyen dun lectron dans un solide (ou un liquide) est trs faible (de lordre de la dizaine
de nm). Les analyses par diffraction lectronique sont donc rserves aux lames minces. La trs
faible paisseur des chantillons entrane un allongement important des nuds du rseau rciproque
selon la direction de faible paisseur (cf. p.19 du cours MASC1). Les nuds tant plus larges, on
observe un relchement des conditions de diffraction (figure 10a).
Si on regarde les directions de diffraction donnes par lintersection entre la sphre dEwald
et les nuds du RR, on observe donc que le clich de diffraction lectronique reprsente ici une
section quasi-plane du rseau rciproque (figure 10a) : on visualise directement le rseau
rciproque sans distorsion due la projection.
NB : La courbure de la sphre dEwald est cependant mise en vidence si on peut obtenir le
diagramme de diffraction dans son ensemble et pas seulement sa partie centrale. En effet, la sphre
dEwald peut intercepter diffrents plans du rseau rciproque (Figure 10e), ce qui revient dire
que la loi de Bragg (n.l = 2.d.sinq) peut tre satisfaite lordre n = 1 mais aussi lordre n = 2, 3,
etc.... Le diagramme de diffraction total ressemble donc une cible o chaque anneau correspond
lintersection entre la sphre dEwald et les nuds dun plan du rseau rciproque. Ces zones sont
appeles zones de Laue. Les diamtres des zones de Laue renseignent sur lpaisseur de lchantillon
et la distance entre nuds du rseau direct.

16

Cristal
(lame mince)

Cristal
(lame mince)

(e)

Sphre
dEwald
Rseau
rciproque
(3 plans
seulement sont
reprsents)

Sphre
dEwald
Rseau
rciproque

Figure de
diffraction
(chaque zone de
Laue correspond
lintersection
de la sphre
dEwald avec un
plan diffrent du
RR)

Figure de
diffraction
(ZL0)

Figure 10. a) Diffraction lectronique suivant un axe de zone [001] d'un cristal cubique. Les rflexions observes sont du
type hk0. a) Diffraction par transmission sur une lame mince. b) Diffraction par rflexion sur un cristal pais. c)
Diffraction par une surface plane. d) Diffraction par une asprit. e) Formation des zones de Laue.

Pour un chantillon de poudre cristalline (grand nombre de cristallites dorientations

alatoires), les nuds du RR quivalent correspondent des sphres concentriques. Le
diffractogramme, donn par lintersection de la SE avec cet ensemble de sphres concentriques, est
donc un ensemble danneaux concentriques (Figure 11).
Monocristal de Cr2O3

a)

b)

Echantillon polycristallin de Cr2O3

Figure 11. a) Formation d'un diagramme d'anneaux concentriques dans le case de la diffraction par une poudre.
Interprtation partir de la sphre d'Ewald. Cas d'un anneau (hkl) d'ordre 3. b) Diffractogrammes dun monocristal de
Cr2O3 et dun chantillon polycristallin de Cr2O3. Remarquez en particulier quon obtient le diffractogramme de
lchantillon polycristallin par rotation du diffractogramme du monocristal autour du centre.

17

b) Mise en oeuvre dans un MET

Si on revient un monocristal, les faisceaux diffracts un certain ordre par une famille de
plans (hkl) ressortent de lchantillon tous parallles entre eux. La lentille objectif les fait tous
converger en un mme point not T(hkl) du plan focal image. Chaque point T(hkl) correspond donc
une rflexion par une famille de plans rticulaires (hkl) donns. En dautres termes, la lentille
objectif forme une image du diffractogramme dans son plan focal image. Pour obtenir une image
du diffractogramme sur lcran dobservation, il suffit alors de conjuguer lcran dobservation avec
le plan focal image de la lentille objectif au moyen des lentilles de projection (Figures 4b et 7b,c). En
mode diffraction, on enlve le diaphragme de contraste plac dans le plan focal image afin de laisser
passer toutes les rflexions et pas uniquement la rflexion centrale (000) (cf. mode image).
On peut dlimiter la zone de lchantillon dont on souhaite obtenir le diffractogramme, en
plaant le diaphragme de slection d'aire dans le plan image de la lentille objectif, autour de limage
de la zone dintrt. On ne forme ainsi le diffractogramme final qu partir des faisceaux diffracts
provenant de cette zone. On obtiendrait le mme rsultat en plaant un diaphragme sur lobjet luimme mais limage par lobjectif tant nettement agrandie, il est plus ais de slectionner les
faisceaux dans le plan image.
Du fait de lnergie leve des lectrons utiliss dans un MET, cette technique est nomme
diffraction des lectrons rapides ou High-Energy Electron Diffraction (HEED).
Note 1 Choix de la constante s2 du RR: Pour linterprtation dun diffractogramme, il est pratique
de choisir la constante arbitraire s2 du rseau rciproque gale Rl (o R est le rayon de la sphre
dEwald et l la longueur donde des lectrons). Cela correspond prendre une sphre dEwald de
rayon R gal la distance L entre lchantillon et lcran dobservation. Comme la distance L dpend
du rglage des lentilles, on dtermine exprimentalement la valeur effective de L en passant un cristal
de structure connue dans les mmes conditions (tape de calibration, cf. TD).
Note 2 - Diffraction des lectrons lents (Low-Energy Electron Diffraction, LEED). Cette technique
est rserve ltude de la structure des surfaces cristallines avec des appareils spcialiss. Le
rseau cristallin de surface est un rseau 2D o les plans sont dfinis par deux indices (hk). Comme
lpaisseur tudie est trs faible (de lordre de quelques plans atomiques), il y a relchement complet
des conditions de diffraction dans la direction perpendiculaire la surface. Les nuds du rseau
rciproque sont des droites perpendiculaires la surface du cristal. Les applications sont ltude de
la structure de la surface dun cristal ou de couches molculaires adsorbes.
Question : Pourquoi le RR dune poudre de cristaux est-il un ensemble concentrique de sphres ?
A quoi correspond chaque sphre ?
3.2.2 Mode image
Du fait de la faible paisseur des chantillons, le contraste dabsorption est ngligeable en
MET contrairement la microscopie optique. Dans un MET, la formation des images rsulte
essentiellement dun contraste de diffusion, cest--dire de diffrences de pouvoirs diffusants entre
points de lchantillon. Pour un observateur situ une certaine distance dun cran transparent
clair par larrire, les points les plus diffusants sont ceux qui lui apparaissent comme les moins
intenses. Les choses se compliquent un peu si on rajoute une lentille (la lentille objectif) entre lcran
(lchantillon) et lobservateur puisque la lentille refocalise les rayons diffuss par un point A
lchantillon en un mme point A du plan image. Si aucun faisceau nest perdu, il en rsulte une
intensit uniforme dans tout le plan image quelque soit le pouvoir de diffusion du point de
18

lchantillon travers et donc une image sans contraste. Pour crer du contraste, il faut donc un
lment supplmentaire permettant de diffrencier les points selon leur pouvoir de diffusion. Pour
cela, on place un diaphragme dans le plan focal image de la lentille objectif (Figure 12a,b) afin quil
ne laisse passer que les faisceaux diffuss un certain angle pour former limage. Ce diaphragme est
consquemment appel diaphragme de contraste. Il slectionne les faisceaux avec lesquels on forme
l'image : soit le faisceau transmis ou diffus petit angle en mode champ clair, soit un faisceau
diffract un angle particulier en mode champ sombre.
Pour un chantillon amorphe, le diaphragme limite langle de diffusion des faisceaux transmis
(figure 12a). Limage dune particule est sombre sur fond clair. Plus le diaphragme de contraste est
ouvert et plus on rcupre le faisceau diffus : le contraste diminue. Si la diffusion est purement
lastique, limage est nette. Si une partie est inlastique, les rayons diffuss inlastiquement ne
convergent pas dans le plan focal ( cause de laberration chromatique de la lentille objectif) : la
rsolution et le contraste diminuent.
Pour un cristal, tous les faisceaux diffracts correspondant une mme rflexion (hkl) sont
focaliss en un point du plan focal image (figure 12b,c).
Si on positionne le diaphragme autour du faisceau transmis sans diffusion (rflexion (000)), on
forme une image en champ clair : les zones qui diffusent/diffractent le moins apparaissent claires,
les zones paisses, denses ou cristallises apparaissent sombres.
Si on positionne le diaphragme autour dune rflexion (hkl) du diffractogramme, seuls les rayons
de la rflexion (hkl) contribuent la formation de limage : seuls les cristallites dont une rflexion
(hkl) a t slectionne apparaissent brillants sur un fond sombre (figure 12c). On parle de mode
image en champ sombre.

a est l'ouverture angulaire du faisceau

Figure 12. Interprtation gomtrique de la formation de limage dans un MET

19

Question : Si on observe un matriau amorphe en mode champ sombre, que voit-on? Expliquez.
3.3. Caractristiques et performances dun MET
3.3.1. Rsolution
Dans un systme optique, l'image d'un point nest jamais parfaitement ponctuelle mais est une
tche dune certaine taille. Cet largissement a plusieurs origines : i) le phnomne de diffraction
rsultant de langle d'ouverture limit du systme optique et ii) les aberrations (dfauts) des lentilles.
La limite de rsolution dun microscope est la distance minimale sparant deux points de lchantillon
telle que leurs images puissent tre distingues. Plus elle est faible, plus le microscope donne une
image nette de lchantillon.
Limites imposes par la diffraction par le diaphragme douverture
Tout systme optique conventionnel possde un angle douverture limit. Il en rsulte quune
partie du rayonnement est diffuse/diffracte par les bords du systme (bords de la lentille objectif ou
du diaphragme douverture fixant langle douverture) ce qui contribue largir limage de chaque
point. Limage dune source ponctuelle travers un diaphragme circulaire (ou figure de diffraction
dun trou circulaire) est appele tche dAiry et est illustre en figure 13. Le rayon de la premire
frange noire de diffraction (distance entre le maximum et le 1er minimum) vaut d0=0,61lg/n.sina
dans le plan image, o g est le grandissement de la lentille et a l'angle d'ouverture. Pour le vide, n=1
et, pour les petits angles, sina @ a. D'aprs le critre de Rayleigh, on ne peut plus distinguer deux
points de limage si ils sont distants de moins de d'0. La limite de rsolution ramene dans le plan
objet est donc d0= d'0/g = 0,61l/a. On observe que la rsolution est meilleure si la longueur d'onde
diminue (avantage des lectrons par rapport la lumire visible), et si l'angle d'ouverture est grand
(avantage des lentilles optiques sur les lentilles lectroniques).

Figure 13. Figure dAiry

Limites imposes par les aberrations de la lentille objectif

On distingue l'astigmatisme et les aberrations de sphricit qui sont d'origine gomtrique et les
aberrations chromatiques qui sont d'origine physique.
o Lastigmatisme se traduit par le fait que la distance focale varie selon le plan dincidence sur
la lentille. Il rsulte dun dfaut de symtrie de rvolution de la lentille. Lastigmatisme peut tre
20

partiellement corrig laide de bobines lectromagntiques (stigmateurs) intgrs dans le MET

et permettant dajuster la symtrie des lignes de champ.
o Laberration de sphricit se manifeste par une distance focale diffrente selon linclinaison
des rayons par rapport laxe optique de la lentille. Limage dun point sera donc un disque de
confusion de diamtre minimal dS. La limite de rsolution associe est dS = dS/g = CS a3, o
CS est le coefficient daberration sphrique. Pour limiter cet effet, on peut diminuer langle
douverture a. Cependant, un compromis doit tre trouv pour dterminer la valeur optimale de
a car la largeur de la figure de diffraction augmente lorsque a diminue.
o Laberration chromatique se traduit par le fait que la distance focale dpend de lnergie
des lectrons. Le disque de confusion associ dans lespace objet a un diamtre minimal dC =
2CC a (DE/E0), o CC est le coefficient daberration chromatique de la lentille.
La limite de rsolution courante de MET travaillant 200-300 kV atteint 0,2 nm.
Question : Quel est le pouvoir de rsolution dun microscope optique conventionnel ? Quest-ce
qui limite ce pouvoir de rsolution ? Que proposeriez-vous pour lamliorer ?
3.3.2 Profondeur de champ et profondeur de foyer
La profondeur de champ D est dfinie comme la distance maximum de part et dautre du plan
objet de mise au point de lobjectif pour laquelle il ny a pas de perte de rsolution (Figure 14) : cest
lpaisseur de lobjet pour laquelle limage est nette. On verra en TD 13 que le diamtre d du disque
de confusion une distance D/2 du plan objet est gal d = Da. Pour une rsolution de 1 et un
angle douverture de 5.10-3 rad (grandeurs typiques), D vaut 20 nm. Les chantillons ont gnralement
une paisseur infrieure. Le MET forme donc une image nette de lchantillon sur toute son
paisseur. Contrairement au microscope optique, on ne peut donc pas observer uniquement une
section du matriau choisie selon la focalisation.
De faon analogue, la profondeur de foyer D est la distance des positions extrmes du plan
dobservation de part et dautre du plan image final P, sans que la rsolution soit altre. On
montrera en TD que D=DG2. Aux grandissements G typiquement utiliss, la valeur de D peut
atteindre plusieurs centaines de mtres. Cela signifie que quelque soit lendroit o on se place
lintrieur de cette zone, la perte de nettet engendre par la dfocalisation sera toujours infrieure
celle intrinsque au microscope (diffraction et aberrations). En pratique, il y a donc largement la place
pour disposer de nombreux dtecteurs (cran fluorescent, appareil photo, camera CCD, ) en srie
en bas de la colonne du microscope.

Figure 14. Profondeur de champ D par rapport au plan objet P, a est langle douverture et r le rayon du disque de
moindre confusion (limite de rsolution)
21

IV. Microscope lectronique balayage

4.1. Principe
Comme pour le MET, le principe du microscope lectronique balayage (MEB ou SEM pour
Scanning Electron Microscope) a t propos par Max Knoll ds 1935. Alors que le premier MET fut
oprationnel ds 1939, le MEB ne fut dvelopp que dans les annes 1960 grce aux progrs de
llectronique et de la vido. A lheure actuelle, il est de loin le plus rpandu des deux.
Le MEB n'est pas un microscope conventionnel dans le sens o il ne forme pas une image
stigmatique (conjugue de lobjet par un systme optique) comme le fait un microscope optique ou
un MET mais une image squentielle : limage est obtenue en balayant lchantillon point par point
laide dun faisceau focalis dlectrons. En chaque point, linteraction entre le faisceau dlectrons
et la matire provoque lmission de rayonnements secondaires : lectrons diffuss lastiques,
lectrons diffuss inlastiques, lectrons freins, lectrons secondaires, lectrons Auger, photons X,
rayonnement lectromagntique de freinage. La variation dintensit de chacun de ces rayonnements
dun point lautre peut tre utilise pour former une image de la surface. Cela ncessite un dtecteur
adquat, capable de transformer le signal mis en chaque point en un signal lectrique. Ce signal
lectrique, aprs amplification, module lintensit du pixel correspondant sur limage. A chaque
instant, il y a donc correspondance entre un point de l'objet et un pixel de l'image. L'image est
retransmise point par point et ligne par ligne, elle est facilement numrisable et enregistrable.
4.2. Description dun microscope lectronique balayage
La figure 15 prsente le schma dun MEB.
a Production de la sonde (faisceau lectronique)
Comme dans un MET, le systme de production de la sonde est constitu par un canon a
lectrons (tension dacclration de 20-40 kV), dun systme de lentilles lectromagntiques
(condenseurs) qui forment une image trs rduite du cross-over et dune lentille objectif qui projette
cette image sur lchantillon. A la diffrence du MET, il ny a pas de lentilles de projection puisquon
ne forme pas une image stigmatique mais squentielle.
Le diamtre dS de la sonde sur lchantillon est un paramtre essentiel pour dterminer la
rsolution accessible avec le microscope. Il dpend du type de canon, des aberrations de la lentille
objectif, de lnergie et de lintensit du faisceau lectronique (cf. 4.3.3).
b Systme de balayage
La sonde balaye la zone de lchantillon tudier au moyen dun systme de dflexion par
lentilles lectromagntiques. Le grandissement est dtermin par le rapport entre lamplitude de
balayage image (largeur de lcran dobservation) qui est fixe et lamplitude de balayage objet qui est
rglable.
c Echantillon
Lchantillon est plac sur une platine goniomtrique permettant les diffrents mouvements
de translation, dinclinaison et de rotation. La taille des chantillons observables est gnralement de
lordre du cm. La taille maximale est gnralement limite par la taille de la chambre objet.
d Dtection, traitement de linformation et formation de limage
Linteraction lectron - matire engendre diffrents signaux qui contiennent des informations
sur le point de lchantillon dont ils sont issus. Les plus utiliss sont les lectrons secondaires, les
lectrons lastiques rtrodiffuss et les rayons X mais les lectrons transmis, les lectrons Auger, la
lumire ou les lectrons absorbs peuvent aussi tre employs. Lintensit mise varie en chaque
point en fonction des caractristiques topographiques, chimiques et/ou physiques de la surface (cf.
4.2.2). Le contraste de limage rsulte de la variation dintensit du signal en chaque point. Diffrents
dtecteurs (cf. transparents de cours) sont utiliss en fonction du type de rayonnement utilis : on
22

utilise gnralement un dtecteur semi-conducteur pour les lectrons rtrodiffuss (haute nergie),
un scintillateur pour les lectrons secondaires (basse nergie) et un dtecteur dispersion d'nergie
pour les RX. Limage pouvant tre directement numrise, elle peut tre facilement analyse pour
extraire des donnes quantitatives.

Figure 15. Schma dun MEB

Question : Pourquoi parle-t-on d image squentielle en MEB ?

4.3. Modes d'imagerie
Les deux principaux rayonnements utiliss en imagerie MEB sont les lectrons secondaires
et les lectrons rtrodiffuss.
Le mode image de base utilise les lectrons secondaires. Ces lectrons sont arrachs des
couches atomiques profondes lors de l'interaction inlastique avec le faisceau incident (les lectrons
de cur ncessitent une nergie de 1 10 keV pour tre arrachs a leur atome). Comme les lectrons
subissent de nombreuses pertes dnergie alatoires avant de pouvoir ressortir de lchantillon, leur
nergie est disperse suivant un spectre large avec un maximum autour de 50 eV (cf. Fig. 3b). Les
spectres dlectrons secondaires sont donc difficilement exploitables pour l'analyse lmentaire mais
les fortes sections efficaces d'mission qui leur sont associes sont exploites pour former des images
en MEB.

23

Les lectrons rtrodiffuss sont des lectrons diffuss de manire lastique des angles
suprieurs 90 (i.e. diffuss vers larrire). Leur nergie est donc leve, trs voisine de celle des
lectrons incidents mais leur section efficace tant relativement faible, leur signal est peu intense.
En modulant les potentiels dun dtecteur scintillation et de la grille (collecteur) son entre,
on peut dtecter lun ou lautre de ces rayonnements (Fig. 16). En mode lectrons secondaires, le
champ produit par le collecteur dvie les lectrons secondaires vers le dtecteur. Les lectrons
rtrodiffuss ne sont pas dvis car ils sont trop nergtiques : seuls ceux mis dans langle solide du
dtecteur sont dtects mais leur nombre est ngligeable par rapport aux lectrons secondaires. Les
lectrons secondaires arrivant sur le collecteur sont ensuite acclrs par une tension de quelques
kilovolts pour leur donner lnergie cintique suffisante pour tre dtect par le scintillateur. En mode
lectrons rtrodiffuss, le potentiel du dtecteur est nul (les lectrons ne sont pas acclrs dans le
dtecteur). Les lectrons donnant un signal sur le scintillateur sont donc uniquement ceux possdant
dj une nergie cintique importante, cest--dire les lectrons rtrodiffuss. Les lectrons
secondaires restent pigs sur la grille collectrice et natteignent pas le dtecteur.

Figure 16 : Dtection slective des lectrons secondaires ou des lectrons rtrodiffuss.

Pour obtenir un meilleur rapport signal/bruit en lectrons rtrodiffuss, les MEB intgrent
gnralement un deuxime dtecteur spcialement ddi aux lectrons rtrodiffuss. Le dtecteur
est de type semi-conducteur, il est en forme de disque et est situ juste au-dessus de l'chantillon
pour augmenter l'angle solide de dtection (cf. transparents de cours).
4.4. Origines du contraste
En MEB, le contraste de limage a trois origines principales : le contraste topographique, le
contraste de composition (ou de numro atomique) et le contraste dorientation cristalline. Dans des
cas particuliers, il est galement possible dobserver un contraste de charge.
Le contraste topographique est sensible toutes les irrgularits de la surface (relief,
asprits, raies de polissage mais aussi joints de grains, dfauts, ). On en distingue plusieurs types
(Fig. 17).
Contraste dinclinaison. L'mission des lectrons secondaires (ou rtrodiffuss) est plus forte
lorsque la surface est incline : plus lincidence est rasante, plus les lectrons crs sont proches de
la surface et peuvent facilement schapper du solide. Les bords d'une sphre ou d'un fil paraissent
donc plus brillants que le centre.
Contraste dombrage. Les lectrons secondaires tant dvis par le champ du collecteur, mme
les zones dans les angles morts du dtecteur peuvent engendrer une intensit non nulle : sur la figure
24

17b par exemple, on distingue les dtails au fond des pores. Lintensit est cependant amoindrie car
une certaine proportion des lectrons mis est quand mme absorbe par les parois. En mode
rtrodiffuss, seuls les lectrons mis dans la direction du dtecteur sont dtects (trajectoire
rectiligne) ; les rgions caches au dtecteur apparaissent donc noires (figure 17c). On peut aussi
obtenir un contraste dombrage avec un dtecteur semi-conducteur en forme disque en utilisant la
diffrence des signaux fournis par deux secteurs opposs du dtecteur.
Contraste dartes (ou de pointes). Lnergie ncessaire lextraction dun lectron (le travail de
sortie) est plus faible au niveau dune pointe ou dune arte car le champ lectrique y est localement
plus lev. On parle deffet de pointe ou dmission de champ. Lmission d'lectrons secondaires ou
rtrodiffuss est donc plus intense sur les artes et les pointes. Les pointes et les artes apparaissent
plus claires que les surfaces planes.

Figure 17 : diffrents types de contraste en MEB

Le contraste de composition (ou de numro atomique) est d la variation de la section

efficace d'mission avec le numro atomique. La section efficace dmission des lectrons
rtrodiffuss augmente fortement avec le numro atomique (en Z2). Les zones riches en lments
lourds apparaissent donc plus claires que les zones riches en lments lgers. On peut donc avoir une
estimation relative de la diffrence de numro atomique dune zone lautre. Pour une analyse
lmentaire prcise, il vaut mieux utiliser les photons X caractristiques des lments mis au cours
25

de la dsexcitation (technique danalyse par microsonde lectronique, cf. V.). Pour renforcer le
contraste de composition et attnuer le contraste topographique, on somme les signaux mesurs sur
lensemble des zones du dtecteur semi-conducteur.
Pour les lectrons secondaires, la variation de la section efficace avec le numro atomique Z
est moins marque et surtout, ces lectrons proviennent dune couche superficielle de quelques qui
est gnralement une couche extrinsque (mtallisation, adsorption, contamination). Nanmoins,
comme une partie des lectrons secondaires est gnre par des lectrons rtrodiffuss, on peut
galement observer un certain contraste de composition en mode secondaires mais moins prononc.
Dans le cas de surfaces polycristallines, lorientation relative de certains domaines cristallins
par rapport au faisceau incident et au dtecteur peut satisfaire la loi de Bragg et donner lieu un
phnomne de diffraction. On parle de contraste dorientation cristalline entre cristallites de
diffrentes orientations. Cela nest possible quavec des lectrons diffuss lastiquement et ayant une
trajectoire rectiligne donc uniquement en mode rtrodiffuss.
Question : Si on observe en mode lectrons rtrodiffuss une face plane dun matriau prsentant
deux phases dlments diffrents, quelle phase apparaitra la plus claire ? Quobservera-t-on si on
passe en mode lectrons secondaires ?
4.5. Rsolution
La rsolution spatiale dun MEB est la taille de la portion de surface mettrice lorsque le
faisceau incident claire un point de lchantillon. Diffrents paramtres interviennent pour la
dterminer : nature du rayonnement mesur, nature du matriau, taille et nergie du faisceau sonde.
Volumes dinteraction et profondeurs dextraction
La figure 18 reprsente le volume explor par les lectrons primaires dun faisceau
lectronique incident sur une surface. Ce volume dinteraction est en forme de poire du fait de la
diffusion des lectrons et de leur trajectoire en ligne brise (Figures 18 et 19). Les lectrons primaires
pntrent sur une paisseur de lordre de quelques microns. Au del de cette distance, ils ont perdu
toute leur nergie cintique dans des collisions inlastiques. Plus lnergie des lectrons incidents est
grande, plus le volume de propagation est large (Figure 18). Le volume de propagation dpend
galement de la nature du matriau : plus il est compos dlments lourds, plus le volume de
propagation est petit (Figure 18).

26

10 kV

25 kV

50 kV

Figure 18. Trajectoires et volumes dinteraction des lectrons primaires en fonction de leur nergie et de la nature du
matriau. Notez que les chelles de grandeur varient dune figure lautre.

Des photons X sont galement crs au cours des interactions lectron matire
(dsexcitation, interaction de freinage). Les photons X ont des libres parcours moyens bien plus
grands que les lectrons et il explore donc un volume plus grand du matriau. Ces photons X primaires
peuvent gnrer dautres photons X dnergie plus faible par fluorescence. En consquence, le
volume de propagation pour lensemble des RX forms est une poire significativement plus large que
celle des lectrons primaires (Figure 19).

Figure 19. Volumes dinteraction et profondeurs dextraction pour diffrents rayonnements au cours de lirradiation
dune surface par un faisceau dlectrons. La poire intrieure correspond au volume dinteraction des lectrons
primaires. La poire extrieure correspond au volume dinteraction des rayons X forms par interactions lectron
matire (interaction de freinage et dsexcitation) ou par interaction rayons X - matire (fluorescence X). Les
profondeurs dextraction des RX, des lectrons rtrodiffuss et des lectrons secondaires sont indiques.

Des lectrons secondaires sont crs dans tout le volume explor par les lectrons primaires,
mais, ayant une faible nergie cintique (autour de 50 eV), seuls ceux mis au voisinage de la surface
27

peuvent ressortir : leur profondeur dextraction est de lordre de 10 nm. La rsolution en mode
lectrons secondaires est donc de lordre de la largeur du faisceau sonde (Figure 19).
Les lectrons rtrodiffuss par contre ont une bien plus grande nergie cintique (proche de
celle des lectrons incidents), ceux atteignant la surface proviennent donc dune profondeur et dun
volume plus importants. Leur profondeur dextraction est de lordre de grandeur du libre parcours
moyen des lectrons incidents (Figure 19). La rsolution en mode rtrodiffuss est donc de lordre de
la largeur du volume dinteraction des lectrons primaires (Figure 19).
Les photons X crs atteignent plus facilement la surface car ils ont des libres parcours moyens
importants : leur profondeur dextraction est comparable la profondeur du volume dinteraction des
photons X (Figure 19). Ce volume est aussi appel volume dmission de fluorescence.
Taille du faisceau sonde
Comme vu ci-dessus, la rsolution en mode secondaires est essentiellement dtermine par la
taille du faisceau sonde la surface de lchantillon. La taille du faisceau dpend de diffrents
paramtres instrumentaux : le type de canon, lnergie des lectrons et lintensit du faisceau (Figure
20).
La sonde tant une image rduite du cross-over (objet source pour tout le systme optique)
par les lentilles de la colonne, sa taille est directement proportionnelle au diamtre du cross-over. Le
diamtre du cross-over est de lordre de 10-100 microns pour un canon mission thermo-ionique et
de seulement 1-10 nm pour un canon mission de champ.
Du fait des aberrations chromatiques des lentilles, le diamtre de la sonde augmente avec la
dispersion nergtique des lectrons dans le faisceau. La dispersion en nergie dpend essentiellement
du type de canon (via la temprature de la source) : pour un canon thermo-ionique, elle est de lordre
de 1 eV avec un filament de W et de lordre de 0,6 eV pour une pointe de LaB6 ; pour un canon
mission de champ, elle est de lordre de 0,2 - 0,4 eV.
Les rpulsions lectrostatiques entre lectrons engendrent aussi un largissement du faisceau
(effets Boersch et Loeffler). Ces effets sont dautant plus importants que lintensit du faisceau est
grande (forte densit dlectrons, i.e. courant de sonde lev) et que lnergie des lectrons est faible
(faible vitesse). Les rpulsions lectrostatiques augmentent galement la dispersion en nergie.

Figure 20. Diamtre de sonde en fonction du courant de sonde pour diffrents types de canon et deux tensions
dacclration.

Question : Si vous souhaitiez observer en MEB la topographie dune couche de surface de

quelques nm dpaisseur, quels modes/rglages utiliseriez-vous ?
28

4.6. Profondeur de champ

Comme en MET, le faible angle douverture du faisceau incident a entrane une grande
profondeur de champ D. Un dplacement du plan objet de part et d'autre du plan de focalisation du
faisceau de x/2 entrane un largissement du diamtre de la sonde ds de a x (figure 21). Sur l'image
obtenue avec un grandissement G, le flou engendr ne doit pas tre plus grand que e la rsolution de
l'image numrique (ou rsolution de loeil pour une image photo). La condition est donc G (ds + a x)
e. La profondeur de champs D est dfinie comme la valeur limite de x satisfaisant cette condition,
soit G (ds + a D) = e.

Figure 21. Profondeur de champ en MEB. P est le plan de focalisation du faisceau (~ surface de lchantillon).

Pour ds = 10 nm et a = 2.10-3 rad, on obtient D = 1000 mm pour G = 1000 et D = 100 mm pour

G = 10000, soit des profondeurs comparables la largeur de balayage objet et beaucoup plus grandes
que la profondeur de pntration du faisceau. On retiendra quen MEB, limage apparat nette sur une
profondeur comparable sa largeur.
En pratique, on peut diminuer langle douverture a en augmentant la distance entre
lchantillon et la lentille objectif, appele distance de travail (working distance, WD). Plus la
distance de travail est grande, plus la profondeur de champ est leve (figure 22).

Figure 22. Images MEB obtenues diffrentes distances de travail. Observez la variation de nettet des dtails du fond.

Note : Contrairement au MET, il nest pas possible de dfinir une profondeur de foyer en MEB car
il nexiste pas de plan image conjugu du plan objet : limage est forme squentiellement.
4.7. Microscopie pratique
En pratique, les trois paramtres accessibles pour amliorer la qualit de lanalyse sont la
distance de travail, le courant de sonde et la tension dacclration.

29

Augmenter la distance de travail permet daugmenter la profondeur de champ mais dgrade

la rsolution (car le coefficient daberration sphrique Cs augmente avec la distance focale f).
Augmenter la tension dacclration permet damliorer la rsolution latrale (rduction des
effets Boersch et Loeffler) mais une tension dacclration trop leve dgrade le contraste de surface
(le faisceau pntrant plus profondment, lintensit mise est moins caractristique des dtails de
surface). Cf. figure 23. Une trop grande tension dacclration peut aussi endommager lchantillon
(cf. seuil de dplacement p.5).

Figure 23. Influence de la tension dacclration.

Diminuer le courant de sonde permet damliorer la rsolution (rduction des effets Boersch
et Loeffler) mais pour des courants trop faibles, limage devient granuleuse du fait de la faible
statistique de comptage (figure 24).

30

Figure 24. Influence du courant de sonde.

4.8. Prparation des chantillons

Par rapport au MET qui fonctionne en transmission et ncessite des chantillons minces, le
MEB permet de travailler sur des chantillons massifs. Les principales contraintes sur les chantillons
sont :
La surface doit tre conductrice. Dans le cas contraire, les lectrons saccumulent en surface et
crent des champs parasites qui perturbent l'image (particulirement gnant en mode lectrons
secondaires, moins nergtiques). On prend donc la prcaution d'tablir un bon contact lectrique
avec l'chantillon (utilisation de supports et laques conductrices). Pour les matriaux non conducteurs,
on mtallise leur surface par vaporation sous vide ou pulvrisation cathodique pour la rendre
suffisamment conductrice. Pour ne pas tre visibles sur les images MEB, les couches doivent tre
minces (quelques ) et homognes.
Les chantillons doivent pouvoir rsister au vide rgnant dans la colonne (problme des
chantillons contenant des substances volatiles). Des traitements de fixation utiliss sont la
lyophilisation et la sublimation au point critique.
4.9. Conclusion
Lanalyse des surfaces par MEB peut sadresser aux chantillons massifs comme aux
chantillons minces sans prparation pralable contraignante (sauf ventuellement une mtallisation
relativement simple). La varit des modes d'imagerie associe aux facilits dutilisation et
dinterprtation fait que la microscopie lectronique balayage sest impose aujourdhui comme
une technique incontournable en science des matriaux.

31

V. Microanalyse par sonde lectronique

5.1. Principe
La microanalyse par sonde lectronique (EPMA pour Electron Probe Microanalysis) est
analogue la spectroscopie de fluorescence X, la diffrence que le rayonnement excitateur est un
faisceau monochromatique dlectrons au lieu dun rayonnement X polychromatique. Lors de la
dsexcitation qui suit linteraction inlastique entre lectron et atome, il y a mission de photons X
dont lnergie est caractristique de llment metteur (cf. figures 3 et 25). Par analyse du spectre
dnergie, on peut donc obtenir une information sur la composition de la surface de lchantillon.
Souvent associe un MEB, cette technique permet une analyse lmentaire de surface avec une
rsolution spatiale de lordre du micron.
5.2. Description du spectre dmission lectromagntique
On rappelle que le spectre dmission lectromagntique mise suite une irradiation
lectronique (cf. figure 7b) est compos de :

un fond de freinage avec un seuil de coupure l0 correspondant un transfert total de lnergie

E0 de llectron incident (c'est--dire que l0 () = 12400/ E0 (eV)),

un spectre de raies fines correspondant des photons X mis lors de la dsexcitation aprs un
choc inlastique.

Lnergie de ces derniers est gale lnergie de transition entre deux niveaux lectroniques
de llment metteur (cf. p. 6). Les niveaux concerns sont gnralement des niveaux de coeur dont
lnergie dpend essentiellement du numro atomique et trs peu de lenvironnement de latome. Les
nergies des niveaux lectroniques (galement appeles nergies de liaison des lectrons ou nergies
dionisation) sont tabules pour chaque lment (Figure 25a). Les nergies des photons X sont donc
aussi caractristiques de llment metteur.
Cependant, la mcanique quantique interdit certaines transitions lectroniques. Les transitions
autorises satisfont les rgles de slection suivantes sur les nombres quantiques n, l et j :
Dn 1

Dl = 1

Dj = 0 ou 1

Les transitions satisfaisant ces rgles sont indiques sur la figure 25b.
a

Figure 25. a) Energies dionisation (eV) pour certains lments. b) Transitions lectroniques autorises.
32

5.3. Appareillage
La microanalyse par sonde lectronique peut tre effectue lintrieur dappareils
exclusivement ddis (appels microsondes lectroniques ou microsondes de Castaing) ou
lintrieur dun MEB ou dun MET quip dun spectromtre de photons X. La production du
faisceau lectronique est identique la description donne en MEB ou en MET (cf. p. 9-10, 18). Un
spectromtre de rayons X est plac proximit de lchantillon. Il en existe deux grandes familles.
Les spectromtres dispersion angulaire de longueur donde (Wavelength Dispersive X-ray
Spectrometer, WDS ou WDX) utilisant laspect ondulatoire du rayonnement. Un cristal
monochromateur slectionne la longueur donde rflchie vers le dtecteur suivant la relation de
Bragg. On fait tourner le cristal pour parcourir tout le spectre en longueur donde. Le dtecteur peut
tre ionisation de gaz ou scintillation (cf. transparents cours). Ces spectromtres sont aussi utiliss
dans les appareils danalyse par fluorescence X (cf. TP).
Les spectromtres dispersion dnergie (Energy Dispersive X-ray Spectrometer, EDS ou
EDX) utilisant laspect corpusculaire du rayonnement. Ce sont des dtecteurs semi-conducteur qui
sont galement sensibles lnergie des photons dtects. Ils sont constitus dun semi-conducteur
jonction p-n o chaque photon X incident gnre un nombre de photolectrons proportionnel son
nergie. Le courant cr par chaque photon est mesur. Le facteur de proportionnalit dtermine la
rsolution en nergie du dtecteur.
Les spectromtres EDX sont moins coteux et leur sensibilit est bonne. Cependant, leur
rsolution en nergie est infrieure celle des WDX.
Question : Quels analogies/.diffrences existent entre un tube rayons X et une analyse par
EPMA ?
5.4. Microanalyse qualitative
Lidentification des pics dmissions X caractristiques permet de dterminer la nature des
lments prsents dans le volume sond, aux limites de dtection prs.
5.4.1. Rsolution spatiale
On a dj introduit en IV le volume de propagation des lectrons qui dpend de la taille du
faisceau sonde, de lnergie des lectrons incidents et de la composition du matriau (cf. figure 19).
Les lectrons perdant progressivement leur nergie jusqu arrt complet (E=0), il est possible de
dfinir lintrieur de ce volume des volumes intermdiaires o lnergie des lectrons est suprieure
une valeur donne E. Si cette nergie E est suprieure au seuil dionisation WK dun lment, un
lectron du niveau K peut tre arrach et un rayonnement X de dsexcitation relatif ce niveau peut
tre mis. On dfinit ainsi un volume dmission primaire de RX du niveau K dun lment
lintrieur duquel E > WK (figure 26). Il en dcoule que plus le rayonnement X est dnergie faible,
plus son volume dmission primaire est grand. Les dimensions de ce volume dmission primaire
dfinissent la rsolution accessible pour les rayonnements X dun seuil K donn.
Castaing a propos la relation approche suivante pour calculer la profondeur t1 du volume
dmission primaire dun rayonnement de seuil dionisation K :
t1 = 0,033 ( E01, 7 - WK1, 7 )

33

A
rZ

avec E0 nergie des lectrons incidents, WK seuil dionisation du niveau K, A masse atomique, Z
numro atomique, r masse volumique.
En pratique, la rsolution spatiale pour des chantillons pais est de lordre du micron. Pour
des chantillons minces (paisseur infrieure au micron), la rsolution peut tre bien meilleure car
lmission provient alors seulement du sommet plus troit du volume dmission ( sommet de la
poire ).

Figure 26. (1) Volume dmission primaire du rayonnement K (E>WK). (2) Volume de propagation des lectrons.

5.4.2. Limite de dtection

La limite de dtection dpend de linstrument (type de spectromtre), des conditions danalyse
(intensit et nergie de la sonde) et de lchantillon (lment analys, matrice). La section efficace
dmission X diminuant avec le numro atomique (comptition avec le phnomne Auger, cf. p. 6),
les lments lgers sont plus difficiles dtecter. En pratique, on choisit lnergie dexcitation pour
que le rapport signal/fond de freinage soit maximum ; la valeur optimale dpend du rayonnement
considr, de llment analys et de la matrice.
Ordres de grandeur des limites de dtection :
Elments dtects : Z 5 (bore)
Concentration massique limite : 10-4 10-3
Question : Si vous deviez dterminer la composition dun matriau en lments lgers, choisiriezvous lEPMA, la fluorescence X ou une autre technique ? Expliquez.
5.5. Microanalyse quantitative
Lintensit I du rayonnement X dun lment est proportionnelle sa concentration c suivant
la relation :
c
I
= KZ K a K f
cT
IT
34

I est rapporte IT intensit du mme rayonnement dans un chantillon tmoin de

concentration cT connue afin de tenir compte du facteur instrumental. KZ, Ka, Kf sont des facteurs de
correction qui dpendent de la composition de lchantillon et de celle du tmoin : ils reprsentent les
effets de matrice (figure 27).
Effet de numro atomique Z
Pour une valeur incidente gale, lintensit lectronique arrivant en A est diffrente entre
lchantillon et le tmoin car les lectrons rencontrent des compositions diffrentes avant darriver en
ce point.
Effet dabsorption
Labsorption du rayonnement X sur son trajet de sortie depuis A dpend galement de la
composition est donc a priori diffrent entre lchantillon et le tmoin.
Effet de fluorescence
Le rayonnement X caractristique mesurer peut galement tre produit par fluorescence X
sous leffet de rayonnements X plus nergtiques mis par des atomes B plus lourds de la matrice.
Leffet de fluorescence dpend de la composition et est donc a priori diffrent entre lchantillon et
le tmoin.

Figure 27. Effets de matrice : cas de lanalyse du rayonnement Ka dun lment A en prsence dun lment B plus
lourd.

Il explique diffrentes mthodes de correction pour saffranchir de ces effets de matrice.

Si on possde un tmoin de composition voisine de lchantillon, on peut ngliger les effets

c
I
de matrice et faire lapproximation
= .
cT IT

Le plus souvent, on corrige les concentrations brutes par une procdure itrative (correction
ZAF) laide des coefficients thoriques dabsorption lectronique, dabsorption X et de
fluorescence de chaque lment du tableau priodique. On itre le processus jusqu obtenir
une composition de lchantillon qui reproduit les intensits exprimentales.

Ordres de grandeur de prcision dans les meilleures conditions danalyse et de correction des effets
de matrice : de lordre du % en WDX et de quelques % en EDX.
NB. En analyse par fluorescence X, on retrouve des effets de matrice similaires dont il faut galement
tenir compte pour une analyse quantitative (cf. TP).

35

Annexe : Dmonstration de la relation entre la longueur donde et la tension dacclration

pour un lectron (cadre relativiste)
Soit un lectron (charge e, masse au repos m0) initialement au repos qui est acclr sous leffet par
une diffrence de potentiel lectrique V0 = Uf - Ui (V0>0).
Conservation de lnergie entre ltat initial et ltat final :
m0.c2 e.Ui = m.c2 e.Uf

m0.c2 + eV0 = m.c2

soit

On en dduit :

m + m0 = 2 m0 + eV0/c2

(2)

et

m - m0 = eV0/c2

(3)
m0

Correction relativiste de la masse : m =

(1)

(4)

v2
1- 2
c

On en dduit :

m2.v2 = c2 (m + m0) (m - m0)

Soit, en injectant (2) et (3) :

m2.v2 = c2 (2 m0 + eV0/c2) (eV0/c2) (6)

m2.v2 = (2 m0 + eV0/c2) eV0

(5)
(7)

Relation de De Broglie :

l=

l=

Soit, daprs (7)

h
mv

(8)
h

2m0eV0 (1 + eV0 / 2m0c 2 )

(9)

En remplaant par les valeurs numriques, on obtient :

l=
ou la relation simplifie :

12, 26
V0 (1 + 0,979.10 -6V0 )

12,26
V0

avec l en et V0 en V

si V0 < 100 kV (pas de correction relativiste)

36

MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE

Lapparition en 1982 du microscope effet tunnel a constitu une rvolution dans le domaine
des microscopies en introduisant le concept de microscopies sonde locale (ou microscopies de
champ proche). Gerd Binnig et Heinrich Rohrer ont obtenu le prix Nobel de Physique en 1986 pour
le dveloppement de cette nouvelle microscopie (associ Ernst Ruska pour le dveloppement de la
microscopie lectronique).

Figure 1. Heinrich Rohrer ( gauche) et Gerd Binnig ( droite) devant le premier prototype de
microscope champ proche.
Les microscopies de champ proche utilisent toutes le balayage dune pointe sonde proximit
de la surface dun chantillon. Elles fournissent des images qui sont des cartographies trs haute
rsolution de certaines proprits spcifiques de la surface de lchantillon. Diverses proprits
(structurales, lectroniques, chimiques, optiques...) et leurs variations locales lchelle
nanomtrique ou subnanomtrique peuvent tre ainsi cartographies. Les proprits tudies
dpendent du type de sonde utilis. Grce leur grand pouvoir de rsolution, les microscopies sonde
locale permettent dtudier la surface des matriaux jusqu une rsolution atomique.
I. Gnralits sur les microscopies en champ proche
Dans les microscopes traditionnels (microscope optique, MET), un rayonnement claire
lchantillon. Le rayonnement ayant subi une interaction avec lchantillon vhicule des informations
caractristiques de ce dernier, vers un dtecteur qui donne une image agrandie ou un spectre local de
lchantillon. Les distances source-chantillon et chantillon-dtecteur sont bien suprieures la
longueur donde l du rayonnement utilis. La plus petite distance pouvant tre rsolue est de lordre
de l/2 ; cette limite thorique est inhrente au phnomne de propagation du rayonnement au travers
des systmes optiques dagrandissement (et en particulier au phnomne de diffraction ; cf. Figure
dAiry dans Cours sur le MET).
La grande originalit de la microscopie en champ proche est de saffranchir du rgime de
propagation, et donc des limites de rsolution quil impose, en plaant la sonde proximit immdiate
de lchantillon. Dans ces conditions, la rsolution latrale de limage dpend principalement de la
forme de la sonde et de la distance sonde-chantillon.
Les premiers microscopes sonde locale furent dabord le microscope effet tunnel (STM
pour Scanning Tunneling electron Microscope) en 1982, bientt suivi par le microscope force
atomique (AFM pour Atomic Force Microscope) en 1985.
Dans un microscope en champ proche (Figure 1), la sonde dtecte une grandeur physique
(courant tunnel lectronique, force interatomique,...) caractristique de son interaction avec
lchantillon. Cette sonde est place une distance d de lordre de quelques nanomtres de la surface
de lchantillon. Elle est solidaire dun dispositif qui guide son dplacement. Grce un systme de
transducteurs pizolectriques, elle peut tre prcisment dplace par rapport lchantillon dans
les trois dimensions de lespace. En balayant la surface de lchantillon avec la sonde, il est alors
37

possible de dtecter les variations de la grandeur physique sonde et den faire une cartographie. Ceci
constitue le principe de base des microscopies en champ proche. Lemploi de sondes en forme de
pointe permet dobtenir une trs bonne rsolution spatiale : en effet, en raison de la trs forte
dcroissance des interactions avec la distance lchantillon, seule lultime extrmit ( apex ) de
la pointe interagit notablement avec les atomes de la surface. Selon la sonde utilise (tableau A), on
peut mesurer des proprits locales diverses, ainsi que leurs variations pour en dresser des
cartographies. Les caractrisations peuvent tre effectues dans des environnements trs varis (air,
ultravide, atmosphre contrle, milieu liquide).

Figure 1. a) Schma de principe dun microscope sonde locale (daprs Salvan et al.). b) Image
AFM reconstruite en 3D de la surface dun chantillon.
Nom

Grandeur mesure

chantillon

Rsolution
latrale (nm)

Microscope effet
tunnel

Courant

Conducteur

0,1

Microscope force
atomique

Force

Tout type

0,1

Force magntique

Magntique

10

Courant

lectrode en
solution

0,1

Capacit

Isolant

10

Microscope force
magntique
Microscope tunnel
lectrochimique
Microscope capacitif

Informations
Structurales et lectroniques
Manipulation datomes
Nanogravure
Topographie
Mesure de forces
Manipulation de molcules
Nanogravure
Magntisation locale
Suivi dattaques ou de dpts
lectrochimiques
Capacit locale
Profil de dopants

Microscope effet
Tous types de
Ondes vanescentes
10
Caractrisation optique locale
tunnel optique
films minces
Microscope optique en
Champ proche
Transparent ou
Caractrisation optique locale
10
champ proche
optique
rflchissant
Spectroscopie
Microscope lectrons
Interface mtal /
Topographie
Courant
1
balistiques
semiconducteur
Caractristiques de diodes
Microscope force
Cartographie de rpartition de
Force lectrique
Tout type
10
lectrostatique
charges
Microscope acoustique Tension et frquence

Cartographie
dimpdance
1 000
en champ proche
doscillation
acoustique
Microscope thermique
Tension dun couple
Cartographie de temprature
Tout type
100
en champ proche
thermolectrique
de surface
Tableau A Les diffrents types de microscopies sonde locale (daprs Salvan et al.)
38

Question : peut-on parler dimage squentielle dans le cas des microscopies de champ proche comme
on lavait fait en MEB ?
II. Microscopie force atomique
2.1. Forces interatomiques
Une premire approche pour dcrire les forces mises en jeu en microscopie force atomique
consiste considrer l'nergie d'interaction qui existe entre deux atomes (ou molcules) non lis. Ce
potentiel est la combinaison d'une interaction attractive de Van der Waals qui prdomine "grande
distance" de sparation et d'une interaction rpulsive qui devient prpondrante "faible distance"
lorsque les orbitales atomiques commencent s'interpntrer (principe d'exclusion de Pauli). La force
interagissant entre les deux atomes et qui drive de ce potentiel est illustre sur la Figure 2.

Force rpulsive
(Principe dexclusion
de Pauli)

Figure 2. Force interatomique en

fonction de la distance pointechantillon (daprs Rivoal et al.).

Force attractive de
Van der Waals

Linteraction de Van der Waals est constitue de plusieurs interactions (Keesom, Debye,
London). En AFM, on considrera essentiellement linteraction de London qui rsulte dun couplage
de type diple induit diple induit entre atomes (non polaires mais polarisables). Pour deux atomes
de polarisabilits a1 et a2 spars de d, elle correspond un potentiel de la forme a1.a2/d6. Dans le
cas dune sphre (modlisant lapex dune pointe) et dun plan spars d'une distance d, la force
attractive de Van der Waals est donne par l'expression :
FVdW =

- HR
6d 2

o H est la constante de Hamaker ( 1019 J pour les phases mtalliques interagissant dans le vide) et
R est le rayon de courbure de la pointe son apex.
Si on rapproche encore les atomes, apparat une force de rpulsion qui rsulte du principe
dexclusion de Pauli (deux lectrons dans le mme tat quantique ne peuvent pas occuper le mme
point de lespace). A partir dune certaine distance, il y a donc rpulsion entre les nuages lectroniques
des deux atomes. Il existe plusieurs formes analytiques pour exprimer cette rpulsion mais aucune
na de justification microscopique. Un potentiel de Lennard-Jones de la forme (s/d)n (avec s
constante positive et 9 < n < 12) est frquemment utilis pour dcrire cette interaction rpulsive
lorsquelle est en association avec linteraction attractive de Van der Waals.
Le fait de travailler l'air modifie fortement les phnomnes faible distance de sparation
car sous atmosphre humide ou contamine, un mnisque de liquide peut se former entre la pointe et
la surface. Dans ces conditions, il existe galement des forces de capillarit entre la pointe et le
substrat.
39

2.2. Principe de lAFM

Le principe de lAFM est de mesurer ces interactions qui dpendent de la distance
lchantillon, pour en tirer une information sur la topographie de la surface. Pour cela, une pointe trs
fine et solidaire d'un microlevier ( cantilever en anglais) est approche de la surface tudier. La
souplesse du microlevier (raideur en flexion comprise entre 10-2 et 102 N/m) l'autorise flchir avec
une bonne sensibilit sous l'action des forces agissant sur la pointe. Le systme microlevier - pointe
peut tre grossirement assimil un systme masse - ressort et la force de rappel du ressort, gale
au produit de la raideur en flexion du microlevier, kl, par sa dflexion z, est en quilibre avec la force
d'interaction pointe - surface correspondant la distance de sparation d (Figure 3).

Figure 3. Dflexion dun systme microlevier pointe proximit de la surface dun chantillon ( droite), modlis
par un systme ressort masse ( gauche) (daprs Arinero).

2.3. Mise en uvre

Un schma typique dAFM est prsent Figure 4. Une micro-pointe, fixe lextrmit dun
cantilever, est approche de la surface dun chantillon plac sur une platine de dplacement
(balayage XYZ). Une cale pizo-lectrique est place sous lchantillon ou attache au cantilever afin
dajuster finement la distance cantilever - substrat. La dflection ou la torsion du cantilever sous
leffet de linteraction est mesure par la dviation dun faisceau laser rflchi par lextrmit du
cantilever et collect sur une diode photolectrique segmente ( deux ou quatre cadrans).

Figure 4. Schma de principe (a) et photographie (b) dun AFM avec systme de dtection par rflexion dun faisceau
laser (daprs Rivoal et Arinero)

40

Le dplacement relatif de la pointe par rapport lchantillon peut permettre une cartographie
de la grandeur mesure. Toutefois, en labsence de contrle, la sonde qui est trs proche de
lchantillon pourrait heurter la surface tudie et tre endommage. Pour y remdier, on utilise en
gnral un systme dasservissement qui maintient en permanence la distance pointe-surface une
valeur donne dinteraction pointe-substrat. En enregistrant le mouvement z(x,y) de rponse du
systme dasservissement au cours dun balayage, on visualise alors des nappes tridimensionnelles
isomesures de la grandeur physique sonde.
La pointe AFM peut tre statique ou tre mise en oscillation. Dans ce dernier cas, le cantilever
est mis en rsonance une de ses frquences propres grce la pastille pizo-lectrique. Suivant la
configuration adopte et la distance lchantillon (cf. Figure 2), on distingue trois modes dimagerie
principaux pour lAFM : contact (mode statique), contact intermittent (mode rsonnant non linaire
ou tapping en anglais) et rsonnant linaire (mode non-contact).
Le systme pointe - microlevier constitue un lment essentiel de lappareil. Ses
caractristiques les plus importantes sont :
une extrmit de pointe trs fine (rayon de courbure de quelques nanomtres) pour avoir une
bonne rsolution latrale ;
une frquence de rsonance (quelques dizaines de kilohertz) grande devant les frquences
caractristiques dacquisition et le bruit de lenvironnement pour viter les perturbations ;
une raideur adapte au mode utilis : faible (~ 0,01 N.m1) pour une bonne sensibilit en
force ou pour viter dendommager la surface en mode contact, ou forte (~ 100 N.m1) pour des
expriences de nano-indentation.
Ces contraintes imposent une miniaturisation du microlevier (Figure 5). En raison de la
complexit de leur fabrication, les cantilevers sont en gnral fabriqus avec des techniques issues de
la microlectronique. Les dispositifs ainsi raliss sont le plus souvent en silicium ou en nitrure de
silicium, matriaux couramment mis en oeuvre par ces techniques. Pour des expriences
dindentation, de rayure ou des mesures de rsistance de contact, on utilise parfois des pointes de
diamant de profil particulier. Les dimensions typiques d'un levier vont de 100 300 m pour la
longueur, de 10 50 m pour la largeur et de 0,3 2 m pour l'paisseur. Leur forme est soit
rectangulaire, soit en V . Cette dernire forme prsente l'avantage d'tre plus rsistante la torsion.
Suivant les gomtries, les raideurs sont comprises entre 0,01 N.m1 et quelques centaines de N.m1.
Les pointes ont en gnral un rayon de courbure typique de lordre de 2 50 nm.
a

Figure 5. Images MEB de microleviers rectangulaire (a), en V (b) et dune pointe lextrmit (c) (R. Arinero).

Simple et dencombrement rduit, lAFM peut tre utilis sous vide, sous atmosphre
contrle ou en milieu liquide. Il est cependant ncessaire de prvoir une bonne isolation du son et
des vibrations. Suivant les situations et les performances recherches, un caisson acoustique, une
table de balance ou une table optique sont ncessaires.
41

Question : Quel est le rle de la boucle dasservissement de lAFM ?

2.4. Modes de fonctionnement
2.4.1. Mode spectroscopie de force
Pour enregistrer une courbe de force en un point de la surface (Figure 6a), on rapproche puis
on loigne la pointe de lchantillon en enregistrant les dflexions du microlevier. On remarque que
les trajets aller de cration du contact (de droite gauche) et retour de rupture du contact (de
gauche droite) sont diffrents.

laller : loin de la surface, les forces dinteraction sont trs faibles, la dflection du cantilever est
quasi nulle, cest la partie horizontale droite (aller AJ et retour DA). Dans le cas gnral,
linteraction pointe - surface devient ensuite attractive et conduit une lgre dflection du cantilever
(vers le bas, ou ngative) lapproche de la surface (JB). Le saut au contact dfinit par convention
le point de contact. Si lon continue de rapprocher de la pointe lchantillon suppos trs rigide, la
dflection crot linairement avec la hauteur de lchantillon sur le trajet BC (la flche lextrmit
dune poutre encastre et la dflection au mme point sont en effet proportionnelles). Cette partie
permet ltalonnage des forces appliques en fonction de la dflection.

Au retour : la courbe de force, sur le trajet CS, commence par suivre le mme chemin qu
laller, mais dpasse celle de la limite du saut au contact cause de ladhsion. La pointe est cette
fois-ci au contact, i.e. une distance o les forces attractives sont plus importantes qu la distance
o elle tait au moment du saut laller. Il faut donc davantage loigner le microlevier pour que son
nergie lastique soit suffisante pour rompre le contact (Figure 6b). Quand le point de rupture S est
atteint, le cantilever reprend la position trs faiblement dflchie en D cause des forces interfaciales
hors contact.
Lhystrsis sur la courbe de force est donc une traduction des forces dadhsion et peut
permettre de les tudier. Sur un chantillon peu rigide, on peut presser la pointe contre le matriau
avec un microlevier suffisamment rigide. Elle peut alors senfoncer dans lchantillon (indentation)
et la dflection enregistre par rapport celle dun chantillon infiniment rigide renseigne sur les
proprits lastiques de la surface.
a

Figure 6. a) Courbe de force montrant la dflexion du microlevier en fonction de la hauteur de lchantillon (Zch). b)
volution de la force dinteraction au cours dun cycle dapproche-retrait ; les droites parallles reprsentent la force de
rappel lastique du microlevier en fonction de la distance pointe-surface D pour diffrentes distances microleviersurface h. (daprs Rivoal et al.)

42

2.4.2 Modes contact et frottement

Premier mode dvelopp, le mode contact correspond un fonctionnement au voisinage du
mur rpulsif du potentiel. La pointe touche la surface comme dans un profilomtre. La hauteur de
la pointe est asservie pour garder la dflexion du cantilever, et donc la force dinteraction pointesurface, constante. Sur certains chantillons, lusure et les dformations engendres par la pointe
perturbent la qualit des images. Ce mode est cependant facile utiliser, rapide et il est souvent coupl
des mesures simultanes de frottement, dadhrence ou de raideur de contact.
En mode contact, on peut effectuer des balayages de lchantillon perpendiculairement laxe
du microlevier. Dans ce cas, les forces de frottement induisent une torsion de lextrmit du levier,
qui se traduit par un dplacement horizontal du spot laser (Figure 4a). Ce dplacement permet une
mesure des forces de frottement, qui peut tre absolue si lon a talonn lappareil. On parle de mode
frottement (FFM pour friction force microscopy ou LFM pour lateral force microscopy).
2.4.3 Mode rsonnant (ou mode rsonnant linaire)
Dans ce mode, on fait osciller le cantilever sa frquence de rsonance, relativement loin de
la surface (d > 10 nm) et avec une faible amplitude (x < 1 nm). Dans lapproximation o la force
dinteraction ne dpend que de la distance pointe-surface d (pas de phnomnes dissipatifs
dadhsion, de viscolasticit ou de capillarit), lquation qui rend compte du systme scrit :
S
F ( d ( t ))
&x& + 2 b x& + w 0 2 x =
sin w t +
m
m
avec : x coordonne de position de loscillateur, ici lcartement de la pointe par rapport sa
position dquilibre, d = x + h o h est la distance microlevier-surface (cf. Figure3) ;
un terme de dissipation (le facteur de qualit est Q = 0/2b) ;
k la constante de raideur du microlevier, m sa masse et 0 = (k/m)1/2 sa frquence
(pulsation) propre ;
S lamplitude de lexcitation la frquence ;
F la force dinteraction pointe-surface.
Etant donne que x << h dans les conditions utilises en mode rsonnant linaire, on peut
dvelopper F(d(t)) = F (h+x(t)) au premier ordre en x :
S
F (h) + F ' (h) x
&x& + 2 b x& + w 0 2 x =
sin w t +
m
m
F(h), correspondant au dcalage de la position de la pointe au repos, est en gnral ngligeable
devant lamplitude doscillation x. On obtient donc :
F ' (h)
S
&x& + 2 b x& + (w 0 2 )x =
sin w t
m
m
ce qui correspond lquation dun oscillateur harmonique de frquence propre :
F ' (h )
w0 ' = w0 1 k
Dans ce mode, on travaille en gnral dans la portion attractive de la courbe de force : une
force attractive (donc correspondant une pente F positive) donne naissance une diminution de la
frquence de rsonance (Figure 7). Plus on se rapproche de la surface et plus cette pente est forte donc
plus la diminution de frquence est grande.

43

Figure 7. Amplitude doscillation du cantilever en fonction de la frquence dexcitation : sans interaction avec la
surface (courbe en pointills) et pour une interaction attractive avec la surface (courbe en trait plein) (daprs Aim).

On observe que la courbe de rsonance est sensible au gradient de la force dinteraction, F.

A amplitude dexcitation donne, la frquence de rsonance est dcale de D et, inversement,
frquence dexcitation donne, lamplitude des oscillations est modifie de DA. Il en rsulte deux
modes possibles de rgulation pour garder linteraction avec la surface une valeur constante (courbe
isomesure) : on peut asservir la distance pointechantillon en imposant une valeur constante soit
lamplitude doscillation (Amplitude Modulation ou AM-AFM), soit la frquence doscillation
(Frequency Modulation ou FM-AFM).
La pointe oscillant relativement loin de la surface, ce mode nest en gnral pas utilis pour
les tudes de topographie qui mettent en jeu des forces atomiques courte porte. Il permet cependant
lanalyse de forces longue porte, lectrostatiques et magntiques, en utilisant des pointes
conductrices ou magntiques. Dans ce cas, pour saffranchir des effets dus la topographie, il est
souvent ncessaire deffectuer ligne par ligne, un premier balayage en mode tapping prs de la
surface pour dterminer la topographie, suivi dun deuxime balayage en mode rsonnant linaire
avec la pointe asservie pour reproduire le contour effectu au premier passage mais une distance
plus grande (mode Lift ).
2.4.4 Mode tapping (ou contact intermittent)
Cest un mode rsonnant non linaire, dans lequel les amplitudes doscillation sont plus
grandes et la position moyenne de la pointe plus proche de la surface. chaque cycle, la pointe vient
effleurer le mur rpulsif de la surface. Le fonctionnement dans ce mode est plus difficile analyser
que le prcdent. Ici encore, on excite le cantilever au voisinage de frquence de rsonance. On rgule
la hauteur de la pointe sur lamplitude ou sur la frquence pour tracer des courbes isomesures de la
surface. Ce mode est trs utilis pour connatre la topographie des chantillons. Les forces appliques
sur lchantillon peuvent tre trs rduites et le temps de contact trs court ninduit pratiquement pas
de forces de frottement sur lchantillon. On vite ainsi les dformations de certains chantillons et
lusure toujours possible en mode contact. De plus, cause de la brivet du contact (infrieure la
microseconde), ladhsion na pas le temps de se dvelopper. Les dimensions du contact sont rduites
mme sur des chantillons trs dformables, confrant ce mode une bonne rsolution latrale.
Quand la hauteur de lchantillon est asservie une amplitude constante, les variations de phase
(retard entre lexcitation et loscillation du systme) sont caractristiques des dissipations dues la
surface (proprits viscolastiques ou de mouillage diffrentes).

44

2.4.5 Rcapitulatif
Principe de mesure

Type dimagerie

Informations

Dflexion du levier

Force normale

Topographie

Torsion du levier

Force latrale

Forces dadhsion et de
frottement

Mode contact
intermittent
(tapping)

Oscillation force du levier

avec contact intermittent

Amplitude

Topographie

Phase

Proprits viscolastiques

Mode rsonant
linaire
(non-contact)

Oscillation force du levier

faible amplitude et sans
contact avec la surface

Amplitude

Gradient de forces
longue porte

Mode lift

1) Reprage de la
topographie

1er passage en mode

contact ou tapping

2) Reprage du gradient de
force F la distance H de
la surface

2me passage distance H

reproduisant la
topographie

Mode contact

Phase

Topographie

Cartographie de forces
magntiques ou
lectrostatiques

2.5. Performances
2.5.1. Rsolution selon z
La rsolution normale la surface nest pas limite par la prcision de positionnement du
transducteur pizolectrique mais dpend essentiellement de lintensit des forces mesurables (cf.
II.1). Un systme de dtection optique (Figure 4a) permet de mesurer lamplitude doscillation
mieux de 0,1 nm ce qui correspond des forces de 10-11 N 10-8 N suivant la constante de raideur du
levier employ (de 0,1 100 N/m).
2.5.2. Rsolution latrale
La figure 8 montre le trajet dune pointe AFM au cours dun balayage en ligne dune surface
prsentant une marche. Llargissement et la dformation de limage de lobjet sont dus
lencombrement de la pointe : la pointe ressent la prsence de la marche avant le passage de son apex
la verticale du bord de la marche. La rsolution latrale dpend donc de la finesse de la pointe. Pour
dautres modes de fonctionnement, cet effet reste valable : lencombrement strique limite souvent la
rsolution de linstrument.
Il est difficile de quantifier la rsolution en mode contact. Leffet dencombrement est dautant
plus grand que la pointe est mousse, abme et de rapport daspect faible. Il affecte principalement
les rsultats obtenus sur les surfaces prsentant de brutales variations de hauteur. La rsolution latrale
ultime atteinte jusqu' prsent est de lordre de 0,5 nm. La rsolution latrale de routine est de lordre
de grandeur des rayons de courbure des pointes commerciales, soit la dizaine de nm.

Figure 8. Diminution de la rsolution latrale rsultant de la convolution de la surface de lchantillon avec la surface
de la pointe (daprs Rivoal).

45

Il est important de noter que cette analyse considre la pointe et la surface comme des solides
indformables (pas dinterpntration), ce qui nest plus vrai trs petite chelle et permet, dans
certaines conditions, dobtenir une rsolution latrale atomique avec des pointes de rayons de
courbure de lordre du nm.
2.5.3. Compromis entre la rsolution, la taille des donnes et le temps dacquisition
La rsolution latrale demande par lutilisateur est donne par le pas entre deux lignes de
balayage. A titre dexemple, une image AFM de topographie de surface de 100 m 100 m avec
un interligne de 10 nm (taille du pixel) aurait une taille de 200 Mo. A une vitesse de balayage de 10
m/s, il faudrait plusieurs heures pour en faire lacquisition. On voit donc quen pratique, il est
ncessaire de trouver un compromis entre la rsolution dune part et la taille des donnes et le temps
dacquisition dautre part. En pratique, on fixe la taille de la zone balaye, la rsolution de
numrisation de limage (qui impose la valeur de linterligne, ex : 256 x 256 pixels) et la vitesse de
balayage. On nexige donc gnralement la rsolution maximale de lappareil que sur des petites
surfaces (zones dintrt).
Question : Si vous deviez observer la topographie de surfaces prsentant des rugosits de lordre de
1-5 nm, quelle(s) mthode(s) utiliseriez-vous : AFM en mode rsonnant, AFM en mode tapping,
AFM en mode contact, MEB en mode lectrons rtrodiffuss, MEB en mode lectrons secondaires,
MET en mode champ clair ? Argumentez vos choix.
Cours AFM - Sources et documents de rfrence :
Thse Richard Arinero, Universit Montpellier 2, Microscopie force atomique en mode contact
vibrant
Document Techn. Ingnieur, J.-C. Rivoal & C. Frtigny, Microscopie force atomique
Document Techn. Ingnieur, F. Salvan & F. Thibaudau, Microscopie sonde locale

46

TD Interactions lectrons - matire

1. Spectre dun tube rayons X
Vous devez choisir une source de rayons X pour un diffractomtre de poudre et dterminer les
rglages pour son utilisation
a) Rappelez le principe de fonctionnement dun tube rayons X (cf. fascicule MASC 1).
b) Rappelez les principales caractristiques du spectre produit par un tube rayons X.
c) On considre un tube rayons X constitu par une cible de cuivre irradie par un faisceau
dlectrons acclrs par une tension V0 = 8,5 kV. Dterminez lallure gnrale du spectre : longueur
donde limite lL, longueur donde correspondant au maximum dintensit du fond, positions des
principales raies caractristiques.
d) Ces rglages sont-ils adapts pour obtenir une source monochromatique de rayons X de
longueur donde denviron 1,54 ? Proposez ventuellement des amliorations.
2. Spectre de pertes dnergie des lectrons
Un chantillon en forme de fine membrane (20 nm dpaisseur) est irradi par un faisceau
monochromatique dlectrons dnergie E0=100 keV. On mesure le spectre en nergie des lectrons
aprs traverse de lchantillon.
a) Citez deux phnomnes pouvant engendrer une modification dnergie des lectrons par
interaction avec la matire.
b) La figure ci-dessous prsente le spectre mesur en fonction de la perte dnergie par rapport
lnergie initiale E0. Dcrivez lallure du spectre et proposez une interprtation.
c) Sachant que lchantillon contient seulement du nickel, du fer, du phosphore, de loxygne et
du carbone, indexez les diffrents pics / seuils du spectre en argumentant vos choix.
CK

10

Spectre aprs soustraction

du fond (trait pointill)

Intensit
6
(x 1e+06)
cf. zoom ci-dessous

PL2,3
OK

FeL2,3 cf. zoom

ci-dessousNiL2,3

200

400
600
Perte dnergie (eV)

1000000
900000

800

60000

Zoom sur le
domaine 100-500eV

Zoom sur le
domaine 650-950eV

50000

800000
700000
Intensit (u.a.)

Intensit (u.a.)

40000

600000
500000
400000

30000

20000

300000
200000

10000

100000
0
100

150

200

250

300

350

400

450

0
650

500

Perte d' nergie (e V)

700

750

800

Perte d'nergie (eV)

47

850

900

950

3. Dommages dirradiation
Vous devez analyser un chantillon de graphite et un chantillon dor laide dun faisceau
monochromatique dlectrons. Avant cela, vous souhaitez dterminer partir de quelle nergie
incidente le faisceau dlectrons risque dendommager la structure des chantillons.
a) Citez un phnomne par lequel des lectrons incidents sur un matriau peuvent engendrer le
dplacement des atomes. Indiquez les consquences sur le matriau en fonction de lnergie
transfre.
b) Quel angle de diffusion correspond au transfert maximal dnergie cintique?
c) partir de quelle nergie incidente engendre-t-on des dommages dirradiation dans un
chantillon de graphite, sachant que le seuil de dplacement dun atome de carbone y est de 28 eV ?
d) On souhaite analyser un chantillon dor laide dun faisceau monochromatique dlectrons
de 200 keV. Dterminez si lchantillon risque dtre endommag au cours de lanalyse.
Donnes numriques :
Masse de llectron : m = 9,11.10-28 g
Nombre dAvogadro : NA = 6,02.1023 mol-1
Masse molaire de Au : MAu = 197 g/mol
Masse molaire du carbone : MC = 12 g/mol
Masse molaire de laluminium : MAl = 27 g/mol
Seuil de dplacement de Au : Edpl = 35 eV
Table des nergies de liaison des lectrons

48

Notation de Siegbahn des transitions lectroniques. On donne entre parenthses lintensit relative des raies pour une
mme couche de dpart.

Niveau
dorigine

Niveau darrive

49

TD Canons lectrons
Calculatrice graphique ncessaire !!!
Vous tes en charge de la conception dun canon lectrons destin un microscope lectronique
en transmission (MET). Vous devez effectuer des choix concernant la technologie dmission, la
nature de la source et les conditions dutilisation.
a) Le MET doit tre capable dtudier la structure cristalline de fines couches de matriau par
diffraction lectronique.
i) Quels types dlectrons peuvent donner lieu un phnomne de diffraction ?
ii) Quelle est la condition sur leur longueur donde ?
iii) En pratique, comment contrle-t-on la longueur donde des lectrons ?
iv) Dterminez les conditions utiliser pour obtenir des lectrons de longueur donde de 0,025
.
b) On envisage une source dmission thermo-ionique.
i) Rappelez le principe de lmission thermo-ionique.
ii) Proposez un (des) matriau(x) pour constituer la source dmission en argumentant vos
choix.
iii) La source dlectrons doit avoir une brillance de 109 A/m2sr afin dobtenir des images
prsentant un contraste suffisant : quelle temprature faut-il chauffer votre matriau de premier
choix pour obtenir une telle brillance ?
iv) Mme question pour votre matriau de second choix.
c) Quelle(s) autre(s) solution(s) technologique(s) permettrai(en)t dobtenir une brillance comparable ?
Comparez les avantages et les inconvnients.
d) Citez dautres applications dun canon lectrons.
Donnes numriques :
Ba : travail de sortie = 2,0 eV ; masse molaire = 137,3 g/mol ; point de fusion = 727C
Cu : travail dextraction = 4,6 eV ; masse molaire = 63,5 g/mol ; point de fusion = 1083C
LaB6 : travail dextraction = 2,4 eV ; masse molaire = 203,8 g/mol ; dcomposition 1700C
W : travail dextraction = 4,5 eV ; masse molaire = 183,8 g/mol ; point de fusion = 3410C
Pt : travail dextraction = 5,3 eV ; masse molaire = 195,1g/mol ; point de fusion = 1768C
2

Constante Ao = 1,2 A/mm K

k = 8,618.10-5 eV/K
Charge de llectron : e = 1,602.10-19 C
Masse de llectron : m = 9,109.10-31 kg

50

TD Microscopie lectronique en transmission

Pouvoir de rsolution
Vous devez effectuer des observations par MET dchantillons dor et de diamant avec la
meilleure rsolution possible.
a) Quels phnomnes limitent la rsolution accessible en MET ? Donnez les relations dterminant
les diamtres des disques de confusion dans chaque cas. Comparez qualitativement avec les limites
en microscopie optique.
b) Dterminez, dans lapproximation de Rayleigh, les relations donnant langle douverture a
optimal et la rsolution d correspondante en fonction des caractristiques du microscope. Faites
lapplication numrique pour votre MET fonctionnant Vacc=100 kV avec une lentille objectif de
distance focale f gale 0,27 cm, de coefficient Cs gal 0,2 cm et de coefficient CC gal 0,15 cm.
c) En pratique, langle douverture du MET est dtermin par le diamtre du diaphragme de
contraste (cf. figure 12, p.19). Quatre diaphragmes de diamtres 20 m, 40 m, 100 m et 200 m
sont disponibles : lequel choisirez-vous ?
d) Lapproximation de Rayleigh considre un certain type daberration comme ngligeable. Pour
un microscope donn, quelle condition doit tre vrifie pour que cette hypothse soit correcte ?
e) La relation de Cosslett permet de prdire la largeur de la distribution en nergie dun faisceau
dlectrons (DE) dnergie initiale E0 aprs traverse dun matriau :
61,2.10 4 Z
DE =
rt
b2 A
avec DE en eV, b2 = m0v2 = 0,3 pour E0=100 keV, Z numro atomique, A masse atomique, r densit en g/cm3, t paisseur
du matriau en cm.

On souhaite observer un chantillon dor et un chantillon de diamant avec la rsolution optimale

dtermine dans lapproximation de Rayleigh. Sur quel paramtre peut-on jouer pour respecter la
condition dtermine en d) ? Dterminez la valeur limite de ce paramtre pour chacun des
chantillons.
Compos

Numro atomique Z

Masse atomique A

Densit r (g.cm-3)

Or

79

196,97

19,32

Diamant

12,01

3,52

51

TD Diffraction lectronique
Rgle ncessaire !!!
Vous devez dterminer la structure cristalline de particules de phosphure de fer par diffraction
lectronique dans un MET travaillant Vacc = 400 kV. Les figures 1a-b prsentent deux
diffractogrammes dune particule obtenus diffrentes orientations de la particule par rapport au
faisceau dlectrons (par rapport la figure 1a, la figure 1b correspond une rotation de 60 autour
de laxe ). La figure 2 montre un diffractogramme dune fine couche dor enregistr dans les mmes
conditions.
a) Quels premiers commentaires pouvez-vous faire sur ces matriaux au vu de leurs
diffractogrammes ?
b) Quelles relations relient les distances et angles dans le rseau du cristal aux distances et
angles dans le diffractogramme ?
c) Dterminez la constante s2 ainsi que la distance quivalente dobservation L. Indexez le
diffractogramme de la figure 2.
d) Dterminez la structure cristalline de la particule partir du diffractogramme 1a. Confirmez
laide du diffractogramme 1b. Indexez les deux diffractogrammes et dterminez laxe de zone
correspondant chacun des diffractogrammes.
Figure1a

Figure 2

Figure 1b

Fe3P
Ttragonal I4
(hkl)
d ()
(110)
6,440
(101)
4,554
(220)
4,001
(121)
3,220
(130)
2,880
(301)
2,509
(400)
2,277
Au
Cubique faces centres
(hkl)
d ()
(111)
2,355
(200)
2,039
(220)
1,442
(311)
1,230
(222)
1,178
52

Fe2P
Hexagonal P62m
hkl
d ()
(100)
5,079
(001)
3,456
(110)
2,932
(101)
2,857
(200)
2,540
(111)
2,236
(201)
2,046
(210)
1,920

TD Microscopie lectronique balayage

1. Origine du contraste en MEB
a) Rappelez les diffrents types de contraste observs en MEB et leur origine. Discutez linfluence
du type dlectrons utiliss (secondaires ou rtrodiffuss) dans chaque cas.
b) Commentez lorigine du (ou des) contraste(s) observ(s) dans chacune des images MEB
suivantes (figures 1a-f).

Figure 1

a) Image en lectrons secondaires de particules dAl2O3

b) Image en lectrons secondaires de la surface de

fracture dune cramique de composition Al6Si2O13.

c) Image en lectrons secondaires dune membrane

dAl2O3 avec des inclusions de Ni et une couche dAu

d) Image en lectrons secondaires de silicium dpos

par CVD

(g)

e) Image en lectrons rtrodiffuss

f) Image en(h)
dune
lectrons
section
rtrodiffuss
plane dundune
composite Al2O3 / ZrO2 section plane de quartzite polycristalline
53

2. Volumes dinteraction et surfaces dmission

a) Les figures ci-dessous montrent les trajectoires des lectrons lorsquun faisceau dlectrons
rencontre la surface dun matriau. Commentez et expliquez les diffrences observes.

b) A quelle zone du schma ci-dessous correspond le volume explor par les lectrons incidents ?
Expliquez quoi correspondent les autres volumes dfinis sur le schma et leurs diffrences de taille.

c) Quelles sont les implications pour lanalyse de matriaux dans un MEB ?

d) Dcrivez linfluence des paramtres de rglage du MEB sur la qualit de limage obtenue.
3. Profondeur de champ
On considre un faisceau lectronique convergent dangle douverture a et de diamtre ds dans le
plan de mise au point P (figure 3a).
a) Dmontrez la relation donnant la profondeur de champ D en fonction des caractristiques de
lappareil et de lobservateur.
b) Calculez la profondeur de champ et comparez la largeur de balayage objet pour G gal (i) 100, (ii) 1 000 et (iii)
10 000. On prendra L=10 cm, a = 2.10-3 rd, e = 0,2 mm, ds = 10 nm.

c) La figure 3b est une image MEB dun polycristal de jahnsite. Quel paramtre doit-on modifier pour
voir net en mme temps les cristallites au premier et au deuxime plan ?

b
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Figure 3

55

TD Microanalyse par sonde lectronique

Vous devez tudier la composition dune roche volcanique appele ankaratrite. Pour cela,
vous disposez dun MEB quip de microanalyse par sonde lectronique (EPMA). Lankaratrite est
un matriau composite contenant comme minraux principaux :
pyroxne Ca(Mg, Fe) Si2O6
titanomagntite (Fe,Ti)3 O4
olivine (Fe,Mg)2 SiO4
a) Rappelez le principe de la microanalyse par sonde lectronique. Comment peut-on lutiliser dans
un MEB pour effectuer une cartographie lmentaire de la surface dun chantillon ?
b) La figure 1 reprsente un spectre EPMA typique de lankaratrite. Attribuez les diffrents pics 0.52
keV, 1.25 keV, 1.74 keV, 3.69 keV, 4.51 keV et 6.40 keV.
Figure 1

c) La figure 2 prsente quatre images dune mme zone dune section plane dankaratrite toutes
obtenues avec un faisceau dlectrons acclrs 30 kV.
i. Expliquez lorigine du contraste observ pour chaque image.
ii. Dterminez la nature des diffrents minraux prsents dans la zone.
iii. Comment pourrait-on amliorer la rsolution de limage B ?
Figure 2

10 mm
A. image en lectrons secondaires

B. image en photons X dnergie 3,69 keV

C. image en photons X dnergie 6,40 keV

D. image en photons X dnergie 4,51 keV

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(pour le
cuivre)

Nomenclature des transitions lectroniques possibles pour les niveaux K et L.

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