1. Tranzistorul p-n-p este conectat ntr-un circuit cu emitor comun. Care este regimul de lucru?

a)
b)
c)
d)

UBE = - 0,4 V, UCE = -0,3 V

UBE = 0,4 V, UCE = -0,3 V
UBE = - 0,4 V, UCE = -10 V
UBE = 0,4 V, UCE = -10 V

2. Tranzistorul p-n-p este conectat cu baz comun. UEB = -0,5 V, UCB = 12V. De aflat UCE.
3. Tranzistorul p-n-p este conectat cu emitorul comun. UBE = -0,8 V, UCE = -10V. Determinai UCB.
4. O diod are curentul de saturaie I0 = 10 A i tensiunea aplicat 0.5 V. Calculai raportul dintre
curentul direct i invers pentru temperatura de 300 K.
5. Curentul direct n dioda de Si I=1 mA. Calculai mrimea lungimii de difuzie a purttorilor de
sarcin, dac capacitatea de difuzie Cd = 1 F. Presupunem c concentraia impuritilor n
regiunea p este cu mult mai mare dect n regiunea n.
6. Calculai semnalul de ieire n circuitul:

7. O diod ideal are curentul de saturaie I0 = 10 A i tensiunea aplicat 0,5 V. Calculai

raportul dintre curentul direct i invers pentru temperatura de 300 K.
8. La o jonciune p-n ideal s-a determinat experimental urmtoarele puncte ale caracteristicii
statice:
IF1 = 10 nA, VF1 = 0,3 V
IF2 = 100 nA, VF2 = 0,41 V
S se gseasc expresia analitic a caracteristicii statice n domeniul de cureni considerat.
9. La tensiunea direct de 1 V curentul admisibil prin diod este de 50 mA. Dac dioda va fi
conectat consecutiv cu R = 100, care va fi tensiunea maximal a sursei?
10. Capacitatea de barier a jonciunii abrupte este de 200 pF la tensiunea invers de 2V. Ce
tensiune e necesar de aplicat, ca capacitatea s se micoreze cu 50 pF, dac potenialul de
contact c = 0,82 V ?
11. Capacitatea de barier a jonciunii p-n abrupte este egal cu 25 F la tensiunea invers de 5V.
Cu ct se va modifica capacitatea, dac tensiunea se va mri pn la (Uinv) egal cu 7 V?
12. O diod varicap realizat cu jonciunea p-n abrupt prezint umrtoarele capaciti la diferite
tensiuni de polarizare invers:
C1 = 10 pF, UR1 = 1V,
C2 = 3 pF, UR2 = 20V.
S se calculeze capacitatea C0 pentru U = 0.

13. n circuitul serie din figura de mai jos a cele dou diode I01 = 1 A i I02 = 9 A. S se
calculeze tensiunele la bornele celor dou diode.

14. S se calculeze tensiunile la bornele celor dou diode din figura de mai jos:

15. Pentru figura de mai jos se consider E = 3V, R = 550 , iar dioda D se consider modelul
diodei ideale cu tensiunea de prag UD = 0,6 V i rezistena rD = 50 .
a) Cum este polarizat dioda?
b) S se determine punctul static de funcionare a diodei.

16. n figura de mai jos este prezentat un circuit, n care se afl o diod semiconductoare D, ce are
o dependen a curentului ID n funcie de tensiunea UD reprezentat n fig. S se calculeze
cderea de tensiune pe rezistena notat cu U, dac E = 2 V i R = 2 .

17. S se calculeze rezistena serie a unei jonciuni, dac se dispune de urmtorul set de
msurtori:
IF1 = 0,1 A la UF1 = 0,5 V
IF2 = 0,4 A la UF2 = 0,6 V
IF3 = 1,6 A la UF3 = 0,75 V
18. La jonciunea p-n s-a determinat experimental urmtoarele puncte ale caracteristicii statice:
IF1 = 10 nA, UF1 = 0,3 V
IF2 = 100 nA, UF2 = 0,41 V
IF1 = 1 A, UF3 = 0,52 V
S se gseasc expresia analitic a caracteristicii statice n domeniul de cureni considerat.
19. n circuitul din figura de mai jos diodele D1 i D2 se consider ideale (m=1) I01 = 2 pA, I02 = 8
pA,. S se calculeze curenii prin cele dou diode.

20. O diod varicap realizat cu jonciunea abrupt prezint urmtoarele capaciti la diferite
tensiuni de polarizare invers:
C1 = 10pF, UR1 = 1V
C2 = 3pF, UR2 = 20V
S se calculeze valoarea C0 pentru U=0.
21. Pentru tranzistorul p-n-p este dat: Ipe = 1 mA; Ine = 0,01 mA; Ipc = 0,98 mA; Inc = 0,001 mA.
De calculat:Coeficienii de amplificare a curenilor pentru conectarea tranzistorului cu baz
comun i emitor comun;Eficiena emitorului, coeficientul de transfer n baz, eficiena
colectorului
22. O diod este conectat cu o surs de tensiune E=20 V, o rezisten R=10 k .Dioda este polarizat
direct,curentul de saturaie a diodei Io=10 A. Determinai valorile curentului i cderii tensiunii
pe diod.
23. ntr-o jonciune abrupt cu suprafaa S = 10-6 m2 concentraia impuritii acceptore n regiunea p
Na = 1024 m-3, concentraia impuritii donore n regiunea n Nd = 1022 m-3, concentraia
intrinsec ni = 1019 m-3.
De calculat la temperatura T = 300 K: a) Concentraia purttorilor
de sarcin minoritari i majoritari; b) nlimea barierei de contact;

24. Jonciunea p-n are urmtoarele parametri: ND = 103 NA, i la fiecare 108 atomi de germaniu
revine un atom a impuritii acceptate. Determinai fC dac concentraia atomilor de germaniu
NGe = 4,4 1022 cm-3 iar ni = 2,5 1013 cm-3 . Temperatura T = 300 K.
25. Curentul de saturaie a diodei I0 = 1 A. Determinai tensiunea aplicat la diod dac curentul I = 1
mA; 1 A.
26. Cu ct e necesar de mrit tensiunea aplicat la diod pentru a mri curentul direct de 10; 100 ori
27. ntr-o jonciune abrupt cu suprafaa S = 10-6 m2 concentraia impuritii acceptore n regiunea p
Na = 1024 m-3, concentraia impuritii donore n regiunea n Nd = 1022 m-3. Mobilitatea
golurilor p = 0,2 m2 / Vs, Mobilitatea electronilor 0,4 m2 / Vs, lungimile de difuzie a
purttorilor de sarcin minoritari: Lp = 2 10-4 m, Ln = 3 10-4 m, permeabilitatea dielectric a
materialului = 16, concentraia intrinsec ni = 1019 m-3. De calculat la temperatura T = 300 K:
a) Concentraia purttorilor de sarcin minoritari i majoritari;
b) Conductibilitatea specific a regiunilor p i n;
c) nlimea barierei de contact;
d) Coeficienii de difuzie a purttorilor de sarcin;
e) Curentul de saturaie I0;
f) Limea regiunii sarcinilor spaiale la tensiunea invers 10 V;
g) Capacitatea de barier la tensiunea invers 10 V;
h) Raportul dintre curenii golurilor i electronilor.
28. Jonciunea p-n din germaniu are urmtorii parametri: ND=103 NA, iar la fiecare 108 atomi de
germaniu revine 1 atom de impuritate. S se calculeze pentru temperatura T=300K diferena
intern de potenial a jonciunii BO, lrgimea total a regiunii sarcinii spaiale la echilibru l0.
Care este extinderea acesteia n cele dou regiuni ln0 i lpo?
29. S se calculeze pentru temperatura T=300K diferena intern de potenial BO i lrgimea total
a regiunii sarcinii spaiale la l0 pentru o jonciune din germaniu cu rezistena specific a regiunilor
p=2 cm i nn= 1 cm.
30. S se calculeze pentru temperatura T=300K diferena intern de potenial BO i lrgimea total
a regiunii sarcinii spaiale la l0 pentru o jonciune din germaniu cu conductibilitatea specific a
regiunii p- p=104 s/m i a regiunii n- n=102s/m
31. Pentru tranzistorul p-n-p este dat: Ipe = 1 mA; Ine = 0,01 mA; Ipc = 0,98 mA; Inc = 0,001 mA.
De calculat:Coeficienii de amplificare a curenilor pentru conectarea tranzistorului cu baz
comun i emitor comun;Eficiena emitorului, coeficientul de transfer n baz, eficiena
colectorului
32. O diod este conectat cu o surs de tensiune E=20 V, o rezisten R=10 k .Dioda este polarizat
direct,curentul de saturaie a diodei Io=10 A. Determinai valorile curentului i cderii tensiunii
pe diod.
33. ntr-o jonciune abrupt cu suprafaa S = 10-6 m2 concentraia impuritii acceptore n regiunea p
Na = 1024 m-3, concentraia impuritii donore n regiunea n Nd = 1022 m-3, concentraia
intrinsec ni = 1019 m-3.
De calculat la temperatura T = 300 K: a) Concentraia purttorilor
de sarcin minoritari i majoritari; b) nlimea barierei de contact;
34. Jonciunea p-n are urmtoarele parametri: ND = 103 NA, i la fiecare 108 atomi de germaniu
revine un atom a impuritii acceptate. Determinai fC dac concentraia atomilor de germaniu
NGe = 4,4 1022 cm-3 iar ni = 2,5 1013 cm-3 . Temperatura T = 300 K.
35. Rezolvai problema precedent pentru siliciu, dac NSi = 5 1022 cm-3 , iar ni = 1010 cm-3
36. Rezistena specific a regiunii p pentru o jonciune de germaniu p = 2 cm, iar pentru
regiunea n n = 1 cm. Determinai nlimea barierei de contact pentru T = 300 K.
37. Curentul de saturaie a diodei I0 = 1 A. Determinai tensiunea aplicat la diod dac curentul I = 1
mA; 1 A.
38. Cu ct e necesar de mrit tensiunea aplicat la diod pentru a mri curentul direct de 10; 100 ori