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Ete s wemiad de npr one mes de Seber "10H en be pants ings de HDICIENT SANG ‘eke Sirs 129) belinda Pron de BAS CAPITULO 18 EL TRANSISTOR Qué es un transistor? Em principio poems deve que trae de un componente activo due, tal com Ia valvula de acto, posse dos terminals de entra y dos tennis de sla, En Se trata de-un bioque de materal semiconductor P, junto a lin troro-de- material semiconductor Ny fialmente an terse logue de material semiconductor P Fodemos similar un transistor a un par de diodos (uno PN foo NP) puesto en serie. Tal coms indica ci figura 1.18 ada uno de estos Dlogues reside un nombre. emis, base y foieetor, Asi come 1d valvula de vacto la grils ese letrodo Sensible, en al tansistor cl blogue coniral (de material semicon SuetoeN) que Hamamos base, el electzodo sensible El transistor que mostramos en la figura 1.18 e+ un transistor PAP. Sielcolector y et emiaorfueran de material Ny Is Base Py se trataria de un transistor NPN, ompletando la atalonia con na valvala de vacfo ditemos ‘que asf com la villa posee dos terminals de entrada: citodo ¥ gray dos terminale de suid: citodo y snodo, el transistor tiene tambien un par de lerminales de entrada: emisor y bate os terminales de said: emisor y colector. {Como amplifica un transistor? Eel caso dela valvla sabi imo que exstla una corrente electronica gobernads por le I, Pero em el caso de un transistor se tata de un bloque sh ig 118) Tramistor PNP y 14 simbolo co respondient fede “dentro” dct tasshtor pata poder comprender pone Smplifea Como existen dos jontur dentro del transistor ex importante la forma como s lbs poatce, pus esto condicionar lfuncionamienta cuando se nyeste una determina snl Funcionamiento del Transistor Vamos 4 rpresntar un transistor en forma esquemitiea y muy amplifeada de manera de vor Ia extructura interna de os materials semondctoes que To. componen. Results impres- Sui tener bien presente que era lo que sucedia en una fungura PA. sin polinzacion, con polarization directa y con Dolerscin aver para comprender como fonciona un tran En Is figura 2.18 rpresntamos un transitor PNP (ts explcacign es wilds tambien pars en transistor NPN teniendo fen chenta cuales serin los portaores en ete eas © invite Is olardades ¥ fos sentdon de etetaci dels crete En Is figura 2.18 hemos represehtado la hase mie dea a6 fl colectory el emior, en realidad hs tanvntore exin coms teuidos de ests forma, ya veremon org. Revordenmo que eh el material P las caras fas som tos stomos de ampurers (nes twos) ¥ los hemos Fepresentado por medio de cites con siane menos ( © ). Em este material os prtadones carsis = ‘lesson Ls apunaspostivasque hemos representado pore (CH Asiniemo en el material N que forma fs Bas. lis cane jas son los atomos de impurcza (positwos) | @ )y hs portale rex 0 ciraae miles son eectiones que representamoy por Hn Steno (). Para simplifear suponemos, em principio. que solo fxisten Jos portadres que hemos mencionido tmvoritrios, fo tenemos e® cuenta [a existencin de ls pues ckstotagung formados por efecto de la temperate, y4 que se proporeion ssmucho menor. “Transistor sin fuente de tension externa En la figura 2.18 hemos rpresentado un transistor PNP sin hinguna conexion externa, en esas condiciones ls dos juntas infemngs del transistor harin que, en un primer momento, s ‘reduzca le ciculacion de portadores taney dela asta ue 2 formada una zona Ube de portadores como yi hemos En Ia juntura PN formada entre el colector(P)y ta bate (NP la lagunas del eoletorstuadas cerca de lnunin han died hacia a base recombinjndose al con fs eletrones que se uentran en la base. A ss ver muchos de esi eketrons se han trasladado hasta et eolectorrecombinsndose eo ls lags due alse encuentran en abundancia. Por esta causa aun eee teferetole roo ere a 1: ey, S @ HH © : ee UB ELISA 1 0,8,9,0,8 F »}.0,0,810,e etote’a’e +010+0+0+0 o—fo 09 Fig 2.18) Exqucma de la estructura intern om tn wansstor PNP cuando mo tiene oplicada Ininguna tension externa, Se forman dos 20 nas oucas de cargos alrededor de cada ue Ue ls junturesy surgon los corespondintes ‘impor inernos Bey Fe ambos dos de la juntura cag is sm mcrae qe praca tn campo inter Ee que tena el movimento debs portadones En definitva queda wna zona ibe de portadores ene 1 ¥ ig 218. Lo mismo sede en a juntury NP entre hase y emir tn tin queda alli una zona desert de portaores dente cy A tun campo interno Ee, “Transistor com tension extern entre coetory emisor En la figura 3.18 tenemos un transistor af que se He conceto uma baterfa externa entre el colectory el emor. EY native te esta buteria se ha conectado tl coletor¥ cl posto al emir. {Que ocure ahora entre as dos juneras interns? La hateria Ve polaris de forma opuesta ie dox unturay en efecto La juntura ae-emisor queda polarizada en directs peso que el teria P [elemior) queda conceal positive ye mates N {ls base queda conectado at negatno a través del coletor. PY campo ‘kstrico extern prodvcida por la bateria Ve que hemos den mminado Eext tiene sentido conan al Ee y por lo tanto ls dona deserts ed Se hace peaueha 0 practicamentedesaparecs co ‘mo mucsra fo firura 318, Por oto lado la juntura eolectorbase queda polarzada en inverst puesto que el colector 1P) ha que ‘dado conectado al negstwo Yl material N de ly base est cr nectado al postho a trae det enor, El campo eaterno Fext Ge a bateria refveesalcampa interno Bey roma deserts ode barter ab a ensancha hast ‘Como la juntura emisorbase esti polarizada en deta pods cizcularomrente tas declls pero cl citcito eta "sorta en Ja juntura colestorbase ya que ella es polaialt eh iver ‘somo acabomos de ver Por io tanto no podeaeitclar connate través de la ateria Ve, el coletor. hase ¥ «1 emisor. Ll Transistor ext logue,

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