Tranzistor Bipolar PNP, model : 2SA2169

Evaluari maxime absolute la TA = 25 C

PARAMETRU

SIMBOL

Tensiunea
colector-baza
Tensiunea
colector-emitor
Tensiunea
emitor-baza
Curentul pe
colector
Curentul pe
colector(pulse)
Curentul pe
baza
Puterea disipata
pe colector
Temperatura
jonctiunii
Temperatura de
depozitare

CONDITIE

EVALUARI

UNITATE DE
MASURA
V

VCB0

-50(100)

VCE0

-50

VEB0

(-)6

IC

(-)10

ICP

PW<100s ,
PW=100s

(-)13

IB

(-)2

PC

0.95
20
150

W
W
C

de la -55 pana
la +150

Tc = 25 C
TJ
Tstg

Caracteristici electrice la TA = 25 C
PARAMETRU

SIMB
OL

CONDITII

EVALUARI

Curentul invers
al jonctiunii
collector-baza
Curentul invers
al jonctiunii
emitor-baza
Poarta de curent
continuu
Capacitatea de
iesire
Tensiunea de
saturatie
colector-emitor

ICBO

VCB=(-)40V, IE=0A

(-)10

UNITA
TE DE
MASU
RA
A

IEBO

VEB=(-)4V, IC=0A

(-)10

hfe

VCE=(-)2V,
IC=(-)1A
VCB=(-)10V,
f=1Mhz
IC=(-)5A,
IB=(-)250mA

Tensiunea de
saturatie baza-

VBE(sat)

MIN
MAX

Cob
VCE(sat)

IC=(-)5A,
IB=(-)250mA

TYP

200

(560)70
0
(90)60

(290)18
0
(-)0.93

pF
(580)36
0

mV

(-)1.4

emitor
Tensiunea de
polarizare ColectorBaza

V(BR)CBO IC=100A, IE=0A

(50)
100

Tensiunea de
polarizare ColectorEmitor

V(BR)CEO IC=1mA, RBE=OO

(-)5
0

Tensiunea de
polarizare EmitorBaza

V(BR)EBO IE=100A, IC=0A

(-)6

Timpul de
aprindere
Timpul de
depozitare
Timpul de
cadere

ton

(70)40

ns

tstg

(650)10
00
(60)80

ns

tf

ns

MOCANU OANA- MARIA

GRUPA 8315