Materiale Conductoare-Rezistoare

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE
CAPITOLUL 1
1.1 Introducere. Tratarea unitar a proprietilor de material
Proprietile de material sunt rezultatul aciunii cmpurilor electrice i
magnetice asupra substanei.
Cele dou moduri de manifestare ale materiei, substana i cmpul, se
afl ntr-o permanent interaciune. n principal, intereseaz proprietile
substanei, deci se va considera numai aciunea:
cmp substan,
cmpurile fiind cele specifice: electric E i magnetic H, n regim static (f = 0)
sau dinamic (f 0).
Principalele proprieti de material importante pentru domeniul
electric E extins (energetic-electrotehnic, electromecanic-electronic) din
punct de vedere electric i magnetic sunt: - conductivitatea, permitivitatea, - permeabilitatea i N, P - coeficienii de conductibilitate
extrinsec (prin dopare).
Tratarea unitar a proprietii p (la modul general) are drept scop
obinerea unei imagini globale n ceea ce privete comportarea n domeniul
pulsaie (frecven) timp:
p(f) p(f,To)
p(t) p(t,To)
(1.1)
Obs. Proprietate pur nu exist, ci numai combinaii de tipul:
a)
semiconductoare /2 ;
b)
magnei metalici;
c)
ferite;
d)
semiconductoare cu proprieti magnetice (cristale HALL).
Aciunea cmp substan n regim static pune n eviden

proprietile de regim staionar sau proprieti de c.c.:
(E,H)(f = 0) c.c., c.c., c.c., Nc.c., Pc.c. ,
(1.2)
iar n regim dinamic pe cele de c.a.:
(E,H)(f ) c.a., c.a., c.a., Nc.a., Pc.a. .
(1.3)
7
n c.c. existena cmpurilor Ec.c. i Hc.c. (electrostatic i magnetostatic)

pun n eviden coeficienii pc.c.. Simetria atomilor i energiile electronilor fiind
perturbate pe durata aciunii acestor cmpuri, pentru proprietile de material
amintite se definesc urmtoarele constante de timp:
pc.c.
constanta de timp de alunecare (din BV n BC);

constanta de timp de polarizare dielectric;
(1.4)
constanta de timp de polarizare magnetic;
N i P constanta de timp de existen, de via a FPS ce creaz
curenii de conducie de tip N sau P.
n c.a., f 0 i funcie de durata perioadei T a cmpurilor Ec.a. sau Hc.a.

comparat cu constanta de timp p a proprietii de material p, proprietatea pc.a.
se afirm sau se infirm:
a) T >> p p = pc.a . pc.c. ;
b) T p p = pc.a. < pc.c. ;
(1.5)
c) T << p p 0 pc.a. .
n cazurile a) i b) proprietatea p se afirm, iar n cazul c) se infirm,
se vorbete de nonproprietatea p (electronii acionai n micarea lor specific
au sau nu au timp s o execute dup cum T > p sau T < p).
n cazurile T << p trebuie subliniat c, dei d.p.d.v. al c.c. exist toate
condiiile ca proprietile E s existe, totui necorelarea perioadei T cu
constanta de timp specific p conduce la anularea lor, altfel spus, pulsaia
excitaiei exterioare apare ca un factor restrictiv asupra proprietilor E.
Concluzia, asociat micrii electronice, este c proprietatea generic
de material p se va caracteriza printr-o mrime de curent continuu pc.c. i
una de curent alternativ pc.a., respectiv o constant de timp acoperitoare p.
innd seama de comportamentul substanei la influena cmpurilor
alternative, cel mai simplu model analitic pentru pc.a. este:
pc.c.
pc.a.
p( j )
(1.6)
1 j p
cu formele:
p(j) = |p(j)|ejp
(1.7)
p(j) = Re p(j) - jIm p(j)
i unde:
pc.c.
p
1
p( j )
; sau pN c.a.
(1.8)
2 2
2
p
1 p
1 p
c .c .
p = - arctg p (faza lui p).
Mrimile sunt prezentate grafic n fig.1.1.
Fig.1.1 Variaa cu frecvena a proprietii generice de material p
O valoare important n evoluia celor dou mrimi din relaiile (1.8) n

funcie de pulsaie este cea care se atinge pentru:
p = 1 |pN()| = 0,707
(1.9)
o
p = - 45
Obs. Din punct de vedere practic, pierderea a 30% din modulul
proprietii pN echivaleaz cu ieirea din uz a materialului caracterizat de
acea proprietate.
Pulsaia la care au loc evenimentele menionate anterior este definit ca
pulsaia limit la nalt frecven pentru proprietatea p:
= 1/p = p = 2fp
(1.10)
fp = 1/2p
Deci, cu cea mai simpl form de variaie p = f(), se obine pentru
materialul de proprietate p o comportare de filtru trece jos (FTJ), care
decade din proprietatea p la p; sau are banda de frecvene ntre 0 fp.
n afara benzii este domeniul de existen a nonproprietii p:
p
p0
i p
p
(1.11)
Concluzii. Orice proprietate de material important pentru domenul

E este rezultatul aciunii cmp substan.
n cadrul acestei aciuni exist un factor comun i anume micarea
electronului, deci micarea unei mase ncrcate electric.
9
Electronul antrenat de un cmp specific, ce reprezint o excitaie

electric sau magnetic, efectueaz o micare specific ntr-un timp specific
sau constant de timp specific. Tocmai prin aceast micare se evideniaz
una sau alta din proprietile electrice de material.
Generaliznd micarea sa efectuat n spaiu i timp specific, se poate
formula unitar o proprietate generic p asociabil unei constante generice de
timp p.
Aplicnd asupra materialului o excitaie variabil n timp, de perioad
T, electronii acionai n micarea specific au sau nu au timp s o execute
dup cum T > p sau T < p. n primul caz, proprietatea p se afirm; n al
doilea caz se infirm, aprnd contrariul ei non-p sau p .
Comportarea materialului la o excitaie variabil implic deci
proprieti p variabile n raport cu timpul dup legi de integrare a excitaiei
pe durata stabilirii p, respectiv variabile n raport cu pulsaia dup legea
filtrului trece jos FTJ.
Se definete astfel domeniul de timp i de frecven al proprietii
generice p i al celei opuse, non-p. La reprezentarea cu frecvena, p are
banda ntre 0 fp, fp fiind frecvena nalt limit a proprietii respective. Ea
este corelat cu p (fp = 1/2p).
Orice factor care energetizeaz materialul mpinge banda FTJ spre
joas frecven.
1.2 Explicarea fizic a conductivitii electrice
Scurt istoric
Pentru a putea nelege proprietile materiei i materialelor este
necesar cunoaterea structurii materiei.
nainte de a considera structura materialelor propriuzise, adic a
elementelor i combinaiilor chimice, vom reaminti pe scurt dezvoltarea
cunotiinelor asupra structurii atomului.
n 1900, dup descoperirea electronului de ctre J. J. THOMSON,
DRUDE propune un model pentru structura metalelor n care electronii de
valen sunt considerai liberi i asimilai moleculelor unui gaz.
Conceptul gazului electronic, dei depit n ziua de azi, rmne totui
util pentru a explica numeroasele proprieti ale materialelor.
n cadrul teoriei clasice a electronilor, aplicnd gazului electronic legile
cunoscute de la teoria cinetic a gazelor, au fost regsite legile de baz ale
electrodinamicii clasice, ca legea lui OHM i legea lui JOULE-LENZ.
n 1906, RUTHERFORD propune modelul planetar (nuclear) al
atomului. Modelul planetar al atomului contravenea legilor electrodinamicii
clasice deoarece, conform teoriei lui MAXWELL, electronul n micarea sa pe
orbit trebuie s radieze energie electromagnetic i deci, descriind o spiral
n jurul nucleului, trebuie s se alture dup un timp acestuia.
10
n 1913, BOHR propune modelul su atomic, pentru ca n 1915-1916

acesta s fie modificat de SOMMERFELD, rezultnd teoria BOHRSOMMERFELD, care are ca punct de plecare principiile mecanicii clasice
completate cu unele concepte cuantice.
Conceptul de cuant a fost elaborat de PLANK, n legtur cu
dezvoltarea teoriei radiaiei (1900). Dup cum se tie, aspectul ondulatoriu
explic fenomenele de interferen i de difracie, iar aspectul de particul
este folosit pentru explicarea distribuiei spectrale a radiaiei corpului negru
i efectul fotoelectric.
Legtura ntre aceste dou teorii este realizat prin relaia:
W = h,
(1.12)
adic energia W radiat (sau absorbit) de un corp este proporional cu
frecvena radiaiilor electromagnetice pe care le emite (sau le primete), iar
h este constanta lui PLANK, una din cele mai importante constante universale:
h = 6,62.10-34 Js.
(1.13)
1.2.1 Configuraia electronic a atomului izolat (tratarea clasic)
Se tie c la toate elementele din natur atomul este format dintr-un
nucleu n jurul cruia graviteaz pe diferite orbite un numr de electroni;
nucleul conine un numr de protoni pozitivi egal cu numrul de electroni
negativi de pe orbite i de aceea atomul n ansamblu este neutru (fig.1.2).
Fig.1.2 Atomul de hidrogen
De asemenea, n nucleu se gsete un numr de neutroni, neutri din punct

de vedere electric i avnd diametrul i masa egale cu ale protonilor.
Electronii, protonii i neutronii sunt particulele fundamentale care stau
la baza structurii tuturor elementelor cunoscute; atomii diferitelor elemente se
deosebesc prin numrul de particule i prin aranjamentul lor.
Electronul este o microparticul fundamental a structurii substanei,
purttorul masei i sarcinii elementare, avnd spin semintreg. Masa de repaos
a electronului este: m0 = 9,1.10-31 Kg i raza de aproximativ: r0 = 10-13 cm.
Sarcina electronului este de: e- = 1,602.10-19 Coulombi.
Energiile particulelor elementare se msoar n electroni-voli.
1 eV = 1,6.10-12 Ergi = 1,6.10-19 Jouli.
11
Dac electronul s-ar gsi n vid, ca de exemplu ntr-un tub electronic,

atunci i se pot aplica legile de micare ale mecanicii clasice. Astfel, se poate
considera electronul ca o particul mobil obinuit cu o anumit sarcin
electric, ascultnd de legile micrii corpurilor i fiind caracterizat prin
parametrii clasici: mas, vitez, acceleraie i care respect n micarea sa legea
lui NEWTON:
F = dp/dt,
F = eE evB
(1.14)
i unde: F este fora care acioneaz asupra electronului n cmpul
electromagnetic (fora LORENTZ), E este intensitatea cmpului electric, B este
intensitatea cmpului de inducie magnetic, v este viteza electronului, iar p
reprezint impulsul electronului. Expresia impulsului unei particule este:
p = mv
(1.15)
Legea capt forma:
F = m dv/dt + v dm/dt
(1.16)
Al doilea termen ine cont de variaia relativist a masei dat de expresia:
m0
(1.17)
m
2
v
1
c
unde c este viteza luminii i deoarece v/c << 1, se poate considera m m0.
Relaia (1.16) devine:
F = m dv/dt = ma
(1.18)
unde a este acceleraia particulei. Relaia (1.18) reprezint un sistem de trei
ecuaii difereniale:
Fx = m d2x/dt2
Fy = m d2y/dt2
(1.19)
2
2
Fz = m d z/dt
care pot determina simultan i cu precizie traiectoria unei particule i
impulsurile particulei.
Procedeul mecanicii clasice se poate schia ca n fig.1.3.
Fig.1.3 Procedeul mecanicii clasice de determinare a strii electronului

12
Legile clasice nu pot fi ns aplicate pentru a studia micarea i

comportarea electronilor n atomi sau reelele de atomi ale corpurilor solide.
Astfel, pentru studiul comportrii electronilor n sisteme microscopice, ca
atomi sau reele de atomi, trebuie s se recurg la legile mecanicii cuantice.
Datorit lucrrilor lui PLANK i EINSTEIN (1900 1906) s-a atribuit
undelor electromagnetice un aspect corpuscular, considerndu-le constituite
din cuante de lumin, numite fotoni. Punctul de plecare al mecanicii cuantice
(sau ondulatorii) l-a constituit ideea lui LOUIS DE BROGLIE (1924) de a
atribui proprieti ondulatorii tuturor particulelor materiale (dualitatea
und particul, caracteristic a materiei).
Considernd separat fiecare electron din atom ca o particul elementar,
ce se mic n jurul nucleului pe o anumit orbit (nchis, de raz r), se
determin raza orbitei i nivelul de energie corespunztor electronului. Pentru
nceput se consider orbita circular. n micarea sa pe orbit electronul este
supus la dou fore egale, fora centrifug i fora centripet:
2
2
mv
e
(1.20)
2
r
4 0 r
Micndu-se pe o orbit nchis electronul ar trebui s radieze energie
electromagnetic, astfel nct energia electronului s-ar micora fr ntrerupere
pn cnd, ajungnd la zero, electronul ar ptrunde n nucleu, fiind reinut de
acesta.
n realitate electronul rmne n permanen n micare pe orbita sa.
Aceasta se poate ntmpla numai dac nu se produce energie, adic. dac
prin micarea electronului se formeaz unde staionare pe orbit, ceea ce
corespunde la a spune c lungimea orbitei trebuie s fie un multiplu ntreg al
lungimii de und:
2 rn n
(1.21)
i unde n = 1,2,3,... poate lua orice valoare ntreag, iar rn reprezint raza orbitei
ce se obine pentru o anumit valoare n.
Expresia lungimii de und se poate obine cunoscnd din mecanica
ondulatorie relaia dintre cantitatea de micare (impulsul p) i :
p = mv = h/
(1.22)
de unde: = h/mv
(1.23)
Eliminnd din relaiile (1.21) i (1.23) se obine v:
nh
v
2 rn nh / mv ,
(1.24)
2 rn m
Valoarea obinut se introduce n relaia (1.20) unde se expliciteaz r cu rn
i astfel se obine relaia final a razei electronului:
13
2 2
2
n h
e
(1.25)
rn 2 2 r 2 m 2 4 0 rn2
n
0 h2 2
2
rn
n k1n
(1.26)
me 2
Energia total a electronului pe orbit Wn este format din energia sa
cinetic Wc [Wc = mv2/2, n care mv2 are valoarea din relaia (1.20)] i energia
potenial Wp corespunztoare interaciunii coulombiene dintre nucleul cu
sarcina (+e) i electronul cu sarcina (-e):
m
e2
e2
Wn Wc W p
8 0 rn 4 0 rn
8 0 rn
e2
(1.27)
n relaia (1.27) se introduce i valoarea razei orbitei din relaia (1.26) i

se obine astfel expresia final a energiei electronului:
4
k
me
Wn 2 2 2 22
(1.28)
8 0 h n
n
Din relaiile (1.26) i (1.28) se pot deduce o serie de concluzii importante
asupra electronului din atomul izolat.
Astfel, din relaia (1.26) rezult c razele orbitelor stabile cresc
proporional cu ptratul numrului n, numit numr cuantic principal.
n relaia (1.28) toate mrimile sunt constante cu excepia lui n, care
poate lua numai valori ntregi; de aceea se spune c energiile electronilor din
atom pot cpta numai anumite valori discrete n funcie de mrimea
numrului n deci energia electronilor este cuantificat pe nivele de
energie.
De asemenea, prezena semnului minus n relaia (1.28) arat c cu
ct electronii sunt mai deprtai de nucleu (au valoarea n mai mare) cu att
energia lor este mai mare i invers; energia cea mai mic o vor poseda
electronii cei mai apropiai de nucleu (n = 1).
Fig.1.4 Spectrul valorilor discrete ele energiilor electronilor

14
n fig.1.4 se prezint spectrul valorilor discrete ele energiilor

electronilor de pe diferitele orbite stabile (adic pentru diferite valori n) din
atom.
Consideraiile prezentate pn aici despre electronii din atomul izolat nu
reflect complet situaia real, deoarece s-a presupus c fiecare orbit este
circular i determinat de un singur parametru: raza sa.
Situaia real este urmtoarea:
- orbitele nu sunt cercuri ci elipse i de aceea pentru determinarea n
plan a fiecrei orbite sunt necesari doi parametri,
- orbitele au diferite orientri n spaiu, necesitnd pentru fiecare orbit
nc un parametru de definire a orientrii;
- pe lng deplasarea de-a lungul orbitei fiecare electron efectueaz i o
micare de rotaie n jurul unui ax perpendicular pe planul orbitei
spinul.
Din consideraiile de mai sus se deduce c pentru a caracteriza starea
fiecrui electron din atom (nivelul de energie, orbita, orientarea orbitei n
spaiu, spinul) sunt necesari patru parametri; n statistica cuantic aceti
parametri poart numele de numere cuantice i sunt astfel definii:
- numrul cuantic principal n: determin mrimea axei mari a
orbitei electronului i n principal nivelul de energie al acestuia; n = 1,
2, 3, ...;
- numrul cuantic orbital sau azimutal l:determin axa mic a
orbitei electronului; pentru fiecare valoare n dat ia n valori diferite:
l =0, 1, 2, 3, ..., (n 1);
- numrul cuantic magnetic orbital ml: determin orientarea n
spaiu a planului orbitei electronului; pentru fiecare valoare l ia (2l+1)
valori diferite: ml = 0, 1, 2, ..., l;
- numrul cuantic magnetic de spin ms: determin orientarea
vectorului de spin al electronului ia dou valori ms = 1/2.
Pentru a determina cu exactitate structura electronic a atomului izolat
cu ajutorul numerelor cuantice trebuie inut seama de urmtoarele consideraii:
- principiul lui PAULI (primul principiu al mecanicii cuantice) se
enun astfel: ntr-un sistem complex electronic, n aceeai stare
cuantic caracterizat prin anumite valori ale numerelor cuantice nu se
pot gsi doi electroni; altfel spus: fiecare electron este caracterizat
de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
ntlnesc la nici un alt electron din sistemul respectiv n atom;
- de asemenea, se poate spune c pentru fiecare n, l, ml n atom
corespunde o orbit (cu un anumit nivel de energie); ns, pentru
fiecare valoare n dat se obin n valori diferite pentru l, iar pentru
fiecare valoare l corespund (2l +1) valori pentru ml;
- numrul total de grupe n, l, ml ce se obin pentru o valoare n dat este:
(2l + 1) = n2 ,
(1.29)
15
deci se poate spune c pentru fiecare valoare n dat se gsesc n atom n2

orbite diferite care formeaz un strat sau o ptur de orbite.
ntruct pentru toate aceste orbite numrul n i energia Wn sunt aceleai,
nseamn c n atom exist mai multe stri cuantice ale electronului care
corespund aceleiai energii Wn : acest fenomen este cunoscut sub denumirea
de degenerare a nivelului energetic Wn. Degenerarea total a nivelului Wn
(numrul de orbite) este dat de relaia (1.29).
Straturile de orbite de la nucleu spre exteriorul atomului se noteaz de
obicei cu literele K, L, M, N, ... De aceea se poate spune c n stratul K (n = 1)
exist numai o orbit; n stratul L (n = 2) exist 4 orbite etc.
Pentru c numrul cuantic de spin ms nu modific prin valoarea sa nici
orbitele i nici nivelul de energie al electronilor rezult c pe aceeai orbit pot
exista simultan maximum doi electroni cu aceeai energie, dar cu spin opus
(ms = 1/2).
innd seama de relaia (1.29) care d numrul de orbite dintr-un strat se
deduce uor c numrul total de electroni Ne ce se pot gsi n fiecare strat
este:
Ne = 2n2
(1.30)
Din motive istorice, pentru strile electronice caracterizate de un anumit
numr cuantic orbital l se utilizeaz notaii spectroscopice literare prezentate n
tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Valoarea lui l
0
1
2
3
4
5
Notaia literar
s
p
d
f
g
h
Nr. orbite (2l +1)
1
3
5
7
9
11
Nr. de electr. 2(2l +1)
2
6
10
14
18
22
Astfel, rezultatele obinute permit stabilirea configuraiei electronice a
atomilor, adic distribuia electronilor pe nivelele energetice n starea de
energie minim sau cu alte cuvinte n starea fundamental, schematic
prezentat n fig.1.5 i unde: liniile ntrerupte reprezint nivelele de energie,
ptratele reprezint orbitele electronilor, iar sgeile cu sensuri opuse din
interiorul ptratelor reprezint cei doi electroni cu spin opus de pe fiecare orbit.
Obs. Se deduce c atomul izolat este caracterizat printr-un spectru
discret al energiilor ocupate de electroni; nivelele de energie ale electronilor
sunt bine determinate, iar distanele dintre ele scad pe msur ce crete
energia (cu ct ne deprtm de nucleu, respectiv cu ct ne deplasm de la ptura
K la M).
De asemenea, exist nivele de energie (situate ntre cele ocupate de
electroni) care nu vor putea fi ocupate niciodat de electroni; acestea se numesc
nivele de energie interzise.
n fig.1.5 este prezentat numrul maxim de electroni ce se pot gsi n
atom (toate orbitele ocupate cu cte doi electroni). Dac un atom conine mai
16
puini electroni dect numrul maxim posibil, atunci electronii ocup complet
orbitele cu nivelele de energie minim, de la nucleu spre exterior.
Fig.1.5 Distribuia electronilor pe nivelele energetice
Exemplu: Na are 11 electroni, deci are ocupate complet straturile K i L

iar M se gsete un singur electron pe nivelul 3s (1s 2 electron, 2s 2, 2p 6,
3s 1).
ntruct nivelele inferioare de energie sunt complet ocupate, rezult c n
aceste zone energetice nu mai exist alte nivele de energie disponibile, care s
fie ocupate de electroni.
Situaia este opus n cazul electronilor de pe ultima ptur a atomului
Acetia se numesc electroni de valen, ei stabilesc valena atomului (spre
exemplu Na, care are 1 electron pe nivelul 3s al stratului M este monovalent).
Electronii de valen, primind pe o cale oarecare energie din exterior, pot
trece de la nivelul lor de energie pe un nivel de energie superior (la Na, n stratul
M nivelele 3p i 3d sunt libere), ducnd astfel la apariia fenomenului de
coductibilitate electric.
1.2.2 Configuraia electronic a corpului solid.
Zonele (benzile) de energie
n paragraful precedent s-a artat c fiecare atom izolat este caracterizat
printr-un spectru de energie discret. Pentru un anumit corp sau element,
spectrul tuturor atomilor este identic.
n continuare, se consider n locul atomului izolat un mediu format din
muli atomi identici dar situai la distane foarte mari unul de altul (spre exemplu
17
un mediu gazos); datorit acestor distane mari ntre atomi nu se exercit nici o
interaciune. n acest caz, spectrul energetic al mediului este acelai cu spectrul
atomului izolat, cu diferena c pe fiecare nivel de energetic se gsesc electroni
mai muli, de attea ori ci atomi se gsesc n mediul respectiv.
La corpul solid ns atomii se gsesc la distane foarte mici unul de altul,
astfel c ntre atomi apar fenomene de interaciune.
De aceea, corpului solid trebuie s i se aplice principiul lui Pauli, nu
fiecrui electron n parte, ci ntregului corp solid privit ca un tot, ca o
molecul gigantic care, similar atomului, are un spectru energetic unitar.
Aceasta nsemn c n ntregul corp solid fiecare electron este caracterizat
energetic de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
ntlnesc la nici un alt electron din corp.
Astfel, dac n corpul solid exist Na atomi, este evident c numrul
nivelelor de energie ale corpului este de Na ori mai mare dect numrul nivelelor
dintr-un atom izolat, deoarece numrul total de electroni din corp este de Na ori
mai mare dect la un atom.
Concluzia important ce se desprinde de aici este c la corpul solid
numrul de nivele energetice devine foarte mare n raport cu un atom; practic
fiecare nivel din atomul izolat se despic n Na nivele i de aceea, pentru
fiecare nivel din atomul izolat se formeaz la corpul solid o band (zon) de
Na nivele discrete.
Trebuie meniont c interaciunea dintre atomi se datorete n primul
rnd electronilor periferici (de valen) ai atomilor i de aceea pentru aceti
electroni despicarea nivelelor este apreciabil (de altfel, interaciunea dintre
electronii de valen asigur unirea atomilor n molecule i mai departe formarea
corpurilor solide).
Ceilali electroni din atomi, cu ct sunt mai apropiai de nucleu cu att au
energia de legtur cu nucleul mai mare ajungnd la sute i mii de eV i de
aceea produc o interaciune mai redus cu atomii vecini iar benzile energetice
corespunztoare sunt mai nguste ajungnd ca pentru electronii cei mai interiori
zonele s se reduc la nivelele elementare din atomul izolat.
Se reine c:
- datorit distanelor mici dintre atomi, electronii de valen ai fiecrui
atom interacioneaz cu electronii de valen ai atomilor vecini cu
energii de interaciune de acelai ordin de mrime sau chiar mai mari
dect energia de interaciune cu nucleul atomului propriu;
- astfel, totalitatea electronilor de valen formeaz un tot unitar (asociat
ntregului corp solid) n care legturile energetice ale fiecrui electron
cu un anumit nucleu atomic lipsesc;
- fenomenele de conductibilitate electric ale metalelor i
semiconductoarelor se datoresc acestor electroni de valen i nu
electronilor din interiorul atomului care se gsesc mai strns legai de
nucleul respectiv.
18
Spectrul energetic al corpului solid este format din benzi (zone) de

energie admise (nivele de energie ce pot fi ocupate de electroni) separate
prin benzi (zone) de energie interzise (nivele ce nu pot fi ocupate) aa cum
se prezint simplificat n fig.1.6, ntr-o singur dimensiune.
Fiecare band (zon) energetic admis este format n realitate din foarte
multe nivele discrete de energie (egale ca numr cu numrul de aromi din corp)
foarte apropiate i de aceea practic poate fi considerat ca o band continu
(de exemplu, tiind c 1 cm3 are aproximativ 1022 atomi, atunci fiecare band
conine 1022 electroni).
Fig.1.6 Spectrul energetic al corpului solid
De reinut c:
- limea benzilor admise i interzise este specific fiecrui corp n parte
i nu depinde de numrul de atomi din corpul solid;
- cu ct o band permis este mai deprtat de nucleu cu att are
dimensiuni mai mari;
- dimensiunea benzilor interzise scade odat cu deprtarea de nucleu;
- n conformitate cu situaia de la nivelele energetice de la care provin,
benzile energetice inferioare sunt complet ocupate cu electroni, n timp
ce benzile superioare sunt numai parial ocupate;
- pentru ca electronii s poat trece dintr-o band energetic n alta
superioar este necesar ca ei s primeasc energii mari de ordinul eV
de valoarea energetic a benzilor interzise;
- n interiorul unei benzi energetice electronii pot trece foarte uor de pe
un nivel pe altul, cu condiia s fie nivele libere, neocupate (de
exemplu, n banda electronilor de valen cu energii de ordinul 10-22
eV).
1.2.3 Calea cuantic. Teoria electronilor slab legai
Metoda const n a considera de la nceput electronii ca aparinnd
ntregului corp. Electronii puternic legai vor fi considerai ca facnd parte din
19
atomi i deci reeaua cristalin va apare acum ca fiind constituit din ioni
pozitivi.
Numai electronii mai slab legai, electronii de valen, vor fi considerai
ca aparinnd ntregului cristal.
Din punctul de vedere al electronilor slab legai, reeaua cristalin a
ionilor pozitivi (atomi din care lipsesc electronii de valen) ofer un potenial
periodic.
Fora exercitat de un ion asupra unui electron care se gsete n cmpul
su este:
e2
(1.31)
4 0 r 2
Potenialul electronului va fi:
e2
(1.32)
4 0 r
Energia potenial a electronului n cmpul unui ion va fi:
U i Vi
(1.33)
Variaia energiei poteniale a electronului n cmpul unui ion, n funcie
de distana acestuia pn la nucleu, este reprezentat n fig.1.7.
Fig.1.7 Variaia energiei poteniale a electronului
n continuare se consider, pentru simplificare, un cristal unidimensional,

constituit din atomi situai la distane egale a (a - constanta reelei).
Energia potenial U(x) a electronului, situat n acest cmp, este o funcie
periodic de x, cu perioada a. Ea se obine prin suprapunerea energiilor
poteniale ale atomilor individuali i este reprezentat n fig.1.8.
Fig.1.8 Variaia energiei poteniale U(x) a electronului cvasiliber ntr-un cristal

unidimensional
20
Variaia acestei energii se poate dezvolta n serie Fourier sub forma:
2 i
U x U 0 U i cos
U 0 U i cos ki x ,
a
i 1
i 1
(1.34)
unde U0 se consider o medie a curbei energiei poteniale a electronilor n

reeaua cristalin iar ki = 2i/a reprezint numrul de und al funciei de und
asociate electronului i care exprim indirect caracterul cu totul aparte al
micrii electronului n condiii microscopice (puctul de plecare al mecanicii
cuantice de a atribui proprieti ondulatorii tuturor particulelor materiale):
e it
(1.35)
i unde este pulsaia undei i amplitudinea complex a undei.
Indiferent unde se afl electronul, fie n atom fie n corp solid, deci i n
cazul de fa rmne valabil relaia:
W = h = h/2
(1.36)
Funcia de und depinde att de coordonatele spaiale ct i de
coordonata temporal. Ea poate fi determinat dac se cunote funcia de und
spaial i energia particulei W, deci:
x, y , z , t x, y , z e
W
t
h
(1.37)
Determinarea funciei de und spaiale se poate face recurgndu-se la

ecuaia lui SCHRODINGER, unde se introduce energia potenial U(x) dat de
relaia (1.34). Aceast ecuaie joac n mecanica cuantic rolul pe care n
mecanica clasic l joac ecuaia de micare a lui NEWTON.
Problema determinrii funciei de und n reeaua cristalin periodic se
rezolv admind forme simple ale funciei potenialului U(x), adesea n cadrul
urmtoarelor trei aproximaii:
- aproximaia electronilor liberi;
- aproximaia electronilor cvasiliberi;
- aproximaia electronilor puternic legai.
Aproximaia electronilor liberi
Din expresia (1.34) a energiei poteniale U(x) a electronului dintr-un
cristal unidimensional infinit extins se reine numai termenul constant U0, ceea
ce revine la a spune c electronul este liber, n sensul c micarea sa nu este
perturbat de particulele din noduri. Aceasta nseamn a admite ipoteza:
dU 0 / dx F 0
(1.38)
Energia total a unui astfel de electron este:
W W potentiala Wcinetica
W U 0 mv 2 / 2 U 0 p 2 / 2m ,
(1.39)
unde v este viteza electronului sub aciunea unei excitaii exterioare i p = mv
este impulsul corespunztor.
21
Curba W = f(p) este o parabol. n ipoteza menionat, energia

electronului poate lua orice valoare att n interiorul ct i n exteriorul
cristalului. n interiorul cristalului electronul se poate mica n groapa de
potenial (dreptunghiular) a crei adncime este U0 i a crei lime este
dimensiunea cristalului.
Variaia enrgiei electronului funcie de impulsul p este reprezentat n
flg.1.9a iar spectrul energiei electronului liber n fig.1.9b.
Bineneles c, n cazul unui cristal real, tridimensional, groapa de
potenial va fi o cutie" de adncime U0 i cu laturile egale cu dimensiunile
cristalului pe direcia x, y i z.
Fig.1.9 a Variaia enrgiei electronului funcie de impuls

b Spectrul energiei electronului liber
Aproximaia electronilor cvasiliberi

Pentru a ine seama de interaciunea electronilor cu reeaua cristalin
periodic, unidimensional, trebuie s se considere toate armonicile energiei
poteniale U(x) din seria Fourier i ecuaia lui SCHRODINGER.
Pentru stri staionare (n care electronul are o energie constant) ecuaia
lui SCHRODINGER are urmtoarea form:
h2 2
W V 0 ,
(1.40)
2m
2 2 2
2
unde:
este laplasianul funciei de und iar V =
x 2 y 2 z 2
V(x,y, z) reprezint energia potenial din care deriv fora care se exercit
asupra electronului.
Ecuaia are proprieti remarcabile. Dintre acestea cea mai important este
aceea c, n general, admite soluii numai pentru anumite valori ale energiei
particulei (W1, W2,...,Wn,...). Deci pentru electronul dintr-un sistem fizic dat,
nu orice energie este permis, ci numai anumite valori bine determinate.
Spectrul discret al energiilor permise se poate deci determina prin rezolvarea
ecuaiei (1.40).
22
Dificultatea integrrii ecuaiei lui SCHRODINGER, rescris pentru

cristalul unidimensional:
h 2 d 2
W U x 0 ,
2m dx 2
(1.41)
poate fi ocolit dac se aleg soluiile ecuaiei pe cale aproximativ, far a se

rezolva ecuaia, pe baza unor considerente fizice.
Astfel, valorile permise ale energiei W corespunztoare valorilor
numrului de und:
1
, n 1, 2,3,... ,
2a
(1.42)
h2 2
1
Wn
k U0 Un ,
2m
2
(1.43)
k n
pentru care micarea electronului n reea este perturbat conduc la urmtorul

rezultat:
n care Un reprezint amplitudinea armonicei de ordinul n din dezvoltarea n

serie Fourier a expresiei energiei poteniale.
Obs. Aproximaia este fcut pe baza reflexiei Bragg a electronilor. Se
ine seama c micarea electronilor n sens clasic este descris de propagarea
funciei de und n cristal; ca i n cazul undelor electromagnetice, unda sufer
reflexii pe planele reticulare ale unui cristal, dac ntre lungimea de und a
funciei i parametrul reelei a exist relaia:
(1.44)
2a n ,
care constituie o form particular a relaiei lui Bragg pentru o und care se
propag de-a lungul cristalului unidimensional.
Dac se ine cont de expresia k = 1/, a numrului de und i de expresia
(1.44) a relaiei lui Bragg se obine:
1
, n 1, 2, 3,...
2a
(1.45)
Deoarece reflexiilor undei le corespund ciocniri (n sens clasic) ale

electronilor, rezult c pentru k n / 2a micarea electronilor este puternic
perturbat n reea.
Rezult c funcia Wn f k , ntr-un punct din cristal, este
reprezentat tot printr-o parabol, dar care pentru k n / 2a prezint
salturi egale n valoare absolut cu U n , parabola deformndu-se din motive de
continuitate n jurul acestor valori, ca n fig.1.10, ceea ce nseamn c n cristal
nu pot exista electroni care s aib energii corespunztoare acestor regiuni.
Astfel, n fig.1.10a este prezentat variaia real a energiei electronului,
iar n fig.1.10b este reprezentat spectrul energetic al electronului n cristal,
format din zone de energie permise i interzise.
23
a.
b.
c.
Fig.1.10 Variaia real a energiei electronului n funcie de numrul de und k
La fiecare energie W1, W2, W3,...a particulei corespunde ns o anumit

funcie de und: 1, 2, 3,.... Este ns posibil ca la o anumit energie s
corespund mai multe funcii de und, adic mai multe stri ale particulei.
Valoarea energiei la care corespunde mai multe funcii de und poart numele
de nivel de energie degenerat.
Fig.1.11 Calea cuantic de determinare a strii electronului

24
n cazul unui numr Na mare de atomi, care se apropie pentru a forma un

cristal, fiecrui nivel energetic din atom i va corespunde un numr de Na nivele
energetice n cristal, foarte apropiate unul de altul, alctuind o band sau o zon
de nivele energetice permise, separate prin zone interzise.
Este natural c cu ct N" crete, adic cu ct electronii se gsesc mai
deprtai de nucleu, zonele permise se lrgesc, electronii de pe nivelele
corespunztoare din atomi fiind mai slab legai de nucleu i deci mai sensibili
aciunii celorlali atomi, care alctuiesc cristalul, explicnd astfel acest fenomen
denumit: despicare sau degenerare a nivelelor energetice din atom n funcie
de distana interatomic.
n concluzie, recapitulnd metodele cuantice de determinare a strii
electronului, acestea pot fi schiate ca n tabloul prezentat n fig.1.11.
1.3 Clasificarea corpurilor solide din punct de vedere al
conductibilitii electrice cu ajutorul teoriei zonale
Pentru a nelege fenomenul de conductibilitate electric se reamintete
c un electron izolat plasat ntr-un cmp electric este supus la o micare
uniform accelerat, deoarece primete de la cmp o energie suplimentar, ceea
ce nseamn trecerea lui pe nivele superioare de energie strii iniiale.
Posibilitatea conduciei curentului electric n corpul solid presupune
posibilitatea de deplasare a electronilor acestuia, sub aciunea unui cmp
electric aplicat din exterior, pe nivele energetice tot mai mari (pe baza energiei
suplimentare primite de la cmp). De aceea, conductibilitatea corpului solid
apare numai dac exist nivele energetice imediat superioare neocupate.
Singurii care pot produce conductibilitate electric sunt electronii de
valen, pentru c ei se gsesc ntr-o band care are deasupra sa nivele
disponibile; nivelele disponibile neocupate se vor gsi totdeauna n partea
superioar benzii de valen (ocupat), deoarece n atomul izolat ultimile
nivele nu sunt complet ocupate cu electroni.
De aceea, banda cu cele mai mari energii (neocupate, disponibile) este
denumit BAND DE CONDUCIE; n timp ce banda precedent (ocupat)
este denumit BAND DE VALEN.
Aceste benzi energetice mpreun cu banda interzis dintre ele
stabilesc proprietile de conducie electric i judecate la temperatura de
0oK, stau la baza clasificrii corpurilor din punct de vedere al
conductibilitii electrice.
n concluzie se poate spune c un corp solid n stare pur prezint
conductibilitate electric dac electronii din banda de valen (BV) pot trece
n banda de conducie (BC) cu ajutorul unei energii primite din exterior.
Electronii din banda de conducie sunt denumii electroni liberi, fr a
putea ns ca ei s prseasc corpul solid; deoarece banda energetic de
25
conducie este practic continu energia electronului poate varia continuu din
nivel n nivel.
A. Metale
Metalele sunt constituite dintr-o reea regulat de ioni n jurul crora se
mic electronii liberi; ei efectueaz n spaiul interatomic micri termice
haotice cu viteze i direcii diferite; lucrurile se petrec analog micrii termice a
moleculelor unui gaz i de aceea totalitatea electronilor liberi din metal este
uneori privit ca un gaz electronic.
La metale, straturile electronice exterioare ale atomilor se ntreptrund n
reeaua cristalin a metalului, atomii i pot schimba uor ntre ei electronii de
valen. Din punct de vedere energetic, aceste proprieti ale metalelor se
explic prin faptul c la ele benzile de valen i conducie se intersecteaz.
Banda interzis lipsete i de aceea electronii de valen se gsesc n acelai
timp n zona de conducie sau pot trece uor n aceasta (fig.1.12 i fig.1.13).
Fig.1.12 Diagrama nivelelor energetice

a. izolator; b. semiconductor; c. metal
Fig.1.13 Diagrama nivelelor energetice
26
Distribua FERMI DIRAC a electronilor ntr-un cristal metalic.

innd seama de principiul de excluziune al lui PAULI, este evident c
la zero absolut, electronii de valen ai unui metal nu pot ocupa toi acelai nivel
energetic, corespunztor energiei minime posibile.
n cazul concentraiilor mari de purttori de sarcini electrice n
metale (unde exist cel puin 1022 electroni liberi pe cm3) sau n
semiconductoare puternic dopate, probabilitatea ca o stare energetic
(cuantic) caracterizat de energia W la echilibru termodinamic, la temperatura
T, s fie ocupat de un electron este dat de funcia de distribuie FERMI DIRAC, statistic ce se aplic particulelor cu spin 1/2 i satisfac principiul lui
PAULI:
1 e
(1.46)
w wF
K BT
i unde: wF este nivelul Fermi (cel mai nalt nivel energetic la care se pot situa
electronii liberi din cristal la 0K) iar KBT este energia termic (KB = constanta
lui BOLTZMANN = 1,3 8.10-23 J/K).
OBS. Nivelul FERMI, ca definiie, are sens numai n cazul echilibrului
termic (far polarizri exterioare), pentru c el caracterizeaz energia liber
(media energiilor purttorilor liberi) la echilibrul termic; el poate fi definit ca
fiind energia maxim pe care o au electronii liberi la T = 0K.
Reprezentarea grafic a funciei este prezentat n fig.1.14.
Fig.1.14 Funcia de distribuie i densitatea de repartiie FERMI - DIRAC
Funcia D(w), pentru T = 0K, ia valorile:

D(w) =
l pentru w < wF
0 pentru w > wF
1/2 pentru w = wF
27
Deci la 0K probabilitatea ca o stare electronic de energie w < wF s fie

ocupat de electroni este egal cu 1, adic este o certitudine. Din contra, pentru
w > wF nici o stare disponibil nu va fi ocupat de electroni. Rezult c wF este
ultimul nivel energetic ocupat cu electroni. De asemenea, pentru orice
temperatur T, o stare avnd energia wF are o probabilitate de ocupare de 1/2.
OBS. La valori mari ale lui w, funcia de distribuie Fermi-Dirac se
x
x
confund cu funcia de distribuie Boltzmann (o exponenial: 1/ 1 e e ,
pentru x >> 1).
Se poate aprecia c, pentru temperaturi T > 0K, curba de variaie se abate
de la cea valabil pentru T = 0K ntr-un domeniu egal cu 4KBT notat cu F.
n general wF este o funcie de temperatur. ns, n limitele
temperaturilor uzuale pn aproape de punctul de topire pentru metale pure,
nivelul limit Fermi este practic constant n funcie de temperatur (port i
numele de potenial chimic).
Astfel, la metale nivelul FERMI wF trece prin mijlocul unei benzi
permise (metale monovalente) sau prin mijlocul unei benzi de enrgie
rezultat din suprapunerea BC cu BV, fig.1.15a i fig.1.15b.
Deci, dac nivelul wF trece prin interiorul unei benzi permise materialul
respectiv va fi conductor, iar dac trece prin interiorul unei benzi interzise
materialul va fi izolator din punct de vedere electric.
Fig.1.15 Poziionarea benzii interzise Fermi
B. Semiconductoare cristaline
La semiconductoare straturile electronilor de valen nu se intersecteaz
ca la metale; de aceea electronii de valen sunt reinui puternic de ctre atomi
i nu pot circula liber din atom n atom. Astfel c la T = 0K, la
semiconductoarele pure (intrinseci), BV este complet ocupat, BC nu are
electroni liberi iar conductibilitatea este nul, materialul este izolant.
Diagrama energetic pentru semiconductoare prezint ntre BV i BC o
band interzis BI cu lrgimea wS = 0,2 - 2 eV (fig.1.5c).
28
La semiconductoarele dopate, cu impuriti (extrinseci) proprietile de

conducie se modific foarte mult. Prin dopare Bl Fermi se micoreaz prin
apariia unor nivele permise adiionale de tip donor (d) sau acceptor (a) situate n
interiorul acesteia (n funcie de valena metalului de dopare).
C. Dielectrici
Corpurile solide izolante - dielectricii - au la T = 0K aceeai structur a
benzilor energetice ca i semiconductoarele intrinseci, cu deosebirea c banda
interzis este mult mai larg (mare) wD = 2 - 10 eV (fig.1.15d). De aceea,
aceste corpuri rmn izolante chiar i la temperaturi ridicate.
La un corp izolator nivelul limit Fermi trece prin interiorul unei benzi
interzise de lrgime mare, numit band interzis Fermi. Se poate arta c la
dielectrici nivelul FERMI este situat la mijlocul benzii interzise.
n concluzie, cu ajutorul modelului zonelor sau benzilor de energie,
materialele se pot clasifica, din punct de vedere al conductivitii electrice, n
materiale conductoare, semiconductoare i izolatoare sau dielectrice.
1.4 Conductibilitatea electric a metalelor tratat
n cadrul modelului electronilor liberi
Stabilirea expresiei conductivitii prin intermediul vitezei de
alunecare a electronilor din benzi.
Sub aciunea unui cmp electric Ecc electronii se accelereaz, crescndu-le
energia cinetic; acest proces de accelerare este ntrerupt de ciocnirile
electronilor cu ionii reelei cristaline. Din aceast cauz, viteza unui electron nu
va crete continuu sub aciunea cmpului electric, aceasta va avea o valoare
medie constant.
Forei electrice care are tendina de a accelera electronul i se opune o for
de frecare care frneaz electronul; aceste fore compensndu-se, face ca
electronul s se deplaseze cu o vitez medie constant.
Procesul frecrii" nu poate fi neles dect prin succesiunea de ciocniri la
care este supus electronul. n cadrul modelului electronilor liberi, acetia se pot
deplasa n interiorul cristalului ntocmai ca n vid, inndu-se seama de fora
electric i de fora de frecare, care n ultim instan reprezint reeaua
cristalin a metalului.
Electronului liber i se poate aplica legea clasic a lui NEWTON (F = ma):
mdv / dt eE Ffrecare ,
(1.47)
relaie n care Ffrecare are direcia vitezei electronului v.
n absena cmpului electric (E = 0) rezult c i fora de frecare este nul
(Ffrecare = 0) deoarece ciocnirile electronilor nu se opun nici unei perturbaii care
s acioneze asupra cristalului. Astfel, cnd E = 0, la echilibru termic rezult:
mdv / dt 0 i deci v const.
(1.48)
n concluzie, se poate spune c n absena cmpului electric aplicat din
exterior, fiecare electron se gsete ntr-o anumit stare, avnd o anumit
29
energie i o anumit vitez constant, vitez care poate fi denumit i vitez

dezordonat (vd = const.).
Chiar dac electronii i schimb strile ntre ei, acest lucru nu prezint
importan deoarece ntodeauna ansamblul se gsete n situaii identice. n
schimb, sub aciunea cmpului electric E, viteza electronilor v se modific
astfel:
v vd v A
(1.49)
unde, la valoarea constant a vitezei dezordonate corespunztoare echilibrului
termic s-a adugat termenul vA denumit vitez de alunecare (medie) n
cmp electric.
n aceste condiii ecuaia (1.47) devine:
mdv A / dt eE Ffrecare
(1.50)
i n aceast situaie, cnd E = 0,
mdv A / dt 0 i deci v A 0
(1.51)
Astfel, cnd vA = 0, nu exist curent electric deoarece distribuia
electronilor este neperturbat. Dac vA 0, distribuia electronilor este
perturbat i apare curent electric. Aceast vitez trebuie neleas ca o vitez
medie a tuturor electronilor de conducie.
Se poate stabili, printr-un raionament fizic, o expresie convenabil pentru
fora de frecare, Ffrecare. Spre exemplu, se consider un cristal asupra crua un
timp a acionat un cmp electric E care a fost apoi anulat. n procesul tranzitoriu
ce urmeaz, n care distribuia continu s fie perturbat, asupra electronilor va
aciona numai fora de frecare Ffrecare, pn cnd vA 0. Ca n multe alte
procese fizice, se presupune c aceast trecere vA 0 se face de la o vitez de
alunecare iniial vA0, dup o relaie exponenial de forma:
v A v A0 e t /
(1.52)
unde este o constant de timp, caracteristic procesului i materialului
considerat i care va fi numit timp de relaxare (deoarece procesul de trecere
de la o distribuie excitat la o distribuie de echilibru poart numele de
relaxare).
Se introduce relaia (1.52) n ecuaia (1.50), unde acum E = 0 i se obine
expresia pentru Ffrecare:
mv A0 / Ffrecare
(1.53)
Se constat c fora de frecare este proporional cu viteza de alunecare,
avnd aceeai direcie dar de sens opus. Fora de frecare este cu att mai mare cu
ct este mai mic. De asemenea, - constanta de timp de relaxare constituie o
mrime ce caracterizeaz printr-un parametru unic procesele de ciocnire a
electronilor n reeaua cristalin.
innd cont de expresia (1.53) pentru Ffrecare i considernd-o valabil i
n prezena cmpului, rezult c legea de micare a electronului, ecuaia (1.47),
devine:
30
mdv A / dt eE mv A0 /
dv A / dt v A0 / eE / m
sau
(1.54)
Soluia ecuaiei este de forma:

t
v A E Ce
m
(1.55)
unde C este o constant ce depinde de condiiile iniiale. Intereseaz numai

termenul permanent i deci viteza de alunecare n cmp electric va fi:
vA
e
E sau v A E ,
m
unde:
e
m
(1.56)
Din relaia (1.56) se vede c, sub aciunea cmpului electric E, electronul

are o vitez de alunecare proporional cu cmpul aplicat i cu factorul de
proporionalitate - denumit mobilitate.
n concluzie, cunoscnd viteza electronilor v i concentraia electronilor
liberi din unitatea de volum n, se deduce imediat densitatea curentului
electric J:
J env en E E
(1.57)
de unde rezult expresia conductivitii unui metal:
e2 n
en
,
m
(1.58)
Concentraia electronilor liberi este dat de relaia n = N/V, unde N

reprezint numrul total de particule purttoare de sarcin din volumul V.
Cunoscndu-se concentraia electronilor, se poate deduce i valoarea
constantei de timp de relaxare, care este foarte mic, 10-12s.
Conductivitatea electric a unui corp solid constituie un efect cuantic.
Expresia conductivitii (1.58) a fost demonstrat utiliznd legea de micare
clasic a electronului; la aceeai expresie s-ar fi ajuns i dac s-ar fi utilizat legi
cuantice.
Conducia curentului electric se explic prin perturbarea pe care cmpul
electric E o produce asupra distribuiei electronilor (deplasarea orientat a
particulelor purttoare de sarcin electric n cmp electric). Din relaia (1.57),
se definete matematic conductivitatea electric:
J/E
(1.59)
Se constat c, n cazul unei statistici puternic degenerate, timpul de
relaxare mediu echivalent al electronilor (dintr-o band sferic) este egal
cu timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului FERMI:
WF
e2 n
e2 n
i deci:

WF
m
m
(1.60)
n urma aplicrii cmpului electric E, timpul de relaxare are

semnificaia unui timp de alunecare F (Fermi) din BV n BC (fig.l.16), sau a
31
unei constante termice de interaciune a electronilor cu reeaua T (deoarece

wF este funcie de temperatur) i de aceea: = F = T.
Datorit masei i ineriei electronului, el nu poate aluneca instantaneu din
BV n BC i deci timpul total de stabilire a valorii lui este de aproximativ 3F.
Fig.1.16 Semnificaia timpului de alunecare
Aplicarea unui cmp electric periodic n timp

Se presupune c unui cristal omogen, izoterm (T = const.), cu procese de
relaxare descrise prin constanta de relaxare (WF) i se aplic un cmp electric
periodic n timp de forma: E = E1ejt, unde este pulsaia cu care variaz
cmpul i creia i corespunde perioada T.
Expresia general a densitii curentului electric datorat purttorilor dintro band energetic ar trebui s fie: J = J1ejt.
Datorit ineriei purttorilor de sarcin antrenai n micri specifice n
cadrul interaciei cmp (E/H) - substan, proprietile specifice de material,
electrice i magnetice, ce se pun n eviden cu acest prilej ating cu ntrzieri
specifice valorile J corespunztoare intensitii excitaiei E = E1ejt.
Cu alte cuvinte, datotit existenei timpului de relaxare echivalent
wF conductivitatea va apare la valoarea ei normal numai dac
perioada cmpului aplicat T este mai mare dect 3F. Conductivitatea va fi o
funcie de frecven: = f().
n concluzie, n cazul aplicrii cmpului electric periodic n timp unui
ansamblu degenerat de electroni (cazul metalelor), timpul de relaxare
echivalent (WF) din relaia scalar a conductivitii (1.60) va fi funcie de
frecven:
32
ca
F
1 j F
(1.61)
Se poate defini astfel un ca de curent alternativ:
cc
e2 n
e2 n F
ca
ca
m
m 1 j F 1 j F
(1.62)
O expresie analitic de forma relaiei (1.62) se numete relaie cu un pol

(numitorul are numai o rdcin); este un sistem care integreaz semnalul i
indic o scdere cu pulsaia a mrimii astfel modelate.
n domeniul uzual de lucru al conductorilor metalici F << 1 (F 10-12s).
Dar n cazul n care perioada cmpului alternativ T devine comparabil cu
timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului Fermi sau este mai mic, se
manifest un efect de inerie al electronilor. Cmpul electric variaz mult prea
rapede pentru ca relaxarea electronilor s poat urmri aceast variaie, din care
cauz se manifest efectul de inerie.
Fig.l.17 Variaia cu pulsaia a modulului conductivitii N

33
ca
N
cc
1 2 F2
e jarctg F
ca
1
cc
1 2 F2
(1.63)
(1.64)
Variaia cu pulsaia a modulului conductivitii normate N, relaia

(1.64), este prezentat n fig.1.17.
Obs. Excitaia de c.a. este suprapus unei excitaii de c.c., iar perioadele
excitaiei aplicate T, cu cele trei valori posibile n fig.1.17, au urmtoarele
semnificaii:
- faza I: T >> - electronii au timpul necesar de a ajunge din BV n BC i
de a se manifesta ca electroni liberi, de conducie; proprietatea se pune bine
n eviden i se admite ca fiind echivalent cu c c;
- faza II: T - electronii abia ajung la nivelul inferior al benzii BC sau
ptrund puin n aceasta, cnd schimbarea de semn a polaritii excitaiei i
dezenergizeaz, trimindu-i napoi n BV; este vizibil decderea de la cc;
- faza III: T << - electronii nu mai au timpul necesar s ajung n BC la
alternana pozitiv, iar cea negativ i mpinge napoi n BV, materialul devine
din conductiv rezistiv, nu se mai manifest.
Deoarece substana rspunde la excitaii salt specifice prin proprieti
specifice retardate (prin funcii indiciale cu timp de comutaie tc 3 F , ca n
fig.1.18), rezult c ele sunt integrale ale excitaiei, iar substana se comport
ca un filtru trece jos (FTJ) n raport cu spectrul coninut n excitaie; rezult
un model structural integrator.
Fig.1.18 Excitaie salt i timpul de comutaie

34
Relaia (1.62) reprezint astfel cel mai simplu model analitic al factorilor
de transfer pentru FTJ. Banda de lucru - frecvena - depinde de structura
materialului, cu ct materialul este mai pur cu att frecvenele la care se poate
folosi sunt mai nalte.
Pierderea a 30% din modulul proprietii N echivaleaz cu ieirea din uz
a materialului caracterizat de aceast proprietate. Pulsaia la care are loc acest
fenomen este definit ca o pulsaie limit la nalt frecven pentru
proprietatea i a fost notat cu F n fig.1.17.
N 1/ 2 F F 1 i F 1/ F
(1.65)
Pentru reelele integratoare F este o constant de timp limitativ la nalt
frecfen , care pentru funcia indicial intr n definirea timpului de
comutaie:
tc 3 F
(1.66)
1.5 Proprietile materialelor conductoare
n cadrul acestui paragraf se vor urmri aspectele tehnice, tehnologice i
de utilizare ale conductivitii, proprietate de material specific metalelor i
aliajelor lor.
Materialele electronice sunt utilizate pentru realizarea componentelor i
dispozitivelor electronice. Aceste materiale au o structur cristalin n care
atomii sunt legai ntre ei prin intermediul unor legturi covalente la care
particip electronii de valen ai atomilor din care este realizat materialul
respectiv.
Din punct de vedere electric, materialele electronice se mpart n trei mari
categorii i anume: 1 Conductoare, 2 Semiconductoare i 3 Izolatoare
(dielectrice).
Fig.1.19 Cele mai uzuale elemente chimice folosite n realizarea componentelor electronice
35
n fig.1.19 sunt prezentate cele mai uzuale elemente chimice utilizate

pentru obinerea materialelor din care sunt realizate componentele i
dispozitivele electronice.
Proprietatea care difereniaz cele trei tipuri de materiale electronice este
conductibilitatea electric (proprietatea unui material de a permite trecerea
curentului electric). Conductibilitatea electric a materialelor este determinat de
apariia purttorilor de sarcin electric, n anumite condiii energetice i de
deplasarea acestora n structura intern a materialului respectiv.
Metalele i aliajele lor sunt conductoare de ordinul I. Ele au
conductivitate electronic, i mresc rezistivitatea cu creterea temperaturii i
nu sufer modificri chimice cnd sunt strbtute de curent electric.
Electroliii sunt conductoare de ordinul II. Ei au conductivitate ionic,
i micoreaz rezistivitatea cu creterea temperaturii i sufer modificri
chimice cnd sunt strbtui de curent electric.
Conductivitatea de tip electronic corespunztoare deplasrii electronilor
ia valori mai mari dect conducia de tip ionic corespunztoare deplasrii
ionilor n electrolii i este caracteristic materialelor metalice n stare solid
sau lichid.
Este larg rspndit studiul rezistivitii electrice 1/ , ce reprezint
inversul conductivitii, astfel nct, n continuare se vor expune legile de
variaie ale acesteia cu diferii factori de mediu i de proces tehnologic care o
influeneaz: defecte cristaline, temperatur, solicitri mecanice.
Rezistivitatea electric a unui material reprezint rezistena electric
pe care o opune un conductor din acel material la trecerea curentului electric,
avnd lungimea egal cu unitatea de lungime i aria seciunii egal cu unitatea
de suprafa, deci:
1/ RS / l
(1.67)
i n care R reprezint rezistena electric a materialului avnd aria seciunii S i
lungimea l.
n sistemul internaional (SI) de uniti, unitatea de rezistivitate este
ohmmetrul [m]:
1 m = 102 cm = 106 mm2/m
(1.68)
Materialele conductoare au rezistivitatea cea mai mic, cuprins ntre 10 -8
i 10 mm2/m (semiconductoare: = 10...1012 mm2/m, electroizolante: =
1012...1023 mm2/m).
Fig.1.20 Ordonarea unor materiale dup valoarea rezistivitii

36
n fig.1.20 se prezint o ordonare dup valoarea rezistivitii n [m] a

unor materiale sau tipuri de materiale mai cunoscute. Aa cum se observ din
aceeast ordonare, materiale conductoare sunt metalele i evident aliajele
acestora.
Valorile unor caracteristici ale metalelor utilizate mai frecvent sunt
prezentate n tabelul 1.2, n care ordonarea s-a fcut dup valoarea rezistivitii.
Tabelul 1.2 Caracteristici ale unor metale
Datorit condiiilor de exploatare extrem de diverse ale componentelor

conductoare (solicitri mecanice, coroziune, temperaturi ridicate etc.), n
practic se utilizeaz nu numai metale n stare pur ci i aliaje ale acestora.
Defectele cristaline.
Dup distribuia mutual (vecin) a particulelor (atomi, molecule, ioni) se
deosebesc trei stri structurale: starea amorf, starea cristalin si cea mezomorf.
Starea amorfa a materialelor corespunde distribuiei dezordonate a
particulelor n spaiu. Deoarece nu se pstreaz o ordine specific n
aranjamentul spaial al particulelor, se constat existena acelorai proprieti n
orice direcie ar fi acestea msurate, adic este prezent izotropia.
Particulele ce formeaz o reea cristalin sunt mpachetate compact, dar
pentru simplificare, n reprezentarea structurilor cristaline se exagereaz
distanele dintre particule nvecinate ca n fig.1.21.
Caracteristica esenial a unui cristal o constituie faptul c particulele din
care este format (ioni, atomi, molecule) sunt distribuite ordonat ntr-un ansamblu
periodic, specific unei reele geometrice.
37
Fig.1.21 Reprezentarea simbolic a unui cristal
Deci, starea cristalin (solid) corespunde unei aezri ordonate i

repetabile a particulelor componente ale corpului, ordonri care pot varia de la
un corp la altul i crora le corespund diverse sisteme de cristalizare
(determinat experimental cu razele X). Reeaua cristalin se reprezint prin
linii drepte n ale cror puncte de intersecie se gsesc centrele particulelor
constitutive. Liniile se numesc linii reticulare, interseciile lor se numesc
nodurile reelei cristaline, iar planele formate de diferite linii reticulare se
numesc plane reticulare.
Se deosebesc 7 (apte) sisteme de cristalizare: hexagonal, cubic,
tetragonal, romboedric (trigonal), rombic, monoclinic i triclinic, din care deriv
14 tipuri de reele cristaline posibile.
ntr-un cristal real exist: defecte punctuale (lipsa unui atom, ion sau
molecul dintr-un nod - vacan; sau prezena unui atom plasat ntre noduri atom interstiial; prezena impuritilor, atomi de alt natur, pot conduce la
defecte punctuale cum sunt impuritile interstiiale i impuritile de
substituie), defecte liniare (dislocaiile de margine sau dislocaiile elicoidale),
defecte bidimensionale ( de suprafa i pot fi de reorientare prin nclinaie sau
de reorientare prin rotaie) i defecte de volum (prezena unor goluri, fisuri,
incluziuni de corpuri strine n cristal).
Materialele conductoare metalice (metale si aliaje metalice) sunt
caracterizate de starea cristalin sau metalic. Aceste materiale au legturi
specifice metalice, caracterizate de colectivizarea electronilor din banda de
valen i care se mic liber sub form de nor electronic printre ionii pozitivi
din care este alctuit miezul, au proprieti metalice, cum sunt conductivitatea
termic i electric ridicate, ductibilitate, luciu metalic etc.
n prezena defectelor cristaline, valoarea rezistivitii este suplimentat
de un al doilea termen similar celui dedus teoretic n paragraful anterior:
m 1
m 1
2
2
e n F e n d
(1.69)
i unde d reprezint timpul de relaxare corespunztor interaciei dintre

electroni i defectele cristaline.
38
Prezena impuritilor (presupuse tot de natur metalic) deformeaz

reeaua cristalin a metalului de baz, ducnd astfel la creterea rezistivitii
datorit creterii numrului de ciocniri ale electronilor cu reeaua metalului.
Materialele conductoare utilizate n tehnic au ntodeauna impuriti i
defecte de structur cristalin. Existena acestor impuriti i defecte de structur
genereaz o ntrziere suplimentar a electronilor prin reducerea duratei de
relaxare (durata dintre dou ciocniri succesive ale electronilor n micarea lor
dirijat); cu ct distorsiunile reelei cristaline vor fi mai puterince cu att
ciocnirile vor fi mai numeroase, i deci rezistivitatea electric va crete. Rezult
c cea mai bun conductivitate o au metalele lipsite de impuriti i cu structur
ct mai apropiat de echilibru.
Dac impuritile se introduc voit ntr-un metal se obin aliajele, astfel c
orice aliaj are rezistivitatea electric mai mare dect a metalului de baz. Scopul
acestora este de a obine materiale de mare rezistivitate.
Temperatura. Constanta de timp de relaxare F variaz cu temperatura
astfel: cnd temperatura T crete, nodurile reelelor se deprteaz i tranziia
ntre stri se face la energii poteniale mai mici, deci F scade cu creterea
temperaturii.
De aceea i rezistivitatea devine funcie de temperatur, variind liniar cu
T, n domenii mici de variaie a temperaturii.
Rezistivitatea electric a unui conductor este proporional cu temperatura
acestuia, la temperaturi ce depesc o anumit valoare caracteristic fiecrui
material, numit temperatura Debye - TD.
Temperatura Debye a ctorva metale este dat n tabelul 1.3.
Tabelul 1.3 Temperaturile Debye ale unor metale
Prin ciocnirea electronilor cu atomii metalului, acetia cedeaz o parte din

energia lor cinetic, ce se transform n cldur. Astfel se explic nclzirea
materialelor conductoare strbtute de curent electric. Creterea temperaturii
unui conductor metalic are ca rezultat mrirea agitaiei termice, creterea
numrului de ciocniri i deci creterea rezistivitii.
Pentru a caracteriza creterea rezistivitii cu temperatura la materialele
conductoare, s-a adoptat coeficientul de temperatur al rezistivitii :

de unde:
T 0
(1.70)
0 T T0
T 0 1 T T0
39
(1.71)
n care T 0 reprezint creterea rezistivitii pentru intervalul de temperatur

T T0; T0 fiind temperatura de referin (de obicei 293 K). Deci, coeficientul de
temperatur al rezistivitii reprezint variaia unitii de rezistivitate pentru o
variaie a temperaturii cu un grad.
Coeficientul n SI are ca unitate de msur [1/C] i are aproximativ
valoarea 0,004 pentru toate metalele pure. Valoarea acestui coeficient este
totdeauna mai mare dect zero pentru metalele conductoare.
Coeficientul de variaie cu temperatura pentru cteva materialele
conductoare, la 20oC, este prezentat n tabelul 1.4.
Tabelul 1.4
Materialul
Coeficientul [1/C]
Tungsten
Cupru
Aluminiu
Argint
Constantan
Carbon
0,0045
0,00393
0,00391
0,0038
0,000008
- 0,0005
Obs. La materialele semiconductoare rezistivitatea scade cu creterea

temperaturii. Coeficientul are valori negative (deoarece aceste materiale n
condiii normale nu au electroni liberi, chiar temperatura favorizeaz apariia
electronilor liberi).
Conductibilitatea electric este corelat cu conductibilitatea termic
deoarece electronii servesc i pentru transmiterea cldurii n material. ntre
conductivtatea termic n W/mK i rezistivitatea electric n m, exist
relaia experimental:
2,23 108 T
(1.72)
La scderea temperaturii agitaia termic scade, astfel c sub o anumit
valoare TSC interaciunea electronilor cu reeaua cristalin se reduce att de mult
nct rezistivitatea electric este practic nul, corpul atingnd starea de
supraconductibilitate, fig.1.22.
Fig.1.22 Dependena rezistivitii de temperatur

40
Fenomenul este foarte complex i este n prezent explicat de teoria

perechilor de electroni cu momente cinetice i momente magnetice de spin egale
i de semn contrar, ce se pot deplasa liber n material, fr s interacioneze cu
reeaua cristalin (teoria BCS Bardeen, Cooper, Schrieffer fizicieni care au
primit premiul Nobel pentru aceeast teorie).
n baza teoriei BCS, se demonstreaz c fluxul magnetic total, ce trece
printr-un inel supraconductor, poate lua numai valori cuantificate, cuanta fiind
denumit fluxon: h/2e, unde e este sarcina electronului, iar h este constanta
lui Planck. Acest rezultat este verificat experimental i confirm existena
perechilor de electroni n structura strii supraconductoare.
Temperatura TSC numit i temperatur de tranziie sau de
supraconductibilitate este foarte sczut n cazul metalelor pure aa cum se
constat din tabelul 1.5. Dei descoperit n anul 1911 (dup lichefierea heliului),
aplicaiile practice extinse ale fenomenului supraconductibilitii sunt de dat
relativ recent, dup descoperirea n 1986 a unor compui ai metalelor de
tranziie de tipul oxizilor la care starea de supraconductibilitate se atinge la
temperaturi mai ridicate, ce pot fi atinse n condiii economice prin rcirea cu
azot a crui temperatur de lichefiere este 77 K.
Temperatura TSC la care teoretic rezistena materialului tinde la zero este
prezentat pentru cteva materile n tabelul 1.5.
Tabelul 1.5
Materialul
Tungsten
Cupru
Aluminiu
Argint
Constantan
Temperatura T0 la care
rezistena tinde la zero [oC]
- 202
- 234,5
-236
- 243
- 125000
Atingerea strii de supraconductibilitate este influenat i de prezena

cmpului magnetic prin reducerea valorii temperaturii de tranziie atunci cnd
intensitatea cmpului crete; dac intensitatea cmpului atinge o anumit valoare
critic Hcr dependent de temperatur, starea de supraconductibilitate dispare
(vezi fig.1.23a), trecerea poate fi brusc cazul supraconductorilor de spea I
sau poate avea loc ntr-un domeniu al intensitii cmpului magnetic Hc1 Hc2
cazul supraconductorilor de spea a II-a (vezi fig.1.23b).
Aplicaiile mai importante ale materialelor supraconductoare se datoreaz
posibilitii creterii densitii de curent la valori ridicate; aceste aplicaii sunt:
cabluri pentru transportul energiei electrice la distane mari, electromagnei cu
cmpuri magnetice intense, mijloace de transport pe pern magnetic,
traductoare, microprocesoare de mare vitez etc. Fragilitatea ridicat a
41
materialelor supraconductoare constituie principalul neajuns care ngreuneaz

extinderea utilizrii lor.
Fig.1.23 Influena cmpului magnetic asupra temperaturii TSC:

a supraconductori de spea I; b supraconductori de spea a II-a
Solicitrile mecanice. Constantele de timp de relaxare F i d variaz cu

solicitrile mecanice pe care le pot suferi reelele metalice ca: laminarea,
forjarea trefilarea etc., care deformeaz reeaua cristalin, metalul trecnd din
starea moale" n starea dur". Deci solicitrile mecanice produc deformarea
corpurilor ce se realizeaz prin deplasri ale atomilor din poziiile de echilibru.
Aceste deplasri influeneaz rezistivitatea electric a materialului prin
modificarea constantei de relaxare a purttorilor de sarcin electric. Dac
solicitrile genereaz tensiuni mecanice care produc numai deformaii elastice,
variaia rezistivitii electrice este proporional cu tensiunea mecanic iar
modificrile sunt reversibile.
Legea de variaie experimental a materialului deformat elastic este:
0 1 m
(1.73)
unde: 0 este rezitivitatea materialului n absena solicitrii mecanice,

m - tensiunea mecanic normal care a produs deformarea i
- coeficientul mecanic al rezistivitii; dac tensiunile sunt de ntindere
rezistivitatea crete, semnul +", dac tensiunile sunt de compresiune
rezistivitatea electric scade, semnul ", n relaia (1.73).
Aceast proprietate a materialelor metalice este utilizat pentru realizarea
traductorilor tenso-rezistivi utilizai la msurarea tensiunilor mecanice i n
construcia aparatelor i dispozitivelor ce se bazeaz pe deformarea elastic a
unui element.
1.6 Funciile materialelor conductoare
Funcia de conducie a curentului electric
Pentru ndeplinirea funciei de conducie, este necesar ca materialul s posede
rezistivitate sczut, rezisten mecanic, rezisten la coroziune i s existe
42
posibilitatea de prelucrare prin laminare, trefilare, lipire sau sudare. Materialele

utilizate frecvent sunt Cu, Al, Ag, Au i aliaje Cu-Zn (alama) sau Cu-Be, care
prezint elasticitate i rigiditate mecanic.
Funcia de limitare a curentului electric
Pentru ndeplinirea acestei funcii, este necesar ca materialul (utilizat la
fabricarea rezistoarelor bobinate de putere) s prezinte rezistivitate ridicat,
maleabilitate i ductilitate, astfel nct s poat fi obinute prin trefilare diametre
reduse, invarian a proprietilor i dimensiunilor ntr-un domeniu larg de
temperaturi i potenial electrochimic ct mai apropiat de cel al cuprului din care
sunt confecionate terminalele rezistoarelor, astfel nct tensiunea
termoelectromotoare de zgomot s fie redus. Sunt utilizate aliaje Cu-Ni
(constantan), Cu-Ni-Mn (manganina), Cu-Ni-Zn (nichelina), sau Ni-Cr-Al-Co
(Kantal).
Funcia de contactare-comutare
Materialele utilizate pentru realizarea contactoarelor i comutatoarelor
sunt aliaje cu argint, oxidul de argint avnd conductibilitatea electric apropiat
de cea a argintului. Pentru a rezista la un numr mare de acionri, se impune ca
aliajele s posede duritate mecanic i temperaturi de topire ridicate, pentru a nu
fi deteriorate de arcul electric format la ntreruperea contactului. Se utilizeaz
aliajele argintului cu wolfram, molibden sau cupru.
1.7 Materiale conductoare folosite n construcia
de echipamente, componente i dispozitive electronice
a. Noiuni generale
Metalele tehnic pure sunt utilizate n practic datorit unor proprieti
speciale, cum sunt conductibilitatea termic i electric, rezistena bun la
coroziune, stabilitatea la temperaturi nalte, ca de exemplu: cuprul, aluminiul i
argintul pentru conductibilitatea lor termic i electric mari; staniul, molibdenul
i wolframul pentru stabilitatea la temperaturi nalte.
n practic cele mai multe metale sunt folositoare sub forma de aliaje,
adic materiale metalice rezultate din topirea mpreuna a unor metale cu metale
sau metale cu nemetale (metaloide).
Pentru ca un aliaj s posede proprieti metalice, este necesar s
predomine legtura metalic. Pentru ca prin topire s rezulte un aliaj, elementele
trebuie s se dizolve complet n stare lichid, formnd o topitur omogen care,
prin solidificare, s dea natere unui material metalic omogen din punct de
vedere macroscopic. La scara atomic, toate aliajele sunt eterogene, ntrucat sunt
alcatuite din cel puin doua feluri (specii) de atomi. Metalele (elementele) care
alctuiesc aliajul poart numele de componeni, iar totalitatea aliajelor formate
de ctre aceiai componeni, formeaz un sistem de aliaje.
Dac se consider sistemele fizico-chimice (corp sau ansamblu de
corpuri) n interaciune, izolate imaginar de mediul nconjurtor, ele pot fi:
43
omogene cu aceleai caracteristici n toat masa i eterogene formate din

pari omogene separabile prin procedee mecanice. Parile omogene ale unui
sistem eterogen difer ntre ele prin proprietile lor fizico-chimice.
Clasificarea sistemelor de aliaje se face n funcie de solubilitatea
reciproc a componenilor n stare lichid i n stare solid. Dup solubilitatea n
stare lichid se disting trei grupe mari, i anume:
- sisteme de aliaje n care componenii sunt total solubili unul n altul n
stare lichid;
- sisteme de aliaje n care componenii sunt parial solubili unul n altul n
stare lichid;
- sisteme de aliaje n care componenii sunt total insolubili unul n altul n
stare lichid.
n cazul cnd componenii sunt total solubili n stare lichid, n stare solid
pot fi: total solubili, parial solubili sau total insolubili.
Dac componenii sunt parial solubili n stare lichid, n stare solid pot
fi: parial solubili sau total insolubili.
Cnd componenii sunt total insolubili n stare lichid, n stare solid nu
pot fi dect total insolubili.
b. Proprietai fizice ale aliajelor
Densitatea aliajelor este de cele mai multe ori intermediar ntre
densitile metalelor constituente.
Duritatea aliajelor este mai mare dect a metalelor pure care la compun.
Astfel, oelurile (aliaje ale fierului cu carbonul) au duritatea mult mai mare dect
a fierului pur.
Un adaos de carbon i wolfram dubleaz duritatea fierului.
Marirea duritaii prin aliere este unul din motivele pentru care se
elaboreaz aliajele.
Temperatura de topire este mai mic n cazul aliajelor, dect
temperaturile de topire ale metalelor respective; proprietatea se foloseste n
procesele de prelucrare la cald.
Conductibilitatea electric a aliajului este mai mic dect
conductibilitatea componentelor; pe aceast proprietate se bazeaz obinerea
unor aliaje (nichel, constantan) cu rezistena electric mare, folosite n
electrotehnic.
Rezistena mecanic a metalelor crete prin aliere: de exemplu, alama,
aliaj de cupru i zinc este de aproape doua ori mai rezistent dect cuprul pur i
de patru ori mai rezistent dect zincul.
Rezistena la coroziune se marete dac metalele se aliaz; aliajele sunt
rezistente la aciunea agenilor fizici i chimici din atmosfer.
Sintetic, proprietile metalelor i aliajelor acestora sunt prezentate mai
jos.
44
c. Materiale (metale i aliaje) de mare conductibilitate

Cuprul i aliajele lui
Proprietile cuprului:
- conductivitate electric foarte mare, depit doar de a argintului care este
foarte scump;
- rezisten mecanic suficient de mare;
- stabilitate satisfctoare la coroziune, la temperaturi normale;
- prelucrare uoar prin laminare i trefilare, pn la diametre de sutimi de
milimetru, lipire i sudare comod.
Pentru utilizare ca material conductor se folosete numai cupru electrolitic
pur (peste 99,9% Cu) deoarece chiar mici adaosuri scad sensibil conductivitatea
materialului.
Prin trefilare la rece se obine cuprul dur care are o rezisten la ntindere
ridicat, duritate i elasticitate la ndoire. Se utilizeaz pentru fabricarea
conductoarelor acolo unde este necesar o rezisten mecanic mare, duritate i
rezisten la frecare.
n urma unui tratament termic pn la cteva sute de grade se obine
cuprul moale, relativ plastic, cu duritate i rezisten mic, dar cu conductivitate
mai nalt, utilizat pentru cazurile n care este important flexibilitatea.
n unele cazuri se utilizeaz ca materiale conductoare aliaje ale cuprului
care, chiar dac au conductivitate mai mic, au proprieti mecanice superioare.
45
Astfel pentru lamelele releelor electromagnetice care trebuie s asigure o

presiune de contact suficient i constant n timp se folosesc: bronzul cu staniu
(staniu 68%), bronzul cu aluminiu (aluminiu 510%), bronzul cu beriliu
(1,72%), alpaca (nichel 918%), alama (zinc 2030%).
Alamele sunt aliaje ale cuprului cu zincul; combinanate ntr-o varietate
larg de proporii cu alte metale, inclusiv staniu, plumb i aluminiu, ele se
prelucreaz la strung, dar nu pot fi turnate. Se folosesc la confecionarea de
ventile, piulie, inele, buce etc.
Alama de cartue conine circa 70% cupru i 30% zinc. Este foarte
ductil, dar are rezistena mic la ntindere. Acest aliaj a fost iniial dezvoltat
pentru fabricarea tuburilor de cartue i este folosit i n prezent n acest scop.
Alte articole fabricate n prezent din alam de cartue sunt valvele i garniturile
pentru evrie, precum i soclurile becurilor electrice.
Alama special, mai dur i mai rezistent dect alama de cartue, se
obine prin alierea cuprului i zincului cu mangan, fier i staniu, plumb i
aluminiu. Alama special este uor de prelucrat i potrivit pentru scopuri de
turntorie (elicele unor nave).
Multe alte tipuri de alam sunt realizate pentru o gam larg de aplicaii,
inclusiv pentru componente n construciile de maini, roi dinate, ornamente,
prize i dulii electrice.
Alpacaua este strns nrudit cu alama. Ea este alcatuit din cupru aliat cu
zinc i nichel. Argentanul, o varietate de alpaca, de fapt nu conine deloc argint,
dar are aspect de argint. El este mai bine cunoscut pentru utilizarea sa pentru
tacmuri. De obicei este placat cu argint i este cunoscut sub numele de argentan
galvanizat, sau EPNS.
Bronzurile sunt constituite din cupru i staniu; se pot turna foarte bine,
sunt dure i rezistente. Din ele se confecioneaz lagre, armturi speciale, table,
srme, statui etc.
Bronzuri de plumb se folosesc pentru fabricarea lagrelor care trebuie s
reziste la viteze i presiuni mari, este mai potrivit bronzul fosforos de plumb.
Acesta se obtine prin includerea a 3,5% plumb n bronzul fosforos.
Plumbul este folsit i pentru obinerea bronzurilor de plumb cu staniu. Tipurile
cu coninut redus de plumb, doar 0,5% plumb, sunt folosite pentru folosirea
garniturilor pentru conducte de aburi i de ap i pentru lucrri ornamentale.
Bronzurile cu staniu, cu coninut ridicat, pna la 20% plumb, se folosesc pentru
lagre de nalt performan.
Bronzul rou este o forma de bronz care conine zinc. Bronzurile roii
tradiionale conin aproximativ 88% cupru, 8-10% staniu i 2-4% zinc.
Bronzurile roii cu nichel conin pna la 5% nichel. Iniial folosit la fabricarea
evilor de puti, bronzul rou este utilizat la componente pentru construcii de
maini, inclusiv rulmeni.
Bronzul cu aluminiu este un aliaj de cupru i aluminiu, adesea cu cantitai
mici de metale, precum nichel, fier sau mangan. Dei se numeste bronz, adesea
46
nu conine deloc staniu. Bronzul de aluminiu este la fel de rezistent ca i oelul

moale i are o bun rezisten la coroziune, inclusiv la aciunea acizilor diluai.
Este folosit la fabricarea elicelor navelor, a unor piese pentru utilaje hidraulice
grele i a utlajelor de tehnologie chimic, precum rezervoare i pompe
rezistente la acizi.
Aluminiul i aliajele lui
Aluminiul are proprieti electrice i mecanice inferioare cuprului (astfel
rezistivitatea sa este de 1,63 mai mare dect a cuprului, iar proprietile
mecanice se aproprie de cele ale cuprului numai pentru aliaje ca duraluminiu).
Adaosurile (n special titanul i manganul i chir cuprul i argintul) cresc
rezistivitatea aluminiului, motiv pentru care acesta se utilizeaz ca material
conductor numai cu un coninut sub 0,5% adaosuri.
Prelucrabilitatea aluminiului se apropie de cea a cuprului. Se utilizeaz la
fabricarea condensatoarelor, n bobinajele inductanelor. Se oxideaz destul de
repede, oxidul avnd proprieti izolatoare bune. O atenie deosebit trebuie
acordat ns conexiunilor ntre cupru i aluminiu unde, n prezena umiditii
atmosferice, are loc o corodare puternic a aluminiului.
Producerea aliajelor de aluminiu este relativ recent, majoritatea
materialelor fiind introduse n anii 1900.
Aliajele de aluminiu care sunt potrivite pentru turntorie conin pna la
15% siliciu, plus cantitai mai mici de metale precum cuprul, fierul, nichelul i
zincul. Printre articolele turnate din asemenea aliaje uoare se numar blocurile
de cilindri de motor i componentele pentru motoare i fuzelaje de aeronave.
Aliajele de aluminiu potrivite pentru alte procese de modelare, precum
forjarea, laminarea i trefilarea, conin pna la 7% magneziu i circa 1%
mangan. Aliajele foarte puternice de acest tip, cu o utilizare larg n aviaie, se
obin cu circa 5% zinc i cantiti mai mici de cupru, magneziu i mangan.
Duraluminiul. Una dintre cele mai importante descoperiri n evoluia
aliajelor de aluminiu a fost un efect cunoscut sub numele de duritate prin
mbtrnire. Acesta a fost observat de metalurgul dr. Alfred Wilm. n 1909,
Wilm experimenta cu un aliaj de aluminiu ce coninea 3,5% cupru i 0,5%
magneziu. El a ncercat s fac aliajul s devin mai dur prin forme variate de
tratare termic, inclusiv nclzirea la aproximativ 500C i aruncarea ulterioar
n ap pentru a se rci repede.
Efectul imediat al acestui tratament a fost redus, dar dup cteva zile
Wilm a descoperit c metalul devenise mult mai dur, dei nu fusese supus unui
tratament ulterior. Motivele nu au fost imediat ntelese, dar aliajul care a devenit
cunoscut sub numele de duraluminiu a fost curnd folosit la dirijabile i avioane.
n prezent aceste aliaje sunt folosite i pentru navele spaiale. Compoziia lor
variaz, dar n mod obinuit aliajele constau dintr-o baz de aluminiu cu 3,5%4,5% cupru, cte 0,4%-0,7% magneziu i mangan i pn la 0,7% siliciu.
Materiale pentru contacte electrice de rupere
Proprieti necesare:
47
- o bun conductivitate electric i termic;

- rezisten la aciunea agenilor atmosferici, iar n cazul n care formeaz
pelicule de oxizi superficiali acetia s aib conductibilitate electric i termic
apropiate de cele ale materialului de baz;
- duritate mare, pentru a rezista la un numr mare de acionri;
- temperatura de topire nalt, pentru a nu forma arc la ntreruperea contactului;
- s fie uor prelucrabile.
Argintul:
- are cea mai mare conductibilitate, un punct de topire relativ ridicat, rupe
cureni mari, este maleabil, se prelucreaz uor
- nu e un material dur, la folosirea n curent continuu este uor transportat prin
scntei n sensul curentului (contactele se sudeaz realtiv uor), este atacat de
sulf formnd o pelicul ru conductoare.
- aliajele cu cuprul, platina i oxidul de cadmiu, au duritate mai mare i
temperatura de topire ridicat (nu se lipesc contactele), sunt mai rezistente la
aciunea sulfului.
Aurul:
- este mult mai stabil la aciunea agenilor atmosferici, este mai moale, se
folosete la contactoare de cureni mici.
Platina:
- are o excepional rezisten la aciunea agenilor chimici i temperatur
ridicat de topire, o bun rezisten la coroziunea prin arc electric, ns are
duritate sczut.
Wolframul:
- este foarte dur, se topete foarte greu i este foarte greu atacat de agenii
chimici, fiind folosit la contacte electrice cu durat foarte mare de funcionare.
d. Materiale (aliaje metalice) de mare rezistivitate
Pentru fabricarea rezistoarelor bobinate sunt necesare conductoare
realizate din materiale cu rezistivitate ct mai mare i coeficientul de
temperatur al rezistivitii ct mai mic.
Manganinul este principalul aliaj folosit pentru rezistoare de precizie de
putere mic. Se prelucreaz bine n fire. Pentru obinerea unui coeficient mic de
variaie cu temperatura, manganinul este supus unui tratament termic prin
nclzire la 350550oC urmat de rcire lent i pstrare ndelungat la
temperatura camerei.
Constantanul se prelucreaz uor. nclzit rapid la 900oC i rcit lent
formeaz o pelicul de oxid cu proprieti electroizolante bune, ceea ce permite
bobinarea spir lng spir fr msuri suplimentare, dac tensiunea ntre 2 spire
nu depete 1V.
Aliajele crom-nichel lucreaz la temperaturi foarte ridicate, pn la
o
1000 C. Astfel, nikrothalul, aliaj al nichelului cu cromul, are o mai bun
stabilitate a rezistivitii cu temperatura, dar la temperaturi relativ joase (230oC),
48
este foarte prelucrabil comparativ cu celelalte aliaje cu rezistivitate ridicat.

Componena aliajelor de mare rezistivitate este prezentat n tabelul 1.11.
Aliajele de lipit sunt aliajele ale plumbului cu staniul.
Aliajele tipografice conin plumb, stibiu i staniu.
Amalgamele sunt aliaje ale mercurului cu diferite metale; se folosesc n
tehnica dentar i n procese electrolitice.
e. Aliaje cu importan industrial
Fonta este un aliaj al fierului cu carbonul n procent de 1,7-5% C. Exist
trei categorii de fonte:
- Fonta de turntorie, n care carbonul este coninut sub forma de grafit, are
n compoziie siliciu, mangan i procente mici de fosfor i sulf. Este
folosit pentru confecionarea de radiatoare, plite, calorifere etc.
- Fonta de afinare, care conine carbonul sub form de cementit (Fe3C),
are duritatea mai mare i constituie materia prim pentru prepararea
oelurilor.
- Feroaliajele conin procente mai mari de mangan (feromangan), de crom
(ferocrom), de molibden (feromolibden), de vanadiu (ferovanadiu).
Ele servesc la fabricarea oelurilor speciale.
Oelurile conin fier i un procent mai mic de carbon dect fontele (0.32%C); de asemenea, elementele siliciu, mangan, sulf i fosfor sunt n procente
foarte reduse (urme).
Oelurile-carbon, aliaje ale fierului cu carbonul, care mai pot conine
mangan, siliciu, sulf i fosfor, sunt ntrebuinate n construcii mecanice i pentru
unele piese metalice.
Oelurile speciale conin i alte metale care le imbunataesc calitile:
nichel, crom, vanadiu, wolfram etc.
- Oelurile cu nichel sunt rezistente la solicitri mecanice i de aceea se
utilizeaz n construciile de maini.
- Oelurile cu crom au o duritate mare i se folosesc la fabricarea de unelte,
bile, roi dinate, piese inoxidabile etc.
- Oelurile rapide care conin, pe lnga fier i carbon, elemente ca: wolfram,
crom, vanadiu, cobalt, mangan, siliciu sunt folosite la fabricarea cuitelor
pentru maini achietoare i a burghielor rezistente la viteze mari de tiere.
f. Concluzii
Metalele care se folosesc n industria tehnic se numesc metale tehnice.
Aliajele sunt combinaii chimice, amestecuri, obinute de regul prin
topirea a doua sau a mai multor materiale din care cel puin unul este metal.
Prin standard fiecare calitate de metal sau aliaj primete un simbol
convenional format din litere i cifre.
Aliajele folosite n domeniul construciei de echipamente, coponente i
dispozitive electrice i electronice au un mare grad de utilizare datorit
propietilor pe care le posed acestea. Aceste proprieti provin de la
materialele de baza (de regul metale) dar i din proprietile aliajelor (fiind n
49
numar mai restrns).

Aliajele sunt preferate n construcia de echipamente, componente i
dispozitive electrice i electronice datorit faptului c sunt mai uor de folosit, n
unele cazuri mai uoare dect materialul de baz, cu proprieti ridicate i nu n
ultimul rnd pentru c sunt mai uor de realizat din punct de vedere chimic dect
metalele pure.
n conformitate cu cele prezentate, simbolizarea i cunoaterea ct mai
bun a materialelor conductoare i a aliajelor acestora are un rol important n
alegerea materialului cel mai economic i cel mai eficient pentru tipul de aparat,
echipament sau chiar sisteme complexe de aparate, n realizarea celor mai bune
performane.
1.8 Rezistoare
1.8.1 Generaliti
Prin component electronic se nelege unitatea funcional i/sau
constructiv cea mai mic aparinnd unui aparat electronic.
n cazul n care unitatea constructiv minim coincide cu unitatea
funcional minim, se vorbete despre o component discret: diode,
tranzistoare, rezistoare, inductoare, condensatoare, etc.
Dac ns structura constructiv de sine stttoare include mai multe
funcii electronice, componenta este considerat ca fiind din categoria
circuitelor integrate CI: ASIC, RAM, ROM, microprocesoare, etc.
La baza realizrii componentelor electronice stau legi ale fizicii, care
materializate prin intermediul proceselor tehnologice conduc la realizarea de
componente cu diverse complexiti funcionale i constructive, astfel:
MATERIALE PROCESE TEHNOLOGIGE COMPONENTE
(Satisfac cerinele tehnologice)
La fabricarea componentelor sunt necesare anumite procedee
tehnologice, procedee ce alctuiesc tehnologia de realizare a unui produs.
Componenta pasiv este o component de tip dipol, realizat n scopul
obinerii unei anumite impedane cu o comportare ct mai apropiat de cea
ideal ntr-o band de frecven ct mai mare i concentrat ntr-un volum
ct mai mic. Lucrarea trateaz pe larg componentele pasive, n acest capitol
rezistoarele, iar n capitolele urmtoare bobinele i condensatoarele.
Pentru o component, impedana Z se definete prin raportul dintre
tensiunea U aplicat acesteia i curentul I ce o strbate:
U
R jX Ze j ,
I
50
(1.74)
unde: R este rezistena, X reactana, Z este modulul impedanei i este

defazajul dintre tensiune i curent:
Z R2 X 2 ,
tg X / R
(1.75)
n funcie de tipul impedanei care se dorete s se obin, rezult i

tipul componentei pasive.
Dac Z R , impedana este rezistiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete rezistor. Rezistorul este
caracterizat de parametrul fundamental rezisten, ce definete componenta.
Rezistorul ideal are impedana pur rezistiv i defazajul dintre tensiune i curent
zero.
Dac Z j L , impedana este inductiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete inductor. Inductorul este
caracterizat de parametrul fundamental inductan electric, ce definete
componenta. Inductorul ideal are impedana pur inductiv i defazajul dintre
tensiune i curent este /2.
Dac Z 1 / jC , impedana este capacitiv, iar componenta pasiv
caracterizat de o asemenea impedan se numete condensator. Condensatorul
este caracterizat de parametrul fundamental capacitate electric, ce definete
componenta. Condensatorul ideal are impedana pur capacitiv i defazajul
dintre tensiune i curent este /2, adic curentul este defazat naintea tensiunii.
Rezult deci n funcie de tipul impedanei, principala clasificare a
componentelor pasive: rezistoare, inductoare i condensatoare.
Simbolizarea rezistoarelor liniare fixe, rezistoarelor variabile i
rezistoarelor neliniare este prezentat n fig.1.24a, 1.24b i 1.24c.
a)
b)
c)
Fig.1.24a Simboluri grafice uzuale pentru rezistoare liniare fixe

a simbol grafic recomandat; b i c simboluri tolerate
Fig.1.24b Simboluri grafice pentru rezistoare variabile
Fig.1.24c Simboluri grafice pentru rezistoare neliniare

51
Clasificarea general a rezistoarelor este prezentat n fig.1.25.
Fig.1.25 Clasificarea general a rezistoarelor
1.8.2 Rezistoare (liniare) fixe

Rezistorul, reprezint o component electric pasiv de tip dipol,
realizat n scopul obinerii unei impedane rezistive cu o comportare ct mai
apropiat de cea ideal ntr-o band de frecven ct mai mare i concentrat
ntr-un volum ct mai mic.
Rezistoarele sunt componente pasive de baz n aparatura electronic,
reprezentnt aproximativ 30-40% din numrul pieselor unui aparat electronic.
Parametrul fundamental al rezistorului l reprezint rezistena
electric. n acest sens, se poate defini rezistorul ca fiind componenta pasiv
realizat n scopul obinerii unei rezistene electrice.
Unitatea de msur pentru rezistena electric este Ohmul [], care
reprezint rezistena electric a unui element conductor ce are o cdere de
52
tensiune la borne de 1V i este parcurs de un curent electric de intensitatea de

1A. n practic se utilizeaz multiplii i submultiplii uzuali. (K, M, G, T i m, ,
n, p).
n funcie de caracteristica electric, adic dependena ntre tensiunea de
la bornele rezistorului i curentul electric ce l parcurge, rezistoarele se clasific
n dou categorii:
- rezistoare liniare, ce au o dependen liniar ntre tensiune i curent;
- rezistoare neliniare, ce au o caracteristic tensiune curent neliniar.
a. Definiie. Clasificare.
Rezistorul liniar fix, pe care-l vom numi rezistor, reprezint un rezistor
liniar cu rezistena R fix, ce nu poate fi modificat de utilizator.
Principala clasificare o constituie modul tehnologic de realizare a
elementului rezistiv, astfel:
- rezistoare bobinate, al cror element rezistiv este realizat prin
bobinarea unui conductor de nalt rezistivitate pe un suport dielectric;
- rezistoare peliculare, al cror element rezistiv este o pelicul rezistiv
depus printr-un procedeu tehnologic specific pe un suport dielectric;
- rezistoare cu folie metalic, al cror element rezistiv este o folie
metalic depus pe un suport dielectric;
- rezistoare de volum, cnd elementul rezistiv al rezistorului este de
forma unei mase compacte sub o anumit form, obinut prin
amestecul unei pulberi metalice de nalt rezistivitate cu un liant de
legtur.
Rezistoarele pot fi clasificate i n funcie de caracteristicile lor.
b. Caracteristicile rezistoarelor.
Rezistena nominal, RN [], reprezint valoarea rezistenei ce se
dorete a se obine n procesul de fabricaie i este marcat pe corpul
rezistorului. Rezistenele nominale pot lua numai valori discrete, valori ce sunt
standardizate internaional. Se msoar n curent continuu, la temperatura de
referin de 200C sau 250C.
Tolerana de fabricaie, t [%] - reprezint abaterea relativ maxim a
valorii reale a rezistenei rezistorului fa de rezistena nominala R N, marcat pe
corpul rezistorului. Valorile toleranelor sunt simetrice i standardizate, fiind n
mod frecvent de la 0,1% la 20%. Se poate determina cu relaiile urmtoare:
Rmax RN
, tolerana pozitiv
RN
R RN
t min
, tolerana negativ
RN
t
53
(1.76)
(1.77)
t / maxim t , t / maxim
R RN
RN
(1.78)
unde R este valoarea real a rezistenei rezistorului.

Valorile toleranelor sunt standardizate i sunt prezentate n tabelul 1.6 i
n anexe. Tolerana t reprezint tolerana rezultat n procesul de fabricaie. Att
RN ct i t se msoar la temperatura camerei (20C sau 25C).
Seriile valorilor nominale ale rezistenei rezistoarelor alctuiesc progresii
geometrice, iar clasele de toleran corespund seriei de valori din tabelul 1.6.
Tabelul 1.6 Seria i clasele de toleran corespunztoare
E6
E12
E24
E48
E96
Seria
Tolerana 20% 10% 5% 2,5% 1,25%
E192
0,6%
Tolerana global, este tolerana de fabricaie la care se adaug tolerana

de temperatur i tolerana celorlali factori legai de umiditate, depozitare,
solicitri mecanice, mbtrnire etc.
Temperatura nominal TN [oC] - reprezint temperatura maxim a
mediului ambiant n care poate funciona un rezistor timp ndelungat, fiind
solicitat la puterea nominala PN.
Intervalul maxim de temperatur [Tm, TM] - constituie domeniul
maxim al valorilor temperaturii n care productorul garanteaz buna
funcionare a rezistorului. Aceast gam de temperatur este recomandat att
pentru utilizare ct i pentru stocare i depozitare. Temperatura minim Tm i
temperatura maxim TM sunt prezentate de productor n cataloage prin
intermediul categoriei climatice, ce exprim condiiile climatice la care trebuie
verificat un rezistor de ctre productor i care este de forma: N1N2N3, unde N1
este Tm, N2 este TM, iar N3 este numrul de zile pentru care productorul
realizeaz verificrile climatice ale componentei n anumite condiii specificate
n norme internaionale.
Coeficientul de variaie cu temperatura R [ppm/oC] - exprim variaia
relativ a rezistenei rezistorului la modificarea temperaturii corpului su cu 1oC.
Se definete cu relaia:
1 dR
R dT
(1.79)
Rezistena rezistoarelor are de regul o variaie liniar cu temperatura,

rezultnd n acest caz:
R o
/ C
R0
(1.80)
unde: R este variaia valorii rezistenei R0 la variaia temperaturii corpului su

cu 1C.
54
Puterea nominal PN [W] - este puterea maxim la care poate fi supus un

rezistor, la o funcionare ndelungat, ntr-un mediu ambiant unde temperatura
este cea nominal TN. Este dat de relaia:
PN D TM TN
TM TN
Rth
(1.81)
unde: D [W/C] este coeficientul de disipaie termic.

Rezistena termic Rth [oC/W], caracterizeaz transmisia cldurii de la
elementul rezistiv la mediul ambiant. Relaia de determinare rezult din (1.81):
PN
1
TM TN Rth
(1.82)
Puterea termic maxim admisibil PA [W], este un parametru de lucru

i reprezint puterea maxim la care poate fi solicitat un rezistor la o funcionare
ndelungat ntr-un mediu ambiant cu temperatura Ta [Tm, TM]. Se determin
cu relaiile:
PA PN , pentru Ta TN
(1.83)
PA PN
TM Ta
, pentru Ta TN , TM
TM TN
(1.84)
Tensiunea nominala UN [V] - reprezint tensiunea continu maxim ce

poate fi aplicat la bornele unui rezistor de valoare nominal RN i care este
solicitat la puterea nominal PN, la o funcionare ndelungat, dar far s
depaeasc tensiunea maxim UM.
Tensiunea maxim admisibil VA [V] - reprezint tensiunea maxim ce
poate fi aplicat la bornele unui rezistor la o funcionare ndelungat, fiind
limitat din considerente de strpungere a dielectricului.
U A PN RN U N
(1.85)
Dac temperatura mediului depete TN n locul puterii PN se alege PA.
Tensiunea termoelectric Uk - reprezint tensiunea continu ce apare la
bornele rezistorului datorit diferenei de temperatur dintre terminale.
Rezistena critic Rc [],- este acea valoare a rezistenei unui rezistor
cruia i se aplic la borne tensiunea nominal VN i este solicitat la puterea
nominal PN.
Rc U N2 / PN
(1.86)
Rezistena de izolaie Riz - este rezistena dintre terminalele rezistorului
i corpul acestuia.
Factorul de zgomot, F [V/V sau dB], reprezint raportul dintre
tensiunea de zgomot a rezistorului i tensiunea continu de 1V ce este aplicat la
bornele sale.
Inductana parazit Lp, constituie inductana nedorit a rezistorului, ce
depinde n mod deosebit de structura constructiv.
55
Capacitatea parazit Cp, este capacitatea nedorit a rezistorului, ce

depinde de soluia constructiv i de tipul materialelor izolatoare utilizate.
Caracteristica static, expresia ce le descrie funcionarea i legea lui
Ohm sunt prezentate n fig.1.26.
Fig.1.26 Simbolul i caracteristica rezistorului
Influena toleranei globale a rezistoarelor asupra parametrilor

circuitelor electronice
Valoarea unui rezistor utilizat ntr-un circuit electronic poate avea o
abatere mai mare sau mai mic fa de valoarea nominal, dependent de
tolerana rezistorului, variaia temperaturii i a coeficientului de variaie cu
temperatura precum i alte abateri datorate diverilor factori cum sunt:
umiditatea, vibraiile, ocurile termice i electrice, etc.
Toate aceste influene pot fi puse n eviden prin tolerana global, dat de
relaia:
n
t g t f tT ti
(1.87)
i 1
unde:
- tg - este tolerana global;
- tf - tolerana de fabricaie;
- ti - tolerana datorat influenei factorului i;
- tT - tolerana datorat variaiei temperaturii ce se determin cu relaia:
tT = RTmax
(1.88)
Tmax = max {(Tmax - To),(To - Tmin)}
unde: To = 25C, temperatura la care se msoar valoarea nominal RN.
Tmax, Tmin reprezint temperatura maxim, respectiv minim la care poate
ajunge temperatura unui rezistor funcionnd ntr-un mediu ambiant cu
Ta [Tamin, Tamax] i disipnd puterea P:
Tmax = Tamax + P/D
Tmin = Tamin
(1.89)
Se consider un circuit electronic caracterizat de un parametru f,
dependent de valorile rezistenelor utilizate n circuit prin relaia:
f f R1 , R2 ,..., Rn
(1.90)
56
Cunoscndu-se toleranele rezistoarelor se poate determina tolerana

parametrului f cu relaia:
n
tf
i 1
f Ri
ti
Ri f
(1.91)
Ri f
i
f Ri
(1.92)
unde tf este tolerana parametrului f datorat toleranelor ti ale rezistoarelor Ri.

Cunoscndu-se coeficienii de variaie cu temperatura i ale rezistoarelor
Ri, coeficientul de variaie cu temperatura al parametrului f se determin cu
relaia:
n
f
i 1
c. Marcarea rezistoarelor
Codurile de marcare sunt n general standardizate internaional, dar pot fi
i coduri specifice de firm.
Rezistorul este marcat n clar sau codificat (prin inele, benzi, puncte) sau
prin simboluri alfanumerice codificate internaional; indiferent de modalitatea
adoptat, n mod obligatoriu se nscrie pe orice tip de rezistor:
- rezistena nominal cu unitatea ei de msur n clar, n cod literar sau
codul culorilor;
- tolerana valorii nominale n clar (n %), n cod literal sau codul
culorilor.
Pentru unele tipuri de rezistoare se nscriu n mod obligatoriu urmtoarele
mrimi:
- puterea disipat nominal n clar, n cazul rezistoarelor de putere; pentru
rezistoarele peliculare puterea nu se marcheaz, ci se cunoate dup
dimensiunile rezistorului.
- coeficientul de temperatur (numai la rezistoarele cu pelicul metalic
sau din oxizi metalici), n cod literal sau de culori;
- tensiunea nominal limit la rezistoarele pentru nalt tensiune, n clar
sau cod literal.
Cele de producie romneasc au un cod alfanumeric, de exemplu
RCG1050, RBA3004, etc. Partea literal a codului sugereaz familia din care
face parte rezistorul, iar partea numeric de obicei are legtur cu puterea
nominal, dimensiuni, sau alte detalii constructive.
Rezistena nominal RN este marcat pe corpul oricrui rezistor, uneori
fiind marcat numai acest parametru. Se utilizeaz coduri alfa numerice i codul
culorilor. Codurile alfanumerice au mai multe variante.
Cod alfanumeric varianta 1, prezentat n tabelul 1.7.
Tabelul 1.7
2,2
62
1K2
1K
1M
1M8
Marcare
6
RN []
2,2
62
1200
1000
10
1,8.106
57
Cod alfanumeric varianta 2.

Este asemntor cu cel prezentat anterior, cu diferena c pentru RN <
999, n locul virgulei se pune litera R, deci RN = 2,2 va fi marcat 2R2, iar
RN = 62 va fi marcat 62R.
Cod alfanumeric varianta 3, utilizat pentru rezistoare SMD sub
form de chip, la care se marcheaz doar valoarea nominal a rezistenei.
Codul este format din cifrele semnificative ale rezistenei nominale, litera
R pus n locul virgulei pentru valori mici ale rezistenei i ordinul de
multiplicare puterea lui zece pentru valori mari ale rezistenei.
Pentru tolerane de 20%, 10%, 5%, fiind necesare dou cifre
semnificative codul folosit este de forma:
- Rxy, pentru RN < 1, x, y fiind prima i a doua cifr semnificativ;
- xRy, pentru RN = 19,1;
- xyR, pentru RN = 1099;
- xym, pentru RN 100, unde m este ordinul de multiplicare.
Pentru tolerane de 2,5%, 2%, 1%, etc. fiind necesare trei cifre
semnificative codul folosit este de forma:
- Rxyz, pentru RN < 1;
- xRyz, pentru RN = 19,99;
- xyRz, pentru RN = 109,99;
- xyzR, pentru RN = 100999;
- xyzm, pentru RN 1000.
Marcarea rezistoarelor SMD chip se prezint n tabelul 1.8.
Tabelul 1.8
Marcare 1R2 51R
RN []
1,2 51
681
680
913 1R62
91.103 1,62
26R7
26,7
1781
1780
4873
487.103
Codificarea dimensiunilor rezistoarelor SMD paralelipipedice (chip).

Pentru codificarea acestora, la fel ca la condensatoarele SMD, fig.1.27,
este larg ntlnit convenia de notare ce utilizeaz miimea de inch, unitate
numit mil; 1 mil = 1/1000 inch.
Fig.1.27 Cotele rezistorului SMD paralelipipedic tip chip

58
Un inch este egal cu 25,4 mm. Se obinuiete s se aproximeze 40 mils =

1mm, ceea ce nseamn c se transform milimetrii n mils prin nmulire cu 40.
De exemplu 3 mm = 120 mils., 0,5 mm = 20 mils, etc.
De exemplu, rezistorul cu codul 1206 are, conform conveniei de notare,
aproximativ latura mare L de 120 mils=3mm i latura mic W de 60
mils=1,5mm. Celelalte cote (H i T) sunt definite n foile de catalog.
Cod alfanumeric varianta 4, utilizat pentru rezistoare SMD de
dimensiune foarte mic cu tolerane foarte mici de 0,1%, 0,5%, 1%, unde se
folosete un cod numeric pentru cifrele semnificative i un cod literal pentru
multiplicare (Cod E1A-96, prezentat n anexe).
Codul culorilor pentru marcarea rezistoarelor este prezentat n tabelul
1.9.
Tabelul 1.9 Codul culorilor
Culoare
Cifra
semnificativ
Negru
0
Maro
1
Rou
2
Portocaliu
3
Galben
4
Verde
5
Albastru
6
Violet
7
Gri
8
Alb
9
Auriu
Argintiu
Fr culoare
-
Multiplicator
-m1
10
102
103
104
105
106
107
108
109
10-1
10-2
-
Tolerana
t(%)
1%
2%
0,5%
0,25%
0,1%
0,05%
5%
10%
20%
(ppm/oC)
250
100
50
15
25
20
10
5
1
200
-
Obs.: 3 culori 12m, 4 culori 12mt, 5 culori 123mt, 5 culori 12mt,

6 culori 123mt, 6 culori 12mt, unde: coeficientul de variaie
cu temperatura, culoare mai groas i fiabilitatea.
Tolerana t, poate fi marcat i n cod literar conform cu tabelul 1.10.
Tabelul 1.10 Codul literar pentru marcarea toleranei rezistoarelor
L
P
W
B
C
D
F
G
H
Cod
literal
0,01 0,02 0,05 0,1 0,25 0,5 1
2
2,5
t(%)
59
10
Coeficientul de variaie cu temperatura , pentru rezistoarele cu

straturi groase, se poate marca i n cod literal: a pentru 50 ppm/oC, b
pentru 100 ppm/oC, c pentru 250 ppm/oC.
Puterea nominal, PN, se marcheaz n clar la rezistoarele bobinate.
Uneori pe corpul rezistorului poate fi marcat i codul acestuia, specific
firmei productoare, de obicei la rezistoarele de dimensiune mare, de exemplu:
RCG 1050 rezistor cu pelicul de carbon cu PN de 0,5 W, cu terminale axiale;
RBC 1003 rezistor bobinat cimentat cu PN de 1 W.
Uzual, pentru a asigura rezistorului o funcionare ct mai ndelungat,
puterea disipat de rezistor n circuit este bine s fie mai mic dect 0,5PN. n
general, puterile standardizate ale rezistoarelor sunt:
0,05; 0,10; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 4; 6; 12; 16; 25; 40; 50; 100 W
1.8.3 Structura constructiv general a rezistoarelor
Conform tehnologiilor de fabricaie, structura constructiv a unui rezistor
fix se prezint ca n fig.1.28.
Fig.1.28 Structura constructiv general a unui rezistor fix
Elementul rezistiv reprezint componenta constituent esenial a

rezistorului, de care depinde aproape toi parametrii rezistorului.
Materialele utilizate la realizarea elementului rezistiv trebuie s fie
caracterizate prin: rezistivitate ridicat, coeficientul de temperatur i tensiune
al rezistivitii ct mai mic, tensiune electromotoare n raport cu cuprul ct mai
sczut, temperatur ridicat de topire, o bun aderen la suportul dielectric.
Acestor cerine le corespund ntr-o msur mai mare sau mai mic materiale ca:
aliaje pe baz de cupru, nichel, crom, cobalt, mangan, fier, conform cu tabelul
1.11; oxizi metalici CrSiO, SnO2; carbonul, etc.
n funcie de modul tehnologic i de tipul materialelor utilizate la
realizarea elementului rezistiv rezult i tipurile de rezistoare. n acest sens se
disting:
- Element rezistiv bobinat, obinut prin bobinarea unui conductor de
nalt rezistivitate pe un suport dielectric cilindric.
- Element rezistiv pelicular, care poate fi:
60
- pelicul de carbon obinut prin piroliz cu o grosime de 0,51,5 m;

- pelicul metalic, cu o grosime de 0,010,1 m;
- pelicul din oxizi metalici, depus prin hidroliz, cu o grosime de 0,51,5 m;
- pelicul groas (numit i glazur metalic sau pelicul compozit) depus prin
serigrafie, cu o grosime de 1530 m;
- Element rezistiv sub form de folie metalic.
- Element rezistiv de volum, sub forma unei mase compacte, obinute
prin presarea sau extrudarea unui amestec format dintr-un material
conductor i liant de legtur.
Tabelul 1.11 Caracteristici ale unor materiale rezistive.
Caracteristic
Rezistivitate
(mm2/m)
Coef. de temp.
(ppm/0C)
Tmax de utilizare
(0C)
Utermoelectric
fa de Cu
(V/0C)
Manganin
Ni 4 %
Cu 84 %
Mn 12 %
Aliaj (compoziie)
Constantan
Kanthal
Nikrothal
Ni 45 %
Fe 75 %
Ni 75 %
Cu 55 %
Cr 20 %
Cr 17 %
Al 4,5 %
Mn, Si 8 %
Co 0,5 %
Cromnichel
Ni 80 %
Cr 20 %
0,42
0,5
1,35
1,33
1,15
15
20
20
20
130
100
535
150
230
1000
43
3,5
Suportul dielectric, numit i izolant are practic rolul de susinere

mecanic a elementului rezistiv. Se realizeaz din materiale izolatoare care
trebuie s prezinte o rezistivitate ct mai ridicat, permitivitate dielectric ct
mai mic, pierderi ct mai reduse, rigiditate dielectric ct mai ridicat. Trebuie
s fie bun conductor termic, nehigroscopic, rezistent mecanic. Pentru
rezistoarele peliculare, trebuie s permit o ct mai bun aderen a peliculei
rezistive la substrat. Se utilizeaz predominant materiale ceramice (rezistoare
peliculare i bobinate), fibr de sticl (rezistoare bobinate), alumin, nitrur de
aluminiu, berilia.
Pentru acelai tip de element rezistiv, creterea puterii nominale se face
prin creterea dimensiunilor suportului dielectric (creterea suprafeei de
convecie).
Capacitatea parazit este de asemenea proporional cu permitivitatea
dielectric a suportului dielectric, depinznd de dimensiuni.
Zona de contactare realizeaz contactarea terminalelor la elementul
rezistiv. Se utilizeaz materiale conductoare specifice contactrii n electronic.
Trebuie s prezinte o rezisten electric i o tensiune termoelectromotoare ct
mai mic. La rezistoarele bobinate, conectarea se face prin strngerea
61
(sertizarea) unui cpcel de nichel stanat sau aurit (pentru rezistoare de nalt
fiabilitate), la elementul rezistiv. La rezistoarele peliculare se depune o pelicul
conductiv care realizeaz contactarea la elementul rezistiv i pregtete
contactarea terminalului la aceast pelicul cu aliaj de lipit (Sn, Pb).
Zona de contactare produce o tensiune termoelectric nedorit la bornele
rezistorului i poate duce la creterea capacitii parazite.
Terminalul este necesar pentru conectarea componentelor la structura de
interconectare. Se disting dou tipuri importante de terminale. Terminale pentru
plantare (inserie), pe care le putem numi si clasice, formate din conductoare
de Cu dublu stanate, cu diametrul de: 0,4; 0,5; 0,6; 0,8; 1 mm. Acestea
influeneaz n mod deosebit inductana parazit a rezistorului. Terminale de tip
SMD, specifice tehnologiei pentru montare direct pe suprafa, care sunt sub
forma unor regiuni metalice, formate din mai multe straturi metalice (exemplu :
un strat de Ag-Pd i un strat de aliaj de lipit Sn-Pb). Acest tip de terminal
influeneaz capacitatea parazit a rezistorului.
Elementul de protecie are rolul de a proteja electric (nlturarea
eventualelor scurtcircuite la atingerea componentelor) mecanic (nepturi,
zgrieturi) i climatic (n special mpotriva prafului i umiditii). Se utilizeaz
materiale izolante, care trebuie s aib aceleai caracteristici generale ca cele
utilizate la realizarea suportului dielectric.
Rezistoarele peliculare sunt n general protejate cu lacuri electroizolante
sau rini termorigide. Mai rar se utilizeaz capsule de plastic, capsule specifice
circuitelor integrate sau chiar capsule metalice. Cele bobinate sunt acoperite cu
un ciment siliconic sau introduse n corp ceramic. Principalii parametri ai
rezistoarelor sunt puin influenai de elementul de protecie.
1.8.4 Zgomotul intern al rezistoarelor
Prin zgomot electric se nelege orice semnal electric parazit (nedorit) ce
se poate suprapune peste semnalul electric util purttor de informaie.
Zgomotul unei componente electronice se mparte n dou mari categorii:
- zgomot intern, dependent de tipul componentei, structura i tipul materialelor
utilizate; reprezint zgomotul ce apare la bornele componentei n timpul
funcionrii acesteia, sursele de zgomot fiind n interiorul componentei; orice
component electronic prezint un asemenea zgomot intern, care poate fi
termic i de curent i care va fi studiat n continuare;
- zgomotul extern, reprezint zgomotul ce poate s apar la bornele componentei
n timpul funcionrii acesteia, datorit unor surse externe de zgomot; apare
predominant prin recepie electric, magnetic i electromagnetic a cmpului
din vecintate ct i prin cuplaje va fi studiat la compatibilitate
electromagnetic.
Zgomotul termic. La o temperatur mai mare de 0K electronii se mic
datorit energiei termice, zgomotul rezultat poart denumirea de zgomot termic.
62
Puterea de zgomot termic este dat de relaia lui Nyquist:

Pzg 4 K BT f ,
(1.93)
iar tensiunea ptratic medie de zgomot ( valoarea medie ar putea fi nul) va fi:
U zg2 4 K BTRf ,
(1.94)
unde: KB este constanta lui Boltzmann 1,38.10-23J/K; T este temperatura
absolut a rezistorului; f este intervalul de frecven (banda) n care se face
msurtoarea; R fiind valoarea rezistorului.
Exemplu: T = 290K, R = 1ok, f = 10kHz, rezult Uzg = 1,27V.
Se observ c aceeai valoare ar fi fost obinut indiferent de valoarea
absolut a benzii de frecven, deci dac intervalul de frecven ar fi fost
[10kHz, 20kHz] sau [100kHz, 110kHz].
Introducnd notaia G pentru conductan G = 1/R, se poate scrie expresia
curentului de zgomot ce strbate rezistorul:
I zg2 4 K BT fG
(1.95)
Astfel, pe baza relaiilor de mai sus se poate da urmtoarea schem
echivalent a unui rezistor din punct de vedere al zgomotului, ca n fig.1.29 i
fig.1.30.
Fig.1.29 Schema echivalent cu surs de tensiune
Fig.1.30 Schema echivalent cu surs de curent
Zgomotul de curent (1/f). La anumite tipuri de rezistoare se constat c

la aplicarea unei tensiuni la borne, la trecerea unei componente de curent
continuu prin rezistor zgomotul acestora este cu un ordin de mrime mai mare
dect zgomotul termic. Acest zgomot datorat trecerii curentului prin rezistor
63
poart numele de zgomot de curent i este datorat conductibilitii fluctuante a

contactului intern imperfect dintre zonele elementare conductoare ale
materialului rezistiv neomogen.
Este de ateptat ca la rezistoarele cu structur compozit s apar un
zgomot de curent mai mare dect la cele cu pelicul de metal. Din categoria
compozitelor fac parte i rezistoarele cu glazur metalic. n funcie de
cantitatea de metal din past variaz i rezistivitatea pastei; rezistivitatea scade
cu creterea cantitii de metal. Pentru valoarea ptratic medie a tensiunii de
zgomot de curent este valabil relaia:
I 02
U k K fR 2
f
2
zg
(1.96)
unde: I0 este curentul prin rezistor, f este frecvena central a benzii f, f este
banda de frecvene de msurare, R este valoarea rezistenei i k este o constant
ce se determin experimental i care depinde puternic de compoziia peliculei
rezistive, de raportul dintre particulele conductoare i neconductoare.
La conectarea n serie sau n paralel a rezistoarelor, zgomotul rezistorului
echivalent crete, nsumndu-se:
a) Schema echivalent din punct de vedere al zgomotului la conectarea n serie,
se prezint n fig.1.31.
Fig.1.31 Schema echivalent a zgomotului rezistorului la conectarea n serie
Tensiunile de zgomot fiind independente, rezult:
RS R1 R2 , U
2
zgS
2
zg 1
2
zg 2
, u
2
zgS
2
u zgi
(1.97)
i 1
i deci pentru n rezistoare conectate n serie, tensiunea ptratic medie de

zgomot a rezistorului echivalent va fi nsumarea zgomotelor acestora.
b) Schema echivalent din punct de vedere al zgomotului la conectarea n
paralel se prezint n fig.1.32.
Fig.1.32 Schema echivalent a zgomotului rezistorului la conectarea n paralel

64
Curenii de zgomot sunt mrimi independente i deci rezistorul echivalent

va fi:
RR
RP 1 2 ,
R1 R2
2
zgP
2
zg 1
2
zg 2
2
zgP
2
izgi
(1.98)
i 1
i deci pentru n rezistoare conectate n paralel, curentul ptratic mediu de

zgomot al rezistorului echivalent va fi nsumarea zgomotelor acestora.
OBS. Zgomotul termic are un spectru continuu de frecven, deci va fi
regsit la orice frecven la care lucreaz rezistorul. Zgomotul de curent este
important numai n domeniul de audiofrecven (amplitudinea lui este invers
proporional cu frecvena), la nalt frecven, devine mult mai mic dect cel
termic.
Zgomotul, n cataloage, este prezentat pe baza factorului de zgomot,
notat cu F, reprezentnd raportul dintre tensiunea de zgomot ce apare la bornele
rezistorului i tensiunea continu aplicat. Se exprim n V/V sau n dB:
u zg dB 20lg
u zg V / V
1V / V
(1.99)
Se utilizeaz ca tensiune de referin 1V.

1.8.5 Schema echivalent complet a rezistorului
Schemele echivalente au n vedere: tipul componentei, funcionarea ei,
tipul materialelor utilizate, dar i soluia constructiv. n funcie de frecvena la
care se face analiza, anumite elemente parazite pot fi sau nu neglijate.
Schema echivalent complet a rezistorului este prezentat n fig.1.33.
Fig.1.33 Schema echivalent complet a rezistorului
Unde:
- u zg tensiunea de zgomot intern.
2
- UK tensiunea termoelectric. Se tie din fizic c la conectarea a

dou materiale ce se afl la o temperatur diferit apare o tensiune
65
termoelectric, ce este relativ mic, uniti V, (datorit structurii constructive

simetrice).
- Rezistena R reprezint valoarea nominal a rezistorului.
- Rezistena RS reprezint rezistena terminalelor, la rezistoarele cu
terminale pentru plantare i de valoare foarte mic ( o valoare uzual este de
0,4m/cm).
- Rezistena R reprezint diferena dintre rezistena elementului
rezistiv n curent alternativ i cea de curent continuu.
Seciunea prin care circul curentul n funcie de frecven se prezint n
fig.1.34. Pentru conductorul circular de lungime l, cu seciunea S, n c.c. i la
joas frecven JF, curentul circul uniform prin seciunea S i rezistena este:
Rc.c. = l/S.
La nalt frecven F, datorit curenilor turbionari distribuia curentului
nu mai este uniform, apare efectul pelicular i curentul va circula numai prin
seciunea S', caracterizat de mrimea , numit adncime de ptrundere a
curenilor turbionari. Rezult c n c.a. rezistena va fi: Rc.a. = l/ S'.
Fig.1.34 Seciunea prin care circul curentul n funcie de frecven
Este evident c Rc.a >Rc.c., iar R va avea valoarea:
1 1
R Rca Rcc L
S S
(1.100)
Adncimea de ptrundere a curenilor turbionari este dat de relaia:
2
(1.101)
unde: este conductibilitatea electric a elementului rezistiv; este

permeabilitatea magnetic a mediului parcurs de cmpul magnetic (pentru
materiale nemagnetice r = 1, deci = 0r = 0 = 410-7 H/m, permeabilitatea
vidului); este pulsaia semnalului la care funcioneaz rezistorul (adic
frecvena, = 2f).
Dac se cunosc dimensiunile materialului elementului rezistiv se poate
determina frecvena de la care ncepe influena efectului pelicular. Astfel, dac
r este raza conductorului elementului rezistiv, atunci frecvena maxim fM pn
la care se poate neglija influena efectului pelicular se determin din condiia
r :
66
f M 0
, de unde: f M
0 r 2
(1.102)
- Rezistena Riz reprezint rezistena de izolaie a suportului dielectric

n paralel cu rezistena de izolaie a elementului de protecie. R iz ia valori
ridicate, n general de ordinul zecilor sau sutelor de G. Fiind n paralel, n
practica uzual Riz poate fi neglijat.
- Inductana Lp reprezint inductana nedorit (parazit) a rezistorului.
Dac materialele sunt nemagnetice ( = 0 = 4.10-7 H/m), cum este cazul
rezistorului, Lp depinde numai de natura mediului parcurs de cmpul magnetic i
de geometria rezistorului, de soluia constructiv. Se poate aprecia c Lp este
datorat terminalelor i elementului rezistiv: Lp = Lt + Ler.
Inductana terminalelor depinde de tipul acestora. Pentru terminale de
inserie, Lt =10 nH/cm, fiind proporional cu lungimea terminalelor i distana
dintre ele. Terminalele SMD prezint o inductan Lt foarte mic, de 0,10,2
nH.
Inductana elementului rezistiv depinde de forma i geometria acestuia.
Pentru forma plan (rezistoare cu pelicul groas) Ler este mic, de cca. 1 nH.
Cele bobinate i cele peliculare spiralate vor prezenta o inductan Ler ridicat,
crescnd cu numrul de spire.
- Capacitatea Cp reprezint capacitatea parazit a rezistorului. Ca i
inductana, teoretic, capacitatea nu depinde de mrimile electrice (tensiune,
curent), ci de natura mediului parcurs de cmpul electric i de geometrie.
Capacitatea unui rezistor este predominant determinat de ansamblul
zonei de contactare suport dielectric. La majoritatea rezistoarelor aceast
capacitate va fi direct proporional cu permitivitatea relativ a suportului
dielectric i suprafaa zonei de contactare i invers proporional cu lungimea
suportului dielectric, conform cu relaia ce determin valoarea condensatorului
plan: C = S/d.
Un aport mic este adus de capacitatea dintre terminalele pentru plantare i
capacitatea parazit ce apare ntre oricare dou spire la rezistoarele bobinate i
peliculare spiralate. Se poate aprecia c Cp este aproximativ zecimi de pF.
1.8.6 Impedana rezistorului la F
Pentru calculul impedanei rezistorului se va utiliza schema echivalent
din fig.1.35, schema echivalent la nalt frecven, F.
Fig.1.35 Schema echivalent a rezistorului real la F

67
Fa de schema echivalent complet s-au neglijat elementele parazite

rezistive, care dup cum s-a explicat au o influen numai n anumite situaii,
precum i tensiunile.
Aceast schem este valabil pn la o anumit frecven, n funcie de
dimensiunile rezistorului i lungimea de und a semnalului, . Cu aproximaie
trebuie ndeplinit condiia ca cea mai mare dimensiune a rezistorului
(lungimea, l) s fie mai mic dect /10:
l < /10,
= c.T = c/f,
(1.103)
8
unde c = 3.10 m/s, este viteza de propagare a undelor electromagnetice n vid.
O dat cu creterea frecvenei dimensiunea rezistoarelor utilizate trebuie
s fie ct mai mic:
- la 300 MHz = 1 m, deci l < 0,1 m,
- la 1 GHz = 0,3 m, deci l < 0,03 m,
- la 10 GHz = 0,03 m, deci l < 0, 003 m.
n concluzie, avnd n vedere lungimea minim de 0,5 mm a rezistoarelor
realizate n etapa actual, rezult c acestea pot fi utilizate pn la o frecven
de 5-6 GHz.
Pentru circuitele pasive RLC, cu structur paralel, conform schemei din
fig.1.35, este mai comod s se calculeze admitana:
R j L p
1
Y
jC p 2
jC p
R j L p
R 2 L2p
Lp
R
2
p
R 2 L2p
R 2 2 L2p
(1.104)
Discuie.
La frecvene nalte - F, :
Lp
R
R 2 2 L2p i R 2 2 L2p 0, deci Y jC p , rezult o comportare
capacitiv a rezistorului.
La frecvene joase - JF, 0:
Lp
Lp
Lp C p R 2 Lp
i analiznd paranteza rezult: C p 2

,
R 2 2 L2p R 2
R
R2
de unde discuia pentru numrtor:

2
2
- dac: C p R L p 0 , deci C p R L p , rezult o comportare
inductiv a rezistorului;
2
2
- dac: C p R L p 0 , deci C p R L p , rezult o comportare
capacitiv a rezistorului.
68
O valoare minim a componentei reactive se obine pentru: C p R L p ,

2
cnd circuitul se comport aproximativ ca o rezisten pur.

Uzual se poate considera c la frecvene < 0,3r valoarea rezistorului
este dat de componenta activ, unde r este pulsaia de rezonan a circuitului
serie RL p C p , ce rezult din condiia ca la rezonan susceptana
circuitului s fie nul:
Cp 2
1
1
R
Lp
Lp C p
Cp R
1
1
Lp / R
LpC p
1
1 C ,
L
LpC p
r 1 / L p C p
i unde:
C RC p , L
Lp
R
(1.105)
sunt constantele de timp ale circuitului format
numai din rezisten i capacitate, respectiv numai din rezisten i inductivitate

i
C p R2
Lp
1.
De asemenea, se poate concluziona c rezistoarele cu valori reduse ale

rezistenei nominale RN au caracter inductiv, care pentru RN 1K este
neglijabil, iar cele cu valori RN ridicate, au caracter capacitiv. Rezistoarele cu
valori intermediare: RN 200 500 , pentru care L C , au susceptan

neglijabil i caracter pur rezistiv ntr-un domeniu larg de frecvene.
Legea lui Ohm n curent alternativ (c.a.) este:
(1.106)
uR t Ri t ,
unde:
(1.107)
i t I sin t ,
tensiunea i curentul fiind n faz, aa cum se prezint n fig.1.36.
Fig.1.36 Tensiunea i curentul prin rezistor
69
n relaiile de mai sus uR(t) i i(t) sunt valorile instantanee ale tensiunii i
curentului, I este amplitudinea, valoarea maxim a curentului, iar este pulsaia
semnalului egal cu:
2 f 2 / T ,
(1.108)
unde f este frecvena semnalului sinusoidal i T este perioada de repetiie.
Expresia tensiunii la bornele rezistorului devine:
(1.109)
uR t RI sin t U R sin t ,
o tensiune sinusoidal n faz cu intensitatea curentului i unde U R t RI
este amplitudinea tensiunii sinusoidale.
Puterea absorbit instantanee este o funcie de timp:
p t u R t i t U R sin t I sin t U R I sin 2 t
(1.110)
Valoarea medie a puterii va fi:
URI
U Ref I ef ,
2
U R / 2 i I ef I / 2 sunt valorile efective.
P
(1.111)
unde: U Ref
n funcie de acestea, expresia instantanee a curentului devine:
i t I sin t I ef 2 sin t
(1.112)
sau scris cu faz iniial:
i t I ef 2 sin t
(1.113)
1.8.7 Tehnologii de realizare a rezistoarelor liniare fixe

Principala clasificare a rezistoarelor fixe liniare o constituie tehnologia de
realizare a elementului rezistiv, difereniindu-se din acest punct de vedere
rezistoarele peliculare, cu folie metalic, bobinate i de volum. Cele mai utilizate
sunt rezistoarele peliculare, al cror element rezistiv este o pelicul rezistiv cu
grosimi de la 0,1 m la zeci de m. Se disting mai multe tipuri i anume:
pelicul de carbon, pelicul metalic (obinut prin tehnologia straturilor
subiri), glazur metalic (pelicul obinut prin tehnologia straturilor groase),
pelicul din oxizi metalici.
Rezistoarele cu pelicul de carbon cu terminale axiale, fig.1.37.
Fig.1.37 Structura rezistoarelor cu pelicul de carbon cu terminale axiale

70
Conform fig.1.37 structura constructiv a rezistorul cu pelicul de carbon

are urmtoarele pri constituente:
1 - suportul izolant, sub form cilindric de diverse dimensiuni n funcie
de puterea nominal a viitorului rezistor; se realizeaz din materiale ceramice;
2 - elementul rezistiv, o pelicul de carbon depus prin piroliz pe
suportul izolant; pentru creterea valorii rezistenei, pelicula rezistiv, iniial sub
form cilindric, se fileteaz cu discuri abrazive, rezultnd n final un element
rezistiv spiralat cu efecte asupra creterii inductanei i capacitii parazite a
viitorului rezistor;
3 - o pelicul de nichel depus electrochimic la capetele suportului
izolant, n scopul realizrii conexiunii terminal - element rezistiv;
4 - zona de lipire, ce realizeaz conexiunea terminalului la pelicula de Ni;
se realizeaz prin lipire cu aliaj de tipul Sn-Pb;
5 - terminal, din Cu cositorit, sub form cilindric de diverse diametre;
6 - elementul de protecie realizat dintr-un lac termorezistent.
Structura constructiv prezentat n fig.1.37b corespunde rezistoarelor cu
pelicul de carbon cu PN [0,25...2] W cu terminale lipite. Alte variante sunt
cele cu structura constructiv din fig.1.37a, diferind doar prin zona de contactare
i anume terminalul se sudeaz la un cpcel de Ni (7), iar acesta este presat pe
corpul rezistorului realiznd contactul cu pelicula de Ni (3).
Rezistoare cu pelicul metalic
Structura constructiv a acestor rezistoare este asemntoare cu cea
prezentat n fig.1.37, singura diferen fiind doar elementul rezistiv. Specific
acestor rezistoare este pelicula metalic (elementul rezistiv) care este realizat
prin metode specifice tehnologiei straturilor subiri (TSS), de unde i numele de
rezistor cu pelicul subire (Thin-Film). Pelicula are o grosime de la 50 nm la 1
m, fiind mult mai subire fa de pelicula groas. Ca materiale rezistive pentru
realizarea peliculei metalice se pot utiliza aliaje (Cr-Ni, Ni-Cr-Fe, Ni-Cu, Cr-Co,
Cu-Mn-Ni), nitrura de tantal, cermeturi pe baz de oxizi metalici, etc. Se pot
realiza i n dou variante de tip SMD (Surface Mounted Devices - adic
componente pentru montarea pe suprafa) a) MELF (Metal-Electrode Leadless
Face sau Metal-Electrode Face-Bonded) i paralelipipedic (chip).
Rezistoare cu pelicul din oxizi metalici
Aceste rezistoare au o construcie asemntoare rezistoarelor cu pelicul
de carbon i pelicul metalic. Pelicula rezistiv n majoritatea cazurilor este
oxidul de staniu care se depune prin hidroliza clorurii de staniu i are o grosime
de 0,51,5 m. Avantajul acestor rezistoare este posibilitatea ncrcrii
rezistenei pn la o temperatur de 300oC, realizndu-se astfel rezistoare
peliculare de putere relativ ridicat i dimensiune mic. Fiind un echivalent
pentru rezistoarele bobinate nu sunt utilizate n circuitele electronice unde
precizia este important.
71
Rezistoarele cu glazur metalic au structura constructiv prezentat n

fig.1.38.
Fig.1.38 Structura constructiv a rezistorului cu glazur metalic
Conform fig.1.38, rezistorul cu glazur metalic este alctuit din

urmtoarele elemente:
1 - suportul izolant este realizat din alumin, un material cu o mare
rezisten mecanic, ceea ce permite obinerea lui sub o form aproape plan,
grosimea fiind relativ mic, iar celelalte dimensiuni sunt proporionale cu
puterea nominal a viitorului rezistor;
2 - elementul rezistiv, format dintr-o pelicul obinut prin depunerea
serigrafic a unei paste rezistive. Este de form dreptunghiular sau plrie.
Dup depunerea serigrafic, tratament termic i alte operaii tehnologice,
pelicula rezistiv se ajusteaz la valoarea dorit cu ajutorul unui praf abraziv,
adic se nltur o anumit poriune din pelicul pn cnd se obine valoarea
nominal cu tolerana dorit;
3 - pelicula de Ag-Pd, depus serigrafic n scopul conectrii terminalului
la elementul rezistiv:
4 - ambaza, o plcu de pertinax, utilizat n scopul creterii rezistenei
mecanice a rezistorului; nu toate rezistoarele sunt prevzute cu ambaz;
5 - terminal din cupru cositorit;
6 - element de protecie din rin termodur.
Terminalele se conecteaz la pelicula de Ag-Pd prin lipire cu aliaje Sn-Pb.
O structur similar prezint rezistoarele SMD de tip CHIP, rezistoarele
de nalt tensiune i reelele rezistive (la acestea sunt evidente deosebirile ce
rezult conform numrului de rezistene coninute de reea).
Rezistoarele pentru montarea pe suprafa tip SMD CHIP, au o structur
constructiv conform fig.1.39.
Fig.1.39 Structura constructiv a unui rezistor de tip SMD cu pelicul groas.

72
Unde:
1 - suport izolant din alumin;

2 - pelicula rezistiv groas;
3 - pelicula de Ag-Pd;
4 - cpcel de Ni;
5 - strat de aliaj de lipit (Nichel sau Pb 60%, Sn 40%,);
6 - pelicula de lac electroizolant.
Rezistoarele bobinate se obin prin bobinarea unui conductor de nalt

rezistivitate (aliaje Cr-Ni, Cu-Ni) pe un suport izolant sub form cilindric.
Constructiv prezint o mare diversitate, putndu-se clasifica astfel: cimentate, n
corp ceramic i glazurate.
Rezistoarele bobinate cimentate prezint structura constructiv din
fig.1.40.
Fig.1.40 Structura constructiv a rezistorului bobinat cimentat
Conform fig.1.40, rezistorul bobinat cimentat este constituit din:

1 - suportul izolant, realizat din fibr de sticl, sub form cilindric, de
diverse dimensiuni n funcie de puterea nominal a viitorului rezistor;
2 - elementul rezistiv, obinut prin bobinarea unui conductor de Cr-Ni pe
suportul izolant;
3 - cpcelul de Ni, prin intermediul cruia se conecteaz terminalul la
elementul rezistiv; terminalul este sudat de cpcel, iar conexiunea cpcelelement rezistiv se realizeaz prin strngere;
4 sudur terminal-cpcel;
5 - terminal realizat din Cu cositorit;
6 - elementul de protecie realizat din ciment siliconic.
Fig.1.41 Rezistor bobinat n corp ceramic.
73
n fig.1.41 este prezentat structura constructiv a unui rezistor bobinat n

corp ceramic, n care:
1 - suport izolant din fibr de sticl;
2 - elementul rezistiv obinut prin bobinarea unui conductor de nalt
rezistivitate;
3 - ciment siliconic pentru rigidizarea elementului rezistiv (protecie
mpotriva vibraiilor);
4 - cpcel de Ni, avnd acelai rol ca i la rezistorul bobinat cimentat;
5 terminal;
6 - nisip cuaros, cu ajutorul cruia se umple spaiul din interiorul
corpului ceramic dup introducerea tronsonului rezistiv, pentru mbuntirea
conduciei termice;
7 - corp ceramic avnd dublu rol, pentru protecia rezistorului mpotriva
factorilor externi i scderea rezistenei termice de convecie. Poate avea
seciunea circular, ptrat, sau profilat, de diverse dimensiuni, n funcie de
puterea nominal a rezistorului;
8 - ciment pentru etanarea la capete a rezistorului.
Rezistoare de volum
Rezistoarele de volum (Carbon composition n englez) sunt rezistoare la
care, spre deosebire de cele peliculare, conducia curentului electric are loc n
ntreg corpul rezistorului. Acesta este realizat din granule de carbon i un liant
de tipul unei rini formaldehidice. Elementul rezistiv este n cazul rezistoarelor
de volum i suportul mecanic al rezistorului, ca n fig.1.42:
Fig.1.42 Rezistor de volum
Unde: 1 - elementul rezistiv pe baz de carbon; 2 - terminale; 3 element de protecie presat (poate lipsi la unele variante).
Rezistoarele de volum pe baz de carbon nu sunt rezistoare foarte
performante. Ele nu au tolerane mici (nu pot fi ajustate) nici nu sunt foarte
stabile cu temperatura (coeficient de temperatur mare) i cu tensiunea
(coeficient de variaie cu tensiunea mare). Principalul avantaj al acestora este
capacitatea de a suporta suprasarcini mari fr a se deteriora, datorit distribuirii
energiei n ntreg volumul rezistorului i nu numai n pelicula rezistiv ca n
cazul rezistoarelor peliculare. De asemenea, mai demult au fost utilizate pentru
inductana parazit foarte redus a lor. Datorit structurii compozite ele prezint
un zgomot de curent foarte mare. Au fost i sunt utilizate pe scar larg n
74
aparatura industrial din SUA, mai puin n Europa i au dovedit n ultimii ani
de utilizare o fiabilitate foarte bun.
1.8.8 Parametrii i tehnologia rezistoarelor cu rezisten variabil
Rezistoarele cu rezistena variabil sau poteniometrele sunt rezistoare
a caror rezisten electric poate fi variat continu sau n trepte prin deplasarea
rectilinie, circular sau elicoidal a unui contact mobil, denumit cursor, pe
suprafaa unui element rezistiv delimitat de doua contacte terminale.
Poteniometrele se pot clasifica dup mai multe criterii:
A. Dup criterii constructive exist urmatoarele variante:
- poteniometre simple (cu un singur element rezistiv);
- poteniometre multiple (cu mai multe elemente rezistive), care pot fi:
- poteniometre tandem (elementele rezistive sunt parcurse de cursor
simultan);
- poteniometre multiax (fiecare poteniometru are ax separat de
comand).
B. Dupa tipul elementului rezistiv se deosebesc:
- poteniometre bobinate;
- poteniometre peliculare (pelicul de carbon aglomerat, pelicul metalic,
cermet, pelicul conductiv de plastic);
- poteniometre cu folie metalic.
C. Dup legea de variaie a rezistenei electrice la deplasarea cursorului
exista urmatoarele tipuri:
- cu lege de variaie liniar;
- cu lege de variaie logaritmic/invers logaritmic;
- cu lege de variaie exponenial/invers exponenial;
- cu lege de variaie de tip S;
- cu lege de variaie sinusoidal/cosinusoidal.
D. Dup scopul utilizrii n circuit :
- de control, fig.1.43;
- de ajustare, fig.1.44.
Fig.1.43 Poteniometru de control
Fig.1.44 Poteniometre de ajustare

75
Se remarc faptul c, se pot realiza diferite legi de variaie a rezistenei

prin modificarea adecvat a valorii rezistenei o data cu deplasare cursorului.
Uneori legile de variaie se noteaz cu litere pe corpul poteniometrului i
anume: legea logaritmic se noteaz cu A, legea liniar se noteaza cu B i legea
invers logaritmic se noteaza cu C.
Exist posibilitatea implementrii unei anumite legi de variaie a
rezistenei la comanda beneficiarului.
Reprezentarea grafic a legilor uzuale de variaie a rezistenei funcie de
deplasarea relativ a cursorului pentru un potentiometru de 10 K se prezint n
fig.1.45.
Fig.1.45 Legi uzuale de variaie a rezistenei poteniometrelor
Rezistoarele cu rezistena variabil au aceiai parametri ca rezistoarele de

valori fixe i n plus noi parametri care pun n eviden comportamentul variabil
al rezistenei :
- rezistena nominal RN, valoarea maxim a rezistenei poteniometrului ;
- rezistena iniial R0 care este rezistena n poziia iniial a cursorului (dei
teoretic aceast rezisten ar trebui s fie zero, practic orice poteniometru
prezint o anumit rezisten iniial);
- rezistena de contact Rk care reprezint rezistena dintre contactul mobil i
elementul rezistiv ;
- rezistena saltului initial Rs care reprezint variaia minim a rezistenei la
deplasarea contactului mobil (specificat n special pentru poteniometrii
bobinai) ;
- legea de variaie a rezistenei la deplasarea cursorului definit de expresia:
(1.114)
R f RN , R0 , x
unde: R - este rezistena variabil;
76
RN - este rezistena nominal (valoarea maxim);

R0 - este rezistena iniial;
x - este poziia relativ a cursorului fa de terminalul de referin.
Poziia relativ a cursorului reprezint raportul dintre deplasarea
unghiular a cursorului la valoarea maxim a unghiului de deplasare pentru
poteniometrele rotative. La poteniomtrele liniare, poziia relativ a cursorului
este deplasarea curent, raportat la deplasarea maxim.
Constructiv, rezistoarele variabile se realizeaz rectilinii sau circulare.
Fa de rezistorul fix, poteniometrul prezint n plus un element mobil ce se
deplaseaz pe elementul rezistiv numit cursor, un colector ce preia contactul
electric al cursorului ctre terminalul acestuia i un sistem de acionare
(deplasare) mecanic a cursorului.
Tehnologia de fabricaie a rezistoarelor variabile, depinde de tipul
elementului rezistiv. Poteniometrele bobinate sunt construite pe supori de
pertinax, ceramic sau aluminiu izolat cu mic i au elementul rezistiv din
manganin sau alt material de mare rezistivitate. Forma constructiv a suportului
dielectric determin legea de variaie a rezistenei. Cursorul, se face de obicei
din bronz fosforos iar fixarea terminalelor se face cu coliere de alam sau oel.
Valorile nominale uzuale ale poteniometrilor bobinai sunt cuprinse ntre 100
50 K.
Poteniometrele cu pelicule rezistive sunt realizate prin depunerea unei
pelicule de carbon aglomerat pe pertinax, prin pulverizare sau depunere n vid.
Legea de variaie a valorii rezistenei se implementeaz de obicei prin variaia
laimi peliculei. Valorile nominale ale rezistenei, pentru aceste tipuri de
poteniometre sunt cuprinse n domeniul 50 10 M.
n general, la rezistoarele variabile regimul termic este mai complicat
datorit diferitelor legi de variaie, iar la dimensiuni comparabile cu rezistoarele
de valori fixe, puterea disipat este mai mic dect la rezistoarele de valori fixe.
Zgomotul poteniometrelor este mai mare dect al rezistoarelor fixe,
aparnd n plus un zgomot datorita deplasarii contactului mobil. Factorul de
zgomot este cuprins ntre 0,10,3 mV/V.
Fiabilitatea poteniometrelor este scazut, datorit contactului mobil,
aparnd defeciuni mecanice sau electrice. n majoritatea echipamentelor
electronice moderne, poteniometrele sunt nlocuite cu metode electronice de
variaie a curentului sau tensiunii poteniometrele digitale. Aceasta tendin
este justificat de slaba fiabilitate a poteniometrelor i factorul mare de zgomot.
Mai sunt nca utilizate poteniometrele semireglabile sau ajustabile,
care se regleaz numai la punerea n funciune a echipamentului i la verificrile
periodice. Poteniometrele clasice mai sunt folosite numai n echipamentele
electronice neprofesionale unde preul unui circuit electronic de reglare a
curentului sau tensiunii este prea mare n comparaie cu preul total al
echipamentului.
77
Ca element de protecie a poteniometrelor de control se utilizeaz o

carcas metalic sau din material plastic. Carcasa metalic prezint avantajul
ecranrii electromagnetice a poteniometrului i n acesst sens este prevzut cu
un terminal pentru a fi conectate la potenialul de referin.
Poteniometrele sunt utilizate pentru modificarea valorii unei tensiuni,
respectiv pentru limitarea valorii curentului, care trece printr-un dispozitiv.
Celor dou categorii de aplicaii le corespund, dou montaje de baza i anume:
- montajul poteniometric care permite obinerea unei tensiuni mai mici de
la o sursa care debiteaz o tensiune mai mare, fig.1.46;
Fig.1.46 Conectare poteniometric
- montajul reostatic care permite reglarea curentului printru-un

consumator, fig.1.47.
Fig.1.47 Conectarea reostatic a poteniometrlor
1.8.9 Rezistoare neliniare

Rezistoarele neliniare - dependente - folosesc proprietile materialelor
semiconductoare pentru a realiza o dependen neliniar ntre tensiune i curent.
Astfel ntlnim:
- rezistoare dependente de temperatur - termistoare;
- rezistoare dependente de tensiune - varistoare;
- rezistoare dependente de fluxul luminos - fotorezistoare;
- rezistoare dependente de fluxul magnetic - magnetorezitoare;
- rezistoare dependente de tensiuni mecanice tensometre sau
tensorezistoare.
a. Termistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten depinde puternic de temperatur (la
variaia temperaturii cu un grad valoarea rezistenei termistoarelor se modific
cu zeci de procente; uzual 3-6 %, maxim 40 %).
n funcie de modul de variaie al rezistivitii se obin:
78
- termistoare cu coeficient de temperatur negativ - NTC (rezistena

scade cu creterea temperaturii) sau
- termistoare cu coeficient de temperatur pozitiv - PTC (rezistena crete
cu creterea temperaturii.
Pentru obinerea termistoarelor NTC se folosesc pulberi anorganice n
amestec, n general oxizi i elemente din grupa fierului: Fe, Cr, Mn, Ni; prin
impurificare cu ioni strini aceste materiale se transform n semiconductoare
(ex. la oxidul de fier, unde ioni de Fe3+ snt nlocuii parial cu ioni de Ti4+
realizndu-se o conducie de tip n; sau la oxidul de nichel unde prin nlocuirea
parial a ionului de Ni2+ cu ionul de Li1+ se realizeaz o conducie de tip p),
mrindu-se n acest fel conductivitatea i variaia cu temperatura a rezistivitii.
Materialele folosite pentru obinerea termistoarelor PTC sunt pe baz de
titanat de bariu BaTiO3 sau soluie solid de titanat de bariu i titanat de
stroniu; impurificate cu ioni tri-, tetra- sau pentavaleni se obin materiale
semiconductoare de tip n.
Materialele semiconductoare astfel obinute sunt amestecate cu un liant i
li se aplic o tehnologie asemntoare materialelor ceramice.
Termistoarele se pot obine sub form de: plachete, cilindri, discuri
(ncapsulate sau protejate cu lac) sau filamente (protejate n tuburi de sticl).
Principalele faze tehnologice de obinere a termistoarelor NTC (I.P.E.E.):
a) obinerea discului prin presarea materialului (sub form de pulbere
amestecat cu liant) urmat de tratament termic;
b) metalizarea discului prin depunerea peliculei de argint pentru a permite
lipirea terminalelor;
c) prin sudur se lipesc terminalele i urmeaz protejarea termistorului
astfel obinut cu un strat de lac i marcarea.
Marcarea valorii rezistenei nominale RN se face n clar sau n codul
culorilor specificat n catalog (prin benzi colorate sau prin colorarea stratului de
protecie).
Legile de variaie ale rezistenei cu temperatura sunt exponeniale; astfel
pentru termistoarele de tip NTC exist relaia:
R(T) = A exp(B/T),
(1.115)
iar pentru termistoarele de tip PTC relaia:
R(T) = A + C exp(B/T),
(1.116)
unde T este temperatura n grade K, iar A, B i C sunt constante de material. (A
determin valoarea efectiv a rezistenei i are semnificaia rezistenei
termistorului cnd temperatura tinde spre infinit, de aceea se mai noteaz i cu
R; B este exprimat n grade K i n funcie de material are valori ntre 2200 K 5500 K; parametrul B reprezint sensibilitatea termic a materialului: ofer
informaii despre viteza de variaie" cu temperatura a rezistenei termistorului,
fig.1.48).
79
Coeficientul de variaie cu temperatura se definete la fel ca la rezistoarele

fixe: T
1 dR
i avnd n vedere ecuaia (1.115) se obine pentru el relaia:
R dT
T B / T 2
(1.117)
Deci, cunoscnd valoarea constantei B se poate determina coeficientul de

temperatur, remarcndu-se variaia mai puternic a rezistenei la temperaturi
mici.
Fig.1.48 (a)-Dependena tensiune-curent pentru un t ermistor NTC

(b)-Dependena rezistenei de temperatur pentru un termistor PTC
Termistoarele NTC sunt utilizate ca elemente neliniare pentru stabilizarea

tensiunii sau curentului, pentru compensarea variaiei cu temperatura a altor
elemente i ca traductor de temperatur.
Termistoarele PTC se folosesc ca traductoare de temperatur,
stabilizatoare i limitatoare de curent, n aplicaii ce realizeaz protecia la
scurtcircuit sau supratensiuni.
La I.P.E.E. Curtea de Arge se fabric termistoare din seria TG de uz
general, de tipul disc neprotejat, disc protejat i ncapsulate.
b. Varistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten este determinat de tensiunea aplicat
la bornele lor (VDR - Voltage Dependent Resistors). Materialele cele mai
utilizate pentru obinerea varistoarelor sunt carbura de siliciu - SiC i oxidul de
zinc - ZnO. Caracteristica curent-tensiune pentru varistoare este ilustrat n
fig.1.49.
Fazele tehnologice ale fabricrii varistoarelor sunt:
- SiC, materialul de baz sub form de pulbere, amestecat cu un liant, este supus
presrii, sintetizrii i unui proces de mbtrnire care const n supunerea
baghetei sau discurilor formate unui regim electric n impulsuri ce depete
tensiunea nominal de lucru; acest proces este esenial n formarea proprietilor
conductoare specifice varistoarelor;
80
- bagheta de SiC astfel obinut este metalizat la capete pentru a permite lipirea
terminalelor i tratat termic; urmeaz lipirea terminalelor, vopsirea (protejarea
prin lcuire) i marcarea varistoarelor.
Relaia curent-tensiune a unui varistor este de forma:
I K1U K 2U n ,
(1.118)
unde K1 i K2 sunt constante, n > 1. Relaia de mai sus se poate aproxima cu
relaiile:
(1.119)
I KU sau U CI ,
unde K este o constant ce fixeaz tensiunea de lucru a varistorului i depinde de
forma, dimensiunile varistorului i de tehnologia de fabricaie; i sunt
coeficieni de neliniaritate ( = 5 pentru SiC; 25 pentru ZnO).
Dac tensiunii aplicate i se inverseaz polaritatea, curentul i schimb
sensul; se definete A - asimetria curenilor - ca fiind mrimea ce caracterizeaz
diferena dinre curenii care strbat varistorul la schimbarea polaritii tensiunii
aplicate.
Fig.1.49 Caracteristicile statice ale microvaristorului (a) i

varistorului (b, d), schema echivalent (c).
Varistoarele sunt utilizate pentru protecia contactelor de rupere,

mpotriva supratensiunilor pentru protecia diferitelor componente sau circuite
electronice, pentru stabilizarea tensiunii i curentului, n circuite analogice i de
impulsuri, n circuite care lucreaz n modulaie de amplitudine i frecven etc.
Varistoarele fabricate la I.P.E.E. Curtea de Arge, disc sau cilindrice,
sunt:
- de joas tensiune, de uz general, seria VG;
- de joas tensiune pentru protecia contactelor, seria VP;
- de nalt tensiune, seria VT.
81
c. Fotorezistoare
Fotorezistoarele (LDR - Light Dependent Resistors) sunt rezistene
dependente de fluxul luminos incident pe suprafaa elementului rezistiv i au
la baz efectul fotoelectric intern n semiconductoare.
n general, la realizarea fotorezistoarelor se utilizeaz materiale
semiconductoare cunoscute sub numele generic de materiale fotoconductoare.
Structura de fotorezistor este astfel realizat nct la ntuneric total s conin
foarte puini electroni liberi, prezentnd astfel o rezisten ridicat. Odat cu
absorbia fluxului luminos tot mai muli electroni sunt eliberai, rezistena
materialului scznd corespunztor.
Principalele caracteristici ale fotorezistoarelor sunt:
- rezistena la ntuneric, RD care reprezint valoarea rezistenei la
iluminarea nul;
- sensibilitatea la fluxul luminos S.
Fotorezistoarele au fost realizate iniial pe baz de seleniu cristalin; la ora
actual, o larg rspndire o au fotorezistoarele din PbS i CdS.
Din punct de vedere constructiv (fig.1.50), fotorezistoarele sunt realizate
prin depunerea unui strat subire fotoconductiv pe un material ceramic.
Contactele metalice sunt depuse prin evaporare n vid pe suprafaa materialului
fotoconductor iar terminalele sunt conectate la aceste suprafee metalice.
Aplicaiile fotorezistoarelor: controlul iluminatului nocturn, detectoare de
fum, cititoare de cartele, senzori de prezen i de poziie, instalaii de alarm i
de securitate, controlul expunerii la camere de filmare i video, controlul
iluminrii, controlul tonerului la maini de fotocopiat etc.
Fig.1.50 Structura simplificat (a) i interdigital (b) a unui fotorezistor
d. Magnetorezistoare
Sunt rezistoare a cror rezisten se modific n prezena cmpului
magnetic (datorit curbrii traiectoriilor electronilor de conducie).
Exist magnetorezistoare realizate pe baz de materiale semiconductoare
(InSb), dar cel mai des sunt utilizate magnetorezistoarele bazate pe metale
feromagnetice anizotrope (ex. structurile bazate pe permalloy, aliaj Ni-Fe).
82
Tehnologic, sunt realizate prin procedee complexe specifice straturilor subiri i

sunt ncapsulate n capsule specifice circuitelor integrate SMD.
Printre aplicaiile care utilizeaz magnetorezistoare amintim: senzori de
curent, senzori de cmp magnetic, capete magnetice etc.
e. Tensorezistoare
Rezistoarele a cror rezisten depinde de tensiunile mecanice sunt
utilizate n general la msurarea respectivelor tensiuni (eforturi), fiind numite,
dup funcia pe care o realizeaz, traductoare tensometrice rezistive sau, pe
scurt, tensometre. De fapt, tensometrele msoar deformaiile mecanice,
proporionale cu eforturile mecanice.
n prezent se utilizeaz dou tipuri principale de traductoare
tensometrice:
- traductoare metalice realizate din aliaje metalice cu rezistivitate mare i
coeficient de temperatur redus, sub form de fire, folii sau straturi subiri;
- traductoare realizate pe baz de materiale semiconductoare mono sau
policristaline sub form de filamente, cipuri sau straturi subiri.
Varianta realizat din folii metalice, de obicei din constantan, s-a impus.
Pentru mrirea sensibilitii se utilizeaz o structur cu meandre. Folia metalic
de 2-5 m obinut prin laminare este fixat cu un adeziv pe un suport izolator
polimeric. Aceast construcie, cunoscut sub numele de marc tensometric,
este apoi lipit (aplicat) pe corpul a crui deformaie se dorete a fi msurat.
Traductoarele rezistive tensometrice semiconductoare se realizeaz de
obicei din Ge sau Si. Ele prezint o sensibilitate superioar celor metalice, dar
au coeficieni de variaie cu temperatura mai mari i un domeniu de msur al
deformaiilor ceva mai mic.
83
1.9 Anexe
1.A1 Valorile nominale ale rezistenelor din diferite serii CEI
Valorile sunt ntre 10 i 100. Orice valoare particular se obtine prin
mparire sau nmulire cu 10.
Seria de valori E-6 tolerana ( 20%)
10 15 22 33 47 68
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
Seria de valori E-24 tolerana ( 5 %)
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91
10.0 10.5 11.0 11.5 12.1 12.7 13.3 14.0 14.7 15.4 16.2 16.9 17.8 18.7 19.6 20.5
21.5 22.6 23.7 24.9 26.1 27.4 28.7 30.1 31.6 33.2 34.8 36.5 38.3 40.2 42.2 44.2
46.4 48.7 51.1 53.6 56.2 59.0 61.9 64.9 68.1 71.5 75.0 78.7 82.5 86.6 90.9 95.3
10.0 10.2 10.5 10.7 11.0 11.3 11.5 11.8 12.1 12.4 12.7 13.0 13.3 13.7 14.0 14.3
14.7 15.0 15.4 15.8 16.2 16.5 16.9 17.4 17.8 18.2 18.7 19.1 19.6 20.0 20.5 21.0
21.5 22.1 22.6 23.2 23.7 24.3 24.9 25.5 26.1 26.7 27.4 28.0 28.7 29.4 30.1 30.9
31.6 32.4 33.2 34.0 34.8 35.7 36.5 37.4 38.3 39.2 40.2 41.2 42.2 43.2 44.2 45.3
46.4 47.5 48.7 49.9 51.1 52.3 53.6 54.9 56.2 57.6 59.0 60.4 61.9 63.4 64.9 66.5
68.1 69.8 71.5 73.2 75.0 76.8 78.7 80.6 82.5 84.5 86.6 88.7 90.9 93.1 95.3 97.6
Seria de valori E-192 tolerana ( 0.5%)
10.0 10.1 10.2 10.4 10.5 10.6 10.7 10.9 11. 0 11. 1 11. 3 11. 4 11. 5 11. 7 11. 8
12.0 12.1 12.3 12.4 12.6 12.7 12.9 13.0 13.2 13.3 13.5 13.7 13.8 14.0 14.2 14.3
14.5 14.7 14.9 15.0 15.2 15.4 15.6 15.8 16.0 16.2 16.4 16.5 16.7 16.9 17.2 17.4
17.6 17.8 18.0 18.2 18.4 18.7 18.9 19.1 19.3 19.6 19.8 20.0 20.3 20.5 20.8 21.0
21.3 21.5 21.8 22.1 22.3 22.6 22.9 23.2 23.4 23.7 24.0 24.3 24.6 24.9 25.2 25.5
25.8 26.1 26.4 26.7 27.1 27.4 27.7 28.0 28.4 28.7 29.1 29.4 29.8 30.1 30.5 30.9
31.2 31.6 32.0 32.4 32.8 33.2 33.6 34.0 34.4 34.8 35.2 35.7 36.1 36.5 37.0 37.4
37.9 38.3 38.8 39.2 39.7 40.2 40.7 41.2 41.7 42.2 42.7 43.2 43.7 44.2 44.8 45.3
45.9 46.4 47.0 47.5 48.1 48.7 49.3 49.9 50.5 51.1 51.7 52.3 53.0 53.6 54.2 54.9
55.6 56.2 56.9 57.6 58.3 59.0 59.7 60.4 61.2 61.9 62.6 63.4 64.2 64.9 65.7 66.5
67.3 68.1 69.0 69.8 70.6 71.5 72.3 73.2 74.1 75.0 75.9 76.8 77.7 78.7 79.6 80.6
81.6 82.5 83.5 84.5 85.6 86.6 87.6 88.7 89.8 90.9 92.0 93.1 94.2 95.3 96.5 97.6
98.8
84
1.A2 Codul EIA-96

Cod numeric pentru cifrele semnificative ale marcrii rezistoarelor SMD
Cod literar pentru multiplicator
Codul se utilizeaz pentru tolerane de 0,1 %, 0,5 %, 1 %. Aceast

marcare, fa de varianta cod alfanumeric (varianta 3) reduce marcarea cu un
digit. De exemplu, dac este marcat pe un rezistor 10C, rezult RN =12,4 k.
1.A3 Codul culorilor conform IEC 62
Utiliznd codul culorilor se poate marca rezistena nominal, tolerana,
coeficientul de variaie cu temperatura i uneori fiabilitatea (rata de defectare).
Pentru marcarea rezistenei nominale, n funcie de toleran sunt necesare dou
sau trei cifre semnificative. Marcare este utilizat pentru rezistoarele de form
cilindric, att cu terminale pentru inserie, ct i pentru montarea pe suprafa.
85
Codul culorilor conform IEC 62
Fig.A3 Marcarea rezistoarelor n codul culorilor:

1 prima cifr semnificativ; 2 a doua cifr semnificativ; 3 a treia cifr semnificativ;
m multiplicator; t tolerana; coeficient de temperatur;
fiabilitate (rata de defectri).
Ordinea de citire a culorilor este de la captul cel mai apropiat (ca n fig.
A3 a i b) sau ultima culoare este de aproximativ dou ori mai lat dect
celelalte (vezi fig.A3 c, d, e, f).
Marcarea din fig.A3 a este utilizat pentru rezistoare cu tolerane de 20
%, cnd se marcheaz numai rezistena nominal cu trei inele colorate.
Marcarea din fig.A3 b este utilizat pentru rezistoare cu toleran de 10
% i 5 % (fr s se marcheze coeficientul de variaie cu temperatura, cum sunt
de exemplu rezistoarele cu pelicul de carbon). n acest caz se marcheaz
rezistena nominal (culorile C1, C2, m) i tolerana.
Marcarea din fig.A3 c este utilizat pentru marcarea rezistenei nominale
i a toleranei, tolerana fiind mai mic dect ,5 %. n acest caz apare ca
necesar a treia cifra semnificativ C3. Coeficientul de variaie cu temperatura,
atunci cnd este marcat, este ultima culoare (vezi fig.A3 d i e) sau un punct
colorat n conformitate cu fig.A3 f.
86
1.A4 Tehnologii de realizare a rezistoarelor fixe
Fig.A4.1 Rezistoare de putere mic
Fig.A4.2 Rezistoare de putere mare
Fig.A4.3 Reele i arii de rezistoar

87
Fig.A4.4 Rezistor de putere, cu rezistena nominal i tolerana marcate n clar
Fig.A4.5 Tehnologie rezistor de putere bobinat
Fig.A4.6 Tehnologie rezistor tip pelicul superficial
Rezistoarele tip pelicul superficial film resistor sunt fabricate

prin depunerea, n mediu vidat, a unui strat subire de metal pe un substrat
izolator. Rezistivitatea stratului conductor este meninut constant, n vreme ce
grosimea, limea sau lungimea sunt variate n scopul controlrii rezistenei.
Aceast tehnic de fabricaie permite combinarea n vederea obinerii de circuite
integrate.
88
Fig,A4.7 Tehnologie rezistor de volum
Rezistoarele de volum din amestec de carbon sunt alctuite dintr-un

element rezistiv cilindric n care este inclus un fir ale crui capete sunt accesibile
sau care are borne terminale metalice de care sunt ataate firele de legtur.
Elementul este protejat cu vopsea sau cu plastic. Elementul rezistiv este format
dintr-un amestec din praf fin de carbon (grafit) i material izolant (bioxid de
titan, zirconiu, caolin, n general ceramic), unite printr-un liant (rin
formaldehidic). Rezistena este dat de raportul dintre cantitatea de carbon i
cantitatea de material izolant folosite. Astfel o cantitate ridicat de carbon
nseamn o rezisten sczut.
Fig.A4.8 Tehnologia rezistoarelor embedded
Fig.A4.9 Dimensiunile rezistoarelor

89
1.A5 Rezistoare variabile simboluri grafice i tehnologii de realizare
Fig.A5.1 Simboluri pentru poteniometru cu ax,

dou poteniometre pe acelai ax i poteniometru semireglabil
Fig.A5.2 Simboluri grafice pentru poteniometre

a, b, c poteniometre de control; d, e poteniometre de ajustare;
f poteniometru tandem; g poteniometru cu priz median.
Fig.A5.3 Rezistoare variabile: poteniometre peliculare rotative, rezistoare

semireglabile. Ambele au la baza un element rezistiv alcatuit dintr-o pelicul de carbon
(sau metalic) circular pe care se mic rotativ un cursor. Capetele peliculei sunt notate
cu a i c i cursorul cu b
Fig.A5.4 Poteniometru circular i semireglabil

90
Fig.A5.6 Ansamblu suport dielectric element rezistiv terminale

pentru un poteniometru rectiliniu pelicular
1 suport dielectric; 2 pelicul rezistiv; 3 pelicul conductiv;
4 terminal iniial a; 5 terminal final b; 6 terminalul cursorului c.
Fig.A5.5 Poteniometre rectilinii
Fig.A5.7 Ansamblul element rezidtiv suport dielectric

pentru cteva tipuri de poteniometre
a) poteniometru rotativ pelicular; b) poteniometru rotativ multitur; c) poteniometru
rectiliniu pelicular; d) poteniometru rotativ cu priz; e) poteniometru rectiliniu cu prize;
f) poteniometru rotativ bobinat g) poteniometru rectiliniu bobinat; h) poteniometru rotativ
bobinat de putere
1 suport izolant; 2 pelicul rezistiv; 3 pelicul de argint; 4 orificii pentru fixarea
mecanic i contactarea terminalelor; 5 prize; 6 element rezistiv bobinat; 7 terminale.
91
Fig.A5.8 Poteniometre cu ax i semireglabile
1.A6 Componentele SMD

Tehnologia de montare a componentele pe suprafa cuprinde un
ansamblu de operaii efectuate automat, care au drept rezultat fixarea
componentelor electronice pe suprafaa unui circuit imprimat sau pe un substrat
de circuit hibrid.
Componentele electronice destinate montajului pe suprafa au
dimensiuni mult mai mici dect componentele cu montare normal prin gaurirea
placii de cablaj, sunt proiectate pentru a fi plasate pe circuit cu ajutorul unor
maini automate de montare i sunt denumite n mod generic n literatura de
specialitate Surface Mounted Devices SMD, iar procesul tehnologic de
realizare a plcilor de circuit imprimat a subansamblelor echipate cu astfel de
componente este cunoscut sub denumirea de Surface Mounting Assembley
SMA sau Surface Mounted Technology SMT.
Industria electronica a definit o serie de standarde pentru forma i
dimensiunile capsulelor componentelor (Capsula de baza a standardului SMD
este codificat JEDEC) i include urmatoarele tipuri de componente:
- componente pasive rectangulare (majoritatea sunt rezistoare i
condensatoare):
0201 - 0.02" 0.01" (0.6 mm 0.3 mm), dou terminale;
- condensatoare cu tantal:
dimensiunea A (EIA 3216-18): 3.2 mm 1.6 mm 1.6 mm
dimensiunea B (EIA 3528-21): 3.5 mm 2.8 mm 1.9 mm
dimensiunea C (EIA 6032-28): 6.0 mm 3.2 mm 2.2 mm
dimensiunea D (EIA 7343-31): 7.3 mm 4.3 mm 2.4 mm
dimensiunea E (EIA 7343-43): 7.3 mm 4.3 mm 4.1 mm
Capsule pentru circuite integrate de dimensiune redus (small-outline)
codificate cu denumirea SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) cu pinii
92
situai n linie pe pri opuse (dual-in-line), cu 8 sau mai muli pini, cu terminale
n forma de arip de pescaru i cu distana ntre pini de 1.27 mm.
Fig.A6.1 Capsula SOIC cu 8 pini
Capsule de tip PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) fcute din material
plastic dreptunghiulare cu distana dintre pini de 1.27 mm.
Fig.A6.2 Capsula de tip PLCC
1.A7 Notaii utilizate i uniti de msur

Q sarcina electric [C]
e = 1,6021*10 - 1 9 [C] sarcina electronului
E intensitatea cmpului electric [V/m]
D inducia electric [C/m 2 ]
0 1 / (4*9*10 9 ) [F/m] permitivitatea absolut
h = 6,6256 * 10 - 3 4 [Js] constanta lui Planck
c = 2,998*10 8 [m/s] viteza luminii
U tensiunea continu [V]
u tensiunea variabil (cu sau fr componenta continu)
I cutrent continuu [A]
i curent variabil (cu sau fr componenta continu)
J densitate de curent [A/ m 2 ]
p a putere activ specific (pe unitate de volum) [W/m 3 ]
P a puterea activ [W]
P r putere reactiv [VAr]
S putere aparent [VA]
R rezisten [ohm] []
93
- rezistivitate [m]
- conductivitate [S/m]
T temperatura absolut [K]
- temperatura [C]
k = 1,3804*10 - 1 6 [J/K] constanta lui Boltzmann
H intensitatea cmpului magnetic [A/m]
B inducia magnetic [T]
0 = 4*10 - 7 [H/m] permeabilitatea absolut
L inductivitatea [H]
C capacitatea [F]
Q factorul de calitate
U H tensiunea magnetic [A]
- flux magnetic [Wb]
W energie [J]
X reactan []
G conductan [S]
Y admitan [S]
94

Materiale Conductoare-Rezistoare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale Conductoare-Rezistoare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

MATERIALE CONDUCTOARE REZISTOARE

semiconductoare cu proprieti magnetice (cristale HALL).

Aciunea cmp substan n regim static pune n eviden