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DISSERTAO DE MESTRADO
SUMRIO
Pg.
INTRODUO ....................................................................................................
I. TEORIA................................................................................................................... 3
II. FABRICAO DO CMUT....................................................................................... 15
iII. FUNCIONAMENTO DO CMUT.............................................................................. 19
IV. MODELO DE PRIMEIRA ORDEM....................................................................... 21
V. MODELO DE ELEMENTOS FINITOS ................................................................... 25
VI. METODOLOGIA ................................................................................................... 28
VII. RESULTADOS ..................................................................................................... 34
VIII. DISCUSSO ........................................................................................................ 41
CONCLUSO ........................................................................................................
42
43
APNDICE 1 ............................................................................................................... 46
ii
CDD 620.28
iii
Resumo da dissertao submetida ao PPTEC/CEFET-RJ como parte dos requisitos necessrios para a obteno do grau de Mestre em Tecnologia (M.T.).
ESTUDO DE UM TRANSDUTOR DE ULTRA-SOM CAPACITIVO
UTILIZANDO O MTODO DE ELEMENTOS FINITOS
Gilberto Rufino de Santana
Outubro de 2008
Orientador: Carlos Henrique Figueiredo Alves, D.Sc.
Programa : PPTEC
Transdutores ultra-sonicos capacitivos micro-manufaturados CMUTs foram desenvolvidos como uma alternativa aos transdutores piezeltricos. O aumento da complexidade e a
necessidade de requisitos de preciso na anlise de sistemas microeletromecnicos - microelectromechanical systems MEMS tm levado necessidade do desenvolvimento de ferramentas mais precisas de simulao. Utilizando o principio do trabalho virtual e uma aproximao
no clculo da capacitncia de um elemento bsico de um transdutor capacitivo, foi desenvolvido um programa para utilizar o aplicativo ANSYS, que se baseia no mtodo dos elementos
finitos, com a finalidade de simular o comportamento da membrana deste elemento e calcular o
valor de sua capacitncia. O modelo utilizado baseou-se no artigo Finite Element Analysis of
Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers, escrito por Goksen G. Yaralioglu e outros
[1]. Uma anlise esttica foi realizada. Os deslocamentos da membrana do transdutor foram
medidos, pelo ANSYS, para vrios nveis de presso aplicada na membrana sem polarizao e
comparados com os resultados calculados de acordo com a literatura especializada. A capacitncia de uma clula foi calculada para cada valor de presso, com vrios valores de raio do
eletrodo superior.
iv
Dissertation abstract submitted to PPTEC/CEFET-RJ as partial fulfillment of the requirements
necessary to get the degree of Master in Technology (M.T.).
STUDY OF A CAPACITIVE ULTRASOUND TRANSDUCER
USING THE FINITE ELEMENTS METHOD
Gilberto Rufino de Santana
October 2008
Tutor: Carlos Henrique Figueiredo Alves, D.Sc.
Program : PPTEC
Capacitive micromachined ultrasonic transducers CMUTs were developed as an
alternative to piezoelectric transducers. The increased complexity and precision requirements
of microelectromechanical systems (MEMS) have brought the need to develop more reliable
and accurate MEMS simulation tools. Using the principle of virtual work and an approximation in
the basic element capacitance calculation of a capacitive transducer, an ANSYSs program has
developed, using the finite element method, in order to simulate the action of the element
membrane and calculate its capacitance value. The model used was based on the article
Finite Element Analysis of Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers, written by
Goksen G. Yaralioglu and others authors[1]. A static analysis was performed. The
displacements of the membrane of the transducer were measured, by ANSYS, for several levels
of applied pressure on membrane without bias and compared with the results calculated
according of the specialized literature. The capacitance of one cellule was calculated for each
value of pressure, whit several values of superior electrode ray.
INTRODUO
2
Com o programa desenvolvido tornou-se possvel, determinar fcil e rapidamente os
deslocamentos sofridos por uma membrana de uma clula do CMUT, com dimenses fsicas e
propriedades dos materiais empregados pr-estabelecidos e conseqentemente calcular os
valores de capacitncia da membrana para cada valor de presso aplicada. O deslocamento
da membrana devido a uma presso exercida sobre ela foi tambm calculado e comparado
com os valores obtidos pelos ANSYS.
Este trabalho abordou a anlise esttica.
I. TEORIA
4
ou compostos cermicos piezeltricos, tais como: Quartzo, Turmalina, Sal de Rochelle, Titanato de Brio e Titanato Zirconato de Chumbo (PZT).
Quando o ultra-som utilizado para obter informaes de um material slido, a melhor
escolha o transdutor piezeltrico, devido sua impedncia acstica ser da mesma ordem de
grandeza da impedncia acstica dos slidos. Por outro lado grande parte das aplicaes
prticas requer a gerao e deteco de ultra-som em fluidos, onde o transdutor piezeltrico
bastante ineficiente devido ao grande descasamento de impedncia entre o slido e o fluido.
Esta situao se torna dramtica em aplicaes com acoplamento a ar, devido ao fato da
impedncia acstica do ar ser da ordem de 400 Rayl, muito menor que a impedncia acstica
de um material piezeltrico ou de materiais compostos piezos-cermicos que tem impedncia
acstica da ordem de 30 MRayl [4]. Quando uma onda ultra-snica transmitida atravs de
um meio de densidade ela o percorre com certa velocidade de propagao v. A relao entre
estes dois parmetros a impedncia acstica definida como o produto da densidade pela
velocidade [5], conforme equao (1).
Z = .v
(1)
a onda ultra-snica
Z Z1
R = 2
Z 2 + Z1
T=
4 Z 2 Z1
(Z 2 + Z1 )2
(2)
(3)
5
som ao se propagar em um meio e ao passar de um meio para outro, sempre sofre atenuao
da intensidade do sinal, devido aos efeitos de absoro, reflexo e espalhamento.
Figura I.1 Ilustrao de uma onda de ultra-som passando do meio 1 para o meio 2 [6].
porque o descasamento to grande que os materiais que poderiam ser empregados nestas
camadas intermedirias so difceis de serem encontrados, segundo porque o casamento de
impedncias feito com reduo da banda de freqncias e terceiro porque os transdutores de
alta freqncia requerem camadas de acoplamento extremamente finas. Estas duas tcnicas
podem ser utilizadas, mas o acrscimo de complexidade de fabricao desta tecnologia eleva
os custos e reduz a confiabilidade [4].
6
o casamento de impedncias ainda necessria e ambos os materiais, o cermico e o casador
de impedncias devem ser fabricados com tolerncias mecnicas bem rgidas [1].
Devido ao fato da banda de freqncias do transdutor piezeltrico ser determinada por
sua geometria, as dimenses do transdutor versus banda de freqncias, para certos sistemas,
podem no convergir para uma configurao realizvel [1].
Somado a estas limitaes a geometria do elemento piezeltrico define tambm a
impedncia eltrica, de maneira que a sensibilidade do circuito eletrnico pode fazer com que
ele opere com cargas que prejudiquem seu desempenho em termos de relao sinal/rudo [1].
Em adio, materiais piezeltricos so limitados a nveis de deslocamento de
aproximadamente 10-4 [1], que transferem superfcie um deslocamento de no mximo 0,5 m
na faixa de poucos MHz. Esta amplitude pode no ser suficiente em determinadas aplicaes.
Alm destes problemas, outra desvantagem dos transdutores piezocermicos a
limitao de temperatura, que no mximo pode chegar, dependendo do transdutor, a 80 C [1],
que impede seu uso em certas condies ambientais. Para contornar esta situao a soluo
a utilizao de transdutores construdos com determinadas cermicas que suportam
temperaturas mais altas, mas tem a desvantagem de terem baixa constante de acoplamento e
um custo muito elevado.
O desenvolvimento tecnolgico dos transdutores piezeltricos continua procurando
minimizar suas limitaes, entretanto, na ltima dcada foi introduzido na comunidade de ultrasom o transdutor de ultra-som capacitivo micro-manufaturado, o CMUT, que funciona baseado
no princpio eletrosttico [7].
O principio eletrosttico vem sendo utilizado como uma alternativa ao efeito piezeltrico
na fabricao de transdutores. Os transdutores eletrostticos feitos como uma fina membrana
dieltrica metalizada colocada sobre uma placa condutora tem sido reportados desde os anos
50 [8], enquanto que o primeiro dispositivo desenvolvido para aplicaes em lquidos foi
desenvolvido em 1979 [9]. Estes dispositivos so baseados na atrao eletrosttica entre uma
placa condutora e uma membrana metalizada.
7
O transdutor eletrosttico um capacitor, onde uma das placas fixa e a outra placa,
que recebe os sinais de ultra-som, uma membrana metalizada que sofre deslocamentos em
funo da presso exercida pelas ondas ultra-sonicas.
Normalmente as membranas tm
tecnologia de micro-fabricao, tem sido possvel construir transdutores capacitivos de ultrasom que competem com os piezeltricos, alm do que os CMUTs oferecem vantagens de
melhor banda de freqncias, facilidade de fabricao de grandes arrays, interconectados
eletricamente e com integrao aos circuitos eletrnicos associados [11].
O transdutor capacitivo pode ser representado pelo modelo de MASON [12], conforme
figura I.2. Neste modelo o lado esquerdo representa a parte eltrica do transdutor e o lado direito representa a parte mecnica. O capacitor CC no lado eltrico representa o elemento capacitivo do CMUT e a capacitncia negativa considera o efeito do amortecimento do movimento
8
da membrana. O elemento ZmS representa a impedncia mecnica da membrana e o ZaS representa a impedncia mecnica do ambiente em contato com a membrana. Finalmente o
transformador representa a converso eletromecnica entre as portas eltrica e acstica. A
impedncia mecnica da membrana (Zm) definida pela relao entre a presso aplicada sobre ela e a velocidade mdia da membrana. A velocidade mdia da membrana funo da
freqncia de excitao e em conseqncia a impedncia mecnica tambm funo da freqncia.
Figura I.2 Modelo de Mason (a) para um CMUT operando como transmissor, (b) para um
CMUT operando como receptor [12].
(Y0 + T )lt3
12 1 2
4 x(r ) lt T 2 x(r ) P lt
d 2 x(r )
=0
dt 2
(4)
9
onde lt a espessura da membrana e P uma presso externa uniforme aplicada na membrana. Assumindo que a tenso gerada pelo deslocamento pequena comparada com a tenso
T, considerando uma excitao harmnica com freqncia angular , a soluo conhecida tem
a forma da equao (5):
P
2
lt )
(5)
(Y0 + T )lt3
12 1
(Y0 + T )lt3
12 1
k14 +
k 24 +
k12 2 = 0
(6)
k 22 2 = 0
(7)
k1 =
d 2 + 4c 2 d
2c
k1 =
d 2 + 4c 2 + d
2c
(8)
c=
(Y0 + T )lt2
12 1
d=
(9)
x(r ) =
k 2 J 0 (k1 r )J 1 (k 2 a ) + k1 J 0 (k 2 r )J 1 (k1 a )
1
lt k 2 J 0 (k1 a )J 1 (k 2 a ) + k1 J 1 (k1a )J 0 (k 2 a )
P
(10)
10
A velocidade da membrana, funo do raio r dada por:
2 k12 + k 22 J 1 (k1 a )J 1 (k 2 a )
jP
1 0 2
1
v = 2 v(r )rddr =
(11)
Zm =
k=
1
Cm
(13)
n =V
(d
0 A
(14)
x)
ef
d ef =
dm
+ d0
(33)
11
Em geral a sensibilidade do transdutor capacitivo determinada pela relao de transformao, a qual inversamente proporcional ao quadrado da distncia do gap, conforme mostra a
equao (14).
Transdutores de ultra-som transferem energia do domnio mecnico para o domnio
eltrico e vice-versa. O coeficiente de acoplamento eletromecnico definido pela a equao
(16) [13]:
k T2 =
E mec
=
Etotal
1
E
1 + elec
E mec
(16)
onde: Emec a energia mecnica armazenada e Eelec a energia eltrica armazenada. Uma
das mais importantes propriedades de um transdutor eletroacstico que a constante de
elasticidade da membrana (Hunt 1982) [13] para um pequeno sinal modificada pela interao
eletromecnica. Este efeito conhecido como spring softening e a constante modificada de
uma membrana vibrando em um campo eletrosttico dada pela equao (17) [13]:
k ' = k 1 k T2
(17)
C S = C (x )
(18)
xdc.Vdc
CT =
dQ ( x )
dV
xdc .Vdc
d
VC S
dV
xdc .Vdc
(19)
A capacitncia fixa pode ser determinada pela equao (20) e a capacitncia livre pode ser
determinada pela equao (21) [13].
12
CS =
CT =
0 A
(20)
d ef x
0A
(21)
d ef 3x
k T2 = 1
CS
2x
=
T
d ef x
C
(22)
aplicada h uma fora de atrao entre as cargas armazenadas nas placas, provocando uma
deflexo da membrana em direo ao substrato (placa fixa).
Como as extremidades da
membrana esto fixadas na estrutura, a amplitude da deflexo varia com a distncia do centro
da membrana sua extremidade, e maior no centro. Quando a tenso de polarizao VDC
elevada para um valor alm do ponto em que as foras eletrostticas podem ser equilibradas
pela rigidez mecnica da membrana, a estrutura sob o campo eletrosttico entra em colapso,
levando a parte central da membrana a ficar em permanente contato com a base do CMUT,
alterando a forma da membrana e em conseqncia sua freqncia de ressonncia muda
significativamente [14].
13
Aps o colapso, se a tenso de polarizao diminui, a membrana liberada do substrato. O valor da tenso em que isto ocorre denominado snapback voltage e este valor determinado em funo da constante dieltrica relativa entre a membrana e a camada isolante do
substrato. A tenso de polarizao da membrana geralmente mantida num valor abaixo da
tenso de colapso, de tal maneira que durante a operao a membrana nunca entra na regio
de colapso [14]. A tenso de colapso depende da rigidez mecnica efetiva da membrana, de
sua espessura, de seu dimetro, das dimenses do eletrodo e da fora eletrosttica produzida
pelas cargas eltricas armazenadas no eletrodo devido tenso de polarizao aplicada ao
CMUT [16] [17]. O melhor projeto de um CMUT aquele em que possvel encontrar uma
estrutura mecnica combinando baixa rigidez mecnica com alta fora eletrosttica. O eletrodo
superior uma camada metlica, normalmente de alumnio, depositada sobre a membrana.
Quando o tamanho do eletrodo diminui, a rigidez mecnica, a fora eletrosttica e a tenso de
colapso tambm diminuem. Todavia a reduo da fora eletrosttica devido diminuio da
rea do eletrodo leva a um aumento da tenso de colapso. Quase sempre com a reduo da
superfcie metalizada, sobre a membrana, que o eletrodo superior, a contribuio do aumento
da fora eletrosttica maior que a contribuio da reduo da rigidez mecnica, o que provoca um aumento da tenso de colapso [17]. Este fato pode ser visto na figura I.3 que mostra a
variao da tenso de colapso em funo do raio normalizado, do eletrodo depositado na superfcie da membrana. O raio normalizado definido pela diviso do raio do eletrodo pelo raio
da membrana, considerando que ambos tm forma circular. Observa-se que medida que o
raio normalizado aumenta, at 0,8, a tenso de colapso reduzida. Para o raio normalizado
14
com valores entre 0,8 e 0,9 a tenso de colapso fica praticamente estvel e comea a aumentar entre 0,9 e 1, sendo este aumento atribudo a rigidez mecnica.
Todavia Bozkurc et al [20] mostrou que os fringing fields (efeito de borda) dentro do
xido ou nitreto onde se apiam as extremidades da membrana, provocam a diminuio da
fora eletrosttica e conseqentemente o aumento da tenso de colapso. As capacitncias
esprias, assim como os fringing fields, so maiores quando a extremidade do eletrodo se
aproxima da extremidade da membrana onde ela fixada. Em diversos artigos [3], [12], [14] e
[16] sobre este assunto as simulaes foram realizados considerando raios normalizados do
eletrodo, entre 0,5 e 1, desprezando as capacitncias esprias e os fringing fields.
15
Todavia a
membrana pode tambm ser feita de material condutor, sendo ela o prprio eletrodo,
dispensando a metalizao. Opcionalmente o eletrodo do topo pode ser coberto com uma
camada isolante, como dixido de silcio de baixa temperatura, para prover isolao com o
meio externo.
circuitos integrados incluindo todas as possibilidades que esta tecnologia oferece, como alto
nvel de integrao, escalabilidade e fabricao em lotes.
A escalabilidade possibilita a
16
reas que ficaro abaixo das membranas e tero sua altura diminuda por reao qumica com
um xido buffered oxide etch 6:1 (BOE), que vai parar na superfcie do silcio. A profundidade
da cavidade definida pela espessura da camada de xido. Aps a mscara foto-resistente
ser removida, uma outra camada de 1200 de xido trmico de silcio depositada com a finalidade de isolao eltrica (passo 3a). Entretanto se a profundidade da cavidade for maior
que 2 m, uma parte da camada de silcio dever ser removida. Nesse caso uma outra camada de 1200 de xido trmico depositada para ser usada como mscara para aprofundar a
cavidade com hidrxido de potssio 70 C, seguido de BOE para remoo do xido. Em seguida uma camada de 4000 de xido trmico depositada 1100 C para isolao eltrica
da superfcie do silcio (passo 3b). Aps este processo a superfcie do wafer deve ser limpa e
ativada, primeiro com uma soluo de cido sulfrico e perxido de hidrognio por 20 minutos,
em seguida com cido hidro-fluordrico por 15 segundos e finalmente tratada com RCA 1
(H2O2 - NH4OH - H2O), por 5 minutos [20]. O prximo passo adicionar uma camada de silcio
de alta resistividade, que vai formar a membrana, mais uma camada de dixido de silcio e
mais uma camada de silcio de baixa resistividade. A fuso destas camadas ser feita num
vcuo de 10-5 mbar na temperatura de 150 C (passo 4). O passo seguinte aquecer o wafer
por duas horas a 1100 C para que ele fique enrijecido e fique unido permanentemente. Aps
isto a camada superior de silcio da baixa resistividade retirada com hidrxido de potssio
(KOH) (passo 5). Em seguida as partes do silcio de alta resistividade, que formam as membranas, so moldadas por fotolitografia e as partes que esto fora da rea das membranas so
retiradas com auxilio de uma mscara de fotolitografia e o xido 6:1 BOE, j usado anteriormente (passo 6). O prximo passo depositar uma camada de alumnio, de 3300 com auxilio de uma mscara, sobre as membranas, para formar os eletrodos, superiores (passo 7).
Finalmente depositada uma camada passivante de LTO (xido em baixa temperatura) e so
moldados orifcios para os fios de conexo com as outras clulas. A figura II.1 ilustra os passos descritos acima.
17
Figura II.1 - Passos para fabricao do CMUT pela tcnica do wafer-bonded [20].
A figura II.2 ilustra uma clula do CMUT fabricado pelo processo descrito acima, a figura
II.3 ilustra uma parte de um array de uma dimenso com cinco clulas e a figura II.4 ilustra uma
parte de quatro elementos de um array de uma dimenso.
Figura II.2 - Uma clula de CMUT fabricada com a tcnica de wafer-bonded [20]
18
Figura II.3 Vista de uma parte com vinte e cinco clulas de um array de CMUT [10]
Figura II.4 Vista de uma parte de quatro elementos de um array de CMUT de uma dimenso [10].
19
O transdutor capacitivo polarizado com uma tenso contnua de valor abaixo de sua
tenso de colapso, atravs de um resistor de alto valor hmico. Devido fora de atrao das
cargas eletrostticas armazenadas no capacitor a membrana deflexionada, em direo
base, diminuindo o valor da capacitncia, em relao ao valor da capacitncia quando no h
polarizao. Quando um sinal eltrico aplicado na membrana a tenso entre a membrana e
a base varia na mesma freqncia do sinal aplicado e a membrana vibra, produzindo ondas
mecnicas, que o ultra-som. No sentido oposto, quando vibraes de ultra-som atingem a
membrana, esta vibra, variando a distncia at a base, variando desta forma a capacitncia e
conseqentemente a tenso entre a membrana e a base. Esta variao de tenso um sinal
eltrico de mesma freqncia da onda ultra-sonica.
A figura III.1, mostra a representao de uma clula de um CMUT, onde a distncia
entre as placas variada em funo do tempo.
20
sonncia e como a freqncia de ressonncia inversamente proporcional ao seu dimetro e
maior quanto menor for sua espessura, suas dimenses devem ser diminutas para se obter
freqncias mais altas, de funcionamento. Para se obter freqncias da ordem de MHz as dimenses da clula so da ordem alguns mcrons, podendo um CMUT ser formado por um array com alguns milhares de clulas [21], para se obter uma sensibilidade adequada.
21
(23)
22
A fora exercida pelo capacitor calculada diferenciando-se a equao da energia potencial do capacitor em relao posio da membrana, (princpio do trabalho virtual). A capacitncia calculada pela equao (24).
C=
(d
A
ef
x)
(24)
Onde C a capacitncia, a permissividade do dieltrico, A a rea da placa, def a distncia efetiva entre a membrana e a base (gap), com o capacitor sem carga e x o deslocamento
da placa no sentido indicado na figura IV.6. A energia E armazenada no capacitor e a fora F
devido atrao eletrosttica exercida sobre a placa superior do capacitor (membrana) em
direo placa fixa inferior (base) so calculadas pelas equaes (25) e (26) respectivamente,
onde V a tenso entre as placas do capacitor, ou seja a tenso de polarizao da membrana.
1
E = CV 2
2
F =
AV 2
2(d ef x )
dE 1 2 A
= V
dx 2
(d o x )2
(25)
(26)
Sendo Fmassa a fora exercida pela massa, m a massa e a a acelerao da massa, tem-
Fmassa = ma
se:
(27)
Fmola = kx
(28)
ma +
Onde
1
[V (t )]2 A 2 kx(t ) = 0
2
[d o x(t )]
(29)
d 2 x(t )
dt 2
(30)
d 2 x(t ) 1
A
2
m
+ [V (t )]
kx(t ) = 0
2
2
dt
[d o x(t )]2
(31)
a=
23
A equao (31) uma equao diferencial no linear de segunda ordem e sua soluo
no trivial. Para observar um comportamento significante do sistema pode-se considerar o
caso em que V(t) = VDC, o que implica em no dependncia do tempo e a equao (31) tornase:
AVDC 2
2(d 0 x )
= kx
(32)
2
2kx 3 4kd 0 x 2 + 2kd 02 x AV DC
=0
(33)
a soluo consiste em trs razes reais, das quais uma uma soluo fsica e as outras duas
correspondem a uma soluo no fsica onde x > d0. Quando VDC aumenta h um valor para o
qual a fora eletrosttica sobrepuja a fora de retorno da membrana (mola) e a membrana
entra em colapso. Este ponto de inflexo encontrado quando existe uma raiz real dupla com
x > d0 [1]. O ponto de colapso ocorre para o valor de tenso definido pela equao (34) e para
o valor do deslocamento da membrana definido pela equao (35).
Vcolapso =
xcolapso =
8kd ef3
27A
d ef
3
(34)
(35)
24
qncia a membrana a placa superior do capacitor, a base coberta com uma camada de
material isolante para evitar curto-circuito quando ocorrer o colapso.
25
A figura V.1 mostra um modelo de um elemento CMUT, onde se pode observar que a
distncia entre as placas do capacitor (eletrodo e substrato) inclui o comprimento do gap e a
espessura da membrana.
Neste ponto necessrio fazer uma observao: A anlise feita no captulo IV foi baseada no modelo eletromecnico da figura IV.1, que considera a membrana como a placa superior do capacitor, o que verdade quando o material da membrana condutor. Neste modelo o material da membrana isolante. A fora eletrosttica e a capacitncia entre as duas placas do CMUT depende da efetiva distncia entre as reas das placas (eletrodos). Nesta simulao o eletrodo superior est situado sobre a membrana, fazendo com que alm do gap que
o vcuo que, assim como o ar, tem a permeabilidade relativa
entre as placas, a prpria membrana, com sua permeabilidade relativa que interfere no clculo
da capacitncia. Para o clculo correto da capacitncia deve-se utilizar a distncia efetiva entre as placas, calculada pela equao (15) [13] [22]. Nas equaes (14), (20), (21) e (22) aparecem o termo def , que a distncia efetiva do gap entre a membrana e a base.
26
Goksen G. Yaralioglu e outros, apresentaram em seu artigo [3], modelos 2-D e 3-D
utilizados
em
suas
pesquisas,
construdos
com
pacote
ANSYS
8.0
disponvel
comercialmente, na poca. O modelo utilizado neste trabalho foi elaborado a partir do modelo
2-D de Goksen G. Yaralioglu, apresentado na figura V.2, considerando uma membrana circular
construda de nitreto de silcio (Si3 N4), que um material isolante, coberto por uma camada de
alumnio, que o eletrodo superior.
axissimtrico (PLANE42), de uma biblioteca do pacote ANSYS 10.0. A figura V.1 mostra um
corte da membrana do centro extremidade e os elementos eletrostticos de uma clula de
um CMUT usados no modelo 2-D [3].
Figura V.2 Vista em corte da membrana, dividida em segmentos, utilizada no modelo 2-D [3].
O eletrodo inferior o prprio substrato de silcio fortemente dopado, que atua como a
placa inferior do capacitor. A distncia entre as placas utilizada nos clculos a distncia
efetiva obtida pela equao (15).
Como a membrana tem a forma de um crculo, o eletrodo superior tambm tem a forma
circular, sendo o raio do eletrodo menor ou igual ao raio da membrana.
Para a membrana o material utilizado foi o nitreto de silcio com as seguintes propriedades: mdulo de Young igual a 150 GPa, densidade igual a 2332 kg/m3, coeficiente de Poisson
igual a 0,17 e permissividade relativa igual a 7,5. A espessura, o raio da membrana circular e o
gap medem 1,3 m, 15 m e 0,2 m respectivamente. As propriedades da base, que um
27
substrato de silcio com espessura de 500 m no foram necessrias nesta primeira simulao,
pois foi feita a determinao do deslocamento da membrana a partir de sua posio de repouso e com estes dados foram feitos os clculos das capacitncias. Entretanto como no modelo
o substrato apenas a parte fixa que representa um ponto comum com nvel zero de tenso,
denominado terra, e no momento o interesse medir o deslocamento da membrana, cuidando
para que esta no ultrapasse a distncia do gap, o substrato representado por apenas uma
linha.
Com relao ao eletrodo superior, de alumnio, foi considerado apenas o raio normali-
zado para fins do clculo da capacitncia. A membrana composta de elementos planos simtricos em relao ao eixo perpendicular que passa pelo seu centro. As extremidades da
membrana so fixas e no se movem, de forma que sob presso o deslocamento da membrana nulo nas extremidades e mximo no centro.
28
VI. METODOLOGIA
C=
A
d
(36)
A figura VI.1 mostra um corte vertical, passando pelo centro, de uma membrana
separada da superfcie da base por um espao denominado gap. A membrana e a base
formam as placas de um capacitor. Se a membrana feita de material condutor, ela prpria
a placa superior mas se a membrana feita de material no condutor, como o caso do nitreto
de silcio, uma camada de alumnio depositada sobre a membrana a placa e ao mesmo
tempo o eletrodo superior.
A figura VI.1-a mostra uma membrana paralela base, cuja capacitncia pode ser calculada pela equao (36). A figura VI.1-b mostra a membrana deflexionada, devido a uma
presso ou a uma tenso de polarizao que produz uma fora de atrao eletrosttica entre a
membrana e a base, devido s cargas eltricas armazenadas. Como a equao (36) se aplica
apenas a capacitores com placas paralelas, o que deixa de ocorrer com a deflexo da membrana, a soluo dividir o raio da membrana em pequenos segmentos, que por aproximao
so considerados paralelos base, sendo que cada um desses segmentos forma um anel cuja
rea a rea da placa superior de pequenos capacitores. A capacitncia da membrana deflexionada o somatrio dessas pequenas capacitncias que esto em paralelo. Para calcular a
capacitncia originada por cada segmento, um dos parmetros necessrios a distncia entre
29
o segmento e a base, e esta distncia varia do centro at a borda da membrana, sendo menor
no centro e nula na borda, onde a membrana fixada.
Figura VI.1 - (a) Vista em corte de uma membrana sem deflexo. (b) Vista em corte de uma
membrana deflexionada.
membrana
30
Para o clculo da capacitncia no houve necessidade de modelar a base, pois a base
apenas a referncia para o espaamento entre as placas do capacitor.
O valor da
Figura VI.3 Grfico da variao da largura de banda com o raio do eletrodo [23].
No modelo deste trabalho foi considerado que o eletrodo uma camada de alumnio
depositada na parte superior da membrana e nos clculos sua espessura foi desprezada, levando-se em conta apenas seu raio. Foram realizadas simulaes considerando-se o eletrodo
com raio normalizado variando de 0,04 1,0 (um). A figura VI.4 mostra uma seo do raio da
31
membrana deflexionada devido a presso, de cima para baixo, exercida sobre ela, superposta
a seo sem deflexo .
conforme pode ser visto na figura VI.4. Com este processo pode-se calcular o deslocamento e
a capacitncia para cada anel que est a uma distncia r (raio) do centro, atravs das
equaes (37) e (38).
Ai = 2ri ri
C=
Ai
(37)
(38)
d efi
Onde: ri o tamanho do segmento em que o raio foi dividido, ri o raio do crculo onde se
encontra o elemento i, Ai a rea do elemento i, defi a distncia efetiva do elemento i at a
base e Ci a capacitncia relativa a rea Ai.
32
C = Ci
(39)
i =0
33
quanto maior o nmero de elementos mais exatos sero os valores obtidos. No programa desenvolvido o raio da membrana foi dividido em 25 segmentos e para cada valor de presso
aplicada o ANSYS produz uma tabela com os valores dos deslocamentos de cada segmento,
em direo a base. Os deslocamentos de cada segmento tambm foram calculados atravs
das equaes (40) e (41) [24] com uma presso de 100 kPa aplicada e comparados com os
deslocamentos obtidos com o ANSYS para a mesma presso aplicada.
D=
w=
Eh 3
12 1 v 2
(40)
q
a2 r2
64 D
(41)
34
VII. RESULTADOS
Tabela VII.1 Valores dos deslocamentos calculados de acordo com [23] e pelo mtodo dos
elementos finitos, atravs do ANSYS.
raio
0,0
0,6
1,2
1,8
2,4
3,0
3,6
4,2
4,8
5,4
6,0
6,6
7,2
7,8
8,4
9,0
9,6
10,2
10,8
11,4
12,0
12,6
13,2
13,8
14,4
15,0
deslocamento
calculado
2,79711E-09
2,78816E-09
2,76142E-09
2,71713E-09
2,65573E-09
2,57781E-09
2,48416E-09
2,37571E-09
2,25359E-09
2,11908E-09
1,97364E-09
1,81891E-09
1,65668E-09
1,48895E-09
1,31784E-09
1,14569E-09
9,74993E-10
8,08402E-10
6,48757E-10
4,99065E-10
3,62505E-10
2,42429E-10
1,42360E-10
6,59920E-11
1,71926E-11
0,00000
deslocamento
ANSYS
0,28668E-08
0,28574E-08
0,28304E-08
0,27849E-08
0,27225E-08
0,26432E-08
0,25480E-08
0,24378E-08
0,23137E-08
0,21771E-08
0,20294E-08
0,18722E-08
0,17074E-08
0,15369E-08
0,13629E-08
0,11876E-08
0,10137E-08
0,84367E-09
0,68046E-09
0,52705E-09
0,38662E-09
0,26253E-09
0,15829E-09
0,77542E-10
0,24839E-10
0,31576E-24
erro
2,492 %
2,482 %
2,499 %
2,495 %
2,515 %
2,537 %
2,568 %
2,488 %
2,667 %
2,737 %
2,827 %
2,930 %
3,060 %
3,224 %
3,422 %
3,657 %
3,969 %
4,363 %
4,886 %
5,608 %
6,651 %
8,291 %
11,19 %
17,50 %
44,47 %
35
Observa-se que a diferena percentual varia de 2,5 3 % para os deslocamentos compreendidos entre o centro da membrana, onde o deslocamento mximo, e metade do raio. Esta diferena introduz um erro aceitvel, considerando que outras aproximaes so feitas durante os
clculos. Foi realizada uma simulao com o eletrodo superior com raio normalizado igual a
0,48, ou seja, raio igual a 7,2 m, variando-se a presso de 0 Pa at 7000 kPa, obtendo-se os
valores da tabela VII.2 , que esto representados no grfico da figura VII.1.
Capacitncia (F)
3,862E-15
3,983E-15
4,112E-15
4,249E-15
4,396E-15
4,554E-15
4,723E-15
4,905E-15
5,102E-15
5,316E-15
5,548E-15
5,801E-15
6,078E-15
6,384E-15
6,723E-15
As simulaes realizadas com raios normalizados nos valores de 0,48 , 0,6 , 0,72 , 0,84 e 1,0 ,
que esto apresentadas no grfico da figura VII.2, mostram que a variao da capacitncia
proporcional a presso aplicada para qualquer valor de raio normalizado. As simulaes realizadas mostram tambm que para o modelo utilizado a membrana sofre a deflexo mxima,
com a parte central deslocando uma distncia igual a do gap, quando submetida a uma presso igual a 7,077 MPa, conforme pode ser visto na figura VII.3. As tabelas VII.3, VII.4 e VII.5
apresentam os valores de capacitncia calculados para raios normalizados variando de 0,04
1,0 com presses de 0,0 7000 kPa variando de 500 em 500 kPa.
36
Figura VII.1 Curva Capacitncia x Presso para raio normalizado igual a 0,48
Figura VII.2 Curva Capacitncia x Presso para diversos valores de raio normalizado.
37
38
Tabela VII.3 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00
0 Pa
Capacitncia
500 kPa
Capacitncia
1000 kPa
Capacitncia
1500 kPa
Capacitncia
2000 kPa
Capacitncia
2,682E-17
1,073E-16
2,414E-16
4,292E-16
6,706E-16
9,656E-16
1,314E-15
1,717E-15
2,173E-15
2,682E-15
3,245E-15
3,862E-15
4,533E-15
5,257E-15
6,035E-15
6,866E-15
7,752E-15
8,690E-15
9,683E-15
1,073E-14
1,183E-14
1,298E-14
1,419E-14
1,545E-14
1,676E-14
2,789E-17
1,115E-16
2,509E-16
4,458E-16
6,962E-16
1,002E-15
1,363E-15
1,778E-15
2,248E-15
2,773E-15
3,351E-15
3,983E-15
4,669E-15
5,407E-15
6,199E-15
7,042E-15
7,939E-15
8,887E-15
9,888E-15
1,094E-14
1,204E-14
1,320E-14
1,441E-14
1,567E-14
1,699E-14
2,905E-17
1,162E-16
2,612E-16
4,639E-16
7,240E-16
1,041E-15
1,415E-15
1,844E-15
2,330E-15
2,870E-15
3,464E-15
4,112E-15
4,813E-15
5,566E-15
6,372E-15
7,228E-15
8,136E-15
9,095E-15
1,010E-14
1,116E-14
1,227E-14
1,343E-14
1,464E-14
1,590E-14
1,722E-14
3,031E-17
1,211E-16
2,723E-16
4,834E-16
7,540E-16
1,083E-15
1,471E-15
1,916E-15
2,417E-15
2,973E-15
3,585E-15
4,249E-15
4,967E-15
5,736E-15
6,555E-15
7,425E-15
8,345E-15
9,313E-15
1,033E-14
1,140E-14
1,251E-14
1,367E-14
1,489E-14
1,615E-14
1,746E-14
3,167E-17
1,266E-16
2,844E-16
5,046E-16
7,865E-16
1,129E-15
1,532E-15
1,992E-15
2,511E-15
3,085E-15
3,714E-15
4,396E-15
5,131E-15
5,916E-15
6,750E-15
7,634E-15
8,565E-15
9,544E-15
1,057E-14
1,164E-14
1,276E-14
1,393E-14
1,514E-14
1,641E-14
1,772E-14
39
Tabela VII.4 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00
2500 kPa
Capacitncia
3000 kPa
Capacitncia
3500 kPa
Capacitncia
4000 kPa
Capacitncia
4500 kPa
Capacitncia
3,317E-17
1,325E-16
2,976E-16
5,278E-16
8,219E-16
1,179E-15
1,597E-15
2,076E-15
2,612E-15
3,205E-15
3,853E-15
4,554E-15
5,306E-15
6,108E-15
6,958E-15
7,856E-15
8,799E-15
9,788E-15
1,082E-14
1,190E-14
1,303E-14
1,420E-14
1,541E-14
1,668E-14
1,799E-14
3,481E-17
1,390E-16
3,121E-16
5,530E-16
8,606E-16
1,233E-15
1,669E-15
2,166E-15
2,722E-15
3,335E-15
4,003E-15
4,723E-15
5,494E-15
6,313E-15
7,180E-15
8,091E-15
9,048E-15
1,005E-14
1,109E-14
1,218E-14
1,331E-14
1,448E-14
1,570E-14
1,696E-14
1,828E-14
3,661E-17
1,462E-16
3,280E-16
5,808E-16
9,030E-16
1,292E-15
1,747E-15
2,264E-15
2,841E-15
3,476E-15
4,164E-15
4,905E-15
5,696E-15
6,533E-15
7,416E-15
8,343E-15
9,312E-15
1,032E-14
1,137E-14
1,247E-14
1,360E-14
1,478E-14
1,600E-14
1,726E-14
1,858E-14
3,861E-17
1,541E-16
3,456E-16
6,114E-16
9,496E-16
1,358E-15
1,833E-15
2,372E-15
2,971E-15
3,628E-15
4,340E-15
5,102E-15
5,913E-15
6,770E-15
7,670E-15
8,612E-15
9,595E-15
1,062E-14
1,168E-14
1,278E-14
1,392E-14
1,510E-14
1,632E-14
1,759E-14
1,890E-14
4,083E-17
1,629E-16
3,651E-16
6,453E-16
1,001E-15
1,429E-15
1,927E-15
2,489E-15
3,113E-15
3,795E-15
4,530E-15
5,316E-15
6,148E-15
7,025E-15
7,943E-15
8,901E-15
9,897E-15
1,093E-14
1,200E-14
1,311E-14
1,425E-14
1,543E-14
1,666E-14
1,793E-14
1,924E-14
40
Tabela VII.5 Capacitncia x presso x raio normalizado
Raio
Normalizado
0,04
0,08
0,12
0,16
0,20
0,24
0,28
0,32
0,36
0,40
0,44
0,48
0,52
0,56
0,60
0,64
0,68
0,72
0,76
0,80
0,84
0,88
0,92
0,96
1,00
5000 kPa
Capacitncia
5500 kPa
Capacitncia
6000 kPa
Capacitncia
6500 kPa
Capacitncia
7000 kPa
Capacitncia
4,331E-17
1,727E-16
3,868E-16
6,831E-16
1,058E-15
1,509E-15
2,031E-15
2,619E-15
3,269E-15
3,977E-15
4,738E-15
5,548E-15
6,403E-15
7,300E-15
8,237E-15
9,211E-15
1,022E-14
1,127E-14
1,234E-14
1,346E-14
1,461E-14
1,579E-14
1,702E-14
1,829E-14
1,961E-14
4,610E-17
1,838E-16
4,112E-16
7,253E-16
1,122E-15
1,598E-15
2,146E-15
2,763E-15
3,441E-15
4,177E-15
4,965E-15
5,801E-15
6,680E-15
7,599E-15
8,555E-15
9,546E-15
1,057E-14
1,163E-14
1,272E-14
1,384E-14
1,499E-14
1,618E-14
1,741E-14
1,868E-14
1,999E-14
4,926E-17
1,963E-16
4,387E-16
7,730E-16
1,194E-15
1,697E-15
2,275E-15
2,922E-15
3,632E-15
4,398E-15
5,215E-15
6,078E-15
6,982E-15
7,924E-15
8,900E-15
9,909E-15
1,095E-14
1,202E-14
1,311E-14
1,424E-14
1,540E-14
1,659E-14
1,782E-14
1,910E-14
2,041E-14
5,287E-17
2,105E-16
4,701E-16
8,271E-16
1,276E-15
1,809E-15
2,420E-15
3,101E-15
3,845E-15
4,644E-15
5,492E-15
6,384E-15
7,315E-15
8,280E-15
9,277E-15
1,030E-14
1,136E-14
1,244E-14
1,355E-14
1,468E-14
1,585E-14
1,704E-14
1,827E-14
1,955E-14
2,086E-14
5,703E-17
2,269E-16
5,061E-16
8,890E-16
1,369E-15
1,936E-15
2,584E-15
3,302E-15
4,083E-15
4,918E-15
5,800E-15
6,723E-15
7,681E-15
8,672E-15
9,690E-15
1,073E-14
1,180E-14
1,290E-14
1,401E-14
1,516E-14
1,633E-14
1,753E-14
1,876E-14
2,003E-14
2,135E-14
41
VIII. DISCUSSO
O software desenvolvido para ser utilizado com o aplicativo ANSYS uma ferramenta
que possibilita fazer a simulao de um modelo de uma clula de um transdutor capacitivo
CMUT, para calcular os deslocamentos da membrana para cada valor de presso aplicada e
tambm calcular os valores de capacitncia da clula para cada deslocamento da membrana e
para cada valor de raio normalizado do eletrodo superior. Pode-se ainda variar as dimenses e
os valores das propriedades dos materiais que compem a clula e verificar a influncia dessas
variaes nos resultados obtidos. Verificou-se que dividindo o raio da membrana em 25 segmentos, os valores obtidos para os deslocamentos de cada segmento so compatveis com os
valores calculados atravs das equaes (40) e (41) [24] para uma presso de 100 kPa. Verificou-se, tambm que a capacitncia varia proporcionalmente com a presso aplicada, conforme
pode ser visto na figura VII.2, onde as curvas de capacitncia x presso x raio normalizado so
idnticas para diversos valores de raio normalizado. Nos valores de capacitncia obtidos no
esto includas as capacitncias parasitas que existem entre os terminais que fazem a conexo
entre as clulas , que esto ligadas em paralelo, nem os fringing fields (efeito de borda). No
software ANSYS tem um comando, NLGEOM, que inclui nos resultados do deslocamento de
cada segmento da membrana, os efeitos que ocorrem devido a uma grande deflexo, que so
as componentes transversais da fora que atua em cada n, devido a cada segmento no estar
mais na linha horizontal, quando h a deflexo da membrana. Os resultados da simulao com
o comando NLGEOM ativado e desativado no apresentaram diferena, em razo da deflexo
da membrana ser pequena em relao ao seu raio.
Este trabalho deve ser continuado com o estudo da simulao da clula polarizada
com uma tenso contnua para se ter os resultados do comportamento da membrana submetida a foras eletrostticas e a conseqente determinao da tenso de colapso e de outros parmetros, como: banda de freqncia e fator de acoplamento.. Deve ser feita tambm a anlise
harmnica com sinal AC aplicado junto com a tenso de polarizao.
42
CONCLUSO
43
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
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Butrus
T.;
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APNDICE 1 : Programa para simulao do CMUT
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ANLISE DE UM CMUT PELO MTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
CMUT - TRANSDUTOR CAPACITIVO DE ULTRA-SOM MICROMANUFATURADO
ANLISE ESTTICA
DETERMINAO DA DEFLEXO DA MEMBRANA
EM FUNO DA PRESSO APLICADA
DETERMINAO DA CAPACITNCIA DE UMA CLULA
EM FUNO DA PRESSO APLICADA
!
A MEMBRANA FOI CONSTRUIDA COM ELEMENTO PLANE42 (ANSYS)
!
A membrana circular tem as seguintes dimenses:
raio = 15 m
espessura = 1,3 m
gap = 0,2 m
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
FINISH
/CLEAR,START
/PREP7
! Axisymmetric membrane
! dimenses da membrana (em metros)
h1 = 0.2e-6
! altura do gap
h2 = 1.5e-6
! gap + espessura
r = 15e-6
! raio da membrana
reletrodo = r/2
! raio do eletrodo
esp = 1.3e-6
! espessura da membrana
ndiv=25
! n de divises
comp = r/ndiv
! comprimento da diviso
pi = 3.14159265
perm = 8.854e-12
! permissividade absoluta
er = 7.5
! permissividade relativa da membrana
def=(esp/er)+h1
Pressao = 7077000
j = 25
x1 = 0
y1 = 0
x2 = r
y2 = 0
x3 = r
y3 = h1
x4 = r
y4 = h2
x5 = 0
y5 = h2
47
x6 = 0
y6 = h1
! marcao dos keypoints
K,1,x1,y1
K,2,x2,y2
K,3,x3,y3
K,4,x4,y4
K,5,x5,y5
K,6,x6,y6
! propriedades do material
MP,ex,1,150E9
! MP,(md. elast.),(num. material),(valor)
MP,prxy,1,0.17
! MP,(coef. poisson),(num. material),(valor)
MP,dens,1,2000
! MP,(densidade),(num. material),(valor)
ET,1,plane42
KEYOPT,1,3,1
ESIZE,comp
! criao da malha
NUMCMP,elem
AMESH,all
! condies de contorno
DL,3,1,all,0
! (num.linha),(num.rea da linha),(grau de liberdade),(valor)
DL,2,2,all,0
SFL,4,pres,pressao
! Presso em PA na linha 4
/SOLU
NLGEOM,on
SOLVE
/POST1
! Criao de um caminho
PATH,base,2,30,ndiv ! Nome, n de pontos, n de sets, n de divises
PPATH,1,2
! Ponto 1, n 2
PPATH,2,5
! Ponto 2, n 5
PDEF,desloc,u,y,avg ! Nome, item, componente,
PRPATH,desloc
! Prints path items along a geometry path
PLPATH,desloc
! Traa o grfico do deslocamento em funo do raio
ESEL,none
48
ESEL,s,path,base