RELATRIO DE ELETROMAGNETISMO

Dndara Louise Cruz Simes e Jlia Norbim Rones

*e-mail: dandaralouise14@gmail.com

SEMICONDUTORES

A condutividade a grandeza que determina o quo suscetvel ao fluxo de

cargas um dado material. Na indstria e no nosso cotidiano diferentes nveis de
condutividade se fazem necessrios para obter-se o funcionamento desejado de
mquinas e utilitrios.
Os materiais slidos apresentam uma extensa faixa de valores de condutividade,
de 27 ordens de grandeza. Com esse parmetro, divide-se os materiais slidos em trs
tipos: condutores, isolantes e semicondutores.

Figura 1. Valores para condutividade de alguns condutores, semicondutores e isolantes

A condutividade eltrica explicada pela Teoria do Orbital Molecular (TOM),
que explora os conceitos de bandas de energia. Para que haja condutividade eltrica,
necessrio que exista a mobilidade de cargas. Esta mobilidade obtida quando eltrons
adquirem energia suficiente para deslocar-se da banda de valncia para a banda de
conduo. Esta energia denominada energia de gap.
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Figura 2. Bandas de energia para um material isolante, semicondutor e condutor

Nos isolantes, o gap elevado, fazendo com que seja necessrio um alto
fornecimento de energia para que os eltrons da banda de valncia se excitem e passem
para a banda de conduo. Em contrapartida, nos condutores, as bandas de valncia e
conduo se sobrepem, justificando a caracterstica desses materiais de conduzir
corrente eltrica mesmo sob diferenas de potencial baixssimas, j que nenhuma parte
dessa energia utilizada para o salto de bandas, mas sim exclusivamente no
direcionamento do fluxo de eltrons. Os semicondutores, portanto, possuem gap
intermedirio, com um nmero intrnseco de portadores livres (eltrons na banda de
conduo) muito inferior ao dos condutores em temperatura ambiente.
Os semicondutores so classificados como

intrnsecos e extrnsecos.

Semicondutores intrnsecos so os slidos elementares, como o Silcio (Si) e o

Germnio (Ge), enquanto os do tipo extrnseco so aqueles obtidos da dopagem dos
elementos semicondutores por elementos de famlias imediatamente anteriores ou
imediatamente posteriores na tabela peridica. A dopagem de um elemento
semicondutor visa o aumento da condutividade, e se utiliza da busca dos tomos pela
estabilizao energtica atravs do preenchimento de sua camada de valncia.
Deve-se observar que o Silcio e o Germnio so elementos da famlia IV-A e
possuem, portanto, quatro eltrons de valncia. Por isso sua estrutura cristalina se
mantm por ligaes covalentes, que dispem o slido de silcio, por exemplo, da
seguinte maneira:
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Figura 3. Estrutura cristalina do slido de silcio

A famlia a qual o elemento de dopagem pertence determina qual o tipo de

semicondutor extrnseco, sendo duas as possibilidades: tipo p, e tipo n.
O semicondutor do tipo p aquele obtido atravs da dopagem com um elemento
de famlia imediatamente anterior. A ligao entre um elemento da famlia III-A e um
elemento da famlia IV-A far com que exista uma lacuna nesta ligao. Uma vez que o
processo de dopagem usualmente realizado com a proporo de

(tomo

dopante/tomo semicondutor), esta lacuna estar presente em partes pontuais da

estrutura, e se deslocar ao longo desta. A nomenclatura tipo p vem do fato de que o
fluxo de cargas positivo, j que a lacuna se desloca de tomo em tomo tornando estes
momentaneamente mais positivos.

Figura 4. Deslocamento de lacunas

O semicondutor do tipo n aquele obtido atravs da dopagem com um elemento

de famlia imediatamente posterior. A ligao entre um elemento da famlia V-A e um
elemento da famlia IV-A far com que exista um nono eltron nesta ligao, que estar
fracamente ligado aos tomos. A nomenclatura tipo n vem do fato de que o fluxo de
cargas negativo, j que o eltron se desloca de tomo em tomo tornando estes
momentaneamente mais negativos.

Figura 5. Deslocamento de eltrons

Observa-se nos semicondutores um comportamento diferente dos condutores no

que diz respeito relao entre a condutividade e a temperatura. Nos condutores, o
aumento da temperatura ocasiona a diminuio da condutividade, visto que os eltrons
j se encontram na banda de conduo e a energia absorvida intensifica o efeito do
espalhamento trmico, diminuindo a mobilidade eletrnica. J nos semicondutores, a
energia trmica absorvida permite que mais eltrons na banda de valncia adquiram
energia suficiente para passar para a banda de conduo, sobrepondo o efeito do
espalhamento trmico.

Figura 6. Relao entre a temperatura e a concentrao de portadores no

semicondutor intrnseco

Figura 7. Relao entre a temperatura e a concentrao de eltrons no semicondutor

extrnseco
J nos semicondutores extrnsecos, essa relao apresenta algumas variaes.
Observam-se trs regies distintas. A primeira, chamada de regio de temperatura de
congelamento, mostra que a baixas temperaturas, nem mesmo os eltrons provenientes
da dopagem possuem energia suficiente para estar na banda de conduo. A segunda
parte, constante, mostra que a condutividade um reflexo dos eltrons do dopante, j
que a energia trmica provida suficiente apenas para a excitao dos eltrons
provenientes deste, e por isso chama-se regio de temperatura extrnseca. Em seguida,

tem-se a regio na qual a energia provida suficiente para excitar os eltrons do

semicondutor intrnseco, e por isso, traz o nome de regio intrnseca.
A curva tracejada mostra a curva de um semicondutor intrnseco. Deve-se
observar que a curva do semicondutor extrnseco tende assintoticamente a esta, pois o
nmero de portadores intrnsecos muito maior que o de extrnsecos, vide a proporo
apresentada anteriormente entre tomos dopantes e tomos semicondutores.
Por ter propriedades eltricas nicas, os semicondutores so utilizados em
dispositivos eletrnicos tais como diodos e transistores. As vantagens dos dispositivos
semicondutores incluem pequenas dimenses, baixo consumo de energia e a
inexistncia de qualquer tempo de aquecimento.

SUPERCONDUTORES

A supercondutividade um fenmeno eltrico com aplicaes magnticas

relacionadas ao estado supercondutor, que so usados principalmente nos ms capazes
de gerar grandes campos.
medida que a maioria dos metais de alta pureza resfriada at temperaturas
prximas a zero kelvin, a resistividade eltrica diminui gradualmente, tendendo a um
valor muito pequeno caracterstico de cada material. Existem poucos materiais,
entretanto, para os quais a resistividade a uma temperatura muito baixa cai
abruptamente, desde um valor finito at um valor virtualmente igual a zero,
permanecendo neste ponto aps um resfriamento adicional. Os materiais que exibem
este comportamento so denominados de supercondutores.
Os materiais supercondutores so caracterizados de duas formas: a primeira o
fato de a resistncia eltrica ser 0 (zero) assim como o campo magntico no seu interior,
sendo completamente diamagnticos sob campos aplicados baixos. A segunda ,
enquanto estiver no estado supercondutor, so completamente diamagnticos, isto , a
totalidade de um campo magntico aplicado ser excluda do corpo do material, que
explica o fato do im flutuar sobre o supercondutor. As linhas de campo magntico do
m so impedidas de entrar no supercondutor e agem como se houvesse outro idntico

no seu interior, dessa forma, o im sofre uma repulso que compensa seu peso, fazendo
com que ele levite sobre o material que est superconduzindo.

Figura 8. Campo magntico em um condutor normal e um supercondutor,

respectivamente
A figura da esquerda mostra o campo magntico penetrando no mesmo corpo de
material uma vez que ele se torna um condutor normal. J a figura da direita, enquanto
no estado supercondutor, um corpo de material (circulo) exclui um campo magntico no
seu interior.
Pares de Cooper
A supercorrente, descoberta por Leon Cooper em 1956, que aparece quando se
deslocam em pares pela estrutura cristalina do material devida ao surgimento dos
fnons. Um fnon uma excitao mecnica na rede cristalina de um slido. Desloca-se
como uma onda pelo material em todas as direes e causada pelos pequenos
deslocamentos dos tomos da rede. Quanto maior a temperatura maior o nmero de
fnons.
Os tomos da rede cristalina de um metal no so eletricamente neutros. Como
perdem eltrons, se tornaram positivamente carregados. So esses eltrons perdidos que
transportam a corrente eltrica pelo slido. Um eltron que se desloca atravs do
material vai perturbando os tomos da rede, atraindo-os. Essa perturbao o fnon,
que sai atrs do eltron. O fnon pode capturar outro eltron que esteja por perto,
formando o par de Cooper: dois eltrons ligados atravs de um fnon da rede. O fnon

formado de cargas positivas deslocadas permite que os eltrons, que normalmente se

repelem, viajem em conjunto pelo slido. Em temperatura alta, a agitao trmica to
forte que um par de Cooper no consegue manter-se. Em baixas temperaturas as
chances melhoram.
Teoria BCS
Teoria dos fsicos John Bardeen, Leon Cooper e Robert Scrieffer, explicam
porque os pares de Cooper conseguem se deslocar sem impedimento pela rede
cristalina, enquanto os eltrons individuais sofrem resistncia.
Quando um eltron, em um condutor normal, interage com os tomos da rede,
d-se uma troca de energia. Na interao, o eltron pode transferir energia para os
tomos, o que gera uma vibrao na estrutura cristalina, excitando-os, provocando o
aquecimento do material e resultando em uma resistncia ao deslocamento dos eltrons
livres. No entanto, se dois eltrons j estiverem ligados em um par de Cooper, essa
interao com outros tomos da rede s ser possvel se a energia trocada for maior que
a energia do gap.
Em temperaturas elevadas, h a disponibilidade de energia trmica fazendo com
que os pares de Cooper no consigam se formar, ou, quando se formar, logo sero
aniquilados. Em temperaturas normais, existe muita energia para se realizar a
sobreposio do gap de energia nos pares de Cooper. J em temperaturas baixas, podese chegar a um valor no qual a energia disponvel para trocas trmicas menor que a
energia do gap, podendo acarretar choques sem realizar troca de energia, e alguns pares
de Cooper no so aniquilados pela agitao trmica. Em processos qunticos s pode
haver troca de energia se o gap for vencido.
O entendimento recente do fenmeno da supercondutividade responsvel por
grandes invenes, tais como, ims especiais, fios sem perda energtica, exames
mdicos de qualidade altssima e at trens flutuantes. Mesmo com grandes avanos
desde sua descoberta e com as grandes contribuies da fsica quntica o fenmeno da
supercondutividade ainda cercado de mistrios.

REFERNCIAS
[1] Callister, Jr., William D. - Cincia e Engenharia dos Materiais: Uma introduo
(LTC - Livros tcnicos e cientficos Editora S.A.) [2008]
[2] Supercondutividade e suas aplicaes, URL: http://www.scielo.br/ [Maio 2016].