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Practica N 2
DIODO SEMICONDUCTOR
Karen Mishell Jara Cevallos, Alex David Lozada Parra, Paulina Gabriela Mena Pstor
kami.jace@hotmail.es
alexlozada2695@hotmail.com
paulimenap94@gmail.com
Resumen:
ABSTRACT.
Semiconductor diode consists mainly of a ju
KEY WORDS:
Diode, anode, cathode, Semiconductor,
Resistor, voltage, intensity, source of sup
Palabras Clave:
ply, multimeter.
1. INTRODUCCIN.
germanio,
1Led Rojo
1 resistencia de 680 , 2.2 K, 1 K,
lo
define
como
un
dispositivo
prcticamente
en
5.6 K.
4. PROCEDIMIENTO:
A CONFIGURACION DE DIODOS EN
Los diodos se fabrican en versiones de
silicio (la ms utilizada) y de germanio.
Viendo
el
smbolo
del
diodo
SERIE
1 Arme el circuito de la figura 1.
en
de
dos
separados
por
una
juntura
de
0.6
paralelo.
ID1, IR.
En el circuito de la figura 1polarizar
diodos.
3. MATERIALES:
Fuentes de alimentacin de 5V a 15V /
1A.
Multmetro.
valores en la tabla 2.
Arme el circuito de la figura 2.
paralelo
5. Mida los siguientes parmetros y
ID1, ID2.
Implemente un circuito en serie con
IR,
parmetros
, VR, ID,
I LED
E,
VD,
, utilice la
IDSi
ID .
5. PREGUNTAS
Los
resultados
experimentales
eran
son
exactamente
iguales
sino
la
prctica
realizada
se
diodo?
Si se pudo comprobar ya que cuando el
o aislante?
ID
Intensidad
Valor
R
E
VD1
VD2
VR
IR
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la
en la R
resistencia
5.6 K
9V
0.6 V
0.6 V
7.85 V
1.39 mA
medido
Valor
5.6 K
1.36 mA
9V
0.7 V
0.7 V
7.6 V
1.36 mA
en el diodo
1.39 mA
calculado
Tabla 2
Magnitud
Valor
medido
R
E
VD1
VD2
VR
IR
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la
en la R
resistencia
5.6 K
9V
-1.97 V
8.87 V
0.2 V
0 mA
ID
Intensidad
en el diodo
0 mA
Valor
5.6 K
9V
0V
9V
0V
0 mA
0 mA
calculado
Tabla 3
Magnitud
R
E
VDSi
VDGe
VR
IDSi
Resistencia Tensin en Tensin en Tensin en Tensin en
Intensidad
la fuente
el diodo 1
el diodo 2
la
Valor
5.6 K
12 V
0.6 V
0.3 V
resistencia
11.1 V
medido
Valor
5.6 K
12 V
0.7 V
0.3 V
11 V
R
Resistenc
E
Tensin
ia
en
IDGe
Intensidad
1.9 mA
1.9 mA
1.96 mA
1.96 mA
calculado
Tabla 4
Magnitud
VD1
Tensin
la en
VD2
Tensin
el en
VR
Tensin
el en
IR
Intensida
la
fuente
diodo 1
diodo 2
resistenci
d en la R
ID 1
Intensida
ID 2
Intensida
d en el d en el
diodo 1
diodo 2
Valor
1 K
9V
0.647 V
0.647 V
a
8.35 V
8.4 mA
3.48 mA
3.28 mA
medido
Valor
1 K
9V
0.7 V
0.7 V
8.3 V
8.3 mA
4.15 mA
4.15 mA
R
Resistenc
E
Tensin
VD1
Tensin
VD2
Tensin
VR
Tensin
IR
ID 1
Intensida
ID 2
Intensida
ia
en
calculado
Tabla 5
Magnitud
fuente
la en
diodo 1
el en
el en
Intensida
la
diodo 2
resistenci
Valor
1 K
9V
9V
9V
a
-0.1 mV
medido
Valor
1 K
9V
9V
9V
0 mV
calculado
Tabla 6
d en la R
d en el d en el
diodo 1
diodo 2
0 mA
0 mA
0 mA
0 mA
0 mA
0 mA
Magnitud R
Resistenc
ia
E
Tensin
en
VDSi
Tensin
la en
fuente
VDGe
Tensin
el en
diodo 1
VR
Tensin
el en
IR
Intensida
la d en la R
IDSi
Intensida
IDGe
Intensidad
diodo 2
resistenci
5.38 mA
0 mA
5.36 mA
Valor
2.2 K
12 V
0.334 V
0.335 V
a
11.68 V
medido
Valor
2.2 K
12 V
0.3 V
0.3 V
11.7 V
5.31 mA
0 mA
5.31 mA
E
Tensin
VD
Tensin
VDled
Tensin
VR
Tensin
IR
Intensida
ID
IDled
Intensidad
calculado
Tabla 7
Magnitud R
Resistenc
ia
Valor
en
0.68 K
medido
Valor
la en
el en el led
fuente
diodo 1
12 V
0.71 V
en
la d en la R
12 V
0.7 V
resistenci
2.1 V
a
9.21 V
mA
0.68 K
Intensida
1.8 V
9.5 V
calculado
mA
7. CONCLUSIONES (mnimo 3)
13.63 13.63
13.63 mA
mA
13.97 13.97
13.97 mA
mA
En
esta
experiencia
se
ha
inconvenientes
en
la
se
diodo
diodo.
aplicaciones
tericas
explicaron
de
que
un
8. RECOMENDACIONES
Comprobar
que
las
resistencias
TEORA
DE
CIRCUITOS
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,
armar el circuito.
Para medir las intensidades se debe
BOYLESTAD
PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,
corto.
Colocar correctamente el nodo y el
ctodo segn la lnea de corriente.
9. BIBLIOGRAFIA.
&
NASHELSKY,
FLOYD
THOMAS
edicin,
2007,
EDUCACI
L,
octava
PEARSON